KR20080079030A - 기판을 처리하는 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 공정챔버;상기 공정챔버 내부에 설치되며, 기판을 지지하는 지지부재;상기 공정챔버의 내부에 소스가스를 공급하는 가스공급부재;상기 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부재를 포함하되,상기 플라스마 생성부재는,상기 공정챔버의 내부에 공급된 상기 소스가스에 대하여 에너지를 인가하는 코일부재; 및상기 지지부재와 상기 코일부재 사이의 거리를 조절하는 승강부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 승강부재는 상기 코일부재에 연결되며, 상기 코일부재를 승강하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 코일부재는,상기 공정챔버의 측벽을 감싸는 코일; 및상기 코일이 실장되는 코일 고정체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
- 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,상기 기판을 공정챔버의 내부에 설치된 지지부재 상에 올려 놓는 단계;상기 공정챔버의 내부에 소스가스를 공급하고 상기 소스가스에 에너지를 인가하여 상기 플라스마를 생성하는 단계; 및상기 플라스마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하되,상기 플라스마를 생성하는 단계는 공정조건에 따라 상기 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공정조건에 따라 상기 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계는 상기 소스가스에 에너지를 인가하는 코일부재를 승강하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공정조건에 따라 상기 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계는,다양한 공정조건에 따라 상기 플라스마의 생성위치를 달리하여 공정률을 측정하는 단계;측정된 상기 공정률로부터 주어진 공정조건에 따른 상기 플라스마의 최적의 생성위치를 결정하는 단계; 및상기 플라스마의 생성위치를 최적의 생성위치로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
- 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,상기 기판을 공정챔버의 내부에 설치된 지지부재 상에 올려 놓는 단계;상기 공정챔버의 내부에 제1 소스가스를 공급하고 상기 제1 소스가스에 에너지를 인가하여 제1 플라스마를 생성하는 단계; 및상기 제1 플라스마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계;상기 공정챔버의 내부에 제2 소스가스를 공급하고 상기 제2 소스가스에 에너지를 인가하여 제2 플라스마를 생성하는 단계; 및상기 제2 플라스마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하되,상기 제1 및 제2 플라스마를 생성하는 단계는 공정조건에 따라 상기 제1 및 제2 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
- 제7항에 있어서,상기 공정조건에 따라 상기 제1 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계는,다양한 공정조건에 따라 상기 제1 플라스마의 생성위치를 달리하여 공정률을 측정하는 단계;측정된 상기 공정률로부터 주어진 공정조건에 따른 상기 제1 플라스마의 최적의 생성위치를 결정하는 단계; 및상기 제1 플라스마의 생성위치를 최적의 생성위치로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 공정조건에 따라 상기 제2 플라스마의 생성위치를 조절하는 단계는,다양한 공정조건에 따라 상기 제2 플라스마의 생성위치를 달리하여 공정률을 측정하는 단계;측정된 상기 공정률로부터 주어진 공정조건에 따른 상기 제2 플라스마의 최적의 생성위치를 결정하는 단계; 및상기 제2 플라스마의 생성위치를 최적의 생성위치로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.
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