KR20080078227A - Liquid crystal display and repair method thereof - Google Patents

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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) and a repair method for the same are provided to repair a short-circuited TFT(Thin Film Transistor) efficiently without darkening it by arranging plural repair parts, which are not overlapped with a gate line or a gate electrode, at the source electrode of each TFT. An LCD comprises the first substrate, the second substrate, a gate line(102), a data line(103), a gate electrode(106), the first source electrode(104a), the second source electrode(104b), the third source electrode(104c), a drain electrode(107), a pixel electrode(108), and a liquid crystal layer. The first substrate and the second substrate face each other. The gate line and the data line define a pixel area, crossing each other on the first substrate. The gate electrode is formed at the gate line. The first source electrode is protruded from the data line. The second source electrode, protruded from the first source electrode, has the first repair part, which is not overlapped with the gate electrode, and the first electrode part, which is overlapped with the gate electrode. The third source electrode, protruded from the first source electrode, has the second repair part, which is not overlapped with the gate electrode, and the second electrode part, which is overlapped with the gate electrode. The drain electrode is formed between the second source electrode and the third source electrode. The pixel electrode, formed at the pixel area, is connected with the drain electrode. The liquid crystal layer is formed between the first substrate and the second substrate.

Description

액정표시장치 및 그 리페어 방법 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND REPAIR METHOD THEREOF} LCD and its repair method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND REPAIR METHOD THEREOF}

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 평면도.1 is a plan view showing a general liquid crystal display device.

도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1.

도 3a는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도.3A is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 1.

도 3b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도.3B is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도.4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도.6 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7과 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법을 나타낸 평면도.7 and 9 are plan views illustrating a repair method of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도.8 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV ′ of FIG. 7.

도 10과 도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법을 나타낸 평면도.10 and 11 are plan views illustrating a repairing method of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

102, 202 : 게이트 라인 103, 203 : 데이터 라인102, 202: gate line 103, 203: data line

106, 206 : 게이트 전극 107, 207 : 드레인 전극106 and 206: gate electrode 107 and 207: drain electrode

104 : 소스 전극 104: source electrode

104a : 제 1 소스 전극 104b : 제 2 소스 전극 104c : 제 3 소스 전극104a: first source electrode 104b: second source electrode 104c: third source electrode

204 : 제 1 소스 전극 205 : 제 2 소스 전극204: First source electrode 205: Second source electrode

본 발명은 액정표시장치 및 그 리페어 방법에 관한 것으로서, 특히 박막트랜지스터의 리페어를 효율적으로 달성할 수 있는 액정표시장치 및 그 리페어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a repair method thereof, and more particularly, to a liquid crystal display device and a repair method capable of efficiently achieving repair of a thin film transistor.

일반적으로 액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 널리 이용되고 있다.BACKGROUND ART In general, liquid crystal display devices have tended to be gradually widened due to their light weight, thinness, and low power consumption. Accordingly, the liquid crystal display device is widely used as a portable computer such as a notebook PC, office automation equipment, audio / video equipment, and the like.

통상적으로 액정표시장치는 매트릭스형태로 배열되어진 다수의 제어용 스위칭 소자에 인가되는 영상신호에 따라 광의 투과량이 조절되어 화면에 원하는 화상을 표시하게 된다.In general, the liquid crystal display device displays a desired image on a screen by adjusting the amount of light transmitted according to image signals applied to a plurality of control switching elements arranged in a matrix.

이러한 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 상부기판인 컬러필터(color filter) 기판과 하부기판인 박막트랜지스터 어레이(Thin film Transistor Array) 기판이 서로 대향하고 그 사이에는 액정층이 충진된 액정패널과, 상기 액정패널에 주사신호 및 화상정보를 공급하여 액정패널을 동작시키는 구동부를 포함하여 구성 된다.The liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which a color filter substrate as an upper substrate and a thin film transistor array substrate as a lower substrate are opposed to each other, and a liquid crystal layer is filled therebetween; And a driver for supplying scan signals and image information to the liquid crystal panel to operate the liquid crystal panel.

상기 컬러필터 기판에는 컬러를 표현하기 위한 컬러필터 층 및 블랙 매트릭스가 형성되며, 하기 화소전극과 함께 액정을 구동하기 위한 공통 전극이 형성된다.A color filter layer and a black matrix are formed on the color filter substrate, and a common electrode for driving a liquid crystal is formed together with the following pixel electrode.

또한, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에는 종횡으로 배치되어 복수의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인이 형성되며, 상기 각 화소에는 매트릭스 형태로 형성된 복수 개의 화소전극 및 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 각 화소전극에 전달하는 복수 개의 박막 트랜지스터가 형성된다. In addition, a gate line and a data line are formed on the thin film transistor array substrate vertically and horizontally to define a plurality of pixels, and each pixel is switched by a plurality of pixel electrodes formed in a matrix form and signals of the gate line. A plurality of thin film transistors for transmitting a signal of a data line to each pixel electrode is formed.

이러한 액정표시장치는 상기 화소 전극과 공통전극 사이에 형성되는 전계에 의해 액정이 구동되어 화상을 표시하게 된다.In the liquid crystal display, a liquid crystal is driven by an electric field formed between the pixel electrode and the common electrode to display an image.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래의 일반적인 액정표시장치 및 리페어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a conventional liquid crystal display and a repair method will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 평면도로서, 설명의 편의를 위하여 두 개의 화소만을 도시하였다.FIG. 1 is a plan view illustrating a general liquid crystal display, and only two pixels are shown for convenience of description.

도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도로서, 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 등을 도시하였다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1, illustrating a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and the like.

도 3a는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도로서, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 쇼트가 발생한 모습을 도시하였다.FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 1 and illustrates a short circuit generated between the source electrode and the drain electrode.

도 3b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도로서, 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 모습을 도시하였다.FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 1 and illustrates a short circuit generated between the source electrode and the gate electrode.

도 1에 도시한 바와 같이 일반적인 액정표시장치는 제 1 기판(1)과 제 2 기판(미도시)으로 이루어지며, 상기 제 1 기판(1) 상에는 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인(2) 및 데이터 라인(3)이 형성된다. 상기 각 화소 영역에는 화소 전극(8)이 형성되고, 상기 각 게이트 라인(2)과 데이터 라인(3)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터가 형성되어 상기 박막 트랜지스터가 상기 게이트 라인(2)의 신호에 따라 데이터 라인(3)의 데이터 신호를 각 화소 전극(8)에 인가한다. 여기서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 라인(2)에 형성된 게이트 전극(6)과, 상기 데이터 라인(3)으로부터 돌출되며 게이트 전극(6)의 일측과 오버랩되는 소스 전극(4)과, 상기 소스 전극(4)과 소정 간격 이격하여 게이트 전극(6)의 타측과 오버랩되는 드레인 전극(7)과, 상기 게이트 전극(6)의 상부에 위치하고 소스 전극(4)과 드레인 전극(7)의 하부에 위치하는 반도체 층(13)을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, a general liquid crystal display device includes a first substrate 1 and a second substrate (not shown), and a gate line intersecting with each other on the first substrate 1 to define a pixel region. 2) and data line 3 are formed. Pixel electrodes 8 are formed in the pixel regions, and thin film transistors are formed at portions where the gate lines 2 and the data lines 3 cross each other so that the thin film transistors are connected to the signals of the gate lines 2. Accordingly, the data signal of the data line 3 is applied to each pixel electrode 8. The thin film transistor may include a gate electrode 6 formed on the gate line 2, a source electrode 4 protruding from the data line 3, and overlapping with one side of the gate electrode 6, and the source electrode ( A drain electrode 7 overlapping the other side of the gate electrode 6 at a predetermined distance from the gate electrode 6, and positioned above the gate electrode 6 and positioned below the source electrode 4 and the drain electrode 7. And a semiconductor layer 13.

상기 반도체 층(13)은 하부에는 비정질 실리콘층(11)이, 상부에는 n+층(12)이 차례로 증착되어 이루어진다. 또한, 상기 게이트 라인(2) 및 게이트 전극(6)을 포함한 제 1 기판(1) 전면에는 게이트 절연막(10)이 형성된다.The semiconductor layer 13 is formed by depositing an amorphous silicon layer 11 on the bottom and an n + layer 12 on the top. In addition, a gate insulating film 10 is formed on the entire surface of the first substrate 1 including the gate line 2 and the gate electrode 6.

그리고, 상기 반도체 층(13) 및 소스 전극(4)과 드레인 전극(7)을 포함한 데이터 라인(3)의 상부에는 상기 드레인 전극(7) 상부 소정 부위에 홀(15)이 구비된 보호층(14)이 형성된다.In addition, a passivation layer including a hole 15 in a predetermined portion of the drain electrode 7 is disposed on the data line 3 including the semiconductor layer 13, the source electrode 4, and the drain electrode 7. 14) is formed.

여기서, 상기 게이트 전극(6)은 게이트 라인(2) 중에서 상기 소스 전극(4) 및 드레인 전극(7)과 오버랩되는 부분이며, 게이트 전극(6)은 게이트 라인(2)으로 부터 돌출되어 형성되기도 한다.Here, the gate electrode 6 is a portion overlapping with the source electrode 4 and the drain electrode 7 of the gate line 2, the gate electrode 6 may be formed to protrude from the gate line 2. do.

이러한 구조의 액정표시장치는, 액정표시장치의 제조 과정 중에 소스 전극(4)과 드레인 전극(7) 사이에 이물이 발생하거나 정전기 현상이 발생하여 도 3a에 도시한 A 또는 B와 같이 소스 전극(4)과 드레인 전극(7) 사이에 쇼트가 발생하는 문제점이 있다.In the liquid crystal display device having such a structure, foreign matter or electrostatic phenomenon occurs between the source electrode 4 and the drain electrode 7 during the manufacturing process of the liquid crystal display device, so that the source electrode (A or B shown in FIG. There is a problem that a short occurs between 4) and the drain electrode 7.

또한, 액정표시장치의 제조 과정 중에 소스 전극(4)과 게이트 전극(6) 사이에도 힐-락 현상에 의해 이물이 발생하거나 정전기 현상이 발생하여 도 3b에 도시한 C 또는 D와 같이 소스 전극(4)과 게이트 전극(6) 사이에 쇼트가 발생하는 문제점이 있다.In addition, foreign matter or static electricity is generated between the source electrode 4 and the gate electrode 6 during the manufacturing process of the liquid crystal display due to the heel-lock phenomenon, so that the source electrode (C or D shown in FIG. There is a problem that a short occurs between 4) and the gate electrode 6.

상기와 같이 박막 트랜지스터의 소스 전극(4)과 드레인 전극(7) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 소스 전극(4) 또는 드레인 전극(7)을 레이져 등의 수단을 이용해 절단하여 해당 박막 트랜지스터를 암점화함으로써 리페어하는 방법이 이용되고 있다.When a short occurs between the source electrode 4 and the drain electrode 7 of the thin film transistor as described above, the source electrode 4 or the drain electrode 7 is cut by means of a laser or the like to darken the thin film transistor. The repairing method is used.

또한, 상기와 같이 박막 트랜지스터의 소스 전극(4)과 게이트 전극(6) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 소스 전극(4)을 레이져 등의 수단을 이용해 절단하여 해당 박막 트랜지스터를 암점화함으로써 리페어하는 방법이 이용되고 있다.In addition, when a short occurs between the source electrode 4 and the gate electrode 6 of the thin film transistor as described above, the source electrode 4 is cut by means of a laser or the like and repaired by darkening the thin film transistor. Is used.

이러한 기존의 일반적인 리페어 방법은, 불량이 발생한 해당 박막 트랜지스터를 살리는 방식이 아닌 해당 박막 트랜지스터를 암점화하여 사용하지 않는 방법이므로, 액정표시장치의 화면 품질을 저하하는 요인이 되고 있다.The conventional general repair method is a method of darkening the thin film transistor and not using the thin film transistor in which a defect has occurred, thus reducing the screen quality of the liquid crystal display device.

따라서, 본 발명의 목적은 박막 트랜지스터의 소스 전극에 리페어부를 마련함으로써 효율적으로 박막트랜지스터의 리페어를 달성할 수 있는 액정표시장치 및, 그 리페어 방법을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a repair method capable of achieving a repair of a thin film transistor efficiently by providing a repair portion at a source electrode of a thin film transistor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시장치는, 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판; 상기 제 1 기판 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 게이트 라인에 형성된 게이트 전극; 상기 데이터 라인으로부터 돌출된 제 1 소스 전극; 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 2 소스 전극; 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 3 소스 전극; 제 2 소스 전극과 제 3 소스 전극의 사이에 형성된 드레인 전극; 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.According to an embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes: a first substrate and a second substrate facing each other; A gate line and a data line crossing each other on the first substrate to define a pixel area; A gate electrode formed on the gate line; A first source electrode protruding from the data line; A second source electrode protruding from the first source electrode and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; A third source electrode protruding from the first source electrode and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode and a second electrode portion overlapping with the gate electrode; A drain electrode formed between the second source electrode and the third source electrode; A pixel electrode formed in the pixel area and connected to the drain electrode; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate.

또한, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 액정표시장치는, 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판; 상기 제 1 기판 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 게이트 라인에 형성된 게이트 전극; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 1 소스 전극; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 2 소스 전극; 상기 제 1 소스 전극과 제 2 소스 전극의 사이에 형성된 드레인 전극; 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.In addition, the liquid crystal display device according to another preferred embodiment of the present invention, the first substrate and the second substrate facing each other; A gate line and a data line crossing each other on the first substrate to define a pixel area; A gate electrode formed on the gate line; A first source electrode protruding from the data line and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; A second source electrode protruding from the data line and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode and a second electrode portion overlapping with the gate electrode; A drain electrode formed between the first source electrode and the second source electrode; A pixel electrode formed in the pixel area and connected to the drain electrode; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이며, 도 5는 본 도 4의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.4 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line III-III ′ of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.6 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7과 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법을 나타낸 평면도로서, 도 7은 제 1 리페어부를 절단함으로써 리페어한 모습을 도시하였고 도 9는 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어한 모습을 도시하였다.7 and 9 are plan views illustrating a repair method of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a repaired state by cutting the first repair portion, and FIG. 9 shows a repaired portion by the second repair portion. The repaired figure is shown.

도 8은 도 7의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV ′ of FIG. 7.

도 10과 도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법을 나타낸 평면도로서, 도 10은 제 1 리페어부를 절단함으로써 리페어한 모습을 도시하였고 도 11은 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어한 모습을 도시하였다.10 and 11 are plan views illustrating a repairing method of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention. FIG. 10 shows a repaired state by cutting the first repair unit, and FIG. 11 shows a repaired process by cutting the second repair unit. The repaired figure is shown.

이하, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 구조 및 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the structure and manufacturing method of the liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention will be described.

먼저, 도 4를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 구조 에 대하여 설명하면 다음과 같다.First, the structure of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는, 서로 대향되는 제 1 기판(도 5의 101 참조) 및 제 2 기판(미도시); 상기 제 1 기판(101) 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(103); 상기 게이트 라인(102)에 형성된 게이트 전극(106); 상기 데이터 라인(103)으로부터 돌출된 제 1 소스 전극(104a); 상기 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 2 소스 전극(104b); 상기 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 3 소스 전극(104c); 제 2 소스 전극(104b)과 제 3 소스 전극(104c)의 사이에 형성된 드레인 전극(107); 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극(107)과 연결되는 화소 전극(108); 및 상기 제 1 기판(101)과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층(미도시)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 4, the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes: a first substrate (see 101 in FIG. 5) and a second substrate (not shown) facing each other; A gate line 102 and a data line 103 intersecting each other on the first substrate 101 to define a pixel area; A gate electrode 106 formed on the gate line 102; A first source electrode 104a protruding from the data line 103; A second source electrode 104b protruding from the first source electrode 104a and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode 106 and a first electrode portion overlapping with the gate electrode 106; A third source electrode 104c protruding from the first source electrode 104a and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode 106 and a second electrode portion overlapping with the gate electrode 106; A drain electrode 107 formed between the second source electrode 104b and the third source electrode 104c; A pixel electrode 108 formed in the pixel region and connected to the drain electrode 107; And a liquid crystal layer (not shown) formed between the first substrate 101 and the second substrate.

도 4에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(106)은 게이트 라인(102) 중에서 소스 전극(104) 및 드레인 전극(107)과 오버랩되는 영역이며, 이러한 게이트 전극(106)은 게이트 라인(102)으로부터 돌출되어 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 4, the gate electrode 106 is a region overlapping the source electrode 104 and the drain electrode 107 among the gate lines 102, and the gate electrode 106 is formed from the gate line 102. It may be formed to protrude.

도 4에 도시한 바와 같이 상기 소스 전극(104)은 상기 데이터 라인(103)으로부터 돌출되어 두 갈래로 분할된 형상을 가지며, 제 1 소스 전극(104a), 제 2 소스 전극(104b) 및 제 3 소스 전극(104c)으로 구성된다.As shown in FIG. 4, the source electrode 104 protrudes from the data line 103 and has a bifurcated shape, and includes a first source electrode 104a, a second source electrode 104b, and a third source. It consists of the source electrode 104c.

상기 제 1 소스 전극(104a)은 데이터 라인(103)으로부터 돌출된 형상을 가지며, 이러한 제 1 소스 전극(104a)은 상기 데이터 라인(103)이 게이트 라인(102)과 오버랩되지 않는 영역으로부터 돌출되어 게이트 라인(102) 또는 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 영역으로 연장된다.The first source electrode 104a has a shape protruding from the data line 103, and the first source electrode 104a protrudes from an area where the data line 103 does not overlap with the gate line 102. It extends to an area not overlapping with the gate line 102 or the gate electrode 106.

상기 제 2 소스 전극(104b)은 상기 제 1 소스 전극(104a)로부터 돌출되며 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와, 상기 제 1 리페어부로부터 연장되며 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되는 제 1 전극부로 구성된다.The second source electrode 104b protrudes from the first source electrode 104a and does not overlap the gate electrode 106, and extends from the first repair part and extends from the gate electrode 106. And a first electrode portion overlapping with each other.

상기 제 3 소스 전극(104c)은, 상기 제 1 소스 전극(104a)로부터 연장되며 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와, 상기 제 2 리페어부터부터 연장되며 게이트 전극(106)과 오버랩되는 제 2 전극부로 구성된다.The third source electrode 104c may include a second repair portion extending from the first source electrode 104a and not overlapping with the gate electrode 106 and a gate electrode 106 extending from the second repair. And a second electrode portion overlapping with each other.

상기 제 2 및 제 3 소스 전극을 구성하는 일부인 제 1 및 제 2 리페어부는 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않으므로, 소스 전극(104)과 드레인 전극(107) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 혹은 소스 전극(104)과 게이트 전극(106) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어하게 되는 작업을 게이트 전극(106)에 영향을 미치지 않고 용이하게 수행할 수 있다. Since the first and second repair parts, which are part of the second and third source electrodes, do not overlap with the gate electrode 106, when a short occurs between the source electrode 104 and the drain electrode 107 or when the source occurs. When a short occurs between the electrode 104 and the gate electrode 106, the repairing operation can be easily performed by cutting the first repair portion or the second repair portion without affecting the gate electrode 106. .

도 4 및 도 5를 참조하여 상기와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법에 대하여 간략히 설명하면 다음과 같다.4 and 5, a manufacturing method of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention as described above will be briefly described.

먼저, 상기 제 1 기판(101) 상에 금속 물질을 전면 증착한 후, 이를 선택적으로 제거하여 게이트 전극(106)을 포함한 게이트 라인(102)을 형성한다.First, a metal material is entirely deposited on the first substrate 101, and then selectively removed to form a gate line 102 including the gate electrode 106.

이후, 상기 게이트 라인(102) 및 게이트 전극(106)이 형성된 제 1 기판(101) 상에 게이트 절연막(110)을 전면 증착한다.Thereafter, the gate insulating layer 110 is entirely deposited on the first substrate 101 on which the gate line 102 and the gate electrode 106 are formed.

이후, 상기 게이트 절연막(110) 상에 비정질 실리콘층(111), n+층(112), 소스 전극/드레인 전극(104, 107)용 금속을 차례로 전면 증착한다.Subsequently, metals for the amorphous silicon layer 111, the n + layer 112, and the source electrode / drain electrodes 104 and 107 are sequentially deposited on the gate insulating layer 110.

이후, 상기 게이트 전극(106)을 덮는 형상으로 상기 소스 전극(104)과 드레인 전극(107)용 금속, n+층(112), 비정질 실리콘층(111)을 선택적으로 제거하여, 각 층을 반도체 층(113)의 형성을 위한 폭만큼 남긴다.Thereafter, the metal for the source electrode 104, the drain electrode 107, the n + layer 112, and the amorphous silicon layer 111 are selectively removed to cover the gate electrode 106, and each layer is a semiconductor layer. Leave as much as width for the formation of 113.

이후, 채널의 상부에 대응되는 상기 소스 전극/드레인 전극(104, 107)용 금속 및 n+층(112)을 제거한다.Thereafter, the metal and n + layer 112 for the source electrode / drain electrodes 104 and 107 corresponding to the upper portion of the channel are removed.

이러한 공정을 통해 비정질 실리콘층(111), n+층(112)이 차례로 적층된 반도체 층(113) 및, 게이트 라인(102)과 데이터 라인(103) 및, 상기 게이트 라인(102)에 형성된 게이트 전극(106) 및, 상기 데이터 라인(103)으로부터 돌출되어 적어도 두 갈래로 분할된 소스 전극(104) 및, 두 갈래로 분할된 소스 전극(104) 사이에 위치하는 드레인 전극(107)이 형성된다. 여기서, 상기 소스 전극(104)에는 제 1 및 제 2 리페어부가 형성된다.Through this process, the semiconductor layer 113 in which the amorphous silicon layer 111 and the n + layer 112 are sequentially stacked, the gate line 102 and the data line 103, and the gate electrode formed on the gate line 102 are formed. 106 and a source electrode 104 protruding from the data line 103 and divided into at least two branches, and a drain electrode 107 positioned between the two divided source electrodes 104 is formed. Here, the first and second repair parts are formed in the source electrode 104.

상기 제 1 및 제 2 리페어부는 상기 게이트 전극(106)과 오버랩되지 않는 특징을 가진다.The first and second repair parts do not overlap with the gate electrode 106.

이후, 상기 반도체 층(113) 및 소스 전극(104)과 드레인 전극(107)을 포함한 데이터 라인(103)의 상부에 보호층(114)을 증착한다.Thereafter, a protective layer 114 is deposited on the data line 103 including the semiconductor layer 113, the source electrode 104, and the drain electrode 107.

이후, 상기 드레인 전극(107)의 소정 부위 상부가 노출되도록 상기 보호 층(114)에 홀(115)을 형성한다.Thereafter, a hole 115 is formed in the passivation layer 114 to expose an upper portion of the drain electrode 107.

이후, 상기 보호층(114)에 형성된 홀(115)을 채우며 상기 보호층(114) 상에 투명 전극을 전면 증착한 후 이를 선택적으로 제거하여 화소 전극(108)을 형성한다.Thereafter, the hole 115 formed in the passivation layer 114 is filled, and the transparent electrode is entirely deposited on the passivation layer 114 and then selectively removed to form the pixel electrode 108.

그 다음, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 구조에 대하여 설명하면 다음과 같다.Next, the structure of the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention will be described.

도 6에 도시한 바와 같이 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는, 서로 대향되는 제 1 기판(미도시) 및 제 2 기판(미도시); 상기 제 1 기판 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인(202) 및 데이터 라인(203); 상기 게이트 라인(202)에 형성된 게이트 전극(206); 상기 데이터 라인(203)으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극(206)과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 1 소스 전극(204); 상기 데이터 라인(203)으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극(206)과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극(206)과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 2 소스 전극(205); 상기 제 1 소스 전극(204)과 제 2 소스 전극(205)의 사이에 형성된 드레인 전극(207); 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극(207)과 연결되는 화소 전극(208); 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층(미도시)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 6, a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate (not shown) and a second substrate (not shown) facing each other; A gate line 202 and a data line 203 intersecting each other on the first substrate to define a pixel area; A gate electrode 206 formed on the gate line 202; A first source electrode 204 protruding from the data line 203 and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode 206 and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; A second source electrode 205 protruding from the data line 203 and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode 206 and a second electrode portion overlapping with the gate electrode 206; A drain electrode 207 formed between the first source electrode 204 and the second source electrode 205; A pixel electrode 208 formed in the pixel region and connected to the drain electrode 207; And a liquid crystal layer (not shown) formed between the first substrate and the second substrate.

도 6에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(206)은 게이트 라인(202) 중에서 소스 전극(204, 205) 및 드레인 전극(207)과 오버랩되는 영역이며, 이러한 게이트 전 극(206)은 게이트 라인(202)으로부터 돌출되어 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 6, the gate electrode 206 is an area of the gate line 202 overlapping the source electrodes 204 and 205 and the drain electrode 207, and the gate electrode 206 is a gate line ( It may be formed to protrude from 202.

도 6에 도시한 바와 같이 상기 소스 전극(204, 205)은 상기 데이터 라인(203)으로부터 각각 돌출된 제 1 소스 전극(204)과 제 2 소스 전극(205)으로 이루어진다.As illustrated in FIG. 6, the source electrodes 204 and 205 may include a first source electrode 204 and a second source electrode 205 protruding from the data line 203, respectively.

상기 제 1 소스 전극(204)은 상기 데이터 라인(203)이 게이트 라인(202)과 오버랩되지 않는 영역으로부터 돌출되며 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와, 상기 제 1 리페어부로부터 연장되며 게이트 전극(206)과 오버랩되는 제 1 전극부로 구성된다.The first source electrode 204 may include a first repair part that protrudes from an area in which the data line 203 does not overlap the gate line 202 and does not overlap the gate line 202 or the gate electrode 206. The first electrode part extends from the first repair part and overlaps the gate electrode 206.

상기 제 2 소스 전극(205)은 상기 데이터 라인(203)이 게이트 라인(202)과 오버랩되지 않는 영역으로부터 돌출되며 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와, 상기 제 2 리페어부로부터 연장되며 게이트 전극(206)과 오버랩되는 제 2 전극부로 구성된다.The second source electrode 205 may include a second repair part protruding from an area where the data line 203 does not overlap the gate line 202 and not overlapping the gate line 202 or the gate electrode 206. The second electrode part extends from the second repair part and overlaps the gate electrode 206.

상기 제 1 소스 전극(204) 및 제 2 소스 전극(205)을 구성하는 일부인 제 1 리페어부 및 제 2 리페어부는 상기 게이트 전극(206)과 오버랩되지 않으므로, 소스 전극(204, 205)과 드레인 전극(207) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 혹은 소스 전극(204, 205)과 게이트 전극(206) 사이에 쇼트가 발생하였을 때 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어하게 되는 작업을 게이트 전극(206)에 영향을 미치지 않고 용이하게 수행할 수 있다.Since the first repair part and the second repair part which are part of the first source electrode 204 and the second source electrode 205 do not overlap with the gate electrode 206, the source electrodes 204 and 205 and the drain electrode are not overlapped with each other. When the short occurs between 207 or when the short occurs between the source electrodes 204 and 205 and the gate electrode 206, the repair work is performed by cutting the first repair part or the second repair part. It can be performed easily without affecting 206.

상기와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, 소스 전극(204, 205)의 형태를 제외하고는 상기 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention as described above is the same as the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the first embodiment except for the shapes of the source electrodes 204 and 205. Description is omitted.

본 발명의 제 2 실시에에 따른 액정표시장치의 제조 방법은 다음과 같다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 제 1 기판(미도시) 상에 게이트 라인(202)을 형성한 후, 게이트 절연막(미도시)을 제 1 기판 상에 전면 증착한다. 그 다음, 제 1 기판 상에 비정질 실리콘층과 n+ 층을 포함하는 반도체 층(미도시) 및, 소스 전극(204, 205)과 드레인 전극(207)을 형성한다. 여기서, 소스 전극(204, 205)은 제 1 및 제 2 리페어부를 포함하는 제 1 및 제 2 소스전극(204, 205)으로 구성된다.First, a gate line 202 is formed on a first substrate (not shown), and then a gate insulating film (not shown) is entirely deposited on the first substrate. Next, a semiconductor layer (not shown) including an amorphous silicon layer and an n + layer, and source electrodes 204 and 205 and a drain electrode 207 are formed on the first substrate. Here, the source electrodes 204 and 205 are composed of first and second source electrodes 204 and 205 including first and second repair parts.

이하, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a repair method of the liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention will be described.

먼저, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.First, the repairing method of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 8.

도 7에 도시한 E와 같이 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출된 제 2 소스 전극(104b)과 드레인 전극(107) 사이에 쇼트가 일어난 경우, 또는 도 7에 도시한 F와 같이 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출된 제 2 소스 전극(104b)과 게이트 전극(106) 사이에 쇼트가 일어난 경우에는, 도 7에 도시한 바와 같이 제 2 소스 전극(104b)의 제 1 리페어부를 절단함으로써 리페어한다.When a short occurs between the second source electrode 104b and the drain electrode 107 protruding from the first source electrode 104a as shown in FIG. 7, or the first source as shown in F shown in FIG. 7. When a short occurs between the second source electrode 104b and the gate electrode 106 protruding from the electrode 104a, the repair is performed by cutting the first repair portion of the second source electrode 104b as shown in FIG. do.

즉, 도 8에 도시한 N영역과 같이 제 2 소스 전극(104b)의 제 1 리페어부를 레이져 등의 절단 수단을 이용하여 절단함으로써 리페어한다. 여기서, 상기 레이져는 상기 제 1 기판(101)을 통과하여 제 1 리페어부를 절단하는 작업을 수행할 수 있으므로, 상기 리페어 작업은 액정표시장치의 제조 과정 또는 완성 후에 언제든지 적용이 가능하다. That is, the repair is performed by cutting the first repair portion of the second source electrode 104b using a cutting means such as a laser as in the N region shown in FIG. In this case, the laser may perform the operation of cutting the first repair part through the first substrate 101. Therefore, the repair operation may be applied at any time after the manufacturing process or completion of the liquid crystal display.

여기서, 상기 제 1 리페어부는 게이트 라인(102) 또는 게이트 전극(106)과 오버랩되어 있지 않으므로 제 1 리페어부를 절단하는 리페어 과정에서 게이트 라인(102) 또는 상기 게이트 전극(106)에 영향을 미치지 않는다.In this case, since the first repair part does not overlap the gate line 102 or the gate electrode 106, the first repair part does not affect the gate line 102 or the gate electrode 106 during the repair process of cutting the first repair part.

또한, 상기와 같이 제 1 리페어부를 절단한 후에는, 제 2 소스 전극(104b)과 제 3 소스 전극(104c) 중에 제 3 소스 전극(104c)이 남아있으므로 해당 박막 트랜지스터는 정상 동작하게 된다.In addition, since the third source electrode 104c remains in the second source electrode 104b and the third source electrode 104c after the first repair part is cut as described above, the thin film transistor operates normally.

그리고, 도 9에 도시한 G와 같이 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출된 제 3 소스 전극(104c)과 드레인 전극(107) 사이에 쇼트가 일어난 경우, 또는 도 9에 도시한 H와 같이 제 1 소스 전극(104a)으로부터 돌출된 제 3 소스 전극(104c)과 게이트 전극(106) 사이에 쇼트가 일어난 경우에는, 도 9에 도시한 바와 같이 제 3 소스 전극(104c)의 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어 한다. 여기서, 상기 제 2 리페어부를 절단하는 작업은 레이져 등의 절단 수단으로 이루어지며, 이러한 레이져는 상기 제 1 기판(도 8의 101 참조)을 통과하여 제 2 리페어부를 절단하는 작업을 수행할 수 있으므로, 상기 리페어 작업은 액정표시장치의 제조 과정 또는 완성 후에 언제든지 적용이 가능하다.Then, when a short occurs between the third source electrode 104c and the drain electrode 107 protruding from the first source electrode 104a as shown in FIG. 9, or as shown in H as shown in FIG. 9. When a short occurs between the third source electrode 104c protruding from the first source electrode 104a and the gate electrode 106, as shown in FIG. 9, the second repair portion of the third source electrode 104c is cut off. I repair it by doing it. Here, the operation of cutting the second repair part is made of cutting means such as a laser, and the laser may perform the operation of cutting the second repair part by passing through the first substrate (see 101 in FIG. 8). The repair operation may be applied at any time after the manufacturing process or completion of the liquid crystal display.

여기서, 상기 제 2 리페어부는 게이트 라인(102) 및 게이트 전극(106)과 오버랩되어 있지 않으므로 제 2 리페어부를 절단하는 리페어 과정에서 상기 게이트 라인(102) 또는 게이트 전극(106)에 영향을 미치지 않는다.Here, since the second repair part does not overlap the gate line 102 and the gate electrode 106, the second repair part does not affect the gate line 102 or the gate electrode 106 during the repair process of cutting the second repair part.

또한, 상기와 같이 제 2 리페어부를 절단한 후에는, 제 2 소스 전극(104b)과 제 3 소스 전극(104c) 중에 제 2 소스 전극(104b)이 남아있으므로 해당 박막 트랜지스터는 정상 동작하게 된다.In addition, since the second source electrode 104b remains in the second source electrode 104b and the third source electrode 104c after the second repair part is cut as described above, the thin film transistor operates normally.

그 다음, 도 10과 도 11을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.Next, a repair method of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

도 10에 도시한 J와 같이 제 1 소스 전극(204)과 드레인 전극(207) 사이에 쇼트가 일어난 경우, 또는 도 10에 도시한 K와 같이 제 1 소스 전극(204)과 게이트 전극(206) 사이에 쇼트가 일어난 경우에는, 도 10에 도시한 바와 같이 제 1 소스 전극(204)의 제 1 리페어부를 절단함으로써 리페어한다. When a short occurs between the first source electrode 204 and the drain electrode 207 as shown in FIG. 10, or when the first source electrode 204 and the gate electrode 206 as shown in FIG. In the case where a short circuit occurs, repair is performed by cutting the first repair portion of the first source electrode 204 as shown in FIG.

여기서, 상기 제 1 리페어부는 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)과 오버랩되어 있지 않으므로 제 1 리페어부를 절단하는 리페어 과정에서 상기 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)에 영향을 미치지 않는다.Here, since the first repair portion does not overlap the gate line 202 or the gate electrode 206, the first repair portion does not affect the gate line 202 or the gate electrode 206 during the repair process of cutting the first repair portion.

또한, 상기와 같이 제 1 리페어부를 절단한 후에는, 제 1 및 제 2 소스 전극(204, 205) 중에 제 2 소스 전극(205)이 남아있으므로 해당 박막 트랜지스터는 정상 동작하게 된다. In addition, since the second source electrode 205 remains in the first and second source electrodes 204 and 205 after the first repair part is cut as described above, the thin film transistor is normally operated.

그리고, 도 11에 도시한 L과 같이 제 2 소스 전극(205)과 드레인 전극(207) 사이에 쇼트가 일어난 경우, 또는 도 11에 도시한 M과 같이 제 2 소스 전극(205)과 게이트 전극(206) 사이에 쇼트가 일어난 경우에는, 도 11에 도시한 바와 같이 제 2 소스 전극의 제 2 리페어부를 절단함으로써 리페어한다.Then, when a short occurs between the second source electrode 205 and the drain electrode 207 as shown in FIG. 11, or as shown in M in FIG. 11, the second source electrode 205 and the gate electrode ( In the case where a short occurs between 206, the repair is performed by cutting the second repair portion of the second source electrode as shown in FIG.

여기서, 상기 제 2 리페어부는 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)과 오버랩되어 있지 않으므로 제 2 리페어부를 절단하는 리페어 과정에서 상기 게이트 라인(202) 또는 게이트 전극(206)에 영향을 미치지 않는다.Here, since the second repair portion does not overlap the gate line 202 or the gate electrode 206, the second repair portion does not affect the gate line 202 or the gate electrode 206 during the repair process of cutting the second repair portion.

또한, 상기와 같이 제 2 리페어부를 절단한 후에는, 제 1 및 제 2 소스 전극(204, 205) 중에 제 1 소스 전극(204)이 남아있으므로 해당 박막 트랜지스터는 정상 동작하게 된다.In addition, since the first source electrode 204 remains in the first and second source electrodes 204 and 205 after the second repair part is cut as described above, the thin film transistor operates normally.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법 또한 상기에서 설명한 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 리페어 방법과 같이 레이져 등의 절단 수단을 이용해서 이루어진다. 이러한 레이져는 상기 제 1 기판을 통과하여 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부를 절단하는 작업을 수행할 수 있으므로, 상기 리페어 작업은 액정표시장치의 제조 과정 또는 완성 후에 언제든지 적용이 가능하다.The repair method of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention is also made using a cutting means such as a laser, as in the repair method of the liquid crystal display device according to the first embodiment described above. Since the laser may perform the operation of cutting the first repair portion or the second repair portion through the first substrate, the repair operation may be applied at any time after the manufacturing process or completion of the liquid crystal display device.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은, 박막 트랜지스터의 소스 전극에 게이트 라인 또는 게이트 전극과 오버랩되지 않는 복수 개의 리페어부를 마련함으로써, 쇼트가 일어난 해당 박막 트랜지스터를 암점화하는 방식이 아닌 살리는 방식으로 리페어할 수 있는 장점이 있다.As described in detail above, the present invention provides a plurality of repair parts that do not overlap the gate line or the gate electrode in the source electrode of the thin film transistor, so that the thin film transistor in which the short has occurred may be repaired in a manner that does not darken. There are advantages to it.

따라서, 쇼트가 발생하여 리페어 작업이 이루어진 박막 트랜지스터는, 리페어 작업이 이루어졌음에도 불구하고 정상 동작하므로 액정표시장치의 화면 표시 품질을 상승시킴과 동시에 액정표시장치의 불량률을 최소화하는 효과가 있다. Therefore, the thin film transistor which has been repaired due to the occurrence of a short operation normally operates despite the repair operation, thereby increasing the screen display quality of the liquid crystal display and minimizing the defective rate of the liquid crystal display.

또한, 본 발명에 따른 액정표시장치의 리페어 방법은 레이져 등의 절단 수단을 통해 수행되므로 액정표시장치의 제조 과정 또는 완성 후 언제든지 적용 가능한 장점이 있다.In addition, the repair method of the liquid crystal display device according to the present invention is performed through a cutting means such as a laser, there is an advantage that can be applied at any time after the manufacturing process or completion of the liquid crystal display device.

Claims (10)

제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제 1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 반도체 층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 상기 데이터 라인으로부터 돌출된 제 1 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 2 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 3 소스 전극 및, 상기 제 2 소스 전극과 제 3 소스 전극의 사이에 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계;A first source electrode protruding from the data line, a first repair portion protruding from the first source electrode and not overlapping the gate electrode, and a first electrode portion overlapping the gate electrode on the first substrate; A third source electrode having a second source electrode, a second repair portion protruding from the first source electrode and not overlapping the gate electrode, and a second electrode portion overlapping the gate electrode, and the second source electrode and the third source electrode; Forming a drain electrode located between the source electrodes; 상기 제 2 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 2 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 1 리페어부를 절단하고, 상기 제 3 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 3 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 2 리페어부를 절단하는 단계;When a short occurs between the second source electrode and the drain electrode or between the second source electrode and the gate electrode, the first repair part is cut, and between the third source electrode and the drain electrode or between the third source electrode and the gate electrode. Cutting a second repair part when a short occurs; 를 포함하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부를 절단하는 단계의 전 또는 후에,The method of claim 1, wherein before or after the step of cutting the first repair portion or the second repair portion, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계가 이루어지는 액정표시장치의 제조방법.And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate. 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제 1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 반도체 층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 1 소스 전극 및, 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 2 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극과 제 2 소스 전극의 사이에 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계;A first source electrode protruding from the data line on the first substrate and not overlapping with the gate electrode, and a first source electrode having a first electrode portion overlapping with the gate electrode, and protruding from the data line; Forming a second source electrode having a second repair portion which does not overlap with a second electrode portion and a second electrode portion overlapping with the gate electrode, and a drain electrode positioned between the first source electrode and the second source electrode; 상기 제 1 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 1 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 1 리페어부를 절단하고, 상기 제 2 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 2 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 2 리페어부를 절단하는 단계;When a short occurs between the first source electrode and the drain electrode, or between the first source electrode and the gate electrode, the first repair part is cut, and between the second source electrode and the drain electrode or between the second source electrode and the gate electrode. Cutting a second repair part when a short occurs; 를 포함하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부를 절단하는 단계의 전 또는 후에,The method of claim 3, wherein before or after the step of cutting the first repair portion or the second repair portion, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계가 이루어지는 액정표시장치의 제조방법.And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate. 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode; 반도체 층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer; 상기 데이터 라인으로부터 돌출된 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 2 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 3 소스 전극 및, 상기 제 2 소스 전극과 제 3 소스 전극의 사이에 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계;A second source electrode formed with a source electrode protruding from the data line, a first repair portion protruding from the first source electrode and not overlapping with the gate electrode, and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; A third source electrode protruding from the source electrode and not overlapping with the gate electrode, a third source electrode having a second electrode portion overlapping with the gate electrode, and a drain positioned between the second source electrode and the third source electrode Forming an electrode; 상기 제 2 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 2 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 1 리페어부를 절단하고, 상기 제 3 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 3 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 2 리페어부를 절단하는 단계;When a short occurs between the second source electrode and the drain electrode or between the second source electrode and the gate electrode, the first repair part is cut, and between the third source electrode and the drain electrode or between the third source electrode and the gate electrode. Cutting a second repair part when a short occurs; 를 포함하여 이루어지는 액정표시장치의 박막 트랜지스터 리페어 방법.Thin film transistor repair method of a liquid crystal display comprising a. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부의 절단은 레이저에 의해 이루어지는 액정표시장치의 박막 트랜지스터 리페어 방법.The thin film transistor repair method of claim 5, wherein the first repair portion or the second repair portion is cut by a laser. 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode; 반도체 층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 1 소스 전극 및, 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 2 소스 전극 및, 상기 제 1 소스 전극과 제 2 소스 전극의 사이에 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계;A first source electrode protruding from the data line and not overlapping with the gate electrode, a first source electrode having a first electrode portion overlapping with the gate electrode, and a second protruding from the data line and not overlapping with the gate electrode Forming a second source electrode having a repair portion and a second electrode portion overlapping the gate electrode, and a drain electrode positioned between the first source electrode and the second source electrode; 상기 제 1 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 1 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 1 리페어부를 절단하고, 상기 제 2 소스 전극과 드레인 전극 사이 또는 제 2 소스 전극과 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생한 경우에는 제 2 리페어부를 절단하는 단계;When a short occurs between the first source electrode and the drain electrode, or between the first source electrode and the gate electrode, the first repair part is cut, and between the second source electrode and the drain electrode or between the second source electrode and the gate electrode. Cutting a second repair part when a short occurs; 를 포함하여 이루어지는 액정표시장치의 박막 트랜지스터 리페어 방법.Thin film transistor repair method of a liquid crystal display comprising a. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 리페어부 또는 제 2 리페어부의 절단은 레이저에 의해 이루어지는 액정표시장치의 박막 트랜지스터 리페어 방법.8. The thin film transistor repair method of claim 7, wherein the first repair portion or the second repair portion is cut by a laser. 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판;A first substrate and a second substrate facing each other; 상기 제 1 기판 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;A gate line and a data line crossing each other on the first substrate to define a pixel area; 상기 게이트 라인에 형성된 게이트 전극;A gate electrode formed on the gate line; 상기 데이터 라인으로부터 돌출된 제 1 소스 전극;A first source electrode protruding from the data line; 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 2 소스 전극;A second source electrode protruding from the first source electrode and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; 상기 제 1 소스 전극으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 3 소스 전극;A third source electrode protruding from the first source electrode and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode and a second electrode portion overlapping with the gate electrode; 제 2 소스 전극과 제 3 소스 전극의 사이에 형성된 드레인 전극;A drain electrode formed between the second source electrode and the third source electrode; 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및A pixel electrode formed in the pixel area and connected to the drain electrode; And 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층;A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.Liquid crystal display device comprising a. 서로 대향되는 제 1 기판 및 제 2 기판;A first substrate and a second substrate facing each other; 상기 제 1 기판 상에 서로 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;A gate line and a data line crossing each other on the first substrate to define a pixel area; 상기 게이트 라인에 형성된 게이트 전극;A gate electrode formed on the gate line; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 1 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 1 전극부가 형성된 제 1 소스 전극;A first source electrode protruding from the data line and having a first repair portion not overlapping with the gate electrode and a first electrode portion overlapping with the gate electrode; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되며, 상기 게이트 전극과 오버랩되지 않는 제 2 리페어부와 상기 게이트 전극과 오버랩되는 제 2 전극부가 형성된 제 2 소스 전극;A second source electrode protruding from the data line and having a second repair portion not overlapping with the gate electrode and a second electrode portion overlapping with the gate electrode; 상기 제 1 소스 전극과 제 2 소스 전극의 사이에 형성된 드레인 전극;A drain electrode formed between the first source electrode and the second source electrode; 상기 화소 영역에 형성되어 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및A pixel electrode formed in the pixel area and connected to the drain electrode; And 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층;A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.Liquid crystal display device comprising a.
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