KR20080073840A - Semiconductor manufacturing equipment with process liner - Google Patents

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KR20080073840A
KR20080073840A KR1020070012539A KR20070012539A KR20080073840A KR 20080073840 A KR20080073840 A KR 20080073840A KR 1020070012539 A KR1020070012539 A KR 1020070012539A KR 20070012539 A KR20070012539 A KR 20070012539A KR 20080073840 A KR20080073840 A KR 20080073840A
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홍성환
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세메스 주식회사
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus having a process liner is provided to block exposure to plasma and to protect a process chamber from electrical short circuit or a physical damage. A process chamber(102) includes an entrance(106) for receiving a wafer and one or more monitoring windows(112) for observing the inside thereof. A main process liner(104) is formed to surround an inner wall of the process chamber. The main process liner is opened according to states of the entrance and the monitoring windows in order to protect a process liner. A plurality of auxiliary process liners(110,120) protect the inside of the opened entrance and the inside of the opened monitoring windows of the main process liner.

Description

내벽 보호체를 구비하는 반도체 제조 설비{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT WITH PROCESS LINER}Semiconductor manufacturing equipment with inner wall protector {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT WITH PROCESS LINER}

도 1은 일반적인 플라즈마 공정을 처리하는 반도체 제조 설비의 개략적인 구성을 도시한 단면도;1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing facility for processing a general plasma process;

도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버의 내벽을 보호하는 내벽 보호체를 도시한 사시도;FIG. 2 is a perspective view showing an inner wall protector protecting an inner wall of the process chamber shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 일부 구성을 도시한 단면도;3 is a cross-sectional view showing a part of a configuration of a semiconductor manufacturing facility according to the present invention;

도 4는 도 3에 도시된 감시창 또는 웨이퍼 출입구의 내부를 보호하는 내벽 보호체의 구성을 도시한 단면도;4 is a cross-sectional view showing the configuration of an inner wall protector for protecting the inside of the monitoring window or wafer entrance shown in FIG. 3;

도 5는 도 4에 도시된 내벽 보호체의 평면도; 그리고5 is a plan view of the inner wall protector shown in FIG. 4; And

도 6은 도 4에 도시된 내벽 보호체의 정면도이다.6 is a front view of the inner wall protector shown in FIG. 4.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 반도체 제조 설비 102 : 공정 챔버100 semiconductor manufacturing equipment 102 process chamber

104 : 메인 내벽 보호체 106 : 출입구104: main inner wall protector 106: entrance

108 : 체결부재 110, 120 : 보조 내벽 보호체108: fastening member 110, 120: auxiliary inner wall protector

112 : 감시창 114, 116 : 체결홀112: monitoring window 114, 116: fastening hole

118 : 체결홈118: fastening groove

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 공정 챔버 내벽을 보호하는 내벽 보호체를 구비하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a semiconductor manufacturing equipment having an inner wall protector for protecting an inner wall of a process chamber.

플라즈마 공정을 처리하는 반도체 제조 설비는 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성시키기 위하여, 공정 챔버로 소스 가스를 공급하고, 소스 가스를 여기시켜 플라스마를 생성한 후, 생성된 플라스마를 이용하여 공정 챔버의 정전척에 안착된 기판에 막을 증착하거나 특정 막을 식각한다. 이러한 반도체 제조 설비는 공정 챔버 내벽이 플라즈마 분위기에 노출되어 고주파에 의해 전기적인 쇼크가 발생되거나, 공정 진행 중 부산물이 부착되어 공정 사고의 원인이 된다.In order to form a plasma inside the process chamber, a semiconductor manufacturing apparatus that processes a plasma process supplies a source gas to the process chamber, excites the source gas to generate plasma, and then uses the generated plasma to electrostatic chuck of the process chamber. The film is deposited on a substrate seated on the substrate or the film is etched. In the semiconductor manufacturing equipment, the inner wall of the process chamber is exposed to a plasma atmosphere, and electrical shock is generated by high frequency, or by-products are attached during the process to cause a process accident.

따라서 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 플라즈마 공정을 처리하는 반도체 제조 설비는 챔버 내벽을 보호하기 위한 내벽 보호체인 프로세스 라이너(process liner)를 구비한다.Accordingly, in order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor manufacturing apparatus that processes a plasma process includes a process liner, which is an inner wall protector for protecting the inner wall of the chamber.

즉, 도 1을 참조하면, 일반적인 플라즈마 공정을 처리하는 반도체 제조 설비(2)는 상부 챔버(6)와 하부 챔버(4)가 결합해서 공정을 처리하는 공정 챔버(4, 6)를 이룬다. 상부 챔버(6)는 하부 챔버(4)의 상부를 덮는 세라믹 돔(ceramic dome)(8)을 구비하고, 세라믹 돔(8)의 외벽에는 안테나 코일(미도시됨)이 구비된다. 그리고 하부 챔버(4)는 내부에 웨이퍼(W)(또는 기판)가 안착되는 정전척(20)을 구비하고, 측벽에는 웨이퍼가 반입되는 출입구(gate)(22)와 공정 챔버 내부를 관찰 하기 위해 적어도 하나의 감시창(view ports)(미도시됨)을 구비한다. 세라믹 돔(8)은 원형 또는 돔 형상으로 구비되어, 안테나 코일에 의해 공정 챔버(4, 6) 내부로 전자기장을 형성시킨다. 또 상부 챔버(6)는 상부에 소스 가스 공급원(미도시됨)과 연결되어 공정 챔버(4, 6) 내부로 소스 가스를 공급하는 소스 모듈(미도시됨)을 구비한다. 그리고 반도체 제조 설비(2)는 공정 챔버 즉, 하부 챔버(4)의 내벽을 보호하기 위하여 내벽 보호체(10)를 구비한다.That is, referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing equipment 2 for processing a general plasma process includes process chambers 4 and 6 in which an upper chamber 6 and a lower chamber 4 are combined to process a process. The upper chamber 6 has a ceramic dome 8 covering the upper part of the lower chamber 4, and an antenna coil (not shown) is provided on the outer wall of the ceramic dome 8. The lower chamber 4 includes an electrostatic chuck 20 in which a wafer W (or a substrate) is mounted, and the side wall of the lower chamber 4 has a gate 22 into which a wafer is loaded and an inside of the process chamber. At least one view port (not shown) is provided. The ceramic dome 8 is provided in a circular or dome shape to form an electromagnetic field into the process chambers 4 and 6 by the antenna coil. In addition, the upper chamber 6 is provided with a source module (not shown) connected to the source gas source (not shown) to supply the source gas into the process chamber (4, 6). The semiconductor manufacturing facility 2 includes an inner wall protector 10 to protect the inner wall of the process chamber, that is, the lower chamber 4.

이러한 내벽 보호체(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(4)의 감시창(view ports)(미도시됨)의 내부면과 웨이퍼의 출입구(gate)(12)의 내부면에는 내벽을 보호하는 내벽 보호체가 없어 감시창 및 출입구(12)의 내부 벽면은 전기적인 쇼트나 물리적인 파손 등을 방지할 수 없다.As shown in FIG. 2, the inner wall protector 10 is provided on an inner surface of a view port (not shown) of the process chamber 4 and an inner surface of a gate 12 of the wafer. Since there is no inner wall protector to protect the inner wall, the inner wall surface of the monitoring window and the entrance and exit 12 cannot prevent electrical short or physical damage.

본 발명의 목적은 공정 챔버 내부의 전체면을 보호하기 위한 내벽 보호체를 구비하는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing facility having an inner wall protector for protecting the entire surface inside a process chamber.

본 발명의 다른 목적은 공정 챔버의 웨이퍼가 반입되는 출입구 및 공정 챔버 내부를 관찰하기 위한 감시창의 내부면을 보호하기 위한 내벽 보호체를 갖는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing facility having an entrance to which a wafer of a process chamber is carried in and an inner wall protector for protecting an inner surface of a monitoring window for observing the inside of the process chamber.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 반도체 제조 설비는 공정 챔버의 전체 내벽을 보호하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 반도체 제조 설비는 공정 챔버 내벽을 보호하는 내벽 보호체와, 출입구 및 적어도 하나의 감시창을 보호하는 내벽 보호체를 구비함으로써 공정 챔버 전체 내벽을 보호 가능하게 한다.To achieve the above objects, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is characterized by protecting the entire inner wall of the process chamber. As described above, the semiconductor manufacturing equipment includes an inner wall protector for protecting the inner wall of the process chamber and an inner wall protector for protecting the entrance and at least one monitoring window, thereby protecting the entire inner wall of the process chamber.

본 발명의 반도체 제조 설비는, 웨이퍼가 반입되는 출입구와, 내부를 관찰하기 위한 적어도 하나의 감시창을 구비하는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내벽을 둘러싸고, 상기 출입구 및 상기 감시창에 대응하여 오픈되어 상기 공정 챔버 내벽을 보호하는 메인 내벽 보호체 및; 상기 메인 내벽 보호체의 오픈된 상기 출입구 및 상기 감시창의 내부면을 각각 보호하는 복수 개의 보조 내벽 보호체를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a process chamber having an entrance and exit port into which a wafer is loaded and at least one monitoring window for observing the interior; A main inner wall protector surrounding an inner wall of the process chamber and opened in correspondence with the entrance and the monitoring window to protect the inner wall of the process chamber; And a plurality of auxiliary inner wall protectors respectively protecting the opened entrance and exit surfaces of the main inner wall protector.

일 실시예에 있어서, 상기 반도체 제조 설비는; 상기 보조 내벽 보호체를 상기 공정 챔버 및 상기 메인 내벽 보호체에 고정 결합시키는 복수 개의 체결부재를 더 포함하되; 상기 공정 챔버/상기 메인 내벽 보호체는 상기 출입구 및 상기 감시창 둘레에 상기 체결부재가 설치되는 체결홈/체결홀이 각각 형성된다.In one embodiment, the semiconductor manufacturing equipment; And a plurality of fastening members for fixedly coupling the auxiliary inner wall protector to the process chamber and the main inner wall protector; The process chamber / the main inner wall protector is provided with a fastening groove / fastening hole for installing the fastening member around the entrance and the monitoring window, respectively.

다른 실시예에 있어서, 상기 보조 내벽 보호체는; 상기 공정 챔버의 상기 출입구에 삽입되는 제 1 보조 내벽 보호체 및, 상기 공정 챔버의 상기 감시창에 삽입되는 적어도 하나의 제 2 보조 내벽 보호체를 포함한다.In another embodiment, the auxiliary inner wall protector; And a first auxiliary inner wall protector inserted into the entrance and exit of the process chamber, and at least one second auxiliary inner wall protector inserted into the monitoring window of the process chamber.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 메인 및 상기 보조 내벽 보호체는 알루미늄 재질로 구비된다.In another embodiment, the main and the auxiliary inner wall protector is made of aluminum.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 상기 메인 및 상기 보조 내벽 보호체는 표면을 경질 아노다이징으로 후처리된다.In yet another embodiment, the main and auxiliary inner wall protectors are post-treated with hard anodizing surfaces.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명 하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 일부 구성을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a partial configuration of a semiconductor manufacturing facility according to the present invention.

도 3을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 예컨대, 플라즈마 공정을 처리하는 화학 기상 증착 설비로, 공정 챔버(102)와, 공정 챔버(102) 내벽을 보호하는 복수 개의 내벽 보호체(process liner)(104, 110, 120)들을 포함한다. 그리고 반도체 제조 설비(100)는 공정 챔버(102)에 각각의 내벽 보호체(104, 110, 120)를 설치하기 위한 복수 개의 체결부재(108)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the semiconductor manufacturing facility 100 is, for example, a chemical vapor deposition facility that processes a plasma process, and includes a plurality of inner wall protectors that protect the process chamber 102 and the inner wall of the process chamber 102. 104, 110, and 120). The semiconductor manufacturing facility 100 includes a plurality of fastening members 108 for installing respective inner wall protectors 104, 110, and 120 in the process chamber 102.

공정 챔버(102)는 예컨대, 상부가 오픈된 하부 챔버로 측벽 일부가 오픈되어 웨이퍼가 반입되는 출입구(gate)(106)와, 챔버 내부를 관찰하기 위한 적어도 하나의 감시창(view ports)(112)이 구비된다.The process chamber 102 is, for example, a gate 106 in which a portion of the sidewall is opened and a wafer is brought into the lower chamber with an open top, and at least one view port 112 for observing the inside of the chamber. ) Is provided.

그리고 내벽 보호체(104, 110, 120)는 공정 챔버(102) 내벽의 형상을 따라 예를 들어, 상하부가 오픈된 원통형으로 구비되며, 공정 챔버(102)의 출입구(106)와 감시창(112)이 형성된 부위가 오픈된 메인 내벽 보호체(104)와, 출입구(106) 내부면과 감시창(112) 내부면을 각각 보호하기 위한 복수 개의 보조 내벽 보호체(120, 110)를 포함한다.In addition, the inner wall protectors 104, 110, and 120 may be provided, for example, in a cylindrical shape having an upper and lower portions open along the shape of the inner wall of the process chamber 102, and may include an entrance and exit 106 and a monitoring window 112 of the process chamber 102. And a main inner wall protector 104 having an open portion formed therein, and a plurality of auxiliary inner wall protectors 120 and 110 for protecting the inner surface of the entrance and exit 106 and the inner surface of the monitoring window 112, respectively.

메인 내벽 보호체(104)는 공정 챔버(102) 내부에 고정 설치되며, 출입구(106)와 감시창(112) 각각의 둘레에 보조 내벽 보호체(120, 110)를 설치하기 위 한 복수 개의 체결홀(114, 116)이 각각 형성된다. 또 보조 내벽 보호체(120, 110)는 공정 챔버 (102)의 출입구(106) 및 감시창(112) 각각에 삽입되고, 자신의 가장자리에 체결부재(108)가 설치되어 메인 내벽 보호체(104)에 고정 설치하기 위한 복수 개의 체결홈(118)들이 형성된다. 여기서는 출입구(106)의 보조 내벽 보호체(120)에 대한 체결홈 및 체결부재가 도시되지 않았다.The main inner wall protector 104 is fixedly installed inside the process chamber 102, and a plurality of fastenings are provided to install auxiliary inner wall protectors 120 and 110 around the entrance 106 and the monitoring window 112, respectively. Holes 114 and 116 are formed, respectively. In addition, the auxiliary inner wall protectors (120, 110) are inserted into each of the entrance and exit 106 and the monitoring window 112 of the process chamber 102, the fastening member 108 is installed on its edge, the main inner wall protector (104) A plurality of fastening grooves 118 for fixed installation are formed. The fastening groove and the fastening member for the auxiliary inner wall protector 120 of the entrance and exit 106 are not shown.

보조 내벽 보호체(120, 110)는 출입구(106)의 내부면을 보호하는 제 1 보조 내벽 보호체(120)와, 적어도 하나의 감시창(112)의 내부면을 보호하는 적어도 하나의 제 2 보조 내벽 보호체(110)를 포함한다. 보조 내벽 보호체(120, 110)는 출입구(106) 및 감시창(112) 각각에 삽입되도록 출입구(106) 및 감시창(112)과 동일한 크기로 구비된다.The auxiliary inner wall protectors 120 and 110 may include a first auxiliary inner wall protector 120 protecting an inner surface of the entrance and exit 106, and at least one second protecting an inner surface of the at least one monitoring window 112. An auxiliary inner wall protector 110 is included. The auxiliary inner wall protectors 120 and 110 are provided with the same size as the doorway 106 and the monitoring window 112 so as to be inserted into each of the doorway 106 and the monitoring window 112.

또 메인 및 보조 내벽 보호체(104, 120, 110)는 최소 두께(예를 들어, T6 정도)로 가공하여 공정 챔버(102) 내부, 출입구(106) 및 감시창(112)에 각각 설치된다. 또 메인 및 보조 내벽 보호체(104, 120, 110)는 예를 들어, 알루미늄 재질로 구비하고, 표면의 경도, 내식성, 내마모성 및 전기적 절연성 등의 기능적인 특성을 향상시키기 위해 경질 아노다이징으로 후처리한다. 또 보조 내벽 보호체(120, 110)는 석영(Quartz) 등의 투명 재질로 구비될 수 있다.In addition, the main and auxiliary inner wall protectors 104, 120, 110 are processed to a minimum thickness (for example, about T6) and are installed in the process chamber 102, the entrance 106, and the monitoring window 112, respectively. In addition, the main and auxiliary inner wall protectors (104, 120, 110) are, for example, made of aluminum, and is post-treated with hard anodizing to improve functional properties such as surface hardness, corrosion resistance, abrasion resistance, and electrical insulation. . In addition, the auxiliary inner wall protectors 120 and 110 may be made of a transparent material such as quartz.

구체적으로 도 4 내지 도 6을 참조하면, 보조 내벽 보호체(110)는 감시창(112)에 삽입 설치되는 제 2 보조 내벽 보호체이다. 여기서는 제 1 보조 내벽 보호체(120)에 대한 구체적인 설명은 생략하지만 제 2 보조 내벽 보호체(110)의 설명을 통해 동일한 기능 및 구성을 갖는 특징은 자명하다.Specifically, referring to FIGS. 4 to 6, the auxiliary inner wall protector 110 is a second auxiliary inner wall protector inserted into the monitoring window 112. Although a detailed description of the first auxiliary inner wall protector 120 is omitted herein, the features having the same function and configuration are apparent through the description of the second auxiliary inner wall protector 110.

즉, 제 2 보조 내벽 보호체(110)는 공정 챔버(102)의 감시창(112)에 삽입되고, 복수 개의 체결부재(108)에 의해 메인 내벽 보호체(104)의 체결홀(116)과 제 2 보조 내벽 보호체(110)의 둘레에 형성된 체결홈(118)에 고정 설치된다.That is, the second auxiliary inner wall protector 110 is inserted into the monitoring window 112 of the process chamber 102 and is coupled to the fastening hole 116 of the main inner wall protector 104 by the plurality of fastening members 108. It is fixedly installed in the fastening groove 118 formed around the second auxiliary inner wall protector 110.

따라서 본 발명의 반도체 제조 설비(100)는 공정 챔버(102) 내벽을 보호함과 동시에 감시창(112) 내부면과 출입구(106) 내부면을 보호함으로써, 공정 챔버(102) 전체 내벽을 플라즈마와의 노출을 차단하고, 전기적인 쇼트나 물리적인 파손으로부터 방지한다.Accordingly, the semiconductor manufacturing apparatus 100 of the present invention protects the inner wall of the process chamber 102 and protects the inner surface of the monitoring window 112 and the inner side of the doorway 106, thereby protecting the entire inner wall of the process chamber 102 from the plasma. To prevent exposure and prevent electrical shorts and physical damage.

이상에서, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention has been shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조 설비는 공정 챔버의 전체 내벽을 보호하기 위하여 복수 개의 내벽 보호체를 구비함으로써, 플라즈마와의 노출을 차단하고, 전기적인 쇼트나 물리적인 파손으로부터 방지한다.As described above, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention includes a plurality of inner wall protectors to protect the entire inner wall of the process chamber, thereby preventing exposure to plasma and preventing electrical shorts and physical damage.

Claims (5)

반도체 제조 설비에 있어서:In semiconductor manufacturing equipment: 웨이퍼가 반입되는 출입구와, 내부를 관찰하기 위한 적어도 하나의 감시창을 구비하는 공정 챔버와;A process chamber having an entrance through which the wafer is carried in and at least one monitoring window for observing the interior; 상기 공정 챔버 내벽을 둘러싸고, 상기 출입구 및 상기 감시창에 대응하여 오픈되어 상기 공정 챔버 내벽을 보호하는 메인 내벽 보호체 및;A main inner wall protector surrounding an inner wall of the process chamber and opened in correspondence with the entrance and the monitoring window to protect the inner wall of the process chamber; 상기 메인 내벽 보호체의 오픈된 상기 출입구 및 상기 감시창의 내부면을 각각 보호하는 복수 개의 보조 내벽 보호체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.And a plurality of auxiliary inner wall protectors respectively protecting the opened doorway of the main inner wall protector and the inner surface of the monitoring window. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 제조 설비는;The semiconductor manufacturing equipment; 상기 보조 내벽 보호체를 상기 공정 챔버 및 상기 메인 내벽 보호체에 고정 결합시키는 복수 개의 체결부재를 더 포함하되;And a plurality of fastening members for fixedly coupling the auxiliary inner wall protector to the process chamber and the main inner wall protector; 상기 공정 챔버/상기 메인 내벽 보호체는 상기 출입구 및 상기 감시창 둘레에 상기 체결부재가 설치되는 체결홈/체결홀이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The process chamber / the main inner wall protector is a semiconductor manufacturing facility, characterized in that the fastening groove / fastening hole for the fastening member is installed around the entrance and the monitoring window, respectively. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 보조 내벽 보호체는:The auxiliary inner wall protector is: 상기 공정 챔버의 상기 출입구에 삽입되는 제 1 보조 내벽 보호체 및,A first auxiliary inner wall protector inserted into the entrance and exit of the process chamber, 상기 공정 챔버의 상기 감시창에 삽입되는 적어도 하나의 제 2 보조 내벽 보호체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.And at least one second auxiliary inner wall protector inserted into the monitoring window of the process chamber. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 메인 및 상기 보조 내벽 보호체는 알루미늄 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The main and the auxiliary inner wall protector is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that provided with an aluminum material. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 상기 메인 및 상기 보조 내벽 보호체는 표면이 경질 아노다이징으로 후처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.The main and the auxiliary inner wall protector is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the surface is post-treated with hard anodizing.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014179093A1 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Applied Materials, Inc. Flow controlled liner having spatially distributed gas passages
US9553002B2 (en) 2013-04-30 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Flow controlled liner having spatially distributed gas passages
US9842748B2 (en) 2013-04-30 2017-12-12 Applied Materials, Inc. Flow controlled liner having spatially distributed gas passages
US10170342B2 (en) 2013-04-30 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Flow controlled liner having spatially distributed gas passages

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