KR20080062921A - 유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극이 형성된 기판 상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이의 제1전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다.
격벽, 롤프린팅, 멀티레이어

Description

유기전계발광소자의 제조방법{FABRICATING METHOD OF ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
도 1은 종래의 일반적인 유기전계 발광소자를 나타낸 개념도.
도 2는 상기 유기전계 발광소자의 밴드다이어그램(band diagram).
도 3a 내지 도 3d는 종래의 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에서 격벽을 형성하고 격벽 내에 유기발광물질을 형성하는 과정을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 제조방법으로 제조한 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도.
도 6a 내지 6c는 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 과정을 나타낸 순차적인 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120 : 제1전극
131 : 전자주입층 133 : 전자수송층
135 : 발광층 137 : 정공수송층
139 : 정공주입층 140 : 제2전극
150 : 격벽 151 : 인쇄롤
본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 발광층을 분리하는 격벽을 롤프린팅으로 형성함으로써 포토리소그래피를 이용하여 격벽을 형성할 때 발생할 수 있는 불량을 감소시킨 것이다.
21세기는 정보화 사회로, 이에 따라 어디에서나 손쉽게 정보를 얻을 필요가 있기 때문에 멀티미디어용 고성능 평판표시소자의 개발이 중요시되고 있다. 특히, 통신 및 컴퓨터에 관련하여 반도체와 표시장치의 소자개발에 관련한 기술개발이 중요시되고 있고 있다. 그 중 천연색표시소자로써 주목받는 소자가 유기전계 발광소자이다.
도 1은 종래의 일반적인 유기전계 발광소자를 나타낸 개념도이며, 도 2는 상기 유기전계 발광소자의 밴드다이어그램(band diagram)이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계 발광소자는 일함수(work function)가 높은 금속전극과 낮은 금속전극 사이에 발광물질이 삽입되는 구조로 되어 있다. 일함수가 높은 금속전극은 발광물질에 정공을 주입하는 양극(anode;7)으로 사용되고 낮은 금속전극은 발광물질에 전자를 주입하는 음극(cathode;3)으로 사용된다.
발광된 빛이 발광소자 외부로 발산되게 하기 위하여 한쪽 전극은 발광파장영역에서 빛의 흡수가 거의 없는 투명한 물질을 사용한다. 투명전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 많이 사용되며, 이 금속은 통상 정공이 주입되는 양극(7)으로 사용된다. 음극(3)으로는 전자의 주입을 용이하게 하기 위해 일반적으로 일함수가 낮은 금속을 사용한다.
유기전계 발광소자의 발광의 원리는 다음과 같다. 일함수가 높은 양극(7)과 낮은 음극(3)에서 각각 정공과 전자가 유기발광층(5)에 주입되면, 상기 유기발광층(5) 내에 엑시톤(exciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 발광, 소멸(decay)함에 따라 도 2에 도시된 유기발광층(5)의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 빛이 발생하게 된다.
상기한 원리로 작동하는 유기전계 발광소자는 발광층은 단일층(mono-layer)로 형성할 수도 있으나 유기도전막을 적층하여 복수층(multi-layer)로도 형성이 가능하며, 일반적으로 양극으로부터 정공이 주입되는 정공주입층과, 주입된 정공이 발광층으로 수송되는 정공수송층과, 음극으로부터 전자가 주입되는 전자주입층, 주입된 전자가 발광층으로 수송되는 전자수송층, 및 상기 수송된 전자와 정공이 만나 엑시톤을 이루는 발광층으로 이루어진다.
이때, 상기 발광층은 각 화소마다 적, 녹, 청색의 빛을 발광하는 유기발광물질이 형성되어 화상을 형성하게 된다.
상기한 발광층에 각기 다른 유기발광물질을 형성하기 위해서는 각 화소 사이를 구분하는 격벽이 구비되며, 각 격벽으로 이루어진 화소영역의 내부에 유기발광물질이 형성된다.
도 3a 내지 도 3c는 종래의 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에서 격벽을 형성하고 격벽 내에 유기발광물질을 형성하는 과정을 나타낸 것이다.
도면을 참조하여 살펴보면, 절연기판(10) 상에 각 화소마다 제1전극(20)이 음극(cathode)으로 형성되며, 제1전극(20) 상에는 전자주입층(31)과 전자수송층(33)이 순차적으로 형성된다.
전자수송층(33) 상에는 화소와 화소 사이에 격벽이 형성되는데, 격벽을 형성하기 위해서는, 먼저 도 3a와 같이, 전자수송층(33)에 포토레지스트(50A)를 도포한다. 그 다음, 도 3b와 같이 상기 포토레지스트(50A)를 형성할 격벽에 대응하여 투과영역과 차단영역이 형성된 마스크(80)를 사이에 두고 광을 조사하여 노출시킨다. 이후, 노출된 포토레지스트(50A)에 현상용액을 가하여 현상하면, 도 3c와 같이, 화소와 화소 사이에 포토레지스트로 이루어진 격벽(50)이 형성된다. 그 다음, 도 3d와 같이, 상기 격벽(50)이 형성된 기판(10) 상에 적, 녹, 청색을 발광하는 유기발광층(35)을 형성하는 과정을 거친다.
이때, 상기 포토레지스트(50A)가 포지티브 타입이면 빛에 노출된 부분의 포토레지스트가 제거되며, 네거티브 타입이면 빛에 노출되지 않은 부분의 포토레지스트가 제거된다. 도면에서는 네거티브 타입의 포토레지스트를 나타내었으며, 포지티브 포토레지스트를 사용하여도 무방하다.
그런데, 상기한 바와 같은 광 노출 방법을 사용하여 포토레지스트를 제거하여 격벽을 형성하는 방법은, 노출과정 후 현상을 진행하게 되면 빛에 노출되지 않는 부분의 포토레지스트가 제거되며, 포토레지스트가 제거되는 부분에 노출된 상면-예를 들어 전자수송층-이 상기 현상용액과의 반응에 의하여 훼손되는 등 피해를 입게 된다.
이로 인해 이후 발광층과의 발광 구성과정에서 효과적으로 전자수송층으로서 기능할 수 없게 되어 유기전계 발광소자의 효율이나 수명에 막대한 영향을 미치게 된다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 포토레지스트를 이용한 노출, 현상과정 없이 격벽을 형성하여 제공하는 고품질의 유기전계 발광소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극이 형성된 기판 상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이의 제1전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 단계는, 유기절연물질이 외주면에 도포된 인쇄롤을 준비하는 단계와; 상기 인쇄롤을 클리체에 작용하여 인쇄롤에 도포된 유기절연물질을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 유기절연물질을 제1전극이 형성된 기판 상에 전사시키는 단계; 및 상기 전사된 유기절연물질을 경 화시켜 격벽을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 유기절연물질을 경화시켜 격벽을 형성하는 단계는 자외선과 같은 광을 유기절연물질에 조사하여 경화시키는 것을 특징으로 하며, 상기 유기절연물질은 벤조시클로부텐(BCB), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열의 유기물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며, 상기 격벽은 발광층의 높이보다 높게 형성할 수 있다.
한편, 상기 발광층을 형성하는 단계는 인쇄 또는 잉크젯으로 형성할 수 있다.
그리고, 상기 제1전극을 형성하는 단계와 상기 격벽을 형성하는 단계 사이에 상기 제1전극이 형성된 기판의 전면에 전자주입층을 형성하는 단계와, 상기 전자주입층 상에 전자수송층을 형성하는 단계와, 상기 발광층을 형성하는 단계와 제2전극을 형성하는 단계 사이에 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판의 전면에 정공수송층을 형성하는 단계와, 상기 정공수송층 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 각각 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층은 진공증착법으로 형성이 가능하다.
또한, 상기 제1전극은 상기 제2전극보다 일함수가 작은 금속으로, 상기 제2전극은 상기 제1전극보다 일함수가 큰 투명도전물질로 형성할 수 있으며, 그 역으로도 형성이 가능하다.
한편, 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계는, 절연기판 상에 게이트 라인과 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트전극 상에 게이트절연막 을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상에 반도체층과 오믹콘택층을 형성하는 단계; 및 상기 오믹콘택층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고 상기 게이트전극과 실질적으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하며, 상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 상에 보호층을 형성하고 드레인전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하고, 상기 제1전극을 상기 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서 어떤 막이나 층이 다른 막이나 층 상에 형성되어 있다는 것은 두 막이나 층이 접한 경우뿐만 아니라 두 막이나 층 사이에 다른 막이나 층이 존재하는 경우도 포함한다.
본 발명에 있어서, 제1전극과 제2전극은 각각 화소전극과 공통전극으로서 전극의 형성 물질에 따라 음극과 양극이 바뀔 수 있다. 특히 일함수가 상대적으로 높은 물질로 전극을 형성하게 되면 그 전극이 정공을 제공하는 양극이 되며, 일함수가 상대적으로 낮은 물질로 전극을 형성하게 되면 그 전극이 전자를 제공하는 음극이 된다. 본 발명에서는 제1전극(즉, 화소전극)을 일함수가 낮은 금속으로 형성한 경우에 대해 설명한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2전극이 일함수가 낮은 금속으로 형성될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명에 따른 제조방법으로 제조한 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도면을 참조하면, 유리나 석영 등의 절연성 재질로 만들어진 기판(110) 상에 게이트전극(102)이 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102) 상에는 게이트절연막(105)이 질화규소(SiNx)나 산화규소(SiO2) 등의 절연물질로 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(106)과 n형 불순물이 도핑된 n+ 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성되어 있다. n+비정질 실리콘층은 상기 게이트전극(102)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 오믹콘택층(ohmic contact layer, 107)을 이룬다.
오믹콘택층(107) 상에는 소스전극(103)과 드레인전극(104)이 게이트전극(102)을 중심으로 이격되어 형성되어 있다.
이때, 도시하지는 않았으나 상기 기판(110) 상에는 종횡으로 가로지르며 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인이 형성되어 있다. 상기 게이트전극(102)은 게이트라인에서 분지되어 형성되어 있으며, 상기 소스전극(103)은 데이터라인에서 분지되어 형성되어 있다.
소스전극(103)과 드레인전극(104)이 형성된 기판(110)의 전면에는 보호막(108)이 형성되어 있으며, 상기 보호막(108)에는 드레인전극(104)의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성되어 있다.
상기 보호막(108)의 상부에는 제1전극(120)이 형성되어 있다. 상기 제1전극(120)은 화소전극이라고도 하며, 전도성 물질로 형성된다. 상기 제1전극(120)은 일함수가 후술할 제2전극(140)보다 상대적으로 낮은 알루미늄(Al)이나 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성된다. 이때 상기 제1전극(120)은 음극(cathode)로 작용하여 이후 형성될 유기발광층(135)에 전자를 공급한다.
제1전극(120)이 형성된 기판(110)의 전면에는 전자주입층(electron injection layer; EIL, 131)이 형성되며, 전자주입층(131) 상에는 전자수송층(electron transport layer; ETL, 133)이 순차적으로 적층되어 있다. 상기 전자주입층(131)과 전자수송층(133)은 도전성의 유기물질로 형성할 수 있다.
전자수송층(133)의 상부에는 제1전극(120)의 영역에 해당하는 부분을 둘러싸고 있는 격벽(150)이 형성되어 있다. 격벽(150)은 제1전극(120) 사이를 구분하여 각각의 화소영역의 둘레에 형성된다. 격벽(150)은 벤조시클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열 등 내열성, 내용매성이 있는 유기물질로 형성된다.
격벽(150)이 가리지 않은 전자수송층(133) 상에는 발광층(emissive layer, 135)이 형성되어 있다. 발광층(135)은 적색을 발광하는 적색 발광층(R), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(G), 청색을 발광하는 청색 발광층(B)으로 이루어져 있다.
상기 발광층(135)은 다양한 유기물질이 사용될 수 있으나, 폴리플루오렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9, 10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다.
발광층(135)과 격벽(150)을 포함하는 기판(110) 상에는 정공수송층(hole transport layer; HTL, 137)이 형성되며, 정공수송층(137) 상에는 정공주입층(hole injection layer; HIL, 139)이 적층되어 있다. 상기 정공수송층(137)과 정공주입층(139)은 도전성의 유기물질로 형성될 수 있다.
정송주입층 상에는 정공주입층(139)에 정공을 주입하는 제2전극(140)이 형성되어 있다. 제2전극(140)은 공통전극이라고도 하며, 전도성 물질로 형성된다. 상기 제2전극(140)은 일함수가 제1전극(120)보다 상대적으로 높은 투명한 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성된다. 이때, 제2전극(140)은 양극(anode)로 작용하여 발광층(135)에 정공을 제공한다.
이상에서 설명한 유기전계 발광소자는 제1전극(120)이 불투명한 금속전극이며, 제2전극(140)이 투명한 ITO 등으로 제2전극(140)의 상부 방향으로 화상이 형성되는 탑 에미션(top emission) 방식이다. 그러나 이에 한정되지 않고 바텀 에미션(bottom emission) 방식에도 적용될 수 있음은 물론이다.
이하, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다. 본 도면에서는 제1전극(120)과 유기층 및 제2전극(140)의 적층과정을 나타내기 위하여 제1전극(120)의 하부에 형성되며 제1전극(120)에 전압을 인가하는 박막트랜지스터 등을 생략하고 도시하였다.
먼저, 도 5a와 같이 복수 개의 화소영역이 정의된 기판(110)을 준비하여 제1전극(120)을 형성한다.
복수 개의 화소영역이 정의된 기판(110)을 준비하기 위해서는, 도시하지는 않았지만, 절연기판(110) 상에 제1전극(120)에 전압을 인가하는 박막트랜지스터를 형성하는 과정을 포함한다. 도 4를 참조하여 살펴보면, 박막트랜지스터를 형성하기 위해서는 절연기판(110) 상에 게이트라인 및 게이트전극(102)을 형성하고, 게이트전극(102) 상에 게이트절연막(105)을 형성한다. 게이트절연막(105) 상에는 반도체층(106)과 오믹콘택층(107)을 형성하고 상기 오믹콘택층(107) 상에 게이트전극(102)을 중심으로 서로 이격되어 형성된 소스전극(103)과 드레인전극(104)을 형성한다. 이때, 상기 게이트라인과 교차하여 복수 개의 화소영역을 정의하는 데이터라인을 함께 형성할 수 있다.
그 다음 상기 소스전극(103)과 드레인전극(104) 등이 개재된 기판(110) 상에 보호막(108)을 형성하고 드레인전극(104)의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성한다. 그리고, 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판(110)의 화소영역에 알루미늄이나 크롬 등의 일함수가 낮은 금속으로 상기 콘택홀을 통해 박막트랜지스터와 전기적으로 접속하는 제1전극(120)을 형성한다.
다음으로, 도 5b와 같이, 제1전극(120)이 형성된 기판(110)의 전면에 전자주입층(131)과 전자수송층(133)을 순차적으로 형성한다. 전자주입층(131)과 전자수송층(133)은 도전성 유기물질로 형성되며 진공증착 방식으로 형성할 수 있다.
진공증착법은 형성하고자 하는 막의 원료 물질을 진공 챔버 내에서 가열, 증발시켜 기판 위에 그 박막을 형성하는 방법이다. 더 자세하게는 금속 또는 석영 기판이 들어있는 챔버를 고진공으로 배기한 다음, 상기 챔버의 내부에 증발시킬 원료 물질(target)과 기판을 삽입한다. 그 다음 저항 가열식이나 전자빔 장치를 이용하여 원료물질을 가열하여 증착물질을 증류시킨다. 이때 증류된 증착물질이 차가운 기판의 표면에 응축됨으로써 박막이 형성된다.
그 다음으로, 도 5c와 같이, 제1전극(120)이 형성된 기판(110) 상에 화소영역을 구분하는 격벽(150)을 형성한다. 상기 격벽(150)은 화소영역의 가장자리 부분에 형성되며 이후 형성될 발광층(135)을 구분하는 역할을 한다.
본 발명의 실시예에 따르면 상기 격벽(150)은 롤프린팅(roll printing)을 이용하여 형성하며, 도 6a 내지 6c는 롤프린팅을 이용하여 격벽(150)을 형성하는 과정을 나타낸 순차적인 도면이다. 롤프린팅을 이용하여 격벽(150)을 형성하게 되면, 종래의 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스트를 도포한 후 노광하고 현상하는 과정에서 발생하는 불량을 방지할 수 있다. 특히, 전자수송층(133)이 현상액과 반응하여 훼손되는 등의 문제점을 방지할 수 있다.
도면을 참조하면, 인쇄롤(151)의 외주면에 격벽(150)을 형성할 유기절연물질(150A)을 도포한다. 유기절연물질(150A)을 도포하는 과정은 인쇄롤(151)의 외주면에 인쇄하고자 하는 유기절연물질(150A)을 공급용기(154)에 채운 다음, 유기절연물질(150A)이 채워진 공급용기(154)를 인쇄롤(151)에 닿도록 한 후, 인쇄롤(151)을 회전시켜 외주면에 유기절연물질(150A)을 도포하는 과정으로 이루어질 수 있다.
그 다음, 도 6b와 같이, 먼저 형성하고자 하는 패턴과 대응하는 홈이 형성된 클리체(155)(cliche)를 준비하여 인쇄롤(151)을 클리체(155) 상에 접촉시켜 회전시 킴으로써 인쇄롤(151)의 유기절연물질(150A) 패턴, 즉 격벽(150)의 패턴을 형성한다.
이후, 도 6c와 같이, 패턴이 형성된 유기절연물질(150A)이 도포된 인쇄롤(151)을 격벽(150)을 형성할 기판(110) 상에 접촉하여 회전시킴으로써 유기절연물질(150A) 패턴을 기판(110)에 전사한다.
다음으로, 기판(110)에 전사된 유기절연물질(150)에 자외선과 같은 광을 조사하여 광경화시켜 격벽(150)을 형성하게 된다. 이때, 상기 격벽(150)은 이후 형성할 발광층(135)이 이루는 높이보다 높게 형성하는 것이 바람직하다.
격벽(150)을 형성한 다음에는, 도 5d와 같이, 상기 격벽(150)과 격벽(150)의 사이의 제1전극(120) 상에 발광층(135)을 형성한다. 발광층(135)은 다양한 유기물질을 사용하여 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들어 인쇄의 방법으로 형성할 수 있으며, 잉크젯 방법으로 유기발광물질 액적를 적하하여 형성할 수도 있다. 도면에서는 디스펜서(170)을 이용하여 잉크젯 방법으로 발광층(135)을 형성하는 모습을 나타내었으나 이는 실시예에 불과하며 발광층(135)을 형성하는 방법을 한정하는 것은 아니다. 이때, 발광층(135)은 적색을 발광하는 적색 발광층(R), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(G), 청색을 발광하는 청색 발광층(B)으로 형성한다.
발광층(135)을 형성한 다음에는, 도 5e와 같이, 발광층(135)과 격벽(150)이 형성된 기판(110)의 상부에 정공수송층(137)과 정공주입층(139)을 순차적으로 형성한다. 정공주입층(139)과 정공수송층(137)은 도전성 유기물질로 형성되며 진공증착 방식으로 형성할 수 있다.
다음으로는, 도 5f와 같이, ITO와 같은 일함수가 높은 투명한 도전성 물질로 제2전극(140)을 형성한다. 상기 제2전극(140)은 양극(anode)로 작용하며 정공을 정공주입층(139)에 공급하는 역할을 한다. 이때, 제2전극(140)은 필요에 따라 화소영역에만 형성할 수 있으며, 다양한 모양으로 패터닝이 가능하다.
상기한 바와 같은 방법으로 도 4에 도시된 바와 같은 유기전계 발광소자를 제조할 수 있다.
본 발명에 대해서 구체적으로 기재된 설명은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예를 들어 본 발명은 탑 에미션 방식의 유기전계 발광소자에 대해 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 바텀 에미션 방식의 유기전계 발광소자에도 적용될 수 있음은 물론이다.
이뿐만 아니라, 본 발명에서는 제1전극과 제2전극 사이에 복수 층의 유기층이 형성된 유기전계 발광소자에 대해 설명하였으나, 단일층이나, 어느 유기층이 생략된 형태 등 다양하게 적용이 가능하다. 즉, 제1전극 상에 격벽을 형성하고 단일층으로 이루어진 발광층을 형성한다거나, 제1전극 상에 전자수송층을 형성하고 격벽을 형성한 다음 발광층을 형성한다거나, 발광층 다음에 정공주입층만 형성하는 등 유기층을 다양하게 변화시켜 적용이 가능하다.
따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성함으 로써 격벽 형성시 발생할 수 있는 불량을 감소시킬 수 있어 고품질의 유기전계 발광소자가 제공된다.

Claims (19)

  1. 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극이 형성된 기판 상에 롤프린팅을 이용하여 화소영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계;
    상기 격벽 사이의 제1전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층과 격벽이 형성된 기판 상부에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    롤프린팅을 이용하여 격벽을 형성하는 단계는,
    유기절연물질이 외주면에 도포된 인쇄롤을 준비하는 단계;
    상기 인쇄롤을 클리체에 작용하여 인쇄롤에 도포된 유기절연물질을 패터닝하는 단계;
    상기 패터닝된 유기절연물질을 제1전극이 형성된 기판 상에 전사시키는 단계; 및
    상기 전사된 유기절연물질을 경화시켜 격벽을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유기절연물질을 경화시켜 격벽을 형성하는 단계는 광을 유기절연물질에 조사하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광은 자외선인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 유기절연물질은 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 폴리아크릴 계열, 폴리이미드 계열의 유기물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 인쇄 또는 잉크젯으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극을 형성하는 단계와 상기 격벽을 형성하는 단계 사이에 상기 제1전극이 형성된 기판의 전면에 전자주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전자주입층 상에 전자수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제1항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계와 제2전극을 형성하는 단계 사이에 상기 발광층과 격벽이 형성된 기판의 전면에 정공수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층은 진공증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 정공수송층 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층은 진공증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 상기 제2전극보다 일함수가 작은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극은 상기 제1전극보다 일함수가 큰 투명도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 상기 제2전극보다 일함수가 큰 투명도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극은 상기 제1전극보다 일함수가 작은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 발광층의 높이보다 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  18. 제1항에 있어서,
    복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계는,
    절연기판 상에 게이트 라인과 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극 상에 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에 반도체층과 오믹콘택층을 형성하는 단계; 및
    상기 오믹콘택층 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하고 상기 게이트전극과 실질적으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수 개의 화소영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와 상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 드레인전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 기판의 화소영역 상에 제1전극을 형성하는 단계는 상기 제1전극을 상기 콘택홀을 통해 드레인전극과 전기적으로 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
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