KR20080062759A - 포토 마스크의 제조 방법 - Google Patents

포토 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

포토마스크의 제조 방법이 제공된다.
상기 포토마스크의 제조 방법은, 투명 마스크 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 투명 마스크 기판 상에 감광막을 형성하는 단계; 상기 투명 마스크 기판의 후면에서 노광하여 상기 위상 반전막 패턴 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 마스크 패턴의 선폭을 보정하는 단계를 포함한다.
포토 마스크, 후면 노광, 선폭 보정

Description

포토 마스크의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD FOR PHOTO MASK}
도 1a 내지 도 1e 본 발명의 일 구현예에 따른 포토 마스크의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 간략화된 도면이다.
도 2는 도 1의 포토 마스크의 제조 방법에서, 도 1c의 후면 노광 공정에 의해 마스크 패턴 상에 감광막 패턴이 형성된 모습을 보여주는 SEM 사진이다.
본 발명은 포토 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 포토 마스크의 마스크 패턴의 선폭을 보다 쉽고 효과적으로 보정할 수 있는 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 각종 패턴은 포토 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정 등을 포함하는 포토리소그래피 기술에 형성되는 것이 일반적이다.
그런데, 이러한 포토 마스크의 제조 과정 중에, 여러 가지 요인에 의해 포토마스크에 포함된 마스크 패턴의 CD 불량 또는 균일성 불량 등이 나타날 수 있다. 이 중에서도, 상기 마스크 패턴의 CD 불량은 마스크 패턴이 본래 형성되어야할 선폭보다 크거나 작은 선폭으로 형성된 것으로, 이러한 마스크 패턴의 CD 불량이 발생하면 반도체 소자의 각종 패턴이 원하는 선폭과 다르게 형성되어 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 이러한 마스크 패턴의 CD 불량은 반드시 보정하거나, 보정이 힘들다면 포토 마스크를 폐기할 수밖에 없다.
그런데, 종래에는 상기 마스크 패턴의 CD 불량이, 예를 들어, SEM으로 확인되면, 이러한 CD 불량을 포함하는 포토 마스크를 폐기하고 포토 마스크의 제조 공정 조건, 예를 들어, 전자빔 노광 조건 등을 조절하여 다시 포토 마스크를 제조할 수밖에 없었고, 실질적으로 마스크 패턴의 선폭을 보정해 상기 CD 불량이 발생한 포토 마스크를 사용할 수 있는 방법은 없었다.
따라서, 상기 CD 불량은 포토 마스크의 제조 수율을 저하시키는 일 요인으로 작용하였을 뿐 아니라, 상기 포토 마스크의 제조 공정 조건을 조절하더라도 다시 CD 불량이 발생할지 여부를 사전에 확인할 수 없고, 이러한 공정 조건의 조절이 그리 쉬운 작업도 아니므로, 결국, 포토 마스크의 제조 공정의 생산성 및 경제성도 저하시키는 요인으로 작용하였다.
이에 본 발명은 포토 마스크의 마스크 패턴의 선폭을 보다 쉽고 효과적으로 보정할 수 있는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 투명 마스크 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 투명 마스크 기판 상에 감광막을 형성하는 단계; 상기 투명 마스크 기판의 후면에서 노광하여 상기 위상 반전막 패턴 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 마스크 패턴의 선폭을 보정하는 단계를 포함하는 포토 마스크의 제조 방법을 제공한다.
이러한 포토 마스크의 제조 방법에서, 상기 마스크 패턴의 선폭 보정 단계는, 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 마스크 패턴을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 포토 마스크의 제조 방법에서, 상기 마스크 패턴은 위상 반전막 패턴을 포함하거나, 상기 투명 마스크 기판 상에 순차 형성된 위상 반전막 패턴 및 광차단막 패턴을 포함할 수 있다.
이때, 상기 위상 반전막 패턴은 MoSiN막으로 이루어지며, 상기 광차단막 패턴은 크롬막으로 이루어지고, 상기 투명 마스크 기판은 수정으로 이루어질 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 발명의 일 구현예에 따른 포토 마스크의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 예시에 불과한 것으로 이에 의해 발명의 권리 범위가 정해지는 것은 아니다.
도 1a 내지 도 1e 본 발명의 일 구현예에 따른 포토 마스크의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 간략화된 도면이고, 도 2는 도 1의 포토 마스크의 제조 방법에서, 도 1c의 후면 노광 공정에 의해 마스크 패턴 상에 감광막 패턴이 형성된 모습을 보여주는 SEM 사진이다.
먼저, 도 1a를 참조하면, 예를 들어, 수정으로 이루어진 투명 마스크 기판(100) 상에 마스크 패턴(110)을 형성한다. 이러한 마스크 패턴(110)은 투명 마스크 기판(100) 상에 순차 형성된 위상 반전막 패턴(102) 및 광차단막 패턴(104)을 포함하거나, 다른 실시예로서 위상 반전막 패턴 또는 광차단막의 어느 하나만을 포함할 수도 있다.
이러한 마스크 패턴(110)은 상기 투명 마스크 기판(100) 상에, 예를 들어, 6%의 광 투과율을 가진 MoSiN막으로 형성된 위상 반전막과, 예를 들어, 크롬막으로 형성된 광차단막을 순차 형성하고, 상기 광차단막 상에 감광막 패턴을 형성한 후, 이러한 감광막 패턴을 마스크로 상기 광차단막 및 위상 반전막을 순차 식각해 형성될 수 있다.
그런데, 이러한 방법으로 마스크 패턴(110)을 투명 마스크 기판(100) 상에 형성하는 과정에서, 경우에 따라 상기 감광막 패턴의 형성을 위한 전자빔 노광 공정의 조건 등에 오류가 생겨, 상기 마스크 패턴(110)이 원하는 선폭("A")보다 크거나 작은 선폭으로 형성되는 마스크 패턴(110)의 CD 불량이 발생할 수 있다(도 1a는 마스크 패턴(110)이 원하는 선폭("A")보다 큰 선폭으로 형성된 경우를 도시한다.).
이에 따라, 이하에서 설명하는 일 실시예의 방법을 통해 이러한 마스크 패턴(110)의 CD 불량을 보정할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 위상 반전막 패턴(102) 및 광차단막 패턴(104)을 포함하는 마스크 패턴(110)이 형성된 투명 마스크 기판(100) 상에 감광막(112)을 형성한다.
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 투명 마스크 기판(100)의 후면으로부터 상기 감광막(112)에 노광하고 현상한다. 이러한 후면 노광 및 현상 공정을 진행하면, 마스크 패턴(110)이 형성된 영역("B")에서는, 예를 들어, 6%의 광 투과율을 가진 MoSiN막으로 형성된 상기 위상 반전막 패턴(102) 이나, 예를 들어, 크롬막으로 형성된 상기 광차단막 패턴(104)에 가로 막혀 감광막(112)에 대한 노광이 이루어지지 않으며 그 결과 상기 마스크 패턴(110) 상에 감광막(112)이 잔류한다.
이에 비해, 마스크 패턴(110)이 형성되지 않은 영역("C")에서는, 광투과성을 나타내는 투명 마스크 기판(100)을 통해 상기 감광막(112)에 대한 노광 및 현상이 이루어져 이러한 감광막(112)이 제거될 수 있다.
더 나아가, 상기 후면 노광 공정을 조절된 과도한 노광량으로 진행하고 이후의 현상 공정을 진행하면, 상기 마스크 패턴(110) 상의 감광막(112) 또한 일부가 제거되어 이러한 감광막(112)이 최초 마스크 패턴(110)을 형성하고자 하였던 선폭("A")으로 형성될 수 있다.
결과적으로, 상기 후면 노광 및 현상 공정을 진행하면, 상기 마스크 패 턴(110) 상에 최초 마스크 패턴(110)을 형성하고자 하였던 선폭("A")으로 감광막(112)이 잔류하고, 나머지 영역에서는 감광막(112)이 제거된다. 참고로, 도 2에는, 상술한 후면 노광 및 현상 공정을 진행한 후에 위상 반전막 패턴(102) 및 광차단막 패턴(104)을 포함하는 마스크 패턴(110) 상에만 감광막(112)이 잔류하고 있음을 나타내는 SEM 사진이 표시되어 있다.
상술한 후면 노광 및 현상 공정을 진행한 후에는, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 패턴(110) 상에 소정 선폭("A")으로 잔류하고 있는 감광막(112)을 마스크로 하부의 마스크 패턴(110), 즉, 광차단막 패턴(104) 및 위상 반전막 패턴(102)을 순차적으로 식각, 제거한다. 그 결과, 상기 마스크 패턴(110)이 최초 형성하고자 하였던 소정 선폭("A")으로 보정되어 상기 마스크 패턴(110)의 CD 불량이 보정될 수 있다.
한편, 이상에서는 마스크 패턴(110)이 위상 반전막 패턴(102) 및 광차단막 패턴(104)을 포함하는 경우의 예를 들었으나, 상기 마스크 패턴(110)이 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴의 어느 한쪽만을 포함하는 경우에도, 이상에서 설명한 것과 마찬가지 방법으로 마스크 패턴(110)의 선폭 및 CD 불량을 보정할 수 있다.
상술한 방법으로 CD 불량을 보정한 후에는, 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 패턴(110) 상에 잔류하는 감광막(112)을 제거한다. 그 결과, 마스크 패턴(110)의 CD 불량이 보정된 양호한 포토 마스크가 제조될 수 있다.
즉, 상술한 방법에 따라, 종래에는 보정이 어려웠던 마스크 패턴의 선폭 및 CD 불량을 쉽고 효과적으로 보정할 수 있다. 따라서, CD 불량을 포함하는 포토 마 스크를 폐기하는 비율도 줄어들고, 포토 마스크의 제조 공정 조건, 예를 들어, 전자빔 노광 조건 등을 조절하여 다시 포토 마스크를 제조하는 시행 착오도 줄일 수 있으므로, 결국, 포토 마스크 제조 공정의 수율, 생산성 및 경제성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상술한 일 구현예에서는 특정 영역에서 CD 불량이 발생한 마스크 패턴의 선폭을 보정하는 경우의 예를 들었으나, 본 발명의 다른 구현예에 따른 포토 마스크의 제조 방법에 따라, 투명 마스크 기판 상의 각 영역별로 마스크 패턴의 선폭을 별도로 보정하여 포토 마스크의 CD 균일성을 향상시킬 수도 있다.
예를 들어, 상술한 후면 노광 공정을 투명 마스크 기판 상의 각 영역별로 서로 다른 노광량으로 진행해 상기 마스크 패턴 상의 감광막을 각 영역별로 서로 다른 선폭으로 형성한다. 이러한 감광막을 마스크로 각 영역별로 마스크 패턴을 보정해 포토 마스크의 CD 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면 포토 마스크의 마스크 패턴에 발생한 CD 불량을 쉽고 효과적으로 보정할 수 있는 포토 마스크의 제조 방법이 제공된다. 더구나, 이러한 포토 마스크의 제조 방법을 적용하여 포토 마스크 제조 공정의 수율, 생산성 및 경제성 등을 향상시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 투명 마스크 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 투명 마스크 기판 상에 감광막을 형성하는 단계;
    상기 투명 마스크 기판의 후면에서 노광하여 상기 위상 반전막 패턴 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 마스크 패턴의 선폭을 보정하는 단계를 포함하는 포토 마스크의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴의 선폭 보정 단계는,
    상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 마스크 패턴을 식각하는 단계를 포함하는 포토 마스크의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 위상 반전막 패턴을 포함하는 포토 마스크의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 상기 투명 마스크 기판 상에 순차 형 성된 위상 반전막 패턴 및 광차단막 패턴을 포함하는 포토 마스크의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 위상 반전막 패턴은 MoSiN막으로 이루어지며, 상기 광차단막 패턴은 크롬막으로 이루어지고, 상기 투명 마스크 기판은 수정으로 이루어지는 포토 마스크의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴의 선폭 보정 단계에서는,
    투명 마스크 기판 상에 구분된 각 영역별로 상기 마스크 패턴을 별도 보정해 CD 균일성을 향상시키는 포토 마스크의 제조 방법.
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