KR20080060396A - Method of setting an inspection area - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram showing an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 패턴이 형성된 반도체 기판의 일 예를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating an example of a semiconductor substrate on which a pattern is formed.
도 3은 도 2의 패턴에서 예비 검사 영역을 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a preliminary inspection area in the pattern of FIG. 2.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method for setting a test area, according to an exemplary embodiment.
도 5a와 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법에 따라 도 3의 예비 검사 영역으로부터 획득한 2차원 그레이 레벨 프로파일을 도시한 도면이다.5A and 5B are diagrams illustrating two-dimensional gray level profiles obtained from the preliminary inspection region of FIG. 3 according to an inspection region setting method according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법에 의해 도 5a 및 도 5b로부터 형성한 검사맵의 일 예를 도시한 도면이다.6 is a diagram illustrating an example of an inspection map formed from FIGS. 5A and 5B by an inspection region setting method according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법에 따라 도 3의 예비 검사 영역으로부터 획득한 3차원 그레이 레벨 프로파일을 도시한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a 3D gray level profile obtained from the preliminary inspection region of FIG. 3 according to an inspection region setting method according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법을 설명하기 위한 순서도이다.8 is a flowchart illustrating a test area setting method according to another exemplary embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 반도체 기판 10 : 척1
20 : 검출부 21 : 수광부20
22 : 발광부 25 : 설계 데이터(25)22: light emitting portion 25: design data (25)
30 : 설정부 100 : 예비 검사 영역30: setting unit 100: preliminary inspection area
110 : 셀 영역 111 : 단위 셀110: cell area 111: unit cell
112 : 제1 경계 영역 120 : 주변 영역112: first boundary region 120: peripheral region
200 : 2차원 그레이 레벨 프로파일200: two-dimensional gray level profile
300 : 3차원 그레이 레벨 프로파일 400 : 검사맵300: 3D gray level profile 400: inspection map
411 : 검사 영역 412 : 제2 경계 영역411: inspection region 412: second boundary region
본 발명은 반도체 기판에 대한 검사 영역 설정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 패턴이 형성된 반도체 기판 상에서 상기 패턴에 대한 결함을 검사하기 위한 셀 영역을 포함하는 검사 영역 설정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for setting an inspection region for a semiconductor substrate, and more particularly, to a method for setting an inspection region including a cell region for inspecting a defect on the pattern on a semiconductor substrate on which a pattern is formed.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 공정 기술이 발전되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, semiconductor processing technologies have been developed in the direction of improving integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit including electrical elements on a silicon substrate used as a semiconductor substrate, and an EDS (electrical) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. die sorting) and a package assembly process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the formed semiconductor substrate;
반도체 장치의 고집적 및 고성능화를 달성하기 위해서는 반도체 기판 상에 전기 회로를 구성하는 미세 구조물을 정확하게 형성하는 것과 더불어, 상기 검사 공정이 반드시 수행되어야 한다.In order to achieve high integration and high performance of the semiconductor device, the inspection process must be performed in addition to accurately forming the microstructure constituting the electric circuit on the semiconductor substrate.
상기 반도체 기판 상에는 회로로 기능하는 셀 영역(cell area)과, 상기 셀 영역으로 전압을 인가하기 위한 구조물들이 형성되는 패드 영역(pad area)과, 상기 셀 영역에서 불량 셀이 발생하는 경우 상기 불량 셀을 대체하기 위한 대체셀(redundancy cell) 및 여분의 더미셀(dummy cell) 등의 구조물들이 형성되는 퓨즈 영역(fuse area)을 포함한다. 이때, 상기 패드 영역 및 퓨즈 영역은 상기 셀 영역의 주변에 형성되어 있다. 따라서, 상기 셀 영역, 패드 영역 및 퓨즈 영역에 대 해 각각 검사가 수행되어 있다.A cell area functioning as a circuit on the semiconductor substrate, a pad area in which structures for applying a voltage to the cell area are formed, and the bad cell when a bad cell occurs in the cell area And a fuse area in which structures such as a redundancy cell and an extra dummy cell are formed to replace the cell. In this case, the pad region and the fuse region are formed around the cell region. Therefore, inspections are performed on the cell region, the pad region, and the fuse region, respectively.
상기 셀 영역은 다수의 셀이 동일한 간격으로 이격되어 반복되는 패턴이 형성된다. 상기 패드 영역 및 퓨즈 영역은 불규칙하게 패턴들이 형성된다. 또한, 상기 패드 영역 또는 퓨즈 영역 내에 형성된 패턴들은 서로 실질적으로 동일한 형상을 갖는다.The cell region has a pattern in which a plurality of cells are spaced at the same interval and repeated. The pad region and the fuse region are irregularly formed patterns. In addition, the patterns formed in the pad area or the fuse area have substantially the same shape as each other.
이렇게 불규칙하게 위치하는 패드 패턴 및 퓨즈 패턴의 불량을 검사하기 위해서는 상기 패드 패턴 및 퓨즈 패턴이 형성된 부위를 검사 영역을 설정하는 작업을 먼저 수행하여야 한다.In order to inspect the defects of the pad pattern and the fuse pattern that are irregularly positioned in this way, a task of setting the inspection area is first performed on a portion where the pad pattern and the fuse pattern are formed.
종래에는 상기 검사 영역을 설정하기 위해서 작업자가 집적 육안으로 상기 각 패턴들을 확인하면서 검사 영역을 설정하였다.In the related art, in order to set the inspection area, the operator sets the inspection area while checking the patterns with the naked eye.
종래의 검사 영역 설정 방법은 작업자의 숙련도에 따라서 차이가 발생될 수 있기 때문에, 검사 영역을 설정하기 위해 많은 작업 시간 및 인적 자원이 필요한 문제점이 있다. 또한, 작업자가 달라지거나 또는 동일한 작업자가 하는 경우라도 상기 검사 영역이 다르게 설정될 수 있어서, 검사 영역 설정에 대한 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.In the conventional inspection area setting method, since a difference may occur according to the skill of the operator, there is a problem that a lot of work time and human resources are required to set the inspection area. In addition, even if the worker is different or even if the same worker is done, the inspection area can be set differently, there is a problem that the reliability of the inspection area setting is lowered.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 검사 영역의 설정 시간을 감소시키고, 검사 영역 설정의 신뢰성 및 정확성을 향상시키기 위한 검사 영역 설정 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a test area setting method for reducing the setting time of the test area, and to improve the reliability and accuracy of the test area setting.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 검사 영역 설정 방법은, 회로 패턴이 형성된 반도체 기판 상의 예비 검사 영역의 이미지를 획득하는 단계와, 상기 이미지로부터 상기 예비 검사 영역에 대한 그레이 레벨 프로파일을 작성하는 단계와, 상기 그레이 레벨 프로파일 상에서 기설정된 임계치(threshold)를 벗어나는 픽셀과 대응하는 좌표를 획득하는 단계와, 상기 좌표를 이용하여 상기 예비 검사 영역에 대한 검사맵을 형성하는 단계 및 상기 검사맵에서 검사 영역을 선택하는 단계를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, an inspection region setting method according to the present invention includes obtaining an image of a preliminary inspection region on a semiconductor substrate on which a circuit pattern is formed; Creating, acquiring coordinates corresponding to pixels deviating from a predetermined threshold on the gray level profile, forming an inspection map for the preliminary inspection area using the coordinates, and the inspection map Selecting an inspection area.
실시예에서, 상기 그레이 레벨 프로파일은 2차원으로 작성될 수 있다. 여기서, 상기 예비 검사 영역은 다수의 서브 영역을 포함하고, 상기 그레이 레벨 프로파일은 상기 예비 검사 영역에 대해 서브 영역과 경계 영역에 대한 그레이 레벨의 변화로 형성될 수 있다.In an embodiment, the gray level profile can be created in two dimensions. Here, the preliminary inspection area may include a plurality of sub areas, and the gray level profile may be formed by a change of gray levels with respect to the sub area and the boundary area with respect to the preliminary inspection area.
실시예에서, 상기 그레이 레벨 프로파일은 3차원으로 작성될 수 있다. 여기서, 상기 그레이 레벨 프로파일은 상기 예비 검사 영역의 각 해당 위치에 대한 그레이 레벨을 높이로 하여 형성되는 3차원 이미지를 포함할 수 있다.In an embodiment, the gray level profile can be created in three dimensions. Here, the gray level profile may include a 3D image formed by raising a gray level for each corresponding position of the preliminary inspection area as a height.
실시예에서, 상기 검사맵은 상기 그레이 레벨 프로파일 상에서 임계치를 벗어나는 픽셀들과 대응하는 좌표들을 라인으로 연결함으로써 형성될 수 있다.In an embodiment, the inspection map can be formed by connecting coordinates corresponding to pixels deviating from a threshold on the gray level profile with lines.
한편, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법은, 다수의 서브 영역들로 구분된 예비 검사 영역에 대한 설계 데이터를 획득하는 단계와, 상기 설계 데이터 상에서 상기 서브 영역들에 대한 경계 좌표를 획득하는 단계와, 상기 경계 좌표들을 이용하여 상기 예비 검사 영역에 대한 검사맵을 작성하는 단계 및 상기 검사맵 상에서 검사 영역을 선택하는 단계를 포함한다.On the other hand, in order to achieve the object of the present invention, the inspection area setting method according to another embodiment of the present invention, the step of obtaining the design data for the preliminary inspection area divided into a plurality of sub-regions, and on the design data Obtaining boundary coordinates for the sub-regions, creating an inspection map for the preliminary inspection region using the boundary coordinates, and selecting an inspection region on the inspection map.
실시예에서, 상기 검사맵은 상기 경계 좌표들을 연결하는 라인으로 형성되는 이미지를 포함할 수 있다.In an embodiment, the inspection map may include an image formed by a line connecting the boundary coordinates.
상기한 본 발명에 따르면, 검사 영역을 자동으로 쉽게 설정할 수 있으므로, 검사 영역 설정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있고, 정확성 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다. 더불어, 검사 영역이 정확하게 설정됨에 따라 결함 검사의 정확성 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다. 또한, 검사 장치에서 자동으로 검사 영역을 설정하는 것이 가능하다.According to the present invention described above, since the inspection area can be easily and automatically set, the time required for setting the inspection area can be shortened, and accuracy and reliability can be improved. In addition, as the inspection area is set correctly, the accuracy and reliability of defect inspection can be improved. It is also possible to automatically set the inspection area in the inspection apparatus.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an inspection area setting method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.With respect to the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural to functional descriptions are merely illustrated for the purpose of describing the embodiments of the present invention, the embodiments of the present invention may be embodied in various forms and It should not be construed as limited to the embodiments described.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between," or "neighboring to," and "directly neighboring to" should be interpreted as well.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is described, and that one or more other features or numbers are present. It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of steps, actions, components, parts or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치의 일 예를 도시한 블록도이고, 도 2는 검사 대상이 되는 패턴이 형성된 반도체 기판의 일 예를 간략하게 도시한 평면도이다.1 is a block diagram illustrating an example of an inspection apparatus according to an exemplary embodiment of the present disclosure, and FIG. 2 is a plan view briefly illustrating an example of a semiconductor substrate on which a pattern to be inspected is formed.
이하, 도 1과 도2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치에 대해 설명한다. 본 발명에서는 패턴이 형성된 반도체 기판 상에서 상기 패턴 상의 결함을 검출하는 검사 장치를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, an inspection apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. In the present invention, an inspection apparatus for detecting a defect on the pattern on the semiconductor substrate on which the pattern is formed will be described as an example.
검사 장치는, 검사 대상이 되는 반도체 기판(1)을 지지하는 척(10), 상기 척(10)에 지지된 반도체 기판(1) 상에서 검사 영역을 설정하기 위한 정보를 검출하는 검출부(20), 상기 검출부(20)로부터 획득한 정보를 이용하여 검사 영역을 설정하기 위한 설정부(30)를 포함한다.The inspection apparatus includes a
예를 들어, 상기 반도체 기판(1)은 패턴이 형성된 반도체 기판을 포함할 수 있다. 한편, 상기 반도체 기판(1)은 반도체 기판으로 한정되는 것은 아니며, LCD 기판 등을 포함하여 실질적으로 다양한 기판일 수 있다.For example, the
상기 검출부(20)는 상기 반도체 기판(1) 상으로 광을 조사하여 상기 반도체 기판(1) 상의 검사 영여게 대한 이미지를 획득할 수 있다. 예를 들어, 상기 검출부(20)는 상기 반도체 기판(1) 상으로 광을 조사하는 발광부(22)와 상기 반도체 기판(1)으로부터 반사되는 광을 검출하는 수광부(21)를 포함할 수 있다.The
도 2와 도 3에 도시한 바와 같아. 상기 반도체 기판(1) 상에는 다수의 미세 구조물들이 형성되어 있다. 구체적으로는, 회로로 기능하는 셀 영역(cell area)(110)과, 주변 영역(120)을 포함한다. 여기서, 상기 셀 영역(110)은 다수의 단위 셀(111)과 상기 각 단위 셀(111) 사이의 제1 경계 영역(112)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 주변 영역(120)은 상기 셀 영역(110)으로 전압을 인가하기 위한 구조물들이 형성되는 패드 영역(pad area)과, 상기 셀 영역에서 불량 셀이 발생하는 경우 상기 불량 셀을 대체하기 위한 대체셀(redundancy cell) 및 여분의 더미셀(dummy cell) 등의 구조물들이 형성되는 퓨즈 영역(fuse area)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드 영역과 상기 퓨즈 영역은 상기 셀 영역(110)의 주변에 형성되어 있다.As shown in FIG. 2 and FIG. A plurality of microstructures are formed on the
예를 들어, 상기 셀 영역(110)은 다수의 단위 셀(111)이 동일한 간격으로 이격되어 반복되는 패턴이 형성된다.For example, in the
이하에서 상기 셀 영역(110)에서 결함 검사를 위한 검사 영역으로 설정하는 방법에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of setting the
특히, 본 실시예에서는 반도체 기판(1) 상으로 광을 조사하여 이미지를 획득하고, 상기 획득한 이미지 정보 상에서 그레이 레벨 프로파일을 작성하고, 상기 그 레이 레벨 프로파일 상에서 검사 영역의 특성을 이용하여, 검사 영역에 대한 검사맵(400)을 작성함으로써 검사 영역을 설정하는 것에 대하여 설명하기로 한다.In particular, in the present embodiment, an image is obtained by irradiating light onto the
도 4를 참조하면, 우선, 검사하고자 하는 패턴이 형성된 반도체 기판(1)을 마련한다. 상기 반도체 기판(1) 상에는 일련의 반도체 제조 공정에 의해 형성된 미세 구조물들이 형성되고, 상기 미세 구조물들은 셀 영역(110) 및 제1 경계 영역(112)과, 주변 영역(120)을 포함하여 소정의 반복되는 패턴을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4, first, a
상기 반도체 기판(1) 상으로 광을 조사하고, 상기 반도체 기판(1)으로부터 반사되는 광을 검출한다(S1).Light is irradiated onto the
상기 기판 스캔 단계(S1)을 통해 상기 반도체 기판(1)에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 여기서, 상기 획득된 이미지는 다수의 픽셀들을 포함하며, 상기 각각의 픽셀들은 그레이 레벨(gray level) 정보를 갖는다. 예를 들어, 상기 그레이 레벨은 0 내지 225 사이의 값을 갖는 그레이 레벨 값을 가질 수 있다. 즉, 상기 픽셀의 수와, 상기 각 픽셀의 크기 및, 상기 각 픽셀들의 그레이 레벨 등의 정보를 이용하여 이미지를 획득할 수 있다.An image of the
특히, 상기 이미지는 상기 반도체 기판 상에서 검사하고자 하는 셀 영역(110)을 충분히 포함함은 물론, 상기 검사하고자 하는 셀 영역(110)보다 넓은 영역으로부터 이미지를 획득하는 것이 바람직하다.In particular, the image sufficiently includes the
예를 들어, 상기 이미지는 일종의 광센서열(sensor array)을 이용하여 획득할 수 있다. 여기서, 상기 광센서열은 일반적인 SEM(scanning electron microscope)에 비해 해상도가 낮지만, 상기 SEM에 비해 단시간에 이미지를 획득할 수 있는 장점이 있다. 즉, 상기 이미지는 상기 셀 영역(110) 등에 대한 경계 정보를 획득할 수 있는 정도의 해상도를 갖는 것으로 충분할 수 있다.For example, the image may be obtained by using a kind of sensor array. Here, the optical sensor array has a lower resolution than a conventional scanning electron microscope (SEM), but has an advantage of obtaining an image in a short time compared to the SEM. That is, the image may be sufficient to have a resolution sufficient to obtain boundary information about the
특히, 상기 전체 이미지는 다수의 픽셀들로 이루어져 있으며, 상기 픽셀들은 각각의 고유한 그레이 레벨(gray level)을 갖는다. 이때, 상기 각 픽셀의 그레이 레벨은 이후 검사 영역을 설정하는데 중요한 역할을 하는데 이에 대한 설명은 이후에 하기로 한다.In particular, the entire image consists of a plurality of pixels, each of which has its own gray level. In this case, the gray level of each pixel plays an important role in setting up the inspection area later, which will be described later.
상기 이미지를 이용하여 검사 영역을 설정하기 위한 임의의 예비 검사 영역(100)을 설정한다.The
예를 들어, 상기 예비 검사 영역(100)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 반도체 기판(1) 상에 형성된 패턴의 일부분일 수 있다. 여기서, 상기 예비 검사 영역(100)은 소정의 영역이 반복되는 패턴을 형성하므로, 상기 패턴의 일부분에 대해서만 예비 검사 영역으로 설정하여 검사할 수 있으므로, 영역 설정을 위한 시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다. 한편, 상기 예비 검사 영역(100)은 상기 반도체 기판(1) 상에 형성된 패턴 전체일 수도 있을 것이다.For example, as illustrated in FIG. 3, the
상기 획득된 이미지로부터 상기 설정된 예비 검사 영역(100)에 대한 그레이 레벨 프로파일을 작성한다(S2).A gray level profile for the set
예를 들어, 도 5a와 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 그레이 레벨 프로파일(200)은 상기 이미지 상에서 일 방향 축(예를 들어, 이미지 상에서 x축 또는 y축)을 따라 그레이 레벨의 변화 양상을 도시한 그래프를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 5A and 5B, the
여기서, 상기 2차원 그레이 레벨 프로파일(200)을 작성하는 경우, x축 및 y 축에 대해서 각각 작성해야 한다.Here, in the case of creating the two-dimensional
또는, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 그레이 레벨 프로파일(300)은 상기 이미지 상에서 해당 위치의 그레이 레벨을 높이로 표현한 3차원 이미지(300)를 포함할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 7, the
상기 3차원 그레이 레벨 프로파일(300)에서 소정의 임계치(threshold)(H)를 적용하여, 상기 임계치(H)를 벗어나는 위치를 검출한다(S3).A predetermined threshold H is applied in the 3D
예를 들어, 도 5a에 도시한 바와 같이, 2차원 그레이 레벨 프로파일(200)은 셀 영역(110)과 상기 제1 경계 영역(112)의 그레이 레벨 값이 다르게 나타남을 알 수 있다. 그리고, 상기 2차원 그레이 레벨 프로파일(200) 상에서 그레이 레벨 값이 다른 픽셀들을 구분할 수 있는 소정의 임계치(H)를 적용할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5A, it may be seen that the gray level values of the
상기 임계치(H) 적용 단계(S3)에서 검출된 위치들을 라인으로 연결함으로써 검사맵(400)을 작성할 수 있다(S4).The
예를 들어, 도 5b에 도시한 바와 같이, 2차원 그레이 레벨 프로파일(200) 상에서 소정의 임계치(H)를 적용하였을 때, 상기 임계치(H)를 벗어나는 위치인 점 P1과 P2의 좌표를 검출할 수 있으며, 상기 P1과 P2를 라인으로 연결할 수 있다. 마찬가지로 상기 2차원 그레이 레벨 프로파일(200) 상에서 상기 임계치(H)를 벗어나는 위치에 해당되는 다수의 점의 좌표를 검출하고, 상기 검출된 각 점들을 라인으로 연결할 수 있다. 여기서, 하나의 2차원 그레이 레벨 프로파일(200) 상에서 검출된 좌표들을 연결한 검사맵(400)은 해당 방향에 대한 셀 영역(110)과 제1 경계 영역(112)이 표현될 수 있다. 따라서, 상기 예비 검사 영역(100)에 대한 검사맵(400) 을 작성하기 위해서는 x축과 y축 양방향 모두에 대한 그레이 레벨 프로파일(200)을 작성하고, 상기 각 그레이 레벨 프로파일(200) 상에서 임계치(H)를 적용하여 벗어나는 위치를 검출할 수 있을 것이다. 여기서, 상기 각 그레이 레벨 프로파일(200)에 적용하는 임계치(H)는 동일한 값을 사용하는 것이 바람직하다.For example, as shown in FIG. 5B, when a predetermined threshold H is applied on the two-dimensional
한편, 도 7에 도시한 바와 같이, 3차원 그레이 레벨 프로파일(300)에서는 2차원 그레이 레벨 프로파일(200)에서와 마찬가지로, 소정의 임계치(H)를 적용하여 상기 임계치(H)를 벗어나는 위치의 좌표를 검출하고, 상기 검출된 위치들을 라인으로 연결함으로써 검사맵(400)을 작성할 수 있을 것이다. 그러나, 3차원 그레이 레벨 프로파일(300)은 도면에 도시한 바와 같이, 상기 셀 영역(110)과 상기 제1 경계 영역(120)에 해당하는 부분이 육안으로도 쉽게 구분이 가능하므로, 상기 임계치(H)를 적용하는 단계를 생략할 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 7에 도시한 상기 3차원 그레이 레벨 프로파일(300) 상에서 높이가 높은 곳은 제1 경계 영역(112)이고, 높이가 낮은 곳은 셀 영역(110)으로서 용이하게 파악할 수 있고, 이미지 정보 상에서 검사맵(400)이 작성될 수 있을 것이다.On the other hand, as shown in Figure 7, in the three-dimensional
상기 검사맵(400)은 결함을 검사하고자 하는 검사 영역에 대한 경계들이 라인으로 표현된 이미지로서, 예를 들어, 셀 영역(110)에 해당하는 검사 영역(411)과, 상기 각 검사 영역(411)을 구분하는 제2 경계 영역(412)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 검사맵(400) 상에서 선택된 영역이 검사 영역으로 설정될 수 있고, 상기 설정된 검사 영역에 대해 후속하는 검사 공정을 수행한다.The
한편, 상술한 실시예들에서는 검사 영역을 설정하기 위한 검사맵(400)을 작 성하기 위해서 패턴으로부터 이미지 정보를 획득하고, 상기 이미지로부터 그레이 레벨 프로파일을 작성하여 상기 그레이 레베 프로파일 상에서 셀 영역(110)과 제1 경계 영역(112) 등 검사 영역에 대한 좌표 정보를 획득하였다. 그러나, 패턴에 대한 설계 데이터(25)가 주어진 경우(S11), 상기 설계 데이터(25)로부터 예비 검사 영역에 대한 셀 영역(110) 및 제1 경계 영역(112)에 대한 경계 좌표를 획득할 수 있을 것이다(S12). 따라서, 상기 설계 데이터(25)로부터 획득한 경계 좌표를 이용하여 바로 검사맵(400)을 작성할 수 있으며(S13), 상기 작성된 검사맵(400) 상에서 선택된 영역에 대해 후속하는 검사 공정이 수행될 수 있을 것이다.Meanwhile, in the above-described embodiments, image information is obtained from a pattern to create an
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 영역 설정 방법은, 결함 검사를 위한 검사 영역을 쉽게 설정할 수 있으며, 검사 영역을 정확하게 설정함으로써 결함 검사의 정확성을 향상시킬 수 있다. 또한, 검사 장치에서 검사 영역이 자동으로 설정될 수 있으므로, 검사 영역이 언제나 균일한 정확도로 설정될 수 있으며, 검사 영역을 설정하는 데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.As described above, the inspection region setting method according to the preferred embodiment of the present invention can easily set the inspection region for defect inspection, and improve the accuracy of defect inspection by setting the inspection region accurately. In addition, since the inspection region can be automatically set in the inspection apparatus, the inspection region can be always set with uniform accuracy, and the time required for setting the inspection region can be shortened.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060134386A KR20080060396A (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method of setting an inspection area |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060134386A KR20080060396A (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method of setting an inspection area |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080060396A true KR20080060396A (en) | 2008-07-02 |
Family
ID=39812925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060134386A KR20080060396A (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method of setting an inspection area |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080060396A (en) |
-
2006
- 2006-12-27 KR KR1020060134386A patent/KR20080060396A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |