KR102583036B1 - Method of inspecting a substrate - Google Patents

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KR102583036B1 KR1020150148712A KR20150148712A KR102583036B1 KR 102583036 B1 KR102583036 B1 KR 102583036B1 KR 1020150148712 A KR1020150148712 A KR 1020150148712A KR 20150148712 A KR20150148712 A KR 20150148712A KR 102583036 B1 KR102583036 B1 KR 102583036B1
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Abstract

기판 검사 방법이 개시된다. 상기 방법은, 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 검사 이미지를 획득하는 단계와, 기준 이미지와 검사 이미지를 비교하여 적어도 하나의 결함 후보 영역을 검출하는 단계와, 상기 결함 후보 영역의 일부를 포함하는 분석 영역에 대하여 표준 편차를 산출하는 단계와, 상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교하여 상기 결함 후보 영역이 결함인지 아닌지를 판단하는 단계를 포함한다.A substrate inspection method is disclosed. The method includes obtaining an inspection image from a substrate on which circuit patterns are formed, detecting at least one defect candidate area by comparing a reference image and an inspection image, and analyzing an analysis area including a portion of the defect candidate area. It includes calculating a standard deviation and comparing the standard deviation with a preset value to determine whether the defect candidate area is a defect.

Description

기판 검사 방법{Method of inspecting a substrate}Method of inspecting a substrate}

본 발명의 실시예들은 기판 검사 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 회로 패턴들이 형성된 기판 상의 결함들을 검출하기 위한 기판 검사 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method of inspecting a substrate. More specifically, it relates to a substrate inspection method for detecting defects on a substrate on which circuit patterns are formed.

일반적으로, 반도체 웨이퍼, 유리기판, 인쇄회로기판 등과 같이 회로 패턴들이 형성된 기판에 대한 검사 공정은 상기 기판으로부터 오픈, 쇼트, 스크레치, 이물질, 등과 같은 결함들을 검출하기 위해 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판으로부터 획득된 검사 이미지는 기준 이미지와 비교될 수 있으며, 이를 통해 상기 기판 상의 결함들이 검출될 수 있다.In general, an inspection process for a substrate on which circuit patterns are formed, such as a semiconductor wafer, glass substrate, printed circuit board, etc., may be performed to detect defects such as opens, shorts, scratches, foreign substances, etc. from the substrate. For example, an inspection image obtained from the substrate can be compared to a reference image, through which defects on the substrate can be detected.

상기 기준 이미지는 상기 기판으로부터 획득될 수도 있으며, 이와 다르게 상기 회로 패턴들의 설계 데이터를 이용하여 마련될 수도 있다. 상기 결함들은 상기 검사 이미지와 상기 기준 이미지의 픽셀들 사이의 그레이 레벨 차이를 통해 검출될 수 있다.The reference image may be obtained from the substrate, or alternatively, may be prepared using design data of the circuit patterns. The defects may be detected through gray level differences between pixels of the inspection image and the reference image.

그러나, 상기 결함들과 상기 기판의 백그라운드 이미지 사이의 그레이 레벨 차이가 상대적으로 작은 한도성 결함들의 경우 상기와 같이 검사 이미지와 기준 이미지의 비교만으로는 검출이 매우 어려운 문제점이 있다. 예를 들면, 상기 결함들과 상기 기판의 백그라운드 이미지 사이의 그레이 레벨 차이가 대략 10 이하인 경우 정상 영역들이 결함들로서 검출되는 문제점이 있다.However, in the case of marginal defects in which the gray level difference between the defects and the background image of the substrate is relatively small, detection is very difficult only by comparing the inspection image and the reference image as described above. For example, when the gray level difference between the defects and the background image of the substrate is approximately 10 or less, there is a problem in that normal areas are detected as defects.

대한민국 공개특허공보 제10-2006-0128277호 (2006.12.14)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0128277 (December 14, 2006) 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0020437호 (2011.03.03)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0020437 (2011.03.03)

본 발명의 실시예들은 기판 상의 결함들과 상기 기판의 백그라운드 이미지 사이의 그레이 레벨 차이가 상대적으로 작은 한도성 결함들을 용이하게 검출할 수 있는 기판 검사 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The purpose of embodiments of the present invention is to provide a substrate inspection method that can easily detect limited defects in which the gray level difference between defects on a substrate and a background image of the substrate is relatively small.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 기판 검사 방법은, 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 검사 이미지를 획득하는 단계와, 기준 이미지와 검사 이미지를 비교하여 적어도 하나의 결함 후보 영역을 검출하는 단계와, 상기 결함 후보 영역의 일부를 포함하는 분석 영역에 대하여 표준 편차를 산출하는 단계와, 상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교하여 상기 결함 후보 영역이 결함인지 아닌지를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate inspection method according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes obtaining an inspection image from a substrate on which circuit patterns are formed, and detecting at least one defect candidate area by comparing the reference image and the inspection image. It may include calculating a standard deviation for an analysis area including a portion of the defect candidate area, and comparing the standard deviation with a preset value to determine whether the defect candidate area is a defect. .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 결함 후보 영역을 검출하는 단계는, 기 설정된 임계값을 이용하여 상기 검사 이미지로부터 이진 이미지를 획득하는 단계와, 상기 이진 이미지를 상기 기준 이미지와 비교하여 상기 결함 후보 영역을 검출하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, detecting the defect candidate area includes obtaining a binary image from the inspection image using a preset threshold, and comparing the binary image with the reference image to determine the defect. It may include detecting a candidate region.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 분석 영역은 상기 결함 후보 영역의 윤곽선의 일부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the analysis area may include a portion of the outline of the defect candidate area.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 표준 편차를 산출하는 단계는, 상기 결함 후보 영역의 윤곽선을 검출하는 단계와, 상기 윤곽선 상의 특징점들을 검출하는 단계와, 상기 특징점들 중에서 선택된 하나를 포함하도록 상기 분석 영역을 지정하는 단계와, 상기 분석 영역의 픽셀들이 갖는 그레이 레벨들에 대하여 상기 표준 편차를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, calculating the standard deviation includes detecting an outline of the defect candidate area, detecting feature points on the outline, and selecting one of the feature points. It may include designating an analysis area and calculating the standard deviation for the gray levels of pixels in the analysis area.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 선택된 특징점은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 상기 결함 후보 영역의 최외측에 위치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the selected feature point may be located at the outermost part of the defect candidate area in the X-axis direction or the Y-axis direction.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 분석 영역은 상기 회로 패턴들 중 상기 선택된 특징점이 속해있는 회로 패턴의 일부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the analysis area may include a portion of a circuit pattern to which the selected feature point among the circuit patterns belongs.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기판 검사 방법은, 상기 선택된 특징점을 포함하도록 관심 영역을 지정하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 관심 영역 내의 회로 패턴들 중 상기 선택된 특징점이 속해있는 회로 패턴의 적어도 일부가 상기 분석 영역으로 지정될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the substrate inspection method may further include designating a region of interest to include the selected feature point, and a circuit pattern to which the selected feature point belongs among circuit patterns in the region of interest. At least a portion of may be designated as the analysis area.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 기판 검사 방법은, 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 검사 이미지를 획득하는 단계와, 기 설정된 임계값을 이용하여 상기 검사 이미지로부터 제1 이진 이미지를 획득하는 단계와, 상기 제1 이진 이미지를 기준 이미지와 비교하여 적어도 하나의 결함 후보 영역을 포함하는 제2 이진 이미지를 획득하는 단계와, 상기 제2 이진 이미지의 결함 후보 영역의 적어도 일부와 대응하도록 상기 검사 이미지에서 분석 영역을 지정하는 단계와, 상기 분석 영역의 픽셀들이 갖는 그레이 레벨들에 대하여 표준 편차를 산출하는 단계와, 상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교하여 상기 결함 후보 영역이 결함인지 아닌지를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate inspection method according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes obtaining an inspection image from a substrate on which circuit patterns are formed, and obtaining a first binary image from the inspection image using a preset threshold. Comparing the first binary image with a reference image to obtain a second binary image including at least one defect candidate area, the inspection to correspond to at least a portion of the defect candidate area of the second binary image Specifying an analysis area in an image, calculating a standard deviation for the gray levels of pixels in the analysis area, and comparing the standard deviation with a preset value to determine whether the defect candidate area is a defect. It may include steps.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기준 이미지는 상기 회로 패턴들의 설계 데이터를 이용하여 마련될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the reference image may be prepared using design data of the circuit patterns.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 결함 후보 영역의 일부는 상기 결함 후보 영역의 윤곽선의 일부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a part of the defect candidate area may include a part of the outline of the defect candidate area.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 분석 영역을 지정하는 단계는, 상기 결함 후보 영역의 윤곽선을 검출하는 단계와, 상기 윤곽선 상의 특징점들을 검출하는 단계와, 상기 특징점들 중에서 선택된 하나를 포함하도록 관심 영역을 지정하는 단계와, 상기 제2 이진 이미지의 상기 관심 영역과 대응하는 상기 검사 이미지의 일부 영역 내에서 상기 선택된 특징점과 대응하는 지점을 포함하도록 상기 분석 영역을 지정하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the step of designating the analysis area includes detecting a contour of the defect candidate area, detecting feature points on the outline, and selecting one of the feature points of interest. It may include designating an area and designating the analysis area to include a point corresponding to the selected feature point within a partial area of the inspection image corresponding to the area of interest of the second binary image.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 선택된 특징점은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 상기 결함 후보 영역의 최외측에 위치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the selected feature point may be located at the outermost part of the defect candidate area in the X-axis direction or the Y-axis direction.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 분석 영역은 상기 회로 패턴들 중 상기 지점이 속해있는 회로 패턴의 적어도 일부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the analysis area may include at least a portion of the circuit pattern to which the point belongs among the circuit patterns.

본 발명의 실시예들에 따르면, 복수의 결함 후보 영역들이 검출되는 경우 기 설정된 크기보다 작은 결함 후보 영역을 제거하는 단계가 더 수행될 수 있으며, 이 경우 상기 상대적으로 작은 크기를 갖는 결함 후보 영역을 제거하기 이전 및 이후에, 상기 검출된 결함 후보 영역들에 대하여 번호를 부여하는 단계와, 상기 검출된 결함 후보 영역들 중 나머지 결함 후보 영역들에 대하여 번호를 부여하는 단계가 각각 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, when a plurality of defect candidate areas are detected, a step of removing defect candidate areas smaller than a preset size may be further performed, and in this case, the defect candidate area having a relatively small size may be further performed. Before and after removal, a step of assigning numbers to the detected defect candidate areas and a step of assigning numbers to the remaining defect candidate regions among the detected defect candidate regions may be further performed, respectively. .

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 획득된 검사 이미지는 기준 이미지와 비교될 수 있으며, 이에 의해 적어도 하나의 결함 후보 영역이 검출될 수 있다. 상기 검사 이미지의 결함 후보 영역의 일부와 그에 인접하는 회로 패턴의 일부를 분석 영역으로 지정하고, 상기 분석 영역의 표준 편차를 산출할 수 있으며, 상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교함으로써 상기 결함 후보 영역이 결함인지 아닌지를 판단할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, an inspection image obtained from a substrate on which circuit patterns are formed may be compared with a reference image, and thereby at least one defect candidate area may be detected. A part of the defect candidate area of the inspection image and a part of the circuit pattern adjacent thereto may be designated as an analysis area, a standard deviation of the analysis area may be calculated, and the standard deviation may be compared with a preset value to determine the defect candidate area. You can determine whether this is a defect or not.

상기와 같이 결함 후보 영역의 일부와 그에 인접하는 회로 패턴의 일부를 포함하는 상기 분석 영역의 표준 편차를 산출함으로써 상기 분석 영역의 그레이 레벨 산포도를 확인할 수 있으며, 이를 통해 상기 결함 후보 영역에 대한 결함 판정이 이루어지므로, 상기 기판 상의 결함들이 보다 용이하고 또한 정확하게 검출될 수 있다. 결과적으로, 상기 기판 상의 결함들에 대한 검사 공정에서 그 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.As described above, the gray level scatter diagram of the analysis area can be confirmed by calculating the standard deviation of the analysis area including a part of the defect candidate area and a part of the circuit pattern adjacent thereto, and through this, a defect is determined for the defect candidate area. Because this is achieved, defects on the substrate can be detected more easily and accurately. As a result, reliability in the inspection process for defects on the substrate can be greatly improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 결함 후보 영역을 검출하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 1에 도시된 분석 영역을 지정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 획득된 검사 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 도 4에 도시된 검사 이미지로부터 획득된 제1 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 6은 기준 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 7은 결함 후보 영역들을 포함하는 제2 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 8은 도 7에 도시된 결함 후보 영역들에 번호가 부여된 상태를 설명하기 위한 개략도이다.
도 9는 상대적으로 작은 크기의 결함 후보 영역들이 제거된 상태의 제2 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 10은 나머지 결함 후보 영역들에 번호가 부여된 상태를 설명하기 위한 개략도이다.
도 11은 결함 후보 영역의 윤곽선 및 특징점들을 설명하기 위한 개략도이다.
도 12는 도 11에 도시된 특징점들 중에서 선택된 특징점을 설명하기 위한 개략도이다.
도 13은 도 12에서 선택된 특징점을 포함하는 관심 영역을 설명하기 위한 개략도이다.
도 14 및 도 15는 검사 이미지에서 지정된 분석 영역을 설명하기 위한 개략도들이다.
1 is a flowchart for explaining a substrate inspection method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart for explaining the step of detecting the defect candidate area shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a flowchart for explaining the steps of designating an analysis area shown in FIG. 1.
Figure 4 is a schematic diagram illustrating an inspection image obtained from a substrate on which circuit patterns are formed.
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a first binary image obtained from the inspection image shown in FIG. 4.
Figure 6 is a schematic diagram for explaining a reference image.
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a second binary image including defect candidate areas.
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating numbers assigned to the defect candidate areas shown in FIG. 7 .
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a second binary image in which relatively small defect candidate areas have been removed.
Figure 10 is a schematic diagram to explain the state in which numbers are assigned to the remaining defect candidate areas.
Figure 11 is a schematic diagram for explaining the outline and feature points of a defect candidate area.
FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a feature point selected from among the feature points shown in FIG. 11.
FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a region of interest including a feature point selected in FIG. 12.
Figures 14 and 15 are schematic diagrams for explaining the analysis area designated in the inspection image.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed between them. It could be. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms. won't

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are merely used for the purpose of describing specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Additionally, unless otherwise limited, all terms, including technical and scientific terms, have the same meaning that can be understood by a person skilled in the art. The above terms, as defined in common dictionaries, will be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the invention, and unless explicitly defined, ideally or excessively by superficial intuition. It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, for example changes in manufacturing methods and/or tolerances, are fully to be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not intended to be described as limited to the specific shapes of the regions illustrated but are intended to include deviations in the shapes, and the elements depicted in the drawings are entirely schematic and represent their shapes. is not intended to describe the exact shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 도 1에 도시된 결함 후보 영역을 검출하는 단계를 설명하기 위한 순서도이며, 도 3은 도 1에 도시된 분석 영역을 지정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.FIG. 1 is a flowchart for explaining a substrate inspection method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart for explaining steps for detecting a defect candidate area shown in FIG. 1 , and FIG. 3 is shown in FIG. 1 This is a flowchart to explain the steps for specifying an analysis area.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은 회로 패턴들이 형성된 반도체 웨이퍼, 디스플레이 기판, 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상의 오픈, 쇼트, 스크레치, 이물질 등과 같은 결함들을 검출하기 위해 사용될 수 있다.The substrate inspection method according to an embodiment of the present invention can be used to detect defects such as opens, shorts, scratches, foreign substances, etc. on substrates such as semiconductor wafers, display substrates, printed circuit boards, etc. on which circuit patterns are formed.

도 4는 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 획득된 검사 이미지를 설명하기 위한 개략도이고, 도 5는 도 4에 도시된 검사 이미지로부터 획득된 제1 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이며, 도 6은 기준 이미지를 설명하기 위한 개략도이다.FIG. 4 is a schematic diagram for explaining an inspection image obtained from a substrate on which circuit patterns are formed, FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a first binary image obtained from the inspection image shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a reference image. This is a schematic diagram for explanation.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 먼저 S100 단계에서 상기 기판으로부터 도 4에 도시된 바와 같은 검사 이미지(10)를 획득한다. 상기 검사 이미지(10)는 상기 기판의 상부에 배치된 검사 카메라를 이용하여 획득될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 6, first, in step S100, an inspection image 10 as shown in FIG. 4 is obtained from the substrate. The inspection image 10 may be acquired using an inspection camera placed on top of the substrate.

상기 검사 이미지(10)는 S110 단계에서 도 6에 도시된 바와 같은 기준 이미지(20)와 비교될 수 있으며 이를 통해 적어도 하나의 결함 후보 영역을 검출할 수 있다.The inspection image 10 may be compared with the reference image 20 as shown in FIG. 6 in step S110, and through this, at least one defect candidate area may be detected.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 결함 후보 영역은 상기 검사 이미지(10)의 이진화 처리를 통해 검출될 수 있다. 도 2를 참조하면, S112 단계에서 기 설정된 임계값을 이용하여 상기 검사 이미지(10)를 이진화 처리할 수 있으며 이를 통해 도 5에 도시된 바와 같은 제1 이진 이미지(12)를 획득할 수 있다. 이때, 상기 임계값은 상기 기판 상의 결함들이 누락되지 않도록 충분한 여유를 갖도록 설정되는 것이 바람직하다.According to one embodiment of the present invention, the defect candidate area may be detected through binarization processing of the inspection image 10. Referring to FIG. 2, the inspection image 10 can be binarized using a preset threshold in step S112, and through this, the first binary image 12 as shown in FIG. 5 can be obtained. At this time, the threshold value is preferably set to have sufficient margin to prevent defects on the substrate from being missed.

상기 제1 이진 이미지(12)는 S114 단계에서 기준 이미지(20)와 비교될 수 있으며 이를 통해 적어도 하나의 결함 후보 영역을 포함하는 제2 이진 이미지(14)가 획득될 수 있다. 특히, 상기 S112 단계에서 상기 임계값이 충분한 여유를 갖도록 설정된 상태이므로 상기 S114 단계에서 상기 기판 상에 실제로 존재하는 결함들보다 많은 개수의 결함 후보 영역들이 검출될 수 있다. 이어서, S115 단계에서 상기 검출된 결함 후보 영역들에 번호를 부여하는 블랍 라벨링(Blob Labeling) 작업이 수행될 수 있다.The first binary image 12 may be compared with the reference image 20 in step S114, and through this, a second binary image 14 including at least one defect candidate area may be obtained. In particular, since the threshold is set to have sufficient margin in step S112, more defect candidate areas than defects actually existing on the substrate may be detected in step S114. Subsequently, a blob labeling operation that assigns numbers to the detected defect candidate areas may be performed in step S115.

도 7은 결함 후보 영역들을 포함하는 제2 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이며, 도 8은 도 7에 도시된 결함 후보 영역들에 번호가 부여된 상태를 설명하기 위한 개략도이다.FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a second binary image including defect candidate areas, and FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a state in which numbers are assigned to the defect candidate regions shown in FIG. 7 .

한편, 상기 기준 이미지(20)는 상기 회로 패턴들의 설계 데이터를 이용하여 미리 마련될 수 있다.Meanwhile, the reference image 20 may be prepared in advance using design data of the circuit patterns.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기와 같이 복수의 결함 후보 영역들이 검출되는 경우 검사 시간을 단축하기 위하여 상대적으로 작은 크기를 갖는 결함 후보 영역들을 제거할 수 있다. 예를 들면, S117 단계에서 기 설정된 크기보다 작은 결함 후보 영역들이 제거될 수 있으며, S118 단계에서 나머지 결함 후보 영역들에 새로이 번호가 부여될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when a plurality of defect candidate areas are detected as described above, the defect candidate areas having a relatively small size can be removed to shorten the inspection time. For example, defect candidate areas smaller than the preset size may be removed in step S117, and new numbers may be assigned to the remaining defect candidate areas in step S118.

도 9는 상대적으로 작은 크기의 결함 후보 영역들이 제거된 상태의 제2 이진 이미지를 설명하기 위한 개략도이며, 도 10은 나머지 결함 후보 영역들에 번호가 부여된 상태를 설명하기 위한 개략도이다.FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a second binary image in which relatively small-sized defect candidate regions have been removed, and FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a state in which numbers are assigned to the remaining defect candidate regions.

상기와 같이 결함 후보 영역이 검출된 후 상기 결함 후보 영역의 일부를 포함하는 분석 영역에 대하여 표준 편차를 검출할 수 있다. 이때, 상기 분석 영역은 상기 결함 후보 영역의 윤곽선의 일부를 포함할 수 있다.After the defect candidate area is detected as described above, the standard deviation can be detected for the analysis area including a part of the defect candidate area. At this time, the analysis area may include a portion of the outline of the defect candidate area.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, S120 단계에서 상기 제2 이진 이미지(14)의 결함 후보 영역의 적어도 일부와 대응하도록 상기 검사 이미지(10)에서 분석 영역을 지정하고, S130 단계에서 상기 분석 영역의 픽셀들이 갖는 그레이 레벨들에 대하여 표준 편차를 산출할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, in step S120, an analysis area is designated in the inspection image 10 to correspond to at least a portion of the defect candidate area of the second binary image 14, and , In step S130, the standard deviation can be calculated for the gray levels of the pixels in the analysis area.

도 11은 결함 후보 영역의 윤곽선 및 특징점들을 설명하기 위한 개략도이고, 도 12는 도 11에 도시된 특징점들 중에서 선택된 특징점을 설명하기 위한 개략도이고, 도 13은 도 12에서 선택된 특징점을 포함하는 관심 영역을 설명하기 위한 개략도이고, 도 14 및 도 15는 검사 이미지에서 지정된 분석 영역을 설명하기 위한 개략도들이다.FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the outline and feature points of a defect candidate area, FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a feature point selected from among the feature points shown in FIG. 11, and FIG. 13 is a region of interest including the feature point selected in FIG. 12. This is a schematic diagram for explaining, and FIGS. 14 and 15 are schematic diagrams for explaining the analysis area designated in the inspection image.

도 3 그리고 도 11 내지 14를 참조하면, S122 단계에서 상기 결함 후보 영역(30)의 윤곽선을 검출할 수 있으며, S124 단계에서 상기 윤곽선 상의 특징점들을 검출할 수 있다.Referring to Figure 3 and Figures 11 to 14, the outline of the defect candidate area 30 can be detected in step S122, and feature points on the outline can be detected in step S124.

이어서, S126 단계에서 상기 특징점들 중에서 선택된 하나(32)를 포함하도록 관심 영역(34)을 지정할 수 있다. 이때, 상기 선택된 특징점(32)은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 상기 결함 후보 영역(30)의 최외측에 위치될 수 있다. 한편, 도 13에 도시된 바와 같이 두 개의 관심 영역들(34)이 지정될 수도 있으며, 이 경우 각각의 관심 영역들(34)에 포함된 특징점들은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 서로 반대 방향에 위치될 수 있다.Subsequently, in step S126, the region of interest 34 may be designated to include one 32 selected from among the feature points. At this time, the selected feature point 32 may be located at the outermost part of the defect candidate area 30 in the X-axis direction or the Y-axis direction. Meanwhile, as shown in FIG. 13, two regions of interest 34 may be designated, in which case the feature points included in each region of interest 34 are located in opposite directions in the X-axis direction or the Y-axis direction. can be located

계속해서, S128 단계에서 상기 제2 이진 이미지(14)의 상기 관심 영역(34)에 대응하는 상기 검사 이미지(10)의 일부 영역 내에서 상기 선택된 특징점(32)과 대응하는 지점을 포함하도록 분석 영역(42)이 지정될 수 있다.Subsequently, in step S128, the analysis area includes a point corresponding to the selected feature point 32 within a partial region of the inspection image 10 corresponding to the region of interest 34 of the second binary image 14. (42) can be specified.

상기 분석 영역(42)은 상기 회로 패턴들 중 상기 선택된 특징점과 대응하는 상기 지점이 속해있는 회로 패턴(50)의 일부를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 관심 영역(34) 내에 위치된 회로 패턴들 중에서 상기 선택된 특징점(32)과 대응하는 상기 지점이 속해 있는 회로 패턴(50)이 상기 분석 영역(42)으로 지정될 수 있다. 결과적으로, 상기 제2 이진 이미지(14)의 결함 후보 영역(30)에 대응하는 상기 검사 이미지의 결함 후보 영역(40)의 일부와 그에 인접하는 회로 패턴(50)의 일부가 상기 분석 영역(42)으로 지정될 수 있다.The analysis area 42 may include a portion of the circuit pattern 50 to which the point corresponding to the selected feature point among the circuit patterns belongs. For example, among the circuit patterns located within the region of interest 34, the circuit pattern 50 to which the point corresponding to the selected feature point 32 belongs may be designated as the analysis region 42. As a result, a part of the defect candidate area 40 of the inspection image corresponding to the defect candidate area 30 of the second binary image 14 and a part of the circuit pattern 50 adjacent thereto are in the analysis area 42. ) can be specified.

상기와 다르게, 상기 분석 영역(42) 내에 복수의 회로 패턴들이 포함되는 경우, 상기 회로 패턴들이 갖는 그레이 레벨들의 차이에 의해 상기 분석 영역(42)의 표준 편차가 상대적으로 크게 산출될 수 있으며, 이에 의해 후속하는 결함 판정에서 오류가 발생될 수 있다.Unlike the above, when a plurality of circuit patterns are included in the analysis area 42, the standard deviation of the analysis area 42 can be calculated to be relatively large due to differences in gray levels of the circuit patterns, and thus Errors may occur in subsequent defect determination.

다시 도 1을 참조하면, S140 단계에서 상기 산출된 표준 편차를 기 설정된 값과 비교하여 상기 결함 후보 영역(40)이 결함인지 아닌지를 판단할 수 있다. 상기 분석 영역(42)은 상기 결함 후보 영역(40)의 일부와 상기 특징점(32)이 속해있는 회로 패턴(50)의 일부를 포함할 수 있으며, 상기 결함 후보 영역(42)과 상기 회로 패턴(50)의 그레이 레벨 차이에 의해 상기 표준 편차가 변화될 수 있다.Referring again to FIG. 1, in step S140, it is possible to determine whether the defect candidate area 40 is a defect by comparing the calculated standard deviation with a preset value. The analysis area 42 may include a part of the defect candidate area 40 and a part of the circuit pattern 50 to which the feature point 32 belongs, and the defect candidate area 42 and the circuit pattern ( The standard deviation may be changed by the difference in gray level of 50).

따라서, 상기 표준 편차가 상기 기 설정된 값보다 크게 산출되는 경우 상기 결함 후보 영역(40)과 상기 회로 패턴(50) 사이의 그레이 레벨 차이가 상대적으로 큰 것을 의미하므로 상기 결함 후보 영역(40)은 결함으로 판단될 수 있다. 이와 반대로, 상기 표준 편차가 상기 기 설정된 값보다 작게 산출되는 경우 상기 결함 후보 영역(40)과 상기 회로 패턴(50) 사이의 그레이 레벨 차이가 상대적으로 작은 것을 의미하므로 상기 결함 후보 영역(40)은 결함이 아닌 것으로 판단될 수 있다.Therefore, if the standard deviation is calculated to be greater than the preset value, it means that the gray level difference between the defect candidate area 40 and the circuit pattern 50 is relatively large, and therefore the defect candidate area 40 is a defect. It can be judged as On the contrary, if the standard deviation is calculated to be smaller than the preset value, it means that the gray level difference between the defect candidate area 40 and the circuit pattern 50 is relatively small, so the defect candidate area 40 is It may be judged not to be a defect.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 획득된 검사 이미지(10)는 기준 이미지(20)와 비교될 수 있으며, 이에 의해 적어도 하나의 결함 후보 영역이 검출될 수 있다. 상기 검사 이미지(10)의 결함 후보 영역(40)의 일부와 그에 인접하는 회로 패턴(50)의 일부를 분석 영역(42)으로 지정하고, 상기 분석 영역(42)의 표준 편차를 산출할 수 있으며, 상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교함으로써 상기 결함 후보 영역(40)이 결함인지 아닌지를 판단할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the inspection image 10 obtained from the substrate on which the circuit patterns are formed can be compared with the reference image 20, and thereby at least one defect candidate area can be detected. there is. A part of the defect candidate area 40 of the inspection image 10 and a part of the circuit pattern 50 adjacent thereto are designated as the analysis area 42, and the standard deviation of the analysis area 42 can be calculated. , it is possible to determine whether the defect candidate area 40 is a defect by comparing the standard deviation with a preset value.

상기와 같이 결함 후보 영역(40)의 일부와 그에 인접하는 회로 패턴(50)의 일부를 포함하는 상기 분석 영역(42)의 표준 편차를 산출함으로써 상기 분석 영역(42)의 그레이 레벨 산포도를 확인할 수 있으며, 이를 통해 상기 결함 후보 영역(40)에 대한 결함 판정이 이루어지므로, 상기 기판 상의 결함들이 보다 용이하고 또한 정확하게 검출될 수 있다. 결과적으로, 상기 기판 상의 결함들에 대한 검사 공정에서 그 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.As described above, the gray level scatter diagram of the analysis area 42 can be confirmed by calculating the standard deviation of the analysis area 42 including a part of the defect candidate area 40 and a part of the circuit pattern 50 adjacent thereto. Through this, defect determination is made for the defect candidate area 40, so defects on the substrate can be detected more easily and accurately. As a result, reliability in the inspection process for defects on the substrate can be greatly improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will be able to understand that it exists.

10 : 검사 이미지
12 : 제1 이진 이미지
14 : 제2 이진 이미지
20 : 기준 이미지
30 : 제2 이진 이미지의 결함 후보 영역
32 : 특징점
34 : 관심 영역
40 : 검사 이미지의 결함 후보 영역
42 : 분석 영역
50 : 분석 영역에 인접하는 회로 패턴
10: Inspection image
12: first binary image
14: second binary image
20: Reference image
30: Defect candidate area of the second binary image
32: Feature point
34: Area of interest
40: Defect candidate area of inspection image
42: analysis area
50: Circuit pattern adjacent to analysis area

Claims (17)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 회로 패턴들이 형성된 기판으로부터 검사 이미지를 획득하는 단계;
기 설정된 임계값을 이용하여 상기 검사 이미지로부터 제1 이진 이미지를 획득하는 단계;
상기 제1 이진 이미지를 기준 이미지와 비교하여 적어도 하나의 결함 후보 영역을 포함하는 제2 이진 이미지를 획득하는 단계;
상기 제2 이진 이미지의 결함 후보 영역의 적어도 일부와 대응하도록 상기 검사 이미지에서 분석 영역을 지정하는 단계;
상기 분석 영역의 픽셀들이 갖는 그레이 레벨들에 대하여 표준 편차를 산출하는 단계; 및
상기 표준 편차를 기 설정된 값과 비교하여 상기 결함 후보 영역이 결함인지 아닌지를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
Obtaining an inspection image from a substrate on which circuit patterns are formed;
Obtaining a first binary image from the inspection image using a preset threshold;
Comparing the first binary image with a reference image to obtain a second binary image including at least one defect candidate area;
designating an analysis area in the inspection image to correspond to at least a portion of a defect candidate area of the second binary image;
calculating a standard deviation for the gray levels of pixels in the analysis area; and
A substrate inspection method comprising comparing the standard deviation with a preset value to determine whether the defect candidate area is a defect.
제8항에 있어서, 상기 기준 이미지는 상기 회로 패턴들의 설계 데이터를 이용하여 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 8, wherein the reference image is prepared using design data of the circuit patterns. 제8항에 있어서, 상기 결함 후보 영역의 일부는 상기 결함 후보 영역의 윤곽선의 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 8, wherein a portion of the defect candidate region includes a portion of an outline of the defect candidate region. 제8항에 있어서, 상기 분석 영역을 지정하는 단계는,
상기 결함 후보 영역의 윤곽선을 검출하는 단계;
상기 윤곽선 상의 특징점들을 검출하는 단계;
상기 특징점들 중에서 선택된 하나를 포함하도록 관심 영역을 지정하는 단계; 및
상기 제2 이진 이미지의 상기 관심 영역과 대응하는 상기 검사 이미지의 일부 영역 내에서 상기 선택된 특징점과 대응하는 지점을 포함하도록 상기 분석 영역을 지정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
The method of claim 8, wherein the step of designating the analysis area includes:
detecting an outline of the defect candidate area;
detecting feature points on the outline;
designating a region of interest to include one selected from the feature points; and
Specifying the analysis area to include a point corresponding to the selected feature point within a partial area of the inspection image corresponding to the region of interest in the second binary image.
제11항에 있어서, 상기 선택된 특징점은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 상기 결함 후보 영역의 최외측에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 11, wherein the selected feature point is located at the outermost part of the defect candidate area in the X-axis direction or the Y-axis direction. 제11항에 있어서, 상기 분석 영역은 상기 회로 패턴들 중 상기 지점이 속해있는 회로 패턴의 적어도 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 11, wherein the analysis area includes at least a portion of a circuit pattern among the circuit patterns to which the point belongs. 제8항에 있어서, 복수의 결함 후보 영역들이 검출되는 경우 기 설정된 크기보다 작은 결함 후보 영역을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 8, further comprising removing a defect candidate area smaller than a preset size when a plurality of defect candidate areas are detected. 제14항에 있어서, 상기 검출된 결함 후보 영역들에 대하여 번호를 부여하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 14, further comprising assigning numbers to the detected defect candidate areas. 제14항에 있어서, 상기 검출된 결함 후보 영역들 중 나머지 결함 후보 영역들에 대하여 번호를 부여하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 14, further comprising assigning numbers to the remaining defect candidate areas among the detected defect candidate areas. 제8항에 있어서, 상기 표준 편차가 상기 기 설정된 값보다 큰 경우 상기 결함 후보 영역을 결함으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.The method of claim 8, wherein the defect candidate area is determined to be a defect when the standard deviation is greater than the preset value.
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