KR20080058984A - 필터 칩 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 필터 칩 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 필터 칩 패키지는 상면의 칩 탑재 영역 내/외측에 전극이 형성된 배선 기판; 상기 칩 탑재 영역의 외측에 형성된 그라운드 벽; 상기 칩 탑재 영역에 본딩되는 필터 칩; 상기 필터 칩 하부가 기밀 공간을 유지하도록 상기 필터 칩 둘레를 폐곡선 형태로 에워싸는 수지 댐; 상기 배선 기판 및 필터 칩의 외측에 일정 높이로 몰딩되는 몰드 부재; 상기 몰드 부재의 표면에 형성되며, 상기 그라운드 벽에 전기적으로 연결되는 도금층을 포함한다.
SAW, 패키지, 캐비티, 차폐

Description

필터 칩 패키지 및 그 제조방법{Filter chip package and manufacturing method thereof}
도 1은 종래의 필터 칩 패키지를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지 제조 방법을 나타낸 플로우 챠트.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100 : 필터 칩 패키지 110 : 배선 기판
120 : 필터 칩 112,121 : 전극
116 : 그라운드 벽 122 : 금속 범프
117 : 수지 댐 130 : 몰드 부재
140 : 도금층
본 발명은 필터 칩 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 통신기기에는 외부로부터 입력되는 여러 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지는 감쇄시켜 버리는 역할을 하는 주파수 필터 소자가 구비되며, 통신기기의 핵심부품인 주파수 필터 소자는 고주파화, 소형화, 대역폭이 축소되는 방향으로 발전하고 있는 추세이다.
이러한 주파수 필터 소자는 주파수 대역의 통과 특성에 따라 낮은 주파수만을 통과시키는 로우 패스 필터(Low Pass Filter)와, 높은 주파수만을 통과시키는 하이 패스 필터(High Pass Filter)와, 원하는 주파수대역만 정확하게 골라내어 통과시키는 밴드 패스 필터(Band Pass Filter) 및 이와 반대로 모든 주파수대역은 잘 통과시키면서 특정 대역의 주파수만 통과시키지 않는 형태의 밴드 스톱 필터(Band Stop Filter) 등과 같은 4가지의 종류로 구분된다. 또한, 주파수 필터 소자는 구현형태에 따라 세라믹필터, 유전체필터, 압전효과를 이용한 통신용 필터인 체적 탄성파(Film Bulk Acoustic Resonator :FBAR) 필터 및 압전기판의 기계적 진동을 이용한 통신용 필터인 표면탄성파(Surface Acoustic Wave : SAW)필터, BAW(Bulk Acoustic Wave) 필터 등으로 구분되기도 한다.
이러한 고주파 필터 형태의 부품이 도 1과 같이 패키지 형태로 구현되고 있다.
도 1은 종래 표면탄성파 필터 패키지를 나타낸 단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 표면탄성파 필터 패키지(40)는 배선 기판(10), 필터 칩(20), 금속 리드(30)로 구성된다.
상기 필터 칩(20)은 배선 기판(10)의 캐비티(18) 내에 입출력 전극(21)과 기판(10)이 서로 대향하여 탑재되도록 복수의 금속 범프(22)를 매개로 하여 상기 배선기판(10)에 형성된 비아 홀(14)과 플립 칩 본딩 방식으로 연결되며, 상기 캐비티(18) 내의 필터 칩(20)은 상기 금속 리드(30)에 의해 밀봉된다.
그러나, 종래에는 LTCC(Low temperature co-fired ceramic)와 같은 세라믹 기판에서 외벽(16)을 이용하여 필터 칩 전체가 수용될 수 있는 캐비티(18)를 형성하고, 캐비티(18)를 금속 리드(30)를 이용하여 밀봉해 줌으로써, 패키지(40)의 두께가 두꺼워져 소형화, 박형화에 어려움이 있고, 또한 이를 채용하는 완제품의 부피를 소형화하는데 한계가 있었다.
본 발명은 필터 칩 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명은 필터 칩이 탑재될 영역의 외부 수지 댐을 구비하여, 캐비티의 밀폐 공간을 형성할 수 있도록 한 필터 칩 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명은 유해 전자파의 차폐가 가능한 필터 칩 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의한 필터 칩 패키지는 상면의 칩 탑재 영역 내/외측에 전극이 형성된 배선 기판; 상기 칩 탑재 영역의 외측에 형성된 그라운드 벽; 상기 칩 탑재 영역에 본딩되는 필터 칩; 상기 필터 칩 하부가 기밀 공간을 유지하도록 상기 필터 칩 둘레를 폐곡선 형태로 에워싸는 수지 댐; 상기 배선 기판 및 필터 칩의 외측에 일정 높이로 몰딩되는 몰드 부재; 상기 몰드 부재의 표면에 형성되며, 상기 그라운드 벽에 전기적으로 연결되는 도금층을 포함한다.
본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지 제조방법은, 배선 기판의 칩 탑재 영역 외측에 그라운드 벽을 형성하는 단계; 상기 배선 기판의 칩 탑재 영역에 필터 칩을 본딩하는 단계; 상기 배선 기판과 필터 칩 사이에 밀폐 공간을 형성시켜 주기 위해 상기 필터 칩의 둘레를 폐곡선 형태의 수지 댐으로 형성하는 단계; 상기 배선 기판 및 필터 칩의 외측으로 몰드 부재를 몰딩하는 단계; 상기 칩 탑재 영역 외측에 대해 배선 기판의 상면까지 부분 커팅하는 단계; 상기 몰드 부재의 표면 및 배선 기판의 상면에 도금층을 형성하여, 상기 도금층이 상기 그라운드 벽에 전기적으로 연결되는 단계; 상기 필터 칩 패키지 단위로 커팅하는 단계를 포함한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 필터 칩 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 필터 칩 패키지(100)는 배선 기판(110), 필터 칩(120), 그라운드 벽(116), 수지 댐(117), 몰드 부재(130), 도금층(140)을 포함하여, 상기 배선 기판(110)의 상면에 수지 댐(117)을 이용하여 필터 칩(120)의 캐비티(cavity) 구조를 제공하고, 그라운드 벽(116)에 도금층(140)이 전기적으로 연결되도록 한다.
상기 배선 기판(110)은 HTCC(High temperature cofired ceramic) 혹은 LTCC(Low temperature co-fired ceramic)와 같은 세라믹 기판이나, 실리콘 기판, MCPCB(Metal Core PCB) 또는 일반 PCB 기판 등을 포함한다. 이러한 배선 기판(110) 상에는 사전에 설계된 전극(112)이 비아 홀(Via hole)(114) 또는 쓰루 홀(through hole)을 통해 다른 층 또는 바텀 층을 통해 외부 단자와 연결된다.
상기 배선 기판(110)의 외측 상면에는 그라운드(GND) 벽(116)이 그라운드 전극(113)에 형성되며, 필터 칩(120)의 하부에는 금속 범프(122)가 배선 기판(110)의 전극(112)에 형성된다.
여기서, 상기 그라운드 벽(116)은 패키지 외측 둘레를 따라 형성되어, 그라운드 전극(113) 전체 또는 일부분, 그리고 비아 홀 또는 쑤루 홀을 통해 다른 층과 전기적으로 연결되므로, 기판의 그라운드 단에 전기적인 접지가 이루어진다. 상기 금속 범프(122)는 배선 기판(110)의 전극(112) 및 필터 칩(120)의 입출력 전극(121)에 대응하여 형성된다.
그리고 상기 금속 범프(122) 및 그라운드 벽(116)은 전극(112,113,121)과의 정합이 용이하도록 금(Au)이나 금이 함유된 Au 합금을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 또한 필터 칩(120)에 손상을 주지 않고 열 처리를 할 수 있는 녹는 점(예: 100~150℃)을 갖도록 조성 비율을 설정할 수 있다. 또한 상기 금속 범프(122) 및 그라운드 벽(116)은 AuSn막, Cu증착막, Ti막, Ni막, Au막 중에서 어느 하나를 한 층 이상 포함하여 이루어질 수도 있다.
그리고 상기 금속 범프(122)는 기판 표면과의 공간 확보를 위해 20um 이상의 높이로 형성되며, 상기 그라운드 벽(116)은 배선 기판(110)의 외측 둘레에 최소 50um, 최대 필터 칩 높이의 중간 정도로 형성될 수 있다.
상기 필터 칩(120)의 입출력 전극(121)은 상기 금속 범프(122)에 플립 칩 본딩한다. 여기서, 상기 필터 칩(120)은 SAW(Surface acoustic wave) 필터, BAW(Bulk acoustic wave) 필터, FBAR(Film bulk acoustic resonator) 필터 중 어느 하나로 구현될 수 있으며, 일반적인 SAW 필터는 전기적인 신호가 인가되면 압전 효과에 의한 압전 왜곡이 발생되고, 압전체에 전달되는 표면탄성파가 발생되며, 이를 전기신호로 변환할 때 소정의 주파수 대역의 전기신호만이 필터링된다.
상기 필터 칩(120)이 플립 칩 방식으로 금속 범프(122)에 연결됨으로써, 필터 칩(120)의 입출력 전극(121)은 배선기판(110)의 전극(112)을 통해 외부 단자에 전기적 연결된다.
그리고, 상기 필터 칩(120) 하부에 밀폐된 캐비티(118)를 만들어 주기 위해, 상기 필터 칩(120)의 둘레를 에워싸도록 폐곡선 형태의 수지 댐(117)이 형성된다. 이때 상기 수지 댐(117)은 배선 기판(110)과 필터 칩(120)의 외측 사이에 밀봉되어, 캐비티(118)를 밀폐시켜 준다. 여기서, 상기 수지 댐(117)은 점도(Viscosity)가 높은 에폭시와 같은 수지 재질을 이용할 수 있다.
그리고, 배선기판(110)의 상면, 필터 칩(120)의 외측, 그리고 수지 댐(117)의 외부에는 몰드 부재(130)가 일정 높이로 몰딩된다. 상기 몰드 부재(130)는 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌옥사이드(Poly Phenylene Oxide), 에폭시 시트 몰딩(ESM), 실리콘 등 중에서 하나로 구현될 수 있다. 이러한 몰드 부재(130)는 배선 기판(110) 상에 필터 칩(120) 보다 일정 높이로 몰딩된다.
또한 상기 몰드 부재(130)의 표면에는 전자 차폐용 표면 도금층(140)이 형성될 수도 있다. 이러한 도금층(140)은 내부로 유입되거나 외부로 방출되는 유해한 전자파를 차단해 주게 된다.
여기서, 도금층(140)은 스퍼터링(sputtering) 방식, 증착(evaporating)하는 방식, 전해 또는 무 전해 도금 등을 이용할 수 있으며, 몰드부재(130)와의 접합성, 도금체의 견고성을 고려하여 한 층 이상의 금속층으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 몰드부재(130)의 표면부터 Cu, Ti, Ni, Au, 도전성을 갖는 재료 등 중에서 어느 하나의 재료 또는 이들의 혼합된 재료를 이용하여 한 층 이상으로 적층할 수 있다. 예를 들면, 도금층(140)은 몰드부재(130)의 표면부터 Cu층/Ni층/Au층의 순서로 일정 두께씩 적층될 수 있다.
이때 상기 도금층(140)의 끝단이 그라운드 벽(116)에 전기적으로 연결됨으로써, 상기 도금층(140)의 전기적인 접지로 인해 패키지의 EMI/EMC 현상을 차단하게 된다.
한편, 도 3의 (a)~(g)는 본 발명 실시 예에 따른 필터 패키지 제조 공정을 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명 실시 예에 따른 필터 패키지 제조방법을 나타낸 플로우 챠트이다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 배선 기판(110) 위에는 그라운드(GND) 벽(116)이 형성된다(S101). 상기 그라운드 벽(116)은 칩 탑재 영역(A)의 외측에 형성된 배선 기판(110)의 그라운드 전극(113) 상에 형성된다. 상기 그라운드 벽(116)의 형성시, 칩 탑재 영역(A)에 형성된 전극(112) 위에 금속 범프(122)를 형성시켜 줄 수도 있다.
상기 그라운드 벽(116) 또는 금속 범프(122)는 전해 또는 무 전해 도금이나 솔더를 스크린 프리팅하는 방법에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 상기 그라운드 벽(116)은 칩 탑재 영역의 외측을 따라 사각 틀 형태로 최소 50um로 형성된다.
그리고 상기 금속 범프(122) 및 그라운드 벽(116)은 전극(112,113,121)과의 정합이 용이하도록 금(Au)이나 금이 함유된 Au 합금을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 또한 필터 칩(120)에 손상을 주지 않고 열 처리를 할 수 있는 녹는 점(예: 100~150℃)을 갖도록 조성 비율을 설정할 수 있다. 또한 상기 금속 범프(122) 및 그라운드 벽(116)은 AuSn막, Cu 증착막, Ti막, Ni막, Au막 중에서 어느 하나를 한 층 이상 포함하여 이루어질 수도 있다.
그리고 상기 금속 범프(122)는 기판 표면과의 공간 확보를 위해 20um 이상의 높이로 형성되며, 상기 그라운드 벽(116)은 배선 기판(110)의 외측 둘레에 최소 50um, 최대 필터 칩 높이의 중간 정도로 형성될 수 있다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 범프(122) 상에 개별 필터 칩(120)의 입출력 전극(121)을 정렬시킨 후, 필터 칩을 플립 칩 방식으로 실장한다(S103). 이에 따라 필터 칩(120)의 입출력 전극(121)은 금속 범프(122), 배선기판(110)의 전극(112) 및 비아 홀(114)을 통해 외부 단자에 연결된다.
여기서, 상기 필터 칩(120)과 그라운드 벽(116)은 소정의 간격(g1)으로 이격된다.
도 3의 (c)와 같이, 필터 칩 하부에 밀폐된 캐비티(118)를 형성해 주기 위해 외부에 수지 댐(117)을 형성시켜 준다(S105). 이를 위해, 상기 배선기판(110)상에 필터 칩(120)이 실장되면, 수지 물을 디스펜싱 방법을 이용하여 댐(117) 형태로 상기 필터 칩(120)의 측면과 그라운드 벽(116)의 사이를 에워싸게 됨으로써, 캐비티(118)를 밀폐시켜 준다. 또한 수지 댐(117)은 높은 점도를 갖는 에폭시 수지를 이용할 수 있어, 외부로부터 수분 침투를 방지할 수 있다.
그리고 상기 그라운드 벽(116)은 수지 물이 몰딩될 때 외측으로 흐르는 것을 막아준다.
도 3의 (d)와 같이, 몰드 부재(130)가 몰딩된다(S107). 상기 몰딩 과정은 필터 칩(120) 하부에 캐비티(118)가 형성된 후, 배선 기판(110) 상으로 노출되는 기판(110)의 상면, 수지 댐(117)의 외측, 필터 칩(120)의 외측 전체에 몰드 부재(130)가 몰딩된다. 이에 따라 배선기판(110) 상에 실장되는 필터 칩(120)을 보호할 수 있게 된다.
상기 몰드 부재(130)를 형성하는 방법으로는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)를 이용한 트랜스퍼 몰딩(Transfer molding), 에폭시 시트를 열 압착하여 몰딩하는 방법, 액상 형태의 몰딩 재료를 토출하여 열 처리하는 방법, 주입 성형하는 방법 등이 모두 이용될 수 있다.
도 3의 (e)와 같이 패키지 경계 영역(T1)을 이용하여 하프 다이싱한다(S109). 상기 하프 다이싱 과정은 패키지 경계 영역(T1)에 대해 배선 기판의 소정 부분 예컨대, 기판 표면 또는 그 이하의 층까지 커팅하게 된다. 이에 따라 배선 기 판(110) 상에 형성된 그라운드 벽(116)이 외부로 노출된다.
도 3의 (f)는 도금층(140)을 형성하는 공정이다(S111). 이러한 도금층(140)은 전자파 차폐용 표면 도금막으로서, 배선 기판(110)의 외측 및 몰드부재(130)의 표면에 대해 도금층(140)을 형성해 준다. 여기서, 도금층(140)은 스퍼터링(sputtering) 방식, 증착(evaporating)하는 방식, 전해 또는 무 전해 도금 등을 선택적으로 이용할 수 있다.
또한 상기 도금층(140)은 몰드부재(130)와의 접합성, 도금체의 견고성을 고려하여 한 층 이상의 금속층으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 몰드부재(130)의 표면부터 Cu, Ti, Ni, Au 등과 도전성을 갖는 재료 중에서 어느 하나의 재료 또는 이들의 혼합된 재료를 이용하여 한 층 이상으로 적층할 수 있다. 예를 들면, 도금층(140)은 몰드부재의 표면부터 Cu층/Ni층/Au층의 순서로 적층될 수 있다.
이때, 상기 도금층(140)의 양단에는 기판 외측에 형성된 그라운드 벽(116)이 전기적으로 연결됨으로써, 상기 도금층(140)이 전기적인 접지로 인해 EMI/EMC 현상을 차단하게 된다.
도 3의 (g)는 패키지 단위로 배선 기판(110)을 커팅하는 공정이다(S113). 배선 기판(110)에 대해 풀 다이싱을 수행하게 됨으로써, 도 2와 같은 필터 칩 패키지(100)가 완성된다.
이러한 본 발명은 필터 칩(120)에 밀폐된 캐비티(118)를 제공하는 한편, 몰드부재(130)를 이용한 부품 보호막 형성하며, 그라운드 벽(116)이 노출되도록 커팅하고, 쉴드 도금층(140)을 형성하는 패키징 공정을 통해서, 부품 보호와 함께 쉴드 도금층(140)이 그라운드 부분에 전기적인 접지가 이루어지게 함으로써, 별도의 조립 공정 없이도 유해 전자파를 차단할 수 있다.
그리고, 본 발명은 다른 구조 예컨대, 배선 기판상에 일정 깊이의 홈으로 형성되는 캐비티 구조에서도 적용할 수 있다. 즉, 캐비티 외부에 그라운드 벽을 형성시킨 후 상기 필터 칩을 플립 칩 방식으로 실장하고, 캐비티 둘레를 따라 에폭시 수지 댐을 몰딩 및 커팅한 후, 도금층을 상기 그라운드 벽과 전기적으로 연결시켜 줌으로써, 필터 칩 패키지를 제조할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명 실시 예에 따른 필터 칩 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 필터 칩의 실장 영역에 에폭시 수지로 만들어진 밀폐 구조로 인해 필터 칩 하부에 캐비티의 밀폐공간을 제공해 줌으로써, 필터 칩 패키지의 낮은 두께와 높은 생산성을 추구할 수 있다.
또한 습기에 대한 내성이 강한 패키지를 구현하여, 제품 신뢰성을 개선할 수 있으며, 캐비티를 필요로 하는 제품을 초소형화할 수 있다.
또한 유해 전자파가 외부로 방출되거나 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.

Claims (10)

  1. 상면의 칩 탑재 영역 내/외측에 전극이 형성된 배선 기판;
    상기 칩 탑재 영역의 외측에 형성된 그라운드 벽;
    상기 칩 탑재 영역에 본딩되는 필터 칩;
    상기 필터 칩 하부가 기밀 공간을 유지하도록 상기 필터 칩 둘레를 폐곡선 형태로 에워싸는 수지 댐;
    상기 배선 기판 및 필터 칩의 외측에 일정 높이로 몰딩되는 몰드 부재;
    상기 몰드 부재의 표면에 형성되며, 상기 그라운드 벽에 전기적으로 연결되는 도금층을 포함하는 필터 칩 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 그라운드 벽은 AuSn막, Cu 증착막, Ti막, Ni막, Au막 중에서 어느 하나를 한 층 이상 포함하여 형성되는 필터 칩 패키지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 수지 댐은 에폭시 수지 댐을 포함하는 필터 칩 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 그라운드 벽은 최소 50um 높이로 형성하는 필터 칩 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 그라운드 벽은 칩 탑재 영역의 외측에 사각틀 형태로 형성되어, 배선 기판의 그라운드 전극, 쓰루 홀, 비아 홀 중 어느 하나에 형성되는 필터 칩 패키지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 배선 기판의 칩 탑재 영역은 상기 필터 칩의 하부가 수납되도록 형성된 캐비티를 포함하는 필터 칩 패키지 제조방법.
  7. 배선 기판의 칩 탑재 영역 외측에 그라운드 벽을 형성하는 단계;
    상기 배선 기판의 칩 탑재 영역에 필터 칩을 본딩하는 단계;
    상기 배선 기판과 필터 칩 사이에 밀폐 공간을 형성시켜 주기 위해 상기 필터 칩의 둘레를 폐곡선 형태의 수지 댐으로 형성하는 단계;
    상기 배선 기판 및 필터 칩의 외측으로 몰드 부재를 몰딩하는 단계;
    상기 칩 탑재 영역 외측에 대해 배선 기판의 상면까지 부분 커팅하는 단계;
    상기 몰드 부재의 표면 및 배선 기판의 상면에 도금층을 형성하여, 상기 도금층이 상기 그라운드 벽에 전기적으로 연결되는 단계;
    상기 필터 칩 패키지 단위로 커팅하는 단계를 포함하는 필터 칩 패키지 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 그라운드 벽은 AuSn막, Cu 증착막, Ti막, Ni막, Au막 중에서 어느 하나를 한 층 이상 포함하여 형성되는 필터 칩 패키지 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 수지 댐은 에폭시 수지를 디스펜싱 방식으로 형성하는 필터 칩 패키지 제조방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 그라운드 벽은 그라운드 전극, 비아 홀, 쓰루 홀 중 적어도 하나에 연결되는 필터 칩 패키지 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101224356B1 (ko) * 2011-08-23 2013-01-28 (주)기가레인 고주파 멤스 소자 패키지
US9941180B2 (en) 2015-10-22 2018-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
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