KR20080054446A - 광원 장치, 표시 장치 및 정보 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
광원 장치는 방전관(24)과, 방전관(24)으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경(26)과, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하기 위한 지지 부재(25)를 포함한다. 지지 부재(25) 또는 방전관(24)은 방전관(24)의 전극 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 단열성 구조로 형성된다. 이 구성에 의해, 방전관의 수명을 연장시킬 수 있다.
방전관, 반사경, 지지 부재, 광원 장치, 표시 장치
Description
본 발명은 희박한 기체 속에서 방전함으로써 발광시키는 방전관을 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치 등의 표시 장치의 광원 장치로서의 백라이트는, 하나 또는 복수의 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치를 이용하고 있다. 방전관은 냉음극관이며, 수은이 희박한 기체(Ar, Ne 등) 속에 봉입되고, 관벽에는 형광 물질이 도포되어 있다. 방전관의 양단부에는 전극이 설치되어 있다. 방전관은 지지 부재에 의해 반사경에 지지되고, 지지 부재는 방전관의 전극 근방의 위치에 배치된다. 백라이트는 또한 도광판을 포함하고, 광원 장치는 도광판의 측부에 배치된다.
방전관의 전극에 고전압을 인가하면, 전극으로부터 전자가 방출되어 이 전자가 방전관 내의 수은 가스와 충돌한다. 수은 가스는 자외선을 발생하여, 자외선이 형광 물질에 닿아 가시광이 발생한다. 방전관 내의 수은 가스의 양이 적어지면, 방전관의 발광량은 감소하여 수명이 다 된다. 통상, 충분한 양의 수은이 방전관 내에 봉입되어 있어 방전관이 충분한 수명을 갖도록 되어 있지만, 그 중에는 극단 적으로 수명이 짧은 방전관이 있다.
본 발명의 목적은, 방전관의 수명을 연장시킬 수 있도록 한 광원 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 특징에 의한 광원 장치는 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재를 구비하고, 상기 지지 부재는 상기 방전관의 전극 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 단열성 구조로 형성되어 있다.
본 발명의 제2 특징에 의한 광원 장치는 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재를 구비하고, 상기 방전관은 상기 방전관의 전극 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 부분적으로 단열성 구조로 형성되어 있다.
본 발명의 제3 특징에 의한 광원 장치는 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재를 구비하고, 상기 지지 부재는 상기 방전관의 전극 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 상기 방전관의 단부로부터 내측의 위치에 배치되어 있다.
본 발명의 제4 특징에 의한 광원 장치는 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위해 상기 방전관의 전극 근방의 위치에 배치된 지지 부재와, 상기 방전관의 중앙부에 접촉하 는 열 전도 부재를 구비한다.
상기 구성에 있어서, 일반적으로 방전관 내의 수은이 소모되면, 방전관은 수명이 다 된다. 수은의 소모는 방전관 내에서 가스화한 수은이 전자에 의해 스패터된 전극의 금속(예를 들어 Ni)의 미립자와 화합하고, 전극 근방의 방전관의 관벽에 취입됨으로써 발생한다. 일반적으로 충분한 양의 수은이 방전관 내에 봉입되어 있으므로, 방전관 내의 수은이 소모될 때까지 상당한 시간이 걸려, 방전관의 수명은 어느 정도 보증되어 있다.
그러나, 대부분의 방전관 중에는, 극단적으로 수명이 짧은 방전관이 있다. 발명자의 고찰에서는 방전관의 수명이 극단적으로 짧아지는 것은, 하기의 이유에 의한 것을 알 수 있었다. 즉, 방전관의 전극 근방의 부분은, 원래는 가장 발열량이 많아 온도가 높은 부분이지만, 방전관이 지지 부재에 의해 반사경에 지지된 구조에 있어서는, 방전관의 열이 지지 부재를 거쳐서 반사경에 열전도되고, 반사경으로부터 또한 표시 장치의 하우징에 열전도되므로, 방전관의 전극 근방의 부분의 온도가 방전관 내에서 가장 낮아지는 경우가 있다. 또, 지지 부재는 방전관의 전극 근방의 위치에 배치되어 있고, 그리고 일반적으로 반사경은 금속으로 만들어지고, 지지 부재는 전극에 가해지는 고전압에 견딜 필요가 있어 실리콘으로 만들어져 있다. 금속 및 실리콘은 모두 열전도성이 좋으며, 따라서 방전관의 열이 지지 부재를 거쳐서 반사경에 열전도되기 쉽다.
수은은 가스 상태 및 비가스 상태(액체 또는 고체)로서 방전관 내에 존재한 다. 액체의 수은은 방전관 내 온도의 최하점에 모인다(온도차에 의한 포화 증기압의 차가 원인이 되어 농도 구배가 가능하므로, 확산에 의해 수송됨). 이렇게 하여 방전관의 전극 근방의 부분에 모인 액체의 수은 상에, 전자에 의해 스패터된 전극의 금속 미립자가 부착되어, 액체의 수은 상에 얇은 피막을 만든다. 이 피막이 수은의 증발을 저해하여, 방전관 내의 수은 가스의 양이 감소한다. 수은 가스의 양이 감소하면, 방전관이 어두워져 수명이 짧아진다.
따라서, 본 발명에서는 상기한 구성을 채용함으로써, 방전관의 전극 근방의 부분이 온도의 최하점이 되지 않도록 하여 액체의 수은이 스패터된 전극의 금속 미립자에 의해 갇히지 않도록 하고, 그에 의해 수은 가스의 양이 감소하지 않도록 하여 방전관 수명의 단축을 방지한다.
상기한 광원 장치는 휴대형 정보 처리 장치나 표시 장치의 광원 장치로서 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터 조사된 빛을 받는 라이트 밸브를 구비하고, 상기 광원 장치가 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재와, 상기 방전관과 상기 지지 부재 사이 또는 상기 지지 부재와 상기 반사경 사이에 배치된 단열재의 층을 포함하는 정보 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터 조사된 빛을 받는 라이트 밸브를 구비하고, 상기 광원 장치가 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재 와, 상기 방전관과 상기 지지 부재 사이 또는 상기 지지 부재와 상기 반사경 사이에 배치된 단열재의 층을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 방전관과, 상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과, 상기 방전관을 상기 반사경에 지지하기 위한 지지 부재를 구비하고, 상기 반사경은 수지로 만들어져 있는 광원 장치를 제공한다.
이하 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도1은 본 발명의 광원 장치를 포함하는 노트북 컴퓨터를 도시하고, 도2는 본 발명의 광원 장치를 포함하는 표시 장치를 도시하는 도면이다.
도1에 있어서, 노트북 컴퓨터(1)는 키보드(2) 및 전자 회로를 포함하는 본체부(3)와, 액정 표시 장치 등의 디스플레이(4)를 포함하는 표시부(5)로 이루어진다. 표시부(5)에는 광원 장치(18)가 설치되어 있다. 도1의 노트북 컴퓨터(1)에는 하나의 광원 장치(18)가 설치되어 있지만, 도2의 표시 장치(6)와 같이 2개의 광원 장치(18)를 설치할 수도 있다.
도2에 있어서, 표시 장치(6)는 액정 표시 장치 등의 디스플레이(7) 및 전자 회로를 포함하는 본체부(8)로 이루어진다. 본체부(8)에는 광원 장치(18)가 설치되어 있다. 도2의 표시 장치(6)에는 2개의 광원 장치(18)가 설치되어 있지만, 도1의 노트북 컴퓨터(1)와 같이 하나의 광원 장치(18)를 설치할 수도 있다.
도3은 도1의 디스플레이(4)의 도광판 및 광원 장치를 도시하는 평면도, 도4는 도3의 도광판 및 광원 장치를 도시하는 단면도이다. 도3 및 도4에 있어서, 디 스플레이(4)는 액정 패널(12)과 백라이트(14)를 포함한다. 백라이트(14)는 도광판(16)과, 도광판(16)의 측부에 배치된 광원 장치(18)와, 도광판(16)의 하측에 배치된 산란 반사판(20)과, 도광판(16)의 상측에 배치된 산란판(22)을 포함한다.
광원 장치(18)는 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어진다. 방전관(24)의 출사광의 일부는 직접적으로 도광판(16)에 입사하고, 방전관(24)의 출사광의 다른 일부는 반사경(26)에서 반사되어 도광판(16)에 입사한다. 빛은 도광판(16) 내를 진행하여, 산란 반사판(20)에서 반사된 후 액정 패널(12)을 향해 도광판(16)으로부터 출사하고, 산란판(22)에서 산란되어 액정 패널(12)에 입사한다. 액정 패널(12)은 화상을 형성하고 백라이트(14)로부터 공급된 빛이 액정 패널(12)에서 형성된 화상을 조명하여, 관찰자는 밝은 화상을 볼 수 있다.
도5는 방전관(24)을 도시하는 단면도, 도6은 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)를 도시하는 단면도이다. 도7은 도6의 선 Ⅶ-Ⅶ에 따른 광원 장치(18)를 도시하는 단면도이다. 방전관(24)은 형광 램프라 불리우는 냉음극관이다. 방전관(24)의 양단부에는 Ni이나 W 등의 금속으로 만들어진 전극(24A)이 설치되어 있다. 방전관(24)의 내부에는 희박한 기체(Ar, Ne 등) 및 수은(28)이 봉입되고, 방전관(24)의 내벽에는 형광 물질이 도포되어 있다. 반사경(26)은 예를 들어 알루미늄 미러이며, 방전관(24)을 덮도록 U자형 등의 단면 형상을 갖는다.
지지 부재(25)가 방전관(24) 단부의 전극 근방의 부분에 배치되어, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하고 있다. 지지 부재(25)의 내면은 방전관(24)에 밀착하고, 그 외면은 반사경(26)에 밀착하고 있다. 전극(24A)의 일부는 방전관(24) 의 내부에 있으며, 전극(24A)의 다른 일부는 방전관(24) 및 지지 부재(25)의 단부를 통해 지지 부재(25)의 외부로 돌출하고 있다.
지지 부재(25)는 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 단열성 구조로 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서는, 지지 부재(25)는 단열성이 높으면서 내전성이 높은 재료로 만들어진다. 예를 들어, 지지 부재(25)는 아라미드 섬유로 만들어진다. 지지 부재(25)는 글래스 울로 만들어질 수도 있다.
방전관(24)이 지지 부재(25)에 의해 반사경(26)에 지지된 구조에 있어서는, 방전관(24)의 열이 지지 부재(25)를 거쳐서 반사경(26)에 열전도되고, 반사경(26)으로부터 또한 표시 장치의 하우징에 열전도되므로, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분이 온도가 낮아지는 경우가 있다.
종래의 지지 부재는 전극에 가해지는 고전압에 견딜 필요가 있어 실리콘으로 만들어져 있고, 실리콘은 열전도성이 좋으므로 방전관(24)의 열이 지지 부재(25)를 거쳐서 반사경(26)에 양호하게 열전도되어, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분의 온도가 가장 낮아지는 경우가 있다. 그로 인해, 액체의 수은은 방전관(24) 내의 온도의 최하점인 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 모여, 상기한 바와 같이 수은 가스의 양이 감소하는 원인이 되는 방전관(24)의 수명이 짧아져 있었다.
본 발명에 있어서는, 지지 부재(25)는 단열성이 높은 재료로 형성되어 있으므로, 방전관(24)의 열이 지지 부재(25)를 거쳐서 반사경(26)에 지나치게 열전도되지 않게 되어, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분의 온도가 가장 낮아지는 일이 없었다. 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분은, 본래는 가장 발열량이 많고, 온도가 높은 부분이므로, 방전관(24)의 온도가 가장 낮아지는 위치는 지지 부재(25)가 연장되는 범위보다도 방전관(24)의 중앙측의 위치가 된다. 그로 인해, 액체인 수은은 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 모이는 일이 없다.
한편, 방전관(24)의 전극(24A)의 금속은 방전에 수반하여 전자에 의해 스패터되고, 전극(24A)의 금속 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착된다. 전극(24A)의 금속 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착되는 범위는, 방전관(24)의 단부로부터 한정된 거리 내로 한정되어 있다. 예를 들어, 직경 5 ㎜의 방전관(24)인 경우, 전극(24A)의 금속 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착되는 범위는 방전관(24)의 단부로부터 약 10 ㎜ 이내, 혹은 전극(24A)의 선단부로부터 약 5 ㎜ 이내이다.
금속의 미립자가 부착되는 방전관(24)의 범위에는 액체인 수은이 모여 있지 않으므로, 액체인 수은이 금속 미립자에 의해 가두어지는 일은 없다. 따라서, 본 발명에 따르면 방전관(24) 내의 많은 액체인 수은은 증발을 계속할 수 있어, 방전관(24) 내의 수은 가스의 양이 감소하는 일이 없으므로, 방전관(24)의 수명이 짧아지는 일이 없게 된다.
도8은 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 도9는 도8의 지지 부재를 도시하는 단면도이다. 지지 부재(25)가 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 배치되어, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하고 있다. 지지 부재(25)는 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 단열성 구조로 형성되어 있다. 본 실시예에 있 어서는, 지지 부재(25)는 종래와 같이 실리콘으로 만들어지지만, 지지 부재(25)가 중공부(25B)를 갖는 단열 구조로 되어 있다. 본 실시예의 작용은 상기 실시예의 작용과 마찬가지다.
도10은 방전관(24)과 반사경(26)[도10에서는 반사경(26)은 생략됨]으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는 방전관(24)은 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 부분적으로 단열성 구조로 형성되어 있다. 즉, 방전관(24)의 단부는 외관부(24o)와 내관부(24i)로 이루어지는 이중관 구조로 형성되고, 외관부(24o)와 내관부(24i) 사이에 공기층 또는 진공층으로 이루어지는 단열부가 있다. 지지 부재(25)는 외관부(24o) 주위에 배치되어, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하고 있다. 본 실시예의 작용은 상기 실시예의 작용과 마찬가지다.
도11은 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는 지지 부재(25)는 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 방전관(24)의 단부로부터 내측 위치에 배치되어 있다. 상기한 바와 같이, 전극(24A)의 금속 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착되는 범위는 방전관(24)의 단부로부터 한정된 거리 내로 한정되어 있다. 지지 부재(25)는 전극(24A)의 금속 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착되는 범위의 외측(즉, 내측 위치)에 설치되어 있다.
이 경우, 지지 부재(25)는 특히 단열성이 높은 재료로 만들어져 있지 않아도 좋으며, 예를 들어 지지 부재(25)는 열전도가 우수한 실리콘으로 만들어진다. 그 러면, 상기한 바와 같이 지지 부재(25)를 통과하는 열전도에 의해, 방전관(24)의 지지 부재(25)가 위치하는 부분이 온도의 최하점이 된다. 그러나, 방전관(24) 온도의 최하점이 금속의 미립자가 방전관(24)의 내벽에 부착되는 범위에서 떨어져 있으므로, 액체인 수은이 금속 미립자에 의해 가두어지는 일은 없다. 따라서, 본 발명에 따르면 방전관(24) 내의 많은 액체의 수은은 증발을 계속할 수 있어, 방전관(24) 내의 수은 가스의 양이 감소하는 일이 없으므로, 방전관(24)의 수명이 짧아지는 일이 없게 된다.
도12는 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는, 광원 장치(18)는 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하기 위해 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 위치에 배치된 지지 부재(25)와, 방전관(24)의 중앙부에 접촉하는 열 전도 부재(32)를 구비한다. 지지 부재(25)는 실리콘으로 만들어진다. 열 전도 부재(32)는 보다 방열성이 높은 실리콘으로 만들어진다. 혹은, 열 전도 부재(32)에 방열 핀을 설치하거나, 혹은 팬으로 냉각 공기를 이송하게 한다.
열 전도 부재(32)는 반사경(26)에도 접촉하여, 방전관(24)의 중앙부의 열을 반사경(26)으로 도피시키고, 방전관(24)의 중앙부에 온도의 최하점을 만든다. 따라서, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분이 온도의 최하점이 되지 않도록 한다. 따라서, 액체인 수은은 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 모이지 않아, 액체인 수은이 전극(24A)의 금속 미립자에 의해 가두어지는 일이 없어져, 수은 가스의 양이 감소하는 일이 없으므로, 방전관(24)의 수명이 감소하게 된다.
또한, 방전관(24)의 중앙부에 온도의 최하점을 만듦으로써, 수은(28)은 주로 온도가 낮은 부분으로 증발하고, 발생한 수은 가스가 방전관(24)의 전체 부분으로 확산되어 간다. 확산되어 간 수은 가스는 온도가 낮은 부분으로도 복귀해 간다. 이러한 방식으로, 수은 가스는 방전관(24)의 전체 부분으로 거의 한결같이 분포하여, 수은 가스의 온도 및 압력이 방전관(24)의 전체 부분으로 거의 같게 된다. 즉, 방전관(24)의 온도가 낮은 부분을 만듦으로써, 수은 가스의 온도를 제어할 수 있다. 방전관(24)으로부터 출사하는 빛의 휘도는 최적의 수은 가스 농도 및 그에 대응하는 최적의 관내 온도에서 최대가 되고, 수은 가스 농도가 최적치보다 높아지거나 낮아져도, 또한 관내 온도가 최적치보다 높아지거나 낮아져도, 방전관(24)으로부터 출사하는 빛의 휘도는 최대치보다도 저하한다. 본 예에서는 방전관(24)의 온도가 낮은 부분을 만들어, 그에 의해 관내 온도가 최적치에 또는 최적치에 가깝게 하여, 방전관(24)으로부터 출사되는 빛의 휘도를 최대로 할 수 있다.
도13은 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 지지 부재(25)가 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 배치되어, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하고 있다. 단열재의 층(단열 시트)(34)이 지지 부재(25)와 반사경(26) 사이에 배치되어 있다. 단열재의 층(34)은 지지 부재(25)에 부착된 상태에서, 방전관(24)이 반사경(26)에 부착된다. 지지 부재(25)는 종래와 같이 실리콘으로 만들어지고, 단열재의 층(34)은 예를 들어 메타형 아라미드 섬유(예를 들어 데이진의 코넥스)로 만들어진다. 지지 부재(25)는 열전도성이 좋지만, 단열재의 층(34)이 열을 차단하기 때문에, 열이 방전관(24)의 단 부로부터 반사경(26)으로 도피하는 것이 방지된다. 따라서, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하가 방지된다. 본 실시예의 작용은 상기 실시예의 작용과 마찬가지다.
도14는 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 지지 부재(25)가 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 배치되어, 방전관(24)을 반사경(26)에 지지하고 있다. 단열재의 층(단열 시트)(34)이 방전관(24)과 지지 부재(25) 사이에 배치되어 있다. 지지 부재(25)는 종래와 같이 실리콘으로 만들어지고, 단열재의 층(34)은 예를 들어 메타형 아라미드 섬유(예를 들어 데이진의 코넥스)로 만들어진다. 지지 부재(25)는 열전도성이 좋지만 단열재의 층(34)이 열을 차단하기 때문에, 열이 방전관(24)의 단부로부터 반사경(26)으로 도피하는 것이 방지된다. 따라서, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하가 방지된다. 본 실시예의 작용은 상기 실시예의 작용과 마찬가지다.
도15는 방전관(24)과 반사경(26)으로 이루어지는 광원 장치(18)의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는 반사경(26)이 단열성 수지로 만들어진다. 반사경(26)은 단열성 수지, 예를 들어 폴리카보네이트로 만들어진다. 폴리카보네이트는 탄산과 다가 알코올과의 폴리에스테르 수지이다. 폴리카보네이트는 방향족 알코올을 이용함으로써 융점이 높고(열안정성이 우수하고), 기계적 강도가 커 전기 절연성이 좋은 특징을 갖는다. 알루미늄 등의 반사막(26A)이 반사경(26)의 내면에 지지 부재(25)와 겹치지 않도록 도포되어 있다. 따라서, 지지 부재(25)는 열전도 성이 좋아도 반사경(26)이 열을 차단하기 때문에, 열이 방전관(24)의 단부로부터 지지 부재(25)를 거쳐서 반사경(26)으로 도피하는 것이 방지된다. 따라서, 방전관(24)의 전극(24A) 근방의 부분에 있어서의 온도 저하가 방지된다. 본 실시예의 작용은 상기 실시예의 작용과 마찬가지다.
도1은 본 발명의 광원 장치를 포함하는 노트북 컴퓨터를 도시하는 도면이다.
도2는 본 발명의 광원 장치를 포함하는 표시 장치를 도시하는 도면이다.
도3은 도1의 디스플레이 도광판 및 광원 장치를 도시하는 평면도이다.
도4는 도3의 도광판 및 광원 장치를 도시하는 단면도이다.
도5는 방전관을 도시하는 단면도이다.
도6은 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치를 도시하는 단면도이다.
도7은 도6의 선 Ⅶ-Ⅶ에 따른 광원 장치의 단면도이다.
도8은 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도9는 도8의 지지 부재를 도시하는 단면도이다.
도10은 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도11은 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도12는 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도13은 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도14는 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단 면도이다.
도15는 방전관과 반사경으로 이루어지는 광원 장치의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
Claims (7)
- 적어도 하나의 전극을 갖는 방전관과,상기 방전관으로부터 방사된 빛을 반사시키는 반사경과,상기 반사경에 관하여 소정 위치에 상기 방전관을 지지하는, 소정 위치에 배치된 지지 부재를 구비하고,상기 지지 부재는 상기 방전관의 상기 적어도 하나의 전극 근방의 상기 방전관의 부분에 있어서의 온도 저하를 방지하도록 상기 방전관의 상기 전극을 설치한 단부로부터 내측 위치에 배치되어 있는 광원 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 방전관은 상기 적어도 하나의 전극을 상기 방전관의 단부에 있어서 갖는 것을 특징으로 하는 광원 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지 부재는, 상기 방전관의 상기 적어도 하나의 전극 근방의 상기 방전관의 부분의 온도 저하를 방지하도록, 상기 방전관의 각각의 단부 근방의 위치이며, 상기 방전관의 각각의 단부로부터 중앙측 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지 부재는 열전도성이 높은 재료로 제작되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지 부재의 위치는 상기 방전관의 온도의 최하점 부분인 것을 특징으로 하는 광원 장치.
- 표시용 광원을 탑재한 표시 장치이며,상기 표시 장치는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 광원 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 광원 장치를 포함하는 표시 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치.
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