KR20080054176A - Thlf tone mask and fabricating method thereof - Google Patents

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KR20080054176A
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Abstract

A semi-permeable mask and a manufacturing method thereof are provided to remove a step difference in a half tone region of a photoresist pattern by forming a diffractive pattern on the semi-permeable mask, and to improve the profile of the photoresist pattern by forming a unit for controlling transmittance rate. A half tone mask(200) comprises a shielding unit(210) which is formed on a substrate(202) and shields the incident light, a semi-permeable unit(230) which is located at a region divided by the shielding unit, and on which a slit pattern is formed, and a permeable unit(250) which penetrates the entire incident light. The shielding unit is made up of a light shielding material which can shield incident light, for example an occupancy material such as Cr. The semi-permeable unit is made up of chrome oxide as a semi-permeable material which transmits the incident light partially. A slit pattern(232) is formed on the semi-permeable unit.

Description

반투과 마스크 및 그 제조방법{THLF TONE MASK AND FABRICATING METHOD THEREOF}Transflective mask and its manufacturing method {THLF TONE MASK AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도 1은 종래의 박막 트랜지스터 기판의 평면도.1 is a plan view of a conventional thin film transistor substrate.

도 2는 도 1에서 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절취한 박막 트랜지스터 기판의 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film transistor substrate taken along the line II ′ of FIG. 1.

도 3a 내지 도 3j는 종래의 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정도. 3A to 3J are manufacturing process diagrams of a conventional thin film transistor substrate.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크의 구성 단면도.4 is a cross sectional view of a transflective mask according to a first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크가 적용된 하프톤 영역에 형성된 포토레지스트 패턴을 도시한 도면. FIG. 5 illustrates a photoresist pattern formed in a halftone region to which a semi-transmissive mask is applied according to a first embodiment of the present invention. FIG.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조 공정도.6A to 6D are manufacturing process diagrams of the semi-permeable mask according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크의 구성 단면도.7 is a sectional view showing the configuration of a transflective mask according to a second embodiment of the present invention.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크가 적용된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면.8A and 8B illustrate profiles of a photoresist pattern to which a transflective mask according to a second embodiment of the present invention is applied.

도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조 공정도.9A to 9E are manufacturing process diagrams of a semi-permeable mask according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크의 구성 단면도.Fig. 10 is a cross sectional view of a transflective mask according to a third embodiment of the present invention;

도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크가 적용된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면.11A and 11B illustrate a profile of a photoresist pattern to which a transflective mask according to a third embodiment of the present invention is applied.

도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조 공정도.12A to 12E are manufacturing process diagrams of a semi-permeable mask according to a third embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크의 구성 단면도.Fig. 13 is a cross sectional view of a transflective mask according to a fourth embodiment of the present invention;

도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크가 적용된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면.14A and 14B illustrate a profile of a photoresist pattern to which a transflective mask according to a fourth embodiment of the present invention is applied.

도 15a 내지 도 15d는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조 공정도.15A to 15D are manufacturing process diagrams of a semi-permeable mask according to a fourth embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 박막 트랜지스터 기판 101 : 기판100: thin film transistor substrate 101: substrate

110 : 게이트 라인 112 : 게이트 전극110: gate line 112: gate electrode

114 : 게이트 절연막 120 : 데이터 라인114: gate insulating film 120: data line

122 : 소스전극 124 : 드레인 전극122 source electrode 124 drain electrode

T : 박막 트랜지스터 130 : 반도체 패턴T: thin film transistor 130: semiconductor pattern

132 : 활성층 134 : 오믹 접촉층132 active layer 134 ohmic contact layer

140 : 보호막 142 : 제 1 콘택홀 140: protective film 142: first contact hole

144 : 제 2 콘택홀 146 : 제 3 콘택홀144: second contact hole 146: third contact hole

150 : 화소전극 160 : 스토리지 캐패시터150: pixel electrode 160: storage capacitor

162 : 스토리지 전극 170 : 게이트 패드162 storage electrode 170 gate pad

172 : 게이트 패드 하부전극 174 : 게이트 패드 상부전극172: gate pad lower electrode 174: gate pad upper electrode

180 : 데이터 패드 182 : 데이터 패드 하부전극180: data pad 182: data pad lower electrode

184 : 데이터 패드 상부전극 200, 300, 400, 500 : 하프톤 마스크184: data pad upper electrode 200, 300, 400, 500: halftone mask

210, 310, 410, 510 : 차단부 230, 330, 430, 530 : 반 투과부210, 310, 410, 510: Breaker 230, 330, 430, 530: Semi-transmissive

250, 350, 450,550 : 투과부 570 : 간극(space)250, 350, 450, 550: penetrating portion 570: space

본 발명은 반투과 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트 패턴의 하프톤 영역에 발생되는 단차를 제거하는 동시에 프로파일을 개선할 수 있는 반 투과 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semi-transmissive mask and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semi-transmissive mask and a method of manufacturing the same, which can improve a profile while removing a step generated in a halftone region of a photoresist pattern.

액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시 장치는 상하부 기판에 대향하게 배치된 화소 전극과 공통 전극 사이에 형성되는 전계에 의해 액정을 구동하게 된다.The liquid crystal display device displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. The liquid crystal display drives the liquid crystal by an electric field formed between the pixel electrode and the common electrode disposed to face the upper and lower substrates.

여기서, 액정 표시 장치는 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판 및 칼라 필터 기판, 두 기판 사이에서 셀갭을 일정하게 유지시키기 위한 스페이서 및 그 셀갭에 채워진 액정을 구비한다.Here, the liquid crystal display includes a thin film transistor substrate and a color filter substrate bonded to each other, a spacer for maintaining a constant cell gap between the two substrates, and a liquid crystal filled in the cell gap.

박막 트랜지스터 기판은 다수의 신호 배선들 및 박막 트랜지스터와, 그들 위 에 액정 배향을 위해 도포된 배향막으로 구성된다. 칼라 필터 기판은 칼러 구현을 위한 칼라 필터, 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스 및 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 배향막으로 구성된다.The thin film transistor substrate is composed of a plurality of signal wires and thin film transistors, and an alignment film coated thereon for liquid crystal alignment. The color filter substrate is composed of a color filter for color implementation, a black matrix for preventing light leakage, and an alignment film coated thereon for liquid crystal alignment.

이때, 액정 표시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판은 반도체 공정을 포함함과 아울러 다수의 마스크 공정을 필요로 함에 따라 제조 공정이 복잡하여 액정 패널 제조 단가 상승의 중요 원인이 되고 있다.In this case, as the thin film transistor substrate constituting the liquid crystal display device includes a semiconductor process and requires a plurality of mask processes, the manufacturing process is complicated and thus becomes an important cause of an increase in the manufacturing cost of the liquid crystal panel.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 박막 트랜지스터 기판은 마스크 공정수를 줄이는 방향으로 발전하고 있는데, 이는 하나의 마스크 공정이 박막 증착 공정, 세정 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 포토레지스트 박리 공정, 검사 공정 등과 같은 많은 공정을 포함하고 있기 때문이다.In order to solve the problems described above, the thin film transistor substrate is developing in a direction of reducing the number of mask processes, which means that one mask process includes a thin film deposition process, a cleaning process, a photolithography process, an etching process, a photoresist stripping process, and an inspection. It is because it includes many processes, such as a process.

최근, 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 마스크 공정은 이와 같은 이유로 인해 5 마스크 공정에서 반투과 마스크(Half Tone Mask)를 이용하여 하나의 마스크 공정이 줄어든 4 마스크 공정이 광범위하게 적용되고 있다.Recently, the mask process for manufacturing a thin film transistor substrate has been widely applied to the four mask process in which one mask process is reduced by using a half-tone mask in a five mask process.

이하, 첨부도면을 참조하여 종래의 반투과 마스크를 이용한 박막 트랜지스터기판 및 그 제조 방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a thin film transistor substrate using a conventional transflective mask and a manufacturing method thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2를 참조하면, 박막 트랜지스터기판은 기판(102)상에 형성된 게이트 라인(110), 게이트 절연막(114)을 사이에 두고 게이트 라인(110)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인(120), 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(T), 게이트 절연막(114) 상에 형성된 박막 트랜지스터(T)를 덮는 보호막(140), 보호막(140)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)에 접속된 화소 전 극(150), 게이트 라인(110)과 스토리지 전극(162)의 중첩부에 형성된 스토리지 캐패시터(160), 게이트 라인(110)과 접속된 게이트 패드(170) 및 데이터 라인(120)과 접속된 데이터 패드(180)를 구비한다.1 and 2, a thin film transistor substrate includes a data line defining a pixel region by crossing the gate line 110 with a gate line 110 and a gate insulating layer 114 formed therebetween on the substrate 102. The thin film transistor T formed at each intersection thereof, the passivation layer 140 covering the thin film transistor T formed on the gate insulating layer 114, and the contact hole penetrating through the passivation layer 140. ), A storage capacitor 160 formed at an overlapping portion of the pixel electrode 150 connected to the gate line 110 and the storage electrode 162, a gate pad 170 connected to the gate line 110, and a data line And a data pad 180 connected to the 120.

여기서, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(110)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(120)의 화소 신호를 화소 전극(150)에 충전시키는 역할을 수행한다. Here, the thin film transistor T serves to charge the pixel signal of the data line 120 to the pixel electrode 150 in response to the gate signal of the gate line 110.

이를 위해, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(110)에 접속된 게이트 전극(112), 데이터 라인(120)에 접속된 소스 전극(122), 채널을 사이에 두고 소스전극(122)과 대향하는 동시에 보호막(140)을 관통하는 제 1 콘택홀(142)을 통해 화소전극(150)에 접속된 드레인 전극(124)을 구비한다.To this end, the thin film transistor T faces the source electrode 122 with the gate electrode 112 connected to the gate line 110, the source electrode 122 connected to the data line 120, and a channel interposed therebetween. At the same time, the drain electrode 124 connected to the pixel electrode 150 is provided through the first contact hole 142 penetrating the passivation layer 140.

이때, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(112)과 게이트 절연막(114)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(122)과 드레인 전극(124) 사이에 채널을 형성하는 활성층(132)과, 활성층(132) 상에 형성되며 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층(134)을 포함하는 반도체 패턴(130)을 더 구비한다.  In this case, the thin film transistor T overlaps the gate electrode 112 and the gate insulating layer 114 with the active layer 132 and the active layer 132 forming a channel between the source electrode 122 and the drain electrode 124. A semiconductor pattern 130 is formed on the 132 and includes an ohmic contact layer 134 that performs ohmic contact.

이하, 첨부도면을 참조하여 종래의 반투과 마스크가 적용된 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a thin film transistor substrate to which a conventional transflective mask is applied will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 제 1 마스크 공정을 통해 기판(102)상에 게이트 라인(110), 게이트 전극(112), 게이트 패드 하부 전극(172) 및 스토리지 전극(162)을 포함하는 제 1 도전성 패턴을 형성한다.First, a first conductive pattern including a gate line 110, a gate electrode 112, a gate pad lower electrode 172, and a storage electrode 162 is formed on a substrate 102 through a first mask process.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(102)상에 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 증착된 게이트 금속층을 형성한 후, 상기 게이트 금속층 상에 포토레지스트를 전면 도포한다.In more detail, after forming a gate metal layer deposited on the substrate 102 by a deposition method such as sputtering, a photoresist is completely coated on the gate metal layer.

이후, 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 게이트 금속층을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, a photolithography process using a first mask is performed to form a photoresist pattern exposing the gate metal layer.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 게이트 금속층을 에칭하는 동시에 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(120)상에 게이트 라인(110), 상기 게이트 라인(110)에 접속된 게이트 전극(112)과 게이트 패드 하부 전극(172) 및 스토리지 전극(162)을 포함하는 제 1 도전성 패턴을 형성한다.In this case, by etching the gate metal layer exposed by the photoresist pattern and ashing the remaining photoresist pattern, as shown in FIG. 3A, the gate line 110 and the gate line 110 are formed on the substrate 120. A first conductive pattern including the gate electrode 112, the gate pad lower electrode 172, and the storage electrode 162 connected to the gate electrode 112 is formed.

상술한 바와 같이 제 1 도전성 패턴을 형성한 후, 제 2 마스크 공정을 통해 게이트 절연막(114) 상에 채널을 형성하는 반도체 패턴(130)과 데이터 라인(120), 데이터 라인(120)에 접속되는 소스/드레인 패턴(121) 및 데이터 패드 하부전극(182)으로 구성된 제 2 도전성 패턴을 형성한다.After the first conductive pattern is formed as described above, the semiconductor pattern 130, the data line 120, and the data line 120, which form a channel on the gate insulating layer 114, are connected to each other through a second mask process. A second conductive pattern including the source / drain pattern 121 and the data pad lower electrode 182 is formed.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 제 1 도전성 패턴이 형성된 기판(102)상에 게이트 절연막(114)을 전면 형성한다.In more detail, the gate insulating layer 114 is entirely formed on the substrate 102 on which the first conductive pattern is formed.

이후, 게이트 절연막(114) 상에 비정질 실리콘층, n+ 비정질 실리콘층 및 데이터 금속층을 순차적으로 증착한 후, 제 2 마스크를 이용하여 데이터 금속층을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. Thereafter, an amorphous silicon layer, an n + amorphous silicon layer, and a data metal layer are sequentially deposited on the gate insulating layer 114, and then a photoresist pattern exposing the data metal layer is formed using a second mask.

이후, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 데이터 금속층, 비정질 실리콘층 및 n+ 비정질 실리콘층을 순차적으로 애칭함으로써, 도 3b에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(114) 상에 채널을 형성하는 반도체 패턴(130)과, 데이터 라인(120), 상 기 데이터 라인(120)과 일체적으로 형성되는 소스/드레인 패턴(121) 및 데이터 패드 하부전극(182)으로 구성된 제 2 도전성 패턴을 형성한다.Thereafter, the data metal layer, the amorphous silicon layer, and the n + amorphous silicon layer exposed by the photoresist pattern are sequentially nicked to form a channel on the gate insulating layer 114, as shown in FIG. 3B. And a second conductive pattern including the data line 120, the source / drain pattern 121 formed integrally with the data line 120, and the data pad lower electrode 182.

상술한 바와 같이 반도체 패턴 및 제 2 도전성 패턴을 형성한 후, 제 3 마스크 공정을 통해 다수의 콘택홀을 갖는 보호막(140)을 형성한다.As described above, after the semiconductor pattern and the second conductive pattern are formed, the passivation layer 140 having the plurality of contact holes is formed through the third mask process.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 제 2 도전성 패턴이 형성된 기판(102)상에 보호막(140)을 전면 형성한다.In more detail, the passivation layer 140 is formed on the entire surface of the substrate 102 on which the second conductive pattern is formed.

이후, 보호막(140) 상에 포토레지스트를 전면 증착시킨 후 제 3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 상기 보호막(140)을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, the photoresist is entirely deposited on the passivation layer 140 and then a photolithography process using a third mask is performed to form a photoresist pattern exposing the passivation layer 140.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 보호막(140)을 에칭함으로써, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 3 콘택홀(142, 144, 146)을 갖는 보호막(140)을 형성한다. In this case, the protective film 140 exposed by the photoresist pattern is etched to form the protective film 140 having the first to third contact holes 142, 144, and 146, as shown in FIG. 3C.

여기서, 제 1 콘택홀(142)은 보호막(140)을 관통하여 소스/드레인 패턴(121) 중에서 드레인 전극이 형성될 영역을 노출시키고, 제 2 콘택홀(144)은 보호막(140) 및 게이트 절연막(114)을 관통하여 게이트 패드 하부 전극(172)을 노출시키고, 제 3 콘택홀(146)은 보호막(140)을 관통하여 데이터 패드 하부 전극(182)을 노출시킨다. Here, the first contact hole 142 penetrates the passivation layer 140 to expose a region where the drain electrode is to be formed in the source / drain pattern 121, and the second contact hole 144 may include the passivation layer 140 and the gate insulating layer. The gate pad lower electrode 172 is exposed through the 114, and the third contact hole 146 penetrates the passivation layer 140 to expose the data pad lower electrode 182.

상술한 바와 같이 다수의 콘택홀을 갖는 보호막을 형성한 후, 제 4 마스크 공정을 통해 화소전극(150), 게이트 패드 상부전극(174) 및 데이터 패드 상부전극(184)으로 구성된 제 3 도전성 패턴을 형성한다.As described above, after the passivation layer having a plurality of contact holes is formed, a third conductive pattern including the pixel electrode 150, the gate pad upper electrode 174, and the data pad upper electrode 184 is formed through a fourth mask process. Form.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 다수의 콘택홀이 형성된 보호막(140) 상에 투명 도전층(1TO)을 전면 증착시킨다.More specifically, as shown in FIG. 3D, the transparent conductive layer 1TO is deposited on the entire surface of the passivation layer 140 on which a plurality of contact holes are formed.

이후, 투명 도전층(1T0) 상에 포토레지스트를 전면 형성한 제 3 마스크(10)를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 도 3e에 도시된 바와 같이, 투명 도전층(1TO) 상에 단차가 형성된 포토레지스트 패턴(PR)을 형성한다. Subsequently, by performing a photolithography process using the third mask 10 on which the photoresist is entirely formed on the transparent conductive layer 1T0, as shown in FIG. 3E, a step is formed on the transparent conductive layer 1TO. The photoresist pattern PR is formed.

여기서, 제 3 마스크(10)로는 박막 트랜지스터(T)의 채널 영역에 대응하여 투과부(11)가 형성되고, 제 3 도전성 패턴이 형성될 영역에 차단부(13)가 형성되며 그 이외의 영역에는 반 투과부(15)가 형성된 하프톤 마스크가 사용된다.Here, the transmissive portion 11 is formed in the third mask 10 corresponding to the channel region of the thin film transistor T, and the blocking portion 13 is formed in the region in which the third conductive pattern is to be formed. A halftone mask in which the semi-transmissive portion 15 is formed is used.

이후, 포토레지스트 패턴(PR)에 의해 노출된 투명 도전층(ITO)을 애칭함으로써, 도 3f에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(T)의 채널 영역에 형성된 보호막(140)을 외부로 노출시킨다.Subsequently, the transparent conductive layer ITO exposed by the photoresist pattern PR is etched to expose the protective layer 140 formed in the channel region of the thin film transistor T to the outside as illustrated in FIG. 3F.

이후, 포토레지스트 패턴(PR)에 대한 애싱공정을 수행함으로써, 도 3g에 도시된 바와 같이, 제 3 도전성 패턴이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 투명 도전층(ITO)을 노출시킨다. 여기서, 보호막(140)도 애싱 공정에 의해 제거됨에 따라 채널 영역에 형성된 소스/드레인 패턴(121)이 외부로 노출된다.Thereafter, the ashing process is performed on the photoresist pattern PR to expose the transparent conductive layer ITO formed in the remaining regions except for the region in which the third conductive pattern is to be formed, as shown in FIG. 3G. Here, as the protective film 140 is also removed by the ashing process, the source / drain patterns 121 formed in the channel region are exposed to the outside.

이때, 외부로 노출된 투명 도전층(ITO) 및 소스/드레인 패턴(121)을 에칭함으로써, 도 3h에 도시된 바와 같이, 화소전극(150), 게이트 패드 상부전극(174) 및 데이터 패드 상부전극(184)으로 구성된 제 3 도전성 패턴과, 채널 영역에 노출된 소스/드레인 패턴(121)을 분리시켜 소스전극(122) 및 드레인 전극(124)을 형성한다.At this time, by etching the transparent conductive layer (ITO) and the source / drain pattern 121 exposed to the outside, as shown in Figure 3h, the pixel electrode 150, the gate pad upper electrode 174 and the data pad upper electrode The third conductive pattern 184 and the source / drain pattern 121 exposed to the channel region are separated to form the source electrode 122 and the drain electrode 124.

이후, 소스전극(122) 및 드레인 전극9124) 사이에 노출된 n+ 실리콘층을 분리함으로써, 도 3i에 도시된 바와 같이, 소스전극(122) 및 드레인 전극(124)과 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층(134)과 채널을 형성하는 활성층(132)을 형성한다. Thereafter, by separating the n + silicon layer exposed between the source electrode 122 and the drain electrode 9224, an ohmic contact that performs ohmic contact with the source electrode 122 and the drain electrode 124, as shown in FIG. 3I. The active layer 132 forming the channel with the layer 134 is formed.

이때, 제 3 도전성 패턴 상에 잔류하는 포토레지스트 패턴(PR)을 제거함으로써, 도 3j에 도시된 바와 같이, 반투과 마스크가 적용된 4 마스크 공정을 통해 박막 트랜지스터 기판(100)을 최종적으로 형성한다.In this case, by removing the photoresist pattern PR remaining on the third conductive pattern, the thin film transistor substrate 100 is finally formed through a four mask process to which a semi-transmissive mask is applied, as shown in FIG. 3J.

종래, 반투과 마스크가 적용된 4 마스크 공정을 통해 박막 트랜지스터 기판를 제작하는 경우, 도 3e에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(T)가 형성될 제 1 영역(A)과 화소전극(150)이 형성될 제 2 영역(B) 사이에는 약 7000A0 이상의 단차를 갖는 하프톤 형태의 포토레지스트 패턴(PR)이 형성된다.Conventionally, when fabricating a thin film transistor substrate through a four mask process to which a semi-transmissive mask is applied, as shown in FIG. 3E, the first region A and the pixel electrode 150 on which the thin film transistor T is to be formed are formed. A halftone photoresist pattern PR having a step of about 7000 A 0 or more is formed between the second regions B. FIG.

이때, 상술한 바와 같이 단차된 하프톤 형태의 포토레지스트 패턴에 대한 애싱 공정을 수행하는 경우, 포토레지스트 패턴(PR)에 대한 애싱 시간이 길어짐에 따라 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다.At this time, when the ashing process for the stepped half-tone photoresist pattern as described above, there is a problem that the production yield is reduced as the ashing time for the photoresist pattern (PR) is longer.

또한, 포토레지스트 패턴(PR)에 대한 애싱 시간이 길어짐에 따라 CD Loss가 커지게 되고, 이를 감안하여 설계 마진(margin)이 고려됨에 따라 개구율이 감소된다는 문제점이 있었다.  In addition, as the ashing time for the photoresist pattern PR becomes longer, the CD loss increases, and in consideration of this, there is a problem that the aperture ratio decreases as the design margin is considered.

따라서, 본 발명의 목적은 반투과 마스크에 회절패턴을 형성함으로써, 포토 레지스트 패턴의 하프톤 영역에 발생되는 단차를 제거할 수 있는 반 투과 마스크 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a semi-transmissive mask and a method of manufacturing the same, by forming a diffraction pattern on the semi-transmissive mask, thereby eliminating a step generated in the halftone region of the photoresist pattern.

본 발명은 반투과 마스크에 입사광의 투과율을 조절할 수 있는 투과율 조절수단을 형성함으로써, 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있는 반 투과 마스크 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다. The present invention provides a semi-transmissive mask and a method of manufacturing the same, by forming a transmittance adjusting means capable of adjusting the transmittance of incident light in the semi-transmissive mask.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크는, 기판; 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴이 형성된 반 투과부; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the transflective mask according to the first embodiment of the present invention, a substrate; A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; A semi-transmissive part formed in a region partitioned by the blocking part and having a slit pattern for adjusting the transmittance of the incident light; And a transmission part transmitting all incident light.

여기서, 본 발명에 따른 슬릿 패턴은 상기 반 투과부와 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.Here, the slit pattern according to the invention is characterized in that formed with the same material as the semi-transmissive portion.

본 발명에 따른 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 한다.The transmittance of the region in which the slit pattern according to the present invention is formed is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크는, 기판; 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광에 대해 상이한 투과율을 갖는 제 1 및 제 2 반 투과부로 구성된 반 투과부; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A semi-transmissive mask according to a second embodiment of the present invention, a substrate; A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and composed of first and second semi-transmissive portions having different transmittances for incident light; And a transmission part transmitting all incident light.

여기서, 본 발명에 따른 제 2 반 투과부의 투과율은 제 1 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 한다.Here, the transmittance of the second semi-transmissive portion according to the present invention is higher than that of the first semi-transmissive portion.

본 발명에 따른 제 2 반 투과부는 차단부와 제 1 반 투과부 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.The second semi-transmissive portion according to the invention is characterized in that it is located between the blocking portion and the first semi-transmissive portion.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크는, 기판; 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부; 차단부와 반 투과부 사이에 형성되며 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A semi-transmissive mask according to a third embodiment of the present invention, a substrate; A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and transmitting a portion of incident light; A slit pattern formed between the blocking portion and the semi-transmissive portion to adjust the transmittance of incident light; And a transmission part transmitting all incident light.

여기서, 본 발명에 따른 슬릿 패턴은 차단부와 동일 물질을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.Here, the slit pattern according to the invention is characterized in that it comprises the same material as the blocking portion.

본 발명에 따른 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 한다.The transmittance of the region in which the slit pattern according to the present invention is formed is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion.

본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크는, 기판; 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 차단부와 소정 간극을 사이에 두고 형성되는 반 투과부; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A semi-transmissive mask according to a fourth embodiment of the present invention, a substrate; A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and formed with the blocking portion and a predetermined gap therebetween; And a transmission part transmitting all incident light.

여기서, 본 발명에 따른 간극이 형성된 영역의 투과율은 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 한다.Here, the transmittance of the region where the gap is formed according to the present invention is characterized in that it is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법은, 기판상에 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴이 형성된 반 투과부를 형성하는 단계; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으 로 한다.Method for manufacturing a semi-transmissive mask according to a first embodiment of the present invention, forming a blocking portion for blocking incident light on the substrate; Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and having a slit pattern for adjusting the transmittance of incident light; And forming a transmission part transmitting all incident light.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법은, 기판상에 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광에 대해 상이한 투과율을 갖는 제 1 및 제 2 반 투과부로 구성된 반 투과부를 형성하는 단계; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.Method for manufacturing a semi-transmissive mask according to a second embodiment of the present invention, forming a blocking portion for blocking incident light on the substrate; Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and composed of first and second semi-transmissive portions having different transmittances for incident light; And forming a transmission part that transmits all incident light.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법은, 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부를 형성하는 단계; 차단부와 반 투과부 사이에 형성되며 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴을 형성하는 단계; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a transflective mask according to a third embodiment of the present invention includes forming a blocking portion formed on a substrate and blocking incident light; Forming a semi-transmissive portion formed in the region partitioned by the blocking portion and transmitting a portion of the incident light; Forming a slit pattern formed between the blocking portion and the semi-transmissive portion to adjust the transmittance of incident light; And forming a transmission part that transmits all incident light.

본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법은, 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계; 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 차단부와 소정 간극을 사이에 두고 형성되는 반 투과부를 형성하는 단계; 및 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a transflective mask according to a fourth embodiment of the present invention includes forming a blocking portion formed on a substrate and blocking incident light; Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and formed with the blocking portion and a predetermined gap therebetween; And forming a transmission part that transmits all incident light.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크의 구성에 대해 상세하게 설명한다.First, the configuration of the transflective mask according to the first embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 하프톤 마스크는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(202)상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부(212), 차단부(212)에 의해 구획된 영역에 위치하며 슬릿 패턴(232)이 형성된 반 투과부(230) 및 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부(250)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 4, the halftone mask according to the first embodiment of the present invention is formed on the substrate 202 and is divided by a blocking part 212 and a blocking part 212 that block incident light. The semi-transmissive portion 230 is formed in the slit pattern 232 and the transmission portion 250 for transmitting all the incident light is configured to include.

여기서, 차단부(210)는 외부로부터 입사되는 입사광을 차단시킬 수 있는 광 차단 물질, 예를 들면 크롬(Cr) 등과 같은 불투명 금속으로 구성된다.Here, the blocking unit 210 is made of an opaque metal such as a light blocking material that can block incident light incident from the outside, for example, chromium (Cr).

반 투과부(230)는 입사광 중 일부를 투과시키는 반 투과성 물질인 크롬 옥사이드로 구성되며, 차단부(210)가 형성된 기판상에 전면 형성되거나 또는 차단부(210)에 의해 구획된 영역에 형성된다.The semi-transmissive portion 230 is made of chromium oxide, a semi-transmissive material that transmits a part of the incident light, and is formed on the entire surface of the substrate on which the blocking portion 210 is formed or in a region partitioned by the blocking portion 210.

여기서, 반 투과부(230)에는 종래 포토레지스트 패턴의 하프톤 영역에 형성된 단차를 보상하기 위한 슬릿 패턴(232)이 형성되어 있다.Here, the slit pattern 232 is formed in the semi-transmissive portion 230 to compensate for the step difference formed in the halftone region of the conventional photoresist pattern.

즉, 슬릿 패턴(232)이 형성된 반 투과부(230)를 통해 형성되는 포토레지스 패턴(PR)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 종래 7000A0 이상의 단차가 형성된 제 1 영역(A)과 제 2 영역(B)에 균일한 높이를 갖는 하프톤 형태로 형성된다.That is, the slit pattern 232 photoresist pattern (PR) that is formed through the semi-light transmitting portion 230 is formed, as illustrated in Figure 5, the prior art 7000A 0 or more steps is formed The first region A and the second region B are formed in a halftone shape having a uniform height.

상술한 바와 같이 포토레지스트 패턴의 하프톤 영역이 균일한 높이를 갖도록 애칭됨에 따라, 포토레지스트 패턴(PR)에 대한 애싱 시간이 줄어들어 생산수율이 증가된다.As described above, as the halftone region of the photoresist pattern is etched to have a uniform height, the ashing time for the photoresist pattern PR is reduced to increase the production yield.

또한, 포토레지스트 패턴(PR)에 대한 애싱 시간이 줄어듬에 따라 CD Loss가 작아짐에 따라 개구율이 증가된다.In addition, as the ashing time for the photoresist pattern PR decreases, the aperture ratio increases as the CD loss decreases.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transflective mask according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 제 1 마스크 공정을 통해 기판(202)상에 외부로부터 입사되는 광을 차단시키는 차단부(210)를 형성한다.First, the blocking unit 210 for blocking light incident from the outside is formed on the substrate 202 through the first mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(202)상에 PECVD 등의 증착공정을 통해 광 차단 물질을 전면 증착시킨다. 여기서, 기판은 석영 등으로 구성되며 광 차단 물질은 크롬(Cr) 등으로 구성된다.In more detail, the light blocking material is deposited on the substrate 202 through a deposition process such as PECVD. Here, the substrate is made of quartz and the like, and the light blocking material is made of chromium (Cr) and the like.

이후, 광 차단 물질 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 기판상에 증착된 광 차단 물질 중에서 차단부가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, the photoresist is entirely coated on the light blocking material, and then a photolithography process using a first mask is performed, thereby exposing a photoresist pattern exposing the remaining areas of the light blocking material deposited on the substrate except for the area where the blocking part is to be formed. To form.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 광 차단 물질을 애칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 도 6a에 도시된 바와 같이, 외부로부터 입사되는 입사광을 차단시키는 차단부(210)를 형성한다.At this time, by ashing the photoresist pattern remaining after nicking the light blocking material exposed by the photoresist pattern, as shown in FIG. 6A, a blocking unit 210 for blocking incident light incident from the outside is formed.

상술한 바와 같이 기판상에 차단부를 형성한 후, 본 발명에 따른 제 2 마스크 공정을 통해 슬릿 패턴(232)이 형성된 반 투과부(230)를 형성한다.After the blocking portion is formed on the substrate as described above, the semi-transmissive portion 230 having the slit pattern 232 is formed through the second mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 차단부(210)가 형성된 기판상에 크롬 옥사이드 등의 반 투과 물질로 구성된 반 투과부(230)를 형성한다.More specifically, as shown in FIG. 6B, the semi-transmissive part 230 made of a semi-transmissive material such as chromium oxide is formed on the substrate on which the blocking part 210 is formed.

이후, 반 투과부(230)가 형성된 기판(202)상에 포토레지스트를 형성한 후 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 반 투과부(230) 중에서 슬릿 패턴이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, a photoresist is formed on the substrate 202 on which the semi-transmissive portion 230 is formed, and then a photolithography process using a second mask is performed, thereby exposing the region where the slit pattern is to be formed in the semi-transmissive portion 230. Form a pattern.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 반 투과부(230)를 에칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 도 6c에 도시된 바와 같이, 반 투과부(230)의 소정 영역에 입사광의 일부를 투과시키는 슬릿 패턴(232)을 형성한다.At this time, by etching the semi-transmissive portion 230 exposed by the photoresist pattern and ashing the remaining photoresist pattern, as shown in FIG. 6C, a portion of incident light is transmitted to a predetermined region of the semi-transmissive portion 230. The slit pattern 232 is formed.

여기서, 슬릿 패턴(232)은 반 투과부(230)와 비교하여 더 높은 광 투과율을 갖고, 이에 의해 슬릿 패턴(232)이 형성된 반 투과부(230)를 통해 형성되는 포토레지스터 패턴은 종래 7000A0 이상의 단차가 형성된 제 1 영역과 제 2 영역에 균일한 높이를 갖는 하프톤 형태의 포토레지스트 패턴이 형성된다.Here, the slit pattern 232 has a higher light transmittance compared to the semi-transmissive portion 230, whereby the photoresist pattern formed through the semi-transmissive portion 230 in which the slit pattern 232 is formed is a step of 7000A 0 or more in the related art. A half-tone photoresist pattern having a uniform height is formed in the first region and the second region where is formed.

즉, 반 투과부에 형성된 슬릿 패턴을 통해 제 1 영역에 형성된 포토레지스트 패턴이 더욱 많이 애칭됨으로써, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 영역(A, B)에 동일한 높이를 갖는 하프톤 형태의 포토레지스트 패턴(PR)을 형성한다.That is, as the photoresist pattern formed in the first region is more nicknamed through the slit pattern formed in the semi-transmissive portion, as shown in FIG. 5, the halftone having the same height in the first and second regions A and B is shown. The photoresist pattern PR is formed.

상술한 바와 같이 슬릿 패턴(232)이 형성된 반 투과부(230)를 형성한 후, 본 발명에 따른 제 3 마스크 공정을 통해 입사광을 전부 투과시키는 투과부(250)를 형성한다.As described above, after the semi-transmissive part 230 having the slit pattern 232 is formed, the transmissive part 250 for transmitting all incident light is formed through the third mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 슬릿 패턴(232)을 갖는 반 투과부(230)가 형성된 기판(202)상에 포토레지스트를 전면 증착시킨다.In more detail, the photoresist is entirely deposited on the substrate 202 on which the semi-transmissive portion 230 having the slit pattern 232 is formed.

이후, 제 3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 기판(202)상에 형성된 반 투과부(230) 중에서 투과부(250)가 형성될 영역을 오픈시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Subsequently, by performing a photolithography process using a third mask, a photoresist pattern is formed in the semi-transmissive portion 230 formed on the substrate 202 to open a region where the transmissive portion 250 is to be formed.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 반 투과부(230)를 애칭함으로써, 도 6d에 도시된 바와 같이, 외부로부터 입사되는 입사광을 투과시키는 투과부(250)를 최종적으로 형성한다. At this time, the semi-transmissive portion 230 exposed by the photoresist pattern is nicked, thereby forming a transmissive portion 250 for transmitting incident light incident from the outside, as shown in FIG. 6D.

이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크의 구조에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the transflective mask according to the second embodiment of the present invention will be described in detail.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크는 기판(302)상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부(310), 차단부(310)에 의해 구획된 영역에 형성되며 상이한 광 투과율을 갖는 제 1 및 제 2 반 투과부(332, 334)로 구성된 반 투과부(330) 및 입사광를 전부 투과시키는 투과부(350)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 7, the transflective mask according to the second embodiment of the present invention is formed on the substrate 302 and formed in a region partitioned by the blocking portion 310 and the blocking portion 310 to block incident light. And a semi-transmissive portion 330 composed of first and second semi-transmissive portions 332 and 334 having different light transmittances and a transmissive portion 350 which transmits all incident light.

차단부(310)는 외부로부터 입사되는 입사광을 차단시킬 수 있는 크롬(Cr) 등과 같은 광 차단 물질로 구성된다. The blocking unit 310 is made of a light blocking material such as chromium (Cr) that can block incident light incident from the outside.

반 투과부(330)는 외부로부터 입사되는 입사광 중 일부를 투과시키는 크롬 옥사이드 등의 반 투과성 물질로 구성되며, 차단부(310)가 형성된 기판(302)상에 전면 형성되거나 또는 차단부(310)에 의해 구획된 영역에 형성된다.The semi-transmissive portion 330 is made of a semi-transmissive material such as chromium oxide that transmits some of the incident light incident from the outside, and is formed on the entire surface of the substrate 302 on which the blocking portion 310 is formed, or on the blocking portion 310. It is formed in the area partitioned by.

여기서, 반 투과부(330)는 차단부(310)에 의해 구획된 영역에 형성된 제 1 반 투과부(332)와, 차단부(310)와 제 1 반 투과부(332) 사이에 위치하는 동시에 차 단부(310)와 경계를 이루며 형성되는 제 2 반투과부(334)를 포함하여 구성된다. Here, the semi-transmissive portion 330 is located between the first semi-transmissive portion 332 formed in the area partitioned by the blocking portion 310 and the blocking portion 310 and the first semi-transmissive portion 332 and at the same time the car end portion ( And a second transflective portion 334 formed in boundary with 310.

이때, 반 투과부(330)를 구성하는 제 2 반 투과부(334)는 제 1 반 투과부(332)와 비교하여 높은 광 투과율을 갖도록 구성된다.In this case, the second semi-transmissive portion 334 constituting the semi-transmissive portion 330 is configured to have a high light transmittance compared to the first semi-transmissive portion 332.

따라서, 차단부(310)와 제 1 반 투과부(332) 사이에 상기 제 1 반 투과부(332)보다 광 투과율이 높은 제 2 반 투과부(334)를 형성함으로써, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 종래 차단부(310)와 반 투과부(330) 사이에 모호한 경계를 이루며 형성되는 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다. Therefore, by forming the second semi-transmissive portion 334 having a higher light transmittance than the first semi-transmissive portion 332 between the blocking portion 310 and the first semi-transmissive portion 332, as shown in FIGS. 8A and 8B. Likewise, the profile of the photoresist pattern formed by forming an obscure boundary between the conventional blocking part 310 and the semi-transmissive part 330 may be improved.

여기서, 도 8a는 종래 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이고, 도 8b는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이다.8A is a diagram illustrating a profile of a conventional photoresist pattern, and FIG. 8B is a diagram illustrating a profile of a photoresist pattern according to the present invention.

이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transflective mask according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9.

먼저, 본 발명에 따른 제 1 마스크 공정을 통해 기판(302)상에 광을 차단시키는 차단부(310)를 형성한다.First, a blocking part 310 for blocking light is formed on the substrate 302 through a first mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(302)상에 PECVD 등의 증착 공정을 통해 크롬(Cr) 등으로 구성된 광 차단 물질을 전면 증착시킨다. In more detail, a light blocking material made of chromium (Cr) or the like is deposited on the substrate 302 through a deposition process such as PECVD.

이후, 광 차단 물질 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 기판(302)상에 증착된 광 차단 물질 중에서 차단부가 형성될 영역을 덮는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, the photoresist is entirely coated on the light blocking material, and then a photolithography process using a first mask is performed to form a photoresist pattern covering the region where the blocking portion is to be formed among the light blocking materials deposited on the substrate 302. do.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 광 차단 물질을 애칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 도 9a에 도시된 바와 같이, 외부로부터 입사되 는 입사광을 차단시키는 동시에 반 투과부(330)가 형성될 영역을 구획하는 차단부(310)를 형성한다.At this time, by ashing the photoresist pattern remaining after nicking the light blocking material exposed by the photoresist pattern, as shown in FIG. 9A, the semi-transmissive portion 330 is formed while blocking incident light incident from the outside. A blocking part 310 is formed to partition an area to be formed.

상술한 바와 같이 기판상에 차단부를 형성한 후, 본 발명에 따른 제 2 마스크 공정을 통해 상이한 광 투과율을 갖는 제 1 및 제 2 반투과부(332, 334)로 구성된 반 투과부(330)를 형성한다.After the blocking portion is formed on the substrate as described above, the semi-transmissive portion 330 composed of the first and second transflective portions 332 and 334 having different light transmittances is formed through the second mask process according to the present invention. .

이를 보다 구체적으로 설명하면, 도 9b에 도시된 바와 같이, 차단부(310)가 형성된 기판(302)상에 크롬 옥사이드 등의 반 투과 물질로 구성된 제 1 반 투과부(332)를 형성한다.More specifically, as shown in FIG. 9B, the first semi-transmissive portion 332 made of a semi-transmissive material such as chromium oxide is formed on the substrate 302 on which the blocking portion 310 is formed.

이후, 제 1 반 투과부(332)가 형성된 기판(302)상에 포토레지스트를 형성한 후 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 제 1 반 투과부(332) 중에서 제 2 반 투과부(334)가 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, after forming the photoresist on the substrate 302 on which the first semi-transmissive portion 332 is formed, the second semi-transmissive portion 334 of the first semi-transmissive portion 332 is performed by performing a photolithography process using a second mask. A photoresist pattern is formed to expose the region to be formed.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제 1 반 투과부(332)를 에칭한 후, 제 1 반 투과부(332)와 비교하여 높은 광 투과율을 갖는 제 2 반 투과부(334)를 전면 형성한다.At this time, after etching the first semi-transmissive portion 332 exposed by the photoresist pattern, the second semi-transmissive portion 334 having a high light transmittance is formed on the entire surface as compared with the first semi-transmissive portion 332.

이후, 리프트 오프 공정을 통해 포토레지스트 패턴 및 그 위에 형성된 제 2 반 투과부(334)를 동시에 제거함으로써, 도 9d에 도시된 바와 같이, 제 1 반 투과부(332) 및 이와 비교하여 높은 광 투과율을 갖는 제 2 반 투과부(334)로 구성된 반 투과부(330)를 형성한다.Thereafter, the photoresist pattern and the second semi-transmissive portion 334 formed thereon are simultaneously removed through a lift-off process, so that the first semi-transmissive portion 332 has a high light transmittance in comparison with that shown in FIG. 9D. The semi-transmissive portion 330 composed of the second semi-transmissive portions 334 is formed.

상술한 바와 같이 기판상에 반 투과부를 형성한 후, 도 9e에 도시된 바와 같 이, 본 발명에 따른 제 3 마스크 공정을 통해 외부로부터 입사되는 입사광을 전부 투과시키는 투과부(350)를 형성한다.After forming the semi-transmissive portion on the substrate as described above, as shown in Figure 9e, through the third mask process according to the present invention to form a transmissive portion 350 for transmitting all incident light incident from the outside.

이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크의 구조에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the transflective mask according to the third embodiment of the present invention will be described in detail.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크(400)는 기판(402)상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부(10), 차단부(510)에 의해 구획된 영역에 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부(530), 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부 및 차단부와 반 투과부 사이에 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 슬릿 패턴(470)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 10, the transflective mask 400 according to the third exemplary embodiment of the present invention is formed on a substrate 402 and is divided by a blocking part 10 and a blocking part 510 that block incident light. And a semi-transmissive portion 530 formed at the upper portion of the incident light, a transmissive portion transmitting all the incident light, and a slit pattern 470 formed between the blocking portion and the semi-transmissive portion and transmitting a portion of the incident light.

여기서, 차단부(410)는 외부로부터 입사되는 입사광을 차단시킬 수 있는 광 차단 물질, 예를 들면 크롬(Cr) 등과 같은 불투명 금속으로 구성된다.Here, the blocking unit 410 is made of an opaque metal such as a light blocking material that can block incident light incident from the outside, for example, chromium (Cr).

반 투과부(430)는 입사광 중 일부를 투과시키는 반 투과성 물질인 크롬 옥사이드 등으로 구성되며, 차단부(410)가 형성된 기판(402)상에 전면 형성되거나 또는 차단부(410)에 의해 구획된 영역에 형성된다.The semi-transmissive portion 430 is composed of chromium oxide, which is a semi-transmissive material that transmits a part of incident light, and is formed on the substrate 402 on which the blocking portion 410 is formed, or is divided by the blocking portion 410. Is formed.

슬릿 패턴(470)은 차단부(410)와 반 투과부(430) 사이에 위치하며 입사광의 일부를 투과시키는 역할을 수행한다. 이때, 슬릿 패턴(470)은 차단부(410)와 동일한 물질로 구성되는 동시에 반 투과부(430)와 비교하여 높은 광 투과율을 갖는다.The slit pattern 470 is positioned between the blocking part 410 and the semi-transmissive part 430 to transmit a part of incident light. In this case, the slit pattern 470 is made of the same material as the blocking portion 410 and has a high light transmittance compared with the semi-transmissive portion 430.

상술한 바와 같이 차단부와 반 투과부 사이에 슬릿 패턴을 형성함으로써, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 종래 차단부(410)와 반 투과부(430) 사이에 모호한 경계를 이루며 형성되는 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다.By forming a slit pattern between the blocking portion and the semi-transmissive portion as described above, as shown in FIGS. 11A and 11B, a photoresist formed with an obscure boundary between the conventional blocking portion 410 and the semi-transmissive portion 430. The profile of the pattern can be improved.

여기서, 도 11a는 종래 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이고, 도 11b는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이다. Here, FIG. 11A illustrates a profile of a conventional photoresist pattern, and FIG. 11B illustrates a profile of a photoresist pattern according to the present invention.

이하, 도 12를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transflective mask according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12.

먼저, 본 발명에 따른 제 1 마스크 공정을 통해 기판상에 광을 차단시키는 차단부를 형성한다.First, a blocking portion for blocking light is formed on a substrate through a first mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(402)상에 PECVD 등의 증착 공정을 통해 크롬(Cr) 등으로 구성된 광 차단 물질을 전면 증착시킨다. In more detail, a light blocking material made of chromium (Cr) or the like is entirely deposited on the substrate 402 through a deposition process such as PECVD.

이후, 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 도 12a에 도시된 바와 같이, 기판(402) 상에 입사광을 차단시키는 차단부(410)를 형성한다Subsequently, a photolithography process using a first mask is performed after the entire surface of the photoresist is applied to form a blocking portion 410 that blocks incident light on the substrate 402 as illustrated in FIG. 12A.

상술한 바와 같이 기판(402)상에 차단부(410)를 형성한 후, 도 12b에 도시된 바와 같이, 차단부(410)가 형성된 기판(402)상에 크롬 옥사이드 등의 반 투과 물질로 구성된 반 투과부(430)를 형성한다. After the blocking portion 410 is formed on the substrate 402 as described above, as shown in FIG. 12B, a semi-transparent material such as chromium oxide is formed on the substrate 402 on which the blocking portion 410 is formed. The semi-transmissive portion 430 is formed.

여기서, 반 투과부(430)는 차단부(410)가 형성된 기판(402)상에 전면 형성되거나 또는 차단부(410)에 의해 구획된 영역에만 형성된다. Here, the semi-transmissive portion 430 is formed entirely on the substrate 402 on which the blocking portion 410 is formed or is formed only in an area partitioned by the blocking portion 410.

이후, 반 투과부(430)가 형성된 기판(402)상에 포토레지스트를 형성한 후 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 반 투과부(430) 중에서 슬릿 패턴(470)이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Subsequently, after the photoresist is formed on the substrate 402 on which the semi-transmissive portion 430 is formed, a photolithography process using a second mask is performed to expose a region where the slit pattern 470 is to be formed in the semi-transmissive portion 430. A photoresist pattern is formed.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 반 투과부(430)를 에칭함으로써, 도 12c에 도시된 바와 같이, 반 투과부(430) 중에서 슬릿 패턴이 형성될 영역을 오픈시킨다.At this time, by etching the semi-transmissive portion 430 exposed by the photoresist pattern, as shown in FIG.

이후, 기판상에 차단부와 동일한 광차단 물질을 도포한 후 제 4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 도 12d에 도시된 바와 같이, 차단부와 반 투과부 사이에 입사광을 일부 투과시키는 슬릿패턴(470)을 형성한다.Then, by applying the same light blocking material as the blocking portion on the substrate and performing a photolithography process using a fourth mask, as shown in Figure 12d, the slit pattern for partially transmitting the incident light between the blocking portion and the semi-transmissive portion 470 is formed.

여기서, 슬릿 패턴(370)은 차단부(410)와 반 투과부(430) 사이에 위치하는 동시에 반 투과부(430)보다 광 투과율이 높게 형성됨에 따라, 종래 차단부(410)와 반 투과부(430) 사이에 모호한 경계를 이루며 형성되는 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다. Here, the slit pattern 370 is located between the blocking portion 410 and the semi-transmissive portion 430 and at the same time has a higher light transmittance than the semi-transmissive portion 430, thus the conventional blocking portion 410 and the semi-transmissive portion 430 It is possible to improve the profile of the photoresist pattern formed with an ambiguous boundary therebetween.

상술한 바와 같이 반 투과부를 형성한 후, 도 12e에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 3 마스크 공정을 통해 입사광을 전부 투과시키는 투과부(450)를 최종적으로 형성한다. After forming the semi-transmissive portion as described above, as shown in Figure 12e, through the third mask process according to the present invention finally forms a transmissive portion 450 for transmitting all the incident light.

이하, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크의 구조에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the transflective mask according to the fourth embodiment of the present invention will be described in detail.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크(500)는, 기판(502)상에 형성되며 입사광을 차단하는 차단부(510), 차단부(510)와 소정 간극(570)을 사이에 두고 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부(530) 및 상기 입사광를 전부 투과시키는 투과부(550)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 13, a semi-transmissive mask 500 according to a fourth embodiment of the present invention is formed on a substrate 502 and blocks a incident portion 510, a blocking portion 510, and a predetermined gap ( A semi-transmissive portion 530 is formed between the 570 and transmits a part of the incident light, and is configured to include a transmissive portion 550 that transmits all of the incident light.

여기서, 차단부(510)는 외부로부터 입사되는 입사광을 차단시킬 수 있는 광 차단 물질, 예를 들면 크롬(Cr) 등과 같은 불투명 금속으로 구성된다. Here, the blocking unit 510 is made of an opaque metal such as a light blocking material that can block incident light incident from the outside, for example, chromium (Cr).

반 투과부(530)는 외부로부터 입사되는 입사광 중 일부를 투과시키는 크롬 옥사이드 등의 반 투과성 물질로 구성되며, 차단부(510)가 형성된 기판(502)상에 전면 형성되거나 또는 차단부(510)에 의해 구획된 영역에 형성된다.The semi-transmissive portion 530 is made of a semi-transmissive material such as chromium oxide that transmits some of the incident light incident from the outside, and is formed on the entire surface of the substrate 502 on which the blocking portion 510 is formed, or on the blocking portion 510. It is formed in the area partitioned by.

이때, 반 투과부(530)는 차단부(510)와 소정 간극(570)을 사이에 두고 형성됨에 따라, 상기 간극(570)을 통해 반 투과부(530)와 비교하여 더 많은 입사광이 투과된다. In this case, the semi-transmissive portion 530 is formed with the blocking portion 510 and the predetermined gap 570 therebetween, so that more incident light is transmitted through the gap 570 than the semi-transmissive portion 530.

상술한 바와 같이, 반 투과부(530)가 소정 간극(570)을 사이에 두고 차단부(510)와 인접되게 형성됨으로써, 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 종래 차단부와 반 투과부 사이에 모호한 경계를 이루며 형성되는 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다.As described above, the semi-transmissive portion 530 is formed adjacent to the blocking portion 510 with a predetermined gap 570 therebetween, and thus, as shown in FIGS. 14A and 14B, between the conventional blocking portion and the semi-transparent portion. It is possible to improve the profile of the photoresist pattern formed with obscure boundaries.

여기서, 도 14a는 종래 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이고, 도 14b는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 프로파일을 도시한 도면이다.Here, FIG. 14A illustrates a profile of a conventional photoresist pattern, and FIG. 14B illustrates a profile of a photoresist pattern according to the present invention.

이하, 도 15를 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과 마스크의 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a transflective mask according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15.

먼저, 본 발명에 따른 제 1 마스크 공정을 통해 기판상에 광을 차단시키는 차단부를 형성한다.First, a blocking portion for blocking light is formed on a substrate through a first mask process according to the present invention.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(502)상에 PECVD 등의 증착 공정을 통해 크롬(Cr) 등으로 구성된 광 차단 물질을 전면 증착시킨다. In more detail, a light blocking material made of chromium (Cr) or the like is deposited on the entire surface of the substrate 502 through a deposition process such as PECVD.

이후, 광 차단 물질 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 기판상에 증착된 광 차단 물질 중에서 차단부를 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, the photoresist is entirely coated on the light blocking material, and then a photolithography process using the first mask is performed to form a photoresist pattern exposing the remaining regions except for the blocking portion among the light blocking materials deposited on the substrate.

이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 광 차단 물질을 애칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 도 15a에 도시된 바와 같이, 입사광을 차단시키는 차단부(510)를 형성한다.At this time, by etching the light blocking material exposed by the photoresist pattern, the remaining photoresist pattern is ashed to form a blocking part 510 for blocking incident light, as shown in FIG. 15A.

상술한 바와 같이 기판상에 차단부(510)를 형성한 후, 본 발명에 따른 제 2 마스크 공정을 통해 차단부와 소정 간극(570)을 사이에 두고 형성되며 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부(530)를 형성한다.As described above, after the blocking portion 510 is formed on the substrate, a semi-transmissive portion formed between the blocking portion and the predetermined gap 570 through the second mask process according to the present invention and transmitting a part of incident light ( 530 is formed.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 도 15b에 도시된 바와 같이, 차단부(510)가 형성된 기판(502)상에 크롬 옥사이드 등의 반 투과 물질로 구성된 반 투과부(530)를 형성한다.More specifically, as shown in FIG. 15B, the semi-transmissive portion 530 formed of a semi-transmissive material such as chromium oxide is formed on the substrate 502 on which the blocking portion 510 is formed.

여기서, 반 투과부(530)는 차단부(510)가 형성된 기판(502)상에 전면 형성되거나 또는 차단부(510)에 의해 구획된 영역에만 형성된다. Here, the semi-transmissive portion 530 is formed entirely on the substrate 502 on which the blocking portion 510 is formed or is formed only in an area partitioned by the blocking portion 510.

이후, 포토레지스트를 형성한 후 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 도 15c에 도시된 바와 같이, 차단부와 반 투과부 사이에 입사광을 투과시키는 간극(570)을 형성한다.Thereafter, after forming the photoresist, a photolithography process using the second mask is performed to form a gap 570 that transmits incident light between the blocking portion and the semi-transmissive portion, as shown in FIG. 15C.

상술한 바와 같이 소정 간극(570)이 차단부(510)와 반 투과부(530) 사이에 형성됨에 따라, 종래 차단부(510)와 반 투과부(530) 사이에 모호한 경계를 이루며 형성되는 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다.As described above, as the predetermined gap 570 is formed between the blocking portion 510 and the semi-transmissive portion 530, a photoresist pattern is formed at an obscure boundary between the conventional blocking portion 510 and the semi-transmissive portion 530. Can improve the profile.

이후, 도 15d에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 3 마스크 공정을 통해 입사광을 전부 투과시키는 투과부(550)를 최종적으로 형성한다.  Thereafter, as illustrated in FIG. 15D, a transmissive part 550 through which the incident light is completely transmitted is finally formed through the third mask process according to the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명은 반투과 마스크에 에 회절패턴을 형성함으로써, 포토레지스트 패턴의 하프톤 영역에 발생되는 단차를 제거할 수 있다는 효과를 갖는다.As described above, the present invention has the effect that the step generated in the halftone region of the photoresist pattern can be removed by forming a diffraction pattern on the semi-transmissive mask.

또한, 본 발명은 반투과 마스크에 입사광의 투과율을 조절할 수 있는 투과율 조절수단을 형성함으로써, 포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선할 수 있다는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of improving the profile of the photoresist pattern by forming a transmittance adjusting means for adjusting the transmittance of incident light in the semi-transmissive mask.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (22)

기판;Board; 상기 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부;A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴이 형성된 반 투과부; 및 A semi-transmissive part formed in a region partitioned by the blocking part and having a slit pattern for adjusting the transmittance of the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크.A semi-transmissive mask comprising a transmission portion for transmitting all the incident light. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿 패턴은 상기 반 투과부와 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크.The slit pattern is a semi-transmissive mask, characterized in that formed of the same material as the transflective portion. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크.The transmittance of the region in which the slit pattern is formed is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion. 기판;Board; 상기 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부;A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광에 대해 상이한 투 과율을 갖는 제 1 및 제 2 반 투과부로 구성된 반 투과부; 및 A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and composed of first and second semi-transmissive portions having different transmittances for the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크.A semi-transmissive mask comprising a transmission portion for transmitting all the incident light. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2 반 투과부의 투과율은 상기 제 1 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크. And a transmittance of the second semi-transmissive portion is higher than that of the first semi-transmissive portion. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 제 2 반 투과부는 상기 차단부와 상기 제 1 반 투과부 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크.And the second semi-transmissive portion is positioned between the blocking portion and the first semi-transmissive portion. 기판;Board; 상기 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부;A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부; A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and transmitting a portion of the incident light; 상기 차단부와 상기 반 투과부 사이에 형성되며 상기 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴; 및 A slit pattern formed between the blocking portion and the semi-transmissive portion to adjust the transmittance of the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크.Semi-transmissive mask comprising a transmission portion for transmitting all the incident light. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 슬릿 패턴은 상기 차단부와 동일 물질을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크. The slit pattern is a semi-transmissive mask, characterized in that comprising the same material as the blocking portion. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반투과 마스크.The transflective mask of the area | region in which the said slit pattern was formed is higher than the transmittance | permeability of the said semi-transmissive part. 기판;Board; 상기 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부;A blocking unit formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 차단부와 소정 간극을 사이에 두고 형성되는 반 투과부; 및 A semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and formed with the blocking portion and a predetermined gap therebetween; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크.Semi-transmissive mask comprising a transmission portion for transmitting all the incident light. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 간극이 형성된 영역의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반투과 마스크.The transflective mask of the said area | region in which the said gap was formed is higher than the transmittance | permeability of the said semi-transmissive part. 기판상에 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계;Forming a blocking portion for blocking incident light on the substrate; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴이 형성된 반 투과부를 형성하는 단계; 및 Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and having a slit pattern for controlling transmittance of the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법.Forming a transmissive portion for transmitting all the incident light, characterized in that it comprises a semi-transparent mask manufacturing method. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 슬릿 패턴은 상기 반 투과부와 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크의 제조방법.The slit pattern is a method of manufacturing a transflective mask, characterized in that formed with the same material as the transflective portion. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법.The transmittance of the region in which the slit pattern is formed is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion manufacturing method of the semi-transmissive mask. 기판상에 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계;Forming a blocking portion for blocking incident light on the substrate; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광에 대해 상이한 투과율을 갖는 제 1 및 제 2 반 투과부로 구성된 반 투과부를 형성하는 단계; 및 Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and composed of first and second semi-transmissive portions having different transmittances for the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법.Forming a transmissive portion for transmitting all the incident light, characterized in that it comprises a semi-transparent mask manufacturing method. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 2 반 투과부의 투과율은 상기 제 1 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법. The transmittance of the second semi-transmissive portion is higher than the transmittance of the first semi-transmissive portion. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제 2 반 투과부는 상기 차단부와 상기 제 1 반 투과부 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법.And the second semi-transmissive portion is positioned between the blocking portion and the first semi-transmissive portion. 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계;Forming a blocking portion formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 입사광의 일부를 투과시키는 반 투과부를 형성하는 단계; Forming a semi-transmissive portion formed in a region partitioned by the blocking portion and transmitting a portion of the incident light; 상기 차단부와 상기 반 투과부 사이에 형성되며 상기 입사광의 투과율을 조절하는 슬릿 패턴을 형성하는 단계; 및 Forming a slit pattern formed between the blocking portion and the semi-transmissive portion to adjust the transmittance of the incident light; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크의 제조방법.Forming a transmissive portion for transmitting all the incident light, characterized in that it comprises a translucent mask manufacturing method. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 슬릿 패턴은 상기 차단부와 동일 물질을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반 투과 마스크의 제조방법. The slit pattern is a method of manufacturing a semi-transmissive mask characterized in that it comprises the same material as the blocking portion. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 슬릿 패턴이 형성된 영역의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반투과 마스크의 제조방법.The transmittance of the region in which the slit pattern is formed is a method of manufacturing a transflective mask, characterized in that higher than the transmittance of the semi-transmissive portion. 기판상에 형성되며 입사광을 차단시키는 차단부를 형성하는 단계;Forming a blocking portion formed on the substrate and blocking incident light; 상기 차단부에 의해 구획된 영역에 형성되며 상기 차단부와 소정 간극을 사이에 두고 형성되는 반 투과부를 형성하는 단계; 및 Forming a semi-transmissive portion formed in an area partitioned by the blocking portion and formed with the blocking portion and a predetermined gap therebetween; And 상기 입사광을 전부 투과시키는 투과부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과 마스크의 제조방법.Forming a transmissive portion for transmitting all the incident light, characterized in that it comprises a translucent mask manufacturing method. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 간극의 투과율은 상기 반 투과부의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 반투과 마스크의 제조방법.The transmittance of the gap is higher than the transmittance of the semi-transmissive portion manufacturing method of the semi-transmissive mask.
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