KR20080050951A - Electrochemical gas sensor chip and method for preparing the same - Google Patents

Electrochemical gas sensor chip and method for preparing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20080050951A
KR20080050951A KR1020070059266A KR20070059266A KR20080050951A KR 20080050951 A KR20080050951 A KR 20080050951A KR 1020070059266 A KR1020070059266 A KR 1020070059266A KR 20070059266 A KR20070059266 A KR 20070059266A KR 20080050951 A KR20080050951 A KR 20080050951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
gas sensor
substrate
sensor chip
solid electrolyte
Prior art date
Application number
KR1020070059266A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100948893B1 (en
Inventor
문승언
김은경
이홍열
박종혁
박강호
김종대
민석홍
정병길
하승철
Original Assignee
한국전자통신연구원
(주)센코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원, (주)센코 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to US11/944,232 priority Critical patent/US20080128285A1/en
Publication of KR20080050951A publication Critical patent/KR20080050951A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100948893B1 publication Critical patent/KR100948893B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4073Composition or fabrication of the solid electrolyte
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/404Cells with anode, cathode and cell electrolyte on the same side of a permeable membrane which separates them from the sample fluid, e.g. Clark-type oxygen sensors
    • G01N27/4045Cells with anode, cathode and cell electrolyte on the same side of a permeable membrane which separates them from the sample fluid, e.g. Clark-type oxygen sensors for gases other than oxygen
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4073Composition or fabrication of the solid electrolyte
    • G01N27/4074Composition or fabrication of the solid electrolyte for detection of gases other than oxygen
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4075Composition or fabrication of the electrodes and coatings thereon, e.g. catalysts

Abstract

An electrochemical gas sensor chip adapted to a portable terminal and a method for preparing the sensor chip to make a compact sensor without using a liquid such as liquid electrolyte are provided. An electrochemical gas sensor chip(100) includes a substrate(101), an electrode, a solid electrolyte layer(106), and a hydrophobic micro-porous membrane(107). The electrode is patterned on the substrate. The solid electrolyte layer having proton conductivity is formed on the substrate with the patterned electrode. The hydrophobic micro-porous membrane is formed on the solid electrolyte layer. The substrate is formed of one selected from a group consisting of silicon, polycarbonate, quartz, GaAs, InP, and glass. In the patterned electrode, a working electrode(103), a counter electrode(104), and a reference electrode(105) are formed on the same surface of the substrate.

Description

전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조 방법{Electrochemical Gas Sensor Chip and Method for Preparing the Same}Electrochemical Gas Sensor Chip and Method for Preparing the Same

도 1은 종래 액체전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 도면이다.1 is a diagram of an electrochemical gas sensor using a conventional liquid electrolyte.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 고체전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 칩의 평면도이다.2 is a plan view of an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고체전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 칩의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 칩의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10... 가스 센서 11... 다공성 멤브레인10 ... gas sensor 11 ... porous membrane

12... 반응 전극 13... 분리막12 ... reaction electrode 13 ... membrane

14... 기준 전극 15... 상대 전극14 ... reference electrode 15 ... counter electrode

16... 액체 전해질 100...가스 센서 칩16 ... liquid electrolyte 100 ... gas sensor chip

101... 기판 102... 절연막101 ... substrate 102 ... insulating layer

103... 반응 전극 104... 상대 전극103 ... reaction electrode 104 ... counter electrode

105... 기준 전극 106... 고체 전해질막105 ... reference electrode 106 ... solid electrolyte membrane

107... 소수성 마이크로다공성 멤브레인107 ... Hydrophobic Microporous Membrane

본 발명은 전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이고, 보다 상세하게는 고체 전해질을 사용한 전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrochemical gas sensor chip and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte and a method for manufacturing the same.

가스 센서는 자동차 산업, 환경 산업, 식음료 산업, 로봇 산업 등 다양한 분야에서 요구되고 있으며 여러 기술들이 이의 응용으로 많이 연구되고 있다.Gas sensors are required in various fields such as the automotive industry, the environmental industry, the food and beverage industry, and the robotics industry, and various technologies have been studied for their applications.

산화성 가스 또는 환원성 가스와의 접촉을 통해 산화물 반도체의 전도성 변화를 이용한 반도체식 가스센서는 지금 상용화된 제품이 나오고 있지만 가스 감지를 위한 산화물 반도체의 작동 온도가 높아 히터를 필요로 하는데 히터의 전력 소모가 큰 경우 휴대형으로 쓰기엔 아직 기술의 한계가 있다.The semiconductor gas sensor using the change of conductivity of oxide semiconductor through contact with oxidizing gas or reducing gas is now commercially available, but it requires a heater because the operating temperature of oxide semiconductor for gas detection is high. If it is large, there is still a limitation of technology to use as a portable device.

감지가스를 통과한 적외선 스펙트럼의 변화를 통해 가스의 종류를 판별하는 광학식 가스센서의 경우에도 현재 상용화된 제품이 나오고 있지만 적외선 광원이나 감지기의 소형화의 한계와 소모 전력의 과다 문제, 감지 성능을 높이기 위해 요구되는 긴 광경로로 인한 소형화의 한계 등의 문제점으로 인해 휴대형으로 쓰기엔 부적합하다.The optical gas sensor that discriminates the type of gas through the change of the infrared spectrum passing through the sensing gas is now commercially available, but the limit of miniaturization of the infrared light source or the sensor, the excessive power consumption problem, and the improvement of the detection performance Due to the problems of miniaturization due to the long light path required, it is not suitable for portable use.

또 다른 방식을 이용한 가스 센서가 전기화학식 가스센서인데, 현재 상용화되는 도 1의 전기화학식 가스센서(10)의 경우, 가스 유입구를 통해 확산 유입된 가스들이 다공성 멤브레인(11)을 통해 유입되고, 다시 유입된 가스들은 다공성 멤브레인에 형성되어 있는 반응전극(12)의 촉매성 전극 물질에서 각 유독 가스 별로 하기 반응식 1 내지 4와 같은 반응에 의해 프로톤 이온과 전자를 형성하게 된다.The gas sensor using another method is an electrochemical gas sensor. In the electrochemical gas sensor 10 of FIG. 1, which is currently commercialized, the gas diffused through the gas inlet is introduced through the porous membrane 11, and again. The introduced gases form proton ions and electrons in the catalytic electrode material of the reaction electrode 12 formed on the porous membrane by reactions such as the following Schemes 1 to 4 for each toxic gas.

오존(O3) 가스 센서Ozone (O 3 ) Gas Sensor

반응 전극(Working Electrode) O3 + 2e- + 2H+ → O2 + H2OReaction electrode (Working Electrode) O 3 + 2e - + 2H + → O 2 + H 2 O

상대 전극(Counter Electrode) 2H2O → O2 + 4H+ + 4e- Counter Electrode 2H 2 O → O 2 + 4H + + 4e -

일산화탄소(CO) 가스 센서Carbon Monoxide (CO) Gas Sensor

반응 전극 CO + H2O → CO2 + 2H+ + 2e Reaction electrode CO + H 2 O → CO 2 + 2H + + 2e

상대 전극 2H+ + 2e- + 1/2O2 → H2OA counter electrode 2H + + 2e - + 1 / 2O 2 → H 2 O

이산화질소(NO2) 가스 센서Nitrogen Dioxide (NO 2 ) Gas Sensor

반응 전극 NO2 + 2H+ + 2e- →NO + H2OReaction electrode NO 2 + 2H + + 2e - → NO + H 2 O

상대 전극 H2O → 2H+ + 2e- + 1/2O2 A counter electrode H 2 O → 2H + + 2e - + 1 / 2O 2

이산화황(SO2) 가스 센서Sulfur dioxide (SO 2 ) gas sensor

반응 전극 SO2 + H2O → SO4 2 - + 4H+ + 2e- Electrode reaction SO 2 + H 2 O → SO 4 2 - + 4H + + 2e -

상대 전극 2H+ + 2e- + 1/2O2 → H2OA counter electrode 2H + + 2e - + 1 / 2O 2 → H 2 O

형성된 전자는 집전체(current collector)를 통해 상대 전극으로 이동이 되며, 형성된 프로톤 이온은 전해질을 통해 상대 전극으로 이동하여 상기와 같은 반응식에 의해 물을 형성하게 되면서 전류를 형성하게 된다. 이때 형성된 전류가 외부에 존재하는 가스의 농도에 비례하므로 전류 감지를 통해 가스 농도를 판단하는 것이다. 유입구 아래의 다공성 멤브레인은 외부에서 센서 내부로 가스는 유입되고 내부의 전해액은 밖으로 새어 나가지 못하게 하는 역할을 하며 더불어 외부에서 유입되는 가스의 양을 결정지어 준다. 더불어 다공성 멤브레인은 촉매특성이 우수한 귀금속 전극 물질로 반응 전극을 형성하기 위한 기판으로도 사용된다. 반응 전극 아래에 분리막이 존재하는데 이는 전해질에 충분히 적셔져 있으며, 반응 전극이 아래의 상대 전극이나 기준 전극과 이온을 통해서만이 전류가 흐를 수 있도록 하는 역할을 한다.The formed electrons are moved to the counter electrode through the current collector, and the proton ions are transferred to the counter electrode through the electrolyte to form water by forming the water by the reaction scheme as described above. At this time, since the current formed is proportional to the concentration of the gas present in the outside, the gas concentration is determined by detecting the current. The porous membrane below the inlet serves to prevent gas from entering the inside of the sensor from outside and leaks out of the electrolyte, and determines the amount of gas coming from outside. In addition, the porous membrane is a precious metal electrode material having excellent catalytic properties and is also used as a substrate for forming a reaction electrode. There is a separator under the reaction electrode, which is sufficiently wetted in the electrolyte, and the reaction electrode serves to ensure that current flows only through the counter electrode or the reference electrode and the ions below.

그 아래 형성된 상대 전극은 반응 전극에서 형성되어 전해질을 통해 이동해온 프로톤 이온과 외부 회로를 통해 반응 전극에서 상대 전극으로 이동해온 전자가 반응 할 수 있게 하는 역할을 하며, 기준 전극은 반응 전극이 일정한 전위를 유지 할 수 있도록 하는 역할을 한다. 센서 내부에 충전되어 있는 전해질은 액체 상태로 이온 전도성이 우수한 산/염기 용액을 사용하게 된다. The counter electrode formed below serves to react between the proton ions formed in the reaction electrode and the electrons moving from the reaction electrode to the counter electrode through an external circuit, and the reference electrode is a constant potential. Serves to help maintain. The electrolyte filled inside the sensor uses an acid / base solution having excellent ion conductivity in a liquid state.

각 가스별로 선택적 감지 특성을 위해서는 전극과 전해액의 종류를 달리하며 또 기준 전극과 반응 전극 사이에 가해주는 전압을 변화시키는 것이 필요하다.For selective sensing characteristics of each gas, it is necessary to change the type of electrode and electrolyte and to change the voltage applied between the reference electrode and the reaction electrode.

이와 같이 기존의 전기화학식 가스센서의 경우 반도체식이나 광학식에 비해 상온 작동 방식이고 광원 등이 필요치 않으므로 전력 소모가 적으나 내부에 충전되어 있는 액체 상태의 전해질로 인하여 상용화된 제품의 경우에도 크고 사용되는 액체 전해질이 강산이 많아 안전성 등의 문제점이 있어 휴대폰과 같은 휴대용 기기 내에 탑재하기에는 크기와 안전성 면에서 어려움이 있다.As such, the conventional electrochemical gas sensor uses a room temperature operation method and does not require a light source, compared to a semiconductor or optical type, and thus consumes less power. The liquid electrolyte has a strong acid, so there are problems such as safety, so that it is difficult in size and safety to be mounted in a portable device such as a mobile phone.

이에 따라, 액체 전해질 대신 고체 전해질을 이용하려는 많은 시도가 있어왔다.Accordingly, many attempts have been made to use solid electrolytes instead of liquid electrolytes.

Yamazoe et al.의 미국특허 제4,718,991호에서는 프로톤 전도성이 우수한 고분자막을 전해질로 하여 한쪽면에 반응 전극 그리고 반대쪽에 상대 전극과 기준 전극을 형성한 구조를 제안한 바 있다. 그러나 이와 같은 구조의 경우 프로톤 전도성이 우수한 고분자막의 양면에 전극이 형성되어 있는 구조로 어느 정도 소형화는 가능하지만 칩화하여 구동회로와 집적하는 데에는 어려움이 있다. US Pat. No. 4,718,991 to Yamazoe et al. Has proposed a structure in which a reaction electrode is formed on one side and a counter electrode and a reference electrode are formed on one side using a polymer membrane having excellent proton conductivity as an electrolyte. However, in the case of such a structure, electrodes are formed on both sides of a polymer film having excellent proton conductivity, and although it is possible to miniaturize to some extent, there is a difficulty in integrating the chip into a driving circuit.

전기화학식 가스센서의 경우 가스들에 대한 반응 특성 (예를 들어 몇 ppm 의 농도에서 output이 얼마다)과 외부 온도 습도와 같은 환경변화에 대한 센서의 특성 등의 자체 고유 특성에 대한 데이터가 센서를 구동하기 위해 연결된 마이크로 프로 세서에 내장되어 있어야 정상적으로 동작할 수 있는 제품이 된다. 따라서 실제 모든 전기화학식 가스센서 기기의 경우 센서에 대한 특성을 입력하여 정상적으로 동작할 수 있도록 마이크로 프로세서가 내장되어 있다. 그러나 현재의 가스센서는 구조상 구동에 필요한 부품들과 함께 하나의 보드에 집적할 수 없으며 이와 같은 문제를 해결하기 위해서는 칩 형태의 센서가 개발되어야 한다.In the case of an electrochemical gas sensor, data on its own characteristics, such as the response to gases (e.g. the output at several ppm concentrations) and the sensor's response to environmental changes such as external temperature and humidity, may be used. In order to operate, it must be embedded in the connected microprocessor to be able to operate normally. Therefore, in the case of practically all electrochemical gas sensor devices, a microprocessor is built in such a way that the characteristics of the sensor can be input and operate normally. However, current gas sensors cannot be integrated into one board together with components necessary for driving in structure, and a chip-type sensor must be developed to solve such a problem.

Shen et al.의 미국특허 제6,896,781호에서 위의 구조에서 소수성 멤브레인을 상하에 부착하여 이온은 통과를 못하고 가스나 수분만 통과하는 구조를 제안한 바 있다. 그러나 이와 같은 구조의 경우 전기화학식 방식의 가스 센서 특성상 주위 수분의 농도에 따라 전해질의 프로톤 전도도가 달라져 감지된 가스의 실제 농도에 오차로 작용할 수 있다. In US Pat. No. 6,896,781 to Shen et al., A hydrophobic membrane is attached to the top and bottom in the above structure, and a structure in which ions do not pass but only gas or moisture passes. However, in the case of such a structure, the proton conductivity of the electrolyte varies depending on the concentration of the surrounding moisture due to the characteristics of the gas sensor of the electrochemical method, which may act as an error in the actual concentration of the detected gas.

이에 본 발명자들은 칩 형태의 전기화학식 가스 센서에 대한 연구를 진행하면서, 기판상에 반도체 공정을 이용하여 전기화학식 방식의 가스 센서를 구현하여 칩형태로 제작하고, 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 사용하는 경우 초소형 구조와 대면적 공정을 가능하게 할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.Therefore, the present inventors proceeded to study the electrochemical gas sensor in the form of a chip, to implement the electrochemical gas sensor using a semiconductor process on the substrate to manufacture in the form of a chip, using a hydrophobic microporous membrane The present invention has been accomplished by discovering that it can enable microminiature structures and large area processes.

따라서, 본 발명의 첫 번째 기술적 과제는 초소형 구조와 대면적 공정이 가능한 전기화학식 가스 센서 칩을 제공하는 것이다.Accordingly, the first technical problem of the present invention is to provide an electrochemical gas sensor chip capable of a very small structure and a large area process.

또한, 본 발명의 또 다른 기술적 과제는 초소형 구조와 대면적 공정이 가능한 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, another technical problem of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrochemical gas sensor chip capable of a very compact structure and a large area process.

상기 첫 번째 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 In order to achieve the first technical problem, the present invention

기판;Board;

상기 기판 상에 패턴화되어 형성된 전극;An electrode patterned on the substrate;

상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판 상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막; 및A solid electrolyte membrane having a proton conductivity formed on a substrate including the patterned electrode; And

상기 고체 전해질막 상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하는 전기화학식 가스센서 칩을 제공한다.It provides an electrochemical gas sensor chip comprising a hydrophobic microporous membrane on the solid electrolyte membrane.

상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above another technical problem, the present invention

기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate;

기판 상에 전극을 패턴화화여 형성하는 단계;Patterning and forming an electrode on the substrate;

상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판 상에 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막을 형성하는 단계; 및Forming a solid electrolyte membrane having proton conductivity on a substrate including the patterned electrode; And

상기 고체 전해질막 상에 소수성 마이크로다공성 멤브레인을 형성하는 단계를 포함하는 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법을 제공한다.It provides a method for producing an electrochemical gas sensor chip comprising the step of forming a hydrophobic microporous membrane on the solid electrolyte membrane.

이하, 본 발명은 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 고체 전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 칩의 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고체전해질을 이용한 전기 화학식 가스센서 칩의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체전해질을 이용한 전기화학식 가스센서 칩의 단면도이다2 is a plan view of an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to an embodiment of the present invention, Figure 4 Is a cross-sectional view of an electrochemical gas sensor chip using a solid electrolyte according to another embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전기화학식 가스센서 칩(100)은 기판(101), 기판(101)상에 형성된 절연막(102), 절연막(102)상에 패턴화되어 형성된 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105), 상기 패턴화된 전극 상에 형성된 고체 전해질막(106) 및 소수성 마이크로다공성 멤브레인(107)을 포함한다.2 to 3, the electrochemical gas sensor chip 100 according to an embodiment of the present invention is a pattern on the substrate 101, the insulating film 102 formed on the substrate 101, the insulating film 102 And a reaction electrode 103, a counter electrode 104 and a reference electrode 105, and a solid electrolyte membrane 106 and a hydrophobic microporous membrane 107 formed on the patterned electrode.

상기 기판(101)은 전기화학식 가스센서가 형성되는 베이스로서 칩 형태의 가스센서를 만들어 구동회로와 집적을 가능하게 한다. 상기 기판(101)은 실리콘, 폴리카보네이트, 쿼츠, GaAs, InP 및 유리로부터 선택된 물질로부터 선택될 수 있으며, 바람직한 것은 실리콘 기판이다. 상기 기판의 두께는 전기화학식 가스센서의 크기와 두께에 따라 결정될 수 있으며, 0.3 내지 1㎜의 범위 내에서 결정되는 것이 바람직하다.The substrate 101 is a base on which an electrochemical gas sensor is formed to make a gas sensor in the form of a chip and to integrate with the driving circuit. The substrate 101 may be selected from materials selected from silicon, polycarbonate, quartz, GaAs, InP, and glass, preferably a silicon substrate. The thickness of the substrate may be determined according to the size and thickness of the electrochemical gas sensor, it is preferably determined within the range of 0.3 to 1mm.

상기 기판(101)상에 곧바로 전극을 형성할 수도 있지만, 전극 형성 전에 절연막(102)을 형성하여 기판(101)과 전극 사이를 완충시키는 것이 바람직하다. 상기 절연막(102)으로는 실리콘 산화막이 바람직하다. 상기 절연막(102)은 열공정을 통해 형성되는 것이 바람직하다. 상기 절연막(102)의 두께는 기판 및 전극의 두께를 고려하여 이 분야의 당업자에 의해 결정될 수 있으며, 수십 내지 수천 나노미터의 범위에서 다양하게 적용될 수 있다.Although an electrode may be formed directly on the substrate 101, it is preferable to form an insulating film 102 to buffer the substrate 101 and the electrode before forming the electrode. As the insulating film 102, a silicon oxide film is preferable. The insulating layer 102 is preferably formed through a thermal process. The thickness of the insulating layer 102 may be determined by those skilled in the art in consideration of the thicknesses of the substrate and the electrode, and may be variously applied in the range of several tens to thousands of nanometers.

상기 절연막(102) 또는 절연막(102)이 없는 경우 기판(101)의 동일면 상에 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)이 패턴화되어 형성된다.In the absence of the insulating film 102 or the insulating film 102, the reaction electrode 103, the counter electrode 104, and the reference electrode 105 are patterned on the same surface of the substrate 101.

상기 전극 물질로는 촉매성이 뛰어난 귀금속 물질을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 은, 금, 백금, 로듐, 이리듐, 루테늄, 팔라듐 또는 전도성을 갖는 산화물이 사용될 수 있으며, 가장 바람직한 것은 백금이며, 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)은 동일 물질로 형성될 수 있으며, 또는 각각 다른 물질로 형성될 수 있다.As the electrode material, a noble metal material having excellent catalytic property may be used. Preferably, silver, gold, platinum, rhodium, iridium, ruthenium, palladium, or an oxide having conductivity may be used. Most preferably, platinum is a reaction electrode. The 103, the counter electrode 104, and the reference electrode 105 may be formed of the same material, or may be formed of different materials.

상기 전극은 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 건식 방법, 예를 들면, 스퍼터링 또는 진공증착 방법을 통해 형성될 수 있거나 또는 화학증착법을 이용하여 전극들을 형성할 수 있다.The electrode may be formed through a dry method used in a general semiconductor process, for example, sputtering or vacuum deposition, or the electrodes may be formed by chemical vapor deposition.

또한, 상기 전극의 패턴화는 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)이 동일 물질로 형성되는 경우, 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 마스크 또는 리프트 오프(lift off) 방법 또는 에칭 방법을 이용하여 단일 공정을 통해 형성될 수 있으며, 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)이 각각 다른 물질로 사용되는 경우, 마스크 또는 리프트 오프 방법 또는 에칭 방법과 같은 것을 이용하여 다단계 공정을 통해 형성될 수 있다.In addition, the patterning of the electrode is a mask or lift off method or etching used in a general semiconductor process when the reaction electrode 103, the counter electrode 104 and the reference electrode 105 are formed of the same material. It can be formed through a single process using a method, and if the reaction electrode 103, counter electrode 104 and reference electrode 105 are each used with different materials, such as a mask or lift off method or an etching method Can be formed through a multi-step process.

상기 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)이 절연막(102) 상에 형성된 패턴의 일예는 도 2를 통해 보여질 수 있다. 반응 전극(103)이 절연막(102)의 중심에 원의 형태로 형성되고, 그 주위에 상대 전극(104)이 원의 형태로 형성되고, 마지막으로 기준 전극(105)이 양쪽으로 막대 형태로 형성된다.An example of a pattern in which the reaction electrode 103, the counter electrode 104, and the reference electrode 105 are formed on the insulating layer 102 can be seen through FIG. 2. The reaction electrode 103 is formed in the shape of a circle at the center of the insulating film 102, the counter electrode 104 is formed in the shape of a circle around the reference electrode, and finally the reference electrode 105 is formed in the shape of a rod on both sides. do.

상기 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)은 전기적으로 컨택될 수 있도록 연 결된 구조일 수도 있다.The counter electrode 104 and the reference electrode 105 may be connected to each other so as to be electrically contacted.

상기 반응 전극(103), 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)의 두께는 동일하거나 다를 수 있으며, 필요에 따라서 수십 내지 수만 나노미터의 범위 내에서 다양하게 적용될 수 있다.The thickness of the reaction electrode 103, the counter electrode 104 and the reference electrode 105 may be the same or different, and may be variously applied within a range of several tens to tens of thousands of nanometers as necessary.

상기 패턴화된 전극 상에 형성되는 고체 전해질막(106)은 프로톤 전도성이 우수한 고분자를 용액화한 후, 스핀 코팅 또는 스크린 프린팅과 같은 습식 공정을 통해 형성한다. 상기 프로톤 전도성이 우수한 고분자로는 이 분야에 일반적인 것이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 DuPont 사에서 판매되고 있는 나피온 5 내지 20중량% 용액을 이용할 수 있다.The solid electrolyte membrane 106 formed on the patterned electrode is formed through a wet process such as spin coating or screen printing after solution of a polymer having excellent proton conductivity. As the polymer having excellent proton conductivity, a general one in this field may be used, and preferably, 5 to 20 wt% of Nafion sold by DuPont may be used.

상기 고체 전해질막(106)의 두께는 센서의 크기, 기판 및 전극의 두께에 따라 결정될 수 있으며, 수 내지 수천 마이크로미터의 범위 내에서 다양하게 적용될 수 있다.The thickness of the solid electrolyte membrane 106 may be determined according to the size of the sensor, the thickness of the substrate and the electrode, and may be variously applied within the range of several to several thousand micrometers.

한편, 프로톤 전도성이 우수한 고체 전해질막(106)이 형성된 후 프로톤 전도성을 극대화하기 위하여 화학적 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 나피온막인 경우 끓고 있는 1 내지 5M 황산 용액 하에서 1 내지 4시간 동안 처리하여 준다.Meanwhile, after the solid electrolyte membrane 106 having excellent proton conductivity is formed, it is preferable to perform chemical treatment in order to maximize proton conductivity. For example, Nafion membrane is treated for 1 to 4 hours under boiling 1-5M sulfuric acid solution.

상기 고체 전해질막(106) 상에 형성되는 소수성의 마이크로다공성 멤브레인(107)은 고체 전해질막이 외부의 온도 습도와 같은 환경 변화에 대한 영향 받는 것을 최소화하기 위한 것이다.The hydrophobic microporous membrane 107 formed on the solid electrolyte membrane 106 is to minimize the influence of the solid electrolyte membrane on environmental changes such as external temperature and humidity.

상기 소수성의 마이크로다공성 멤브레인(107)은 소수성이면서 감지 가스는 통과하나 이온이나 수분이 통과할 수 없는 마이크로 기공을 갖는 것이 바람직하며, 구체적으로 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), 실리카겔 및 등등이 사용될 수 있다.The hydrophobic microporous membrane 107 is preferably hydrophobic and has micro pores through which sensing gas passes but not ions or moisture. Specifically, PTFE (polytetrafluoroethylene), silica gel, and the like may be used. have.

도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전기화학식 가스센서 칩(100)은 기판(101), 기판(101)상에 형성된 절연막(102), 절연막(102)상에 형성된상대 전극(104) 및 기준 전극(105), 상기 전극 상에 형성된 고체 전해질막(106), 상기 고체 전해질막(106) 상에 형성된 반응 전극(103) 및 소수성 마이크로다공성 멤브레인(107)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the electrochemical gas sensor chip 100 according to another embodiment of the present invention may include a substrate 101, an insulating film 102 formed on the substrate 101, and a relative electrode formed on the insulating film 102. And a reference electrode 105, a solid electrolyte membrane 106 formed on the electrode, a reaction electrode 103 formed on the solid electrolyte membrane 106, and a hydrophobic microporous membrane 107.

도 4에서 제시하는 칩(100)을 구성하는 기판(101), 절연막(102), 반응 전극(103), 상대 전극(104), 기준 전극(105), 고체 전해질막(106) 및 소수성 마이크로다공성 멤브레인(107)에 대한 설명은 상기 도 2 내지 3에서 제시하는 칩(100)을 구성하는 것과 동일하다.The substrate 101, the insulating film 102, the reaction electrode 103, the counter electrode 104, the reference electrode 105, the solid electrolyte membrane 106, and the hydrophobic microporous constituting the chip 100 shown in FIG. 4. Description of the membrane 107 is the same as configuring the chip 100 shown in FIGS.

다만, 도 4에서 제시하는 칩(100)은 절연막(102) 또는 절연막(102)이 없는 경우 기판(101)의 동일면 상에 상대 전극(104) 및 기준 전극(105)이 함께 형성되며, 반응 전극은 고체 전해질막(106) 상에 형성된다.4, the counter electrode 104 and the reference electrode 105 are formed on the same surface of the substrate 101 when the insulating film 102 or the insulating film 102 is not present. Is formed on the solid electrolyte membrane 106.

본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩은 각 가스별로 상대 전극과 기준 전극 사이에 가해주는 전압과 전극의 종류로 감지 가스의 선택성을 부여할 수 있다.In the electrochemical gas sensor chip according to the present invention, the selectivity of the sensing gas may be imparted by the type of voltage and electrode applied between the counter electrode and the reference electrode for each gas.

본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩 및 그의 제조방법은 다음과 같은 이점을 갖는다.The electrochemical gas sensor chip and its manufacturing method according to the present invention has the following advantages.

첫 번째, 본 발명에 따른 가스 센서가 칩의 구조이므로 쉽게 구동회로와 집적이 가능하다.First, since the gas sensor according to the present invention has a chip structure, the gas sensor can be easily integrated with the driving circuit.

두 번째, 본 발명에 따른 가스 센서를 기판상에 구현하기 위해 반도체 공정을 이용할 수 있기 때문에 대량 생산이 가능하다.Second, mass production is possible because the semiconductor process can be used to implement the gas sensor according to the present invention on a substrate.

세 번째, 본 발명에 따른 가스 센서는 고체 전해질막 위에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 사용함으로써 고체 전해질막내의 물 분자가 증발되는 것을 억제할 수 있어 별도의 물 수용기(water reservoir)를 이용하여 습도를 유지하지 않아도 상당기간 사용이 가능하다.Third, the gas sensor according to the present invention can suppress the evaporation of water molecules in the solid electrolyte membrane by using a hydrophobic microporous membrane on the solid electrolyte membrane to maintain humidity by using a separate water reservoir. It can be used for a long time without it.

네 번째, 본 발명에 따른 가스 센서는 액체 전해질 등의 액체 상태의 재료를 사용하지 않아 센서의 소형화가 가능하여 휴대폰과 같은 휴대용 단말기기 내에 장착이 가능하다.Fourth, the gas sensor according to the present invention can be miniaturized by not using a liquid material such as a liquid electrolyte can be mounted in a portable terminal device such as a mobile phone.

다섯 번째, 본 발명에 따른 가스 센서는 반도체 공정을 통해 센서의 구동에 필요한 회로와 함께 집적하여 제작이 가능하다. (구동회로가 모두 내장된 센서 칩의 개발이 가능)Fifth, the gas sensor according to the present invention can be manufactured by integrating with a circuit required for driving the sensor through a semiconductor process. (Development of sensor chip with all driving circuits possible)

Claims (13)

기판;Board; 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극;An electrode patterned on the substrate; 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막; 및A solid electrolyte membrane having a proton conductivity formed on a substrate including the patterned electrode; And 상기 고체 전해질막상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하는 전기화학식 가스센서 칩.An electrochemical gas sensor chip comprising a hydrophobic microporous membrane on the solid electrolyte membrane. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 폴리카보네이트, 쿼츠, GaAs, InP, 또는 유리 중에서 선택되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 1, wherein the substrate is selected from silicon, polycarbonate, quartz, GaAs, InP, or glass. 제 1항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 반응 전극, 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 형성되어 있는 것인 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 1, wherein the patterned electrode has a reaction electrode, a counter electrode, and a reference electrode formed on the same surface on a substrate. 제 1항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 상대 전극과 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 형성되어 있고, 고체 전해질막 위에 반응 전극이 형성되어 있는 것인 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 1, wherein the patterned electrode has a counter electrode and a reference electrode formed on the same surface on a substrate, and a reaction electrode is formed on the solid electrolyte membrane. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 기준 전극과 상대 전극이 연결된 구조인 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 3 or 4, wherein the reference electrode and the counter electrode are connected to each other. 제 1항에 있어서, 상기 전극은 은(silver), 금(gold), 백금(platinum), 로듐(rhodium), 이리듐(iridium), 루테늄(ruthenium), 팔라듐(palladium), 또는 전도성을 가진 옥사이드로부터 선택된 물질인 전기화학식 가스 센서 칩.The method of claim 1, wherein the electrode is formed of silver, gold, platinum, rhodium, iridium, ruthenium, palladium, or a conductive oxide. Electrochemical gas sensor chip, the material of choice. 제 1항에 있어서, 상기 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막은 나피온(Nafion™)막인 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 1, wherein the solid electrolyte membrane having proton conductivity is a Nafion ™ membrane. 제 1항에 있어서, 상기 소수성의 마이크로다공성 멤브레인은 가스를 통과시키지만 이온이나 수분이 통과시킬 수 없는 마이크로 기공을 갖는 전기화학식 가스 센서 칩.The electrochemical gas sensor chip of claim 1, wherein the hydrophobic microporous membrane has micropores that allow gas to pass but cannot pass ions or moisture. 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 전극을 패턴화하여 형성하는 단계;Patterning and forming an electrode on the substrate; 상기 패턴화된 전극을 포함한 기판 상에 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막을 형성하는 단계; 및Forming a solid electrolyte membrane having proton conductivity on a substrate including the patterned electrode; And 상기 고체 전해질막 상에 소수성 마이크로다공성 멤브레인을 형성하는 단계를 포함하는 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법.A method of manufacturing an electrochemical gas sensor chip comprising forming a hydrophobic microporous membrane on the solid electrolyte membrane. 제 9항에 있어서, 상기 전극은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 또는 화학 증착 공정을 통해 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법.The method of claim 9, wherein the electrode is formed through a sputtering process, a vacuum deposition process, or a chemical deposition process. 제 9항에 있어서, 상기 고체 전해질막은 습식 공정을 통해 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법.The method of claim 9, wherein the solid electrolyte membrane is formed through a wet process. 제 9항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 반응 전극, 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 함께 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법.The method of claim 9, wherein the patterned electrode is formed with a reaction electrode, a counter electrode, and a reference electrode on the same surface on a substrate. 제 9항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 함께 형성되고, 반응 전극이 고체 전해질막 상에 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the patterned electrode is formed with the counter electrode and the reference electrode together on the same surface on the substrate, and the reaction electrode is formed on the solid electrolyte membrane.
KR1020070059266A 2006-12-04 2007-06-18 Electrochemical Gas Sensor Chip and Method for Preparing the Same KR100948893B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/944,232 US20080128285A1 (en) 2006-12-04 2007-11-21 Electrochemical gas sensor chip and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20060121377 2006-12-04
KR1020060121377 2006-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080050951A true KR20080050951A (en) 2008-06-10
KR100948893B1 KR100948893B1 (en) 2010-03-24

Family

ID=39806102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070059266A KR100948893B1 (en) 2006-12-04 2007-06-18 Electrochemical Gas Sensor Chip and Method for Preparing the Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100948893B1 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012115473A2 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 한양대학교 에리카산학협력단 Membrane electrode assembly, electrochemical sensor using same and production methods therefor
WO2013052041A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Utc Fire & Security Corporation Gas sensor
WO2019022454A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 (주)신우전자 Electrochemical gas sensor having planar exterior
WO2020004769A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 한국세라믹기술원 Gas sensor electrode manufacturing method and gas sensor
KR20200116797A (en) * 2019-04-02 2020-10-13 한국세라믹기술원 Manufacturing Method of Electrode for Gas Sensor and Gas Sensor
WO2021236189A1 (en) * 2020-05-21 2021-11-25 Nova Biomedical Corporation Single-use disposable reference sensor
US20220146449A1 (en) * 2016-08-30 2022-05-12 Analog Devices International Unlimited Company Electrochemical sensor, and a method of forming an electrochemical sensor
US11959876B2 (en) 2021-05-07 2024-04-16 Analog Devices International Unlimited Company Retaining cap

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100981321B1 (en) 2010-04-07 2010-09-10 한국기계연구원 A gas sensor and method for manufacturing thereof
KR101660301B1 (en) 2014-08-04 2016-09-27 한국세라믹기술원 Ultra high sensitive and very fast responsive electrochemical sensor for toxic gas detection and manufacturing method of the same
US11808747B1 (en) 2022-07-06 2023-11-07 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Hydrogen gas sensor, and method of making and using thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4267023A (en) 1977-10-17 1981-05-12 Orion Research Incorporated Chemically integrating dosimeter and gas analysis methods
US4812221A (en) * 1987-07-15 1989-03-14 Sri International Fast response time microsensors for gaseous and vaporous species
US6270651B1 (en) * 2000-02-04 2001-08-07 Abetif Essalik Gas component sensor
JP4926611B2 (en) * 2006-08-24 2012-05-09 コスモ工機株式会社 Detaching method of pipe connecting member

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012115473A2 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 한양대학교 에리카산학협력단 Membrane electrode assembly, electrochemical sensor using same and production methods therefor
WO2012115473A3 (en) * 2011-02-25 2012-11-29 한양대학교 에리카산학협력단 Membrane electrode assembly, electrochemical sensor using same and production methods therefor
WO2013052041A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Utc Fire & Security Corporation Gas sensor
US9518952B2 (en) 2011-10-05 2016-12-13 Utc Fire & Security Corporation Gas sensor
US20220146449A1 (en) * 2016-08-30 2022-05-12 Analog Devices International Unlimited Company Electrochemical sensor, and a method of forming an electrochemical sensor
WO2019022454A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 (주)신우전자 Electrochemical gas sensor having planar exterior
WO2020004769A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 한국세라믹기술원 Gas sensor electrode manufacturing method and gas sensor
KR20200002460A (en) * 2018-06-29 2020-01-08 한국세라믹기술원 Manufacturing Method of Electrode for Gas Sensor and Gas Sensor
KR20200116797A (en) * 2019-04-02 2020-10-13 한국세라믹기술원 Manufacturing Method of Electrode for Gas Sensor and Gas Sensor
WO2021236189A1 (en) * 2020-05-21 2021-11-25 Nova Biomedical Corporation Single-use disposable reference sensor
US11959876B2 (en) 2021-05-07 2024-04-16 Analog Devices International Unlimited Company Retaining cap

Also Published As

Publication number Publication date
KR100948893B1 (en) 2010-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100948893B1 (en) Electrochemical Gas Sensor Chip and Method for Preparing the Same
US20080128285A1 (en) Electrochemical gas sensor chip and method of manufacturing the same
Knake et al. Amperometric sensing in the gas-phase
Mu et al. A robust flexible electrochemical gas sensor using room temperature ionic liquid
JP2004506181A (en) Gas sensor
US9304100B2 (en) Miniaturised electrochemical sensor
US9395324B2 (en) Thin film micromachined gas sensor
CN105403602B (en) Photopatternable glass micro electrochemical cell and method
US20180266984A1 (en) Electrochemical sensor and electronics on a ceramic substrate
JPH07104322B2 (en) Fast response microsensor for gaseous and vaporous objects
Alber et al. Solid‐state amperometric sensors for gas phase analytes: A review of recent advances
KR20130033939A (en) Fabrication method for gas sensor and temperature sensor based on suspended carbon nanowires
KR101488438B1 (en) Electrochemical gas sensor
US20180372675A1 (en) Compact gas sensor including a mems element having capillaries to facilitate gas diffusion
Miura et al. Development of new chemical sensors based on low-temperature proton conductors
EP3400432A1 (en) Mems electrochemical gas sensor
JP2010096724A (en) Micro-reference electrode device
JP6076749B2 (en) Small electrochemical sensor
EP3726208A1 (en) High surface area electrode for electrochemical sensor
KR100823319B1 (en) Hybrid oxygen gas sensor
JP2000235012A (en) Carbon dioxide gas sensor
RU2797145C1 (en) Microheater for semiconductor chemical gas sensor
KR102505356B1 (en) GAS SENSOR INCLUDING A SUSPENDED CARBON NANOWIRE COATED WITH A METAL LAYER FOR APPLYING 3ω-METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
EP2757367B1 (en) A miniaturised electrochemical sensor
JPH04363653A (en) Electrochemical gas sensor element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150226

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160310

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170201

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171221

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190131

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200303

Year of fee payment: 11