KR20080047049A - 표면처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표면처리장치는 플라즈마를 형성하여 하부방향으로 분사하는 플라즈마모듈; 상기 플라즈마모듈의 하부에 배치되어 대상물을 이동시키는 이동부; 상기 플라즈마모듈의 측면에 배치되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이로 유입되는 공기를 차단하는 차단부를 포함한다.
따라서, 발명에 따른 표면처리장치의 차단부는 처리영역 즉, 표면처리장치가 대상물을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 대상물의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 되고, 상기 표면처리된 대상물 상에 신뢰성 있는 패턴을 형성할 수 있게 된다.
또한 표면처리장치는 플라즈마모듈 주변에 마련되는 차단부를 이용하여 상기 플라즈마모듈의 처리영역 주변으로 유입 및 유출되는 오염물질을 저감시킬 수 있기 때문에 유독한 가스를 사용할 수 있는 장점이 있다.

Description

표면처리장치{SURFACE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 종래의 상압플라즈마장치를 도시한 단면도.
도 2는 종래의 상압플라즈마장치에서 발생되는 대상물의 표면처리불량을 도시한 단면도.
도 3a는 본 발명에 따른 표면처리장치의 평면도.
도 3b는 본 발명에 따른 표면처리장치의 다른 실시예를 도시한 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 표면처리장치의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 표면처리장치에 마련되는 차단부의 실시예를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 표면처리장치를 이용하여 형성되는 대상물의 표면처리 상태를 도시한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 표면처리장치 10 : 플라즈마모듈
20 : 가스공급부 30 : 전극부
40 : 분사부 50 : 처리영역
60 : 제1영역 70 : 제2영역
80 : 이동부 100 : 차단부
110 : 제1차단부 120 : 제2차단부
210 : 대상물 250 : 유기물
본 발명은 플라즈마를 이용하여 효율적으로 표면처리할 수 있는 표면처리장치에 관한 것이다.
플라즈마 기술에는 진공을 이용하는 진공플라즈마 기술과, 수천도의 고열을 발생시키는 아크방전을 이용하는 고열플라즈마 기술과, 상온 내지 200℃의 낮은 온도에서 이용하는 상압플라즈마 기술이 있다.
상기 진공플라즈마 기술은 진공을 위한 챔버가 필요함으로 대형처리가 어렵고 입자의 충돌에너지가 커서 처리물의 표면이 자연가열되는 문제점이 있고, 이온화비율이 낮아서 레디컬 농도가 상대적으로 작다는 단점이 있다. 그래서 레디컬 및 이온의 농도가 높고 고가의 반응용기가 필요없는 장점을 갖는 상압플라즈마 기술이 공업적으로 많이 이용되고 있다.
도 1은 종래의 상압플라즈마장치를 도시한 단면도이다. 상압에서 플라즈마를 생성하여 대상물을 세정 및 표면처리할 수 있는 장치를 상압플라즈마장치로 명칭한다.
도 1을 참조하면, 상압플라즈마장치(501)는 플라즈마가 생성되는 챔버(510)와, 상기 챔버(510)로 표면처리할 기판, 즉 대상물(710)을 이송하는 이송장치(580) 를 포함한다.
상기 챔버(510)는 반응가스를 공급하는 가스공급구(520)와, 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마를 형성시킬 수 있는 전극(530)과, 상기 방전가스가 활성화된 활성원자(분자)를 분사시키는 가스분사구(540)를 구비하고 있다.
상기 가스공급구(520)는 상기 챔버(510)로 반응가스를 주입한다. 상기 반응가스는 불활성가스를 사용하고 있다. 표면처리 특성에 따라 플로린계열의 가스를 사용하기도 한다.
상기 챔버(510)에는 전극(530)이 구비된다. 상기 전극(510)은 상기 가스공급구(520)로부터 반응가스가 공급되면, 상기 전극(530)에 인가되는 고전압에 의해서 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마를 형성시킬 수 있다.
상기 가스분사구(540)는 상기 전극(530)에 의해서 형성된 플라즈마를 분사시킨다. 즉, 활성화된 활성원자(분자)를 분사시킨다.
상기 이송장치(580)는 대상물(710)을 상기 챔버(510) 영역으로 이동시킬 수 있다. 그래서 상기 대상물(710)을 챔버(510) 영역으로 이동시키기 위해 대상물(710)이 투입되는 영역과 배출되는 영역이 있어 상기 상압플라즈마장치(501)의 챔버(510) 영역은 대기 중에 노출되어 있다.
상기 이송장치(580)는 상기 대상물(710)을 상기 챔버(510) 영역으로 이동시킨다. 이에 따라, 상기 플라즈마에 의해 상기 대상물(710)이 세정 및 표면처리될 수 있다.
그런데 상기 챔버(510)가 대기 중에 노출되어 있기 때문에 대기 중의 산소, 수분 등의 오염물질(Contaminant)이 플라즈마 방전영역으로(즉, 상기 전극(530) 하부영역) 유입될 수 있다. 상기 오염물질은 플라즈마 방전영역에 유입되어 플라즈마 방전효율을 저하시킴에 따라 상기 대상물(710)의 표면처리 효율을 저하시킬 수 있다.
게다가 상기 대상물(710)을 표면처리하게 되는데 상기 대상물(710)의 표면처리된 영역에 산소, 수분 등의 오염물질도 분해되면서 상기 대상물(710)의 표면에 흡착된다. 즉, 상기 오염물질 등이 상기 대상물(710)의 표면처리를 방해하게 된다.
도 2는 종래의 상압플라즈마장치에서 발생되는 대상물의 표면처리불량을 도시한 단면도이다. 대상물을 표면처리하는 상압플라즈마장치는 도 1을 인용하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 상압플라즈마장치(501)를 이용하여 대상물(710)의 표면을 세정 및 표면처리하게 된다. 상기 상압플라즈마장치(501)를 이용하여 표면처리하는 것을 예를 들어 설명한다.
상기 상압플라즈마장치(501)는 표면처리를 통해서 상기 대상물(710)의 표면을 특정물질에 대해서 친수, 또는 소수의 성질을 갖도록 처리할 수 있다. 여기서 상기 대상물(710) 상에 유기물(750)로 패턴을 형성하는 공정을 예를 들어 설명한다.
상기 대상물(710)은 상압플라즈마장치(501)에 의해 표면에 친수 및 소수처리를 할 수 있다. 상기 유기물(750)에 대해 표면이 소수처리된 영역을 a'로 표시하고 친수 또는 표면처리가 되지 않아 상대적으로 유기물(750)에 대해 친수특성을 갖는 영역을 b'영역으로 정의한다.
이와 같이, 친수처리된 영역에 유기물(750)을 도포하게 되면 상기 유기물(750)이 상기 대상물(710) 표면에 접촉하게 되고 상대적으로 소수처리된 영역에서는 상기 유기물(750)이 상기 대상물(710) 표면에 접촉되지 않는다.
따라서 상기 유기물(750)은 소수/친수로 분리된 영역에 의해서 소정의 형상을 갖는 패턴 등을 형성할 수 있게 된다.
한편, 상기 c' 영역은 소/친수처리 불량이 발생된 영역이다. 상기 c'영역은 상기 대상물의 표면에 소수/친수영역의 계면이 형성도록 시도한 영역이다.
c'영역에 도시된 바와 같이, 상기 소/친수처리되어 분리된 영역에 표면처리불량이 발생하게 되면 상기 유기물(750)은 상기 대상물(710)의 표면에 소정의 접촉각으로 접촉하게 된다. 따라서 소정의 패턴을 형성하기 어렵게 된다.
이는 상기 상압플라즈마장치(501)가 대기중에 노출되어 있기 때문에 소수/친수영역으로 분리하기 위해 상기 대상물의 표면처리하는 과정에서 대기 중의 산소, 수분 등의 오염물질이 상기 대상물(710)의 표면에 접촉되어 표면처리 가스의 접촉을 방해하기 때문이다.
즉, 산소 등의 오염물질은 표면처리하기 위해 사용되는 플로린계열의 가스보다 상기 대상물(710)의 표면에 안정화된 반응특성을 갖는다. 상기 오염물질은 상기 소/친수처리되는 표면영역에 표면특성을 저하시켜 표면처리를 방해할 수 있다.
따라서 상기 유기물(750)은 상기 대상물(710)의 표면에서 퍼지는 현상이 발생하게 되고, 소정의 형상으로 패턴을 형성하기 어려운 문제점이 발생할 수 있게 된다.
이와 같이, 종래의 상압플라즈마장치(501)는 대기 중에 오염물질로 인해 상기 대상물(710)의 표면처리 효율이 저하되는 원인이 되고 있다.
본 발명은 대상물을 표면처리할 수 있는 플라즈마모듈 주변의 오염물질을 차단할 수 있는 복수의 차단부에 형성하여 상기 대상물을 표면처리할 수 있는 처리영역을 국부적으로 진공상태와 유사하게 형성할 수 있게 됨으로써 상기 대상물의 표면처리 효율을 향상시킬 수 있는 표면처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
그리고 상기 차단부를 형성함으로써 외부로의 가스유출을 최소화할 수 있게 되어 독성이 있는 가스를 사용할 수 있는 표면처리장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 표면처리장치는 플라즈마를 형성하여 하부방향으로 분사하는 플라즈마모듈; 상기 플라즈마모듈의 하부에 배치되어 대상물을 이동시키는 이동부; 상기 플라즈마모듈의 측면에 배치되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이로 유입되는 공기를 차단하는 차단부를 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표면처리장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 플라즈마모듈, 차단부의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 직접 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 표면처리장치 상에 추가로 형성될 수 있다.
도 3a는 본 발명에 따른 표면처리장치의 평면도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 표면처리장치의 다른 실시예를 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 표면처리장치의 단면도이다. 이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 표면처리장치는 다음의 실시예로 통해 자세히 설명하도록 하며, 당업자는 본 발명의 교시를 사용하여 다른 많은 실시형태를 구현할 수 있고 본 발명은 예시적인 목적이며 다음 실시형태로 제한되지 않음을 명시한다.
도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하면, 표면처리장치(1)는 상압에서 플라즈마를 형성할 수 잇는 장치이다.
상기 표면처리장치(1)는 대상물(210)을 표면처리할 수 있는 상압플라즈마형성모듈(10)과, 상기 상압플라즈마형성모듈(10) 주변영역에 산소, 수분 등의 오염물질을 차단하는 복수의 차단부(100)를 포함한다.
상기 상압플라즈마형성모듈(10, 이하 "플라즈마모듈"로 함)은 반응가스를 제 공하는 가스공급부(20)와, 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마 즉, 활성원자(분자)를 형성할 수 있도록 하는 전극부(30)과, 상기 방전된 활성원자(분자)를 분사시킬 수 있는 분사부(40)를 구비한다. 상기 플라즈마모듈(10)은 상기 대상물(210)을 상기 분사부(40) 영역으로 이동시킬 수 있는 이동부(80)를 구비할 수 있다.
여기서 상기 활성원자(분자)가 상기 분사부(40)를 통해서 분사되어 대상물(210)의 표면처리하는 영역을 처리영역(50)으로 정의한다.
상기 이동부(80)는 플라즈마모듈(10) 영역으로 세정 등의 표면처리 대상물(210)을 이동시키는 컨베이어 등으로 형성할 수 있다. 상기 표면처리장치(1)는 플라즈마모듈(10)로 대상물(210)이 투입되는 영역을 제1영역(60)으로 정의하고, 상기 플라즈마모듈(10)에서 표면처리되어 대상물(210)이 나오는 영역을 제2영역(70)으로 정의한다.
상기 차단부(100)는 상기 표면처리장치(1)의 제1영역(60) 및 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다. 즉, 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 양쪽에 각각 배치할 수 있다.
상기 차단부(100)는 플라즈마모듈(10) 외부의 오염물질을 1차적으로 차단하는 제1차단부(110)와, 상기 처리영역(50)에 유입된 오염물질의 밀도를 저감할 수 있는 제2차단부(120)를 포함한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10)의 모든 주변에 형성할 수 있다. 상기 플라즈마모듈(10)의 주변은 대기 중에 노출되어 있기 때문에 상기 오염물질이 처리영역(50)으로 유입될 수 있다. 그래서 상기 처리 영역(50)이 상기 대기 중에 노출될 수 있는 모든영역을 차단할 수 있도록 상기 플라즈마모듈(10)의 모든주변에 차단부(100)를 형성할 수 있다.
상기 제1차단부(110)는 적어도 하나 이상의 제1관통홀(115)로 마련할 수 있다. 상기 제1차단부(110)는 상기 차단부(100)의 최외부에 마련되어 외부 즉, 대기 중에 있는 산소, 수분 등의 오염물질을 차단하게 된다.
여기서 대기 중의 오염물질을 차단하도록 차단가스를 상기 제1관통홀(115)에 제공하게 된다. 상기 차단가스는 다른 물질과 반응하기 어려운 불활성가스, 질소가스 등으로 사용할 수 있다. 상기 제1관통홀(115)은 상기 차단가스를 상기 차단부(100)의 상부에서 제공하여 상기 제1, 및 제2영역(60, 70)으로 불어줄 수 있다.
상기 제2차단부(120)는 상기 플라즈마모듈(10)과 상기 제1차단부(110) 사이에 마련할 수 있으며, 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50)에 존재하는 오염물질의 밀도을 저감시키게 된다.
상기 제2차단부(120)는 진공을 이용하여 상기 처리영역(50)에 유입된 오염물질의 밀도를 저감시키게 된다. 즉, 상기 처리영역(50)은 실질적으로 상기 대상물(210)이 표면처리되는 영역이기 때문에 오염물질이 유입되면 상기 대상물(210)의 표면처리불량이 발생할 수 있게 된다.
그래서 상기 제2차단부(120)는 진공을 이용하여 상기 처리영역(50) 주변을 국부적으로 진공이 되도록 할 수 있다. 즉, 상기 제2차단부(120)는 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감시켜 표면처리 효율을 향상시키게 된다.
이와 같이, 본 발명의 표면처리장치(1)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마 련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시켜 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화와 안정성을 확보할 수 있게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 표면처리장치에 마련되는 차단부의 실시예를 도시한 단면도이다. 표면처리장치는 도 3a, 도 3b 및 도 4를 인용하며, 중복되는 구성요소는 간략히 설명하거나 생략하기로 한다.
상기 표면처리장치(1)는 대기 중에서 대상물(210)을 표면처리하는 장치이다. 그런데 상기 대상물(210)을 표면처리 할 때, 대기 중에 있는 산소, 수분 등의 오염물질은 상기 대상물(210)의 표면을 처리하는데 방해요인이 될 수 있다. 그래서 상기 대상물(210)을 표면처리할 때는 상기 오염물질을 상기 대상물(210) 주변에서 저감하는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 상기 표면처리장치(1)는 플라즈마를 상압에서 생성할 수 있는 플라즈마모듈(10)과 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 다수의 홀을 구비한 차단부(100)를 포함한다. 상기 플라즈마모듈(10)과 상기 차단부(100)는 일체로 형성할 수도 있고, 서로 분리된 유닛으로 형성할 수 있다.
상기 표면처리장치(1)는 상압에서 상기 대상물(210)의 표면처리를 수행하게 됨으로 상기 제1차단부(110)는 상기 대상물(210)이 투입되는 방향과 배출되는 방향이 대기 중에 노출되어 있다. 그래서 상기 제1차단부(110)는 대상물(210)이 투입되는 방향과 배출되는 방향에 각각 배치시키는 것이 바람직하다.
상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 상기 대상물(210) 이 투입되는 제1영역(60)과 상기 대상물(210)이 배출되는 제2영역(70)에 배치할 수 있다. 또는 상기 플라즈마모듈(10)이 대기 중에 노출되는 영역에 각각 복수의 차단부(100)를 마련할 수 있다. 여기서는 상기 대상물(210)이 투입되는 제1영역(60)과 상기 대상물(70)이 배출되는 제2영역(70)에 차단부가 마련된 것을 실시예를 들어 설명한다.
상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변의 오염물질을 차단하는 제1차단부(110)와, 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감하는 제2차단부(120)를 포함한다.
상기 제1차단부(110)는 차단부(100)의 최외부에 마련되며, 단일 또는 복수개로 마련된 제1관통홀(115)을 형성할 수 있다. 그리고 상기 제1차단부(110)는 상기 플라즈마모듈(10)의 양쪽의 제1영역(60)과 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다.
상기 제1차단부(110)는 불활성 가스, 질소 가스 등의 차단가스를 상기 플라즈마모듈(10) 외부로 불어 상기 플라즈마모듈(10) 주변의 오염물질을 1차적으로 차단할 수 있다.
그리고 상기 제1차단부(110)는 오염물질을 상기 플라즈마모듈(10) 내부(대상물(210)을 표면처리하는 처리영역(50))의 유입을 1차적으로 차단하기 위해 상기 제1차단부(110)에 제공되는 상기 차단가스를 상기 제1 및 제2영역(60, 70) 방향으로 불어줄 수 있다.
상기 제1차단부(110)의 제1관통홀(115)의 방향을 플라즈마모듈(10)의 외부방향으로 기울어지게 할 수도 있다. 상기 제1차단부(110)는 상기 차단가스가 상기 플 라즈마모듈(10) 영역의 외부로 불어주기 위해 상기 제1관통홀(115)의 하부 단부 형상을 상기 플라즈마모듈(10)의 외부영역(투입/제2영역 방향)으로 소정각도 경사지게 형성할 수 있다.
상기 제1관통홀(115)의 단부에 경사진 형상은 상기 차단가스가 제1, 2영역(60, 70)에 원할하게 흐르기 위해서 상기 차단가스의 흐름에 방해가 되지 않는 경사진 각도로 형성할 수 있다.
상기 제2차단부(120)는 상기 처리영역(50)으로 유입될 수 있는 산소, 수분 등의 오염물질의 밀도를 저감할 수 있다. 상기 오염물질은 상기 제1차단부(110)에서 1차적으로 차단하여도 상기 대상물(210)을 처리할 수 있는 상기 처리영역(50)으로 유입될 수 있다. 그래서 상기 제2차단부(120)는 처리영역(50)으로 유입된 오염물질을 2차로 차단할 수 있다.
상기 제2차단부(120)는 상기 오염물질의 밀도를 저감시키기 위해 진공을 이용하며, 상기 처리영역(50)이 국부적으로 진공상태와 유사한 상태가 되도록 할 수 있게 한다.
상기 제2차단부(120)는 상기 제1차단부와 상기 플라즈마모듈 사이에 배치할 수 있으며, 상기 제1차단부(110)와 마찬가지로 상기 대상물(210)의 제1영역(60) 및 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다.
상기 제2차단부(120)는 다수의 제2관통홀(125)로 형성할 수 있으며, 진공효율을 향상시키기 위해서 상기 제2관통홀(125)을 상기 처리영역(50) 주변에 적어도 2이상으로 형성할 수 있다.
그리고 상기 제2차단부(120)의 제2관통홀(125)은 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감시키는 효율을 향상시키기 위해서 상기 처리영역(50) 방향으로 상기 제2관통홀(125)의 하부단부를 소정각도 경사진 형상으로 형성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치(1)의 차단부(100)는 상기 처리영역(50) 즉, 상기 표면처리장치(1)가 대상물(210)을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 된다.
또한, 상기 차단부(100)에 의해서 외부로의 가스유출을 최소화할 수 있게 되어 독성이 있는 가스를 사용할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 표면처리장치를 이용하여 형성되는 대상물의 표면처리 상태를 도시한 단면도이다. 여기서 표면처리장치는 도 3a, 도 3b 및 도 4를 인용하며, 대상물의 표면처리는 친수/소수 처리된 것을 실시예로 설명한다.
도 6을 참조하면, 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시킬 수 있게 된다. 따라서 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화와 안정성을 확보할 수 있는 상기 표면처리장치(1)에 의해서 상기 대상물(210)의 표면은 상기 유기물(250)에 대해 안정적으로 친수/소수처리를 할 수 있다.
상기 대상물(210) 상에 유기물(250) 패턴이 형성되는 것을 실시예로 설명한다. 상기 대상물(210)에 플로린계 가스를 이용하여 상기 유기물(250)에 소수/친수 특성을 갖는 표면처리를 할 수 있다.
상기 패턴의 형상을 용이하게 형성하기 위해서 패턴이 형성되는 영역에는 유기물(250)에 대해 친수특성을 갖는 표면처리를 하게 되고, 패턴이 형성되지 않는 영역에는 상기 유기물(250)에 대해 소수특성을 갖는 표면처리를 하게 된다.
상기 대상물(210)에서 상기 유기물(250)에 대해 소수처리된 영역을 a로 표시하고, 친수처리된 영역을 b로 표시한다.
상기 a영역은 유기물(250)에 대해 소수처리되어 상기 유기물(250)은 상기 a영역에 접촉각이 형성되지 않으려는 특성을 보인다.
반면, 상기 b영역은 상기 유기물(250)에 대해 친수처리되어 소정의 접촉각으로 접촉하려는 특성을 보인다.
이와 같이, 분리되어진 영역으로 인해 소수와 친수 특성으로 나누어진 계면에서 상기 유기물(250)은 대략 수직한 접촉각이 형성될 수 있다. 따라서 상기 유기물(250)을 이용하여 패턴 등을 형성할 때 소정의 형상을 갖는 패턴을 안정성 있게 형성할 수 있게 된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치(1)의 차단부(100)는 상기 처리영역(50) 즉, 상기 표면처리장치(1)가 대상물(210)을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 됨에 따라 신뢰성 있는 패턴을 형성할 수 있다.
또한 상기 표면처리장치(1)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시킬 수 있기 때문에 유독한 반응가스를 사용할 수 있는 장 점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치의 차단부는 처리영역 즉, 표면처리장치가 대상물을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 대상물의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 되고, 상기 표면처리된 대상물 상에 신뢰성 있는 패턴을 형성할 수 있게 된다.
또한 표면처리장치는 플라즈마모듈 주변에 마련되는 차단부를 이용하여 상기 플라즈마모듈의 처리영역 주변으로 유입 및 유출되는 오염물질을 저감시킬 수 있기 때문에 유독한 가스를 사용할 수 있는 장점이 있다.

Claims (14)

  1. 플라즈마를 형성하여 하부방향으로 분사하는 플라즈마모듈;
    상기 플라즈마모듈의 하부에 배치되어 대상물을 이동시키는 이동부;
    상기 플라즈마모듈의 측면에 배치되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이로 유입되는 공기를 차단하는 차단부를 포함하는 표면처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마모듈과 상기 차단부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마모듈과 상기 차단부는 탈착이 가능한 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 차단부는 상기 플라즈마모듈이 대응되는 양측면에 구비되는 것을 특징 으로 하는 표면처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 차단부는 상기 플라즈마모듈의 모든 측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 차단부는
    상기 플라즈마모듈의 하부방향으로 제1가스를 분사하는 제1차단부;
    상기 제1차단부와 상기 플라즈마모듈 사이에 구비되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이에 제2가스를 배출하는 제2차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1가스는 불활성가스, 질소가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 제2가스는 상기 대상물 처리 중에 잔류하는 오염물질인 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제1차단부는 적어도 하나 이상의 제1관통홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1관통홀의 하부 단부는 소정각도 경사진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1관통홀의 형상은 상기 제1관통홀의 하부방향에서 외부방향으로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  12. 제 6항에 있어서,
    상기 제2차단부는 적어도 하나 이상의 제2관통홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제2관통홀의 하부 단부는 소정각도로 경사진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제2관통홀의 형상은 상기 제2관통홀의 하부방향에서 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이에 형성된 대상물 표면 처리영역으로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
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