KR20080047049A - Surface processing apparatus - Google Patents

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Abstract

A surface processing apparatus is provided to reduce an inflow of pollutant around the process region of a plasma module and to improve process efficiency and process stability. A surface processing apparatus(1) comprises a plasma module(10), a transfer unit(80), and a shutoff unit(100). The plasma module forms plasma and injects it to the downside. The transfer unit is disposed below the plasma module to transfer a target(210). The shutoff unit is disposed on a side of the plasma module to shut off air flowing in a space between the plasma module and transfer unit, and comprises a first shutoff unit(110) injecting a first gas to the downside of the plasma module, and a second shutoff unit(120) installed between the first shutoff unit and plasma module to discharge a second gas to the space between the plasma module and transfer unit. The plasma module and shutoff unit can be integrally manufactured and detachable from each other.

Description

표면처리장치{SURFACE PROCESSING APPARATUS}Surface Treatment Equipment {SURFACE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 종래의 상압플라즈마장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional atmospheric pressure plasma apparatus.

도 2는 종래의 상압플라즈마장치에서 발생되는 대상물의 표면처리불량을 도시한 단면도. Figure 2 is a cross-sectional view showing the surface treatment failure of the object generated in the conventional atmospheric pressure plasma apparatus.

도 3a는 본 발명에 따른 표면처리장치의 평면도. Figure 3a is a plan view of a surface treatment apparatus according to the present invention.

도 3b는 본 발명에 따른 표면처리장치의 다른 실시예를 도시한 평면도. Figure 3b is a plan view showing another embodiment of a surface treatment apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 표면처리장치의 단면도. 4 is a cross-sectional view of the surface treatment apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 표면처리장치에 마련되는 차단부의 실시예를 도시한 단면도. Figure 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of the blocking unit provided in the surface treatment apparatus according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 표면처리장치를 이용하여 형성되는 대상물의 표면처리 상태를 도시한 단면도. 6 is a cross-sectional view showing a surface treatment state of an object formed using the surface treatment apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the reference numerals for the main parts of the drawings>

1 : 표면처리장치 10 : 플라즈마모듈  1: Surface treatment apparatus 10: Plasma module

20 : 가스공급부 30 : 전극부  20 gas supply unit 30 electrode unit

40 : 분사부 50 : 처리영역  40: injection part 50: treatment area

60 : 제1영역 70 : 제2영역  60: first region 70: second region

80 : 이동부 100 : 차단부  80: moving unit 100: blocking unit

110 : 제1차단부 120 : 제2차단부 110: first blocking portion 120: second blocking portion

210 : 대상물 250 : 유기물 210: object 250: organic matter

본 발명은 플라즈마를 이용하여 효율적으로 표면처리할 수 있는 표면처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a surface treatment apparatus capable of efficiently surface treatment using plasma.

플라즈마 기술에는 진공을 이용하는 진공플라즈마 기술과, 수천도의 고열을 발생시키는 아크방전을 이용하는 고열플라즈마 기술과, 상온 내지 200℃의 낮은 온도에서 이용하는 상압플라즈마 기술이 있다. Plasma technology includes vacuum plasma technology using vacuum, high thermal plasma technology using arc discharge generating thousands of high heat, and atmospheric pressure plasma technology used at low temperature from room temperature to 200 ° C.

상기 진공플라즈마 기술은 진공을 위한 챔버가 필요함으로 대형처리가 어렵고 입자의 충돌에너지가 커서 처리물의 표면이 자연가열되는 문제점이 있고, 이온화비율이 낮아서 레디컬 농도가 상대적으로 작다는 단점이 있다. 그래서 레디컬 및 이온의 농도가 높고 고가의 반응용기가 필요없는 장점을 갖는 상압플라즈마 기술이 공업적으로 많이 이용되고 있다. The vacuum plasma technology requires a chamber for vacuum, so that large-scale processing is difficult and the collision energy of the particles is large, and thus the surface of the processed material is naturally heated, and there is a disadvantage that the radical concentration is relatively small due to the low ionization ratio. Therefore, the atmospheric plasma technology has a high industrial concentration and has the advantage of high concentration of radicals and ions and the need for expensive reaction vessels.

도 1은 종래의 상압플라즈마장치를 도시한 단면도이다. 상압에서 플라즈마를 생성하여 대상물을 세정 및 표면처리할 수 있는 장치를 상압플라즈마장치로 명칭한다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional atmospheric pressure plasma apparatus. An apparatus capable of generating plasma at atmospheric pressure to clean and surface-treat an object is called an atmospheric pressure plasma apparatus.

도 1을 참조하면, 상압플라즈마장치(501)는 플라즈마가 생성되는 챔버(510)와, 상기 챔버(510)로 표면처리할 기판, 즉 대상물(710)을 이송하는 이송장치(580) 를 포함한다. Referring to FIG. 1, the atmospheric pressure plasma apparatus 501 includes a chamber 510 in which plasma is generated, and a transfer apparatus 580 for transferring a substrate to be surface treated, that is, an object 710, into the chamber 510. .

상기 챔버(510)는 반응가스를 공급하는 가스공급구(520)와, 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마를 형성시킬 수 있는 전극(530)과, 상기 방전가스가 활성화된 활성원자(분자)를 분사시키는 가스분사구(540)를 구비하고 있다. The chamber 510 sprays a gas supply port 520 for supplying a reaction gas, an electrode 530 capable of discharging the reaction gas to form a plasma, and an active atom (molecule) in which the discharge gas is activated. The gas injection port 540 is provided.

상기 가스공급구(520)는 상기 챔버(510)로 반응가스를 주입한다. 상기 반응가스는 불활성가스를 사용하고 있다. 표면처리 특성에 따라 플로린계열의 가스를 사용하기도 한다. The gas supply port 520 injects reaction gas into the chamber 510. The reaction gas uses an inert gas. Depending on the surface treatment characteristics, Florin-based gas may be used.

상기 챔버(510)에는 전극(530)이 구비된다. 상기 전극(510)은 상기 가스공급구(520)로부터 반응가스가 공급되면, 상기 전극(530)에 인가되는 고전압에 의해서 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마를 형성시킬 수 있다. The chamber 510 is provided with an electrode 530. When the reaction gas is supplied from the gas supply port 520, the electrode 510 may discharge the reaction gas by a high voltage applied to the electrode 530 to form a plasma.

상기 가스분사구(540)는 상기 전극(530)에 의해서 형성된 플라즈마를 분사시킨다. 즉, 활성화된 활성원자(분자)를 분사시킨다. The gas injection port 540 injects the plasma formed by the electrode 530. That is, the activated active atom (molecule) is injected.

상기 이송장치(580)는 대상물(710)을 상기 챔버(510) 영역으로 이동시킬 수 있다. 그래서 상기 대상물(710)을 챔버(510) 영역으로 이동시키기 위해 대상물(710)이 투입되는 영역과 배출되는 영역이 있어 상기 상압플라즈마장치(501)의 챔버(510) 영역은 대기 중에 노출되어 있다. The transfer device 580 may move the object 710 to the chamber 510 region. Thus, in order to move the object 710 to the chamber 510 region, there is a region into which the object 710 is input and a discharge region, so that the region of the chamber 510 of the atmospheric pressure plasma apparatus 501 is exposed to the atmosphere.

상기 이송장치(580)는 상기 대상물(710)을 상기 챔버(510) 영역으로 이동시킨다. 이에 따라, 상기 플라즈마에 의해 상기 대상물(710)이 세정 및 표면처리될 수 있다. The transfer device 580 moves the object 710 to the chamber 510 region. Accordingly, the object 710 may be cleaned and surface treated by the plasma.

그런데 상기 챔버(510)가 대기 중에 노출되어 있기 때문에 대기 중의 산소, 수분 등의 오염물질(Contaminant)이 플라즈마 방전영역으로(즉, 상기 전극(530) 하부영역) 유입될 수 있다. 상기 오염물질은 플라즈마 방전영역에 유입되어 플라즈마 방전효율을 저하시킴에 따라 상기 대상물(710)의 표면처리 효율을 저하시킬 수 있다. However, since the chamber 510 is exposed to the atmosphere, contaminants such as oxygen and moisture in the atmosphere may flow into the plasma discharge region (that is, the lower region of the electrode 530). The contaminants may enter the plasma discharge region to lower the plasma discharge efficiency, thereby lowering the surface treatment efficiency of the object 710.

게다가 상기 대상물(710)을 표면처리하게 되는데 상기 대상물(710)의 표면처리된 영역에 산소, 수분 등의 오염물질도 분해되면서 상기 대상물(710)의 표면에 흡착된다. 즉, 상기 오염물질 등이 상기 대상물(710)의 표면처리를 방해하게 된다. In addition, the object 710 is surface-treated, and contaminants such as oxygen and moisture are decomposed in the surface-treated area of the object 710 and are adsorbed onto the surface of the object 710. That is, the pollutants and the like interfere with the surface treatment of the object 710.

도 2는 종래의 상압플라즈마장치에서 발생되는 대상물의 표면처리불량을 도시한 단면도이다. 대상물을 표면처리하는 상압플라즈마장치는 도 1을 인용하여 설명한다. 2 is a cross-sectional view showing a surface treatment defect of an object generated in a conventional atmospheric pressure plasma apparatus. An atmospheric pressure plasma apparatus for surface treatment of an object will be described with reference to FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상압플라즈마장치(501)를 이용하여 대상물(710)의 표면을 세정 및 표면처리하게 된다. 상기 상압플라즈마장치(501)를 이용하여 표면처리하는 것을 예를 들어 설명한다. Referring to FIG. 2, the surface of the object 710 is cleaned and surface treated using the atmospheric pressure plasma apparatus 501. An example of surface treatment using the atmospheric pressure plasma apparatus 501 will be described.

상기 상압플라즈마장치(501)는 표면처리를 통해서 상기 대상물(710)의 표면을 특정물질에 대해서 친수, 또는 소수의 성질을 갖도록 처리할 수 있다. 여기서 상기 대상물(710) 상에 유기물(750)로 패턴을 형성하는 공정을 예를 들어 설명한다. The atmospheric pressure plasma apparatus 501 may process the surface of the object 710 to have hydrophilicity or a small number of properties with respect to a specific material through surface treatment. Herein, a process of forming a pattern of the organic material 750 on the object 710 will be described.

상기 대상물(710)은 상압플라즈마장치(501)에 의해 표면에 친수 및 소수처리를 할 수 있다. 상기 유기물(750)에 대해 표면이 소수처리된 영역을 a'로 표시하고 친수 또는 표면처리가 되지 않아 상대적으로 유기물(750)에 대해 친수특성을 갖는 영역을 b'영역으로 정의한다. The object 710 may be hydrophilic and hydrophobic treatment on the surface by the atmospheric pressure plasma apparatus 501. An area where the surface is hydrophobicly treated with respect to the organic material 750 is denoted as a ', and a region having hydrophilicity with respect to the organic material 750 is defined as a b' area because it is not hydrophilic or surface treated.

이와 같이, 친수처리된 영역에 유기물(750)을 도포하게 되면 상기 유기물(750)이 상기 대상물(710) 표면에 접촉하게 되고 상대적으로 소수처리된 영역에서는 상기 유기물(750)이 상기 대상물(710) 표면에 접촉되지 않는다. As such, when the organic material 750 is applied to the hydrophilic area, the organic material 750 comes into contact with the surface of the object 710. In the relatively hydrophobic area, the organic material 750 is the object 710. No contact with the surface

따라서 상기 유기물(750)은 소수/친수로 분리된 영역에 의해서 소정의 형상을 갖는 패턴 등을 형성할 수 있게 된다. Accordingly, the organic material 750 may form a pattern having a predetermined shape by a region separated by a minority / hydrophilicity.

한편, 상기 c' 영역은 소/친수처리 불량이 발생된 영역이다. 상기 c'영역은 상기 대상물의 표면에 소수/친수영역의 계면이 형성도록 시도한 영역이다. On the other hand, the c 'region is a region where the small / hydrophilic treatment failure occurs. The c 'region is a region in which an interface of a hydrophobic / hydrophilic region is formed on the surface of the object.

c'영역에 도시된 바와 같이, 상기 소/친수처리되어 분리된 영역에 표면처리불량이 발생하게 되면 상기 유기물(750)은 상기 대상물(710)의 표면에 소정의 접촉각으로 접촉하게 된다. 따라서 소정의 패턴을 형성하기 어렵게 된다. As shown in the region c ′, when the surface treatment defect occurs in the region separated by the small / hydrophilic treatment, the organic material 750 comes into contact with the surface of the object 710 at a predetermined contact angle. Therefore, it becomes difficult to form a predetermined pattern.

이는 상기 상압플라즈마장치(501)가 대기중에 노출되어 있기 때문에 소수/친수영역으로 분리하기 위해 상기 대상물의 표면처리하는 과정에서 대기 중의 산소, 수분 등의 오염물질이 상기 대상물(710)의 표면에 접촉되어 표면처리 가스의 접촉을 방해하기 때문이다. This is because the atmospheric pressure plasma device 501 is exposed to the air, and contaminants such as oxygen and moisture in the air contact the surface of the object 710 in the process of surface treatment of the object to separate the hydrophobic / hydrophilic region. This is because it hinders the contact of the surface treatment gas.

즉, 산소 등의 오염물질은 표면처리하기 위해 사용되는 플로린계열의 가스보다 상기 대상물(710)의 표면에 안정화된 반응특성을 갖는다. 상기 오염물질은 상기 소/친수처리되는 표면영역에 표면특성을 저하시켜 표면처리를 방해할 수 있다. That is, pollutants such as oxygen have a more stable reaction characteristic on the surface of the object 710 than a florin-based gas used for surface treatment. The contaminants may interfere with the surface treatment by deteriorating the surface properties of the surface area to be treated with hydrophilic / hydrophilic.

따라서 상기 유기물(750)은 상기 대상물(710)의 표면에서 퍼지는 현상이 발생하게 되고, 소정의 형상으로 패턴을 형성하기 어려운 문제점이 발생할 수 있게 된다. Accordingly, the organic material 750 may be spread from the surface of the object 710, and it may be difficult to form a pattern in a predetermined shape.

이와 같이, 종래의 상압플라즈마장치(501)는 대기 중에 오염물질로 인해 상기 대상물(710)의 표면처리 효율이 저하되는 원인이 되고 있다.As described above, the conventional atmospheric pressure plasma apparatus 501 causes the surface treatment efficiency of the object 710 to decrease due to pollutants in the air.

본 발명은 대상물을 표면처리할 수 있는 플라즈마모듈 주변의 오염물질을 차단할 수 있는 복수의 차단부에 형성하여 상기 대상물을 표면처리할 수 있는 처리영역을 국부적으로 진공상태와 유사하게 형성할 수 있게 됨으로써 상기 대상물의 표면처리 효율을 향상시킬 수 있는 표면처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention can be formed in a plurality of blocking portions that can block the contaminants around the plasma module capable of surface treatment of the object to form a treatment region capable of surface treatment of the object similar to the local vacuum state It is an object of the present invention to provide a surface treatment apparatus capable of improving the surface treatment efficiency of the object.

그리고 상기 차단부를 형성함으로써 외부로의 가스유출을 최소화할 수 있게 되어 독성이 있는 가스를 사용할 수 있는 표면처리장치를 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, it is possible to minimize the outflow of gas to the outside by forming the blocking portion has another object to provide a surface treatment apparatus that can use toxic gases.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 표면처리장치는 플라즈마를 형성하여 하부방향으로 분사하는 플라즈마모듈; 상기 플라즈마모듈의 하부에 배치되어 대상물을 이동시키는 이동부; 상기 플라즈마모듈의 측면에 배치되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이로 유입되는 공기를 차단하는 차단부를 포함한다. In order to achieve the above object, the surface treatment apparatus of the present invention includes a plasma module for forming a plasma and spraying in a downward direction; A moving unit disposed under the plasma module to move an object; It is disposed on the side of the plasma module includes a blocking unit for blocking the air flowing between the plasma module and the moving unit.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표면처리장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 플라즈마모듈, 차단부의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 직접 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 플라즈마모듈, 차단부 및 기타 구조물들이 표면처리장치 상에 추가로 형성될 수 있다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the surface treatment apparatus according to embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the following embodiments, those skilled in the art The present invention may be embodied in various other forms without departing from the spirit of the invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the plasma module, the blocking portion is shown to be enlarged than actual for clarity of the present invention. In the present invention, when the plasma module, the blocking portion and other structures are referred to as being formed "on", "upper" or "lower", the plasma module, blocking portion and other structures are directly plasma modules, blocking portions. And formed above or below other structures, or other plasma modules, blocking units and other structures may be further formed on the surface treatment apparatus.

도 3a는 본 발명에 따른 표면처리장치의 평면도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 표면처리장치의 다른 실시예를 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 표면처리장치의 단면도이다. 이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 표면처리장치는 다음의 실시예로 통해 자세히 설명하도록 하며, 당업자는 본 발명의 교시를 사용하여 다른 많은 실시형태를 구현할 수 있고 본 발명은 예시적인 목적이며 다음 실시형태로 제한되지 않음을 명시한다. Figure 3a is a plan view of a surface treatment apparatus according to the present invention, Figure 3b is a plan view showing another embodiment of the surface treatment apparatus according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view of the surface treatment apparatus according to the present invention. Hereinafter, the surface treatment apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and those skilled in the art can implement many other embodiments using the teachings of the present invention, and the present invention is for exemplary purposes. It is specified that it is not limited to the following embodiment.

도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하면, 표면처리장치(1)는 상압에서 플라즈마를 형성할 수 잇는 장치이다. 3A, 3B, and 4, the surface treatment apparatus 1 is a device capable of forming a plasma at atmospheric pressure.

상기 표면처리장치(1)는 대상물(210)을 표면처리할 수 있는 상압플라즈마형성모듈(10)과, 상기 상압플라즈마형성모듈(10) 주변영역에 산소, 수분 등의 오염물질을 차단하는 복수의 차단부(100)를 포함한다. The surface treatment apparatus 1 includes a plurality of atmospheric pressure plasma forming modules 10 capable of surface treating an object 210 and a plurality of blocking pollutants such as oxygen and moisture in the peripheral region of the atmospheric pressure plasma forming module 10. It includes a blocking unit (100).

상기 상압플라즈마형성모듈(10, 이하 "플라즈마모듈"로 함)은 반응가스를 제 공하는 가스공급부(20)와, 상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마 즉, 활성원자(분자)를 형성할 수 있도록 하는 전극부(30)과, 상기 방전된 활성원자(분자)를 분사시킬 수 있는 분사부(40)를 구비한다. 상기 플라즈마모듈(10)은 상기 대상물(210)을 상기 분사부(40) 영역으로 이동시킬 수 있는 이동부(80)를 구비할 수 있다. The atmospheric pressure plasma forming module 10 (hereinafter referred to as "plasma module") is a gas supply unit 20 for providing a reaction gas, and the reaction gas to discharge to form a plasma, that is, active atoms (molecules) The electrode part 30 and the injection part 40 which can inject the discharged active atom (molecule) are provided. The plasma module 10 may include a moving unit 80 that may move the object 210 to the injection unit 40.

여기서 상기 활성원자(분자)가 상기 분사부(40)를 통해서 분사되어 대상물(210)의 표면처리하는 영역을 처리영역(50)으로 정의한다. In this case, the active atom (molecule) is injected through the injection unit 40 to define a region for the surface treatment of the object 210 as the treatment region (50).

상기 이동부(80)는 플라즈마모듈(10) 영역으로 세정 등의 표면처리 대상물(210)을 이동시키는 컨베이어 등으로 형성할 수 있다. 상기 표면처리장치(1)는 플라즈마모듈(10)로 대상물(210)이 투입되는 영역을 제1영역(60)으로 정의하고, 상기 플라즈마모듈(10)에서 표면처리되어 대상물(210)이 나오는 영역을 제2영역(70)으로 정의한다. The moving unit 80 may be formed as a conveyor or the like for moving the surface treatment object 210 such as cleaning to the plasma module 10 region. The surface treatment apparatus 1 defines a region in which the object 210 is injected into the plasma module 10 as the first region 60, and is a surface treated area in the plasma module 10 where the object 210 emerges. Is defined as the second region 70.

상기 차단부(100)는 상기 표면처리장치(1)의 제1영역(60) 및 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다. 즉, 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 양쪽에 각각 배치할 수 있다. The blocking unit 100 may be disposed in the first region 60 and the second region 70 of the surface treatment apparatus 1, respectively. That is, the plasma module 10 may be disposed on both sides with the plasma module 10 therebetween.

상기 차단부(100)는 플라즈마모듈(10) 외부의 오염물질을 1차적으로 차단하는 제1차단부(110)와, 상기 처리영역(50)에 유입된 오염물질의 밀도를 저감할 수 있는 제2차단부(120)를 포함한다. The blocking unit 100 may include a first blocking unit 110 that primarily blocks contaminants outside the plasma module 10 and a density of the contaminants introduced into the processing region 50. It includes a secondary cut 120.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10)의 모든 주변에 형성할 수 있다. 상기 플라즈마모듈(10)의 주변은 대기 중에 노출되어 있기 때문에 상기 오염물질이 처리영역(50)으로 유입될 수 있다. 그래서 상기 처리 영역(50)이 상기 대기 중에 노출될 수 있는 모든영역을 차단할 수 있도록 상기 플라즈마모듈(10)의 모든주변에 차단부(100)를 형성할 수 있다. As shown in FIG. 3B, the blocking unit 100 may be formed around all of the plasma modules 10. Since the periphery of the plasma module 10 is exposed to the atmosphere, the pollutant may flow into the treatment region 50. Thus, the blocking unit 100 may be formed around all of the plasma modules 10 so that the processing region 50 may block all regions that may be exposed to the atmosphere.

상기 제1차단부(110)는 적어도 하나 이상의 제1관통홀(115)로 마련할 수 있다. 상기 제1차단부(110)는 상기 차단부(100)의 최외부에 마련되어 외부 즉, 대기 중에 있는 산소, 수분 등의 오염물질을 차단하게 된다. The first blocking unit 110 may be provided with at least one first through-hole 115. The first blocking unit 110 is provided at the outermost portion of the blocking unit 100 to block contaminants such as oxygen, moisture, etc. in the outside, that is, the atmosphere.

여기서 대기 중의 오염물질을 차단하도록 차단가스를 상기 제1관통홀(115)에 제공하게 된다. 상기 차단가스는 다른 물질과 반응하기 어려운 불활성가스, 질소가스 등으로 사용할 수 있다. 상기 제1관통홀(115)은 상기 차단가스를 상기 차단부(100)의 상부에서 제공하여 상기 제1, 및 제2영역(60, 70)으로 불어줄 수 있다. Here, the blocking gas is provided to the first through hole 115 so as to block pollutants in the atmosphere. The blocking gas may be used as an inert gas, nitrogen gas, etc., which is difficult to react with other substances. The first through hole 115 may provide the blocking gas from the upper portion of the blocking part 100 to blow the first and second regions 60 and 70.

상기 제2차단부(120)는 상기 플라즈마모듈(10)과 상기 제1차단부(110) 사이에 마련할 수 있으며, 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50)에 존재하는 오염물질의 밀도을 저감시키게 된다. The second blocking unit 120 may be provided between the plasma module 10 and the first blocking unit 110, and may be formed of contaminants present in the treatment region 50 of the plasma module 10. The density is reduced.

상기 제2차단부(120)는 진공을 이용하여 상기 처리영역(50)에 유입된 오염물질의 밀도를 저감시키게 된다. 즉, 상기 처리영역(50)은 실질적으로 상기 대상물(210)이 표면처리되는 영역이기 때문에 오염물질이 유입되면 상기 대상물(210)의 표면처리불량이 발생할 수 있게 된다. The second blocking unit 120 reduces the density of contaminants introduced into the treatment region 50 by using a vacuum. That is, since the treatment region 50 is a region where the object 210 is surface treated, when the pollutant is introduced, poor surface treatment of the object 210 may occur.

그래서 상기 제2차단부(120)는 진공을 이용하여 상기 처리영역(50) 주변을 국부적으로 진공이 되도록 할 수 있다. 즉, 상기 제2차단부(120)는 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감시켜 표면처리 효율을 향상시키게 된다. Therefore, the second blocking unit 120 may be locally vacuumed around the processing region 50 by using a vacuum. That is, the second blocking unit 120 reduces the density of the contaminants in the treatment region 50 to improve the surface treatment efficiency.

이와 같이, 본 발명의 표면처리장치(1)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마 련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시켜 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화와 안정성을 확보할 수 있게 된다. As described above, the surface treatment apparatus 1 of the present invention is introduced into the vicinity of the treatment region 50 of the plasma module 10 by using the blocking part 100 provided around the plasma module 10. By reducing the contaminants, it is possible to maximize the surface treatment efficiency and stability of the object 210.

도 5는 본 발명에 따른 표면처리장치에 마련되는 차단부의 실시예를 도시한 단면도이다. 표면처리장치는 도 3a, 도 3b 및 도 4를 인용하며, 중복되는 구성요소는 간략히 설명하거나 생략하기로 한다. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a blocking unit provided in the surface treatment apparatus according to the present invention. The surface treatment apparatus refers to FIGS. 3A, 3B and 4, and overlapping components will be briefly described or omitted.

상기 표면처리장치(1)는 대기 중에서 대상물(210)을 표면처리하는 장치이다. 그런데 상기 대상물(210)을 표면처리 할 때, 대기 중에 있는 산소, 수분 등의 오염물질은 상기 대상물(210)의 표면을 처리하는데 방해요인이 될 수 있다. 그래서 상기 대상물(210)을 표면처리할 때는 상기 오염물질을 상기 대상물(210) 주변에서 저감하는 것이 바람직하다.The surface treatment apparatus 1 is a device for surface treatment of the object 210 in the atmosphere. By the way, when surface treatment of the object 210, contaminants such as oxygen, moisture, etc. in the air may be an obstacle to treating the surface of the object 210. Therefore, when surface treatment of the object 210, it is preferable to reduce the contaminants around the object 210.

도 5를 참조하면, 상기 표면처리장치(1)는 플라즈마를 상압에서 생성할 수 있는 플라즈마모듈(10)과 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 다수의 홀을 구비한 차단부(100)를 포함한다. 상기 플라즈마모듈(10)과 상기 차단부(100)는 일체로 형성할 수도 있고, 서로 분리된 유닛으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 5, the surface treatment apparatus 1 includes a plasma module 10 capable of generating plasma at atmospheric pressure, and a blocking unit 100 having a plurality of holes between the plasma module 10. Include. The plasma module 10 and the blocking unit 100 may be integrally formed, or may be formed as units separated from each other.

상기 표면처리장치(1)는 상압에서 상기 대상물(210)의 표면처리를 수행하게 됨으로 상기 제1차단부(110)는 상기 대상물(210)이 투입되는 방향과 배출되는 방향이 대기 중에 노출되어 있다. 그래서 상기 제1차단부(110)는 대상물(210)이 투입되는 방향과 배출되는 방향에 각각 배치시키는 것이 바람직하다. Since the surface treatment apparatus 1 performs the surface treatment of the object 210 at normal pressure, the first blocking part 110 is exposed to the air in the direction in which the object 210 is input and discharged. . Therefore, the first blocking unit 110 is preferably disposed in the direction in which the object 210 is introduced and discharged, respectively.

상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10)을 사이에 두고 상기 대상물(210) 이 투입되는 제1영역(60)과 상기 대상물(210)이 배출되는 제2영역(70)에 배치할 수 있다. 또는 상기 플라즈마모듈(10)이 대기 중에 노출되는 영역에 각각 복수의 차단부(100)를 마련할 수 있다. 여기서는 상기 대상물(210)이 투입되는 제1영역(60)과 상기 대상물(70)이 배출되는 제2영역(70)에 차단부가 마련된 것을 실시예를 들어 설명한다. The blocking unit 100 may be disposed in the first region 60 into which the object 210 is inserted and the second region 70 through which the object 210 is discharged with the plasma module 10 interposed therebetween. have. Alternatively, a plurality of blocking units 100 may be provided in areas where the plasma module 10 is exposed to the air. Here, an embodiment will be described in which blocking portions are provided in the first region 60 into which the object 210 is input and the second region 70 through which the object 70 is discharged.

상기 차단부(100)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변의 오염물질을 차단하는 제1차단부(110)와, 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감하는 제2차단부(120)를 포함한다. The blocking unit 100 may include a first blocking unit 110 for blocking contaminants around the plasma module 10 and a second blocking unit 120 for reducing the density of contaminants in the processing region 50. It includes.

상기 제1차단부(110)는 차단부(100)의 최외부에 마련되며, 단일 또는 복수개로 마련된 제1관통홀(115)을 형성할 수 있다. 그리고 상기 제1차단부(110)는 상기 플라즈마모듈(10)의 양쪽의 제1영역(60)과 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다. The first blocking unit 110 may be provided at the outermost portion of the blocking unit 100 and may form a single or a plurality of first through holes 115. The first blocking unit 110 may be disposed in the first region 60 and the second region 70 on both sides of the plasma module 10.

상기 제1차단부(110)는 불활성 가스, 질소 가스 등의 차단가스를 상기 플라즈마모듈(10) 외부로 불어 상기 플라즈마모듈(10) 주변의 오염물질을 1차적으로 차단할 수 있다. The first blocking unit 110 may blow off a blocking gas such as an inert gas or nitrogen gas to the outside of the plasma module 10 to primarily block contaminants around the plasma module 10.

그리고 상기 제1차단부(110)는 오염물질을 상기 플라즈마모듈(10) 내부(대상물(210)을 표면처리하는 처리영역(50))의 유입을 1차적으로 차단하기 위해 상기 제1차단부(110)에 제공되는 상기 차단가스를 상기 제1 및 제2영역(60, 70) 방향으로 불어줄 수 있다. In addition, the first blocking unit 110 may block the inflow of contaminants into the plasma module 10 (the processing region 50 for surface treatment of the object 210). The blocking gas provided to 110 may be blown toward the first and second regions 60 and 70.

상기 제1차단부(110)의 제1관통홀(115)의 방향을 플라즈마모듈(10)의 외부방향으로 기울어지게 할 수도 있다. 상기 제1차단부(110)는 상기 차단가스가 상기 플 라즈마모듈(10) 영역의 외부로 불어주기 위해 상기 제1관통홀(115)의 하부 단부 형상을 상기 플라즈마모듈(10)의 외부영역(투입/제2영역 방향)으로 소정각도 경사지게 형성할 수 있다. The direction of the first through hole 115 of the first blocking unit 110 may be inclined toward the outside of the plasma module 10. The first blocking unit 110 has a lower end shape of the first through hole 115 so as to blow off the blocking gas to the outside of the plasma module 10. It can be formed to be inclined at a predetermined angle in the direction of the input / second region.

상기 제1관통홀(115)의 단부에 경사진 형상은 상기 차단가스가 제1, 2영역(60, 70)에 원할하게 흐르기 위해서 상기 차단가스의 흐름에 방해가 되지 않는 경사진 각도로 형성할 수 있다. The inclined shape at the end of the first through hole 115 may be formed at an inclined angle that does not interfere with the flow of the blocking gas in order to smoothly flow the blocking gas into the first and second regions 60 and 70. Can be.

상기 제2차단부(120)는 상기 처리영역(50)으로 유입될 수 있는 산소, 수분 등의 오염물질의 밀도를 저감할 수 있다. 상기 오염물질은 상기 제1차단부(110)에서 1차적으로 차단하여도 상기 대상물(210)을 처리할 수 있는 상기 처리영역(50)으로 유입될 수 있다. 그래서 상기 제2차단부(120)는 처리영역(50)으로 유입된 오염물질을 2차로 차단할 수 있다. The second blocking unit 120 may reduce the density of contaminants, such as oxygen and moisture, which may flow into the processing region 50. The pollutant may be introduced into the treatment area 50 capable of treating the object 210 even though the first blocking part 110 is blocked first. Thus, the second blocking unit 120 may secondly block the contaminants introduced into the treatment region 50.

상기 제2차단부(120)는 상기 오염물질의 밀도를 저감시키기 위해 진공을 이용하며, 상기 처리영역(50)이 국부적으로 진공상태와 유사한 상태가 되도록 할 수 있게 한다. The second blocking unit 120 uses a vacuum to reduce the density of the contaminants, and allows the processing region 50 to be locally similar to the vacuum state.

상기 제2차단부(120)는 상기 제1차단부와 상기 플라즈마모듈 사이에 배치할 수 있으며, 상기 제1차단부(110)와 마찬가지로 상기 대상물(210)의 제1영역(60) 및 제2영역(70)에 각각 배치할 수 있다. The second blocking unit 120 may be disposed between the first blocking unit and the plasma module, and like the first blocking unit 110, the first region 60 and the second of the object 210 may be disposed. It can be arrange | positioned in the area | region 70, respectively.

상기 제2차단부(120)는 다수의 제2관통홀(125)로 형성할 수 있으며, 진공효율을 향상시키기 위해서 상기 제2관통홀(125)을 상기 처리영역(50) 주변에 적어도 2이상으로 형성할 수 있다. The second blocking portion 120 may be formed of a plurality of second through holes 125, and at least two or more of the second through holes 125 around the treatment area 50 to improve vacuum efficiency. It can be formed as.

그리고 상기 제2차단부(120)의 제2관통홀(125)은 상기 처리영역(50)의 오염물질의 밀도를 저감시키는 효율을 향상시키기 위해서 상기 처리영역(50) 방향으로 상기 제2관통홀(125)의 하부단부를 소정각도 경사진 형상으로 형성할 수 있다. In addition, the second through hole 125 of the second blocking part 120 has the second through hole toward the treatment area 50 in order to improve the efficiency of reducing the density of the pollutant in the treatment area 50. The lower end of the 125 may be formed in a shape inclined at a predetermined angle.

이와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치(1)의 차단부(100)는 상기 처리영역(50) 즉, 상기 표면처리장치(1)가 대상물(210)을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 된다. As such, the blocking unit 100 of the surface treatment apparatus 1 according to the present invention locally vacuums the treatment region 50, that is, the region where the surface treatment apparatus 1 processes the object 210. Formed to ensure the maximization and stability of the surface treatment efficiency of the object 210.

또한, 상기 차단부(100)에 의해서 외부로의 가스유출을 최소화할 수 있게 되어 독성이 있는 가스를 사용할 수 있다. In addition, it is possible to minimize the outflow of gas to the outside by the blocking unit 100 can use a toxic gas.

도 6은 본 발명에 따른 표면처리장치를 이용하여 형성되는 대상물의 표면처리 상태를 도시한 단면도이다. 여기서 표면처리장치는 도 3a, 도 3b 및 도 4를 인용하며, 대상물의 표면처리는 친수/소수 처리된 것을 실시예로 설명한다. 6 is a cross-sectional view showing a surface treatment state of an object formed using the surface treatment apparatus according to the present invention. Here, the surface treatment apparatus refers to FIGS. 3A, 3B, and 4, and the surface treatment of the object will be described as an example of hydrophilic / hydrophobic treatment.

도 6을 참조하면, 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시킬 수 있게 된다. 따라서 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화와 안정성을 확보할 수 있는 상기 표면처리장치(1)에 의해서 상기 대상물(210)의 표면은 상기 유기물(250)에 대해 안정적으로 친수/소수처리를 할 수 있다. Referring to FIG. 6, by using the blocking unit 100 provided around the plasma module 10, it is possible to reduce contaminants introduced into the processing area 50 of the plasma module 10. . Accordingly, the surface of the object 210 is stably hydrophilic / hydrophobic to the organic material 250 by the surface treatment apparatus 1 capable of maximizing surface treatment efficiency and stability of the object 210. can do.

상기 대상물(210) 상에 유기물(250) 패턴이 형성되는 것을 실시예로 설명한다. 상기 대상물(210)에 플로린계 가스를 이용하여 상기 유기물(250)에 소수/친수 특성을 갖는 표면처리를 할 수 있다. An embodiment in which the organic material 250 pattern is formed on the object 210 will be described. A surface treatment having hydrophobic / hydrophilic characteristics may be performed on the organic material 250 by using a florin-based gas on the object 210.

상기 패턴의 형상을 용이하게 형성하기 위해서 패턴이 형성되는 영역에는 유기물(250)에 대해 친수특성을 갖는 표면처리를 하게 되고, 패턴이 형성되지 않는 영역에는 상기 유기물(250)에 대해 소수특성을 갖는 표면처리를 하게 된다. In order to easily form the shape of the pattern, a surface treatment having a hydrophilic characteristic is performed on the organic material 250 in a region where the pattern is formed, and a hydrophobic characteristic on the organic material 250 in a region where the pattern is not formed. Surface treatment.

상기 대상물(210)에서 상기 유기물(250)에 대해 소수처리된 영역을 a로 표시하고, 친수처리된 영역을 b로 표시한다. In the object 210, a hydrophobized region of the organic material 250 is represented by a, and a hydrophilic region is represented by b.

상기 a영역은 유기물(250)에 대해 소수처리되어 상기 유기물(250)은 상기 a영역에 접촉각이 형성되지 않으려는 특성을 보인다. The region a is hydrophobized with respect to the organic material 250 so that the organic material 250 has a characteristic that a contact angle is not formed in the region a.

반면, 상기 b영역은 상기 유기물(250)에 대해 친수처리되어 소정의 접촉각으로 접촉하려는 특성을 보인다. On the other hand, the b region is hydrophilized with respect to the organic material 250 to exhibit a characteristic of contacting at a predetermined contact angle.

이와 같이, 분리되어진 영역으로 인해 소수와 친수 특성으로 나누어진 계면에서 상기 유기물(250)은 대략 수직한 접촉각이 형성될 수 있다. 따라서 상기 유기물(250)을 이용하여 패턴 등을 형성할 때 소정의 형상을 갖는 패턴을 안정성 있게 형성할 수 있게 된다. As such, the organic material 250 may have an approximately vertical contact angle at an interface divided into hydrophobic and hydrophilic properties due to the separated region. Therefore, when forming a pattern using the organic material 250, it is possible to stably form a pattern having a predetermined shape.

이와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치(1)의 차단부(100)는 상기 처리영역(50) 즉, 상기 표면처리장치(1)가 대상물(210)을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 상기 대상물(210)의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 됨에 따라 신뢰성 있는 패턴을 형성할 수 있다. As such, the blocking unit 100 of the surface treatment apparatus 1 according to the present invention locally vacuums the treatment region 50, that is, the region where the surface treatment apparatus 1 processes the object 210. Formed to form a reliable pattern as it can ensure the maximization and stability of the surface treatment efficiency of the object 210.

또한 상기 표면처리장치(1)는 상기 플라즈마모듈(10) 주변에 마련되는 상기 차단부(100)를 이용하여 상기 플라즈마모듈(10)의 상기 처리영역(50) 주변으로 유입되는 오염물질을 저감시킬 수 있기 때문에 유독한 반응가스를 사용할 수 있는 장 점이 있다. In addition, the surface treatment apparatus 1 may reduce contaminants introduced into the treatment area 50 of the plasma module 10 by using the blocking part 100 provided around the plasma module 10. It can be used to poison the reaction gases.

이상 설명한 내용을 통해 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능할 것이다. Those skilled in the art through the above description will be capable of various changes and modifications without departing from the spirit of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표면처리장치의 차단부는 처리영역 즉, 표면처리장치가 대상물을 처리하는 영역을 국부적으로 진공유사 상태로 형성하여 대상물의 표면처리효율의 극대화 및 안정성을 확보할 수 있게 되고, 상기 표면처리된 대상물 상에 신뢰성 있는 패턴을 형성할 수 있게 된다. As described above, the blocking portion of the surface treatment apparatus according to the present invention forms a treatment region, that is, a region in which the surface treatment apparatus treats the object in a vacuum-like state, to maximize the surface treatment efficiency of the object and ensure stability. In addition, it becomes possible to form a reliable pattern on the surface-treated object.

또한 표면처리장치는 플라즈마모듈 주변에 마련되는 차단부를 이용하여 상기 플라즈마모듈의 처리영역 주변으로 유입 및 유출되는 오염물질을 저감시킬 수 있기 때문에 유독한 가스를 사용할 수 있는 장점이 있다. In addition, the surface treatment apparatus has an advantage that it is possible to use toxic gas because it is possible to reduce the contaminants flowing in and out around the treatment area of the plasma module by using a blocking unit provided around the plasma module.

Claims (14)

플라즈마를 형성하여 하부방향으로 분사하는 플라즈마모듈; Plasma module for forming a plasma and spraying in the downward direction; 상기 플라즈마모듈의 하부에 배치되어 대상물을 이동시키는 이동부; A moving unit disposed under the plasma module to move an object; 상기 플라즈마모듈의 측면에 배치되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이로 유입되는 공기를 차단하는 차단부를 포함하는 표면처리장치. It is disposed on the side of the plasma module surface treatment apparatus including a blocker for blocking the air flowing between the plasma module and the moving unit. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플라즈마모듈과 상기 차단부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치. Surface treatment apparatus characterized in that the plasma module and the blocking unit is formed integrally. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플라즈마모듈과 상기 차단부는 탈착이 가능한 것을 특징으로 하는 표면처리장치. Surface treatment apparatus characterized in that the plasma module and the blocking unit is removable. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단부는 상기 플라즈마모듈이 대응되는 양측면에 구비되는 것을 특징 으로 하는 표면처리장치. The blocking unit is provided on both sides of the plasma module corresponding surface treatment apparatus. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단부는 상기 플라즈마모듈의 모든 측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. The blocking unit is a surface treatment apparatus, characterized in that provided on all sides of the plasma module. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단부는 The blocking part 상기 플라즈마모듈의 하부방향으로 제1가스를 분사하는 제1차단부;A first blocking portion which injects a first gas in a downward direction of the plasma module; 상기 제1차단부와 상기 플라즈마모듈 사이에 구비되어 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이에 제2가스를 배출하는 제2차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And a second blocking part provided between the first blocking part and the plasma module to discharge a second gas between the plasma module and the moving part. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1가스는 불활성가스, 질소가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면처리장치. The first gas is a surface treatment apparatus, characterized in that any one of an inert gas, nitrogen gas. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2가스는 상기 대상물 처리 중에 잔류하는 오염물질인 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And the second gas is a contaminant remaining during the object treatment. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1차단부는 적어도 하나 이상의 제1관통홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And the first blocking portion has at least one first through hole. 제 9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 제1관통홀의 하부 단부는 소정각도 경사진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. A lower end portion of the first through hole has a surface inclined at a predetermined angle. 제 10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제1관통홀의 형상은 상기 제1관통홀의 하부방향에서 외부방향으로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치. The shape of the first through hole is a surface treatment apparatus, characterized in that formed inclined outwardly from the lower direction of the first through hole. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2차단부는 적어도 하나 이상의 제2관통홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And the second blocking portion comprises at least one second through hole. 제 12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 제2관통홀의 하부 단부는 소정각도로 경사진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And a lower end portion of the second through hole has a shape inclined at a predetermined angle. 제 13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 제2관통홀의 형상은 상기 제2관통홀의 하부방향에서 상기 플라즈마모듈과 상기 이동부 사이에 형성된 대상물 표면 처리영역으로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 표면처리장치. And the shape of the second through hole is inclined to an object surface treatment region formed between the plasma module and the moving part in a lower direction of the second through hole.
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