KR20080044054A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR20080044054A
KR20080044054A KR1020060112864A KR20060112864A KR20080044054A KR 20080044054 A KR20080044054 A KR 20080044054A KR 1020060112864 A KR1020060112864 A KR 1020060112864A KR 20060112864 A KR20060112864 A KR 20060112864A KR 20080044054 A KR20080044054 A KR 20080044054A
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서창현
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삼성전자주식회사
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus is provided to remove particles attached on a wafer stage and to improve productivity by using a particle inspection unit and a cleaning unit. A wafer stage(120) is installed in a chamber(110). A particle inspection unit(130) is installed in the chamber to sense particles on the wafer stage. A cleaning unit(140) is installed in the chamber to clean a surface of the wafer stage. A control unit(150) is connected to the particle inspection unit and the cleaning unit to control operations of the particle inspection unit and the cleaning unit. The control unit controls the particle inspection unit to detect the presence of the particles and controls the cleaning unit to remove the particles.

Description

반도체 제조 설비{semiconductor manufacturing equipment}Semiconductor manufacturing equipment

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비의 개략적인 구성을 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비에 포함되는 클리닝유닛을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a cleaning unit included in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

100 : 반도체 제조 설비100: semiconductor manufacturing equipment

110 : 챔버110: chamber

120 : 웨이퍼 스테이지120: wafer stage

130 : 파티클 검사 유닛130: particle inspection unit

140 : 클리닝 유닛140: cleaning unit

150 : 제어유닛150 control unit

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 스테이 지에 웨이퍼가 탑재하기 전에 웨이퍼 스테이지 상에 파티클이 존재하는지 여부를 검사하여 이를 제거할 수 있는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility that can examine the presence of particles on the wafer stage and remove them before the wafer is mounted on the wafer stage.

일반적으로 반도체 소자는 이온주입 공정, 막 증착 공정, 확산공정, 사진공정, 식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조된다. 이러한 공정들 중에서, 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 형성하기 위한 사진공정은 반도체 소자 제조에 필수적으로 요구되는 공정이다.In general, semiconductor devices are manufactured through a plurality of processes such as ion implantation, film deposition, diffusion, photography, and etching. Among these processes, a photo process for forming a desired pattern on a wafer is an essential step for manufacturing a semiconductor device.

이러한 사진공정은 식각이나 이온주입될 부위와 보호될 부위를 선택적으로 정의하기 위해 마스크나 레티클의 패턴을 웨이퍼 위에 만드는 것으로, 크게 웨이퍼 상에 포토레지스트를 떨어뜨린 후 고속으로 회전시켜 웨이퍼 위에 원하는 두께로 포토레지스트를 입히는 도포공정, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 정해진 마스크 또는 레티클을 서로 정렬시킨 후 자외선과 같은 빛이 상기 마스크 또는 레티클을 통하여 웨이퍼 상의 포토레지스트에 조사되도록 하여 마스크 또는 레티클의 패턴을 웨이퍼에 전사시키는 노광공정 및 상기 노광공정이 완료된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 원하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상공정으로 이루어진다.This photo process involves creating a pattern of masks or reticles on the wafer to selectively define the areas to be etched or implanted and the areas to be protected. A photoresist coating process, a photoresist-coated wafer and a predetermined mask or reticle are aligned with each other, and then light such as ultraviolet rays is irradiated onto the photoresist on the wafer through the mask or reticle so that the pattern of the mask or reticle is applied to the wafer. And a developing step of developing a desired photoresist pattern by developing a photoresist of the wafer on which the exposure step is completed.

상기한 노광공정에 이용되는 반도체 제조 설비는 웨이퍼 표면에 형성된 포토레지스트와 같은 차광막에 대해 빛을 조사한다. 조사된 빛과 웨이퍼 표면에 형성된 포토레지스트(Photo-resist; PR)가 반응하여 고분자화되는 특성을 이용하여 반도체 제조 설비는 래티클(Reticle)의 회로패턴을 웨이퍼 상에 옮기는 설비이다. 이러한 노광 설비에는 일반적으로 스텝퍼(Stepper) 또는 스케너(Scanner)등의 장치가 사용된다.The semiconductor manufacturing equipment used for the above exposure process irradiates light to a light shielding film such as a photoresist formed on the wafer surface. A semiconductor manufacturing facility is a facility for transferring a circuit pattern of a reticle onto a wafer by using a property in which irradiated light and photo-resist (PR) formed on a wafer surface react with each other and polymerize. In general, an apparatus such as a stepper or a scanner is used for such an exposure apparatus.

한편, 상기 스텝퍼 또는 스케너 장치에는 노광이 진행될 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지가 마련되는데, 상기와 같은 웨이퍼 스테이지(Wafer-Stage) 상면에 일정크기의 파티클(Particle) 등의 이물질이 발생될 경우, 그 지점의 렌즈 촛점 심도를 벗어나게 되어 디포커스(Defocus)현상이 나타나 감광막의 해상도가 저하되고 제품 불량을 초래하게 된다.On the other hand, the stepper or scanner device is provided with a wafer stage on which the wafer to be exposed is seated. If foreign matter such as particles having a certain size is generated on the upper surface of the wafer stage, the spot Defocus occurs due to the lens depth of focus, resulting in a decrease in resolution of the photoresist film and product defects.

따라서, 종래의 반도체 제조 설비에는 웨이퍼 스테이지 상에 파티클이 부착되었는지 여부를 노광 공정의 진행 전에 검사하는 파티클 검사 유닛을 구비한다. 파티클 검사 유닛을 통하여 웨이퍼 스테이지 상에 파티클이 감지되면 반도체 제조 설비를 인터락시켜 더 이상 공정이 진행되지 못하도록 한다.Therefore, the conventional semiconductor manufacturing equipment is provided with a particle inspection unit which checks before advancing of an exposure process whether the particle adhered on the wafer stage. When particles are detected on the wafer stage through the particle inspection unit, the semiconductor manufacturing equipment is interlocked to prevent further processing.

이후, 작업자는 반도체 제조 설비를 분해하여 웨이퍼 스테이지를 설비로부터 분리시켜 웨이퍼 스테이지 상의 파티클을 수작업으로 클리닝한다. 그러나 상기와 같이 작업자가 수작업으로 클리닝 작업을 수행하는 경우 공정상의 문제가 없으나, 작업자의 눈으로 파티클을 감지할 수 없어 웨이퍼 스테이지에 부착된 파티클을 제거하지 못한 상태로 반도체 제조 설비에 웨이퍼 스테이지를 설치할 수 있다. 이 상태로 공정을 진행하였을 경우, 파티클 검사 유닛은 파티클을 감지하여 다시 반도체 제조 설비를 인터락 시킨다. 이러한 경우 작업자는 다시 상기한 방법으로 클리닝을 수행하여야 한다.The operator then disassembles the semiconductor manufacturing facility to separate the wafer stage from the facility and manually cleans the particles on the wafer stage. However, there is no process problem when the worker performs the cleaning operation manually as described above, but since the particles cannot be removed by the operator's eyes, the wafer stage may be installed in the semiconductor manufacturing equipment. Can be. When the process proceeds in this state, the particle inspection unit detects the particles and interlocks the semiconductor manufacturing equipment again. In this case, the operator must perform cleaning in the above-described manner.

결국, 작업자가 매번 웨이퍼 스테이지를 수작업으로 클리닝함으로써 상당한 작업시간을 요하게 되고, 이에 의하여 반도체 제조 수율이 저하된다. 또한 파티클이 완전히 제거되지 않은 채 노광 공정을 수행하는 경우 웨이퍼 패턴 불량을 초래 할 수 있다.As a result, the worker manually cleans the wafer stage each time, requiring a considerable work time, thereby lowering the semiconductor manufacturing yield. In addition, if the exposure process is performed while the particles are not completely removed, wafer pattern defects may be caused.

본 발명의 목적은, 웨이퍼 스테이지 상의 파티클을 감지할 수 있는 파티클 검사 유닛과 파티클을 제거할 수 있는 클리닝 유닛을 갖는 반도체 제조 설비를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing facility having a particle inspection unit capable of detecting particles on a wafer stage and a cleaning unit capable of removing particles.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 챔버와, 챔버 내에 설치된 웨이퍼 스테이지와, 챔버 내에 설치되어 웨이퍼 스테이지 상의 파티클을 감지하는 파티클 검사 유닛, 및 챔버 내에 설치되어 웨이퍼 스테이지의 표면을 세정하는 클리닝 유닛을 포함한다.The semiconductor manufacturing equipment according to the present invention for achieving the above object is a chamber, a wafer stage installed in the chamber, a particle inspection unit installed in the chamber to detect particles on the wafer stage, and installed in the chamber to provide a surface of the wafer stage. And a cleaning unit for cleaning.

본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 파티클 검사 유닛 및 클리닝 유닛에 연결된 제어 유닛을 더 포함하되, 제어 유닛은 파티클 검사 유닛을 동작시키어 웨이퍼 스테이지 상의 파티클의 존재 유무를 판단하고 파티클이 존재하는 경우에 클리닝 유닛을 동작시키어 파티클을 제거할 수 있다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention further comprises a control unit connected to the particle inspection unit and the cleaning unit, the control unit operating the particle inspection unit to determine the presence of particles on the wafer stage and the cleaning unit in the presence of the particles You can remove particles by operating.

클리닝 유닛은 승강 및 회전하는 몸체와, 몸체에 부착된 연결축, 및 연결축에 부착되어 웨이퍼 스테이지의 상면을 세정하는 클리닝부재를 포함한다.The cleaning unit includes a body for lifting and rotating, a connecting shaft attached to the body, and a cleaning member attached to the connecting shaft to clean the upper surface of the wafer stage.

파티클 검사 유닛은 웨이퍼 스테이지로 소정 광을 출사시키는 광원부와, 광 경로 상에 배치되어 광원부로부터 출사된 광을 웨이퍼 스테이지로 안내하는 광학계, 및 웨이퍼 스테이지로부터 반사된 광의 경로 상에 마련되어 반사된 광을 수광하는 이미지 센싱부를 포함한다.The particle inspection unit receives a light source provided on the wafer stage, an optical system disposed on an optical path to guide the light emitted from the light source to the wafer stage, and a light provided on the path of the light reflected from the wafer stage. It includes an image sensing unit.

클리닝부재는 클리닝용 스톤(Stone) 또는 브러쉬(brash)일 수 있다.The cleaning member may be a cleaning stone or a brush.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예가 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiment disclosed below and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비의 개략적인 구성을 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 챔버(110), 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지(120), 웨이퍼 스테이지(120)의 파티클 부착여부를 검사하는 파티클 검사 유닛(130) 및 웨이퍼 스테이지(120) 상의 파티클을 클리닝 하는 클리닝 유닛(140) 및 파티클 검사 유닛(130)과 클리닝 유닛(140)을 제어하는 제어유닛(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a chamber 110, a wafer stage 120 on which a wafer is seated on an upper surface, a particle inspection unit 130 and a wafer for inspecting whether particles are attached to the wafer stage 120. The cleaning unit 140 for cleaning the particles on the stage 120 and the particle inspection unit 130 and the control unit 150 for controlling the cleaning unit 140.

챔버(110)는 내부 공간이 마련되며, 도면에 도시하지는 아니하였으나 내부에 노광공정을 수행할 수 있는 각종 장치가 설치된다.The chamber 110 is provided with an internal space, and although not shown in the drawing, various devices capable of performing an exposure process are installed therein.

웨이퍼 스테이지(120)는 챔버의 내부 하단부에 설치되고, 노광공정이 진행될 때 그 상면에 웨이퍼가 안착된다. 공정진행 중 웨이퍼 스테이지(120)는 도시되지 않은 구동장치에 의하여 전후좌우로 이동하여 상면에 안착된 웨이퍼에 노광공정을 수행한다.The wafer stage 120 is installed at an inner lower end of the chamber, and the wafer is seated on an upper surface thereof when the exposure process is performed. During the process, the wafer stage 120 is moved back, front, left, and right by a driving device (not shown) to perform an exposure process on the wafer seated on the upper surface.

파티클 검사 유닛(130)은 웨이퍼 스테이지(120) 상의 파티클의 부착여부를 검사할 수 있도록 웨이퍼 스테이지(120) 상부에 설치된다. 파티클 검사 유닛(130)은 웨이퍼가 챔버(110)의 내부로 공급되기 전에 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 존재하는지를 검사한다.The particle inspection unit 130 is installed on the wafer stage 120 to inspect whether or not particles are attached on the wafer stage 120. The particle inspection unit 130 checks whether a particle exists on the wafer stage 120 before the wafer is supplied into the chamber 110.

파티클 검사 유닛(130)은 광원부(131), 광학계(132), 제1광 조절부(133), 제2광 조절부(134), 이미지 센싱부(135)를 포함한다.The particle inspection unit 130 includes a light source unit 131, an optical system 132, a first light control unit 133, a second light control unit 134, and an image sensing unit 135.

광원부(131)는 웨이퍼 스테이지(120) 상에 입사되는 광을 출사시킨다. 광원부(131)로부터 출사되는 광은 자외선(ultraviolet)이나 원자외선(deep ultraviolet)일 수 있다.The light source unit 131 emits light incident on the wafer stage 120. The light emitted from the light source unit 131 may be ultraviolet light or deep ultraviolet light.

광학계(132)는 광원부(131)로부터 출사된 광을 안내하여 이를 웨이퍼 스테이지(120)로 입사시킨다. 또한 웨이퍼 스테이지(120)로부터 반사되는 광을 안내하여 이를 이미지 센싱부(135)로 입사시킨다. 이때 광학계(132)는 광원부(131)와 웨이퍼 스테이지(120)의 사이에 배치될 수 있고, 광학계(132)의 내부에는 웨이퍼 스테이지(120)로부터 반사되는 광을 이미지 센싱부(135) 측으로 반사시키는 반사체(136)가 구비될 수 있다. 이 경우, 반사체(136)는 광원부(131)로부터 출사되어 웨이퍼 스테이지(120)로 입사되는 광은 투과시키고 웨이퍼 스테이지(120)로부터 반사되는 광은 이미지 센싱부(135) 측으로 반사시키는 하프 미러(half mirror)일 수 있다.The optical system 132 guides the light emitted from the light source 131 and enters the light into the wafer stage 120. In addition, the light reflected from the wafer stage 120 is guided and incident to the image sensing unit 135. In this case, the optical system 132 may be disposed between the light source unit 131 and the wafer stage 120, and the light reflected from the wafer stage 120 may be reflected inside the optical system 132 toward the image sensing unit 135. The reflector 136 may be provided. In this case, the reflector 136 is a half mirror that transmits the light emitted from the light source unit 131 to the wafer stage 120 and reflects the light reflected from the wafer stage 120 to the image sensing unit 135. mirror).

제1광 조절부(133)는 광원부(131)와 광학계(132)의 사이 또는 광학계(132)의 내부 등에 설치된다. 그리고, 제1광 조절부(133)는 광원부(131)로부터 출사되어 웨이퍼 스테이지(120)로 입사되는 광의 모양이나 양을 변경하는 역할을 한다. 즉, 제 1광 조절부(133)는 광원부(131)로부터 출사된 광이 웨이퍼 스테이지(120) 내 광입사 영역의 전면적에 모두 입사되도록 하거나 웨이퍼 스테이지(120)의 일부분인 웨이퍼가 안착되는 부분에만 입사되도록 한다.The first light control unit 133 is provided between the light source unit 131 and the optical system 132 or inside the optical system 132. The first light control unit 133 changes the shape or amount of light emitted from the light source unit 131 and incident on the wafer stage 120. That is, the first light control unit 133 allows the light emitted from the light source unit 131 to be incident on the entire area of the light incidence area in the wafer stage 120, or only in a portion where the wafer which is a part of the wafer stage 120 is seated. To be incident.

제2광 조절부(134)는 이미지 센싱부(135)와 광학계(132)의 사이 또는 광학계(132)의 내부 등에 설치되며, 웨이퍼 스테이지(120)로부터 반사되어 이미지 센싱부(135)로 입사되는 광의 모양이나 양을 변경하는 역할을 한다. The second light control unit 134 is installed between the image sensing unit 135 and the optical system 132 or inside the optical system 132, and is reflected from the wafer stage 120 to enter the image sensing unit 135. It changes the shape or quantity of light.

이미지 센싱부(135)는 웨이퍼 스테이지(120)로부터 반사되는 광을 수광하여 웨이퍼 스테이지(120)의 파티클을 감지하며, 제어부(150)에 연결되어 제어부(150)로 소정의 신호를 보낸다.The image sensing unit 135 receives light reflected from the wafer stage 120 to detect particles of the wafer stage 120, and is connected to the controller 150 to transmit a predetermined signal to the controller 150.

제어부(150)는 반도체 제조 설비(100)를 전반적으로 제어하는 역할을 한다. 구체적으로, 제어부(150)는 파티클 검사 유닛(130)에 연결되어 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클의 부착 여부를 확인하기 위하여 광원부(131), 광 조절부(133,134) 및 이미지 센싱부(135) 등을 전반적으로 제어한다. 그리고, 제어부(150)는 이미지 센싱부(135)로부터의 신호에 따라 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 존재하는지를 소정의 알고리즘에 의해 판단한다. 이에 의하여 파티클의 존재 및 부착위치 등을 파악한다.The controller 150 controls the overall semiconductor manufacturing facility 100. In detail, the controller 150 is connected to the particle inspection unit 130 to check whether the particles are attached to the wafer stage 120, and the light source unit 131, the light control units 133, 134, and the image sensing unit 135. Overall control. The controller 150 determines whether particles are present on the wafer stage 120 according to a signal from the image sensing unit 135 by a predetermined algorithm. As a result, the existence of particles and their attachment positions can be determined.

또한, 제어부(150)는 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착된 경우 클리닝유닛(140)을 작동시켜 파티클을 제거하도록 한다.In addition, the controller 150 operates the cleaning unit 140 to remove particles when particles are attached to the wafer stage 120.

클리닝유닛(140)은 웨이퍼 스테이지(120)에 인접하여 설치되고 상기한 바와 같이 제어부(150)의 신호에 의하여 웨이퍼 스테이지(120) 상에 부착된 파티클을 제 거하는 역할을 한다.The cleaning unit 140 is installed adjacent to the wafer stage 120 and serves to remove particles attached to the wafer stage 120 by the signal of the controller 150 as described above.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비에 포함되는 클리닝유닛을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a cleaning unit included in a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 클리닝유닛(140)은 몸체(141), 연결축(142), 클리닝부재(143)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the cleaning unit 140 includes a body 141, a connecting shaft 142, and a cleaning member 143.

몸체(141)는 클리닝부재(143)를 승강시킴과 아울러 웨이퍼 스테이지(120) 상에 인입/인출할 수 있도록 회전시키는 실린더일 수 있다. 즉, 몸체(141)가 상승, 하강, 회전함으로써 클리닝부재(143)는 웨이퍼 스테이지(120) 상의 파티클이 부착된 곳에 위치하게 된다. 몸체(141)는 도시되지 않은 구동수단에 의하여 동작한다.The body 141 may be a cylinder that lifts and lifts the cleaning member 143 and rotates to be pulled into / out of the wafer stage 120. That is, as the body 141 moves up, down, and rotates, the cleaning member 143 is positioned where the particles on the wafer stage 120 are attached. Body 141 is operated by a drive means not shown.

연결축(142)은 일단이 몸체(141)에 연결되고 타단에는 클리닝부재(143)가 결합한다. 연결축(142)은 몸체(141)가 승강 또는 회전하는 경우 몸체(141)와 연동되어 동작한다. 또한, 연결축(142)은 노광공정의 진행 중에는 웨이퍼 스테이지(120)로부터 이격되어 위치한다. 따라서, 노광공정에 영향을 미치지 않게 된다.One end of the connecting shaft 142 is connected to the body 141 and the other end of the cleaning member 143 is coupled. The connecting shaft 142 operates in conjunction with the body 141 when the body 141 is lifted or rotated. In addition, the connecting shaft 142 is positioned away from the wafer stage 120 during the exposure process. Therefore, the exposure process is not affected.

클리닝부재(143)는 연결축(142)의 타단에 설치되고 연결축(142)의 동작에 의하여 웨이퍼 스테이지(120)에 부착된 파티클을 제거하는 역할을 한다. 클리닝부재(143)는 클리닝용 스톤(Stone)인 것이 바람직하고, 또한 클리닝용 브러쉬(brush)를 사용할 수도 있다.The cleaning member 143 is installed at the other end of the connecting shaft 142 and serves to remove particles attached to the wafer stage 120 by the operation of the connecting shaft 142. The cleaning member 143 is preferably a cleaning stone, and a cleaning brush may also be used.

다음은 상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 동작을 설명하도록 한다.Next will be described the operation of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention configured as described above.

먼저, 노광공정이 진행될 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(120) 상으로 로딩하기 전에 웨이퍼 스테이지(120) 상면의 파티클에 대한 검사를 먼저 진행하여야 한다.First, before the wafer to be subjected to the exposure process is loaded onto the wafer stage 120, the particles on the upper surface of the wafer stage 120 should be inspected first.

파티클 검사 유닛(130)은 웨이퍼 스테이지(120)의 상면에 파티클이 부착되었는지를 검사한다. 이때 광원부(131)는 소정의 광을 출사시킨다. 출사된 광은 제1광 조절부(133), 광학계(132), 웨이퍼 스테이지(120), 광학계(132), 제2광 조절부(134)를 차례로 거쳐 이미지 센싱부(135)에 수광된다. 이미지 센싱부(135)는 이 데이터를 제어유닛(150)에 보내고, 제어유닛(150)은 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 존재하는지를 소정의 알고리즘을 통해 판단한다.The particle inspection unit 130 inspects whether particles are attached to the upper surface of the wafer stage 120. At this time, the light source unit 131 emits predetermined light. The emitted light is received by the image sensing unit 135 through the first light control unit 133, the optical system 132, the wafer stage 120, the optical system 132, and the second light control unit 134. The image sensing unit 135 sends this data to the control unit 150, and the control unit 150 determines whether a particle exists on the wafer stage 120 through a predetermined algorithm.

만약, 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착되어 있지 않는다면, 제어유닛(150)은 노광공정의 수행을 위해 반도체 제조 설비(100)를 작동할 것이다.If no particles are attached to the wafer stage 120, the control unit 150 may operate the semiconductor manufacturing facility 100 to perform the exposure process.

그러나, 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착되어 있다면, 제어유닛(150)은 클리닝유닛(140)을 동작시킨다. 이때 클리닝유닛(140)의 몸체(141)는 승강 및 회전하여 클리닝부재(143)를 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착된 위치로 이동시켜 웨이퍼 스테이지(120)의 상면을 클리닝 한다.However, if particles are attached to the wafer stage 120, the control unit 150 operates the cleaning unit 140. At this time, the body 141 of the cleaning unit 140 is lifted and rotated to move the cleaning member 143 to the position where the particles are attached on the wafer stage 120 to clean the upper surface of the wafer stage 120.

클리닝을 마친 클리닝부재(143)가 웨이퍼 스테이지(120)로부터 이격되어 위치하면 제어유닛(150)은 다시 파티클 검사 유닛(130)으로 하여금 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착되었는지를 확인하도록 한다.If the cleaned cleaning member 143 is spaced apart from the wafer stage 120, the control unit 150 causes the particle inspection unit 130 to check whether the particles are attached to the wafer stage 120.

파티클 검사 유닛(130)이 다시 웨이퍼 스테이지 상의 파티클 부착여부를 확인하여 파티클이 잔존하는 경우 제어유닛(150)은 다시 클리닝유닛(140)을 동작시켜 파티클을 제거하게 한다. 그러나 파티클이 제거된 경우에는 제어유닛(150)은 노광공정을 수행하기 위하여 반도체 제조 설비를 작동한다.When the particle inspection unit 130 again checks whether the particles are attached on the wafer stage and the particles remain, the control unit 150 operates the cleaning unit 140 again to remove the particles. However, when the particles are removed, the control unit 150 operates the semiconductor manufacturing equipment to perform the exposure process.

따라서, 본 발명에 따르면 웨이퍼 스테이지(120) 상에 파티클이 부착된 경우 클리닝유닛(140)를 통하여 이를 제거함으로써 작업자가 파티클의 제거를 위해 반도체 제조 설비(100)를 분해할 필요가 없고, 웨이퍼 스테이지(120)를 반도체 제조 설비(100)로부터 분리하여 클리닝을 수행할 필요가 없다. 그리고, 작업자가 수작업으로 웨이퍼 스테이지(120)를 클리닝 하지 않게 되어 작업자가 파티클을 제거하지 않고 웨이퍼 스테이지(120)를 반도체 제조 설비(100)에 설치하여 다시 클리닝 작업을 위해 반도체 제조 설비(100)를 분해할 필요도 없다. 즉, 클리닝 작업을 위한 공정 시간을 단축할 수 있다.Therefore, according to the present invention, when a particle is attached on the wafer stage 120, the particle is removed through the cleaning unit 140 so that an operator does not need to disassemble the semiconductor manufacturing facility 100 for removing the particle, and the wafer stage It is not necessary to separate 120 from the semiconductor manufacturing facility 100 to perform cleaning. In addition, since the worker does not clean the wafer stage 120 by manual operation, the operator installs the wafer stage 120 in the semiconductor manufacturing facility 100 without removing particles, thereby re-installing the semiconductor manufacturing facility 100 for cleaning. There is no need to disassemble. That is, the process time for the cleaning operation can be shortened.

또한, 작업자의 육안에 의하여 파티클을 검사하지 않으므로 미세한 파티클도 파악하여 클리닝 작업을 수행할 수 있다.In addition, since particles are not inspected by the naked eye of the operator, fine particles may be identified and cleaning may be performed.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술 되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. Although described in detail with respect to the preferred embodiment of the present invention as described above, those of ordinary skill in the art, without departing from the spirit and scope of the invention defined in the appended claims Various modifications may be made to the invention.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 파티클 검사 유닛과 클리닝 유닛을 통하여 작업자의 수작업에 의하지 않고 웨이퍼 스테이지에 부착된 파티클을 제거할 수 있어 반도체 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the particles attached to the wafer stage can be removed through the particle inspection unit and the cleaning unit without the manual labor of the operator, thereby improving the semiconductor manufacturing yield.

Claims (5)

챔버;chamber; 상기 챔버 내에 설치된 웨이퍼 스테이지;A wafer stage installed in the chamber; 상기 챔버 내에 설치되어 상기 웨이퍼 스테이지 상의 파티클을 감지하는 파티클 검사 유닛; 및A particle inspection unit installed in the chamber to sense particles on the wafer stage; And 상기 챔버 내에 설치되어 상기 웨이퍼 스테이지의 표면을 세정하는 클리닝 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.And a cleaning unit installed in the chamber to clean the surface of the wafer stage. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파티클 검사 유닛 및 상기 클리닝 유닛에 연결된 제어 유닛을 더 포함하되, 상기 제어 유닛은 상기 파티클 검사 유닛을 동작시키어 상기 웨이퍼 스테이지 상의 파티클의 존재 유무를 판단하고 상기 파티클이 존재하는 경우에 상기 클리닝 유닛을 동작시키어 상기 파티클을 제거하는 반도체 제조 설비.And a control unit connected to the particle inspection unit and the cleaning unit, wherein the control unit operates the particle inspection unit to determine the presence or absence of particles on the wafer stage, and when the particles are present, to clean the cleaning unit. Operating the semiconductor manufacturing equipment to remove the particles. 제 1항에 있어서, 상기 클리닝 유닛은The method of claim 1, wherein the cleaning unit 승강 및 회전하는 몸체;Lifting and rotating body; 상기 몸체에 부착된 연결축;A connecting shaft attached to the body; 상기 연결축에 부착되어 상기 웨이퍼 스테이지의 상면을 세정하는 클리닝부재를 포함하는 반도체 제조 설비.And a cleaning member attached to the connection shaft to clean the upper surface of the wafer stage. 제 1항에 있어서, 상기 파티클 검사 유닛은The method of claim 1, wherein the particle inspection unit 상기 웨이퍼 스테이지로 소정 광을 출사시키는 광원부;A light source unit emitting predetermined light to the wafer stage; 상기 광 경로 상에 배치되어 광원부로부터 출사된 상기 광을 상기 웨이퍼 스테이지로 안내하는 광학계;An optical system disposed on the optical path to guide the light emitted from the light source to the wafer stage; 상기 웨이퍼 스테이지로부터 반사된 광의 경로 상에 마련되어 상기 반사된 광을 수광하는 이미지 센싱부를 포함하는 반도체 제조 설비.And an image sensing unit provided on a path of light reflected from the wafer stage to receive the reflected light. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 클리닝부재는 클리닝용 스톤(Stone) 또는 브러쉬(brash)인 것을 특징으로 하는 반도체 노광장치.The cleaning member is a semiconductor exposure apparatus, characterized in that the cleaning stone (Stone) or brush (brash).
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