KR20080021978A

KR20080021978A - Exposure system

Info

Publication number: KR20080021978A
Application number: KR1020060085275A
Authority: KR
Inventors: 원유근
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-09-05
Filing date: 2006-09-05
Publication date: 2008-03-10

Abstract

An exposure system and an exposure method of the same are provided to sense easily a contamination state of an optical lens provided within an illumination unit and a projection unit and to prevent the contamination of the projection unit facing a wafer. A light source(100) is formed to emit light. An illumination unit(200) emits the light of the light source to a reticle loaded on a reticle stage(300). A projection unit(400) irradiates the light penetrating the reticle onto a substrate loaded on a substrate stage. A sensing unit senses contaminants on an optical path from the light source through the illumination unit and the projection unit to the substrate. The illumination unit includes an optical control member(220) for controlling uniformly intensity distribution of light, a light intensity control member(240) for controlling a coherence factor of the incident light, a blind member(260) for shielding partially the light to apply the light to the predetermined region of the reticle, and a condenser lens(280) for condensing the light and applying the light to the reticle.

Description

Exposure system

도 1은 본 발명에 따른 노광 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing an exposure system according to the present invention.

도 2는 도 1의 블라인드 부재를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a view schematically showing the blind member of FIG. 1.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 감지부를 이용하여 오염물질을 감지하는 모습을 나타내는 도면이다.3A and 3B are views showing a state of detecting a contaminant using a detector according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 오염방지유닛 및 세정노즐을 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a view schematically showing a pollution prevention unit and a cleaning nozzle according to the present invention.

도 5는 도 4의 리볼버를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating the revolver of FIG. 4. FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 노광 시스템 100 : 광원1: exposure system 100: light source

200 : 조명부 220 : 광분포조절 부재200: lighting unit 220: light distribution control member

240 : 광크기조절 부재 260 : 블라인드 부재240: light size control member 260: blind member

280 : 콘덴서 렌즈 300 : 레티클 스테이지280: condenser lens 300: reticle stage

400 : 투영부 500 : 웨이퍼 스테이지400: projection unit 500: wafer stage

600 : 감지부 700 : 제어기600: detection unit 700: controller

800 : 오염방지유닛 820 : 리볼버800: pollution prevention unit 820: revolver

840 : 구동기 860 : 세정노즐840: actuator 860: cleaning nozzle

880 : 세정유체라인880: Cleaning Fluid Line

본 발명은 반도체 장치의 제조를 위한 노광 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 레티클의 패턴들을 인쇄하는 노광 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure system for the manufacture of a semiconductor device, and more particularly to an exposure system for printing patterns of reticles on a silicon substrate used as a semiconductor substrate.

일반적으로, 반도체 장치는 이온주입(ion implantation) 공정, 증착(deposition) 공정, 확산(diffusion) 공정, 리소그래피(lithography) 공정 등과 같은 다수의 단위 공정들을 통하여 제조된다. 이러한 공정들 중에서 리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 소정의 패턴을 인쇄하기 위하여 수행된다.In general, a semiconductor device is manufactured through a plurality of unit processes, such as an ion implantation process, a deposition process, a diffusion process, a lithography process, and the like. Among these processes, a lithography process is performed to print a predetermined pattern on a semiconductor substrate.

리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 조성물 층을 형성하기 위한 코팅 공정, 코팅된 포토레지스트 조성물을 포토레지스트 막으로 경화시키기 위한 베이크 공정, 레티클의 패턴을 포토레지스트 막에 인쇄하기 위한 노광 공정 및 인쇄된 레티클 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상 공정을 포함한다.The lithography process includes a coating process for forming a photoresist composition layer on a semiconductor substrate, a bake process for curing the coated photoresist composition with a photoresist film, an exposure process for printing a pattern of reticles on the photoresist film, and a printed process. And a developing step for forming the reticle pattern into the photoresist pattern.

리소그래피 공정 중에서 노광 공정을 수행하기 위한 노광 시스템은 광원(light source)과, 광원으로부터 방출된 광을 레티클을 향하여 방출하는 조명부(illumination part), 레티클을 지지하기 위한 레티클 스테이지, 레티클을 통과한 광을 기판 상에 조사하기 위한 투영부(projection part), 기판을 지지하기 위한 기판 스테이지를 포함한다. 상기와 같은 노광 시스템의 예들은 니콘사(社)의 미합중국 특허 제6,538,719호(issued to Takahashi et al.)와, 에이에스엠엘사(社)의 한국등록특허공보 제10-0571371호에 개시되어 있다.An exposure system for performing an exposure process in a lithography process includes a light source, an illumination part that emits light emitted from the light source toward the reticle, a reticle stage for supporting the reticle, and light passing through the reticle. A projection part for irradiating onto the substrate, and a substrate stage for supporting the substrate. Examples of such exposure systems are disclosed in US Pat. No. 6,538,719 (issued to Takahashi et al.) By Nikon Corporation and Korea Patent Publication No. 10-0571371 of SML Corporation.

그러나, 종래의 노광 시스템은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.However, the conventional exposure system has the following problems.

첫째, 광원으로부터 방출된 광은 조명부 및 투영부를 거쳐 기판에 도달하며, 조명부 및 투영부는 복수의 렌즈들로 이루어져 있다. 레티클의 패턴을 기판 상에 정확히 인쇄하기 위해서 조명부 및 투영부 내의 렌즈들은 청결하게 유지되어야 하며, 렌즈가 오염된 경우 기판 상에는 원하는 사이즈보다 작거나 큰 포토레지스트 패턴이 형성된다. 따라서, 렌즈들이 오염물질에 의하여 오염되었는지를 항상 점검할 필요가 있으나, 종래의 노광 시스템은 오염 여부를 점검할 수 있는 장치가 제공되지 않았으며, 이로 인하여 패턴의 인쇄불량이 발생한 경우에 조명부 및 투영부를 직접 분해하여 각 구성요소(component)를 직접 점검하였다.First, the light emitted from the light source reaches the substrate via the illumination unit and the projection unit, and the illumination unit and the projection unit are composed of a plurality of lenses. In order to accurately print the pattern of the reticle onto the substrate, the lenses in the illumination and projections must be kept clean, and if the lens is contaminated, a photoresist pattern smaller or larger than the desired size is formed on the substrate. Therefore, it is always necessary to check whether the lenses are contaminated by contaminants, but the conventional exposure system is not provided with a device for checking whether there is a contamination. Each component was directly inspected by disassembling parts.

둘째, 기판과 마주보고 있는 투영부의 투영 렌즈는 노광공정시 기판 상의 포토레지스트로부터 발생하는 반응가스에 의하여 쉽게 오염된다. 따라서, 투영 렌즈를 빈번하게 수선하거나 교체해야 하며, 이로 인하여 노광 시스템의 유지보수에 많은 시간이 소요되었다.Second, the projection lens facing the substrate is easily contaminated by the reaction gas generated from the photoresist on the substrate during the exposure process. Therefore, the projection lens needs to be repaired or replaced frequently, which has required a lot of time for maintenance of the exposure system.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 렌즈의 오염여부를 감지할 수 있는 노광 시스템 및 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an exposure system and method that can detect the contamination of the lens.

본 발명의 다른 목적은 기판에 인접하고 있는 투영 렌즈의 오염시 새로운 투 영 렌즈로 교체하는 데 소요되는 시간을 줄이는 데 있다.Another object of the present invention is to reduce the time required to replace a new projection lens in the case of contamination of the projection lens adjacent to the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 노광 시스템은 광을 방출하는 광원과, 상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클 스테이지 상에 로딩된 레티클을 향하여 방출하는 조명부와, 상기 레티클을 투과한 광을 기판 스테이지 상에 로딩된 기판에 조사하는 투영부와, 상기 광원으로부터 상기 조명부 및 상기 투영부를 통하여 상기 기판에 이르는 광경로 상에 존재하는 오염물질을 감지하는 감지부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, an exposure system includes a light source for emitting light, an illumination unit for emitting light emitted from the light source toward a reticle loaded on a reticle stage, and light transmitted through the reticle on a substrate stage. And a detection unit for irradiating a substrate loaded onto the substrate, and a detection unit for detecting contaminants present on the optical path from the light source to the substrate through the illumination unit and the projection unit.

상기 조명부는 광의 세기 분포를 균일(uniform)하게 조절하는 광분포조절 부재와, 입사된 광의 코히어런스 팩터(coherence factor:σ)를 조절하는 광크기조절 부재와, 상기 레티클 중 기설정된 영역에 광을 제공하기 위하여 광의 일부를 차단하는 블라인드 부재와, 광을 수렴하여 상기 레티클에 제공하는 콘덴서 렌즈를 포함할 수 있다.The lighting unit includes a light distribution control member for uniformly adjusting the intensity distribution of light, a light size control member for adjusting a coherence factor (σ) of incident light, and light in a predetermined region of the reticle. It may include a blind member for blocking a part of the light to provide a, and a condenser lens for converging the light to provide to the reticle.

상기 감지부는 상기 광분포조절 부재의 일측에 위치하며, 상기 광분포조절 부재의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detection unit may be located on one side of the light distribution control member, and may detect contaminants present on one surface of the light distribution control member.

상기 감지부는 상기 광크기조절 부재의 일측에 위치하며, 상기 광크기조절 부재의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detection unit may be located on one side of the light size control member, and may detect contaminants present on one surface of the light size control member.

상기 감지부는 상기 콘덴서 렌즈의 일측에 위치하며, 상기 콘덴서 렌즈의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detector may be located at one side of the condenser lens and detect a contaminant present on one surface of the condenser lens.

상기 조명부는 상기 블라인드 부재의 일측에 위치하는 제1 릴레이 렌즈와 상기 블라인드 부재의 타측에 위치하는 제2 릴레이 렌즈를 더 포함하고, 상기 감지부 는 상기 제1 릴레이 렌즈의 일측에 위치하며, 상기 제1 릴레이 렌즈의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The lighting unit further includes a first relay lens positioned at one side of the blind member and a second relay lens positioned at the other side of the blind member, and the sensing unit is located at one side of the first relay lens. 1 It can detect contaminants on one surface of relay lens.

상기 투영부는 상기 레티클을 투과한 광을 수용하는 제1 투영렌즈와, 상기 기판 스테이지 상의 상기 기판에 대향하며 상기 제1 투영렌즈를 통하여 수용된 광을 상기 기판 스테이지 상의 상기 기판에 제공하는 제2 투영렌즈를 포함할 수 있다.The projection unit includes a first projection lens for receiving the light transmitted through the reticle and a second projection lens facing the substrate on the substrate stage and providing light received through the first projection lens to the substrate on the substrate stage. It may include.

상기 감지부는 상기 제1 투영렌즈의 일측에 위치하며, 상기 제1 투영렌즈의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detector may be located at one side of the first projection lens and detect a contaminant present on one surface of the first projection lens.

상기 감지부는 상기 제2 투영렌즈의 일측에 위치하며, 상기 제2 투영렌즈의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detector may be located at one side of the second projection lens and detect a contaminant present on one surface of the second projection lens.

상기 감지부는 일면에 대하여 광을 조사하는 발광부재와, 상기 일면에서 반사된 광을 수용하는 수광부재를 포함할 수 있다.The sensing unit may include a light emitting member for irradiating light to one surface and a light receiving member for receiving the light reflected from the one surface.

상기 시스템은 상기 투영부와 상기 기판 스테이지의 사이에 배치되며 회전가능한 리볼버와, 상기 리볼버를 회전시키는 구동기를 더 포함하며, 상기 리볼버는 복수의 보호렌즈를 구비하고 상기 보호렌즈는 상기 리볼버의 회전에 의하여 상기 광경로 상에 배치될 수 있다.The system further comprises a rotatable revolver disposed between the projection and the substrate stage, and a driver for rotating the revolver, the revolver having a plurality of protective lenses, the protective lens being adapted to the rotation of the revolver. The light path may be disposed on the light path.

상기 감지부는 상기 보호렌즈의 일측에 위치하며 상기 보호렌즈의 일면에 존재하는 오염물질을 감지할 수 있다.The detector may be located at one side of the protective lens and detect a contaminant present on one surface of the protective lens.

상기 시스템은 상기 감지부의 신호에 따라 상기 리볼버를 구동하는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 상기 감지부에 의하여 상기 보호렌즈 상에 오염물질이 감지되면 상기 구동기를 구동할 수 있다.The system may further include a controller for driving the revolver according to a signal of the sensing unit, and the controller may drive the driver when contaminants are detected on the protective lens by the sensing unit.

상기 시스템은 오염된 상기 보호렌즈를 세정하기 위하여 세정유체를 분사하는 세정노즐을 더 구비할 수 있다.The system may further comprise a cleaning nozzle for injecting a cleaning fluid to clean the contaminated protective lens.

상기 세정유체는 이산화탄소(CO₂) 가스일 수 있다.The cleaning fluid may be carbon dioxide (CO ₂ ) gas.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 노광 시스템은 광을 방출하는 광원과, 상기 광원으로부터 방출된 광을 레티클을 향하여 방출하는 조명부와, 상기 레티클이 로딩되는 레티클 스테이지와, 상기 레티클을 투과한 광을 기판에 조사하는 투영부와, 상기 기판이 로딩되는 기판 스테이지와, 상기 투영부와 상기 기판 스테이지의 사이에 배치되며 공정시 상기 투영부의 오염을 방지하기 위한 오염방지유닛을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an exposure system includes a light source for emitting light, an illumination unit for emitting light emitted from the light source toward a reticle, a reticle stage into which the reticle is loaded, and light passing through the reticle. And a projection unit irradiating a substrate, a substrate stage onto which the substrate is loaded, and a pollution prevention unit disposed between the projection unit and the substrate stage to prevent contamination of the projection unit during processing.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

한편, 노광 시스템(1)은 제조사에 따라 구성요소의 기능은 동일하나, 광경로 에 따른 구성요소의 선후 및 구성요소의 동작원리에 다소 차이가 있다. 따라서, 이하에서는 구성요소의 기능에 주안점을 두고 노광 시스템(1)을 설명하기로 하며, 이하에서 설명된 구성요소의 선후는 바뀔 수 있다.On the other hand, the exposure system 1 has the same function of the component according to the manufacturer, but there is a slight difference in the front and rear of the component according to the light path and the operation principle of the component. Therefore, below, the exposure system 1 will be described focusing on the function of the components, and the front and rear of the components described below may be changed.

아래에서 설명되는 노광 시스템(1)은 니콘사(社)의 미합중국 특허 제6,331,885호(issued to Nishi) 및 미합중국 특허 제6,538,719호(issued to Takahashi et al.)와, 에이에스엠엘사(社)의 한국등록특허공보 제10-0571371호에 상세하게 개시되어 있으며, 노광 시스템(1)을 이루는 구성요소의 기능은 이미 당업자에게 널리 알려져 있으므로 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The exposure system 1 described below is described in US Pat. No. 6,331,885 (issued to Nishi) and US Pat. No. 6,538,719 (issued to Takahashi et al.) By Nikon Corporation, It is disclosed in detail in Korean Patent Publication No. 10-0571371, and the function of the components constituting the exposure system 1 is already well known to those skilled in the art, so a detailed description of the components will be omitted.

또한, 이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.In addition, although the wafer W is demonstrated as an example of a board | substrate below, this invention is not limited to this.

도 1은 본 발명에 따른 노광 시스템(1)을 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 2는 도 1의 블라인드 부재(260)를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a schematic illustration of an exposure system 1 according to the invention, and FIG. 2 is a schematic illustration of the blind member 260 of FIG.

웨이퍼(W)는 웨이퍼 스테이지(500) 상에 안착된다. 웨이퍼(W) 상에는 포토레지스트 막(도시안됨)이 형성되어 있으며, 포토레지스트 막은 노광 공정 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴으로 형성된다. 포토레지스트 막은 포토레지스트 조성물 코팅 공정 및 소프트 베이크 공정을 통해 웨이퍼(W) 상에 형성되며, 이러한 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴은 식각 마스크 또는 이온 주입 마스크 등으로 사용될 수 있다.Wafer W is seated on wafer stage 500. A photoresist film (not shown) is formed on the wafer W, and the photoresist film is formed into a photoresist pattern through an exposure process and a developing process. The photoresist film is formed on the wafer W through a photoresist composition coating process and a soft bake process, and the photoresist pattern formed through this process may be used as an etching mask or an ion implantation mask.

웨이퍼(W) 상에는 다수의 샷 영역이 설정되어 있으며, 각각의 샷 영역은 적 어도 하나의 다이 영역을 포함한다. 다이 영역의 크기는 목적하는 반도체 장치의 종류에 따라 변화될 수 있으며, 다이 영역의 크기에 따라 각각의 샷 영역의 크기 및 샷 영역들의 수량이 결정될 수 있다.A plurality of shot regions are set on the wafer W, and each shot region includes at least one die region. The size of the die region may vary according to the type of semiconductor device desired, and the size of each shot region and the number of shot regions may be determined according to the size of the die region.

노광 시스템(1)은 광원(light source)(100), 조명부(illumination part)(200), 레티클 스테이지(300), 투영부(projection part)(400), 그리고 웨이퍼 스테이지(500)를 포함한다.The exposure system 1 includes a light source 100, an illumination part 200, a reticle stage 300, a projection part 400, and a wafer stage 500.

광원(100)은 노광을 위한 광을 생성한다. 광원(100)으로는 수은 램프, 불화아르곤(ArF) 레이저 발생장치, 불화크립톤(KrF) 레이저 발생장치, 극 자외선 빔(Extreme Ultraviolet beam) 또는 전자 빔(Electron beam) 발생장치를 포함하는 것이 바람직하다. 광원(100)은 조명부(200)와 연결된다.The light source 100 generates light for exposure. The light source 100 preferably includes a mercury lamp, an argon fluoride (ArF) laser generator, a krypton fluoride (KrF) laser generator, an extreme ultraviolet beam or an electron beam generator. . The light source 100 is connected to the lighting unit 200.

조명부(200)는 광원(100)으로부터 생성된 광을 레티클(R) 상으로 전송한다. 이때, 조명부(200)는 광원(100)으로부터 생성된 점광 형태로 형성된 광을 면광으로 변환하여 레티클(R)에 일정 크기로 접속시킨다.The lighting unit 200 transmits the light generated from the light source 100 onto the reticle R. In this case, the lighting unit 200 converts the light formed in the form of point light generated from the light source 100 into surface light and connects the reticle R to a predetermined size.

조명부(200)는 광분포 조절부재(light intensity distribution control member)(220), 광크기 조절부재(light intensity control member)(240), 블라인드 부재(blind member)(260), 콘덴서 렌즈(condenser lens)(280) 등을 포함한다.The lighting unit 200 includes a light intensity distribution control member 220, a light intensity control member 240, a blind member 260, and a condenser lens. 280 and the like.

광분포 조절부재(220)는 광원(100)으로부터 생성된 광의 균일도(uniformity) 를 향상시킨다. 광분포 조절부재(220)는 니콘사(社)의 플라이아이렌즈(fly-eye lens)와 대응되며, 에이에스엠엘사(社)의 쿼츠 로드(quarts rod)와 대응된다.The light distribution adjusting member 220 improves the uniformity of light generated from the light source 100. The light distribution adjusting member 220 corresponds to a fly-eye lens of Nikon Corporation, and corresponds to a quartz rod of SML Corporation.

광크기 조절부재(240)는 코히어런스 팩터(coherence factor, σ)를 조절하며, 니콘사(社)의 어퍼쳐 스톱 플레이트(aperture stop plate)와 대응되며, 에이에스엠엘사(社)의 조정수단에 대응된다.The light size adjusting member 240 adjusts a coherence factor (σ), corresponds to an aperture stop plate of Nikon Corporation, and adjusts the means of the SM L company. Corresponds to.

블라인드 부재(260)는 광의 일부를 차단하여 레티클(R) 상의 조명영역을 규정하며, 블라인드 부재(260)는 니콘사(社)의 레티클 블라인드 기구(reticle blind mechanism)에 대응된다. 레티클 블라인드 기구는 레티클(R) 상의 조명 영역을 규정하는 소정 형상의 개구부가 형성된 고정 레티클 블라인드(262)와, 고정 레티클 블라인드에 인접하도록 배치되며 폭이 가변인 개구부를 갖는 가동 레티클 블라인드(264)를 포함한다. 따라서, 노광시 가동 레티클 블라인드(264)를 이용하여 조명영역을 제한함으로써 필요없는 부분의 노광을 방지한다.The blind member 260 blocks a part of the light to define an illumination area on the reticle R, and the blind member 260 corresponds to a reticle blind mechanism of Nikon Corporation. The reticle blind mechanism comprises a fixed reticle blind 262 having an opening of a predetermined shape defining an illumination area on the reticle R, and a movable reticle blind 264 having a variable width opening disposed adjacent to the fixed reticle blind. Include. Therefore, the exposure area is prevented by limiting the illumination area by using the movable reticle blind 264 during exposure.

한편, 블라인드 부재(260)의 전단에는 제1 릴레이 렌즈(a)가 제공되며, 블라인드 부재(260)의 후단에는 제2 릴레이 렌즈(b)가 제공된다.Meanwhile, the first relay lens a is provided at the front end of the blind member 260, and the second relay lens b is provided at the rear end of the blind member 260.

광원(100)으로부터 생성된 광은 조명부(200)를 통과하면서 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기에 적합한 상태를 가지도록 처리된다. 여기서, 적합한 상태란 의도하는 포토레지스트 패턴의 특성에 대응하는 광의 양, 세기, 밀도 등을 의미하며, 당업자라면 웨이퍼(W) 상에 형성하고자 하는 미세 구조물의 종횡 비(aspect ratio), 식각 선택비 등에 따라 광이 적합한 상태를 가질 수 있는 조건을 용이하게 선택할 수 있을 것이다.The light generated from the light source 100 is processed to have a state suitable for forming a photoresist pattern on the wafer W while passing through the illumination unit 200. Here, the suitable state refers to the amount, intensity, density, etc. of light corresponding to the characteristics of the intended photoresist pattern, and those skilled in the art will recognize the aspect ratio and etching selectivity of the microstructure to be formed on the wafer W. The conditions under which light can have a suitable state will be readily selected.

조명부(200)를 통과한 광은 레티클 스테이지(300) 상에 배치된 레티클(R)에 조명된다. 레티클(R) 상에는 웨이퍼(W)의 샷 영역에 투영하기 위한 소정의 회로 패턴이 형성되어 있다. 레티클(R)에 조사된 광은 레티클(R)을 통과하면서 회로 패턴의 이미지 정보가 반영된다. 이 경우, 레티클(R)은 레티클 스테이지(300)에 의하여 소정의 방향으로 이동될 수 있다.The light passing through the lighting unit 200 is illuminated by the reticle R disposed on the reticle stage 300. On the reticle R, a predetermined circuit pattern for projecting onto the shot region of the wafer W is formed. The light irradiated to the reticle R passes through the reticle R, and image information of the circuit pattern is reflected. In this case, the reticle R may be moved in a predetermined direction by the reticle stage 300.

레티클(R)을 통과한 광은 투영부(400)에 조사된다. 투영부(400)는 회로 패턴의 이미지 정보가 반영된 광을 웨이퍼(W) 상에 다중 초점으로 조사하여 플렉스 노광(focus latitude extended exposure, FLEX) 공정을 수행한다. 플렉스 기술이란, 레티클(R)의 회로 패턴 이미지가 웨이퍼(W) 상에 다양한 초점으로 중첩되게 조사하는 기술로서, 이미지 형성 마진을 높일 수 있을 분만 아니라 초점심도(Depth Of Focus:DOF)를 증가시킬 수 있다.Light passing through the reticle R is irradiated to the projection unit 400. The projection unit 400 performs a focus latitude extended exposure (FLEX) process by irradiating light on which image information of a circuit pattern is reflected to the wafer W at multiple focus points. The flex technique is a technique of irradiating a circuit pattern image of the reticle R superimposed on the wafer W at various focal points. The flex technique may not only increase the image forming margin but also increase the depth of focus (DOF). Can be.

투영부(400)는 전체적으로 실린더 형상을 가지며, 상단부는 레티클(R)을 향하도록 배치되고, 하단부는 웨이퍼(W)를 향하도록 배치된다. 투영부(400)의 상단부에는 레티클(R)을 통과한 광이 입사되는 제1 투영렌즈(420)가 배치되며, 투영부(400)의 하단부에는 제1 투영렌즈(420)를 통하여 입사된 광이 출사되는 제2 투영렌즈(440)가 배치된다. 따라서, 레티클(R)을 통과하여 제1 투영렌즈(420)에 입사된 광은 제2 투영렌즈(440)를 통하여 출사된다. 제2 투영렌즈(440)를 통과한 광은 웨이퍼(W) 상에 조사된다.Projection unit 400 has a cylindrical shape as a whole, the upper end is disposed to face the reticle (R), the lower end is disposed to face the wafer (W). A first projection lens 420 through which the light passing through the reticle R is incident is disposed at an upper end of the projection part 400, and light incident through the first projection lens 420 is provided at a lower end of the projection part 400. The second projection lens 440 is disposed. Therefore, light incident through the reticle R and incident on the first projection lens 420 is emitted through the second projection lens 440. Light passing through the second projection lens 440 is irradiated onto the wafer (W).

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 감지부(600)를 이용하여 오염물질을 감지하는 모습을 나타내는 도면이다.3A and 3B are diagrams illustrating the detection of contaminants using the sensing unit 600 according to the present invention.

상술한 바와 같이, 조명부 및 투영부는 복수의 렌즈들로 이루어져 있으며, 반복적으로 공정을 수행하는 렌즈들은 오염물질에 의하여 오염될 수 있다. 이와 같은 현상은 조명부 및 투영부 내에 존재하는 기체(공기, 질소가스 등) 내에 포함된 불순물, 예를 들면 수분, 하이드로 카본(hydraulic carbon) 등이 렌즈의 표면에 부착되기 때문이다. 렌즈가 오염되면 조명부 및 투영부의 투과율 또는 반사율이 변하며, 이는 기판 상에 인쇄된 패턴의 불량을 유발하므로 오염된 렌즈를 검출하여 교체할 필요가 있다.As described above, the illumination unit and the projection unit are composed of a plurality of lenses, and lenses repeatedly performing the process may be contaminated by contaminants. This phenomenon is because impurities contained in the gas (air, nitrogen gas, etc.) existing in the illumination unit and the projection unit, for example, water, hydrocarbon, and the like, adhere to the surface of the lens. If the lens is contaminated, the transmittance or reflectance of the illumination unit and the projection unit changes, which causes a defect of the pattern printed on the substrate, and thus it is necessary to detect and replace the contaminated lens.

도 3a는 본 발명에 따른 감지부(600)를 이용하여 오염되지 않은 정상적인 콘덴서 렌즈(280)를 검사하는 경우를 나타내는 도면이다. 아래에서는 콘덴서 렌즈(280) 상의 오염물질을 감지하는 방법을 예로 들어 설명하며, 아래의 방법은 광분포조절부재(220), 광크기조절 부재(240), 제1 및 제2 릴레이 부재(a, b), 제1 및 제2 투영렌즈(420, 440)에도 동일하게 적용된다. 따라서, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.3A is a diagram illustrating a case of inspecting a normal contaminant lens 280 that is not contaminated using the sensing unit 600 according to the present invention. Hereinafter, a method of detecting a contaminant on the condenser lens 280 will be described as an example, and the following method includes the light distribution control member 220, the light size control member 240, and the first and second relay members a, b), the same applies to the first and second projection lenses 420 and 440. Therefore, detailed description thereof will be omitted.

감지부(600)는 콘덴서 렌즈(280)의 일측에 위치하며, 발광부재(620) 및 수광 부재(640)를 포함하는 반사형 광센서이다. 반사형 광센서는 대상물로부터 반사되는 광을 이용하여 대상물을 감지하는 방식을 사용한다.The detector 600 is located at one side of the condenser lens 280 and is a reflective optical sensor including a light emitting member 620 and a light receiving member 640. The reflective optical sensor uses a method of detecting an object by using light reflected from the object.

발광부재(620)는 콘덴서 렌즈(280)의 일면에 대하여 광을 방출하며, 방출된 광은 콘덴서 렌즈(280)의 일면에 반사되어 수광부재(640)를 향한다. 수광부재(640)는 광을 수용하며, 수용된 광의 크기 또는 광량에 관한 정보를 신호로 변환하여 제어기(700)로 송신한다.The light emitting member 620 emits light with respect to one surface of the condenser lens 280, and the emitted light is reflected by one surface of the condenser lens 280 to face the light receiving member 640. The light receiving member 640 receives the light, and converts information about the amount or amount of light received into a signal and transmits the signal to the controller 700.

제어기(700)는 오염되지 않은 정상적인 렌즈의 경우에 발광부재(620)로부터 방출된 광이 렌즈의 일면에 반사되어 수광부재(640)를 통하여 수용되었을 때, 광의 크기 또는 광량에 대한 기준 데이터를 미리 저장하고 있다. 따라서, 이후에 수용부재(640)가 광에 대한 측정 데이터를 보내면 제어기(700)는 기준 데이터와 측정 데이터를 서로 비교한다. 만일, 측정 데이터가 기준 데이터의 허용범위 내에 있으면 콘덴서 렌즈(280)가 정상이라고 판단하며, 측정 데이터가 기준 데이터의 허용범위 외에 있으면 콘덴서 렌즈(280)가 오염이라고 판단한다.In the case of a normal lens that is not contaminated, the controller 700 may preset reference data about the size or amount of light when the light emitted from the light emitting member 620 is reflected on one surface of the lens and received through the light receiving member 640. Saving. Therefore, after the receiving member 640 sends the measurement data for the light, the controller 700 compares the reference data and the measurement data with each other. If the measurement data is within the allowable range of the reference data, it is determined that the condenser lens 280 is normal. If the measurement data is outside the allowable range of the reference data, the condenser lens 280 is determined to be contaminated.

도 3b는 본 발명에 따른 감지부(600)를 이용하여 오염된 콘덴서 렌즈(280)를 검사하는 경우를 나타내는 도면이다3B is a diagram illustrating a case in which the contaminated condenser lens 280 is inspected using the sensing unit 600 according to the present invention.

콘덴서 렌즈(280)의 일면에 오염물질이 있는 경우, 발광부재(620)로부터 방출된 광은 오염물질로 인하여 콘덴서 렌즈(280)의 일면에서 난반사(diffused reflection)되며, 수광부재(640)가 수용하는 광의 크기 또는 광량은 콘덴서 렌 즈(280)의 일면에 오염물질이 없는 경우에 비하여 매우 적다. 따라서, 수용부재(640)가 송신한 측정 데이터는 제어기(700) 내에 저장된 기준 데이터의 허용범위를 벗어나므로 제어기(700)는 콘덴서 렌즈(280)가 오염이라고 판단한다.When there is a contaminant on one surface of the condenser lens 280, the light emitted from the light emitting member 620 is diffusely reflected on one surface of the condenser lens 280 due to the contaminant, and the light receiving member 640 is accommodated. The amount of light or the amount of light is very small compared to the case where there is no contaminant on one surface of the capacitor lens 280. Therefore, since the measurement data transmitted by the receiving member 640 is outside the allowable range of the reference data stored in the controller 700, the controller 700 determines that the condenser lens 280 is contaminated.

상술한 바에 의하면, 조명부(200) 및 투영부(400)를 직접 분해하지 않고도 광학렌즈의 오염여부를 쉽게 알 수 있으며, 각각의 광학렌즈에 대하여 감지부(600)를 설치하면 어느 부분에서 오염이 발생했는지를 쉽게 알 수 있다. 상술한 검사과정은 노광 공정에 의하여 웨이퍼(W) 상에 전사된 패턴이 불량인 경우에 진행될 수 있으며, 노광 공정 중에도 진행될 수 있다. 그러나, 노광 공정 중 검사과정을 진행하는 경우 검사과정이 노광 공정에 영향을 미칠 수 있다.According to the above, it is easy to know whether the optical lens is contaminated without directly disassembling the illumination unit 200 and the projection unit 400. If the sensing unit 600 is installed for each optical lens, the contamination may be at any part. It is easy to see if it happened. The above-described inspection process may be performed when the pattern transferred on the wafer W by the exposure process is defective, and may also be performed during the exposure process. However, when the inspection process is performed during the exposure process, the inspection process may affect the exposure process.

한편, 본 실시예에서는 하나의 발광부재(620) 및 하나의 수광부재(640)를 설명하고 있으나, 발광부재 및 수광부재의 수는 제한되지 않는다. 콘덴서 렌즈(280)의 전면에 대하여 오염상태를 검사하기 위하여 복수의 발광부재 및 수광부재가 제공될 수 있으며, 하나의 발광부재 및 수광부재가 이동하면서 콘덴서 렌즈(280)의 전면에 대하여 오염상태를 검사할 수도 있다. 또한, 검사에 소요되는 시간을 단축하기 위하여 라인(line) 형태의 발광부재 및 수광부재가 제공될 수도 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, one light emitting member 620 and one light receiving member 640 are described, but the number of light emitting members and light receiving members is not limited. A plurality of light emitting members and a light receiving member may be provided to inspect a contamination state of the front surface of the condenser lens 280, and one light emitting member and a light receiving member may be moved to inspect the contamination state of the front surface of the condenser lens 280. It may be. In addition, a light emitting member and a light receiving member in the form of a line may be provided to shorten the time required for the inspection.

또한, 감지부(600)는 콘덴서 렌즈(280)의 일측에만 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 콘덴서 렌즈(280)의 양측에 제공되어 콘덴서 렌즈(280)의 양면을 검사할 수 있다. 또한, 투과형 광센서를 사용하여 투과된 광으로부터 오염물질을 감지할 수도 있다.In addition, although the sensing unit 600 has been described as being provided only on one side of the condenser lens 280, it may be provided on both sides of the condenser lens 280 to inspect both sides of the condenser lens 280. In addition, a contaminant may be detected from the transmitted light using a transmissive optical sensor.

도 4는 본 발명에 따른 오염방지유닛(800) 및 세정노즐(900)을 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 5는 도 4의 리볼버를 나타내는 도면이다.4 is a view schematically showing a pollution prevention unit 800 and a cleaning nozzle 900 according to the present invention, Figure 5 is a view showing a revolver of FIG.

도 1에 도시한 바와 같이, 투영부(400)와 웨이퍼 스테이지(500) 사이에는 오염방지유닛(800)이 설치된다. 웨이퍼(W)와 대향하는 제2 투영렌즈(440)는 노광공정시 웨이퍼(W)로부터 발생하는 가스에 의하여 쉽게 오염될 수 있다. 제2 투영렌즈(440)가 오염되는 경우, 노광 시스템(1)의 해상성능 및 조도 등이 저하되고, 포토레지스트 패턴에 불량이 발생한다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 오염방지유닛(800)이 설치된다.As shown in FIG. 1, a pollution prevention unit 800 is installed between the projection unit 400 and the wafer stage 500. The second projection lens 440 facing the wafer W may be easily contaminated by the gas generated from the wafer W during the exposure process. When the second projection lens 440 is contaminated, the resolution and illuminance of the exposure system 1 decrease, and defects occur in the photoresist pattern. Therefore, the pollution prevention unit 800 is installed to prevent this.

오염방지유닛(800)은 리볼버(820)와 회전축(840), 그리고 구동기(860)를 포함한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 리볼버(820)는 복수의 보호렌즈(822)들을 구비한다. 복수의 보호렌즈(822)들은 등각을 이루도록 배치되며, 본 실시예에서는 네 개의 보호렌즈(822)들이 제공되므로 각각의 보호렌즈(822)는 90°를 이루도록 배치된다. 리볼버(820)의 하부에는 회전가능한 회전축(840)이 연결된다. 회전축(840)은 구동기(860)에 의하여 리볼버(820)와 함께 회전가능하다. 구동기(860)는 제어기(700)에 의하여 제어된다.The pollution prevention unit 800 includes a revolver 820, a rotation shaft 840, and a driver 860. As shown in FIG. 5, the revolver 820 includes a plurality of protective lenses 822. The plurality of protective lenses 822 are arranged to be conformal, and in this embodiment, four protective lenses 822 are provided so that each of the protective lenses 822 is 90 °. The rotatable rotating shaft 840 is connected to the lower part of the revolver 820. The rotating shaft 840 is rotatable with the revolver 820 by the driver 860. The driver 860 is controlled by the controller 700.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 투영렌즈(440)와 웨이퍼 스테이지(500) 사이에 위치하는 보호렌즈(822)는 웨이퍼(W)로부터 발생한 가스를 차단하여 제2 투영렌즈(440)가 오염되는 것을 방지한다.As shown in FIGS. 4 and 5, the protective lens 822 positioned between the second projection lens 440 and the wafer stage 500 blocks the gas generated from the wafer W to prevent the second projection lens 440. ) To prevent contamination.

한편, 웨이퍼(W)로부터 발생한 가스에 의하여 보호렌즈(822)가 오염되었을 때에는 제어기(700)를 이용하여 구동기(860)를 구동하며, 구동기(860)는 회전축(840) 및 리볼버(820)를 90°회전시켜 오염된 보호렌즈(822)를 광로로부터 이탈시키며, 오염되지 않은 보호렌즈(822)를 광로 상에 위치시킨다.Meanwhile, when the protective lens 822 is contaminated by the gas generated from the wafer W, the driver 860 is driven by using the controller 700, and the driver 860 rotates the rotation shaft 840 and the revolver 820. Rotation of 90 ° separates the contaminated protective lens 822 from the optical path, and places the uncontaminated protective lens 822 on the optical path.

도 4에 도시한 바와 같이, 리볼버(820)의 하부에는 세정노즐(900)이 설치된다. 세정노즐(900)은 오염된 보호렌즈(822)를 세정하기 위한 것이다. 따라서, 광로로부터 이탈한 오염된 보호렌즈(822)의 하부에 설치된다.As shown in FIG. 4, a cleaning nozzle 900 is installed below the revolver 820. The cleaning nozzle 900 is for cleaning the contaminated protective lens 822. Therefore, it is installed under the contaminated protective lens 822 separated from the optical path.

도 1에 도시한 바와 같이, 보호렌즈(822)의 하부면은 웨이퍼(W)와 대향되므로 상부면에 비하여 쉽게 오염된다. 따라서, 세정노즐(900)은 리볼버(820)의 하부면에 설치되는 것이 바람직하다. 그러나, 이와 달리 리볼버(820)의 상부 및 하부에 함께 설치될 수도 있다.As shown in FIG. 1, since the lower surface of the protective lens 822 faces the wafer W, it is contaminated more easily than the upper surface. Therefore, the cleaning nozzle 900 is preferably installed on the lower surface of the revolver 820. However, alternatively, the revolver 820 may be installed at the upper and lower portions thereof.

세정노즐(900)은 세정노즐(900)에 연결된 세정유체라인(920)을 통하여 공급된 세정유체를 보호렌즈(822)의 하부면에 분사한다. 세정유체라인(920) 상에는 세정유체라인(920)을 개폐하는 밸브(940)가 설치되며, 밸브(940)는 제어기(700)에 의하여 제어된다. 세정유체로는 이산화탄소(CO₂) 가스가 사용될 수 있으며, 그밖에 보호렌즈(822)를 손상시키지 않는 다양한 가스가 사용될 수 있다.The cleaning nozzle 900 sprays the cleaning fluid supplied through the cleaning fluid line 920 connected to the cleaning nozzle 900 to the lower surface of the protective lens 822. On the cleaning fluid line 920, a valve 940 for opening and closing the cleaning fluid line 920 is installed, and the valve 940 is controlled by the controller 700. Carbon dioxide (CO ₂ ) gas may be used as the cleaning fluid, and various gases that do not damage the protective lens 822 may be used.

앞에서 설명한 콘덴서 렌즈(280) 상의 오염물질을 감지하는 방법은 보호렌 즈(822)에도 동일하게 적용된다. 제어기(700)는 제어기(700) 내에 저장된 기준 데이터와 수용부재(640)가 송신한 측정 데이터를 서로 비교하여 측정 데이터가 기준 데이터의 허용범위 내에 있으면 보호렌즈(822)가 정상이라고 판단하며, 측정 데이터가 기준 데이터의 허용범위 외에 있으면 보호렌즈(822)가 오염이라고 판단한다.The method of detecting contaminants on the condenser lens 280 described above is equally applicable to the protective lens 822. The controller 700 compares the reference data stored in the controller 700 with the measurement data transmitted by the accommodation member 640, and determines that the protective lens 822 is normal if the measurement data is within the allowable range of the reference data. If the data is outside the allowable range of the reference data, it is determined that the protective lens 822 is contaminated.

보호렌즈(822)가 오염이라고 판단되면 제어기(700)는 구동기(860)를 구동하며, 구동기(860)는 회전축(840) 및 리볼버(820)를 90°회전시켜 오염된 보호렌즈(822)를 광로로부터 이탈시키며, 오염되지 않은 보호렌즈(822)를 광로 상에 위치시킨다.If it is determined that the protective lens 822 is contaminated, the controller 700 drives the driver 860, and the driver 860 rotates the rotation shaft 840 and the revolver 820 by 90 ° to rotate the contaminated protective lens 822. Departing from the optical path, an uncontaminated protective lens 822 is placed on the optical path.

오염된 보호렌즈(822)가 광로로부터 이탈하여 세정노즐(900)의 상부에 위치하면, 제어기(700)는 밸브(940)를 개방하여 세정유체를 세정노즐(900)에 공급하며, 세정노즐(900)은 보호렌즈(822)의 하부면에 세정유체를 분사한다.When the contaminated protective lens 822 is separated from the optical path and positioned above the cleaning nozzle 900, the controller 700 opens the valve 940 to supply the cleaning fluid to the cleaning nozzle 900. 900 sprays a cleaning fluid on the lower surface of the protective lens 822.

상술한 바에 의하면, 공정진행시 웨이퍼(W)로부터 발생하는 가스에 의하여 제2 투영렌즈(440)가 쉽게 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 오염된 보호렌즈(822)를 쉽게 교체하여 세정할 수 있다.As described above, the second projection lens 440 may be easily contaminated by the gas generated from the wafer W during the process, and the contaminated protective lens 822 may be easily replaced and cleaned. .

본 발명에 의하면, 조명부 및 투영부 내에 제공된 광학렌즈의 오염여부를 쉽게 알 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)와 대향되는 투영부의 오염을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is easy to know whether the optical lens provided in the illumination unit and the projection unit is contaminated. In addition, it is possible to prevent contamination of the projection portion facing the wafer W.

Claims

A light source emitting light;

An illumination unit for emitting the light emitted from the light source toward the reticle loaded on the reticle stage;

A projection unit radiating light transmitted through the reticle onto a substrate loaded on a substrate stage; And

And a detector configured to detect contaminants present on the optical path from the light source to the substrate through the illumination unit and the projection unit.

The method of claim 1,

The lighting unit,

A light distribution adjusting member for uniformly adjusting the intensity distribution of the light;

A light size adjusting member for adjusting a coherence factor (σ) of incident light;

A blind member blocking a part of the light to provide light to a predetermined region of the reticle; And

And a condenser lens for converging light and providing the reticle.

The method of claim 2,

The detection unit is located on one side of the condenser lens, the exposure system, characterized in that for detecting the contaminants present on one surface of the condenser lens.

The method of claim 2,

The lighting unit further includes a first relay lens located on one side of the blind member and a second relay lens located on the other side of the blind member,

The detection unit is located on one side of the first relay lens, the exposure system, characterized in that for detecting a contaminant present on one surface of the first relay lens.

The method of claim 1,

The projection unit,

A first projection lens for receiving the light transmitted through the reticle; And

And a second projection lens facing the substrate on the substrate stage and providing light received through the first projection lens to the substrate on the substrate stage.

The method of claim 5,

The detection unit is located on one side of the second projection lens, the exposure system, characterized in that for detecting a contaminant present on one surface of the second projection lens.

The method according to claim 1 to 6,

The sensing unit is a light emitting member for irradiating light to one surface; And

And a light receiving member for receiving the light reflected from the one surface.

The method of claim 1,

And the system is disposed between the projection and the substrate stage and comprises a pollution prevention unit for preventing contamination of the projection during processing.

The method of claim 8,

The pollution prevention unit,

A revolver disposed between the projection portion and the substrate stage and rotatable; And

Further comprising a driver for rotating the revolver,

And the revolver includes a plurality of protective lenses, and the protective lenses may be disposed on the optical path by rotation of the revolver.

The method of claim 9,

The detection unit is located on one side of the protective lens,

A light emitting member for irradiating light to one surface of the protective lens; And

And a light receiving member for receiving the light reflected from one surface of the protective lens.

The method of claim 9,

The system further includes a controller for driving the revolver according to the signal of the sensing unit,

And the controller drives the driver when a contaminant is detected on the protective lens by the detector.

The method of claim 9,

The system further comprises a cleaning nozzle for injecting a cleaning fluid to clean the contaminated protective lens.

The method of claim 12,

And the cleaning fluid is carbon dioxide gas.

A light source emitting light;

An illumination unit emitting light emitted from the light source toward the reticle;

A reticle stage into which the reticle is loaded;

A projection unit radiating light transmitted through the reticle onto a substrate;

A substrate stage onto which the substrate is loaded; And

And an antifouling unit disposed between the projection unit and the substrate stage to prevent contamination of the projection unit during processing.

The method of claim 14,

The contamination prevention unit includes an exposure lens disposed side by side with the substrate.

The method of claim 14,

The pollution prevention unit,

Further comprising a driver for rotating the revolver,

And the revolver comprises a plurality of protective lenses, wherein the protective lenses are selectively disposed on the optical path by rotation of the revolver.

The method of claim 16,

The contamination prevention unit further comprises a cleaning nozzle for spraying a cleaning fluid for cleaning the contaminated protective lens.

The method of claim 17,

And the cleaning fluid is carbon dioxide gas.

An exposure method for transferring a pattern on a reticle to a substrate using an exposure system including an illumination unit having a plurality of optical lenses and a projection unit having a plurality of optical lenses.

Transferring patterns on the reticle onto the substrate using the exposure system;

Inspecting the photoresist patterns transferred on the substrate;

If the photoresist patterns are defective, inspecting whether the selected optical lens is contaminated by using a detector positioned at one side of the selected optical lens; And

If the selected optical lens is contaminated, replacing the contaminated optical lens with an uncontaminated optical lens.

The method of claim 19,

The exposure system further includes a protective lens disposed between the projection and the substrate so as to face the substrate, and preventing the projection from being contaminated by the gas generated from the substrate during the process. Exposure method.

The method of claim 20,

The method includes inspecting whether the protective lens is contaminated by using a sensing unit located at one side of the protective lens;

And replacing the contaminated protective lens with an uncontaminated protective lens when the protective lens is contaminated.

The method of claim 21,

The replacing the contaminated protective lens may include rotating the revolver having the protective lenses to separate the contaminated protective lens from the light path from the light source to the substrate and to prevent contamination of the protective lenses. And disposing the protective lens on the optical path.

The method of claim 22,

And the method comprises cleaning the contaminated protective lens deviated from the optical path using a cleaning fluid.

The method of claim 19,

And replacing the contaminated optical lens is cleaning the contaminated optical lens using a cleaning fluid.

The method of claim 23 or 24,

The cleaning fluid is an exposure method, characterized in that the carbon dioxide gas.