KR20070079696A - Equipment for exposure and method for cleaning particles on wafer stage chuck thereof - Google Patents

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KR20070079696A KR1020060010532A KR20060010532A KR20070079696A KR 20070079696 A KR20070079696 A KR 20070079696A KR 1020060010532 A KR1020060010532 A KR 1020060010532A KR 20060010532 A KR20060010532 A KR 20060010532A KR 20070079696 A KR20070079696 A KR 20070079696A
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Abstract

Exposure equipment and a method for removing particles from a wafer stage chuck of the same are provided to prevent the warpage or twist of a wafer due to particles by using a particle removing unit. Exposure equipment includes a sensor plate, a wafer stage, a wafer stage chuck, and a particle removing unit. The sensor plate(25) is installed under a projection lens. The sensor plate includes a sensor for sensing a wafer. The wafer stage(30) is installed under the sensor plate. The wafer stage chuck(31) is installed on the wafer stage in order to fix the wafer. The particle removing unit is capable of removing particles from the wafer stage chuck by discerning a plurality of regions from the wafer stage chuck and exposing each region of the wafer stage chuck using different light emitting units.

Description

노광 설비 및 그의 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클 제거 방법{Equipment for exposure and method for cleaning particles on wafer stage chuck thereof}Equipment for exposure and method for cleaning particles on wafer stage chuck

도 1은 웨이퍼에 대해 노광공정이 진행되는 노광설비의 구성을 보인 개략도.1 is a schematic view showing a configuration of an exposure apparatus in which an exposure process is performed on a wafer;

도 2는 도 1에서의 렌즈부 및 웨이퍼 스테이지부의 개략도.FIG. 2 is a schematic view of the lens portion and wafer stage portion in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지 및 센서 플레이트를 보인 개략도. 3 is a schematic view showing a wafer stage and a sensor plate according to the present invention.

도 4는 본 발명에서의 파티클 제거부의 구성도.4 is a block diagram of a particle removal unit in the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.5 is a flow chart illustrating a method of removing particles on a wafer stage chuck in accordance with one embodiment of the present invention.

<도면의 간단한 설명><Brief Description of Drawings>

25 : 센서 플레이트 30 : 웨이퍼 스테이지25 sensor plate 30 wafer stage

31 : 웨이퍼 스테이지 척 L1 ~ L4 : 발광 유닛31 wafer stage chuck L1 to L4 light emitting unit

A1 ~ A4 : 척의 영역 40 : 광원부A1 to A4: area of chuck 40: light source

42 : 전송 케이블42: transmission cable

본 발명은 반도체 소자 제조 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조를 위한 노광 공정에 사용되는 노광 설비 및 그의 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하기 위한 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility, and more particularly, to an exposure facility used in an exposure process for semiconductor device manufacturing and a method for removing particles on a wafer stage chuck thereof.

반도체 장치에 있어서는 반도체 장치의 집적도, 신뢰도 및 동작 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서, 포토리소그래피 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다. 포토리소그래피 기술은 유기적인 포토레지스트(photo-resist)를 사용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 기술이다.BACKGROUND OF THE INVENTION In semiconductor devices, manufacturing techniques have been developed to improve the degree of integration, reliability, operation speed, and the like of semiconductor devices. Accordingly, as a major technology for improving the degree of integration, the demand for fine processing technology such as photolithography technology is also becoming more stringent. Photolithography is a technique of forming a photoresist layer using an organic photoresist, and then forming the photoresist layer into a photoresist pattern.

보다 구체적으로는 먼저, 웨이퍼 상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트층을 형성한다. 그리고, 상기 포토레지스트층의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트층에 선택적으로 광을 조사한 다음, 현상하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고, 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그러나, 상기 포토리소그래피 공정 중에서 노광에서는 분해능(resolution) 등에 영향을 끼치는 로컬 포커스(local focus)와 같은 불량이 빈번하게 발생한다.More specifically, first, when a light such as ultraviolet rays or X-rays are irradiated onto a wafer, a photoresist layer is formed, which is an organic layer in which solubility change occurs in an alkaline solution. The photoresist layer is selectively irradiated with light through a pattern mask patterned to selectively expose only a predetermined portion of the photoresist layer, and then developed to develop a high solubility (positive photoresist). Exposed part) is removed, and the part having low solubility is left to form a photoresist pattern. However, in the photolithography process, exposure frequently causes defects such as local focus, which affects resolution and the like.

도 1은 노광 공정을 수행하는 노광 설비의 구성을 보인 개략도로서, 도 1을 참조하면, 노광 설비는 레이저부(10) ,광원부(22), 렌즈부(24), 웨이퍼 스테이지부(30) 및 캘리브레이션 툴(32)을 구비한다.FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of an exposure apparatus that performs an exposure process. Referring to FIG. 1, an exposure apparatus includes a laser unit 10, a light source unit 22, a lens unit 24, a wafer stage unit 30, and the like. And a calibration tool 32.

상기 레이저부(10)는 노광에 요구되는 레이저빔을 제공하기 위한 부분으로서, 레이저빔은 빔전송라인(12)을 따라 빔 스티어링 박스(14)로 전송된다. 상기 레이저빔은 빔 측정 유닛(16) 및 변이 조절부(18)를 거쳐 렌즈부(24)로 투영된다. The laser unit 10 is a portion for providing a laser beam required for exposure, and the laser beam is transmitted to the beam steering box 14 along the beam transmission line 12. The laser beam is projected onto the lens unit 24 via the beam measuring unit 16 and the shift adjusting unit 18.

상기 광원부(22)는 에너지 센서부(20), 상기 빔 측정 유닛(16) 및 상기 변이 조절부(18)을 구비한다.The light source unit 22 includes an energy sensor unit 20, the beam measuring unit 16, and the shift control unit 18.

상기 렌즈부(24)는 상기 웨이퍼 스테이지부(30) 상에 놓여지는 웨이퍼 상에 레티클의 패턴을 형성시키기 위한 부분이다. The lens portion 24 is a portion for forming a pattern of a reticle on a wafer placed on the wafer stage portion 30.

도 2는 도 1에서의 렌즈부(24) 및 웨이퍼 스테이지부(30)의 개략도이다.FIG. 2 is a schematic diagram of the lens portion 24 and the wafer stage portion 30 in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상기 렌즈부(24)의 하부에 센서 플레이트(25) 및 웨이퍼 스테이지(30)가 구비된다. 그리고, 상기 웨이퍼 스테이지(30)의 상부에는 웨이퍼 스테이지 척(31)이 구비된다.Referring to FIG. 2, a sensor plate 25 and a wafer stage 30 are provided below the lens unit 24. In addition, a wafer stage chuck 31 is provided on the wafer stage 30.

노광 공정에서 축소 투영 렌즈를 통해 투과되는 마스크 패턴의 초점이 웨이퍼 표면에 정확하게 일치되어야 한다. In the exposure process, the focus of the mask pattern transmitted through the reduction projection lens must be exactly coincident with the wafer surface.

도 1에서의 노광 설비에서 웨이퍼(미도시)는 웨이퍼 스테이지(30) 위에 흡착 고정되는 구조로 되어 있으나, 파티클이 있을 경우에는 이로 인해 웨이퍼의 휘어짐 또는 비틀림이 발생하게 되어 노광면이 노광 광축에 대해 수직을 유지하지 못하고 초점 불량(defocus)이나 부분적 초점 불량 현상인 로컬 포커스가 발생될 수도 있 다. 이러한 경우, 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 정확하게 전사할 수 없게 되고, 노광 공정이 진행된 후 웨이퍼를 검사하는 과정에서 결함으로 발견되어 재 작업을 필요로 하게 됨으로써 비용 손실을 유발하는 문제점이 있다. In the exposure apparatus of FIG. 1, the wafer (not shown) has a structure in which the wafer is adsorbed and fixed on the wafer stage 30, but in the case of particles, the wafer may be bent or twisted to cause the wafer to be exposed to the exposure optical axis. Failure to maintain verticality may result in local focus, a phenomenon that results in defocus or partial focus failure. In this case, there is a problem in that the desired pattern cannot be accurately transferred onto the wafer, and it is found to be a defect in the process of inspecting the wafer after the exposure process and thus requires rework, thereby causing cost loss.

부분적 초점 불량 현상인 로컬 포커스는 웨이퍼에 흡착된 파티클에 기인하는데, 상기 노광을 수행하기 위한 척(chuck)에 파티클이 흡착됨으로서 발생한다. 상기 파티클은 상기 웨이퍼를 이송하는 도중에 흡착되기도 하지만, 주는 상기 웨이퍼의 이면에 형성되는 포토레지스트층에 의해 발생한다. 이 때문에 상기 포토레지스트층을 형성할 때 신너(thinner)를 사용하여 웨이퍼의 뒷면에 형성되는 포토레지스트층을 제거하기도 하지만, 기술적 한계로 인하여 완전히 제거되지 못하는 실정이다. 특히 웨이퍼의 플랫존(flat zone) 부위의 이면에 형성되는 포토레지스트층이 그러하다. 따라서, 상기 웨이퍼의 뒷면에 형성된 포토레지스트층에 의해 상기 파티클은 빈번하게 발생한다. 그리하여, 웨이퍼에 대한 노광 공정을 수행할 때, 파티클에 의한 영향을 최소화하기 위한 조치들이 취해진다.The local focus, which is a partial focus failure phenomenon, is due to the particles adsorbed on the wafer, which is caused by the adsorption of particles on the chuck to perform the exposure. The particles may be adsorbed during the transfer of the wafer, but are generated by the photoresist layer formed on the back surface of the wafer. For this reason, when the photoresist layer is formed, a thinner may be used to remove the photoresist layer formed on the back side of the wafer. However, due to technical limitations, the photoresist layer may not be completely removed. This is especially the case of a photoresist layer formed on the back surface of a flat zone portion of a wafer. Therefore, the particles are frequently generated by the photoresist layer formed on the back side of the wafer. Thus, when performing the exposure process on the wafer, measures are taken to minimize the effects of particles.

이러한 조치들의 예들 중, 노광을 수행하기 이전에 브러시를 사용한 진공 흡착에 의해 웨이퍼의 이면에 흡착된 파티클을 제거하는 작업이 그 하나의 예이다. 또한, 상기 노광 설비의 웨이퍼 스테이지(stage) 내 파티클을 제거하기 위해 다양한 클리닝 툴들이 사용된다. 그러한 클리닝 툴들이 사용되어, 상기 웨이퍼 스테이지 내의 척에 부착된 파티클을 제거한다. 그러나, 척의 파티클은 완전하게 제거되지 않는 실정이고, 그러한 파티클은 로컬 포커스와 같은 불량 소스의 주된 원인이 된다. 그리고, 종래와 같은 클리닝 툴의 사용은 수동 조작을 통해 척에 대한 클리 닝 공정이 수행됨으로 인해, 척이 파손될 우려가 있고, 시간이 오래 걸리게 되는 문제점이 있으며, 척의 전 부분에 걸쳐 파티클이 제거되지 않는 문제점이 있다.One example of such measures is the removal of particles adsorbed on the backside of the wafer by vacuum adsorption using a brush prior to performing exposure. In addition, various cleaning tools are used to remove particles in the wafer stage of the exposure facility. Such cleaning tools are used to remove particles attached to the chuck in the wafer stage. However, chuck particles are not completely eliminated, and such particles are a major cause of bad sources such as local focus. In addition, the use of the cleaning tool as in the prior art may cause the chuck to be broken and take a long time because the cleaning process for the chuck is performed through manual operation, and particles are not removed over the entire part of the chuck. There is a problem.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클로 인해 웨이퍼의 휘어짐 또는 비틀림이 발생하게 되는 문제점을 개선하기 위한 노광 설비를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus for improving a problem that warpage or warpage of a wafer occurs due to particles on a wafer stage chuck.

본 발명의 다른 목적은 노광면이 노광 광축에 대해 수직을 유지하지 못함으로 인해 초점 불량이 발생하는 문제점을 개선하기 위한 노광 설비를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus for improving a problem that a focus failure occurs because the exposure surface is not perpendicular to the exposure optical axis.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클로 인한 부분적 초점 불량 현상인 로컬 포커스의 발생을 감소 또는 최소화하기 위한 노광 설비를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide an exposure arrangement for reducing or minimizing the occurrence of local focus, which is a partial focus failure due to particles on the wafer stage chuck.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클로 인해 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 정확하게 전사할 수 없게 되고 노광 공정이 진행된 후 웨이퍼를 검사하는 과정에서 결함으로 발견되어 재 작업을 필요로 하게 됨으로써 비용 손실을 유발하는 문제점을 개선하기 위한 노광 설비를 제공함에 있다.Another object of the present invention is that the particles on the wafer stage chuck will not be able to accurately transfer the desired pattern onto the wafer, and the cost will be reduced as the defects are found and required to be reworked during the inspection of the wafer after the exposure process is performed. It is to provide an exposure facility for improving the problem causing.

본 발명의 또 다른 목적은 클리닝 툴을 사용하여 수동으로 웨이퍼 스테이지 척에 부착된 파티클을 제거하는 경우의 척 파손, 공정 지연, 파티클의 불완전 제거 등의 문제점을 개선하기 위한 노광 설비를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide an exposure apparatus for improving problems such as chuck breakage, process delay, incomplete removal of particles, etc., when a particle attached to a wafer stage chuck is manually removed using a cleaning tool.

상기의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위한 축소 투영 렌즈를 구비한 노광 설비는, 상기 웨이퍼를 센싱하기 위한 센서가 장착되고 상기 투영 렌즈의 하부에 설치된 센서 플레이트; 상기 센서 플레이트의 하부에 설치되는 웨이퍼 스테이지; 상기 웨이퍼 스테이지의 상부면에 설치되어 상기 웨이퍼를 고정시키기 위한 웨이퍼 스테이지 척; 및 상기 웨이퍼 스테이지 척을 복수 개의 영역으로 구별하여 각각의 영역별로 서로 다른 발광 유닛으로 노광함으로써 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 파티클 제거부를 구비함을 특징으로 한다.An exposure apparatus having a reduction projection lens for forming a pattern on a wafer according to an aspect of the present invention for achieving the above objects, the sensor plate is mounted on the lower portion of the projection lens and equipped with a sensor for sensing the wafer ; A wafer stage installed below the sensor plate; A wafer stage chuck installed on an upper surface of the wafer stage to fix the wafer; And a particle removal unit that separates the wafer stage chuck into a plurality of regions and removes particles on the wafer stage chuck by exposing the wafer stage chuck to different light emitting units for each region.

여기서, 상기 파티클 제거부는 복수 개로 구별되는 각각의 영역을 노광하기 위한 복수 개의 발광 유닛; 상기 발광 유닛에 파티클 제거용 광을 제공하기 위한 광원부; 및 상기 광원부로부터 상기 발광 유닛으로 상기 파티클 제거용 광을 전송하기 위한 전송 케이블을 구비할 수 있다.Here, the particle removing unit comprises a plurality of light emitting units for exposing each of the areas divided into a plurality of light emitting units; A light source unit for providing particle removing light to the light emitting unit; And a transmission cable for transmitting the particle removing light from the light source unit to the light emitting unit.

또한, 상기 발광 유닛은 네 개로 구성되고 상기 웨이퍼 스테이지 척은 네 개의 영역으로 구별될 수 있다.In addition, the light emitting unit may be configured in four, and the wafer stage chuck may be divided into four regions.

또한, 상기 발광 유닛은 상기 센서 플레이트의 하부에 설치될 수 있다.In addition, the light emitting unit may be installed under the sensor plate.

상기의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 노광 설비에 있어서 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법은, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 위치를 센싱하는 센싱 단계; 및 상기 센싱 단계에서의 센싱 결과 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제1 영역이 센싱되는 경우에는 제1 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하고, 상기 웨이퍼 스 테이지 척의 제2 영역이 센싱되는 경우에는 제2 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제3 영역이 센싱되는 경우에는 제3 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하며, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제4 영역이 센싱되는 경우에는 제4 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하는 노광 단계를 구비함을 특징으로 한다.In an exposure apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above objects, a method for removing particles on a wafer stage chuck for fixing a wafer comprises: sensing a position of the wafer stage chuck; And when the first region of the wafer stage chuck is sensed as a result of the sensing in the sensing step, exposing particles on the wafer stage chuck using a first light emitting unit, and when the second region of the wafer stage chuck is sensed. Exposing particles on the wafer stage chuck using a second light emitting unit, and when a third region of the wafer stage chuck is sensed, exposing particles on the wafer stage chuck using a third light emitting unit, When the fourth region is sensed, an exposure step of exposing the particles on the wafer stage chuck using the fourth light emitting unit is provided.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명에 대한 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도로 예를 든 것에 불과하다. 따라서, 이하의 설명들이 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; The following descriptions are only given as an example to help those of ordinary skill in the art to more thoroughly understand the present invention. Accordingly, the following descriptions should not be used to limit the scope of the invention.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 스테이지 및 센서 플레이트를 보인 개략도이다.3 is a schematic view showing a wafer stage and a sensor plate according to the present invention.

도 3을 참조하면, 센서 플레이트(25) 및 웨이퍼 스테이지(30)가 도시되어 있다. 그리고, 상기 웨이퍼 스테이지(30)의 상부면에는 웨이퍼 스테이지 척(31)이 구비된다.Referring to FIG. 3, the sensor plate 25 and the wafer stage 30 are shown. In addition, a wafer stage chuck 31 is provided on an upper surface of the wafer stage 30.

상기 센서 플레이트(25)는 웨이퍼를 노광하기 위해 센싱하는 센서가 장착되는 부분이다. 상기 센서 플레이트(25)는 투영 렌즈의 하부에 설치된다.The sensor plate 25 is a part in which a sensor for sensing the wafer is mounted. The sensor plate 25 is installed under the projection lens.

상기 웨이퍼 스테이지(30)는 상기 센서 플레이트(25)의 하부에 설치된다. 상기 웨이퍼 스테이지(30)의 상부에는 웨이퍼 스테이지 척(31)이 설치된다.The wafer stage 30 is installed below the sensor plate 25. The wafer stage chuck 31 is provided on the wafer stage 30.

상기 웨이퍼 스테이지 척(31)은 상기 웨이퍼 스테이지(30)의 상부면에 설치되어 상기 웨이퍼를 고정시킨다. 그리하여, 상기 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위한 노광 공정이 원활하게 수행되어지도록 한다.The wafer stage chuck 31 is installed on an upper surface of the wafer stage 30 to fix the wafer. Thus, the exposure process for forming the pattern on the wafer can be performed smoothly.

상기 센서 플레이트(25)의 하부에는 복수 개의 발광 유닛(L1 ~ L4)이 구비된다. 상기 복수 개의 발광 유닛(L1 ~ L4)은 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)을 복수 개의 영역으로 구별하여 노광한다. 그리하여, 상기 웨이퍼 스테이지 척(31) 상에 존재하는 파티클을 제거한다. 상기 웨이퍼 스테이지 척(31) 상에 존재하는 파티클의 주된 성분은 포토레지스트이므로, 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)에 의해 상기 파티클이 제거될 수 있다.A plurality of light emitting units L1 to L4 are provided below the sensor plate 25. The plurality of light emitting units L1 to L4 classify the wafer stage chuck 31 into a plurality of areas to expose the wafer stage chucks 31. Thus, the particles present on the wafer stage chuck 31 are removed. Since the main component of the particles present on the wafer stage chuck 31 is photoresist, the particles may be removed by the light emitting units L1 to L4.

도 4는 본 발명에서의 파티클 제거부의 구성도이다.4 is a block diagram of a particle removing unit in the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에서의 파티클 제거부는 복수 개의 발광 유닛(L1 ~ L4), 광원부(40) 및 전송 케이블(42)을 구비한다.Referring to FIG. 4, the particle removing unit includes a plurality of light emitting units L1 to L4, a light source unit 40, and a transmission cable 42.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)은 복수 개로 구별되는 웨이퍼 스테이지 척(31)의 각각의 영역(A1 ~ A4)을 노광한다. 상기한 바와 같이 상기 웨이퍼 스테이지 척(31) 상의 파티클의 주 성분은 포토레지스트이므로 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)으로 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)의 각각의 영역을 노광함으로써 상기 파티클을 제거할 수 있다. 여기서, 상기 발광 유닛(L1)은 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)의 제1 영역(A1)의 노광에 사용되고, 상기 발광 유닛(L2)은 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)의 제2 영역(A2)의 노광에 사용되며, 상기 발광 유닛(L3)은 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)의 제3 영역(A3)의 노광에 사용되며, 상기 발광 유닛(L4)은 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)의 제3 영역(A4)의 노광에 사용된다. 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)은 상술한 바와 같이 네 개일 수 있지만, 다양한 개수일 수 있다. 그리고, 상기 웨이퍼 스테이지 척(31)은 네 개의 영역으로 구별될 수 있다. 그리고, 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)은 상기 센서 플레이트(25)의 하부에 설치된다. 3 and 4, the light emitting units L1 to L4 expose respective regions A1 to A4 of the wafer stage chuck 31 which are divided into plural numbers. As described above, since the main component of the particles on the wafer stage chuck 31 is photoresist, the particles may be removed by exposing respective regions of the wafer stage chuck 31 to the light emitting units L1 to L4. . Here, the light emitting unit L1 is used to expose the first area A1 of the wafer stage chuck 31, and the light emitting unit L2 is used to expose the second area A2 of the wafer stage chuck 31. Used for the exposure, and the light emitting unit L3 is used for the exposure of the third area A3 of the wafer stage chuck 31, and the light emitting unit L4 is the third area of the wafer stage chuck 31. It is used for exposure of (A4). The light emitting units L1 to L4 may be four as described above, but may be various numbers. The wafer stage chuck 31 may be divided into four regions. The light emitting units L1 to L4 are installed below the sensor plate 25.

상기 광원부(40)는 상기 발광 유닛에 파티클 제거용 광을 제공한다. 상기 광원부(40)에서 제공하는 광은 여러 가지 다양한 파장대의 광일 수 있으나, 파티클을 가장 잘 제거할 수 있는 파장대의 광이 사용되어지는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 광원부(40)에서 제공되는 광은 상기 노광 설비에 사용되어지는 포토레지스트를 고려하여 채택되어져야 할 것이다.The light source unit 40 provides light for removing particles to the light emitting unit. The light provided by the light source unit 40 may be light of various wavelengths, but light of a wavelength band that can best remove particles is preferably used. Therefore, the light provided from the light source unit 40 should be adopted in consideration of the photoresist used in the exposure apparatus.

상기 전송 케이블(42)은 상기 광원부(40)로부터 상기 발광 유닛(L1 ~ L4)으로 상기 파티클 제거용 광을 전송한다.The transmission cable 42 transmits the particle removing light from the light source unit 40 to the light emitting units L1 to L4.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광 설비는 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클의 주 성분이 포토레지스트임을 고려하여, 상기 파티클을 노광을 통하여 제거한다. As described above, the exposure apparatus according to the present invention removes the particles through exposure, considering that the main component of the particles on the wafer stage chuck is photoresist.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a method of removing particles on a wafer stage chuck according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 노광 설비에 있어서 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법은 센싱 단계(S10) 및 발광 유닛 선택 및 노 광 단계(S20 ~ S40)를 구비한다.Referring to FIG. 5, a method of removing particles on a wafer stage chuck for fixing a wafer in an exposure apparatus includes a sensing step S10, a light emitting unit selection, and an exposure step S20 to S40.

상기 센싱 단계(S10)는 상기 웨이퍼 스테이지 척(도 3의 31)의 위치를 센싱하는 단계이다. 그리하여, 상기 센싱 단계(S10)에서 상기 웨이퍼 스테이지 척(도 3의 31)의 구획된 영역(A1 ~ A4) 중 어느 영역인가가 센싱된다.The sensing step S10 is a step of sensing the position of the wafer stage chuck 31 of FIG. 3. Thus, in the sensing step S10, any one of the divided regions A1 to A4 of the wafer stage chuck 31 of FIG. 3 is sensed.

상기 발광 유닛 선택 및 노광 단계(S20 ~ S40)는, 상기 센싱 단계(S10)에서의 센싱 결과 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제1 영역(A1)이 센싱되는 경우에는 제1 발광 유닛(L1)을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광(S40)하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제2 영역(A2)이 센싱되는 경우에는 제2 발광 유닛(L2)을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광(S40)하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제3 영역(A3)이 센싱되는 경우에는 제3 발광 유닛(L3)을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광(S40)하며, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제4 영역(A4)이 센싱되는 경우에는 제4 발광 유닛(L4)을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광(S40)하는 단계이다. 그리고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 클리닝을 종료할 것인지를 판단(S50)하여 종료하지 않는 경우에는 센싱 단계(S10)로 리턴하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 클리닝을 종료하고자 하는 경우에는 그대로 종료한다.The light emitting unit selection and exposure steps S20 to S40 may be performed by using the first light emitting unit L1 when the first area A1 of the wafer stage chuck is sensed as a result of the sensing in the sensing step S10. When the particle on the wafer stage chuck is exposed (S40), and when the second area A2 of the wafer stage chuck is sensed, the particle on the wafer stage chuck is exposed (S40) using the second light emitting unit L2. When the third area A3 of the wafer stage chuck is sensed, a particle on the wafer stage chuck is exposed (S40) using the third light emitting unit L3, and the fourth area A4 of the wafer stage chuck is sensed. In this case, the particle on the wafer stage chuck is exposed (S40) using the fourth light emitting unit L4. If it is determined that the cleaning of the wafer stage chuck is not to be finished (S50), the process returns to the sensing step S10. If the cleaning of the wafer stage chuck is to be completed, the process is terminated as it is.

이와 같이 본 발명은 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광을 통해 클리닝함으로써 로컬 포커스 등의 중대한 문제점을 감소 또는 최소화할 수 있게 된다.As such, the present invention can reduce or minimize significant problems such as local focus by cleaning particles on the wafer stage chuck through exposure.

상기한 본 발명에 따른 노광 설비 및 그의 웨이퍼 스테이지 척의 파티클을 제거하는 방법은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명한 사실이라 할 것이다.The method of removing the particles of the exposure apparatus and the wafer stage chuck thereof according to the present invention described above is not limited to the above embodiments, and various designs and applications can be made without departing from the basic principles of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

상술한 바와 같이 본 발명은 개선된 노광 설비 및 그의 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법은 파티클로 인해 웨이퍼의 휘어짐 또는 비틀림이 발생하게 되는 문제점을 개선하는 효과를 갖는다.As described above, the present invention has an effect of improving the problem that the warping or twisting of the wafer is caused by the particles because the improved exposure equipment and the method of removing the particles on the wafer stage chuck thereof.

또한, 본 발명은 노광면이 노광 광축에 대해 수직을 유지하지 못함으로 인한 초점 불량, 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클로 인한 부분적 초점 불량 현상인 로컬 포커스의 발생 등을 감소 또는 최소화하는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of reducing or minimizing the focus failure due to the exposure surface is not perpendicular to the exposure optical axis, the generation of local focus, which is a partial focus failure phenomenon due to particles on the wafer stage chuck.

또한, 본 발명은 재작업으로 인한 비용 손실 및 척 파손, 공정 지연, 파티클의 불완전 제거 등의 문제점을 개선하는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of improving the problems such as cost loss and chuck breakage, process delay, incomplete removal of particles due to rework.

Claims (5)

웨이퍼에 패턴을 형성하기 위한 축소 투영 렌즈를 구비한 노광 설비에 있어서:In an exposure apparatus having a reduced projection lens for forming a pattern on a wafer: 상기 웨이퍼를 센싱하기 위한 센서가 장착되고 상기 투영 렌즈의 하부에 설치된 센서 플레이트;A sensor plate mounted at a lower portion of the projection lens and mounted with a sensor for sensing the wafer; 상기 센서 플레이트의 하부에 설치되는 웨이퍼 스테이지;A wafer stage installed below the sensor plate; 상기 웨이퍼 스테이지의 상부면에 설치되어 상기 웨이퍼를 고정시키기 위한 웨이퍼 스테이지 척; 및 A wafer stage chuck installed on an upper surface of the wafer stage to fix the wafer; And 상기 웨이퍼 스테이지 척을 복수 개의 영역으로 구별하여 각각의 영역별로 서로 다른 발광 유닛으로 노광함으로써 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 파티클 제거부를 구비함을 특징으로 하는 노광 설비.And a particle removing unit for removing the particles on the wafer stage chuck by dividing the wafer stage chuck into a plurality of regions and exposing the wafer stage chuck to different light emitting units for each region. 제1항에 있어서, 상기 파티클 제거부는, The method of claim 1, wherein the particle removing unit, 복수 개로 구별되는 상기 웨이퍼 스테이지 척의 각각의 영역을 노광하기 위한 복수 개의 발광 유닛;A plurality of light emitting units for exposing respective regions of the wafer stage chuck distinguished by a plurality; 상기 발광 유닛에 파티클 제거용 광을 제공하기 위한 광원부; 및A light source unit for providing particle removing light to the light emitting unit; And 상기 광원부로부터 상기 발광 유닛으로 상기 파티클 제거용 광을 전송하기 위한 전송 케이블을 구비함을 특징으로 하는 노광 설비.And a transmission cable for transmitting the particle removing light from the light source to the light emitting unit. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 발광 유닛은 네 개이고 상기 웨이퍼 스테이지 척은 네 개의 영역으로 구별됨을 특징으로 하는 노광 설비.And the wafer stage chuck is divided into four regions. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 발광 유닛은 상기 센서 플레이트의 하부에 설치됨을 특징으로 하는 노광 설비.And the light emitting unit is installed under the sensor plate. 노광 설비에 있어서 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 제거하는 방법에 있어서:A method of removing particles on a wafer stage chuck for holding a wafer in an exposure facility: 상기 웨이퍼 스테이지 척의 위치를 센싱하는 센싱 단계; 및Sensing a position of the wafer stage chuck; And 상기 센싱 단계에서의 센싱 결과 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제1 영역이 센싱되는 경우에는 제1 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제2 영역이 센싱되는 경우에는 제2 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하고, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제3 영역이 센싱되는 경우에는 제3 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하며, 상기 웨이퍼 스테이지 척의 제4 영역이 센싱되는 경우에는 제4 발광 유닛을 사용하여 상기 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클을 노광하는 노광 단계를 구비함을 특징으로 하는 파티클 제거 방법.As a result of sensing in the sensing step, when the first region of the wafer stage chuck is sensed, a particle on the wafer stage chuck is exposed using a first light emitting unit, and when the second region of the wafer stage chuck is sensed, the second region is sensed. A light emitting unit is used to expose particles on the wafer stage chuck, and when a third region of the wafer stage chuck is sensed, a third light emitting unit is used to expose particles on the wafer stage chuck, and a fourth of the wafer stage chuck And exposing a particle on the wafer stage chuck using a fourth light emitting unit when an area is sensed.
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