KR20080040152A - 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로 - Google Patents

메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로 Download PDF

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KR20080040152A
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한종우
이종인
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Abstract

본 발명은 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 흐름을 방지하기 위해 커패시터 뱅크의 프리차징 시간을 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 기초하여 제어할 수 있는 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치는 커패시터 뱅크의 전압 크기에 기초하여 스위치부의 온 제어 시간, 즉 프리차징 시간을 계산함으로써, 웨이퍼 번인 시스템의 동작 시간을 최적화시킬 수 있다.
Figure P1020060107754
메모리 테스트 시스템, 프리차징, 커패시터 뱅크, 돌입 전류

Description

메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로{Precharging circuit for memory test system}
도 1은 종래 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치의 기능 블록도를 도시하고 있다.
도 2는 종래 전원 정류부의 일 예를 보다 구체적으로 도시하고 있다.
도 3은 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 흐름을 방지하기 위한 종래 프리차징 회로의 일 예를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프리차징 회로(A')의 기능 블록도를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프리차징 회로(A'')의 기능 블록도를 도시하고 있다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
1: 전원부 2: 전원 정류부
3: 전원 공급부 4: 전원 제어부
5: 전원 차단부 11: 정류 다이오드
12: 커패시터 뱅크 14: 저항부
15: 스위치부 20: 정류부
21: 저항부 22: 커패시터 뱅브
23: 스위치부 24: 감지부
25: 제어부
본 발명은 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 흐름을 방지하기 위해 커패시터 뱅크의 프리차징(precharging) 시간을 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 기초하여 제어할 수 있는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로에 관한 것이다.
메모리 테스트 시스템은 메모리 소자를 최종 소비자에 공급하기 이전에 제품의 불량 여부를 초기에 검사하기 위한 시스템으로 메모리 소자에 대한 신뢰성과 생산성을 조기에 확보할 수 있다.
도 1은 메모리 테스트 시스템에 구비되어 있는 종래 전원 공급 장치를 기능 블록도로 도시하고 있다.
도 1을 참고로, 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치는 교류 전원을 인가하는 전원부(1), 인가된 교류 전원을 정류하여 직류 전원을 생성하는 전원 정류부(2), 생성된 직류 전원을 각 테스트 보드의 정격 전원으로 변환하여 제공하는 전원 공급부(3), 전원 정류부(2)와 전원 공급부(3)에서 이상 발생시 이를 감지하여 전원 정류부(2)로 인가되는 교류 전원을 차단하기 위한 제어 신호를 생성하는 전원 제어부(4) 및 제어 신호에 따라 전원부(1)에서 전원 정류부(2)로 인가되는 교류 전원을 차단하는 전원 차단부(5)를 포함한다.
도 2는 종래 전원 정류부의 일 예를 보다 구체적으로 도시하고 있다.
도 2를 참고로, 전원부(1)는 208V의 3상 교류 전원을 전원 정류부(2)로 인가한다. 전원 정류부(2)는 정류 다이오드(11)와 커패시터 뱅크(12)를 구비하고 있다. 전원부(1)의 교류 전원은 정류 다이오드(11)에 의해 직류 전원으로 변환되고 변환된 직류 전원은 커패시터 뱅크(12)에 충전된다. 커패시터 뱅크(12)는 테스트 보드의 각 정격 전원을 생성하는 전원 공급부(3)로 전원을 제공한다.
이와 같이 커패시터 뱅크(12)를 구비하는 메모리 테스트 시스템으로 전원을 인가하는 경우, 커패시터 뱅크(12)의 낮은 임피던스로 인해 순간적으로 많은 전류, 경우에 따라서는 정격 전류의 약 200배 이상의 전류가 흐르게 된다. 이와 같이 메모리 테스트 시스템으로 전원을 인가하는 경우 발생하는 순간적인 큰 전류의 흐름을 돌입전류(inrush current)라 한다.
메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류로 인해 전원부(1)의 퓨즈가 단선되거나 정류 다이오드(11)가 파손되는 문제점이 종종 발생한다.
도 3은 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 흐름을 방지하기 위한 종래 프리차징 회로의 일 예를 도시하고 있다.
도 3을 참고로, 프리차징 회로(A)는 저항부(14)과 스위치부(15)로 구성되어 있으며 전원 정류부(2)의 정류 다이오드(11)와 커패시터 뱅크(12) 사이에 삽입되어 있다.
메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 입력 교류 전원은 저항(14)을 통해 커패시터 뱅크(12)로 충전되며, 일정 시간 동안 커패시터 뱅크(12)가 충전된 후 스위치(15)는 온 제어된다. 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 크기를 저항(14)에 의해 제한함으로써, 돌입 전류로 인한 회로 소자의 파손을 막을 수 있다. 이와 같이 순간적인 돌입 전류의 피해를 방지하기 위해 일정 시간 동안 저항(14)을 이용하여 커패시터 뱅크(12)를 충전하는 방식을 프리차징이라 하며, 이하 일정 시간 동안 저항(14)을 이용하여 커패시터 뱅크(12)를 충전하는 시간을 프리차징 시간이라 한다.
순간적인 돌입 전류는 커패시터 뱅크의 낮은 임피던스로 발생하며, 커패시터 뱅크의 양단 전압에 따라 돌입 전류를 방지하기 위한 프리차징 시간은 서로 다르다.
그러나, 위에서 설명한 종래의 프리차징 회로는 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압에 상관없이 항상 일정한 시간 동안 프리차징하며, 이로 인해 메모리 테스트 시스템의 동작 시간을 최적화시키지 못한다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 목적은 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기를 감지하고 감지된 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 따라 프리차징 시간을 제어할 수 있는 프리차징 회로를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로는 정류 다이오드와 커패시터 뱅크 사이에 위치하며 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 크기를 제한하는 저항부, 저항부와 병렬로 연결되어 있는 스위치부, 커패시터 뱅크의 양단 전압의 크기를 감지하는 감지부 및 감지된 커패시터 뱅크의 양단 전압의 크기에 기초하여 스위치부의 온(on) 제어 시간을 계산하고 계산된 온 제어 시간에 스위치부를 온 시키는 제어부를 포함 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 제어부는 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 감지되는 커패시터 뱅크의 초기 양단 전압의 크기에 매핑되어 있는 시간을 스위치부의 온 제어 시간으로 계산하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 제어부는 감지된 커패시터 뱅크의 초기 양단 전압의 크기가 제1 임계값 미만인 경우에만 스위치부를 오프(off) 제어하는 것을 특징으로 한다.
첨부된 도면을 참고로 본 발명에 따른 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프리차징 회로(A')의 기능 블록도를 도시하고 있다.
도 4를 참고로, 본 발명의 일 실시예에 따른 프리차징 회로(A')는 저항부(21), 스위치부(23), 감지부(24) 및 제어부(25)로 구성되어 있으며 전원 정류부(2)의 정류 다이오드(11)와 커패시터 뱅크(12) 사이에 삽입되어 있다.
메모리 테스트 시스템으로 전원이 인가되는 경우, 감지부(24)는 커패시터 뱅크(22)의 양단 전압의 크기를 감지한다. 제어부(25)는 감지된 커패시터 뱅크(12) 의 양단 전압의 크기에 기초하여 스위치부(23)의 온 제어 시간, 즉 프리차징 시간을 계산한다. 제어부(25)는 메모리 테스트 시스템으로 전원이 인가되는지를 감지하며 메모리 테스트 시스템으로 전원이 인가되는 시점에 감지부(24)를 통해 커패시터 뱅크(22)의 양단 전압 크기를 감지한다.
바람직하게, 감지부(24)와 제어부(25)는 전원부(1)과 별도의 보조 전원(미도시)에 의해 작동한다.
감지된 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기에 기초하여 제어부(25)는 스위치부(22)의 온 제어 시간을 계산하며, 계산된 온 제어 시간에 따라 스위치부(23)를 온 제어한다. 따라서 메모리 테스트 시스템에 전원이 인가되는 경우, 일정 프리차징 시간 동안 정류부(11)에서 정류된 직류 전원은 저항부(21)를 통해 커패시터 뱅크(12)에 충전된다. 한편, 제어부(25)를 통해 계산된 온 제어 시간에 스위치부(23)는 온되며 정류된 직류 전원은 스위치부(23)를 통해 커패시터 뱅크(12)에 충전된다.
제어부(25)의 동작을 보다 구체적으로 살펴보면, 감지된 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기가 제1 임계값보다 큰 경우, 제어부(25)는 메모리 테스트 시스템으로 전원이 인가되는 시점에 바로 스위치부(23)을 온 제어한다.
반면 감지된 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기가 제1 임계값보다 작은 경우 제어부(25)는 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 따른 온 제어 시간을 계산하고 계산된 온 제어 시간에 스위치부(23)를 온 제어한다. 본 발명의 다른 실시예에서, 감지된 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기가 제1 임계값보다 작은 경우 제어 부(25)는 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 매핑된 시간을 스위치부(23)의 온 제어 시간으로 계산할 수 있다.
감지부(24)는 계속하여 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기를 감지하며, 제1 임계 시간이 경과 후에도 커패시터 뱅크(12)의 양단 전압 크기가 제2 임계값을 초과하지 못하는 경우 저항부(21)를 보호하기 위해 인가되는 교류 전원을 차단시키거나 스위치부(23)를 강제로 온 제어한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프리차징 회로(A'')의 기능 블록도를 도시하고 있다.
커패시터 뱅크(12)의 프리차징 시간 동안, 제어부(25')는 전원 공급부(3)의 동작 여부를 감지한다. 커패시터 뱅크(12)의 프리차징 시간 경과 전에 전원 공급부(3)가 동작하는 경우 저항부(21)를 통해 순간적으로 많은 전류가 흐르게 되며 따라서 제어부(25')는 저항부(21)를 보호하기 위해 전원 공급부(3)의 동작이 감지되는 경우 스위치부(23)를 강제로 온 제어한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 따른, 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로는 커패시터 뱅크의 양단 전압 크기에 기초하여 커패시터 뱅크의 프리차징 시간을 계산함으로써, 메모 리 테스트 시스템의 동작 시간을 최적화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른, 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로는 프리차징 시간 동안 충전된 커패시터 뱅크의 충전 전압 크기와 전원 공급부의 동작 여부에 기초하여 프리차징을 강제로 종료함으로써, 저항부에 가해지는 부하로 인해 저항부가 파손되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (6)

  1. 교류 입력 전원을 정류하는 정류부 및 상기 정류된 전원에 의해 충전되는 캐패시터 뱅크를 구비하는 메모리 테스트 시스템의 전원 공급 장치에서, 상기 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류를 방지하는 프리차징 회로에 있어서,
    상기 정류부와 커패시터 뱅크 사이에 위치하며 상기 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 발생하는 돌입 전류의 크기를 제한하는 저항부;
    상기 저항부와 병렬로 연결되어 있는 스위치부;
    상기 커패시터 뱅크의 양단 전압의 크기를 감지하는 감지부; 및
    상기 감지된 커패시터 뱅크의 양단 전압의 크기에 기초하여 상기 스위치부의 온(on) 제어 시간을 계산하고 상기 계산된 온 제어 시간에 상기 스위치부를 온 시키는 제어부를 포함하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는
    상기 메모리 테스트 시스템의 전원 인가시 감지되는 커패시터 뱅크의 초기 양단 전압의 크기에 매핑되어 있는 시간을 상기 스위치부의 온 제어 시간으로 계산하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제어부는
    상기 감지된 커패시터 뱅크의 초기 양단 전압의 크기가 제1 임계값 미만인 경우에만 상기 스위치부를 오프(off) 제어하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는
    제1 임계 시간 경과 후 감지된 상기 커패시터 뱅크의 양단 전압이 제2 임계값 이하인 경우 상기 스위치부를 온 제어하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는
    제1 임계 시간 경과 후 감지된 상기 커패시터 뱅크의 양단 전압이 제2 임계값 이하인 경우 상기 메모리 테스트 시스템으로 인가되는 교류 입력 전원을 차단하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제어부는
    상기 커패시터 뱅크의 충전 완료 전, 상기 커패시터 뱅크로부터 전원 공급부로 전원이 인가되는 경우 상기 스위치부를 온 제어하는 메모리 테스트 시스템의 프리차징 회로.
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