KR20080039775A - 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및웨이퍼처리방법 - Google Patents

웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및웨이퍼처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 관한 것으로, 특히 서로 독립적으로 구동되는 한 쌍의 로봇암부를 구비하는 웨이퍼이송로봇과 이를 이용하여 한 쌍의 웨이퍼를 개별적으로 이송할 수 있도록 마련된 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 의하면 서로 독립적으로 구동되는 한 쌍의 로봇암부를 구비하는 웨이퍼이송로봇을 이용하여, 한 쌍의 증착공간을 갖는 듀얼프로세스모듈 또는 단일의 웨이퍼가공용기를 갖는 두 개 이상의 프로세스모듈을 구비한 웨이퍼가공시스템에 있어서 한 쌍의 웨이퍼를 개별적으로 처리할 수 있어서 웨이퍼처리방법을 다양화 할 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼이송로봇, 웨이퍼가공시스템, 듀얼프로세스모듈

Description

웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법{Wafer transferring robot, Wafer processing system and Wafer treatment method using the same}
도 1은 종래의 웨이퍼가공시스템의 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템의 평면도이다.
도 2b는 도 2a에 의한 웨이퍼가공시스템의 듀얼프로세스모듈의 측단면도이다.
도 3a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템의 평면도이다.
도 3b는 도 3a에 따른 웨이퍼가공시스템의 프로세스모듈의 측단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼이송로봇의 일 실시예의 정면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템의 로드락 모듈의 일 실시예의 측단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템에서 웨이퍼이송로봇을 이용하여 서로 다른 높이에 있는 로드락 카세트로 두 개의 웨이퍼를 동시에 로딩 또는 언로딩하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템의 프로세스 모듈과 가스분배모듈 및 가스배기모듈의 연결관계를 도시한 도면이다.
도 8은 도2a에 도시된 웨이퍼이송로봇을 이용하여 한 쌍의 증착공간으로 두 개의 웨이퍼를 일정한 시간차를 두고 로딩 또는 언로딩하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼프로세스모듈을 구비한 웨이퍼가공시스템을 이용한 웨이퍼처리방법의 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비한 웨이퍼가공시스템을 이용한 웨이퍼처리방법의 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200 : 웨이퍼가공시스템 210 : 대기모듈
220 : 전달 모듈 230 : 로드락 모듈
240 : 듀얼프로세스모듈 240a, 240b : 프로세스모듈
241a, 241b : 증착공간 250 : 웨이퍼이송로봇
260 : 가스분배모듈 270 : 가스배기모듈
본 발명은 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서로 독립적으로 구동되는 한 쌍의 로봇암부를 구비하는 웨이퍼이송로봇과 이를 이용하여 한 쌍의 웨이퍼를 개별적으로 이송할 수 있도록 마련된 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼가공시스템이란, 다수의 웨이퍼를 처리하는 시간을 절감하고 시스템이 생산라인 내에서 차지하는 면적을 줄이기 위해, 반도체 제조공정에서 일련의 공정들을 수행하는 복수 개의 모듈들을 일체화시킨 시스템을 말한다. 상기 웨이퍼가공시스템에는 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 등의 가공공정이 수행되는 처리 모듈이 하나 이상 포함되어 있는데, 다수의 웨이퍼를 동시에 처리하여 웨이퍼 처리시간을 절감하고자 상기 처리 모듈 각각의 내부에는 한 쌍의 웨이퍼 증착 공간이 형성되어 있다. 이와 같이 처리 모듈 내부에 한 쌍의 증착 공간이 형성되어 있는 처리 모듈을 듀얼 프로세스모듈이라고 일컫는다.
듀얼 프로세스 모듈을 갖는 종래의 웨이퍼가공시스템의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 상기 웨이퍼가공시스템(100)은 잘 알려진 바와 같이 가공공정 전후의 웨이퍼가 대기하는 대기모듈(110)과, 증착공간(141)으로 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 웨이퍼이송로봇(150)이 배치된 전달모듈(120)과 상기 대기모듈(110) 및 전달모듈(120) 사이에 배치되며, 상기 증착공간(141) 내부로 로딩될 웨이퍼(W) 및 상기 증착공간(141) 내부로부터 언로딩된 웨이퍼(W)가 적재되어 있는 로드락 모듈(130)과 상기 전달모듈(120) 주변에 배치되며, 한 쌍의 증착공간(141)을 포함하는 듀얼 프로세스모듈(140)을 포함하고 있다.
상기 전달모듈(120)에 배치된 웨이퍼이송로봇(150)은 상기 전달모듈(120)내의 중앙부에 고정된 로봇본체와 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 승강부재(151)와 상기 승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 로봇암(152,153)과 상기 로봇암(152, 153)에 연결되며 웨이퍼(W)에 접촉하는 핑거 부(154)를 구비하고 있다. 상기 승강부재(151)와 로봇암(152), 상기 로봇암들(152, 153)이 연결되는 각각의 부위는 피봇 연결되어 있어서, 모터에 의해 상대 회전운동 가능하다. 상기 핑거부(154)는 한 쌍의 웨이퍼를 동시에 핸들링할 수 있도록 한 쌍의 핑거를 구비하고 있으며, 상기 한 쌍의 핑거는 동일한 높이에서 수평방향으로 일정 거리 유격된 채로 형성되어 있으며 서로 같은 방향을 향하도록 형성되어 있다.
상기 핑거부(154)가 설치된 종래의 웨이퍼이송로봇(150)을 사용하면 상기 핑거부(154)의 구조적인 한계로 인하여 항상 한 쌍의 증착공간(141)에 동시에 웨이퍼(W)를 이송해야 하는 제약이 생긴다. 만약 가공공정 중에 한 쌍의 증착공간(141)중 어느 하나에 문제가 발생하여 그 증착공간(141)으로부터 불량웨이퍼를 언로딩하고자 하는 경우에 정상적으로 작동되고 있는 증착공간(141) 내부에서 가공공정이 마무리될 때까지 기다린 후에야 비로소 한 쌍의 증착공간(141)으로부터 불량 웨이퍼를 언로딩할 수 있게 된다.
따라서 문제가 발생한 증착공간(141)으로부터 불량 웨이퍼를 즉각적으로 언로딩할 수 없고 양품 웨이퍼의 가공공정이 끝날 때까지 대기하여야 하는 시간적 손실로 인하여 단일의 시스템에서 단위 시간에 웨이퍼를 처리하는 속도가 저하되는 문제점이 있다.
한편 상기 로드락 모듈(130)에는 가공공정 전후의 웨이퍼가 대기하면서 수납되어 있는 로드락 카세트(133)가 마련되어 있으며, 가공공정 전의 웨이퍼를 예열시키기 위한 히터(131)와 가공공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 쿨러(132)가 설치되어 있다. 상기 한 쌍의 핑거를 갖는 핑거부(154)를 통해 웨이퍼를 이송할 수 있도록 상기 로드락 카세트(133)는 좌우 양측에 웨이퍼를 수납할 수 있는 구조이며, 단일의 밀폐공간으로 이루어진 로드락 모듈(130)의 내부공간에 마련되어 있다.
따라서 동일한 내부공간에 대하여 가공공정 전에는 웨이퍼의 예열을 위하여 온도를 올렸다가 가공공정 후에는 웨이퍼의 냉각을 위하여 온도를 내렸다 하는 과정을 계속적으로 반복해야 하므로, 온도관리의 효율면에서 큰 손실이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 서로 독립적으로 구동되는 한 쌍의 로봇암부를 구비하는 웨이퍼이송로봇을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기의 웨이퍼이송로봇을 이용하여 한 쌍의 증착 공간을 구비하는 듀얼프로세스모듈에 두 개의 웨이퍼를 동시에 또는 선택적으로 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 구조가 개선된 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기의 웨이퍼이송로봇을 이용하여 단일의 웨이퍼가공용기를 구비하는 두 개 이상의 프로세스모듈에 각각 독립적인 가스공급라인과 가스배기라인을 구비하여 어느 하나의 프로세스모듈에 문제가 발생한 경우에 가스 공급 및 배기를 차단하고 정상적인 프로세스 모듈에 선택적으로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 구조가 개선된 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼이송로봇은, 고정된 로봇본체, 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재, 상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재, 상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇암부 및 상기 제2승강부재에 연결되며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템은 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착 공간과, 상기 증착 공간 각각에 가스를 분사하는 한 쌍의 가스 분사부와 상기 증착 공간 각각에 연통되는 배기부를 포함하는 듀얼프로세스모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템에 있어서, 상기 웨이퍼이송로봇은, 상기 전달모듈 내의 중앙부에 고정된 로봇본체; 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재; 상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재; 상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇암부; 및 상기 제2승강부재에 연결되 며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템은 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 웨이퍼에 대한 공정처리를 실시하는 두 개 이상의 프로세스모듈;과 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템에 있어서, 상기 웨이퍼이송로봇은, 상기 전달모듈 내의 중앙부에 고정된 로봇본체; 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재; 상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재; 상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇암부; 및 상기 제2승강부재에 연결되며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼처리방법은, 웨이퍼를 이송하는 상기의 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착 공간과, 상기 증착 공간 각각에 가스를 분사하는 한 쌍의 가스 분사부와 상기 증착 공간 각각에 연통되는 배기부를 포함하는 듀얼프로세스모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템의 웨이퍼 처리 방법에 있어서, 상기 로드락 모듈 내부에 서로 다른 높이로 배치된 두 개의 웨이퍼를, 상기 로드락모듈 내부로부터 언로딩하는 로드락모듈 언로딩 단계; 및 상기 두 개의 웨이퍼를 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩하는 듀얼프로세스모듈 로딩 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼처리방법은, 웨이퍼를 이송하는 제1항 또는 제2항의 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 웨이퍼에 대한 공정 처리를 실시하는 두 개 이상의 프로세스 모듈;과 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 프로세스 모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템의 웨이퍼 처리 방법에 있어서, 상기 로드락 모듈 내부에 서로 다른 높이로 배치된 두 개의 웨이퍼를, 상기 로드락모듈 내부로부터 언로딩하는 로드락모듈 언로딩 단계; 및 상기 두 개의 웨이퍼를 상기 두 개 이상의 프로세스 모듈 중 상호 이웃한 한 쌍의 프로세스모듈 내부로 로딩하는 프로세스모듈 로딩 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 웨이퍼이송로봇 및 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼가공시스템의 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템의 듀얼프로세스모듈의 측단면도 이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템(200)은, 반도체 제조공정에서 일련의 공정들을 수행하는 복수개의 모듈들을 일체화시킨 시스템으로서, 대기 모듈(210)과, 전달모듈(220)과, 로드락 모듈(230)과, 듀얼프로세스 모듈(240)을 구비하고 있다.
상기 대기모듈(210)은, 도 1을 참조하면서 설명한 종래의 웨이퍼가공시스템(100)에서와 마찬가지로, 웨이퍼와 대기 모듈용 로봇(211)을 포함하고 있다. 상기 대기모듈(210)에는 공정진행을 위하여 대기하고 있는 웨이퍼가 수납되어 있으며, 상기 대기 모듈용 로봇(211)은 상기 대기 모듈(210)에 수납되어 있는 웨이퍼를 후술할 로드락 모듈(230) 내부에 배치된 로드락 카세트(235)로 인입한다. 또한, 가공공정이 완료되어 로드락 카세트(235)에 수납되어 있는 웨이퍼는 상기 대기 모듈용 로봇(211)에 의해 대기 모듈(210)로 반송된다. 상기 대기 모듈(210)은 공지의 것이기 때문에 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.
상기 전달모듈(220)은, 가공전의 웨이퍼를 웨이퍼가공용기(241)로 로딩하거나 가공이 완료된 웨이퍼를 웨이퍼가공용기(241)로부터 언로딩하기 위한 웨이퍼이송로봇(250)이 배치된 곳으로서, 사방이 측벽(221)에 의해 둘러싸인 공간이다. 상기 측벽(221)의 각 면에는 통로(222)가 형성되어 있어서, 상기 전달 모듈(220)은 상기 통로(222)들을 통해서 이웃하는 모듈과 웨이퍼를 주고받을 수 있게 된다.
상기 전달모듈(220)에는 그 내부에 진공을 형성하기 위해 진공펌프(미도시)가 연결되어 있다. 진공펌프(미도시)를 이용하여 전달 모듈(220) 내부는 진공이 형 성되나, 일반적으로 듀얼프로세스모듈(240) 내부의 압력보다는 다소 높은 압력을 유지하도록 상기 전달모듈(220) 내부의 압력이 컨트롤된다. 공정이 완료된 후 전달모듈(220)과 듀얼프로세스모듈(240) 사이의 통로가 열릴 때 듀얼프로세스모듈(240) 내부의 잔여 가스가 전달모듈(220) 내부로 유입되는 것을 방지하고자 함이다. 상기 전달 모듈(220)은 공지의 것이므로 상세한 설명은 생략한다.
상기 전달모듈에 배치된 본 발명에 따른 웨이퍼 이송로봇(250)을 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼이송로봇의 일 실시예의 정면도이다. 도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼이송로봇(250)은, 수직방향 및 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 것으로서, 로봇본체(251)와, 제1승강부재(253)와, 제2승강부재(254)와 제1로봇암부와, 제2로봇암부를 구비한다.
상기 로봇본체(251)는, 웨이퍼이송로봇(250)의 베이스로서, 상기 전달모듈(220)의 중앙부에 고정된다. 상기 제1승강부재(253)는, 모터(미도시)에 의해 구동되어 상기 로봇본체(251)에 대해 상하방향으로 왕복운동한다. 상기 제2승강부재(254) 역시 모터(미도시)에 의해 구동되어 상기 로봇본체(251)에 대해 상하방향으로 왕복운동 하는데, 상기 제1승강부재(253)와는 독립되게 구동된다. 즉, 상기 제1승강부재(253)와 제2승강부재(254)는 별도의 모터 및 이송수단에 의해 독립되게 구동되어 서로 다른 높이에 위치하도록 작동 가능하다.
상기 제1로봇암부는, 수평방향으로 수축과 신장을 반복하면서 웨이퍼를 원하는 위치로 이송하는 것으로서, 상기 제1승강부재(253)와 연결되며 상기 제1승강부 재(253)에 대해 수평 회전 운동하는 제1로봇암(261)과, 상기 제1로봇암(261)에 연결되며 상기 제1로봇암(261)에 대해 수평회전운동하는 제2로봇암(262)과, 상기 제2로봇암(262)에 연결되며 상기 제2로봇암(262)에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제1핑거(263)를 구비한다. 상기 제1핑거(263) 내부에는 공기가 유동될 수 있는 진공통로(264)가 형성되어 있고, 제1핑거(263)의 상면에는 상기 진공통로(264)와 연통된 관통홀(265)이 형성되어 있다. 상기 진공통로(264)와 관통홀(265)을 통해 제1핑거(263)에 놓여진 웨이퍼의 하면에 진공압을 가할 수 있으므로, 웨이퍼를 제1핑거(263)에 단단히 부착한 채 이송할 수 있게 된다.
상기 제1승강부재(253)와 제1로봇암(261), 상기 제1로봇암(261)과 제2로봇암(262), 상기 제2로봇암(262)과 제1핑거(263)가 연결되는 각각의 부위는 피봇결합되어 있어서, 모터(미도시)에 의해 각 부재들은 상대회전운동 가능하다. 상기 부재들 사이의 상대 회전운동에 의해 상기 제1로봇암부는 최대 스트로크까지 신장하고 최소 스트로크까지 수축하는 것이 가능해지므로, 상기 제1로봇암부는 상기 최대 스트로크와 최소 스트로크 사이에서 수평방향으로 웨이퍼를 이송할 수 있게 된다.
상기 제2로봇암부는, 수평방향으로 수축과 신장을 반복하면서 웨이퍼를 원하는 위치로 이송하는 것으로서, 상기 제2승강부재(254)와 연결되며 상기 제2승강부재(254)에 대해 수평 회전 운동하는 제3로봇암(271)과, 상기 제3로봇암(271)에 연결되며 상기 제3로봇암(271)에 대해 수평회전운동하는 제4로봇암(272)과, 상기 제4로봇암(272)에 연결되며 상기 제4로봇암(272)에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제2핑거(273)를 구비한다. 상기 제2핑거(273) 내부에도, 제1핑거(263)와 마찬가지로, 공기가 유동될 수 있는 진공통로(274)가 형성되어 있고, 제2핑거(273)의 상면에는 상기 진공통로(274)와 연통된 관통홀(275)이 형성되어 있다.
상기 제1로봇암부와 마찬가지로, 상기 제2승강부재(254)와 제3로봇암(271), 상기 제3로봇암(271)과 제4로봇암(272), 상기 제4로봇암(272)과 제2핑거(273)가 연결되는 각각의 부위는 피봇결합되어 있어서, 모터(미도시)에 의해 각 부재들은 상대회전운동 가능하다. 상기 부재들 사이의 상대 회전운동에 의해 상기 제2로봇암부는 최대 스트로크까지 신장하고 최소 스트로크까지 수축하는 것이 가능해지므로, 상기 제2로봇암부는 상기 최대 스트로크와 최소 스트로크 사이에서 수평방향으로 웨이퍼를 이송할 수 있게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 제1로봇암부와 상기 제2로봇암부는 서로 독립되게 구동되는 것을 특징으로 한다. 상기 제1로봇암부가 결합된 제1승강부재(253)와 상기 제2로봇암부가 결합된 제2승강부재(254)는 서로 독립되게 구동되므로, 상기 제1승강부재(253)와 상기 제2승강부재(254)의 독립적인 승강운동에 의해, 상기 제1로봇암부와 제2로봇암부는 서로 독립되게 수직방향으로 운동 가능하다. 또한, 상기 제1승강부재(253)와 제1로봇암(261) 및 상기 제2승강부재(254)와 제3로봇암(271)이 연결되는 각각의 부위는 서로 독립되게 피봇결합되어 있어서, 제1로봇암부와 제2로봇암부는 서로 독립되게 수평방향으로 운동 가능하다.
도 2a에 도시된 상기 로드락 모듈(230)은, 웨이퍼가공용기(241) 내부로 도입될 웨이퍼 및 상기 웨이퍼가공용기(241) 내부로부터 인출된 웨이퍼가 적재되는 곳으로 도 5및 도 6을 참고하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템의 로드락 모듈의 일 실시예의 측단면도이다. 도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템에서 웨이퍼이송로봇을 이용하여 서로 다른 높이에 있는 로드락 카세트로 두 개의 웨이퍼를 동시에 로딩 또는 언로딩하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 로드락 모듈(230)은 제1로드락 모듈(232a), 제2로드락 모듈(232b) 및 격벽(231)을 구비하고 있다.
상기 격벽(231)은 상기 로드락 모듈(230)을 두 개의 밀폐된 내부공간으로 분리한다. 오직 하나의 밀폐된 내부공간으로 형성되어 있던 종래의 로드락 모듈(130)과 달리 상기 로드락 모듈은 격벽에 의해 제1로드락 모듈(232a)과 제2로드락 모듈(232b)로 분리된다.
상기 제1로드락 모듈(232a)에는 상하방향으로 배열된 다수개의 슬롯을 갖는 로드락 카세트(235)가 마련되어 있고 상기 로드락 카세트(235)에는 가공공정 전의 웨이퍼가 수납되어 있다. 상기 제1로드락 모듈(232a)의 측벽에 형성된 출입구(236a)를 통해 상기 웨이퍼이송로봇(250)은 로드락카세트(235)로부터 웨이퍼를 언로딩할 수 있게 된다.
상기 제1로드락 모듈(232a)에는 상기 로드락 카세트(235)에 적재되어 있는 웨이퍼를 가열하기 위한 히터(233)가 설치되어 있다. 상기 히터(233)를 이용하여 웨이퍼를 웨이퍼가공용기(241)로 로딩하기전에 일정 온도로 웨이퍼를 예열하게 되면 내부에서의 급격한 온도변화로 인해 웨이퍼에 가해지는 열충격을 방지할 수 있게 된다.
상기 제2로드락 모듈(232b)에는 상하방향으로 배열된 다수개의 슬롯을 갖는 로드락 카세트(235)가 마련되어 있고 상기 로드락 카세트(235)에는 가공이 완료된 웨이퍼가 수납되어 있다. 상기 제2로드락 모듈(232b)의 측벽에 형성된 출입구(236b)를 통해 상기 웨이퍼이송로봇(250)은 로드락카세트(235)로부터 웨이퍼를 언로딩할 수 있게 된다.
상기 제2로드락 모듈(232b)에는 상기 로드락 카세트(235)에 적재되어 있는 웨이퍼를 냉각 위한 쿨러(234)가 설치되어 있다. 상기 쿨러(234)를 이용하여 가공이 완료된 웨이퍼를 상온에 가까운 온도로 냉각할 수 있게 된다.
도 6을 참조하면, 로드락 모듈(230')은 제1로드락모듈(232a)과 제2로드락모듈(232b)과, 격벽(231)과, 엘리베이터(236)를 구비하고 있음을 알수 있다.
본 실시예에 따른 로드락 모듈(230')은 로드락 카세트(235), 하측에 설치되어 로드락 카세트(235)를 승강 가능하게 하는 엘리베이터(236)를 더 구비하고 있다. 상기 엘리베이터(236)에 의해 로드락 카세트(235)는 자체적으로 승강할 수 있으므로, 웨이퍼이송로봇(250)의 제1승강부재(253)와 제2승강부재(254)가 상하방향으로 구동되면서 상기 로드락 카세트(235)로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하는 대신 상기 로드락 카세트(235)가 상하방향으로 구동되면서 상기 로드락 카세트(235)로 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩할 수 있다.
한편 도 2a에 도시된 상기 듀얼프로세스모듈(240)은 웨이퍼 처리속도를 향상시키기 위하여 한 쌍의 증착 공간(241a, 241b)을 포함하는 것으로서, 상기 전달모듈(220) 주변에 각각 배치된다. 상기 듀얼프로세스모듈을 도 2b를 참고하여 설명하 기로 한다.
도 2b는 도 2a에 의한 웨이퍼가공시스템의 듀얼프로세스모듈의 측단면도이다. 도 2b를 참고하면 본 발명에 따른 웨이퍼 가공시스템은 듀얼프로세스모듈(240)의 내부에 한 쌍의 증착 공간(241a, 241b)이 형성되어 있다.
즉, 상기 듀얼프로세스모듈(240)은 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착공간(241a, 241b)과 상기 한 쌍의 증착공간(241a, 241b) 각각에 가스를 분사하는 한 쌍의 가스분사부(242a, 242b) 및 상기 한 쌍의 증착공간(241a, 241b) 각각에 연통되는 한 쌍의 배기부(243a, 243b)를 구비한다.
상기 듀얼프로세스모듈(240)은 도 1에 도시된 종래의 듀얼프로세스 모듈과 달리 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착공간(241a, 241b)을 구비함으로써 어느 하나의 증착공간에 문제가 발생한 경우 정상적인 증착공간의 가스분사부로만 가스가 공급되고 정상적인 증착공간의 배기부를 통해 가스가 배기된다.
따라서 서로 독립적으로 구동되는 로봇암을 구비하는 웨이퍼이송로봇(250)이 로드락 모듈(230)로부터 두 개의 웨이퍼를 언로딩하여 한 쌍의 증착공간(241a, 241b)에 동시에 로딩할 수 있으며 어느 하나의 증착공간에 문제가 발생한 경우에는 문제가 발생한 상기 증착공간에는 웨이퍼를 로딩하지 않고 정상적인 증착공간에만 웨이퍼를 로딩할 수 있게 된다.
상기 듀얼프로세스모듈(240)은 한 쌍의 증착공간(241a, 241b) 내부로 공정가스를 분사하기 위한 가스분배모듈과, 상기 웨이퍼가공용기내부에서 반응하지 않고 잔존하는 부산물 등을 외부로 배출하기 위한 가스배기모듈 및 가공공정 중 웨이퍼 가공용기 내부에 플라즈마 환경을 유지하기 위하여 고전압을 인가시키는 플라즈마 시스템을 구비한다.
상기 듀얼프로세스모듈과 가스분배모듈 및 가스배기모듈의 구성에 대해서는 후술하기로 한다.
도 3a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템의 평면도이고 도 3b는 도 3a에 따른 웨이퍼가공시스템의 프로세스모듈의 측단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템(200)은, 반도체 제조공정에서 일련의 공정들을 수행하는 복수개의 모듈들을 일체화시킨 시스템으로서, 대기 모듈(210), 전달모듈(220), 로드락 모듈(230) 및 단일의 웨이퍼가공용기(241a, 241b)를 구비하는 두 개 이상의 프로세스 모듈(240a, 240b)을 구비하고 있다.
상기 대기 모듈(210), 전달모듈(220), 로드락 모듈(230)의 구조 및 상기 웨이퍼이송로봇(250)의 동작은 상술한 바와 같다.
다만 상기 두 개 이상의 프로세스모듈(240a, 240b)은 도 2a 및 도 2b 에서의 듀얼프로세스모듈과 달리 단일의 웨이퍼가공용기(241a, 241b)를 구비하고 각각 독립된 프로세스모듈의 형태이며 전달모듈(220) 주변에 각각 배치된다.
즉, 단일의 웨이퍼가공용기를 구비하는 두 개 이상의 프로세스모듈을 각각 독립적으로 사용할 수 있도록 함으로써 하나의 프로세스모듈내에 한 쌍의 웨이퍼가공용기를 포함하여 어느 하나의 웨이퍼가공용기에 이상이 발생한 경우 다른 하나의 웨이퍼가공용기도 사용하지 못하는 문제를 방지할 수 있다.
상기 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템은 상기 프로세스모듈(240a, 240b)의 외부에 위치하고 각 가스공급라인을 통해 상기 프로세스모듈(240a, 240b)로 가스를 공급하는 가스분배모듈을 더 구비한다.
또한 상기 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템은 상기 프로세스모듈(240a, 240b)의 외부에 위치하고 각 가스배기라인을 통해 상기 프로세스모듈(240a, 240b)에서 배기되는 가스를 배기하는 가스배기모듈을 더 구비한다. 이에 대해서는 도 7을 참고하여 상세히 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템의 프로세스모듈과 가스분배모듈 및 가스배기모듈의 연결관계를 도시한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템의 프로세스모듈은 단일의 웨이퍼가공용기를 포함하는 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)로 형성되고 상기 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)로 가스를 공급하기 위한 가스분배모듈(260)과, 상기 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)로부터 가스를 배기시키기 위한 가스배기모듈(270)과, 상기 제1프로세스모듈(240a), 제2프로세스모듈(240b), 상기 가스분배모듈(260) 및 상기 가스배기모듈(270)을 제어하는 제어부(750)를 포함한다.
상기 제1프로세스모듈(240a) 및 상기 제2프로세스모듈(240b)은 한 쌍의 증착 공간을 포함하는 듀얼프로세스모듈과 달리 단일의 웨이퍼가공용기를 포함하는 한 쌍의 독립된 프로세스모듈로 형성되어 있다.
따라서 서로 독립적으로 구동되는 로봇암을 구비하는 웨이퍼이송로봇(250)이 로드락 모듈(230)로부터 두 개의 웨이퍼를 언로딩하여 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)에 동시에 로딩할 수 있으며 어느 하나의 프로세스모듈에 문제가 발생한 경우에는 문제가 발생한 상기 프로세스모듈에는 웨이퍼를 로딩하지 않고 정상적인 프로세스모듈에만 웨이퍼를 로딩할 수 있게 된다.
상기 가스분배모듈(260)은 소정의 반응가스 및 세정가스를 상기 제1 프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b) 내부로 공급하는 수단이다. 상기 가스분배모듈(260)은 유량제어기(711), 제1가스공급밸브(712), 제1가스공급라인(713), 제2가스공급밸브(714) 및 제2 가스공급라인(715)을 포함한다.
상기 유량제어기(711)는 소정의 가스소스와 연결되어 공급되는 가스의 유량을 조절한다. 상기 제1가스공급밸브(712)는 상기 유량제어기(711)의 출구에 연결되고 상기 제1프로세스모듈(240a)의 외부와 연결되는 제1가스공급라인(713) 상에 형성되어 상기 제1프로세스모듈(240a)로 가스를 공급한다. 상기 제2 가스공급밸브(714)는 상기 유량제어기(711)의 출구에 연결되고 상기 제2프로세스모듈(240b)의 외부와 연결되는 상기 제2가스공급라인(715)상에 형성되어 상기 제2프로세스모듈(240b)로 가스를 공급한다.
이때 상기 제1가스공급라인(713)과 상기 제2가스공급라인(715)은 각각 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)의 외부에 독립적으로 형성되 어 있으며, 상기 제어부(750)의 제어신호에 의해 상기 제1 가스공급밸브(712)와 상기 제2가스공급밸브(714)의 동작을 제어함으로써 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)에 동시에 또는 각각 독립적으로 가스의 공급이 이루어지게 된다.
또한 상기 가스분배모듈(260)은 하나의 바이패스밸브(716)을 구비함으로써, 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)로의 가스의 공급을 차단 또는 조절할 수 있다.
필요에 따라 상기 가스분배모듈(260)은 리모트 플라즈마 발생기(Remote Plasma Generator:RPG)를 더 구비한다. 상기 리모트 플라즈마 발생기(717)는 상기 유량제어기(711)의 출구에 연결되고 상기 가스분배모듈(260)의 상기 제1 가스공급라인(713)과 상기 제2 가스공급라인(715)에 공통으로 연결되어 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)로 공급되는 가스에 플라즈마 환경을 제공한다.
상기의 리모트 플라즈마 발생기(717)는 주로 프로세스모듈의 웨이퍼가공용기의 표면에 증착된 가스를 제거하기 위한 세정가스의 공급시에 세정가스가 플라즈마 상태로 공급될 수 있도록 하기 위하여 사용된다.
한편 플라즈마 시스템은 상기의 리모트 플라즈마 발생기외에 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b) 외부에 RF 발생기(730)를 구비함으로서 상기 제1 가스공급라인(713)과 상기 제2 가스공급라인(715)을 통해 각각 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 만들어 공급할 수도 있다.
상기 RF 발생기(730)는 주로 공정용 가스 공급시 공정 가스가 플라즈마 상태로 공급될 수 있도록 하기 위하여 사용된다.
상기 가스배기모듈(270)은 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)로부터 공정 진행 후에 잔존 가스 및 부산물을 외부로 배기시키는 수단이다. 상기 가스배기모듈(270)은 제1가스배기라인(721), 제1가스배기밸브(723), 제2가스배기라인(722), 제2가스배기밸브(724), 공통배기라인(725), 쓰로틀밸브(726) 및 배기펌프(727)을 포함한다.
상기 제1가스배기라인(721)과 상기 제2가스배기라인(722)은 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)의 외부에 각각 독립적으로 연결되고 공통배기라인(725)을 경유하여 공용의 배기펌프(727)에 연결된다.
상기 제어부(750)의 제어신호에 의해 상기 제1가스배기밸브(723)와 상기 제2가스배기밸브(724)의 동작이 제어되고, 상기 쓰로틀밸브(726)의 동작에 따라 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b) 내부의 압력을 조절함으로써 상기 제1프로세스모듈(240a)과 상기 제2프로세스모듈(240b)로부터 동시에 또는 각각 독립적으로 가스의 배기가 이루어지게 된다.
이상 도 7에 도시된 프로세스모듈을 구비한 웨이퍼가공시스템의 프로세스모듈과 가스분배모듈 및 가스배기모듈과의 연결관계에 대해 설명하였으나 상술한 연결관계는 듀얼프로세스모듈을 구비한 웨이퍼가공시스템에도 그대로 적용될 수 있다.
즉, 가스분배모듈, 가스배기모듈 및 플라즈마 시스템의 구성은 도 7에 도시된 바와 같으며 듀얼프로세스모듈과 가스분배모듈 및 가스배기모듈과의 연결관계를 도 2b를 참고로 하여 설명하기로 한다.
듀얼프로세스모듈(240)은 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착공간(241a, 241b)과 상기 한 쌍의 증착공간 각각에 가스를 분사하는 가스 분사부(242a, 242b)를 구비한다. 가스분배모듈(260)은 듀얼프로세스모듈(240)의 외부에 위치하고 가스공급라인을 통해 듀얼프로세스모듈(240)의 각 가스분사부(242a, 242b)로 가스를 공급한다.
또한, 듀얼프로세스모듈은 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착공간에 각각 연통되는 한쌍의 배기부(243a, 243b)를 구비한다. 가스배기모듈(270)은 듀얼프로세스모듈(240)의 외부에 위치하고 상기 듀얼프로세스모듈(240)에 형성된 배기부(243a, 243b)를 통해 상기 듀얼프로세스모듈(240)의 각 증착공간에서 배기되는 가스를 머지(merge)하여 배기한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템을 이용한 웨이퍼처리방법의 흐름도이다.
도 9 및 도 2a 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템을 이용한 웨이퍼처리방법에 대해 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템을 이용한 웨이퍼처리방법은 로드락모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S901), 언로딩된 웨이퍼를 듀얼 프로세스모듈 내부로 로딩하는 단계(S902), 듀얼프로세스모듈 내부로 가스를 공급하는 단계(S903), 듀얼프로세스모듈 내부의 가스를 외부로 배기시키는 단계(S904), 듀얼프로세스모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S905) 및 언로딩된 웨이퍼를 로드락모듈 내부로 로딩하는 단계(S906)를 구비한다.
상기 로드락모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S901)에서는 우선, 상기 대기모듈용로봇(211)에 의해 상기 대기모듈(210) 또는 별도의 웨이퍼 저장수단에 수납되어 있는 다수의 웨이퍼를 추출하여 상기 제1로드락 모듈(232a)로 이송한다. 상기 제1로드락 모듈(232a)에 웨이퍼가 채워지면 모든 통로들을 밀폐한 후 히터(233)를 작동하여 웨이퍼를 예열한다
웨이퍼의 예열이 완료되면 상기 웨이퍼이송로봇(250)을 이용하여 두개의 웨이퍼를 상기 제1로드락 모듈(232a)로부터 동시에 언로딩한다. 이때 언로딩하고자 하는 제1웨이퍼의 높이에 맞추어 제1승강부재(253)가 상하방향으로 구동되고, 동시에 상기 제1웨이퍼와 다른 높이로 배치된 제2웨이퍼의 높이에 맞추어 제2승강부재(254) 역시 상하방향으로 구동된다.
언로딩하고자 하는 각각의 웨이퍼의 높이에 맞게 제1승강부재(253)와 제2승강부재(254)가 위치한 후, 제1로봇암부 및 제2로봇암부가 동시에 수평방향으로 연장됨으로써 로드락 카세트(235)로부터 서로 다른 높이로 배치된 두 개의 웨이퍼를 동시에 언로딩할 수 있게 된다.
상기 언로딩된 웨이퍼를 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩하는 단계(S902)에서, 상기 제1핑거(263) 및 제2핑거(273)에 올려져 있는 웨이퍼들은 한 쌍의 증착공 간(241a, 241b)을 구비하고 있는 듀얼프로세스모듈(240)에 로딩된다. 이때 상기 웨이퍼이송로봇(250)의 제1로봇암부(261)와 제2로봇암부(271)는 서로 독립되게 구동되며 상기 듀얼프로세스모듈(240)이 한 쌍의 증착공간(241a, 241b)을 구비하고 있으므로 두 개의 웨이퍼가 동시에 한 쌍의 증착공간 (241a, 241b)에 로딩될 수도 있고, 어느 하나의 증착공간에 문제가 발생한 경우에는 정상적인 증착공간에만 선택적으로 웨이퍼를 로딩할 수도 있다.
상기 듀얼프로세스모듈(240) 내부로 웨이퍼의 로딩이 완료된 후에는 듀얼프로세스모듈(240) 내부로 가스를 공급하게 된다.(S903) 이때 가스의 공급은 제1증착공간(241a)에 가스를 분사하는 제1가스분사부(242a) 및 제2증착공간(241b)에 가스를 분사하는 제2가스분사부(242b)의 외부에 연결된 가스공급라인을 통해 개별적으로 이루어진다.
즉, 듀얼프로세스모듈내의 어느 하나의 증착 공간에 문제가 발생한 경우 가스공급밸브를 차단하여 문제가 발생한 증착 공간으로 가스가 공급되는 것을 막고 정상적인 증착 공간에만 가스가 공급된다.
상기 듀얼프로세스모듈 내부로 가스를 공급하는 단계(S903)에서는 공급가스가 플라즈마 상태로 공급될 수 있다. 공급되는 가스가 공정용 가스인 경우 주로 상기 RF 발생기에 의해 플라즈마 상태로 되고, 공급되는 가스가 세정가스인 경우 주로 상기 리모트 플라즈마 발생기에 의해 세정가스가 플라즈마 상태로 되어 프로세스모듈 내부로 공급된다.
본 발명에 따른 웨이퍼처리방법의 실시예에 있어서는 편의상 하나의 공급 가 스를 기준으로 설명하였으나, 하나 이상의 가스가 공급되는 것이 일반적이다.
듀얼프로세스 모듈내부로 가스의 공급과 함께 웨이퍼 가공공정이 완료된 후에는 상기 듀얼프로세스모듈 내부의 잔존 가스 및 부산물을 외부로 배기시킨다.(S904) 상기 프로세스모듈 내부의 가스를 배기시키는 단계는 제어부의 제어신호에 의해 상기 제1증착공간(241a)의 가스를 배기하는 제1배기부(243a) 및 상기 제2증착공간(241b)의 가스를 배기하는 제2배기부(243b)의 외부에 연결된 가스배기라인을 통해 개별적으로 이루어진다.
상기 프로세스모듈 내부의 잔존 가스 및 부산물을 외부로 배기시킨 후에는 상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩시킨다.(S905)
상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼는 웨이퍼이송로봇(250)에 의해 제2로드락 모듈(232b)로 이송된다.(S906) 상기 제2로드락 모듈(232b) 내부에 설치된 로드락 카세트(235)에 웨이퍼가 채워지면 상기 제2로드락 모듈(232b)과 외부를 연통하는 모든 통로들은 밀폐되고 상기 제2로드락 모듈(232b)에 설치된 쿨러가 작동되어 웨이퍼가 냉각된다.
이후 가공이 완료된 웨이퍼는 로드락모듈로부터 언로딩되어 대기모듈(210)로 이송되고 이 과정은 웨이퍼가 대기모듈(210)로부터 상기 듀얼프로세스모듈로 이송되는 과정을 역으로 수행하는 것과 거의 동일하므로 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법을 이용하면 서로 독립적으로 승강하는 한쌍의 로봇암부를 이용하여 웨이퍼의 로딩과 언로딩하는 방법을 다양한 형태로 구현할 수 있는 효과가 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템을 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법을 이용하면 서로 다른 높이에 배치된 두개의 웨이퍼를 동시에 언로딩하여 서로 같은 높이로 배치된 듀얼프로세스모듈 내의 한쌍의 증착공간으로 로딩하거나, 서로 같은 높이로 배치된 듀얼프로세스모듈 내의 한쌍의 증착공간으로부터 두 개의 웨이퍼를 언로딩하여 로드락 카세트에 서로 다른 높이에 배치되도록 로딩할 수 있다.
또한, 한 쌍의 웨이퍼를 듀얼프로세스모듈내의 한 쌍의 증착공간에 동시에 로딩하거나 시간차를 두어 로딩할 수 있고 선택적으로 어느 하나의 로봇암부는 웨이퍼를 그대로 보유하고 다른 로봇암부는 하나의 증착공간에 웨이퍼를 로딩할 수도 있다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템을 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법의 흐름도이다.
도 10 및 도 2a 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템을 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 웨이퍼가공시스템을 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법은 로드락모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S1001), 언로딩된 웨이퍼를 프로세스모듈 내부로 로딩하는 단계(S1002), 프로세스모듈 내부로 가스를 공급하는 단계(S1003), 프로세스모듈 내부의 가스를 외부로 배기시키는 단 계(S1004), 프로세스모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S1005) 및 언로딩된 웨이퍼를 로드락모듈 내부로 로딩하는 단계(S1006)를 구비한다.
상기 로드락모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계(S1001)는 상술한 바와같다.
상기 언로딩된 웨이퍼를 프로세스모듈 내부로 로딩하는 단계(S1002)에서, 상기 제1핑거(263) 및 제2핑거(273)에 올려져 있는 웨이퍼들은 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)에 로딩된다. 이때 상기 웨이퍼이송로봇(250)의 제1로봇암부(261)와 제2로봇암부(271)는 서로 독립되게 구동되며 두 개의 웨이퍼가 상기 제1프로세스모듈(240a) 및 제2프로세스모듈(240b)에 동시에 로딩될 수도 있고, 어느 하나의 프로세스모듈에 문제가 발생한 경우에는 정상적인 프로세스모듈에만 선택적으로 웨이퍼를 로딩할 수도 있다.
상기 프로세스모듈(240) 내로 웨이퍼의 로딩이 완료된 후에는 프로세스모듈(240) 내부로 가스를 공급하게 된다.(S1003) 이때 가스의 공급은 제1프로세스모듈(240a)에 가스를 분사하는 제1가스분사부(242a)의 외부에 연결된 제1가스공급라인(713) 및 상기 제1가스공급라인(713)과 독립하여 제2프로세스모듈(240b)에 가스를 분사하는 제2가스분사부(242b)의 외부에 연결된 제2가스공급라인(715)을 통해 개별적으로 이루어진다.
즉, 두 개 이상의 프로세스모듈 중 어느 하나의 프로세스모듈에 문제가 발생한 경우 가스공급밸브를 차단하여 문제가 발생한 프로세스모듈로 가스가 공급되는 것을 막고 정상적인 프로세스모듈에만 가스가 공급된다.
상기 프로세스모듈 내부로 가스를 공급하는 단계(S1003)에서는 공급가스가 플라즈마 상태로 공급될 수 있다. 공급되는 가스가 공정용 가스인 경우 주로 상기 RF 발생기에 의해 플라즈마 상태로 되고, 공급되는 가스가 세정가스인 경우 주로 상기 리모트 플라즈마 발생기에 의해 세정가스가 플라즈마 상태로 되어 프로세스모듈 내부로 공급된다.
한편 독립적으로 형성되어 있는 상기 제1가스공급라인(713)과 제2가스공급라인(715)은 가스공급원 및 관련 설비를 공유함으로써 비용을 절감할 수 있다.
이후 상기 프로세스모듈 내부의 잔존 가스 및 부산물을 외부로 배기시킨다.(S1004) 상기 프로세스모듈 내부의 가스를 배기시키는 단계는 제어부의 제어신호에 의해 상기 제1프로세스모듈(240a)과 제2프로세스모듈(240b)에 대해 개별적으로 이루어진다.
독립적으로 형성되어 있는 상기 제1가스배기라인(721)과 제2 가스배기라인(722)은 상기 두 개 이상의 프로세스모듈(240a, 240b)의 외부에서 병합되어 공통배기라인(725)을 형성하고 쓰로틀밸브(726) 및 배기펌프(727)를 공유함으로써 비용을 절감할 수 있다.
상기 프로세스모듈 내부의 잔존 가스 및 부산물을 외부로 배기시킨 후에는 상기 프로세스모듈 내부로부터 웨이퍼를 언로딩시킨다.(S1005)
상기 프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼는 웨이퍼이송로봇(250)에 의해 제2로드락 모듈(232b)로 이송된다.(S1006)
이후 가공이 완료된 웨이퍼는 로드락모듈로부터 언로딩되어 대기모듈(210)로 이송되고 이 과정은 웨이퍼가 대기모듈(210)로부터 상기 프로세스모듈로 이송되는 과정을 역으로 수행하는 것과 거의 동일하므로 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 웨이퍼이송로봇의 실시예에 있어서, 상기 제1로봇암부와 제2로봇암부 각각은 두 개의 로봇암과 한 개의 핑거로 구성되어 있으나, 상대적으로 수평회전운동 가능하며 수평방향으로 웨이퍼를 이송할 수 있다면, 세 개 이상의 로봇암과 한 개의 핑거로 구성되어 있어도 무방하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼프로세스모듈을 구비하는 웨이퍼가공시스템의 실시예에 있어서, 세 개의 듀얼프로세스모듈이 전달모듈 주변에 배치되어 있으나, 한 개 또는 두 개의 듀얼프로세스모듈이 배치될 수도 있고, 상기 전달모듈의 형상이 오각형 또는 그 이상의 다각형의 형상으로 형성되어서 네 개 이상의 듀얼프로세스모듈이 전달모듈 주변에 배치될 수도 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼가공시스템의 실시예에 있어서, 로드락모듈은 격벽에 의해 두 개의 밀폐된 내부공간으로 분리되고, 분리된 내부공간이 제1로드락모듈 및 제2로드락 모듈과는 별도로 또 다른 밀폐된 내부공간을 갖는 제2로드락모듈을 독립되게 제작하여 이웃하게 배치하는 것도 가능하다.
본 발명의 웨이퍼처리방법의 실시예에 있어서, 두 개의 웨이퍼를 가지고 작동원리를 설명하였으나, 여러개의 웨이퍼들이 각각의 모듈 사이에서 교환되면서 가공공정이 진행되는 것이 일반적이다.
본 발명의 웨이퍼처리방법의 실시예에 있어서, 하나의 로드락 카세트(235)에 상하로 배치된 두 개의 웨이퍼를 동시에 로딩 또는 언로딩하는 것도 가능하지만, 서로 이웃하게 배치된 두개의 로드락 카세트(235) 각각에 웨이퍼가 하나씩 배치되어 있고 상기 웨이퍼들이 서로 다른 높이에 위치하는 경우라도, 그 두개의 웨이퍼를 동시에 로딩 또는 언로딩하는 것도 가능하다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼이송로봇, 이를 이용한 웨이퍼가공시스템 및 웨이퍼처리방법에 의하면 서로 독립적으로 구동되는 한 쌍의 로봇암부를 구비하는 웨이퍼이송로봇을 이용하여 한 쌍의 웨이퍼를 개별적으로 이송할 수 있어서 웨이퍼 처리방법을 다양화 할 수 있다.
또한 히터가 설치되어 웨이퍼의 예열을 전담하는 공간과 쿨러가 설치되어 웨이퍼의 냉각을 전담하는 공간으로 분리되어 있는 로드락 모듈을 사용함으로써, 웨이퍼에 발생할 수 있는 열응력을 방지하고 예열과 냉각에 소요되는 비용을 절감할 수 있으며, 온도관리의 효율에 있에서도 우수한 효과가 있다.
또한 프로세스모듈에 가스공급라인과 가스배기라인이 독립적으로 형성되어 공정진행 중 하나의 프로세스모듈에 문제가 발생된 경우에도 다른 프로세스모듈에 서는 공정을 계속 진행할 수 있고, 프로세스모듈의 외부에서 공용의 가스공급라인과 가스배기라인에 연결됨으로써 비용을 절감할수 있으며, 전체적으로 단일의 시스템에서 단위 시간당 웨이퍼 처리 속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (29)

  1. 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송로봇에 있어서,
    고정된 로봇본체;
    상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재;
    상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재;
    상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇암부; 및
    상기 제2승강부재에 연결되며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송로봇.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1로봇암부는,
    상기 제1승강부재에 대해 수평회전운동하는 제1로봇암;
    상기 제1로봇암에 대해 수평회전운동하는 제2로봇암; 및
    상기 제2로봇암에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제1핑거를 포함하고,
    상기 제2로봇암부는,
    상기 제2승강부재에 대해 수평회전운동하는 제3로봇암;
    상기 제3로봇암에 대해 수평회전운동하는 제4로봇암; 및
    상기 제4로봇암에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제2핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송로봇.
  3. 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착 공간과, 상기 증착 공간 각각에 가스를 분사하는 한 쌍의 가스 분사부와 상기 증착 공간 각각에 연통되는 배기부를 포함하는 듀얼프로세스모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템에 있어서,
    상기 웨이퍼이송로봇은
    상기 전달모듈 내의 중앙부에 고정된 로봇본체;
    상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재;
    상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재;
    상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇암부; 및
    상기 제2승강부재에 연결되며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼가공시스템은
    상기 듀얼프로세스모듈의 외부에 위치하고 가스공급라인을 통해 상기 듀얼프로세스모듈의 상기 각 가스분사부로 가스를 공급하는 가스분배모듈; 및
    상기 듀얼프로세스모듈의 외부에 위치하고 상기 듀얼프로세스모듈에 형성된 상기 각 배기부를 통해 상기 한 쌍의 증착공간에서 배기되는 배기가스를 머지하여 배기하는 가스배기모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  5. 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 웨이퍼에 대한 공정처리를 실시하는 두 개 이상의 프로세스모듈;과 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템에 있어서,
    상기 웨이퍼이송로봇은
    상기 전달모듈 내의 중앙부에 고정된 로봇본체;
    상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제1승강부재;
    상기 제1승강부재와는 독립되게 구동되며 상기 로봇본체에 대해 상하방향으로 왕복 운동하는 제2승강부재;
    상기 제1승강부재에 연결되며 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제1로봇 암부; 및
    상기 제2승강부재에 연결되며 상기 제1로봇암부와는 독립되게 구동되면서 수평방향으로 웨이퍼를 이송하기 위한 제2로봇암부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼가공시스템은
    상기 프로세스모듈의 외부에 위치하고 가스공급라인을 통해 상기 각 프로세스모듈로 가스를 공급하는 가스분배모듈; 및
    상기 프로세스모듈의 외부에 위치하고 가스배기라인을 통해 상기 각 프로세스모듈에서 배기되는 배기 가스를 머지하여 배기하는 가스배기모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1로봇암부는,
    상기 제1승강부재에 대해 수평회전운동하는 제1로봇암;
    상기 제1로봇암에 대해 수평회전운동하는 제2로봇암; 및
    상기 제2로봇암에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제1핑거를 포함하고,
    상기 제2로봇암부는,
    상기 제2승강부재에 대해 수평회전운동하는 제3로봇암;
    상기 제3로봇암에 대해 수평회전운동하는 제4로봇암; 및
    상기 제4로봇암에 대해 수평회전운동하며 웨이퍼와 접촉하는 제2핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  8. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드락모듈은 격벽에 의해 서로 분리되어 각각 밀폐된 내부공간을 갖는 제1로드락모듈과 제2로드락모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1로드락모듈에는 그 내부에 적재되어 있는 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 설치되어 있고,
    상기 제2로드락모듈에는 그 내부에 적재되어 있는 웨이퍼를 냉각하기 위한 쿨러가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    대기 상태의 웨이퍼가 상기 제1로드락모듈로 인입되고,
    상기 제2로드락모듈로부터 웨이퍼가 대기 상태로 반송되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1로드락 모듈 및 상기 제2로드락 모듈 각각은
    웨이퍼를 수납하기 위한 다수개의 슬롯이 상하방향으로 배열되어 있는 로드락 카세트를 승강 가능하게 하는 엘리베이터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  12. 제6항에 있어서, 상기 가스분배모듈은
    가스소스와 연결된 유량제어기;
    상기 유량제어기와 연결되고 제어부의 신호에 의해 작동되어 제1 프로세스모듈로 가스를 공급 또는 차단하는 제1 가스공급밸브;
    상기 유량제어기와 연결되고 제어부의 신호에 의해 작동되어 제2 프로세스모듈로 가스를 공급 또는 차단하는 제2 가스공급밸브;
    상기 제1 프로세스모듈의 외부에 구비되고 제1 가스공급밸브를 통과한 가스를 제1 프로세스모듈에 공급하는 제1 가스공급라인; 및
    상기 제1 가스공급라인과 독립하여 제2 프로세스모듈의 외부에 구비되고 제2 가스공급밸브를 통과한 가스를 제2 프로세스모듈에 공급하는 제2 가스공급라인을 포함하고,
    상기 제1 가스공급밸브와 상기 제2 가스공급밸브는 동시에 또는 선택적으로 오픈되어 상기 제1 프로세스모듈 및 상기 제2 프로세스모듈에 가스가 동시에 또는 선택적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  13. 제6항에 있어서, 상기 가스배기모듈은
    제1 프로세스모듈의 외부에 연결된 제1 가스배기라인;
    제2 프로세스모듈의 외부에 연결된 제2 가스배기라인;
    상기 제1 가스배기라인상에 형성되고 제어부의 신호에 의해 작동되어 상기 제1 프로세스모듈내의 가스를 배기 또는 차단하는 제1 가스배기밸브;
    상기 제2 가스배기라인상에 형성되고 제어부의 신호에 의해 작동되어 상기 제2 프로세스모듈내의 가스를 배기 또는 차단하는 제2 가스배기밸브;
    상기 제1 가스배기라인과 상기 제2 가스배기라인이 연결된 공통배기라인;
    상기 공통배기라인상에 구비된 쓰로틀밸브; 및
    상기 쓰로틀밸브에 연결되는 배기펌프를 포함하고,
    상기 제1 가스배기밸브와 상기 제2 가스배기밸브는 동시에 또는 선택적으로 오픈되어 상기 제1 프로세스모듈 및 상기 제2 프로세스모듈 내의 가스가 동시에 또는 선택적으로 배기되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  14. 제12항에 있어서, 상기 가스분배모듈은
    리모트 플라즈마 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1 프로세스모듈 및 상기 제2 프로세스모듈은
    RF 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공시스템.
  16. 웨이퍼를 이송하는 제1항 또는 제2항의 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 내부에 상호 분리된 한 쌍의 증착 공간과, 상기 증착 공간 각각에 가스를 분사하는 한 쌍의 가스 분사부와 상기 증착 공간 각각에 연통되는 배기부를 포함하는 듀얼프로세스모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 듀얼프로세스모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템의 웨이퍼 처리 방법에 있어서,
    상기 로드락 모듈 내부에 서로 다른 높이로 배치된 두 개의 웨이퍼를, 상기 로드락모듈 내부로부터 언로딩하는 로드락모듈 언로딩 단계; 및
    상기 두 개의 웨이퍼를 상기 듀얼프로세스모듈 내부로 로딩하는 듀얼프로세스모듈 로딩 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼처리방법은
    상기 듀얼프로세스모듈의 외부에 구비된 가스분배모듈을 통해 상기 듀얼프로세스모듈의 상기 각 가스분사부로 가스를 공급하는 가스공급단계;와
    상기 듀얼프로세스모듈의 외부에 구비된 가스배기모듈을 통해 상기 듀얼프로세스모듈의 상기 각 증착 공간에서 배기되는 배기가스를 머지하여 배기하는 가스배기단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 듀얼프로세스모듈 내부에 배치된 두 개의 웨이퍼를 언로딩하는 듀얼프로세스모듈 언로딩 단계; 및
    상기 언로딩된 두 개의 웨이퍼를 서로 다른 높이로 배치되게 상기 로드락모듈 내부로 로딩하는 로드락모듈 로딩 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  19. 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 듀얼 프로세스모듈 로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼를 동시에 로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  20. 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 듀얼 프로세스모듈 로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼를 일정한 시간차를 두고 로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 듀얼 프로세스모듈 언로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼를 동시에 언로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 듀얼 프로세스모듈 언로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼를 일정한 시간차를 두고 언로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  23. 웨이퍼를 이송하는 제1항 또는 제2항의 웨이퍼이송로봇이 배치된 전달모듈; 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 웨이퍼에 대한 공정 처리를 실시하는 두 개 이상의 프로세스 모듈;과 상기 전달모듈 주변에 배치되며, 상기 프로세스모듈 내부로 로딩될 웨이퍼 및 상기 프로세스 모듈 내부로부터 언로딩된 웨이퍼가 적재되는 로드락모듈을 포함하는 웨이퍼가공시스템의 웨이퍼 처리 방법에 있어서,
    상기 로드락 모듈 내부에 서로 다른 높이로 배치된 두 개의 웨이퍼를, 상기 로드락모듈 내부로부터 언로딩하는 로드락모듈 언로딩 단계; 및
    상기 두 개의 웨이퍼를 상기 두 개 이상의 프로세스 모듈 중 상호 이웃한 한 쌍의 프로세스모듈 내부로 로딩하는 프로세스모듈 로딩 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 프로세스모듈의 외부에 구비된 가스분배모듈을 통해 상기 각 프로세스모듈로 가스를 분배 공급하는 가스공급단계;와
    상기 프로세스모듈의 외부에 구비된 가스배기모듈을 통해 상기 각 프로세스모듈에서 배기되는 배기가스를 머지하여 배기하는 가스배기단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서,
    상기 한 쌍의 프로세스모듈 내부에 각각 배치된 웨이퍼를 상기 프로세스모듈 내부로부터 언로딩하는 프로세스모듈 언로딩 단계; 및
    상기 두 개의 웨이퍼를 서로 다른 높이로 배치되게 상기 로드락모듈 내부로 로딩하는 로드락모듈 로딩 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  26. 제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 프로세스모듈 로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼 각각을 해당 프로세스모듈로 동시에 로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  27. 제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 프로세스모듈 로딩 단계는,
    상기 두 개의 웨이퍼 각각을 해당 프로세스모듈로 일정한 시간차를 두고 로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 프로세스모듈 언로딩 단계는,
    상기 한 쌍의 프로세스모듈 내부로부터 각각의 웨이퍼를 동시에 언로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 프로세스모듈 언로딩 단계는,
    상기 한 쌍의 프로세스모듈 내부로부터 각각의 웨이퍼를 일정한 시간차를 두고 언로딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
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