KR20080035745A - 광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 금속기판 및 금속기판의 양극산화를 통해 형성된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 에칭을 통해 안착홈을 형성하고, 안착홈에 광소자를 접착제에 의해 접착 및 고정시킴으로써, 광소자 단일 칩 및 어레이의 크기에 영향을 받지 않는 웨이퍼 레벨 패키지가 가능하며, 광소자의 방출열에 따른 노이즈를 개선할 수 있으며, 금속기판을 이용하기 때문에 광소자의 본딩패드가 하부에 있어도 비아홀(Via Hole)을 통해 재배치 패드의 형성이 가능하다.

또한, 에폭시 수지를 이용하여 웨이퍼의 상부에 덮개층을 접착 및 고정시킴으로써, 광소자가 외기로부터 노출되는 것을 방지하여 광소자의 부식 및 산화를 막을 수 있는 탁월한 효과가 있다.

광소자, 패키지, 양극산화

Description

광소자 패키지 및 그 제조방법{OPTICAL DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}

도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

도 1f 및 도 1g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도.

도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지가 인쇄회로기판에 실장된 상태를 나타낸 단면도.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

도 2f 및 도 2g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도.

도 2h는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지가 인쇄회로기판에 실장된 상태를 나타낸 단면도.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2 실시예에 따라 패키징된 4×4 광소자 어레이 패키지를 설명하기 위한 평면도.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법에서 금속기판에 상호연결 비아를 제작하는 과정을 설명하기 위한 단면도.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법에서 금속기판에 상호연결 비아를 제작하는 과정을 설명하기 위한 단면도.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ***

100 : 금속기판, 110 : 산화층,

115 : 안착홈, 120 : 웨이퍼,

150 : 돌출부, 200,200' : 광소자,

250,250a,250b : 본딩패드, 300,300' : 제1 접착제,

400 : 보호막, 450,950 : 상호연결 비아,

455 : 접지홈, 500,500' : 재배치 패드,

550,550' : 접지용 재배치 패드, 600 : 제2 접착제,

700 : 덮개층, 800 : 4×4 광소자 어레이,

900 : 비아홀, MP : 마스크 패턴,

A : 접착제, H : 삽입홀,

HS : 히트싱크, WB : 와이어 본딩,

PCB : 인쇄회로기판

본 발명은 광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양극산화를 이용한 광소자의 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 광소자는 성능 및 사용목적에 따라 크기가 다양하며 단일 칩부터 N×N 블록형 어레이까지 여러 가지 형태의 패키징이 요구된다. 또한, 광소자는 성능 및 사용목적에 따라 본딩패드(Bonding Pad)의 위치가 소자 상부 또는 상부 및 하부 양쪽에 있는 경우가 대부분인데 이러한 본딩패드의 위치에 따라 패키징의 방식도 바뀌어야 했으며, 성능에 따른 특성을 유지하기 위해 도선간의 연결에 플립 칩(Flip Chip)공정과 같은 고 난이도의 기술이 요구되어 왔다.

이러한 광소자의 경우 온도에 매우 민감하여 온도증가에 따른 성능의 저하가 현격하다. 따라서, 광소자의 열방출을 효과적으로 해주는 패키징 방식이 필요한데, 외부 방열판을 별도로 장착하는 경우 그 비용 및 부피의 증가가 상당하다.

또한, 광소자 패키지에는 광소자가 부식 및 산화되지 않도록 광소자 칩의 외기에의 노출을 방지할 수 있는 막을 형성하는 것이 중요한 기술인데, 종래의 티오 패키지(To-Can Package)등 많은 방식들이 있으나, 단일 칩 및 N×N 블록형 어레이 등 다양한 형태의 영향을 받지 않는 방식은 아직까지 개발되지 않았다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 광소자의 크기, 형태 및 본딩패드의 위치에 영향을 받지 않고 광소자의 방출열을 효과적으로 방출할 수 있도록 한 광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 광소자 칩이 외기로부터 노출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 덮개층을 형성하는 데에 있어 단일 칩 및 N×N 블록형 어레이 등 다양한 형태의 영향을 받지 않는 광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, 금속기판 상에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈으로 이루어진 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호막; 및 상기 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지를 제공하는 것이다.

여기서, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산 화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드; 상기 산화층의 일측 상부에 형성된 접지용 재배치 패드; 및 상기 금속기판과 상기 접지용 재배치 패드가 전기적으로 서로 연결되도록 상기 산화층을 관통하도록 형성된 상호연결 비아를 더 포함하며, 상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어진다.

본 발명의 제2 측면은, 금속기판 상에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈 및 접지홈으로 이루어진 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부 및 하부에 본딩패드를 각각 노출하는 광소자; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호막; 상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 재배치 패드; 상기 웨이퍼의 접지홈 상에 상기 금속기판과 전기적으로 연결되도록 형성된 상호연결 비아; 및 상기 상호연결 비아 상에 형성된 접지용 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지를 제공하는 것이다.

여기서, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접 착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어진다.

본 발명의 제3 측면은, 적어도 하나의 비아홀을 갖는 금속기판의 전체표면에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈으로 이루어진 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호막; 상기 웨이퍼의 비아홀 내에 형성된 상호연결 비아; 상기 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 상부 재배치 패드; 및 상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 형성된 하부 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지를 제공하는 것이다.

여기서, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드; 상기 산화층의 일측 하부에 형성된 접지용 재배치 패드; 및 상기 금속기판과 상기 접지용 재배치 패드 가 전기적으로 서로 연결되도록 상기 금속기판의 일측 하부에서 연장되며, 상기 산화층을 관통하도록 돌출형성된 돌출부를 더 포함하며, 상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어진다.

바람직하게는, 상기 안착홈은 상기 금속기판의 일정깊이까지 노출되도록 형성된다.

바람직하게는, 상기 광소자를 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 접착 시, 상기 광소자의 표면이 상기 웨이퍼의 표면보다 낮게 위치하도록 접착된다.

바람직하게는, 상기 광소자는 수직 공진식 표면발광레이저(VCSEL), 발광다이오드(LED) 또는 광 검출기 중 어느 하나로 이루어진다.

바람직하게는, 상기 광소자는 단일 칩 또는 N×N 블록형 어레이 형태로 배치된다.

바람직하게는, 상기 보호막은 고분자막으로 구성된다.

바람직하게는, 상기 보호막은 상기 웨이퍼에서 상기 광소자 측으로 경사지게 형성된다.

바람직하게는, 상기 제2 접착제는 에폭시 수지로 구성된다.

바람직하게는, 상기 덮개층은 광학적으로 투명한 글래스로 구성된다.

바람직하게는, 상기 덮개층은 상부 또는 하부가 렌즈 모양으로 형성되며, 광학적으로 투명한 글래스로 구성된다.

바람직하게는, 상기 광소자가 어레이 형태로 이루어질 경우, 상기 덮개층은 상기 광소자의 어레이 위치와 동일하게 상부 또는 하부가 렌즈 어레이로 형성되며, 광학적으로 투명한 글래스로 구성된다.

본 발명의 제4 측면은, 금속기판 상에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계; 상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계; 상기 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 재배치 패드를 형성하는 단계; 및 상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법을 제공하는 것이다.

여기서, 상기 재배치 패드를 형성한 후, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.

본 발명의 제5 측면은, 금속기판 상에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계; 상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부 및 하부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계; 상기 산화층의 일측 상부에 상기 금속기판이 노출되도록 접지홈을 형성한 후, 상기 웨이퍼의 접지홈 내에 상기 금속기판과 전기적으로 연결되도록 상호연결 비아를 형성하는 단계; 상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 재배치 패드를 형성하는 단계; 상기 상호연결 비아 상에 접지용 재배치 패드를 형성하는 단계; 및 상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법을 제공하는 것이다.

여기서, 상기 접지용 재배치 패드를 형성한 후, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지를 사용함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 절단된 개개의 광소자 패키지를 인쇄회로기판에 실장할 경우, 상기 인쇄회로기판 상에 상기 광소자 패키지가 삽입 안착될 삽입홀을 형성하고, 상기 인쇄회로기판의 하면에 상기 삽입홀이 폐쇄되도록 히트싱크를 부착하며, 상기 삽입홀 내의 히트싱크 표면에 접착제를 바른 후 상기 광소자 패키지를 접착 및 고정하여, 상기 광소자 패키지에서 발생된 열을 상기 히트싱크를 통해 외부로 방출할 수 있도록 한다.

본 발명의 제6 측면은, 금속기판에 적어도 하나의 비아홀을 형성하고, 상기 금속기판의 전체표면에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계; 상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계; 상기 비아홀에 금속물질을 채워 선택적 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아를 형성하는 단계; 상기 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 상부 재배치 패드를 형성하는 단계; 상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 하부 재배치 패드를 형성하는 단계; 및 상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법을 제공하는 것이다.

여기서, 상기 하부 재배치 패드를 형성한 후, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.

본 발명의 제7 측면은 금속기판에 적어도 하나의 비아홀을 형성하고, 상기 금속기판의 하면에 제1 마스크 패턴을 형성하여 선택적 패터닝을 수행한 후, 상기 금속기판에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계; 상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 제2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부 및 하부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계; 상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계; 상기 비아홀에 금속물질을 채워 선택적 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아를 형성하는 단계; 상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 상부 재배치 패드를 형성하는 단계; 상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 하부 재배치 패드를 형성하는 단계; 상기 금속기판의 일측 하면과 전기적으로 연결되도록 상기 제1 마스크 패턴이 형성된 상기 금속기판의 하면에 접지용 재배치 패드를 형성하는 단계; 및 상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법을 제공하 는 것이다.

여기서, 상기 접지용 재배치 패드를 형성한 후, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 보호막은 상기 광소자들이 접착된 상기 웨이퍼의 전면에 스핀 코팅 공정을 이용하여 액상의 고분자막을 도포한 후 경화하여 형성한다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 한편, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

(제1 실시예)

도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 1f 및 도 1g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도이며, 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지가 인쇄회로기판에 실장된 상태를 나타낸 단면도로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법은 광소자의 본딩패드가 소자의 상부에만 있는 경우에 대한 것이다.

도 1a를 참조하면, 먼저, 금속기판(100) 상에 금속기판(100)의 양극산화를 통해 성장된 산화층(110)으로 이루어진 웨이퍼(120)를 구비한다.

여기서, 산화층(110)은 금속기판(100)을 예컨대, 붕산, 인산, 황산, 크롬산 등의 전해액에 담은 후, 금속기판(100)에 양극을 인가하고 전해액에 음극을 인가함으로써, 금속기판(100) 상에 산화층(110)을 성장시킨다.

도 1b를 참조하면, 산화층(110) 상에 리소그라피(lithography) 공정을 통하여 마스크 패턴(Mask Pattern)(미도시)을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크(Mask)로 하여 금속기판(100)이 노출되도록 산화층(110)을 식각하여 안착홈(115)을 형성한다. 그 다음 상기 마스크 패턴을 제거한다.

여기서, 상기 식각은 산화층(110)외에도 사용목적 및 필요에 따라 금속기판(100)의 일정깊이까지 식각될 수도 있다.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 적용된 안착홈(115)은 사각형의 홈으로 이루어짐이 바람직하지만, 이에 국한하지 않으며, 마름모형, 사각형, 다각형 등 형태를 만들 수 있는 모든 형태로 이루어질 수도 있다.

도 1c를 참조하면, 상부에 본딩패드(250)가 노출된 광소자(200)들을 일정한 간격으로 제1 접착제(300)에 의해 접착 및 고정한다. 이를 보다 상세히 설명하면, 미리 제작된 광소자(200)들 중에서 성능이 우수한 광소자(200)들을 선택하여 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 1b 참조)에 일정한 간격으로 배열하고 제1 접착제(300) 를 이용하여 접착한다.

이때, 광소자(200)의 표면이 웨이퍼(120)의 표면보다 어느 정도 낮게 위치하도록 하여 이후 덮개층(700)과의 거리가 어느 정도 유지될 수 있도록 한다.

또한, 광소자(200)는 수직 공진식 표면발광레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL), 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 또는 광 검출기(Photo detector) 중 어느 하나로 이루어짐이 바람직하며, 광소자(200)는 단일 칩뿐만 아니라 N×N 블록형 어레이로 배치될 수 있다.

한편, 제1 접착제(300)로는 예컨대, 에폭시 수지가 주로 사용되며, 상기 에폭시 수지는 약 1.230∼1.189 범위의 비중, 굽힘 강도, 굳기 등 기계적 성질이 우수할 뿐만 아니라 경화 시에 휘발성 물질의 발생 및 부피의 수축이 일어나지 않는다.

전술한 바와 같이 금속기판(100) 상에 광소자(200)들을 제1 접착제(300)에 의해 부착함으로써, 금속기판(100)쪽으로 광소자(200)의 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.

도 1d를 참조하면, 보호막(400) 및 재배치 패드(500)를 형성한다. 이를 보다 상세히 설명하면, 광소자(200)들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막(400)을 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 1b 참조) 내에 형성한다.

이러한 보호막(400)은 광소자(200)들이 접착된 웨이퍼(120)의 전면에 스핀 코팅 공정을 이용하여 액상의 고분자막을 도포한 후 경화하여 형성한다. 이때, 보호막(400)의 높이가 웨이퍼(120)에서 광소자(200)쪽으로 비스듬히 전사되도록 함 이 바람직하다.

한편, 재배치 패드(500)는 광소자(200)들의 상부 표면에 노출된 본딩패드(250) 상에 연장되도록 형성한다. 즉, 재배치 패드(500)는 본딩패드(250)와 전기적으로 연결되면서 보호막(400) 및 산화층(110) 상에 형성한다. 이러한 재패치 패드(500)는 예컨대, Ti/Au 등의 금속막으로 구성될 수 있다.

도 1e를 참조하면, 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 1b 참조) 상부에 안착홈(115)과 대응되는 형상을 갖는 덮개층(700)을 각각 위치시키고, 웨이퍼(120)의 안착홈(115)의 외곽에 제2 접착제(600)를 바른 후 덮개층(700)을 부착한다.

도 1f는 제2 접착제(600)를 바른 후의 평면도이며, 도 1g는 덮개층(700)을 부착한 후의 평면도이다. 이렇게 하여 광소자(200)는 외기로부터 완전히 차단될 수 있으며, 부식 및 산화를 효과적으로 방지할 수 있다.

여기서, 제2 접착제(600)로는 예컨대, 에폭시 수지가 사용되며, 상기 에폭시 수지는 기계적 성질이 우수할 뿐만 아니라 경화 시에 휘발성 물질의 발생 및 부피의 수축이 일어나지 않는다.

한편, 덮개층(700)으로는 광학적으로 투명한 글래스(glass)가 이용될 수 있으며, 상부 또는 하부가 렌즈 모양으로 형성된 광학적으로 투명한 글래스를 이용할 수도 있다. 또한, 웨이퍼(120)에 접합된 광소자(200)가 어레이 형태일 경우, 그 위치에 맞게 덮개층(700)의 상부 또는 하부도 렌즈 어레이가 형성되어 있는 광학적으로 투명한 글래스가 이용될 수 있다.

전술한 바와 같이 형성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지의 평 면도는 도 1g와 같으며, 웨이퍼(120) 상의 광소자(200)들의 사이를 예컨대, 다이 소닝(die sawing) 등의 방식을 이용하여 절단할 수 있다.

한편, 상기와 같이 절단된 개개의 광소자 패키지를 플라스틱 또는 세라믹 기판을 사용한 인쇄회로기판(PCB)에 실장할 경우, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지에서 발생된 열을 외부에 효율적으로 방출될 수 있도록 도 1h에 도시된 바와 같이, 먼저, 인쇄회로기판(PCB) 상에 상기 광소자 패키지가 삽입 안착될 삽입홀(H)을 형성하고, 인쇄회로기판(PCB)의 하면에 삽입홀(H)이 폐쇄되도록 지느러미 형상의 히트싱크(Heat Sink, HS)를 부착한다. 이후에, 삽입홀(H)내의 히트싱크(HS) 표면에 접착제(A)를 바른 다음, 상기 광소자 패키지를 접착 및 고정한다.

이때, 접착제(A)는 열전도성이 좋은 것을 이용하여 열 방출을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 광소자 패키지와 인쇄회로기판 간에는 와이어 본딩(Wire Bonding, WB)을 통하여 연결한다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지를 인쇄회로기판(PCB)에 실장할 경우, 상기 광소자 패키지에서 발생된 열을 히트싱크(HS)를 통해 직접 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.

(제2 실시예)

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 2f 및 도 2g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 평면도이며, 도 2h는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지가 인쇄회로기판에 실장된 상태를 나타낸 단면도로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법은 광소자의 본딩패드가 광소자의 상부 및 하부에 있는 경우에 대한 것이다.

도 2a를 참조하면, 먼저, 금속기판(100) 상에 금속기판(100)의 양극산화를 통해 성장된 산화층(110)으로 이루어진 웨이퍼(120)를 구비한다.

여기서, 산화층(110)은 금속기판(100)을 예컨대, 붕산, 인산, 황산, 크롬산 등의 전해액에 담은 후, 금속기판(100)에 양극을 인가하고 전해액에 음극을 인가함으로써, 금속기판(100) 상에 산화층(110)을 성장시킨다.

도 2b를 참조하면, 산화층(110) 상에 리소그라피(lithography) 공정을 통하여 마스크 패턴(Mask Pattern)(미도시)을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크(Mask)로 하여 금속기판(100)이 노출되도록 산화층(110)을 식각하여 안착홈(115)을 형성한다. 그 다음 상기 마스크 패턴을 제거한다.

여기서, 상기 식각은 산화층(110)외에도 사용목적 및 필요에 따라 금속기판(100)의 일정깊이까지 식각될 수도 있다.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 적용된 안착홈(115)은 사각형의 홈으로 이루어짐이 바람직하지만, 이에 국한하지 않으며, 마름모형, 사각형, 다각형 등 형태를 만들 수 있는 모든 형태로 이루어질 수도 있다.

도 2c를 참조하면, 상부 및 하부에 본딩패드(250a, 250b)가 노출된 광소자(200')들을 일정한 간격으로 제1 접착제(300')에 의해 접착 및 고정한다. 이를 보다 상세히 설명하면, 미리 제작된 광소자(200')들 중에서 성능이 우수한 광소자(200')들을 선택하여 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 2b 참조)에 일정한 간격으로 배열하고 제1 접착제(300')를 이용하여 접착한다.

이때, 광소자(200')의 표면이 웨이퍼(120)의 표면보다 어느 정도 낮게 위치하도록 하여 이후 덮개층(700)과의 거리가 어느 정도 유지될 수 있도록 한다.

또한, 광소자(200')는 수직 공진식 표면발광레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL), 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 또는 광 검출기(Photo detector) 중 어느 하나로 이루어짐이 바람직하며, 광소자(200')는 단일 칩뿐만 아니라 N×N 블록형 어레이로 배치될 수 있다.

한편, 제1 접착제(300')로는 예컨대, 전도성을 가지는 에폭시 수지가 주로 사용되며, 상기 에폭시 수지는 기계적 성질이 우수할 뿐만 아니라 경화 시에 휘발성 물질의 발생 및 부피의 수축이 일어나지 않는다.

전술한 바와 같이 금속기판(100) 상에 광소자(200')들을 제1 접착제(300')에 의해 부착함으로써, 금속기판(100)쪽으로 광소자(200')의 열을 효과적으로 방출시킬 수 있으며, 금속기판(100)을 접지 단자로 사용할 수 있게 된다.

도 2d를 참조하면, 보호막(400), 상호연결 비아(450), 재배치 패드(500) 및 접지용 재배치 패드(550)를 형성한다. 이를 보다 상세히 설명하면, 광소자(200')들 사이를 보호 및 지지하는 보호막(400)을 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 2b 참조) 내에 형성한다.

이러한 보호막(400)은 광소자(200')들이 접착된 웨이퍼(120)의 전면에 스핀 코팅 공정을 이용하여 액상의 고분자막을 도포한 후 경화하여 형성한다. 이때, 보호막(400)의 높이가 웨이퍼(120)에서 광소자(200')쪽으로 비스듬히 전사되도록 함이 바람직하다.

이후, 접지용 재배치 패드(550)가 위치할 산화층(110)의 일측 상부에 금속기판(100)이 노출되도록 접지홈(455)을 형성한 후, 통상적인 방식으로 접지홈(455)을 금속물질로 채우면 상호연결 비아(450)가 제작된다.

한편, 재배치 패드(500)는 광소자(200')들의 상부 표면에 노출된 본딩패드(250a) 상에 연장되도록 형성한다. 즉, 재배치 패드(500)는 본딩패드(250a)와 전기적으로 연결되면서 보호막(400) 및 산화층(110) 상에 형성한다. 그리고, 접지용 재배치 패드(550)는 상호연결 비아(450) 상에 형성한다. 이러한 재패치 패드(500) 및 접지용 재배치 패드(550)는 예컨대, Ti/Au 등의 금속막으로 구성될 수 있다.

도 2e를 참조하면, 웨이퍼(120)의 안착홈(115, 도 2b 참조) 상부에 안착홈(115)과 대응되는 형상을 갖는 덮개층(700)을 각각 위치시키고, 웨이퍼(120)의 안착홈(115)의 외곽에 제2 접착제(600)를 바른 후 덮개층(700)을 부착한다.

도 2f는 제2 접착제(600)를 바른 후의 평면도이며, 도 2g는 덮개층(700)을 부착한 후의 평면도이다. 이렇게 하여 광소자(200')는 외기로부터 완전히 차단될 수 있으며, 부식 및 산화를 효과적으로 방지할 수 있다.

여기서, 제2 접착제(600)로는 예컨대, 에폭시 수지가 사용되며, 상기 에폭시 수지는 기계적 성질이 우수할 뿐만 아니라 경화 시에 휘발성 물질의 발생 및 부피의 수축이 일어나지 않는다.

한편, 덮개층(700)으로는 광학적으로 투명한 글래스가 이용될 수 있으며, 상부 또는 하부가 렌즈 모양으로 형성된 광학적으로 투명한 글래스를 이용할 수도 있다. 또한, 웨이퍼(120)에 접합된 광소자(200')가 어레이 형태일 경우, 그 위치에 맞게 덮개층(700)의 상부 또는 하부도 렌즈 어레이가 형성되어 있는 광학적으로 투명한 글래스가 이용될 수 있다.

전술한 바와 같이 형성된 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지의 평면도는 도 2g와 같으며, 웨이퍼(120) 상의 광소자(200')들의 사이를 예컨대, 다이 소닝(die sawing) 등의 방식을 이용하여 절단할 수 있다.

한편, 상기와 같이 절단된 개개의 광소자 패키지를 플라스틱 또는 세라믹 기판을 사용한 인쇄회로기판(PCB)에 실장할 경우, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지에서 발생된 열을 외부에 효율적으로 방출될 수 있도록 도 2h에 도시된 바와 같이, 먼저, 인쇄회로기판(PCB) 상에 상기 광소자 패키지가 삽입 안착될 삽입홀(H)을 형성하고, 인쇄회로기판(PCB)의 하면에 삽입홀(H)이 폐쇄되도록 지느러미 형상의 히트싱크(Heat Sink, HS)를 부착한다. 이후에, 삽입홀(H)내의 히트싱크(HS) 표면에 접착제(A)를 바른 다음, 상기 광소자 패키지를 접착 및 고정한다.

이때, 접착제(A)는 열전도성이 좋은 것을 이용하여 열 방출을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 광소자 패키지와 인쇄회로기판 간에는 와이어 본딩(Wire Bonding, WB)을 통하여 연결한다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지를 인쇄회로기판(PCB)에 실장할 경우, 상기 광소자 패키지에서 발생된 열을 히트싱크(HS)를 통해 직접 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2 실시예에 따라 패키징된 4×4 광소자 어레이 패키지를 설명하기 위한 평면도로서, 도 3a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 패키징된 4×4 광소자 어레이 패키지의 덮개층(700)을 부착하지 않은 상태의 평면도이며, 도 3b는 덮개층(700)을 부착한 후의 평면도이다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 4×4 광소자 어레이(800)가 웨이퍼(120) 상에 접착 및 고정되어 있다. N×N 블록형 어레이의 경우 일반적으로 본딩패드(250a 및 250b, 도 2c 내지 도 2e 참조)가 상부 및 하부에 노출되어 있으며, 광소자(200', 도 2c 내지 도 2e 참조)의 하부에 노출된 본딩패드(250b)는 상호연결 비아(450, 도 2d 및 도 2e 참조)를 통해 웨이퍼(120)의 상부에 접지용 재배치 패드(550)에 연결된다.

이렇게 하여 N×N 블록형 어레이도 크기에 제한을 받지 않으며 본딩패드(250a 및 250b)의 위치에 무관한 웨이퍼 레벨 패키징이 가능하게 된다. 또한, 덮개층(700)을 부착하여 4×4 광소자 어레이(800)가 외기로부터 노출되는 것을 완전히 차단할 수 있다.

(제3 실시예)

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이고, 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방법에서 금속기판에 상호연결 비아를 제작하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따라 패키징된 광소자 패키지를 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB) 등에 표면실장이 가능하도록 하기 위해서 웨이퍼(120)를 관통하는 비아홀(900) 내에 상호연결 비아(950)를 형성하고, 전극 즉, 재배치 패드(500')를 웨이퍼(120)의 하부로 연결시킨 것을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 제1 실시예를 참고하기로 한다.

특히, 금속기판(100)에 상호연결 비아(850)를 형성하는 방법은 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 금속기판(100)을 식각이나 펀칭공정으로 금속을 제거하여 비아홀(900)을 형성한다 이후에, 도 5b에 도시된 바와 같이, 금속기판(100)의 전체표면에 양극산화 공정을 수행하여 산화층(110)을 성장시키며, 통상적인 방식을 이용하여 비아홀(900)을 금속물질로 채우면 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아(950)가 제작된다.

(제4 실시예)

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광소자 패키지의 제조방 법에서 금속기판에 상호연결 비아를 제작하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따라 패키징된 광소자 패키지를 인쇄회로기판(PCB) 등에 표면실장이 가능하도록 하기 위해서 웨이퍼(120)를 관통하는 비아홀(900) 내에 상호연결 비아(950)를 형성하고, 전극 즉, 재배치 패드(500')를 웨이퍼(120)의 하부로 연결시킨 것과, 웨이퍼(120)의 일측 하부 즉, 금속기판(100)의 일측 하면이 산화층(110)의 외부로 노출되도록 돌출형성된 돌출부(150)의 표면에 접지용 재배치 패드(550')를 형성하는 것을 제외하고는 본 발명의 제2 실시예와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 제2 실시예를 참고하기로 한다.

특히, 금속기판(100)에 상호연결 비아(950)를 형성하는 방법은 도 7a 및 도 7b에 도시되어 있다.

도 7a에 도시된 바와 같이, 금속기판(100)을 식각이나 펀칭공정으로 금속을 제거하여 비아홀(900)을 형성한 후, 접지용 재배치 패드(550')가 형성될 위치 즉, 금속기판(100)의 일측 하면에 마스크 패턴(Mask Pattern, MP)을 형성하고 필요한 부분에 패터닝을 수행한다.

이후, 도 7b에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(MP)이 형성된 금속기판(100)의 표면을 제외한 금속기판(100)의 전체표면에 양극산화 공정을 수행하여 산화층(110)을 성장시킴으로써, 금속기판(100)의 일측 하면이 산화층(110)의 외부로 노출되도록 돌출형성된 돌출부(150)가 형성된다. 이후에, 통상적인 방식을 이용하여 비아홀(900)을 금속물질로 채우면 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아(950)가 제작된다.

전술한 본 발명에 따른 광소자 패키지 및 그 제조방법에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 광소자 패키지 및 그 제조방법에 따르면, 광소자의 크기에 영향을 받지 않으며, 단일 칩 및 N×N 블록형 어레이 등 다양한 형태의 영향을 받지 않는 광소자의 웨이퍼 레벨 패키지가 가능한 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 광소자의 본딩패드의 위치에 영향을 받지 않는 광소자의 웨이퍼 레벨 패키지가 가능한 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 광소자의 방출열을 금속기판을 통해 효과적으로 방출함으로써, 광소자의 방출열로 인한 노이즈의 발생을 효과적으로 막아줄 수 있는 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 광소자 칩이 외기로부터 노출되는 것을 방지할 수 있는 덮개층을 형성하는 데에 있어 단일 칩 및 N×N 블록형 어레이 등 다양한 형태의 영향을 받지 않는 이점이 있다.

또한, 본 발명에 의해 패키징된 광소자 패키지는 인쇄회로기판(PCB) 상에 표면실장이 가능한 이점이 있다.

Claims (35)

1. 금속기판 상에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈으로 이루어진 웨이퍼;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호막; 및

   상기 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드;

   상기 산화층의 일측 상부에 형성된 접지용 재배치 패드; 및

   상기 금속기판과 상기 접지용 재배치 패드가 전기적으로 서로 연결되도록 상기 산화층을 관통하도록 형성된 상호연결 비아를 더 포함하며,

   상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
4. 금속기판 상에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈 및 접지홈으로 이루어진 웨이퍼;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부 및 하부에 본딩패드를 각각 노출하는 광소자;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호막;

   상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 재배치 패드;

   상기 웨이퍼의 접지홈 상에 상기 금속기판과 전기적으로 연결되도록 형성된 상호연결 비아; 및

   상기 상호연결 비아 상에 형성된 접지용 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
7. 적어도 하나의 비아홀을 갖는 금속기판의 전체표면에 양극산화를 통해 형성된 산화층과, 상기 산화층 상에 상기 금속기판이 노출되도록 형성된 안착홈으로 이루어진 웨이퍼;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 제1 접착제에 의해 접착 및 고정되고, 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자;

   상기 웨이퍼의 안착홈 내에 형성되어 상기 광소자를 보호 및 지지하는 보호 막;

   상기 웨이퍼의 비아홀 내에 형성된 상호연결 비아;

   상기 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 형성된 상부 재배치 패드; 및

   상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 형성된 하부 재배치 패드를 포함하는 광소자 패키지.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 위치되며, 상기 광소자의 부식 및 산화를 방지하기 위해 외기로부터 차단되도록 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 제2 접착제에 의해 접착 및 고정되는 덮개층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
9. 제 7 항에 있어서,

   상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드;

   상기 산화층의 일측 하부에 형성된 접지용 재배치 패드; 및

   상기 금속기판과 상기 접지용 재배치 패드가 전기적으로 서로 연결되도록 상기 금속기판의 일측 하부에서 연장되며, 상기 산화층을 관통하도록 돌출형성된 돌출부를 더 포함하며,

   상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
10. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 안착홈은 상기 금속기판의 일정깊이까지 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
11. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 광소자를 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 접착 시, 상기 광소자의 표면이 상기 웨이퍼의 표면보다 낮게 위치하도록 접착되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
12. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 광소자는 수직 공진식 표면발광레이저(VCSEL), 발광다이오드(LED) 또는 광 검출기 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
13. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 광소자는 단일 칩 또는 N×N 블록형 어레이 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
14. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보호막은 고분자막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
15. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보호막은 상기 웨이퍼에서 상기 광소자 측으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
16. 제 1 항, 제 4 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 제2 접착제는 에폭시 수지로 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
17. 제 2 항, 제 5 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 덮개층은 광학적으로 투명한 글래스로 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
18. 제 2 항, 제 5 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 덮개층은 상부 또는 하부가 렌즈 모양으로 형성되며, 광학적으로 투명한 글래스로 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
19. 제 2 항, 제 5 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 광소자가 어레이 형태로 이루어질 경우, 상기 덮개층은 상기 광소자의 어레이 위치와 동일하게 상부 또는 하부가 렌즈 어레이로 형성되며, 광학적으로 투명한 글래스로 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지.
20. 금속기판 상에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계;

    상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계;

    상기 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 재배치 패드를 형성하는 단계; 및

    상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법.
21. 제 20 항에 있어서, 상기 재배치 패드를 형성한 후,

    상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
22. 금속기판 상에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비 하는 단계;

    상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부 및 하부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계;

    상기 산화층의 일측 상부에 상기 금속기판이 노출되도록 접지홈을 형성한 후, 상기 웨이퍼의 접지홈 내에 상기 금속기판과 전기적으로 연결되도록 상호연결 비아를 형성하는 단계;

    상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 재배치 패드를 형성하는 단계;

    상기 상호연결 비아 상에 접지용 재배치 패드를 형성하는 단계; 및

    상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법.
23. 제 22 항에 있어서, 상기 접지용 재배치 패드를 형성한 후,

    상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
24. 제 22 항에 있어서,

    상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
25. 제 20 항 또는 제 22 항에 있어서,

    상기 절단된 개개의 광소자 패키지를 인쇄회로기판에 실장할 경우,

    상기 인쇄회로기판 상에 상기 광소자 패키지가 삽입 안착될 삽입홀을 형성하고, 상기 인쇄회로기판의 하면에 상기 삽입홀이 폐쇄되도록 히트싱크를 부착하며, 상기 삽입홀 내의 히트싱크 표면에 접착제를 바른 후 상기 광소자 패키지를 접착 및 고정하여, 상기 광소자 패키지에서 발생된 열을 상기 히트싱크를 통해 외부로 방출할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
26. 금속기판에 적어도 하나의 비아홀을 형성하고, 상기 금속기판의 전체표면에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계;

    상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계;

    상기 비아홀에 금속물질을 채워 선택적 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아를 형성하는 단계;

    상기 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 상부 재배치 패드를 형성하는 단계;

    상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 하부 재배치 패드를 형성하는 단계; 및

    상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법.
27. 제 26 항에 있어서, 상기 하부 재배치 패드를 형성한 후,

    상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
28. 금속기판에 적어도 하나의 비아홀을 형성하고, 상기 금속기판의 하면에 제1 마스크 패턴을 형성하여 선택적 패터닝을 수행한 후, 상기 금속기판에 양극산화를 통해 성장된 산화층으로 이루어진 웨이퍼를 구비하는 단계;

    상기 산화층 상에 리소그라피 공정을 통해 제2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 상기 금속기판이 노출되도록 식각하여 안착홈을 형성하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 상부 및 하부에 본딩패드를 노출하는 광소자들을 일정간격으로 배열하고, 제1 접착제를 이용하여 접착 및 고정하는 단계;

    상기 웨이퍼의 안착홈 내에 상기 광소자들의 사이를 보호 및 지지하는 보호막을 형성하는 단계;

    상기 비아홀에 금속물질을 채워 선택적 양면 산화층을 갖는 상호연결 비아 를 형성하는 단계;

    상기 광소자의 상부에 노출된 본딩패드와 상기 상호연결 비아의 일단이 전기적으로 연결되면서 상기 보호막 및 산화층 상에 상부 재배치 패드를 형성하는 단계;

    상기 상호연결 비아의 타단에 전기적으로 연결되면서 상기 산화층의 하면에 하부 재배치 패드를 형성하는 단계;

    상기 금속기판의 일측 하면과 전기적으로 연결되도록 상기 제1 마스크 패턴이 형성된 상기 금속기판의 하면에 접지용 재배치 패드를 형성하는 단계; 및

    상기 광소자들의 사이를 절단하는 단계를 포함하는 광소자 패키지의 제조방법.
29. 제 28 항에 있어서, 상기 접지용 재배치 패드를 형성한 후,

    상기 웨이퍼의 안착홈 상부에 상기 광소자들의 부식 및 산화를 방지하기 위한 덮개층을 각각 위치시키고, 상기 웨이퍼의 안착홈 외곽에 형성된 제2 접착제를 이용하여 상기 광소자들이 외기로부터 차단되도록 접착 및 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
30. 제 28 항에 있어서,

    상기 제1 접착제는 상기 광소자의 하부에 노출된 본딩패드와 상기 금속기판이 전기적으로 서로 연결되도록 전도성을 갖는 에폭시 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
31. 제 20 항, 제 22 항, 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 안착홈은 상기 금속기판의 일정깊이까지 식각하여 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
32. 제 20 항, 제 22 항, 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 광소자를 상기 웨이퍼의 안착홈 내의 노출된 상기 금속기판 상에 접착 시, 상기 광소자의 표면이 상기 웨이퍼의 표면보다 낮게 위치하도록 접착하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
33. 제 20 항, 제 22 항, 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보호막은 상기 광소자들이 접착된 상기 웨이퍼의 전면에 스핀 코팅 공정을 이용하여 액상의 고분자막을 도포한 후 경화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
34. 제 20 항, 제 22 항, 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보호막은 상기 웨이퍼에서 상기 광소자 측으로 경사지게 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.
35. 제 20 항, 제 22 항, 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 제2 접착제는 에폭시 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 광소자 패키지의 제조방법.

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