KR20080034387A - 리소그래피 시스템, 현상 장비와 이를 이용한 현상방법 - Google Patents
리소그래피 시스템, 현상 장비와 이를 이용한 현상방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080034387A KR20080034387A KR1020070043401A KR20070043401A KR20080034387A KR 20080034387 A KR20080034387 A KR 20080034387A KR 1020070043401 A KR1020070043401 A KR 1020070043401A KR 20070043401 A KR20070043401 A KR 20070043401A KR 20080034387 A KR20080034387 A KR 20080034387A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fluid
- substrate
- developing
- developing apparatus
- injector
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 플랫폼;상기 플랫폼 위에 위치하며, 상부에 노광된 포토레지스트 층이 형성되어 있는 기판;제1단계로 상기 노광된 포토레지스트 층을 현상하기 위하여 기판에 현상액을 분사하고, 제2단계로 기판을 세정하기 위하여 기판에 유체를 분사하며 기판을 따라 이동하는 유체 분사기를 포함하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 유체 분사기는 최소한 하나이상의 배출관;최소한 하나 이상의 배출관에 연결되어 있으며, 최소한 하나이상의 배출관에 각각 현상액과 유체를 전달하는 최소한 2개이상의 인입관;과최소한 2개이상의 인입관과 최소한 하나이상의 배출관을 연결하는 콘트롤밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 유체분사기는 현상액을 전달하기 위한 복수의 제1 서브-유체분사기와 유체를 전달하기 위한 복수의 제2 서브-유체분사기를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 서브-유체 분사기와 제2 유체 서브-분사기가 교대 로 배열된 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 서브-유체 분사기와 제2 서브-유체 분사기는 서로 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 현상액과 유체 중에서 적어도 하나는 45도의 각도로 기판에 분사되는 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계에서의 유체 분사기이 이동 속도는 제2단계에서의 유체 분사기의 이동속도와 동일하거나 다른 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 유체는 물, 공기, 유기용매 또는 이들의 조합인 것을 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제8항에 있어서, 상기 유체는 물과 공기의 혼합물이며, 공기의 부피가 물의 부피보다 큰 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 이동방향이 유체 분사기의 이동방향과 다른 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에 있어서, 상기 플랫폼의 아래에 회수탱크가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 현상장비.
- 제1항에서의 현상장비와 노광장비가 결합한 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
- 플랫폼, 상기 플랫폼 위에 위치하며, 상부에 노광된 포토레지스트 층이 형성되어 있는 기판, 상기 기판을 따라 이동하는 유체 분사기를 포함하는 현상장비를 이용한 현상방법에 있어서, 상기 현상방법은제1단계로서 노광된 포토레지스트 층을 현상하기 위하여 기판에 현상액을 분사하는 단계;제2단계로서 기판을 세정하기 위하여 기판에 유체를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 유체 분사기는최소한 하나이상의 배출관; 최소한 하나 이상의 배출관에 연결되어 있으며, 최소한 하나이상의 배출관에 각각 현상액과 유체를 전달하는 최소한 2개이상의 인입관;과최소한 2개이상의 인입관과 최소한 하나이상의 배출관을 연결하는 콘트롤밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 사전-분사공정을 진행시키기 위하여 상기 기판으로부터 상기 유체 분사기를 퇴거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 유체 분사기는 현상액을 전달하기 위한 복수의 제1 서브-유체 분사기와 유체를 전달하기 위한 복수의 제2 서브-유체 분사기를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 서브-유체 분사기와 제2 유체 서브-분사기가 교대로 배열된 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 서브-유체 분사기와 제2 서브-유체 분사기는 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 현상액과 유체 중에서 적어도 하나는 45도의 각도로 기판에 분사되는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1단계에서의 유체 분사기이 이동 속도는 제2단계에서의 유체 분사기의 이동속도와 동일하거나 다른 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 유체는 물, 공기, 유기용매 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제21항에 있어서, 상기 유체는 물과 공기의 혼합물이며, 공기의 부피가 물의 부피보다 큰 것을특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 기판으로부터 유체를 제거하기 위하여 회전-건조 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 상기 플랫폼의 아래에 회수탱크가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
- 제13항에 있어서, 기판의 이동방향이 유체 분사기의 이동 방향과 서로 다른 것을 특징으로 하는 현상장비를 이용한 현상방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095138036 | 2006-10-16 | ||
TW095138036A TWI367403B (en) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | Lithography system, development apparatus and development method using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080034387A true KR20080034387A (ko) | 2008-04-21 |
KR100876515B1 KR100876515B1 (ko) | 2008-12-31 |
Family
ID=39573852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070043401A KR100876515B1 (ko) | 2006-10-16 | 2007-05-04 | 리소그래피 시스템, 현상 장비와 이를 이용한 현상방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100876515B1 (ko) |
TW (1) | TWI367403B (ko) |
-
2006
- 2006-10-16 TW TW095138036A patent/TWI367403B/zh active
-
2007
- 2007-05-04 KR KR1020070043401A patent/KR100876515B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100876515B1 (ko) | 2008-12-31 |
TWI367403B (en) | 2012-07-01 |
TW200819928A (en) | 2008-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100778326B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 패턴 형성 방법 | |
KR100893670B1 (ko) | 노즐 세정장치 및 세정방법 | |
US20070172774A1 (en) | Process for forming a feature by undercutting a printed mask | |
US8414708B2 (en) | Method and apparatus for cleaning photomask | |
JP2003126760A (ja) | 薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法 | |
US20080000374A1 (en) | Printing apparatus, patterning method, and method of fabricating liquid crystal display device using the same | |
CN102709175B (zh) | 深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法 | |
TWI635436B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US20070157830A1 (en) | Printing device and printing method using the same | |
KR100897351B1 (ko) | 기판 현상 방법 및 장치 | |
KR100934834B1 (ko) | 도포액 도포장치 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100688142B1 (ko) | 노즐 세정장치 및 방법 | |
KR100876515B1 (ko) | 리소그래피 시스템, 현상 장비와 이를 이용한 현상방법 | |
KR101252481B1 (ko) | 세정장치를 구비한 인-라인 현상장비 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 | |
CN108255024A (zh) | 一种显影装置及其显影方法、光刻设备 | |
KR100454637B1 (ko) | 매엽식 반도체 웨이퍼용 약액 분사노즐 | |
KR20030001316A (ko) | 도포장치 및 도포방법 | |
KR100525730B1 (ko) | 습식 식각 장비 및 습식 식각 방법 | |
JP2010245367A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
KR20000000606A (ko) | 웨이퍼 후면보호용 가스 분사장치를 갖는 반도체 웨이퍼 스피너설비 | |
KR100481537B1 (ko) | 웨이퍼 현상 장치 | |
KR100815906B1 (ko) | 액정표시소자 제조장치 | |
CN111142342A (zh) | 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 | |
KR101155589B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
KR20210004067A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121203 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141203 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191202 Year of fee payment: 12 |