KR20080031574A - 팁 오목부를 갖는 캐필러리, 이를 장착한 와이어 본더 및와이어 본딩방법 - Google Patents

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Abstract

볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지(wedge) 본딩을 가능케 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리, 이를 장착한 와이어 본더 및 와이어 본딩방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 반도체 패키지의 와이어 본딩에 사용되는 캐필러리 본체와, 상기 캐필러리 본체 내부에 형성된 와이어 이동부와, 상기 캐필러리 본체의 끝단에 형성된 와이어 절단부와, 상기 와이어 절단부에 형성되고 와이어가 삽입될 수 있는 반원형의 홈이 있는 팁 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 와이어 본딩용 캐필러리와 이를 장착한 와이어 본더 및 이를 이용한 와이어 본딩방법을 제공한다.
와이어 본더. 웨지 본딩, 캐필러리 구조.

Description

팁 오목부를 갖는 캐필러리, 이를 장착한 와이어 본더 및 와이어 본딩방법{Capillary having a hemisphere concave on tip and wire bonder having the same and method for wire bonding using the same}
도 1은 일반적인 볼 본딩(ball bonding)을 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 일반적인 웨지 본딩(wedge bonding)을 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 종래 기술에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 종래 기술에 의한 캐필러리 끝단의 평면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 절단 사시도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 캐필러리 끝단의 평면도들이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 상기 도 7에 대응하여 와이어 및 캐필러리가 이동하는 모습을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이 용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 플로차트(flowchart)이다.
본 발명은 반도체 패키지의 제조공정에 사용되는 와이어 본더 및 캐필러리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 볼 본딩을 수행하는 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있는 팁 오목부를 갖는 캐필러리, 이를 장착한 와이어 본더 및 이를 이용한 와이어 본딩방법에 관한 것이다.
와이어 본딩이란, 반도체 패키지의 제조공정에 있어서, 반도체 칩의 본드 패드와 리드프레임 혹은 기판의 인너리드(inner lead)를 와이어(wire)로 연결하는 공정이다. 현재 와이어 본딩 공정은 반도체 칩에서 본드 패드의 간격(pitch)이 세밀하게 좁아진 파인 패드 피치(fine pad pitch) 제품이 점차 늘어나고 있다. 이러한 제품을 볼 본딩을 이용한 와이어 본딩 방법으로 연결할 때, 와이어의 구경과 캐필러리(capillary)의 크기는 점차 작아져야 한다. 그러나 와이어의 구경 및 캐필러리의 크기를 줄이는 데에는 그 한계가 있기 때문에 기술적 한계 상황에 직면해 있다. 이와 함께, 파인 패드 피치(fine pad pitch) 제품은 와이어 본딩 과정에서 축소된 본드 패드에 과다한 힘으로 볼 본딩을 수행할 때, 본드 패드의 금속층에 손상이 발생하는 등의 신뢰성 문제까지 발생시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 볼 본딩(ball bonding)을 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 도면에서 참조부호 10은 캐필러리를 가리키고, 20은 상기 캐필러리(10)에 끼워진 와이어를 가리키고, 30은 와이어 본더(wire bonder) 내부에서 고온의 전기 스파크에 의해 발생시킨 볼(ball)을 가리키고, 40은 반도체 칩에 형성된 본드패드를 가리키고, 50은 리드프레임 혹은 기판의 인너리드를 가리키고, 60 및 70은 볼 본드 및 스티치 본드(stitch bond)를 각각 가리킨다.
도면에서 (a)-(b)-(c)-(d)-(e)의 순서로 볼 본드를 이용한 와이어 본딩이 진행되면, 도면의 하부와 같이 본드패드(40) 및 인너리드(50)에 와이어가 형성되는 단면을 표시하였다. 먼저, 캐필러리(10)에 있는 와이어(20)에 고온의 전기 스파크를 발생시키면, 캐필러리(10)의 끝단에 있는 와이어(20)가 녹으면서 볼(30)을 형성(도면의 (a))하게 된다.
그 후 캐필러리(10)는 반도체 칩 위에 형성된 본드패드(40)로 이동하여 볼 본드(60)를 형성(도면의 (b))하고, 이어서 캐필러리(10)가 위로 이동한 후, 인너리드(50)가 있는 우측으로 이동하면 와이어(20)에 루프(loop)가 형성(도면의 (c))된다. 다시 캐필러리(10)는 인너리드(50) 위에서 스티치 본딩을 수행하면서 캐필러리(10)의 끝단 팁(tip)을 이용하여 와이어(20)를 커팅(cutting, 도면의 (d))한다.
마지막으로 도 (e)와 같이 캐필러리(10) 아래로 테일(tail, 90)을 정해진 길이로 늘어뜨린 후, 다시 도면의 (a)에서 (e)의 과정을 반복하면서 반도체 칩의 본드패드와 리드프레임 혹은 기판의 인너리드를 와이어로 연결하게 된다. 그러나 이러한 볼 본드(60)를 이용한 와이어 본딩방법은 프로세스(process)가 복잡하고 작업 효율이 떨어지는 문제가 있다.
도 2는 일반적인 웨지 본딩(wedge bonding)을 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 도면에서 상부는 웨지 본딩용 캐필러리(11)의 동작을 도시하였고, 하부는 이 때의 반도체 칩의 본드 패드(40) 및 리드프레임 혹은 기판의 인러리드(50)에 형성되는 와이어(20)의 단면을 각각 나타낸다.
먼저 캐필러리(11) 내부에서 클램프(clamp, 12)에 의해 고정된 와이어(20)를 반도체 칩의 본드패드(40) 위로 이동(도면의 (a))시킨다. 그 후, 캐필러리(11)가 본드패드(40)로 내려와 와이어(20)가 녹을 수 있는 온도와, 초음파 진동(ultrasonic vibration)을 발생시키면, 와이어(20)는 볼 본드(ball bond) 없이도 본드패드(40) 위에서 웨지 본드(61)를 형성하면서 접착(도면의 (b))된다. 이어서 캐필러리(11)가 위로 1차 이동하고, 인너리드(50)가 있는 우측으로 2차 이동하면 와이어(20)에 적당한 루프(loop)가 형성(도면의 (c))된다. 이때는 클램프(12)로 와이어(20)를 고정하지 않고 와이어(20)가 캐필러리(11) 내부에서 자유롭게 이동할 수 있는 상태가 된다.
이어서 캐필러리(11)가 리드프레임이나 기판의 인너리드(50) 위로 이동하여 2차 웨지 본드(61)를 형성하고(도면의 (d))하면서 와이어(20)를 커팅(cutting)한 후, 도면의 (e)와 같이 적당한 길이의 테일(tail, 91)을 형성한 후, 다시 도면의 (a)에서 (e)의 과정을 반복하면서 반도체 칩의 본드패드(40)와 리드프레임 혹은 기판의 인너리드(50)를 와이어(20)로 연결하는 작업을 반복하게 된다.
이러한 웨지 본드를 이용한 와이어 본딩방법은 볼을 형성하지 않기 때문에 비교적 파인 패드 피치(fine pad pitch)를 갖는 제품에 적용이 용이한 장점이 있다.
도 3은 종래 기술에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 종래 기술에 의한 캐필러리 끝단의 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 일반적으로 종래 기술에 의한 볼 본딩용 캐필러리(10)는 원통형의 캐필러리 본체(10) 내부에 와이어 이동부(12)가 마련되어 있고, 끝단이 약 10-30°의 경사도로 가동된다. 그리고 끝단은 원형으로 와이어 이동부(12)와 인접한 제1면(14) 및 와이어 이동부(12)와 인접하지 않은 제2면(16)이 각각 가공되어 있다. 따라서 캐필러리(10)는 상기 제1면(14) 및 제2면(16)에 의해 만들어진 끝단으로 와이어를 커팅하게 된다.
그러나 종래 기술은, 볼 본딩용 및 와이어 본더 및 웨지 본딩용 와이어 본더 헤더(header)의 구조 및 캐필러리의 구조가 서로 달라, 웨지 본딩을 이용한 와이어 본딩을 하기 위해서는 이를 전용으로 하는 별도의 와이어 본더를 구입해야 한다. 따라서 웨지 본딩을 적용하기 위해서는 별도의 와이어 본더를 구입해야 하기 때문에 많은 비용이 소요되는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점들을 해결할 수 있도록 볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있는 구조를 갖는 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상술한 문제점들을 해결할 수 있도록 볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있는 와이어 본딩방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상술한 문제점들을 해결할 수 있도록 볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있는 와이어 본더를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리는, 반도체 패키지의 와이어 본딩에 사용되는 캐필러리 본체와, 상기 캐필러리 본체 내부에 형성된 와이어 이동부와, 상기 캐필러리 본체의 끝단에 형성된 와이어 절단부와, 상기 와이어 절단부에 형성되고 와이어가 삽입될 수 있는 반원형의 홈이 있는 팁 오목부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 팁 오목부는 2개 혹은 4개인 것이 적합하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 내부에 팁 오목부가 있는 캐필러리에 와이어를 연결하여 반도체 칩의 본드 패드에 1차 웨지 본딩을 수행하는 1 단계와, 상기 캐필러리를 위로 올려 인너리드 이동하여 루프를 형성하는 2 단계와, 상기 인너리드에 2차 웨지 본딩을 수행하는 3 단계와, 상기 인너리드 내에서 상기 캐필러리를 상기 2차 웨지 본딩이 수행되지 않은 다른 영역으로 이동하여 3차 웨지 본딩을 수행하면서 와이어를 커팅하는 4 단계와, 상기 1차 웨지 본딩 을 수행하기 위하여 캐필러리 끝단에 테일(tail)을 형성하는 5 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 와이어 본딩은 볼 본딩용 와이어 본더(wire bonder)에서 수행하는 것이 적합하고, 상기 4 단계에서 캐필러리는 3차 웨지 본딩을 수행하기 위하여 사선방향으로 이동하는 것이 적합하다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 볼을 이용한 와이어 본딩을 할 수 있는 와이어 본더 본체와, 상기 와이어 본더 본체에 장착되고 내부에 팁 오목부가 형성된 캐필러리와, 상기 캐필러리를 회전시킬 수 있는 캐필러리 지지체를 구비하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 캐필러리 지지체는 트랜스듀서(transducer), 워크홀더(workholder) 및 본드 헤드부 중에서 선택된 하나일 수 있다.
본 발명에 따르면, 캐필러리 및 와이어 본더의 간단한 구조 변경을 통하여 볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있기 때문에 웨지 본더를 구입하는 비용을 절감하면서 파인 패드 피치(fine pad pitch)를 갖는 반도체 제품의 와이어 본딩을 수행할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 아래의 상세한 설명에서 개시되는 실시예는 본 발명을 한정하 려는 의미가 아니라, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게, 본 발명의 개시가 실시 가능한 형태로 완전해지도록 발명의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 절단 사시도이고, 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 캐필러리를 설명하기 위한 캐필러리 끝단의 평면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리(100)는, 반도체 패키지의 와이어 본딩에 사용되는 캐필러리 본체(102), 상기 캐필러리 본체(102) 내부에 형성된 와이어 이동부(104), 상기 캐필러리 본체(102)의 끝단에 형성된 와이어 절단부(106), 상기 와이어 절단부(106)에 형성되고 와이어가 삽입될 수 있는 반원형의 홈이 있는 팁 오목부(108)로 이루어진다.
상기 팁 오목부(tip semisphere concave, 106)는 도 6과 같이 와이어 이동부(104)를 중심으로 2개 혹은 4개가 선택적으로 존재할 수 있다. 상기 팁 오목부(106)의 깊이는 사용하는 와이어 구경의 30~70% 정도인 것이 적합하다. 따라서, 본 발명의 의한 웨지 본딩시, 와이어가 이동될 때에는 팁 오목부(106)가 사용되고, 와이어를 절단할 때에는 캐필러리 본체(102)의 끝단에 있는 와이어 절단부(106)가 사용된다. 또한 캐필러리 본체(102)의 끝단의 평면 모양은 도 6과 같이 원형, 타원형 혹은 사각형 등으로 많은 변형이 가능하다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이 용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 8은 이때의 와이어 및 캐필러리가 이동하는 모습을 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법을 설명하기 위한 플로차트(flowchart)이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 먼저 도 7(a)과 같이 반도체 칩의 본드 패드(130) 위에 캐필러리(100A)를 이용하여 1차 웨지 본딩(140)을 수행(S100, 도8의 (a))한다. 상기 1차 웨지 본딩(140)은 반도체 칩 및 리드프레임/기판이 놓이는 워크홀더(workholder)에 와이어(110)가 녹을 수 있는 온도를 제공하고, 캐필러리(100A)에 초음파 진동을 인가함으로써 볼(ball)을 형성하지 않고 이루어진다.
이어서 도7 (b)과 같이 상기 캐필러리(100A)가 1차 위로 이동하고, 2차로 우측의 리드프레임 혹은 기판의 인너리드(150) 쪽으로 이동하면서 와이어 루프(wire loop)를 형성S(S110, 도8의 (b))한다. 이때, 와이어 루프의 형성이 볼 본딩 방식과 비교하여 낮게 형성되기 때문에 반도체 패키지의 두께를 얇게 만들 수 있는 장점이 있다.
계속해서 도 7(c)과 같이 캐필러리(100A)가 리드프레임 혹은 기판의 인너리드(150)에서 2차 웨지 본딩을 수행(S120, 도8의 (c))한다. 상기 2차 웨지 본딩 역시 반도체 칩 및 리드프레임/기판이 놓이는 워크홀더(workholder)에 와이어(110)가 녹을 수 있는 온도를 제공하고, 캐필러리(100A)에 초음파 진동을 인가함으로써 이루어진다.
그 후, 도 7(d)과 같이 캐필러리(100A)가 인너리드(150) 내부 영역에서 약 45도의 사선 각도로 이동하여 2차 웨지 본딩이 수행되지 않은 다른 영역에 3차 웨지 본딩을 수행(S130, 도8의 (d))하면서 와이어(110)를 절단한다. 이때 와이어(110)를 절단할 때에는 캐필러리(100A)에 끝단에 있는 와이어 절단부를 이용하여 절단하고, 캐필러리(100A)가 이동할 때에는 본 발명에 의하여 추가된 팁 오목부(도6의 108A, B, C, D)를 이용한다.
한편, 캐필러리(100A)가 3차 웨지 본딩을 위하여 사선으로 이동할 때, 리드프레임이나 기판에 있는 인너리드의 위치에 따라 사선 방향으로 움직이는 각도가 45도 이상으로 커질 경우가 있다. 이때에는 캐필러리(100A)가 회전할 수 있는 지지체를 와이어 본더를 간단히 개조하여 만들면 해결할 수 있다. 이러한 캐필러리 지지체는 와이어 본더 내에 있는 트랜스듀서(transducer), 혹은 리드프레임이나 기판이 놓이는 워크홀더(workholder) 혹은 캐필러리(100A) 및 트랜스듀서를 포함하는 조립체(assembly)인 본드 헤드부 (bond head part)가 될 수 있다. 또한 캐필러리(100A)의 모양을 기존의 원형에서 도6의 (b), (c), (d)와 같이 타원형 및 사각형 캐필러리(100B, 100C, 100D)로 만들거나, 팁 오목부의 개수를 4개에서 2개로 변경하면, 이러한 문제점을 극복할 수 있다.
본 발명에서는 일반적인 볼 본딩과는 다르게 인너리드(150)에서 2회에 걸친 웨지 본딩이 이루어진다. 이에 따라 볼 본딩 방식에서 비교적 취약한 인너리드 쪽의 와이어 접합력을 강화시키기 때문에 반도체 패키지의 신뢰성 개선 측면에서도 유리하다.
마지막으로 도 7(e)과 같이 캐필러리(100A)에서 와이어 이동부를 통하여 테 일(tail)을 형성(S140, 도8의 (e))한다. 상기 테일(tail)의 길이는 와이어(110)의 2-4배 정도의 길이인 것이 적합하다. 따라서 앞서 설명한 7(a)~ 도 7(d)의 순서를 반복하여 반도체 칩에 있는 본드패드(130)와 리드프레임 및 기판에 있는 인너리드를 와이어(110)로 연결하는 웨지 본딩을 반복적으로 수행한다.
마지막으로 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더는, (1) 볼을 이용한 와이어 본딩을 할 수 있는 와이어 본더 본체와, (2) 상기 와이어 본더 본체에 장착되고 내부에 팁 오목부가 형성된 캐필러리와, 상기 캐필러리를 회전시킬 수 있는 캐필러리 지지체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 와이어 본더는 일반적으로 볼 본딩이 가능한 와이어 본더가 될 수 있다. 또한 상기 캐필러리는 도 6과 같이 팁 오목부가 형성된 것을 의미한다. 마지막으로 캐필러리를 회전시킬 수 있는 캐필러리 지지체는, 캐필러리가 장착되는 트랜스듀서, 혹은 리드프레임 혹은 기판이 놓이는 워크홀더(workholder) 혹은 상기 캐필러리 및 트랜스듀서를 포함하는 조립체(assembly)인 본드 헤더부 중에 하나를 간단히 개조하여 만들 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 캐필러리 및 와이어 본더의 간단한 구조 변경을 통하여 볼 본딩용 와이어 본더에서 웨지 본딩을 수행할 수 있기 때문에 웨 지 본더를 구입하는 비용을 절감하면서 파인 패드 피치(fine pad pitch)를 갖는 반도체 제품의 와이어 본딩을 수행할 수 있다. 또한 볼을 형성하지 않고 와이어 본딩을 수행하기 때문에 파인 패드 피치의 반도체 칩의 와이어 본딩에 유리하며, 와이어 루프를 낮게 가져갈 수 있기 때문에 반도체 패키지의 두께를 줄일 수 있으며, 인너리드에서 2회에 걸친 웨지 본딩이 이루어지기 때문에 이 부분에서의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 패키지의 와이어 본딩에 사용되는 캐필러리 본체;
    상기 캐필러리 본체 내부에 형성된 와이어 이동부;
    상기 캐필러리 본체의 끝단에 형성된 와이어 절단부; 및
    상기 와이어 절단부에 형성되고 와이어가 삽입될 수 있는 반원형의 홈이 있는 팁 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 와이어 본딩용 캐필러리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 팁 오목부는 2개인 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 와이어 본딩용 캐필러리.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 팁 오목부는 4개인 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 와이어 본딩용 캐필러리.
  4. 내부에 팁 오목부가 있는 캐필러리에 와이어를 연결하여 반도체 칩의 본드 패드에 1차 웨지 본딩을 수행하는 1 단계;
    상기 캐필러리를 위로 올려 인너리드 이동하여 루프를 형성하는 2 단계;
    상기 인너리드에 2차 웨지 본딩을 수행하는 3 단계;
    상기 인너리드 내에서 상기 캐필러리를 상기 2차 웨지 본딩이 수행되지 않은 다른 영역으로 이동하여 3차 웨지 본딩을 수행하면서 와이어를 커팅하는 4 단계; 및
    상기 1차 웨지 본딩을 수행하기 위하여 캐필러리 끝단에 테일(tail)을 형성하는 5 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 와이어 본딩은 볼 본딩용 와이어 본더(wire bonder)에서 수행하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 4 단계에서 캐필러리는 3차 웨지 본딩을 수행하기 위하여 사선방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리를 이용한 와이어 본딩방법.
  7. 볼을 이용한 와이어 본딩을 할 수 있는 와이어 본더 본체;
    상기 와이어 본더 본체에 장착되고 내부에 팁 오목부가 형성된 캐필러리; 및
    상기 캐필러리를 회전시킬 수 있는 캐필러리 지지체를 구비하는 것을 특징으 로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 캐필러리 지지체는 트랜스듀서(transducer)인 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 캐필러리 지지체는 워크홀더(workholder)인 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 캐필러리 지지체는 본드 헤드부(bond head part)인 것을 특징으로 하는 팁 오목부를 갖는 캐필러리가 장착된 와이어 본더.
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