KR20080030716A - Apparatus for supporting a substrate - Google Patents

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KR20080030716A
KR20080030716A KR1020060096882A KR20060096882A KR20080030716A KR 20080030716 A KR20080030716 A KR 20080030716A KR 1020060096882 A KR1020060096882 A KR 1020060096882A KR 20060096882 A KR20060096882 A KR 20060096882A KR 20080030716 A KR20080030716 A KR 20080030716A
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박동희
김홍기
박유춘
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삼성전자주식회사
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Abstract

An apparatus for supporting a semiconductor substrate is provided to prevent particles collected in a vacuum line from polluting a rear of a semiconductor substrate due to a back flow of the particle to a chamber by independently forming the vacuum line providing a vacuum state and a release line for releasing the vacuum state. Plural vacuum holes(11) are formed on a surface of a vacuum chuck(10) on which a semiconductor substrate(2) is received. A vacuum line(20) is communicated with the vacuum hole. The vacuum line provides vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. A release line(30) forms a flow channel independent of the vacuum line. The release line releases the vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. The release line is communicated with a chamber(1) on which the vacuum chuck is provided. The vacuum chuck has plural release holes communicated with the release line. A first valve(21) and a second valve(31) are respectively provided between the vacuum line and the release line to open and shut each line selectively.

Description

반도체 기판 지지 장치{apparatus for supporting a substrate}Semiconductor substrate support device {apparatus for supporting a substrate}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 지지 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a substrate supporting apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 기판 지지 장치의 주요 부분을 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main part of the substrate supporting apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 지지 장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a substrate supporting apparatus according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 공정 챔버 2 : 반도체 기판1: process chamber 2: semiconductor substrate

10 : 척 11 : 진공홀10: chuck 11: vacuum hole

20 : 진공 라인 21 : 제 1 밸브20: vacuum line 21: the first valve

30 : 릴리즈 라인 31 : 제 2 밸브30 release line 31 second valve

본 발명은 반도체 기판 지지 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 진공을 제공하여 반도체 기판을 고정시키는 진공척을 구비하는 반도체 기판 지지 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate support apparatus, and more particularly, to a semiconductor substrate support apparatus having a vacuum chuck for providing a vacuum to fix a semiconductor substrate.

최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 공정 기술이 발전되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, semiconductor processing technologies have been developed in the direction of improving integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit including electrical elements on a silicon substrate used as a semiconductor substrate, and an EDS (electrical) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. die sorting) and a package assembly process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin.

상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the formed semiconductor substrate;

반도체 장치는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생할 수 있기 때문에 반도체 제조 장치는 고도로 청정한 클린룸(Clean Room) 내부에 설치된다. 아울러, 반도체 장치가 제조되는 공정 챔버는 파티클(particle) 등의 이물질에 의한 영향을 배제하기 위해 고진공 상태를 유지한다.Since a semiconductor device may be inferior in process even by fine particles, the semiconductor manufacturing device is installed in a clean room. In addition, the process chamber in which the semiconductor device is manufactured maintains a high vacuum state in order to exclude the influence of foreign matter such as particles.

상기 반도체 기판을 이동시키거나, 공정 챔버 내부에서 제조 공정이 진행되 는 동안 상기 반도체 기판을 고정하는 척이 제공된다. 일반적으로 상기 척은 기계식 척과 정전기 척 및 진공 척이 사용된다.A chuck is provided to move the semiconductor substrate or to fix the semiconductor substrate during the manufacturing process in the process chamber. Generally, the chuck is a mechanical chuck, an electrostatic chuck and a vacuum chuck.

기계식 척은 암(arm) 또는 클램프를 통해 반도체 기판을 물리적으로 가압하여 고정시키는 방식의 척을 말한다. 정전기 척은 반도체 기판과 척 표면 사이에 전압차를 발생시킴으로써 반도체 기판을 고정시키는 방식의 척이고, 진공 척은 척 표면과 반도체 기판 사이에 진공을 제공함으로써 상기 반도체 기판을 흡착 고정시키는 척을 말한다.A mechanical chuck refers to a chuck in which a semiconductor substrate is physically pressed by an arm or a clamp. An electrostatic chuck is a chuck in which a semiconductor substrate is fixed by generating a voltage difference between the semiconductor substrate and the chuck surface, and a vacuum chuck is a chuck that sucks and fixes the semiconductor substrate by providing a vacuum between the chuck surface and the semiconductor substrate.

상기 진공 척은 그 사용이 용이할 뿐만 아니라 반도체 기판을 고정시키는 성능도 우수하여 널리 사용된다.The vacuum chuck is widely used because of its ease of use and excellent performance of fixing a semiconductor substrate.

종래의 진공 척에는 반도체 기판을 흡착할 수 있도록 진공을 제공하기 위한 진공 라인(vacuum line)이 제공된다. 상세하게는, 상기 진공 척 표면에는 다수의 진공 홀이 형성되어 있고, 상기 진공 라인은 상기 진공 홀과 연통되어 상기 진공 홀을 통해 상기 진공 척과 반도체 기판 사이에 진공을 제공함으로써, 상기 진공에 의해 상기 반도체 기판을 흡착한다.Conventional vacuum chucks are provided with a vacuum line for providing a vacuum to adsorb a semiconductor substrate. Specifically, the vacuum chuck surface is formed with a plurality of vacuum holes, the vacuum line is in communication with the vacuum hole to provide a vacuum between the vacuum chuck and the semiconductor substrate through the vacuum hole, thereby the Adsorb the semiconductor substrate.

또한, 상기 반도체 기판과 진공 척 사이의 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인(release line)이 제공된다. 상기 릴리즈 라인 역시 상기 진공 홀과 연통되어 상기 진공 홀을 통해 가스를 공급함으로써 상기 반도체 기판에 작용하는 진공을 해제하게 된다. 일반적으로, 상기 진공 라인과 릴리즈 라인은 상기 진공 홀에 연결되는 공통 라인에서 분지되는 형태로 형성된다.In addition, a release line is provided for releasing the vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. The release line is also in communication with the vacuum hole to release the vacuum acting on the semiconductor substrate by supplying gas through the vacuum hole. In general, the vacuum line and the release line are formed to be branched from a common line connected to the vacuum hole.

반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 화학 기상 증착(chemical vapour deposition; CVD) 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스(source gas)들이 사용된다.In the case of a chemical vapor deposition (CVD) process in which a predetermined film is deposited on a semiconductor substrate, various source gases are used depending on the film quality to be deposited.

상기 진공 라인은 상기 증착 공정이 수행되는 동안 상기 반도체 기판이 고정될 수 있도록 상기 진공 라인을 통해 상기 증착 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.The vacuum line functions to continuously discharge unreacted gas and reaction by-products generated during the deposition process through the vacuum line so that the semiconductor substrate is fixed while the deposition process is performed.

상기 공정이 진행되는 동안 다양한 공정 부산물이 생성될 수 있는데, 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 발생할 경우, 상기 진공 라인을 통해 배기되는 과정에서 상기 진공 라인에 상기 파티클이 포집된다.Various process by-products may be generated during the process. Particularly, when particles in the form of powder are generated, the particles are collected in the vacuum line in the process of being exhausted through the vacuum line.

그런데 상기 진공 라인과 릴리즈 라인은 동일한 라인 상에서 분지되게 형성되어 있으므로, 상기 반도체 기판의 진공을 해제하기 위해 상기 릴리즈 라인에서 N2 가스를 공급할 때, 상기 진공 라인과 챔버 내부 사이에는 압력차가 발생하게 된다. 따라서 상기와 같은 압력차에 의해 상기 진공 라인에 포집된 상기 파티클이 다시 공정 챔버 내부로 역류하고, 반도체 기판의 후면을 오염시키는 문제점이 있다.However, since the vacuum line and the release line are formed to be branched on the same line, a pressure difference occurs between the vacuum line and the inside of the chamber when N2 gas is supplied from the release line to release the vacuum of the semiconductor substrate. Accordingly, there is a problem in that the particles collected in the vacuum line flow back into the process chamber and contaminate the back surface of the semiconductor substrate due to the pressure difference as described above.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 증착 공정에서 생성되는 파티클이 공정 챔버 내부로 역류하여 반도체 기판 후면을 오염시키는 것을 방지하는 반도체 기판 지지 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a semiconductor substrate support device that prevents particles generated in the deposition process from flowing back into the process chamber to contaminate the semiconductor substrate back surface.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 기판 지지 장치는, 반도체 기판이 안착되는 표면에 다수의 진공홀이 형성된 진공 척과, 상기 진공홀과 연통되고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이에 진공을 형성하기 위한 진공 라인과, 상기 진공 라인과 독립된 유로를 형성하고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이의 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention to achieve the object of the present invention, a semiconductor substrate support apparatus, a vacuum chuck having a plurality of vacuum holes formed on the surface on which the semiconductor substrate is seated, in communication with the vacuum hole and the semiconductor substrate and vacuum It may include a vacuum line for forming a vacuum between the chuck, and a release line for forming a flow path independent of the vacuum line and to release the vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck.

상기 릴리즈 라인은 상기 진공 척이 제공되는 챔버와 연통될 수 있다.The release line may be in communication with a chamber in which the vacuum chuck is provided.

또는, 상기 진공 척은 상기 릴리즈 라인과 연통되는 다수의 릴리즈 홀을 가질 수 있다.Alternatively, the vacuum chuck may have a plurality of release holes in communication with the release line.

상기 진공 라인과 릴리즈 라인 상에는 상기 각 라인을 개폐하는 제 1 밸브와 제 2 밸브가 각각 제공되는 것이 바람직하다.Preferably, the vacuum valve and the release line are provided with a first valve and a second valve for opening and closing the respective lines.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 증착장치는, 반도체 기판에 막을 형성하는 증착 공정을 수행하기 위한 공정 챔버와, 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 반도체 기판이 안착되는 표면에 다수의 진공홀이 형성된 진공 척과, 상기 진공홀과 연통되고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이에 진공을 제공하기 위한 진공 라인과, 상기 진공 라인과 독립된 유로를 형성하고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이의 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention for achieving the object of the present invention, the deposition apparatus, a process chamber for performing a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, and installed inside the chamber, the semiconductor substrate is seated A vacuum chuck having a plurality of vacuum holes formed on a surface thereof, a vacuum line communicating with the vacuum hole and providing a vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck, and a flow path independent of the vacuum line, and formed between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. It may include a release line for releasing the vacuum.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 척에서 진공을 제공하는 진공 라인과 진공을 해제하는 릴리즈 라인을 독립적으로 형성함으로써 상기 진공 라인의 파티클이 반도체 기판 후면을 오염시키는 것을 방지한다.According to one embodiment of the invention, a vacuum line providing a vacuum in the vacuum chuck and a release line for releasing the vacuum are independently formed to prevent particles of the vacuum line from contaminating the semiconductor substrate back surface.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor substrate supporting apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

"제 1", "제 2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as "first" and "second" may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1과 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치를 도시한 도면이다.1 and 2 illustrate a semiconductor substrate supporting apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 기판 지지 장치는, 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성하는 증착 공정이 수행되는 공정 챔버(1)와, 상기 공정 챔버(1) 내부에 제공되고 상기 반도체 기판(2)이 안착되는 진공 척(10)과, 상기 진공 척(10)에 진공을 제공하기 위한 진공 라인(vacuum line)(20)과, 상기 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인(release line)(30)을 포함한다.As shown in Fig. 1 and Fig. 2, the semiconductor substrate support apparatus includes a process chamber 1 in which a deposition process for forming a predetermined film on a semiconductor substrate is performed, and is provided inside the process chamber 1 and the semiconductor. A vacuum chuck 10 on which the substrate 2 is seated, a vacuum line 20 for providing a vacuum to the vacuum chuck 10, and a release line for releasing the vacuum ( 30).

상기 진공 척(10)은 상기 반도체 기판(2)에 대응되는 형상과 소정 두께를 가지는 플레이트로 형성된다. 또한, 상기 진공 척(10)은, 상기 반도체 기판(2)이 안착되는 상면에 진공을 제공하는 다수의 진공홀(11)이 형성된다.The vacuum chuck 10 is formed of a plate having a shape and a predetermined thickness corresponding to the semiconductor substrate 2. In addition, the vacuum chuck 10 is formed with a plurality of vacuum holes 11 for providing a vacuum on the upper surface on which the semiconductor substrate 2 is seated.

상기 진공 라인(20)은, 상기 진공홀(11)과 연통되고, 상기 진공홀(11)을 통해 상기 반도체 기판(2)과 진공 척(10) 사이에 진공을 형성하여 상기 반도체 기판(2)을 흡착 고정시킨다.The vacuum line 20 communicates with the vacuum hole 11 and forms a vacuum between the semiconductor substrate 2 and the vacuum chuck 10 through the vacuum hole 11 to form the semiconductor substrate 2. Adsorption fixation.

상기 진공 라인(20)의 단부 일측에는 상기 진공홀(11)을 통해 진공을 제공하는 진공 펌프(미도시)가 제공된다.One end portion of the vacuum line 20 is provided with a vacuum pump (not shown) that provides a vacuum through the vacuum hole 11.

여기서 상기 진공홀(11)은 상기 반도체 기판(2)을 균일하게 흡착할 수 있도록 상기 진공 척(10) 표면에 고르게 분포되도록 배치됨이 바람직하다. 또한, 상기 다수의 진공홀(11)은 상기 반도체 기판(2)을 효과적으로 흡착할 수 있도록 상기 진공 라인(20)을 통해 상기 진공 척(10)의 저면에서 서로 연통됨이 바람직하다.In this case, the vacuum hole 11 is preferably arranged to be evenly distributed on the surface of the vacuum chuck 10 so as to uniformly adsorb the semiconductor substrate 2. In addition, the plurality of vacuum holes 11 may communicate with each other at the bottom of the vacuum chuck 10 through the vacuum line 20 so as to effectively absorb the semiconductor substrate 2.

상기 릴리즈 라인(30)은 상기 진공 라인(20)과 독립된 유로를 형성하고, 상기 공정 챔버(1) 일측에 연통된다.The release line 30 forms a flow path independent of the vacuum line 20 and communicates with one side of the process chamber 1.

상기 릴리즈 라인(30)은 상기 공정 챔버(1) 내부로 퍼지 가스(purge gas)를 제공한다.The release line 30 provides a purge gas into the process chamber 1.

또한, 상기 진공 라인(20)과 릴리즈 라인(30)에는 상기 각 라인(20,30)을 개폐하는 제 1 밸브(21)와 제 2 밸브(31)가 제공된다. 상기 밸브(21,31)들은 전기적으로 제어되는 솔레노이드 밸브일 수 있다.In addition, the vacuum line 20 and the release line 30 are provided with a first valve 21 and a second valve 31 which open and close the respective lines 20 and 30. The valves 21 and 31 may be electrically controlled solenoid valves.

이하 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치가 구비된 증착 장치의 작동을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, operation of the deposition apparatus with a semiconductor substrate support apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described.

먼저, 상기 반도체 기판(2)이 공정 챔버(1)로 이송되어 상기 진공 척(10)에 안착된다. 상기 진공 라인(20)은 상기 반도체 기판(2)과 진공 척(10) 사이에 진공을 제공하여, 상기 반도체 기판(2)을 상기 진공 척(10)에 고정시킨다.First, the semiconductor substrate 2 is transferred to the process chamber 1 and seated on the vacuum chuck 10. The vacuum line 20 provides a vacuum between the semiconductor substrate 2 and the vacuum chuck 10 to fix the semiconductor substrate 2 to the vacuum chuck 10.

이후, 상기 반도체 기판(2)이 가열되고, 상기 공정 챔버(1) 내부로 반응 가스들이 공급된다. 상기 반응 가스들은, 상기 반도체 기판(1) 상에 소정의 막을 형 성하기 위한 소스 가스, 상기 막의 특성을 개선하기 위한 공정 가스, 상기 공정 가스로부터 발생하는 불순물 등을 안정화하여 제거하기 위한 안정 가스 등을 포함한다.Thereafter, the semiconductor substrate 2 is heated, and reactant gases are supplied into the process chamber 1. The reactive gases may include a source gas for forming a predetermined film on the semiconductor substrate 1, a process gas for improving the characteristics of the film, a stabilizing gas for stabilizing and removing impurities, etc. generated from the process gas. It includes.

상기 반응 가스가 공급됨과 더불어, 상기 반도체 기판(2)의 에지(edge) 부분에 상기 막이 형성되는 것을 방지하기 위한 불활성 가스가 상기 공정 챔버(1) 내부로 공급된다.In addition to supplying the reaction gas, an inert gas is supplied into the process chamber 1 to prevent the film from being formed at an edge portion of the semiconductor substrate 2.

여기서, 상기 반응 가스 중 미반응 가스와 불활성 가스 및 반응 가스로부터 생성된 불순물 등은 상기 진공 라인(20)을 통해 공정 챔버(1) 외부로 배출된다.Here, the unreacted gas, the inert gas and the impurities generated from the reactive gas among the reactive gases are discharged to the outside of the process chamber 1 through the vacuum line 20.

특히, 상기 진공 라인(20)은 상기 증착 공정이 수행되는 동안 상기 반도체 기판(2)을 고정시키기 위해서 상기 진공 라인(20)을 통해 상기 증착 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.In particular, the vacuum line 20 is unreacted gas and reaction by-products generated during the deposition process through the vacuum line 20 to fix the semiconductor substrate 2 during the deposition process. To discharge continuously.

그리고 상기 증착 공정이 완료되면 상기 릴리즈 라인(30)을 통해 가스를 공급하여 상기 반도체 기판(2)에 제공된 진공을 해제한다. 여기서 상기 릴리즈 라인(30)을 통해 공급되는 가스는 질소(N2) 가스를 사용하는 것이 바람직하다.When the deposition process is completed, a gas is supplied through the release line 30 to release the vacuum provided to the semiconductor substrate 2. In this case, the gas supplied through the release line 30 preferably uses nitrogen (N 2) gas.

상기 반도체 기판(2)과 척(10) 사이로 가스가 공급됨에 따라 진공이 해제되어 상기 반도체 기판(2)의 고정 상태가 해제된다. 그리고, 공정이 완료되면 상기 반도체 기판(2)은 공정 챔버(1)에서 인출된다.As the gas is supplied between the semiconductor substrate 2 and the chuck 10, the vacuum is released to release the fixed state of the semiconductor substrate 2. When the process is completed, the semiconductor substrate 2 is withdrawn from the process chamber 1.

여기서, 상기 공정 챔버(1) 내부에서 가스의 유동은 상기 릴리즈 라인(30)에서 상기 진공 라인(20) 방향으로 형성된다. 특히, 상기 진공 라인(20)에서는 항상 공정 챔버(1)에서 외부로 향하는 유동이 형성되므로, 상기 진공 라인(20)에서 상기 공정 챔버(1) 내부로 향하는 역방향 유동이 형성되는 것을 방지한다.Here, the flow of gas in the process chamber 1 is formed in the release line 30 in the direction of the vacuum line 20. In particular, since the outward flow from the process chamber 1 is always formed in the vacuum line 20, the reverse flow toward the inside of the process chamber 1 is prevented from forming in the vacuum line 20.

따라서, 상기 증착 공정 동안 상기 진공 라인(20)을 통해 가스 들이 배기되는 동안 상기 진공 라인(20)에 포집된 이물질이 상기 공정 챔버(1)로 역류하는 것을 방지하고, 역류로 인하여 상기 반도체 기판(2)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, foreign matter collected in the vacuum line 20 is prevented from flowing back into the process chamber 1 while the gases are exhausted through the vacuum line 20 during the deposition process, and the semiconductor substrate ( 2) can be prevented from contamination.

한편, 상기 증착 공정에 있어서, 상기 진공 라인(20)은 상기 증착 공정이 수행되는 동안만 개방되고, 상기 진공을 해제할 때는 상기 진공 라인(20)은 폐쇄하고, 상기 릴리즈 라인(30)만 개방하는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the deposition process, the vacuum line 20 is opened only while the deposition process is performed, and when the vacuum is released, the vacuum line 20 is closed and only the release line 30 is opened. It is desirable to.

그러나, 상기 진공을 해제하는 동안에도 진공 라인(20)을 개방된 상태로 유지하여 상기 공정 챔버(1) 내부의 잔류 가스가 계속 배기되도록 할 수 있을 것이다. 상기와 같이 진공을 해제할 때 진공 라인(20)을 개방하더라도, 상기 공정 챔버(1) 내부에서 가스의 유동 방향은 상기 릴리즈 라인(30)에서 진공 라인(20)으로 형성되므로, 상기 진공 라인(20)에서 가스가 공정 챔버(1) 내부로 역류하는 것을 방지할 수 있다.However, the vacuum line 20 may be kept open even while the vacuum is released, so that residual gas in the process chamber 1 may be continuously exhausted. Even if the vacuum line 20 is opened when the vacuum is released as described above, the flow direction of the gas inside the process chamber 1 is formed from the release line 30 to the vacuum line 20, so that the vacuum line ( It is possible to prevent the gas from flowing back into the process chamber 1 in 20.

다음으로 도 3을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치를 설명한다.Next, a semiconductor substrate supporting apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

제 2 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치는 릴리즈 라인(130)이 진공 척(100)에 형성된 릴리즈 홀(103)과 연통되는 점에서 상기 제 1 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치와 차이가 있다.The semiconductor substrate support apparatus according to the second embodiment is different from the semiconductor substrate support apparatus according to the first embodiment in that the release line 130 communicates with the release hole 103 formed in the vacuum chuck 100.

이하, 제 2 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치에 대해서 설명하며, 상술한 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the semiconductor substrate supporting apparatus according to the second embodiment will be described. The same components as those in the above-described first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

상기 진공 척(100) 표면에는 진공 라인(120)과 연통되는 다수의 진공홀(101)과, 릴리즈 라인(130)과 연통되는 다수의 릴리즈 홀(102)이 형성된다.A plurality of vacuum holes 101 communicating with the vacuum line 120 and a plurality of release holes 102 communicating with the release line 130 are formed on the surface of the vacuum chuck 100.

상기 진공 라인(120)과 릴리즈 라인(130)에는 각각 상기 라인들(120,130)을 개폐하기 위한 제 1 밸브(121)와 제 2 밸브(131)가 제공되며, 상기 밸브(121,131)는 솔레노이드 밸브일 수 있다.The vacuum line 120 and the release line 130 are provided with a first valve 121 and a second valve 131 for opening and closing the lines 120 and 130, respectively, and the valves 121 and 131 are solenoid valves. Can be.

상기 진공 홀(101)과 릴리즈 홀(102)은, 상기 반도체 기판(2)에 효과적으로 진공을 제공하고 진공을 해제할 수 있도록, 상기 진공 척(100) 표면에서 고르게 분포되도록 배치됨이 바람직하다.The vacuum hole 101 and the release hole 102 are preferably arranged to be evenly distributed on the surface of the vacuum chuck 100 so as to effectively provide a vacuum to the semiconductor substrate 2 and to release the vacuum.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 진공홀(101)과 릴리즈 홀(102)을 교대로 배치할 수 있을 것이다. 구체적으로는, 상기 진공홀(101)과 릴리즈 홀(102)이 등간격으로 배치된 다수의 동심원 상에 배열되되, 상기 진공홀(101)의 열과 릴리즈 홀(102)의 열이 교대로 배치된다. 그러나 상기 진공홀(101) 및 릴리즈 홀(102)의 개수, 위치 및 배치 관계 등은 상기 진공 척(100) 표면에서 자유롭게 변경될 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the vacuum hole 101 and the release hole 102 may be alternately arranged. Specifically, the vacuum holes 101 and the release holes 102 are arranged on a plurality of concentric circles arranged at equal intervals, and the rows of the vacuum holes 101 and the rows of the release holes 102 are alternately arranged. . However, the number, position and arrangement of the vacuum hole 101 and the release hole 102 may be freely changed on the surface of the vacuum chuck 100.

따라서, 상기 반도체 기판(2)에 제공된 진공을 해제할 때는 상기 진공 척(100)에 형성된 릴리즈 홀(102)을 통해 가스가 공급되어 진공이 해제된다.Therefore, when releasing the vacuum provided to the semiconductor substrate 2, gas is supplied through the release hole 102 formed in the vacuum chuck 100 to release the vacuum.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 지지 장치는, 진공을 제공하는 진공 라인과 진공을 해제하는 릴리즈 라인을 독립적으로 형성함으로써, 상기 진공 라인에 포집된 파티클이 챔버로 역류하여 반도체 기판의 후면을 오염시키는 것을 방지한다.As described above, the semiconductor substrate supporting apparatus according to the preferred embodiment of the present invention independently forms a vacuum line for providing a vacuum and a release line for releasing the vacuum, so that particles collected in the vacuum line flow back into the chamber. Preventing contamination of the backside of the semiconductor substrate.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (6)

반도체 기판이 안착되는 표면에 다수의 진공홀이 형성된 진공 척;A vacuum chuck having a plurality of vacuum holes formed on a surface on which the semiconductor substrate is seated; 상기 진공홀과 연통되고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이에 진공을 제공하기 위한 진공 라인; 및A vacuum line in communication with said vacuum hole and for providing a vacuum between said semiconductor substrate and a vacuum chuck; And 상기 진공 라인과 독립된 유로를 형성하고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이의 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인을 포함하는 반도체 기판 지지 장치.And a release line for forming a flow path independent of the vacuum line and for releasing the vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. 제 1 항에 있어서, 상기 릴리즈 라인은 상기 진공 척이 제공되는 챔버와 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 지지 장치.The apparatus of claim 1, wherein the release line is in communication with a chamber in which the vacuum chuck is provided. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척은 상기 릴리즈 라인과 연통되는 다수의 릴리즈 홀을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 지지 장치.The apparatus of claim 1, wherein the vacuum chuck has a plurality of release holes in communication with the release line. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 라인과 릴리즈 라인 상에는 상기 각 라인을 선택적으로 개폐하는 제 1 밸브와 제 2 밸브가 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 지지 장치.2. The semiconductor substrate supporting apparatus according to claim 1, wherein a first valve and a second valve for selectively opening and closing the respective lines are provided on the vacuum line and the release line, respectively. 반도체 기판에 막을 형성하는 증착 공정을 수행하기 위한 공정 챔버;A process chamber for performing a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 반도체 기판이 안착되는 표면에 다수의 진 공홀이 형성된 진공 척;A vacuum chuck installed in the chamber and having a plurality of vacuum holes formed on a surface on which the semiconductor substrate is seated; 상기 진공홀과 연통되고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이에 진공을 제공하기 위한 진공 라인; 및A vacuum line in communication with said vacuum hole and for providing a vacuum between said semiconductor substrate and a vacuum chuck; And 상기 진공 라인과 독립된 유로를 형성하고 상기 반도체 기판과 진공 척 사이의 진공을 해제하기 위한 릴리즈 라인을 포함하는 증착 장치.A release line for forming a flow path independent of the vacuum line and for releasing the vacuum between the semiconductor substrate and the vacuum chuck. 제 5 항에 있어서, 상기 릴리즈 라인은 상기 공정 챔버와 연통되는 것을 특징으로 하는 증착장치.The deposition apparatus of claim 5, wherein the release line is in communication with the process chamber.
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