KR20080024484A - 적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트에서비등방성을 측정하기 위한 방법 및 대응 설비 - Google Patents

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올리비에 듀그네
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아레바 엔피
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Abstract

본 발명의 방법은 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트(1)의 표면(17)상에 광 빔을 전송하는 단계, 상기 표면에 의해 반사된 광 빔을 변경가능한 분석 방향을 가진 편광 분석기(27)로 통과시키는 단계, 편광 분석기(27)로부터의 빔을 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치(31)로 전송하는 단계, 엘리먼트(1)의 표면(17)의 적어도 하나의 디지털 이미지(31)를 획득하는 단계 및 비등방성을 측정하기 위하여 획득된 디지털 이미지를 처리하는 단계를 포함한다. 예를들어 HTR/VHTR 타입 원자로용 핵연료 입자를 제어하는데 사용한다.
디지털 이미지, 편광 분석기, 핵연료 입자, 분열성 물질, 광빔

Description

적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트에서 비등방성을 측정하기 위한 방법 및 대응 설비{METHOD FOR MEASURING THE ANISOTROPY IN AN ELEMENT COMPRISING AT LEAST ONE FISSILE MATERIAL AND A CORRESPONDING INSTALLATION}
본 발명은 2005년 6월 3일 출원된 미국 가출원 60/687,068 및 2005년 5월 25일 출원된 프랑스 출원 05/05 276의 이익을 주장하고, 이들 양쪽 출원은 여기에 참조로써 통합된다.
본 발명은 적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트 표면 존의 비등방성을 측정하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은,
- 표면상에 광빔을 투과하는 단계, 및
- 상기 표면에 의해 반사된 광 빔을 변경가능한 분석 방향을 가진 편광 분석기로 통과시키는 단계를 포함하는 형태이다.
본 발명은 특히 고온 원자로(HTR) 또는 초고온 원자로(VHTR)용 핵연료의 입자들을 제어하는데 사용되지만, 이것으로 한정되지 않는다.
상기 입자들은 일반적으로 구형이고 조밀하고 다공성의 피로카본(pyrocarbon) 및 실리콘 카바이드의 층들에 의해 둘러싸인 분열성 코어를 포함한다.
이들 입자들은 원자로에 도입될 수 있도록 흑연 매트릭스들에 내장된다. 이들 매트리스들은 때때로 콤팩트(compact)라 불리는 예를들어 알모양 또는 원통형이다.
조밀한 피로카본 층들의 품질은 원자로에서 조사 동안 입자들의 수명을 결정한다. 조사 하에서, 피로카본은 비등방성이 되어, 실리콘 카바이드 층의 파열로 인한 입자들의 밀도 및 균일성을 손상할 수 있는 스트레스 상태를 유발한다.
입자들의 생산 동작의 종료시, 피로카본 층들은 가능한 한 등방성이어야 하고 산업 형태의 빠른 제어에 적당한 툴들을 사용하여 비등방성 정도를 제어하는 것이 바람직하다.
US-3 972 619는 상기 입자들의 피로카본 층들의 비등방성이 측정되는 방법을 기술한다. 상기 측정은 입자의 적도 평면에서 금속조직 단면상에서 수행된다.
단색 편광 광빔은 입자의 단면 표면상으로 투과된다. 만약 상기 빔에 의해 조사된 표면의 존이 등방성이 아니면, 반사될 때 빔의 약간의 편광 소멸을 유발할 것이다. 입사 빔의 편광 방향의 회전은 반사된 빔의 편광 방향이 발진하도록 발생되었다.
발진 크기는 반사된 빔이 편광 분석기로 통과된 후 광도계에 의해 검출된 세기 발진 크기를 측정하여 이루어진다. 편광 분석기의 분석 방향은 변경되고 발진 크기의 측정은 다른 분석 방향에서 수행된다.
이들 다른 측정들을 바탕으로, 입사 빔에 의해 조사된 존의 비등방성을 특징으로 하는 파라미터들은 계산된다.
상기 방법은 특히 다수의 광학 장비 및 광고계의 존재로 인해 비교적 복잡하고 값비싼 설비를 요구한다. 상기 방법은 또한 수행하는데 오랜 시간이 걸린다.
광학 방법들이 아니고, X 레이의 회절을 포함하는 기술을 바탕으로 하는 비등방성 측정 방법들이 고안되었다. 그러나, 상기 방법들은 특히 연구된 입자들의 구형 모양으로 인해, 이 애플리케이션에서 신뢰성이 없다는 것이 발견되었다.
보다 최근에, US 5 956 147은 타원형을 바탕으로 하는 방법을 제안하였다. 편광된 광 빔은 입자의 금속조직 단면상에 타원형으로 투과된다. 그 다음 반사된 빔은 수정 결정으로 통과하고, 그 다음 광전자증배관으로 지향되기 전에 편광기로 통과하고, 상기 광전자증배관의 출력 신호는 비등방성과 상관된 비감쇠 계수를 추출하기 위하여 처리된다. 이러한 방법은 또한 수행하기에 값비싸며 복잡하다.
본 발명에 의해 처리될 문제는 신뢰성 있고, 수행하기에 빠르며 보다 값싼 설비를 요구하는 비등방성 측정 방법을 제공함으로써 이 문제를 극복하는 것이다.
이런 목적을 위하여, 본 발명은 상기된 타입의 측정 방법에 관한 것으로,
- 편광 분석기로부터의 광을 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치로 투과하는 단계,
- 엘리먼트 표면 존의 적어도 하나의 디지털 이미지를 획득하는 단계, 및
- 비등방성을 측정하기 위하여 획득된 디지털 이미지를 처리하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에 따라, 상기 방법은 모든 기술적으로 가능한 결합들 또는 분리되어 얻어진 다음 하나 또는 그 이상의 특징들을 포함하고,
- 상기 방법은:
* 편광 분석기의 제 1 분석 방향으로 존의 제 1 이미지를 획득하는 단계,
* 편광 분석기의 제 2 분석 방향으로 존의 제 2 이미지를 획득하는 단계,
* 존의 비등방성 측정치들의 지도제작 이미지를 형성하기 위하여 제 2 이미지에 의해 제 1 이미지를 화소 단위로 나누는 단계를 포함하고,
- 상기 제 1 분석 방향 및 제 2 분석 방향은 실질적으로 수직이고;
- 상기 엘리먼트는 증착 방향으로 물질의 증착에 의해 적어도 부분적으로 형성되고, 상기 제 1 방향은 실질적으로 존에 인접한 증착 방향에 수직이고;
- 화소들 값들의 평균은 지도제작 이미지의 적어도 하나의 윈도우에서 계산되고;
- 상기 윈도우는 30㎛2 보다 큰 표면 영역을 가진 표면 영역에 해당하고;
- 상기 방법은:
* 존의 디지털 이미지들을 획득함과 동시에 반사된 광 빔의 전파 방향을 중심으로 360°편광 분석기의 분석 방향을 회전시키는 단계,
* 각각의 마스크에 대해, 분석 방향의 회전 동안 얻어진 최대 및 최소 값들을 형성하는 단계, 및
* 각각의 화소에 대한 값으로서 형성된 최소 값에 대한 최대 값의 비율로 비등방성의 측정치들의 지도제작 이미지를 형성하는 단계를 포함하고,
- 상기 투과된 빔은 비편광 광의 빔이고,
- 상기 엘리먼트는 고온 원자로용 핵연료 입자이다.
본 발명은 또한 상기된 바와 같은 방법을 수행하기 위한 장비에 관한 것이고, 적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트의 표면상에 광빔을 투과하기 위한 광 소스, 변경가능한 분석 방향을 가지며 상기 표면에 의해 반사된 광빔을 통과시키는 편광 분석기, 분석기를 통과한 후 반사된 광빔을 수신하기 위하여 디지털 이미지들을 획득하여 이에 따라 엘리먼트의 표면 존의 적어도 하나의 디지털 이미지를 획득하기 위한 장치, 및 비등방성을 측정하기 위하여 요구된 디지털 이미지를 처리하기 위하여 데이터를 처리하기 위한 유니트를 포함한다.
특정 실시예들에 따라, 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치는 전하 전달 카메라이다.
본 발명은 순수하게 예로서 제공되고 첨부된 도면들을 참조하여 다음 상세한 설명의 판독으로부터 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 고온 원자로용 핵연료 입자의 구조를 도시하는 개략적인 적도 단면이다.
도 2는 본 발명에 따른 비등방성을 측정하기 위한 방법을 수행하기 위한 장비를 도시하는 개략도이다.
도 3 및 4는 본 발명에 따른 방법이 수행될 때 획득된 이미지이다.
도 5는 본 발명에 따른 방법이 수행될 때 디지털 처리로부터 발생하는 이미지이다.
도 6은 도 5의 이미지의 일부의 확대도이다.
도 7은 본 발명에 따른 방법에 의해 측정된 비등방성의 방사상 프로파일을 도시하는 라인이다.
도 8 및 9는 수행되는 측정 신뢰성이 개선되도록 하는 라인들이다.
도 1은 고온 원자로 또는 초고온 원자로(HTR/VHTR)에 대한 핵연료의 입자(1)를 개략적으로 도시한다.
통상적으로, 상기 입자(1)는 일반적으로 구형이고 연속적으로 내부에서 외부로,
- 예를들어 UO2 또는 UCO를 바탕으로 하는 분열성 물질(3) 코어,
- 다공성 피로카본의 층(5),
- 조밀한 피로카본의 제 1 층(7),
- 실리콘 카바이드의 층(9) 및,
- 조밀한 피로카본의 제 2 층(11)을 포함한다.
상기 입자가 사용될 때, 다공성 피로카본은 분열 가스들에 대한 저장소로서 작동하고, 실리콘 카바이드는 분열성 고체 제품들의 확산에 대한 배리어로서 작동 하고 조밀한 피로카본은 분열성 가스들의 압력에 대한 기계적 저항을 유발한다.
코어(3)는 예를들어 대략 500㎛의 직경을 가지며 층들(5,7,9 및 11)은 예를들어 95,40,35 및 40㎛의 두께를 각각 가진다.
코어(3) 및 층들(5,7,9 및 11)의 상대적 크기들은 도 1에서 부합되지 않았다.
층들, 특히 피로카본 층들(5,7,11)은 예를들어 유동체 베드(bed) 오븐에서 수행되는 화학 기상 증착 방법에 의해 증착된다.
코어(3)를 둘러싸는 층들의 비등방성, 특히 조밀한 카본의 층들(7 및 11)의 비등방성을 제어하기 위하여, 입자(1)의 적도 금속조직 단면은 제공된다.
이런 목적을 위하여, 입자(1)는 수지 블록(15)(도 2)에 내장되고 블록(15)은 적도 평면으로서 폴리싱된다. 이런 방식으로 노출된 입자(1)의 표면(17)은 관찰될 수 있다.
이런 형태의 금속조직 단면의 제공은 완전히 통상적이기 때문에, 이하에서 상세히 기술되지 않을 것이다.
도 2는 코어(3)를 둘러싸는 입자(1) 층들에서 비등방성이 측정되도록 하는 장비(19)를 도시한다.
이런 장비(19)는 주로 도시된 예에서:
- 광 소스(21),
- 반 반사 플레이트(23),
- 대물렌즈를 형성하는 렌즈(25),
- 편광 분석기(27),
- 반사 플레이트(29),
- 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치(31), 및
- 데이터를 처리하기 위한 유니트(33)를 포함한다.
소스(21)는 예를들어 형성된 광빔이 광섬유를 통하여 선택적으로 투과될 수 있는 할로겐 램프이다. 소스(21)로부터의 광빔은 반 반사 플레이트(23)에 의해 렌즈(25)를 통하여 관찰된 표면(17)으로 지향된다.
표면(17)에서 비등방성의 존재는 표면(17)에 의해 반사된 광을 편광하는 것이다.
표면(17)에 의해 반사된 빔은 렌즈(25), 반 반사 플레이트(23) 및 분석기(27)를 통하여 통과한다.
통상적인 방식에서, 분석기(27)는 선택적으로 편광된 광이 분석 방향으로 통과하게 한다. 선택된 분석 방향은 예를들어 분석기(27)의 일부를 회전시킴으로써 변경될 수 있다. 상기 변경 동안, 분석 방향은 표면(17)에 의해 반사된 빔의 전파 방향을 중심으로 회전한다.
분석기(27)로부터의 광빔은 반사 플레이트(29)에 의해 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치(31)로 지향된다.
장치(31)는 예를들어 전하 전달 타입, 또는 전하 결합 장치(CCD)의 디지털 카메라이다. 예를들어 DXM 1200 타입의 니콘(등록 마크) 카메라를 사용하는 것은 가능하다.
그러므로, 카메라(31)는 표면(17)에 의해 반사되고 카메라(31) 쪽으로 지향된 빔으로 인해 표면(17)의 디지털 이미지들을 획득할 수 있다.
카메라(31)에 의해 획득된 디지털 데이터는 데이터를 처리하기 위하여 유니트(33)에 공급된다.
유니트(33)는 예를들어 제공된 마이크로 처리기, 특히 스크린(35) 형태의 디스플레이 수단을 가진 마이크로 처리기를 포함한다. 유니트(33)는 블록(15)이 표면(17)에 입사되는 빔에 관련하여 수직으로, 예를들어 서로에 대하여 수직인 두 개의 방향으로 지지되고 변위되게 하는 수단(37)에 접속된다. 상기 변위는 표면(17)을 올바르게 위치시키기 위한 분석 전에 수행될 수 있다.
수단(37)은 입사 빔과 평행하게 블록(15)이 이동되게 할 수 있다. 그 다음 유니트(33)는 블록(15)의 높이를 제어함으로써 포커싱을 자동으로 발생시킬 수 있다. 바람직하게, 유니트(33)는 포커싱이 수행되게 하는 형상 인식 소프트웨어를 포함한다.
유니트(33)는 분석 방향을 변경하기 위하여 분석기(27)를 제어할 수 있다.
도 3은 카메라(31)에 의해 획득된 표면(17)의 디지털 이미지를 도시한다. 상기 이미지는 코어(3)의 입자(1)의 방사 방향(R)으로 층(11)에서 가능한 한 멀리 연장하는 표면(17)의 존(39)을 특히 커버한다. 방사 방향(R)은 실질적으로 피로카본 층들(7 및 11)이 형성될 때 증착 방향에 해당한다.
비등방성을 측정하기 위한 방법의 제 1 실시예에서, 입자(1) 표면(17)의 제 1 이미지는 분석기(27)의 분석 방향으로서 방향(R)에 실질적으로 직교하는 방향에 서 획득된다. 분석 방향(P)은 획득된 제 1 이미지를 도시하는 도 3에 표시된다.
분석기(27)의 선택된 분석 방향(P)은 방향(P)이 증착 방향(R)과 실질적으로 평행하도록 변경된다. 표면(17)의 제 2 디지털 이미지는 획득된다(도 4).
입자(1), 및 특히 표면(17)의 존(39)의 비등방성을 측정하기 위하여, 획득된 두 개의 이미지들은 디지털적으로 처리된다.
이런 목적을 위하여, 제 1 이미지는 화소 단위로 제 2 이미지에 의해 분할될 것이다. 따라서, 도 5의 이미지는 얻어진다.
그러므로 이런 방식으로 얻어진 이미지의 각각의 화소의 값은:
- 증착 표면과 평행한 분석 후 표면(17)의 대응 지점에 의해 반사된 빔의 세기(ill), 즉 제 1 이미지(도 3)의 대응 화소 값, 및
- 증착 표면에 수직으로 분석된 후 표면(17)의 대응 지점에 의해 반사된 빔의 세기(i⊥), 즉 제 2 이미지(도 4)의 대응 화소 값의 관계식에 해당한다.
세기들 사이의 상기 관계는 반사도 또는 DAR의 비등방성 정도에 의해 제한된다:
Figure 112007093327274-PCT00001
얻어진 이미지는 잘못된 컬러들, 즉 각각의 화소에 대해 얻어진 DAR 값에 따라 청색에서 적색 범위의 컬러들을 가진 컬러들로 디스플레이될 수 있다.
도 6은 존(39)이 확대된 이런 형태의 디스플레이를 도시한다. 참조 번 호(41)는 사용된 스케일을 나타낸다. 청색은 0.9 정도의 DAR 값들에 해당하고, 녹색은 1 정도의 DAR 값들에 해당하고 적색은 1.1 정도의 DAR 값들에 해당한다.
대략 1의 DAR 값들은 우수한 등방성을 특징으로 하고 1 보다 큰 값들은 비등방성을 특징으로 한다. 비등방성은 이방성에 관련한 편차를 말한다. 1 미만의 DAR 값들은 예를들어 측정 가공물들에서 발생하는 다공성 발생 존재에 해당한다.
그러므로, 존(39)의 비등방성의 측정의 이차원 맵핑은 얻어진다.
DAR의 프로파일은 도 7에 도시된 바와 같이 방사 방향(R)에서 쉽게 추론될 수 있다. 상기 도면에서, 참조 번호(43)는 상기 프로파일을 나타내는 라인을 나타낸다. 가로좌표는 방사상 위치에 해당하고, 원점은 코어(3)와 경계에서 층(5)의 시작부이다. 세로좌표들은 DAR 값들에 해당한다. 라인(43)에서, 층들(5,7,9 및 11)에 해당하는 다양한 부분들을 구별하는 것은 가능하다.
도 7에 도시된 바와 같이, 층(9)에 해당하는 라인(43)의 부분은 실제로 직선이고 실질적으로 1이다. 이것은 실리콘 카바이드의 대응 층이 조밀하고 매우 등방성이기 때문이다. 그러므로 DAR 값은 단지 매우 약간만 노이즈에 의해 영향을 받는다.
그러나, 이런 방식으로 수행된 DAR 측정들이 조밀한 피로카본(7 및 11)의 층들에서 노이즈에 의해 크게 영향을 받고, 그러므로 화소의 스케일에서 측정은 완전히 신뢰할 수 없는 것이 명백하다.
상기 단점을 극복하기 위하여, 예를들어 조밀한 피로카본(7 및 11)의 각각의 층에 대해 예를들어 사각형 모양의 계산 윈도우에서 DAR 값들의 평균 DARm의 계산을 수행하는 것은 가능하다. 상기 윈도우는 도 6에 표시된다. 도 8은 계산 윈도우에 해당하는 표면(17) 영역의 마이크로 제곱미터 표면 영역(S)에 따라 DARm 값들의 전개를 도시한다.
라인(47)은 실리콘 카바이드(9) 층에 배치된 윈도우상 계산에 해당한다. 한쪽 측면 및 다른 쪽 측면에 배치된 굵은 원들은 표준 편차를 가리킨다.
라인들(49 및 51)은 각각 조밀한 피로카본(7 및 11)의 층들에 해당하고 사각형들 및 원들은 대응하는 표준 편차들에 해당한다.
예를들어, 실리콘 카바이드(9)에 대해 계산된 DARm 값들에 관련하여 계산된 DARm 값들을 캘리브레이트하는 것은 가능하다. 따라서, 도 9는 각각 조밀한 피로카본(7 및 11)의 층들에 대해 얻어진 두 개의 라인들(52 및 53)을 도시한다.
세로좌표들은 이런 방식으로 계산된 수정된 DAR 값(DARc)에 해당한다:
Figure 112007093327274-PCT00002
인식될 바와 같이, DARc 값들은 대략 30㎛2의 표면 영역들(S)에서 안정한 것으로 보인다.
그러므로, 계산 윈도우는 바람직하게 30㎛2의 보다 큰 표면 영역들에 대응하 여 사용되고, 다른 바람직한 방식에서 40㎛2 보다 큰 표면 영역들에 대응하여 사용된다.
입자(1)가 구형이기 때문에, 회전 대칭이 이루어지는 것을 가정하면 존(39)에서 수행되는 측정들이 입자(1) 전체를 특징으로 한다는 것으로 생각되는 것이 가능하다.
만약 상기된 제 1 및 제 2 이미지들이 입자(1)의 전체 모습들이면, 예를들어 DAR 값들의 계산을 수행하고, 선택적으로 정점 섹션에서 바라볼 때 예를들어 입자의 북쪽, 동쪽, 남쪽 및 서쪽 극들에 배치된 4개의 지점들에서 DARm 및 DARc를 계산하는 것은 가능하다.
그 다음 제 1 이미지의 화소들의 값들은 동쪽 및 서쪽 존들에서 제 2 이미지의 화소 값들에 의해 분할되고, 북쪽 및 남쪽 존들에서 제 2 이미지의 화소 값들은 제 1 이미지의 화소들 값에 의해 분할된다.
이런 방식으로, 입자(1)의 중앙에 관련하여 서로 90°로 배치된 4개의 존들의 비등방성의 측정치들을 얻는 것은 가능하다.
상기된 바와 같이 종래 기술에 따른 방법을 특징으로 하였던 입자들(1)상 비등방성을 측정하기 위한 방법이 수행되었다. 본 발명에 따른 방법은 감소된 표준 편차들을 가지고 신뢰할 수 있는 비등방 측정치들이 얻어지게 한다.
상기된 방법이 특히 광도계를 사용하지 않기 때문에 수행되기 위해 감소된 비용의 장비(19)를 요구하는 것이 추가로 인식될 것이다.
게다가, 상기 방법은 요구된 두 개의 이미지들(도 3 및 도 4)을 바탕으로, 층(7 및 11)에서, 및 선택적으로 다른 층들에서 동시에 비등방성을 측정하는 것이 가능하기 때문에 매우 빠르게 수행된다.
변형에 의해, 설비(19)는 상기된 디지털 처리에 부가하여 또는 상기 디지털 처리 대신, 표면(17)의 비등방성을 측정하기 위하여 요구된 하나 또는 그 이상의 이미지들을 디지털적으로 처리하기 위한 다른 동작을 수행할 수 있다.
예를들어, 표면(17)의 대응 이미지들을 획득함과 동시에 분석기(27)의 분석 방향(P)을 360°회전하는 것은 가능하다. 추후, 이미지는 분석 방향(P)의 회전 동안 동일한 화소에 대해여 얻어진 최소 세기 또는 값(Imin)에 관련하여 최대 값 또는 세기(Imax)에 해당하는 각각의 화소에 대한 전체 값이 형성된다. 따라서, 이미지는 RARAX라 불리는 비등방성을 측정하는 파라미터의 맵핑이 얻어진다:
Figure 112007093327274-PCT00003
상기 파라미터는 분석기(27)의 분석 방향(P)의 각도 위치에 부정확하게 링크되지 않는 장점을 가진다.
이전과 같이, 계산 윈도우들 상에서 측정된 세기들을 평균하여 평균 PARAX, RAPAXm을 계산하는 것은 가능하다. 상기 값 자체는 실리콘 카바이드(9)의 층에 대해 계산된 RAPAXm에 관련하여 캘리브레이트된다:
Figure 112007093327274-PCT00004
디지털 이미지들(31)을 획득하기 위한 장치가 표면(17)과 정렬되어 위치되어 반사 플레이트(29)가 요구되지 않는 것이 인식될 것이다.
상기된 방법은 HTR/VHTR 타입 원자로용 핵연료 입자들과 다른 엘리먼트들의 비등방성을 측정하기 위하여 사용될 수 있다. 이들은 일반적으로 적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트들일 것이다.

Claims (11)

  1. 광빔을 엘리먼트(1)의 표면(17)에 투과하는 단계, 및
    변경가능한 분석 방향(P)을 가진 편광 분석기(27) 쪽으로 상기 표면(17)에 의해 반사된 상기 광빔을 통과시키는 단계를 포함하는,
    적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 상기 엘리먼트(1)의 상기 표면(17)의 존(39)의 비등방성을 측정하기 위한 방법으로서,
    상기 편광 분석기(27)로부터 디지털 이미지들을 획득하기 위한 장치(31)로 상기 빔을 투과하는 단계,
    상기 엘리먼트(1)의 상기 표면(17)의 상기 존(39)의 적어도 하나의 디지털 이미지(31)를 획득하는 단계, 및
    상기 비등방성을 측정하기 위해 상기 획득된 디지털 이미지를 처리하는 단계를 포함하는, 비등방성 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광 분석기(27)의 제 1 분석 방향(P)으로 상기 존(39)의 제 1 이미지를 획득하는 단계,
    상기 편광 분석기의 제 2 분석 방향(P)으로 상기 존(39)의 제 2 이미지를 획득하는 단계, 및
    상기 존(39)의 상기 비등방성의 측정의 지도제작 이미지를 형성하기 위해, 상기 제 2 이미지로 상기 제 1 이미지를 화소 단위로 분할하는 단계를 포함하는, 비등방성 측정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 분석 방향 및 상기 제 2 분석 방향(P)은 실질적으로 수직인, 비등방성 측정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 엘리먼트는 증착 방향(D)으로 물질을 증착함으로써 적어도 부분적으로 형성되고, 상기 제 1 방향은 상기 존(39)에 인접한 상기 증착 방향(D)에 실질적으로 수직인, 비등방성 측정 방법.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소 값들의 평균은 상기 지도제작 이미지의 적어도 하나의 윈도우(window; 46)에서 계산되는, 비등방성 측정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 윈도우는 30㎛2 보다 큰 표면 영역을 가진 상기 표면(17)의 영역에 해당하는, 비등방성 측정 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 존(39)의 디지털 이미지들을 획득함과 동시에, 상기 반사된 광빔의 전 파 방향을 중심으로 상기 편광 분석기(27)의 상기 분석 방향(P)을 360°회전시키는 단계,
    각각의 화소에 대해, 상기 분석 방향의 회전 동안 얻어진 최대 및 최소 값들을 형성하는 단계, 및
    각각의 화소에 대한 값으로서, 상기 형성된 최소 값에 대한 상기 최대 값의 비율로 상기 비등방성의 측정들의 지도제작 이미지를 형성하는 단계를 포함하는, 비등방성 측정 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투과된 빔은 비편광 광빔인, 비등방성 측정 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 엘리먼트(1)는 고온 원자로용 핵연료 입자인, 비등방성 측정 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하기 위한 설비로서,
    적어도 하나의 분열성 물질을 포함하는 엘리먼트(1)의 표면(17)상에 광빔을 투과하기 위한 광 소스(21), 변경가능한 분석 방향(P)을 가지며 상기 표면(17)에 의해 반사된 상기 광빔이 통과되도록 하는 편광 분석기(27), 상기 분석기로 통과된 후 상기 반사된 광빔을 수신하기 위해 디지털 이미지들을 획득함으로써 상기 엘리 먼트(1)의 상기 표면(17)의 존(39)의 적어도 하나의 디지털 이미지(31)를 획득하기 위한 장치(31), 및 비등방성을 측정하기 위하여 획득된 상기 디지털 이미지를 처리하도록 데이터를 처리하기 위한 유니트(33)를 포함하는, 설비.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 디지털 이미지들(31)을 획득하기 위한 장치는 전하 전달 카메라인, 설비.
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