KR20080023862A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

An apparatus and a method for processing a substrate are provided to minimize a footprint required for the apparatus, and to assist flow of liquid chemical, which is photoresist solution, on an upper side of the substrate, since the substrate is supported within a vessel inclined to the ground. An apparatus for processing a substrate(1) comprises a support plate(12), a liquid chemical nozzle(22), a support shaft(16), a vessel(30), and a driving unit(15,18). The support plate where a substrate(W) is loaded thereon, is able to spin around a rotary shaft which is perpendicular to one side, wherein the support plate upholds the substrate perpendicular or inclined to the ground. The liquid chemical nozzle, disposed perpendicular to the substrate, feeds liquid chemical, which is photoresist solution, on an upper side of the support plate during the process. The support shaft having one end connected to a lower side of the support plate, upholds the support plate. The vessel having an upper opening is disposed to surround the support plate. The driving unit lifts the support shaft to expose the support plate to the upper side of the vessel through the opening.

Description

기판을 처리하는 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}Apparatus and method for treating substrate

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 지지 플레이트 상에 로딩된 기판에 작용하는 힘을 나타내는 자유물체도이다.Figure 2 is a free body diagram showing the force acting on the substrate loaded on the support plate according to the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 지지 플레이트 상에 로딩된 기판을 언로딩하는 모습을 나타내는 도면이다.3A and 3B show an unloading of a substrate loaded on a support plate according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 지지부 12 : 지지 플레이트10 support portion 12 support plate

14 : 회전체 15 : 제1 구동기14: rotating body 15: first driver

16 : 지지축 17 : 힌지16 support shaft 17 hinge

18 : 제2 구동기 20 : 약액공급부18: second driver 20: chemical liquid supply unit

22 : 약액노즐 30 : 용기22: chemical liquid nozzle 30: container

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 상부에 약액을 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and a method for processing a substrate by supplying a chemical liquid on top of the substrate.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication:FAB) 공정, 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정, 그리고 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device is a fabrication (FAB) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, a process for inspecting the electrical properties of the semiconductor devices formed in the fab process, and the semiconductor devices are each epoxy resin It is manufactured through a package assembly process for encapsulation and individualization.

팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정, 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 리소그래피 공정, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 에칭 공정, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정, 그리고 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The Fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a lithography process for forming a photoresist pattern on the film, and a pattern having electrical properties using the photoresist pattern. An etching process for forming, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and an inspection process for inspecting the surface of the semiconductor substrate on which a film or pattern is formed It includes.

이와 같은 단위 공정들 중에서 리소그래피(photolithography) 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트(photoresist) 막을 형성하고 이를 경화시키는 공정, 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among such unit processes, a lithography process is a process of forming and curing a photoresist film on a semiconductor substrate, and removing a predetermined portion to form a photoresist film formed on the semiconductor substrate into a desired photoresist pattern. An exposure process and a developing process.

일반적으로 포토레지스트 막은 다음과 같이 형성된다. 먼저, 반도체 기판을 지지 플레이트 상에 올려놓은 다음, 반도체 기판 상의 중심 부위에 포토레지스트 용액을 공급하고, 반도체 기판을 회전시킨다. 반도체 기판의 원심력에 의해 상기 반도체 기판 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액은 반도체 기판의 가장자리를 향하여 흐르고, 이에 따라 포토레지스트 막이 형성된다.Generally, a photoresist film is formed as follows. First, the semiconductor substrate is placed on a support plate, then a photoresist solution is supplied to the center portion on the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is rotated. The photoresist solution supplied to the center portion on the semiconductor substrate by the centrifugal force of the semiconductor substrate flows toward the edge of the semiconductor substrate, thereby forming a photoresist film.

그러나, 종래의 장치는 기판이 지면과 나란하게 지지 플레이트 상에 로딩되며, 지면과 나란한 평면 상에서 회전하였다. 이로 인하여, 첫째, 기판의 면적이 대형화됨에 따라 장치가 차지하는 공간(footprint)가 증가하는 문제가 있다. 둘째, 기판의 회전으로 인하여 발생하는 원심력은 기판의 회전중심으로부터 멀어질수록 증가하며, 기판의 회전중심은 이론적으로 원심력이 0이다. 따라서, 기판의 회전중심으로부터 먼 곳에서는 원심력이 크므로 포토레지스트 용액이 잘 흐르지만, 기판의 회전중심에 가까운 곳에서는 원심력이 작으므로 포토레지스트 용액이 잘 흐르지 않는 문제가 있다.However, in the conventional apparatus, a substrate is loaded on a support plate parallel to the ground and rotated on a plane parallel to the ground. Therefore, first, there is a problem that the footprint of the device increases as the area of the substrate is enlarged. Second, the centrifugal force generated by the rotation of the substrate increases as the distance from the center of rotation of the substrate increases, and the centrifugal force of the substrate is theoretically zero. Therefore, the photoresist solution flows well because the centrifugal force is large away from the rotational center of the substrate, but the photoresist solution does not flow well because the centrifugal force is small near the rotational center of the substrate.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 장치가 차지하는 공간을 최소화할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can minimize the space occupied by the device.

본 발명의 다른 목적은 기판 상에 공급된 포토레지스트 용액이 기판 상에서 잘 흐를 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method in which a photoresist solution supplied on a substrate can flow well on the substrate.

본 발명에 의하면, 기판처리장치는 상부에 기판이 로딩되며, 일면에 수직한 회전축을 기준으로 회전가능한 지지 플레이트와, 공정진행시 상기 지지 플레이트의 상부에 약액을 공급하는 약액노즐을 포함하되, 공정진행시 상기 지지 플레이트는 상기 기판이 지면과 기설정된 각도를 이루도록 지지한다.According to the present invention, the substrate processing apparatus includes a support plate on which a substrate is loaded and rotated about a rotation axis perpendicular to one surface, and a chemical liquid nozzle supplying a chemical solution to the upper portion of the support plate during the process. The support plate supports the substrate so that the substrate has a predetermined angle with the ground.

공정진행시 상기 약액노즐은 상기 기판에 대하여 수직하도록 배치될 수 있다.The chemical liquid nozzle may be disposed to be perpendicular to the substrate during the process.

상기 장치는 상기 지지 플레이트의 하부에 일단이 연결되며, 상기 지지 플레이트를 지지하는 지지축을 더 구비하되, 상기 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 일면에 나란한 회전축을 기준으로 회전가능하도록 상기 지지축에 연결될 수 있다.The device has one end connected to the lower portion of the support plate, and further includes a support shaft for supporting the support plate, the support plate may be connected to the support shaft to be rotatable based on the axis of rotation parallel to one surface of the support plate have.

상기 장치는 상기 지지 플레이트를 감싸도록 배치되며 상부에 개구가 형성되는 용기와, 상기 지지 플레이트가 상기 개구를 통하여 상기 용기의 상부로 노출되도록 상기 지지축을 승강시키는 승강기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a container disposed to surround the support plate and having an opening formed thereon, and an elevator for elevating the support shaft so that the support plate is exposed to the top of the container through the opening.

본 발명에 의하면, 기판을 처리하는 방법은 기판을 지지 플레이트 상에 로딩하고 로딩된 상기 기판을 회전시키는 단계와, 상기 기판의 상부에 약액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하되, 상기 기판은 지면과 일정한 각도를 이룬 상태에서 상기 기판에 수직한 회전축을 기준으로 회전하며 회전하는 상기 기판의 상부에 약액이 공급된다.According to the present invention, a method of processing a substrate includes loading a substrate on a support plate and rotating the loaded substrate, and supplying a chemical solution to the upper portion of the substrate to process the substrate, wherein the substrate The chemical liquid is supplied to an upper portion of the substrate which rotates and rotates about a rotation axis perpendicular to the substrate at a predetermined angle with the ground.

상기 약액을 공급하는 단계는 지면과 일정한 각도를 이루는 상기 기판에 대하여 수직한 약액노즐을 이용하여 이루어질 수 있다.The supplying the chemical liquid may be performed by using a chemical liquid nozzle perpendicular to the substrate at a predetermined angle with the ground.

상기 방법은 약액을 공급하는 단계 이후에 상기 지지 플레이트에 나란한 회 전축을 기준으로 상기 지지 플레이트를 회전시켜 상기 기판이 지면과 나란하도록 배치하는 단계와, 상기 지지 플레이트를 승강하여 상기 지지 플레이트의 주위를 감싸며 상부에 개구가 형성된 용기의 상부로 노출시키는 단계와, 상기 기판을 언로딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method includes the step of rotating the support plate relative to the rotation axis parallel to the support plate after the step of supplying the chemical liquid to arrange the substrate parallel to the ground, and by lifting the support plate to move around the support plate The method may further include wrapping and exposing the upper portion of the container having an opening formed therein, and unloading the substrate.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

이하에서는 기판처리장치(1)의 일례로 포토레지스트 공급장치를 예로 들어 설명하나, 본 발명은 기판 상에 약액을 공급하는 장치에 응용될 수 있다. 또한, 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.Hereinafter, the photoresist supply apparatus will be described as an example of the substrate processing apparatus 1, but the present invention can be applied to an apparatus for supplying a chemical liquid onto a substrate. In addition, although the wafer W is demonstrated as an example of a board | substrate, this invention is not limited to this.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판처리장치(1)는 지지부(10), 약액공급부(20), 용기(30)를 포함한다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a support 10, a chemical solution supply 20, and a container 30.

지지부(10)는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 플레이트(12), 지지 플레이트(12)의 배면에 연결된 회전체(14), 회전체(14)에 연결되는 지지축(16)을 포함한다.The support part 10 includes a support plate 12 supporting the wafer W, a rotating body 14 connected to the rear surface of the supporting plate 12, and a supporting shaft 16 connected to the rotating body 14.

지지 플레이트(12)의 상부에는 웨이퍼(W)의 배면을 지지하는 복수의 지지핀(13a)들과, 지지핀(13a)의 바깥쪽에 설치되며 웨이퍼(W)의 측부를 지지하는 복수의 홀딩핀(13b)들을 구비한다. 지지 플레이트(12)의 상부에 로딩되는 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(12)와 나란하게 지지된다.A plurality of support pins 13a supporting the rear surface of the wafer W on the upper portion of the support plate 12, and a plurality of holding pins installed outside the support pin 13a and supporting the side of the wafer W And 13b. The wafer W loaded on the support plate 12 is supported in parallel with the support plate 12.

도 1에 도시한 바와 같이, 지지 플레이트(12)의 배면에는 회전체(14)가 고정설치되며, 회전체(14)는 지지축(16)의 상단에 힌지(17)에 의하여 회전가능하도록 연결된다. 따라서, 회전체(14)는 지지 플레이트(12)와 나란한 힌지(17)을 기준으로 지지 플레이트(12)와 함께 회전할 수 있으며, 지지 플레이트(12)는 회전체(14)의 회전에 의하여 지면과 일정한 각도를 이룰 수 있다.As shown in FIG. 1, a rotating body 14 is fixedly installed on a rear surface of the supporting plate 12, and the rotating body 14 is rotatably connected by a hinge 17 to an upper end of the supporting shaft 16. do. Accordingly, the rotating body 14 may rotate together with the supporting plate 12 based on the hinge 17 parallel to the supporting plate 12, and the supporting plate 12 may be grounded by the rotation of the rotating body 14. Can achieve a constant angle with

지지축(16)의 하단은 제2 구동기(18)에 연결되며, 지지축(16)은 제2 구동기(18)에 의하여 승강될 수 있다.The lower end of the support shaft 16 is connected to the second driver 18, the support shaft 16 may be lifted by the second driver 18.

한편, 회전체(14)의 내부에는 지지 플레이트(12)를 회전시키기 위한 제1 구동기(15)가 설치된다. 제1 구동기(15)는 지지 플레이트(12)에 수직한 회전축(A)을 기준으로 지지 플레이트(12)를 회전시킨다.Meanwhile, a first driver 15 for rotating the support plate 12 is installed inside the rotor 14. The first driver 15 rotates the support plate 12 about the rotation axis A perpendicular to the support plate 12.

본 실시예에서 제1 구동기(15)는 회전체(14)의 내부에 설치되는 것으로 설명하였으나, 제1 구동기(15)는 지지 플레이트(12)와 회전체(14)의 사이에 제공될 수 있다. 또한, 제1 구동기(15)는 지지축(16)의 하단에 제공될 수도 있으며, 제1 구동기(15)의 동력은 지지축(16)의 내부 및 회전체(14)의 내부에 제공된 동력전달계(도 시안됨)를 통하여 지지 플레이트(12)에 제공될 수 있다.In this embodiment, the first driver 15 is described as being installed inside the rotor 14, but the first driver 15 may be provided between the support plate 12 and the rotor 14. . In addition, the first driver 15 may be provided at the lower end of the support shaft 16, the power of the first driver 15 is a power transmission system provided in the interior of the support shaft 16 and the rotating body 14 May be provided to the support plate 12 (not shown).

지지 플레이트(12)의 일측에는 약액공급부(20)가 설치된다. 약액공급부(20)는 약액노즐(22), 이동아암(24), 그리고 승강축(26)을 포함한다.One side of the support plate 12 is provided with a chemical liquid supply unit 20. The chemical liquid supply unit 20 includes a chemical liquid nozzle 22, a moving arm 24, and a lifting shaft 26.

약액노즐(22)은 공정진행시 웨이퍼(W)와 수직하도록 배치되며, 웨이퍼(W)의 상부에 약액을 공급한다. 본 실시예에서는 약액노즐(22)을 통하여 공급되는 약액은 웨이퍼(W)의 상부에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 용액이나, 이외의 공정을 위하여 다양한 약액이 공급될 수 있다.The chemical liquid nozzle 22 is disposed to be perpendicular to the wafer W during the process, and supplies the chemical liquid to the upper portion of the wafer W. In the present embodiment, the chemical liquid supplied through the chemical liquid nozzle 22 may be a photoresist solution for forming a photoresist film on the wafer W, or various chemical liquids may be supplied for other processes.

약액노즐(22)은 이동아암(24)의 일단에 연결되며, 이동아암(24)과 함께 이동한다. 이동아암(24)의 타단에는 승강축(26)의 상단이 연결되며, 승강축(26)은 승강축(26)의 하단에 연결된 승강기(28)에 의하여 이동아암(24)과 함께 승강된다. 한편, 승강기(28)는 승강축(26)을 회전시켜 지지 플레이트(12)의 상부로부터 지지 플레이트(12)의 외측으로 약액노즐(22)을 이동시킬 수 있다.The chemical liquid nozzle 22 is connected to one end of the moving arm 24 and moves together with the moving arm 24. The other end of the movable arm 24 is connected to the upper end of the elevating shaft 26, and the elevating shaft 26 is elevated together with the movable arm 24 by an elevator 28 connected to the lower end of the elevating shaft 26. Meanwhile, the elevator 28 may move the chemical liquid nozzle 22 from the top of the support plate 12 to the outside of the support plate 12 by rotating the lifting shaft 26.

지지 플레이트(12)의 주위에는 용기(30)가 설치된다. 용기(30)는 회전하는 웨이퍼(W)로부터 약액이 비산하는 것을 방지하며, 공정을 완료한 약액을 모아서 외부로 배출한다. 용기(30)의 바닥면에는 약액을 외부로 배출하기 위한 배출구(32)가 형성된다.The container 30 is installed around the support plate 12. The container 30 prevents the chemical liquid from scattering from the rotating wafer W, collects the chemical liquid which has completed the process, and discharges it to the outside. The bottom surface of the container 30 is formed with a discharge port 32 for discharging the chemical liquid to the outside.

도 2는 본 발명에 따른 지지 플레이트(12) 상에 로딩된 웨이퍼(W)에 작용하 는 힘을 나타내는 자유물체도이다.2 is a free-body diagram showing the force acting on the wafer W loaded on the support plate 12 according to the present invention.

상술한 바와 같이, 지지 플레이트(12) 상에 로딩된 웨이퍼(W)는 지면과 일정한 각도(θ)를 유지하며, 일정한 각도(θ)를 유지한 상태에서 웨이퍼(W)는 회전한다.As described above, the wafer W loaded on the support plate 12 maintains a constant angle θ with the ground, and the wafer W rotates while maintaining the constant angle θ.

웨이퍼(W)에 작용하는 힘을 상세히 설명하면 다음과 같다. 웨이퍼(W) 상의 모든 질점(質點)에는 중력(FG)이 작용하며, 중력(FG)은 연직아래방향이다. 이때, 웨이퍼(W)는 지면과 일정한 각도(θ)를 이루므로, 중력(FG)은 웨이퍼(W)와 나란한 방향으로 작용하는 힘(FT=FG×sinθ)과 웨이퍼(W)에 수직하도록 작용하는 힘(FN=FG×cosθ)으로 벡터분해될 수 있다.The force acting on the wafer W will be described in detail as follows. Gravity F G acts on all the quality points on the wafer W, and gravity F G is vertically downward. At this time, since the wafer W forms a constant angle θ with the ground, the gravity F G is applied to the force (F T = F G × sinθ) and the wafer W acting in parallel with the wafer W. It can be vector resolved by a force acting perpendicular (F N = F G × cos θ).

따라서, 지면과 나란하게 배치되는 웨이퍼(W)와 달리, 지면과 일정한 각도(θ)를 이루는 웨이퍼(W) 상에는 웨이퍼(W)와 나란하게 하향 경사진 힘(FT)이 존재하며, 힘(FT)은 웨이퍼(W) 상에 공급된 약액이 가장자리를 향하여 원활하게 흐를 수 있도록 도와줄 수 있다. 힘(FT)의 크기는 지면과 이루는 일정한 각도(θ)가 증가함에 따라 증가하며, 지면과 이루는 각도(θ)가 90°일 때 최대값을 가진다.Therefore, unlike the wafer W disposed to be parallel to the ground, a force F T inclined downward in parallel with the wafer W is present on the wafer W having a constant angle θ with the ground. F T ) may help the chemical liquid supplied on the wafer W to flow smoothly toward the edge. The magnitude of the force F T increases as the constant angle θ with the ground increases, and has a maximum value when the angle θ with the ground is 90 °.

상술한 바에 의하면, 용기(30) 내에서 웨이퍼(W)가 경사진 상태로 공정을 수행하므로, 용기(30) 내부의 부피를 줄일 수 있으며, 전체 장치가 차지하는 공간을 줄일 수 있다. 또한, 웨이퍼(W) 상에는 원심력 외에도 웨이퍼(W)와 나란하게 하향 경사진 방향으로 작용하는 힘이 존재하므로, 약액이 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하 여 원활하게 흐를 수 있다.As described above, since the process is performed in a state in which the wafer W is inclined in the container 30, the volume inside the container 30 may be reduced, and the space occupied by the entire apparatus may be reduced. In addition, since a force acting in the downwardly inclined direction parallel to the wafer W exists in addition to the centrifugal force on the wafer W, the chemical liquid may flow smoothly toward the edge of the wafer W.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 지지 플레이트(12) 상에 로딩된 웨이퍼(W)를 언로딩하는 모습을 나타내는 도면이며, 도 4는 본 발명에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 3a 내지 도 4를 참고하여 기판을 처리하는 방법을 살펴보기로 한다.3A and 3B are views showing the unloading of the wafer W loaded on the support plate 12 according to the present invention, and FIG. 4 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention. Hereinafter, a method of treating a substrate will be described with reference to FIGS. 3A to 4.

먼저, 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(12) 상에 로딩하고, 로딩된 웨이퍼(W)를 경사진 상태에서 회전시킨다(S10). 웨이퍼(W)는 제1 구동기(15) 및 지지 플레이트(12)에 의하여 회전될 수 있으며, 회전하는 동안 웨이퍼(W)는 지지 플레이트(12)와 함께 경사진 상태를 유지한다.First, the wafer W is loaded on the support plate 12, and the loaded wafer W is rotated in an inclined state (S10). The wafer W may be rotated by the first driver 15 and the support plate 12, while the wafer W is inclined with the support plate 12 while rotating.

다음, 약액노즐(22)을 회전하는 웨이퍼(W)의 상부로 이동시킨 후, 약액노즐(22)을 이용하여 웨이퍼(W)의 상부에 약액을 공급한다(S20). 본 실시예에서는 포토레지스트 용액을 공급하며, 공급된 포토레지스트 용액은 웨이퍼(W)의 상면에서 포토레지스트 막을 형성한다. 이때, 약액을 공급하는 약액노즐은 지면에 수직하게 배치될 수 있으며, 웨이퍼(W)에 수직하게 배치될 수도 있다.Next, after the chemical liquid nozzle 22 is moved to the upper portion of the rotating wafer W, the chemical liquid is supplied to the upper portion of the wafer W using the chemical liquid nozzle 22 (S20). In this embodiment, a photoresist solution is supplied, and the supplied photoresist solution forms a photoresist film on the upper surface of the wafer (W). In this case, the chemical liquid nozzle for supplying the chemical liquid may be disposed perpendicular to the ground, or may be disposed perpendicular to the wafer (W).

공정이 완료되면, 지지 플레이트(12)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩하고, 새로운 웨이퍼(W)를 로딩하여야 한다.Once the process is complete, the wafer W must be unloaded from the support plate 12 and a new wafer W loaded.

지지 플레이트(12) 상에 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하는 방법은 다양하게 제공될 수 있다. 그러나, 종래의 로딩/언로딩 장치는 지면과 나란하게 놓여진 지지 플 레이트(12)를 위하여 고안되었으므로, 종래의 로딩/언로딩 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하기 위해서는 지지 플레이트(12)를 지면과 나란하게 배치하는 과정이 요구된다. 도 3a에 도시한 바와 같이, 회전체(14)를 힌지(17)를 중심으로 시계방향으로 회전하면 지지 플레이트(12)는 지면과 나란하게 배치된다(S30).Various methods of loading / unloading the wafer W on the support plate 12 may be provided. However, since the conventional loading / unloading device is designed for the support plate 12 placed side by side with the ground, in order to load / unload the wafer W using the conventional loading / unloading device, The process of placing 12) parallel to the ground is required. As shown in FIG. 3A, when the rotor 14 is rotated clockwise around the hinge 17, the support plate 12 is disposed in parallel with the ground (S30).

다음으로, 지지 플레이트(12) 상의 웨이퍼(W)를 언로딩하기 위해서 지지 플레이트(12)를 용기(30)의 상부로 노출시켜야 한다. 제2 구동기(18)를 이용하여 지지축(16)을 상승시키면, 지지 플레이트(12)는 지지축(16)과 함께 상승하며 개구를 통하여 용기(30)의 상부로 노출된다(S40). 그러나, 본 실시예와 달리, 용기(30)를 하강시켜 지지 플레이트(12)를 용기(30)의 상부로 노출시킬 수 있다. 이후에 웨이퍼(W)를 언로딩한다.Next, in order to unload the wafer W on the support plate 12, the support plate 12 must be exposed to the top of the container 30. When the support shaft 16 is raised using the second driver 18, the support plate 12 rises together with the support shaft 16 and is exposed to the upper portion of the container 30 through the opening (S40). However, unlike this embodiment, the container 30 can be lowered to expose the support plate 12 to the top of the container 30. Thereafter, the wafer W is unloaded.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 용기(30)의 측벽에는 관통홀(34)이 형성되며, 이동아암(24)은 관통홀(34)을 통하여 용기(30)의 외부로부터 용기(30)의 내부로 제공될 수 있으며, 약액노즐(22)은 웨이퍼(W)와 수직하게 설치될 수 있다.As shown in FIG. 4, a through hole 34 is formed in the side wall of the container 30, and the movable arm 24 is formed from the outside of the container 30 through the through hole 34. The chemical liquid nozzle 22 may be installed perpendicularly to the wafer (W).

본 발명에 의하면 장치가 차지하는 공간을 최소화할 수 있다. 또한, 기판 상에 공급된 포토레지스트 용액이 기판 상에서 잘 흐를 수 있다.According to the present invention, the space occupied by the device can be minimized. In addition, the photoresist solution supplied on the substrate can flow well on the substrate.

Claims (9)

상부에 기판이 로딩되며, 일면에 수직한 회전축을 기준으로 회전가능한 지지 플레이트; 및A support plate on which a substrate is loaded and rotatable based on a rotation axis perpendicular to one surface; And 공정진행시 상기 지지 플레이트의 상부에 약액을 공급하는 약액노즐을 포함하되,Including the chemical liquid nozzle for supplying the chemical liquid to the upper portion of the support plate during the process 공정진행시 상기 지지 플레이트는 상기 기판이 지면에 수직 또는 경사지도록 상기 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the support plate supports the substrate so that the substrate is perpendicular or inclined to the ground during the process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 공정진행시 상기 약액노즐은 상기 기판에 대하여 수직하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Wherein the chemical liquid nozzle is disposed perpendicular to the substrate during the process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장치는 상기 지지 플레이트의 하부에 일단이 연결되며, 상기 지지 플레이트를 지지하는 지지축을 더 구비하되,The device is one end is connected to the lower portion of the support plate, further comprising a support shaft for supporting the support plate, 상기 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 일면에 나란한 회전축을 기준으로 회전가능하도록 상기 지지축에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The support plate is substrate processing apparatus, characterized in that connected to the support shaft to be rotatable relative to the axis of rotation parallel to one surface of the support plate. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 장치는,The device, 상기 지지 플레이트를 감싸도록 배치되며, 상부에 개구가 형성되는 용기; 및A container disposed to surround the support plate and having an opening formed thereon; And 상기 지지 플레이트가 상기 개구를 통하여 상기 용기의 상부로 노출되도록 상기 지지축을 승강시키는 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a driver for elevating the support shaft such that the support plate is exposed through the opening to the top of the container. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 약액은 도포 공정을 위한 포토레지스트 용액인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The chemical solution is a substrate processing apparatus, characterized in that the photoresist solution for the coating process. 기판을 지지 플레이트 상에 로딩하고 로딩된 상기 기판을 회전시키는 단계; 및Loading a substrate onto a support plate and rotating the loaded substrate; And 상기 기판의 상부에 약액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하되,Supplying a chemical to the upper portion of the substrate to process the substrate, 상기 기판은 지면과 일정한 각도를 이룬 상태에서 상기 기판에 수직한 회전축을 기준으로 회전하며, 회전하는 상기 기판의 상부에 약액이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And the substrate rotates about a rotation axis perpendicular to the substrate at a predetermined angle with the ground, and the chemical liquid is supplied to the upper portion of the rotating substrate. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 약액을 공급하는 단계는 지면과 일정한 각도를 이루는 상기 기판에 대 하여 수직한 약액노즐을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And supplying the chemical liquid using a chemical liquid nozzle perpendicular to the substrate at an angle to the ground. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 방법은 상기 약액을 공급하는 단계 이후에,The method after the step of supplying the chemical liquid, 상기 지지 플레이트에 나란한 회전축을 기준으로 상기 지지 플레이트를 회전시켜 상기 기판이 지면과 나란하도록 배치하는 단계;Arranging the substrate to be parallel to the ground by rotating the support plate about an axis of rotation parallel to the support plate; 상기 지지 플레이트를 상기 지지 플레이트의 주위를 감싸며 상부에 개구가 형성된 용기의 상부로 노출시키는 단계; 및Exposing the support plate to the top of the container wrapped around the support plate and having an opening formed thereon; And 상기 기판을 언로딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And unloading the substrate. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 약액은 상기 기판의 상부에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 용액인 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And the chemical liquid is a photoresist solution for forming a photoresist film on top of the substrate.
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