KR20080022938A - 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름 - Google Patents

메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름 Download PDF

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KR20080022938A
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김주석
황종대
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삼성코닝정밀유리 주식회사
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Abstract

본 발명은 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름에 관한 것으로, 특히 투명 절연기판 상에 투명도전층을 형성하고, 이 투명도전층 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 투명도전층 상에 접착력 개선 패턴을 형성하고, 도전 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트를 제거함으로써 종래 패턴을 형성하기 위해 반드시 실시하여야만 했던 에칭 공정을 실시하지 않고도 목적하는 패턴을 형성할 수 있으며, 투명도전층과 도전 패턴 사이에 접착력 개선 패턴을 형성함으로써 투명도전층과 도전 패턴간을 더욱 강하게 접착시킬 수 있는 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름에 관한 것이다.
메쉬 필름, PDP 필터, 접착력 개선 패턴, 에칭

Description

메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름 {METHOD OF MESH FILM AND MESH FILM BY THE SAME}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 메쉬 필름의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 메쉬 필름의 사시도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 메쉬 필름의 제조공정 중의 중간 구조물을 도시한 단면도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 설명*
251: 투명 기판 250: 투명 절연기판
260: 투명도전층 270: 포토레지스트층
275: 포토레지스트 패턴 280: 접착력 개선 패턴
290: 도전 패턴 292: 산화층
300: 마스크 310: 투광부
320: 차광부
본 발명은 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름에 관한 것 으로, 특히 종래 패턴을 형성하기 위해 반드시 실시하여야만 했던 에칭 공정을 실시하지 않고도 목적하는 패턴을 형성할 수 있으며, 투명도전층과 도전 패턴 사이에 접착력 개선 패턴을 형성함으로써 투명도전층과 도전 패턴간을 더욱 강하게 접착시킬 수 있는 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름에 관한 것이다.
종래 전자파 차폐용 메쉬필터의 제조방법은 일본공개특허공보 평11-145676호에 기재된 바와 같이 동박을 플라스틱 필름에 접합하고, 그 동박을 마이크로 리소그라피법으로 패턴을 형성하기 때문에 금속을 부식시키는 에칭 공정이 필요하였다. 그러나, 상기 에칭 공정은 동박으로부터 필요한 패턴을 제외한 영역을 에칭하여 제거하기 때문에 재료의 손실이 많이 발생한다는 문제점이 있었다.
한편, 에칭을 하지 않는 방법으로 일본공개특허공보 제2001-284879호에 금속패턴이 형성될 자리를 미리 홈으로 가공하여 이 홈에 도전체를 삽입하는 방법을 사용하였으나, 실제 선폭이 10 ㎛ 정도의 미세한 홈이 되도록 가공하는 기술과 이 홈에 도전체를 삽입하는 공정이 어려워서 현실적인 적용이 어렵다는 문제점이 있다.
또한, 투명기재 표면에 전도성 물질을 인쇄하여 도금하는 방법은 패턴의 선폭을 10 ㎛로 유지하기가 어려워 해상도가 좋은 메쉬 패턴을 만들 수 없었다.
따라서, 보다 비용을 절감할 수 있으며, 간단한 공정으로 정밀한 금속패턴을 형성할 수 있는 방법에 대한 연구가 더욱 필요한 실정이다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 종래 패턴을 형성하기 위해 반드시 실시하여야만 했던 에칭 공정을 실시하지 않고도 목적하는 패턴 을 형성할 수 있으며, 에칭 공정을 실시하지 않아 공정이 단순하고, 금속 등 재료의 부식을 막아 원가를 절감할 수 있는 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 투명도전층과 도전 패턴 사이에 접착력 개선 패턴을 형성함으로써 투명도전층과 도전 패턴간을 더욱 강하게 접착시킬 수 있는 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 해상도가 우수하고 정밀한 도전 패턴을 형성할 수 있는 메쉬 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 메쉬 필름을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명 절연기판을 제공하는 단계; 상기 투명 절연기판 상에 투명도전층을 형성하는 단계; 상기 투명도전층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 투명도전층 상에 접착력 개선 패턴을 형성하는 단계; 상기 접착력 개선 패턴 상에 도전 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 메쉬 필름의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 투명 절연기판; 상기 투명 절연기판 상에 형성된 투명도전층; 상기 투명도전층 상에 형성된 접착력 개선 패턴; 및 상기 접착력 개선 패턴 상에 형성된 도전 패턴을 포함하는 메쉬 필름을 제공한다.
또한 본 발명은 투명 절연기판; 상기 투명 절연기판 상에 형성된 투명도전층; 상기 투명도전층 상에 형성된 접착력 개선 패턴; 및 상기 접착력 개선 패턴 상 에 형성된 도전 패턴으로 구성된 메쉬 필름을 적어도 하나 포함하는 PDP 필터를 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 메쉬 필름은 투명 절연기판 상에 투명도전층을 형성하는 단계, 상기 투명도전층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 투명도전층 상에 접착력 개선 패턴을 형성하는 단계, 상기 접착력 개선 패턴 상에 도전 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계로 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 층 또는 막의 "위", "상", "상부" 또는 "아래", "하부"로 지칭되는 것은 중간에 다른 층 또는 막을 개재한 경우를 포함한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 다른 정의가 없다면, 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름을 도 1 내지 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 메쉬 필름의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름의 사시도들이다.
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름은 투명 절연기판(250), 투명도전층(260), 접착력 개선 패턴(280), 및 도전 패턴(290)을 포함한다.
투명 절연기판(250)은 예를 들어 절연성의 투명 기판만으로 이루어질 수도 있고, 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이 예를 들어 투명 기판(251), 반사 방지층(253) 또는 근적외선 차폐층(255)이 순서에 상관없이 적층되어 형성될 수도 있다. 본 명세서에서는 투명 절연기판(250)이 반사 방지 기능, 근적외선 차폐 기능에 대응하는 별개의 층들로 구성되어 있는 경우를 예시하여 설명하지만, 이에 한정되지 않고 투명 절연기판(250)은 하나 또는 그 이상의 층으로 구성될 수도 있으며, 하나의 층에 반사 방지 기능, 전자파 차폐 기능을 모두를 가질 수도 있고, 이 중 어느 하나의 기능을 가질 수도 있다.
투명 절연기판(250)은 투명 기판(251)의 일면에 형성된 반사 방지층(523)과 투명 기판(251)의 타면에 형성된 근적외선 차폐층(255) 등이 적층된 구조를 가질 수 있다.
투명 기판(251)은 강화 유리, 석영 등의 투명 무기 화학물 성형물 또는 아크릴(acryl), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 투명 유기 고분자 성형물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(251)은 550 ㎚ 파장의 투과율이 적어도 80 % 이상을 갖는 것을 사용할 수 있다.
반사 방지층(253)은 메쉬 필름의 PDP 장치로 입사되는 외부 환경광의 반사를 줄여 PDP 장치의 시인성을 향상시킨다. 반사 방지층(253)은 투명 기판(251)의 양면 중 어느 하나의 면 위에 형성될 수 있고, 예를 들어 메쉬 필름이 PDP 장치에 장착되었을 때에 시청자 측이 되는 면의 투명 기판(251) 위에 형성되는 것이 시인성 향상과 관련하여 더 효율적이다.
근적외선 차폐층(255)은 PDP 장치의 패널 어셈블리에서 발생하여 주위의 무선 전화기나 리모콘 등의 전자 기기의 오동작을 일으키는 강력한 근적외선을 차폐하는 역할을 한다. 근적외선 차폐층(255)은 근적외선 영역의 파장을 흡수하는 근적외선 흡수 색소를 포함한 고분자 수지를 포함한다. 근적외선 흡수 색소로서 예를 들어 시아닌계, 안트라퀴논계, 나프토퀴논계, 프탈로시아닌계, 나프탈로시아닌계, 디이모늄계, 니켈디티올계 등 다양한 성분의 염료를 사용할 수 있다.
도시하지는 않았지만 투명 절연기판(250)은 색보정층을 더 포함할 수 있다. 색보정층은 PDP 장치의 패널 어셈블리로부터 방출되는 가시광의 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 양을 감소시키거나 조절하여 색균형을 변화시키거나 교정한다. 색보정 층은 PDP 장치의 색재현 범위를 증가시키고, 화면의 선명도를 향상시키기 위하여 다양한 색소를 포함할 수 있다. 이러한 색소로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다. 색소의 종류는 안트라퀴논계, 시아닌계, 아조계, 스트릴계, 프탈로시아닌계, 메틴계 등의 네온광 차폐 기능을 가진 염료가 있다.
또한, 도시하지는 않았지만 투명 절연기판(250)을 구성하는 각 층들 사이에는 이들 층들간의 접착을 위한 투명 점착제 또는 접착제층이 형성될 수 있다, 이러한 점착제 또는 접착제층은 예를 들어 아크릴계 접착제, 실리콘계 접착제, 우레탄계 접착제, 폴리비닐부티랄 접착제(PMB), 에틸렌 아세트산비닐계 접착제(EVA), 폴리비닐에테르, 포화무정형 폴리에스테르, 멜라민수지 등을 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 투명 절연기판(250)의 일면, 예를 들어 근적외선 차폐층(255)이 형성되어 있는 측에는 투명도전층(260)이 형성될 수 있다. 투명도전층(260)은 투명 절연기판(250)을 구성하는 비전도성 재료과 도전 패턴(290)을 구성하는 전도성 재료 모두와의 접착력이 좋고, 도전성이 있으면서도 투명성을 갖는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 또는 알루미늄 징크 옥사이드(Al doped Zinc Oxide) 등을 포함한다.
상기 투명도전층(260)은 충분한 전기전도성을 가지기 위해서 투명 절연기판(250) 상에 0.1 내지 0.3 ㎛의 두께로 코팅되는 것이 바람직하며, 그 두께가 0.3 ㎛를 초과할 경우에는 충분한 전기전도성을 가지나, 광학투과율이 저하되고 비용이 증가하게 된다는 문제점이 있다.
이러한 투명도전층(260)은 투명 절연기판(250)과 도전 패턴(290)과의 접착력 이 우수하다. 또한, 투명도전층(260)은 광 투과율이 우수하여 PDP 장치의 패널 어셈블리로부터 출사되는 가시광이 메쉬 필름 투과시 투과율이 저하되는 것을 방지한다. 또한, 투명도전층(260)은 도전성이 있으므로, 투명도전층(260) 자체에서 전자파 차폐 기능을 갖는다.
투명도전층(260) 위에는 접착력 개선 패턴(280)이 형성된다. 접착력 개선 패턴(280)은 투명도전층에 도전 패턴(290) 형성시 접착력을 개선하기 위하여 투명도전층(260)과의 도금이 잘 이루어지고, 밀착력이 우수한 금속을 사용하는 것이 좋다. 이러한 접착력 개선 패턴(280)은 행과 열이 서로 수직 방향으로 교차하는 메쉬 형상 또는 행과 열이 서로 교차하되, 0 또는 90° 이외의 각도로 서로 교차하는 메쉬 형상을 가질 수 있다. 이외에도, 메쉬 필름이 적용되는 PDP 장치의 사양에 따라 접착력 개선 패턴(280)은 스트라이프 형상, 물결 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 접착력 개선 패턴(280)은 구리(Cu), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 또는 팔라듐 합금 등을 포함하며, 특히 금속, 무기, 및 유기 접착시 접착력이 가장 우수한 니켈을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 접착력 개선 패턴(280)은 상기 금속을 도금법으로 형성할 수 있다.
상기 접착력 개선 패턴(280)은 투명도전층(260) 상에 0.01 내지 2 ㎛의 두께로 도금되는 것이 바람직하며, 그 두께가 0.01 ㎛ 미만일 경우에는 접착력 개선효과를 얻기 어렵다는 문제점이 있으며, 2 ㎛를 초과할 경우에는 비용이 증가하게 된 다는 문제점이 있다.
그 다음, 접착력 개선 패턴(280) 위에는 도전 패턴(290)이 형성된다. 도전 패턴(290)은 PDP 장치의 패널 어셈블리에서 발생되는 전자파의 대부분을 흡수하여 전자파를 차폐한다.
도전 패턴(290)은 접착력 개선 패턴(280) 상에 형성되어 행과 열이 서로 수직 방향으로 교차하는 메쉬 형상 또는 행과 열이 서로 교차하되, 0 또는 90° 이외의 각도로 서로 교차하는 메쉬 형상, 스트라이프 형상, 물결 형상 등 접착력 개선 패턴(280)이 형성한 형상을 가지게 된다.
상기 도전 패턴(290)은 도금법에 의해 형성할 수 있으며, 도전 패턴(290)의 두께는 메쉬 필름이 적용되는 PDP 장치의 사양에 따라 다양한 두께를 가질 수 있지만, 예를 들어 약 2 내지 20 ㎛ 일 수 있으며, 전자파 차폐 기능의 관점에서 약 3 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
이러한 도전 패턴(290)은 전도성이 우수하고 화학적으로 안정한 금속이라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
이러한 도전 패턴(290)의 상부에는 흑색의 산화층(292)을 형성할 수 있다. 도전 패턴(290)이 대기 중에 노출되는 경우 도전 패턴(290)과 대기가 반응하여 수분을 형성하고. 도전 패턴(290)이 부식된다. 이로 인해, 도전 패턴(290)과 투명도전층과의 결합력이 약해지게 되고, 심한 경우 도전 패턴(290)이 투명도전층(260)으로부터 박리되게 된다. 따라서, 도전 패턴(280) 상부에 산화층(292)이 형성됨으로 써 수분 형성과 도전 패턴(290)의 부식을 방지할 수 있다. 또한, 이 산화층(292)이 외부로부터 PDP 장치의 내부로 입사되는 외부 환경광을 흡수하게 하여 시청자의 눈부심 현상을 방지하고, PDP 장치의 휘도를 향상시키게 된다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름은 투명도전층(260)을 개재하여 도전 패턴(290)을 투명 절연기판(250)에 단단히 부착할 수 있을 뿐만 아니라, 투명도전층(260) 자체의 전자파 차폐능에 의해 전체 메쉬 필름의 전자파 차폐능을 향상시킬 수 있다.
계속해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름의 제조 방법을 도 1 및 도 3 내지 도 9를 참조하여 설명한다. 도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름의 제조 공정 중의 중간 구조물을 도시한 단면도들이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 우선 투명 절연기판(250)을 제공한다.
투명절연 기판(250)은 절연 재료로 구성된 지지체로서, 예를 들어 절연성의 투명 기판만으로 이루어질 수도 있고, 도 3에 도시한 바와 같이 예를 들어 투명 기판(251), 반사 방지층(253) 또는 근적외선 차폐층(255)이 순서에 상관없이 적층되어 형성될 수 있다. 각각의 층에 대한 설명은 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬 필름에 대한 부분에서 상술했으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음, 도 4에 도시한 바와 같이 투명 절연기판(250)의 일면에 투명도전층(260)을 형성한다.
투명도전층(260)은 예를 들어 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(IZO)로 형성될 수 있다. 이러한 투명도전층(260)을 형성하는 방법으로는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 플라즈마 기상 증착(Plasma Enhanced Chmical Vapor Deposition; PECVD), 또는 스퍼터링(sputtering) 방법 등을 들 수 있다.
예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(ITO) 타겟을 사용한 스퍼터링 방법으로 투명도전층(260)을 형성할 경우 투명 절연기판(250)이 위치하는 진공 챔버 내부의 아르곤 가스 압력은 약 300 sccm이고, 온도는 약 150 ℃이며, 성막 파워는 약 8 kw일 수 있다. 이때, 타겟 주위의 전기장을 형성시키기 위하여 1000 G의 자석을 사용하고, 타켓과 투명 절연기판의 거리를 약 150 ㎜ 유지한 채, 투명도전층(260)이 예를 들어 약 0.1 내지 0.3 ㎛의 두께로 형성될 때까지 스퍼터링을 진행한다.
이어, 도 5에 도시한 바와 같이, 투명도전층(260) 위에 포토레지스트층(270)을 형성한다.
포토레지스트층(270)은 약 10 ㎛ 정도의 두께로 형성한다. 포토레지스층(270)의 형성 방법으로는 스핀코팅(spin-coating), 롤코팅(roll-coating), 또는 슬릿 다이(slit-die or slot die) 등의 방법이 있으며, 또는 DFR(Dry Film Photoresist) 필름을 이용하여 기판에 롤(roll) 접합기로 접합하는 방법도 있다.
포토레지스트층(270)에 포함되는 포토레지스트는 노광되는 부분이 경화되는 네거티브 타입(negative type)의 포토레지스트일 수도 있고, 비노광되는 부분이 경화되는 포지티브 타입(positive type)의 포토레지스트일 수도 있으며, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다.
본 명세서에서는 네거티브 타입의 DFR 필름을 사용하는 경우를 예시하여 설 명하도록 한다. 네거티브 타입의 포토레지스트는 바인더(binder), 감광성 모노머(monomer) 성분, 광개시제, 용매, 분산제 등을 포함한다. 주로 메타크릴산(metacrylic acid) 계열, 아크릴산(acrylic acid) 계열, 크로톤산(crotonic acid) 계열, 또는 말레산(maleic acid) 계열의 바인더를 사용할 수 있으며, 감광성 모노머로는 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 계열 또는 비닐(vinyl) 계열의 모노머를 사용할 수 있다. 광개시제로는 벤조인 에테르(benzoin ether), 아세토페논(acetophenone), 아실포스핀(acylphosphine), 벤조페논(benzophenone), 크산톤(xanthone), 또는 퀴논(quinone) 등을 사용할 수 있다.
이후, 상기한 바와 같은 포토레지스트층(270) 중의 용매를 제거하고 포토레지스트층(270)을 경화하기 위하여 약 80 내지 130 ℃의 온도로 가열 롤러(roller)를 이용하여 DFR 필름을 접합한 후 기판을 상온으로 냉각시킨다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이 포토레지스트층(270)을 패터닝하여 투명도전층(260)의 일부가 노출되도록 하여 포토레지스트 패턴(275)을 완성한다. 여기서, 노출되는 투명도전층(260)은 접착력 개선 패턴(280) 형성 영역에 해당한다.
이를 보다 상세하게 설명하면, 우선 포토레지스트층(270) 위에 광이 투과하는 투광부(310)와 광을 차단하는 차광부(320)을 구비하는 마스크(300)를 위치시키고, 이 마스크(300)를 통해 자외선을 조사하여 포토레지스트층(270)을 선택적으로 노광한다. 이후 빛을 받은 부분의 경화가 충분히 이루어지도록 상온에서 약 30 분 이상 대기하였다가 현상액에 침지시켜 경화되지 못한 부분의 포토레지스트를 제거하여 원하는 패턴을 형성한다.
본 발명에서는 접착력 개선 패턴(280) 및 도전 패턴(290) 형성 이전에 포토레지스트 패턴(275)을 형성하여 이 포토레지스트 패턴(275)에 의해 노출되는 투명도전층(260)에 접착력 개선 패턴(280)을 형성하고, 이 접착력 개선 패턴(280) 상에 도전 패턴(290)을 형성한 다음, 마지막으로 포토레지스트 패턴(275)을 제거함으로써 종래 패턴을 형성하기 위해 반드시 실시하여야만 했던 에칭 공정을 실시하지 않고도 목적하는 패턴을 형성할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 에칭 공정을 실시하지 않음으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 에칭 공정으로 인해 발생하는 금속 등 재료의 부식을 막아 원가를 절감할 수 있는 효과도 있다.
다음, 도 7에 나타낸 바와 같이 상기 포토레지스트 패턴(275)에 의해 노출된 투명도전층(270) 위에 접착력 개선 패턴(280)을 형성한다. 즉, 투명도전층(260)은 접착력 개선 패턴(280)을 형성하고자 하는 영역이 포토레지스트 패턴(275)에 의해 둘러싸여 있고, 이러한 포토레지스트 패턴(275)의 내부를 채움으로써 목적하는 바의 접착력 개선 패턴(280)을 형성할 수 있다. 상기 접착력 개선 패턴(280)은 구리(Cu), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 또는 팔라듐 합금 등으로 형성할 수 있다.
접착력 개선 패턴(280)을 형성하기 위해 도금법을 사용할 수 있다. 투명 절연기판(250), 투명도전층(260) 및 포토레지스트 패턴(275)이 차례로 형성되어 있는 결과물을 도금액에 침지시키고, 도금액에 일정 전류를 흘려주게 되면 포토레지스트 패턴(275)에 의해 노출되어 있는 투명전도층(260) 위에 도금막이 형성되어 접착력 개선 패턴(280)을 완성하게 된다. 즉, 도전성을 갖는 투명도전층(260)에만 선택적 으로 도금막이 형성되게 된다.
예를 들어, 니켈(Ni)을 포함하는 접착력 개선 패턴(280)을 형성하고자 할 경우, 염화니켈, 염산의 도금액에 음극으로 도금하고자 하는 기판을 사용하고, 양극에 Ni 금속을 사용하여 일정 전류를 가하여 도금을 실시한다. 이때 포토레지스트 패턴(175)에 의해 노출되어 있는 투명도전층(260) 상에 니켈을 포함하는 도금막이 형성되게 된다. 이때, 접착력 개선 패턴(280)의 두께는 포토레지스트 패턴(275)의 두께를 넘지 않도록 조절한다.
상기한 바와 같은 도금법에 의해 형성된 접착력 개선 패턴(280)은 투명도전층(260)과의 접착성이 양호하여, 투명도전층(260)과 도전 패턴(280)을 더욱 강하게 접착할 수 있다. 또한, 포토레지스트 패턴(275) 내에서 접착력 개선 패턴(280)과 도전 패턴(290)이 형성되므로 포토레지스트 패턴(275) 내부의 선폭 조절에 의해 목적하는 도전 패턴(290)의 선폭을 제어하기가 용이하다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이 상기 형성된 접착력 개선 패턴(280) 상에 도전 패턴(290)을 형성한다. 즉, 상기 도전 패턴(290)은 포토레지스트 패턴(275)의 내부를 도전성 물질로 채움으로써 목적하는 바의 도전 패턴(290)을 형성할 수 있다. 도전 패턴(290)은 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
도전 패턴(290)의 형성은 상기 접착력 개선 패턴(280) 형성시와 동일한 도금법을 사용할 수 있다. 즉, 투명 절연기판(250), 투명도전층(260), 포토레지스트 패턴(275), 및 접착력 개선 패턴(280)이 차례로 형성되어 있는 결과물을 도금액에 침지시키고, 도금액에 일정 전류를 흘려주게 되면 포토레지스트 패턴(275)에 의해 노출되어 있는 접착력 개선 패턴(280) 위에 도금막이 형성되어 도전 패턴(290)이 형성되게 된다. 즉, 금속으로 이루어져 도전성을 갖는 접착력 개선 패턴(280)에만 선택적으로 도금막이 형성되게 된다.
이어, 도 9에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(275) 내부에 형성되어 있는 도전 패턴(290)을 흑화한다.
흑화라 함은 도전 패턴(290)의 표면을 산화하여 산화층(292)을 형성하는 것을 의미한다. 예를 들어, 구리를 포함하는 도전 패턴(280)을 흑화하고자 하는 경우, CuBlack No.444(한국, 주암도연사 제품)의 원액을 사용하여, 70 ℃에서 약 3 내지 5 분간 흑화 처리를 수행하여 도전 패턴(290)에 산화층(292)을 형성할 수 있다.
도 9의 경우 포토레지스트 패턴(275)이 접착력 개선 패턴(280)과 도전 패턴(290)의 측면을 둘러싸고 있어 도전 패턴(290)의 상부에만 산화층(292)이 형성된다. 도전 패턴(290) 상부에 산화층(282)을 형성함으로써 수분 형성과 도전 패턴(290)의 부식을 방지할 수 있다. 또한, 도전 패턴(290) 상부에 산화층(292)을 형성함으로써 이 산화층(292)이 외부로부터 PDP 장치의 내부로 입사되는 외부 환경광을 흡수하게 하여 시청자의 눈부심 현상을 방지하고, PDP 장치의 휘도를 향상시키게 된다.
마지막으로, 포토레지스트 패턴(275)을 제거하여 도 1과 같은 본 발명의 메쉬 필름을 제조한다.
본 발명의 메쉬 필름은 도 1에 도시하고 앞서 설명한 바와 같이 투명 절연기판(250), 상기 투명 절연기판(250) 상에 형성된 투명도전층(260), 상기 투명도전층(260) 상에 형성된 접착력 개선 패턴(280), 및 상기 접착력 개선 패턴(280) 상에 형성된 도전 패턴(290)을 포함한다. 또한, 상기 도전 패턴(290) 상부에는 산화층(292)이 형성될 수도 있다.
상기와 같은 본 발명의 메쉬 필름은 PDP 장치에 적용되며, 이러한 PDP 장치에는 적어도 한 부분에 구비될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
투명유리에 투명도전층으로 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 스퍼트링 방법으로 코팅하여 0.3 ㎛ 두께의 투명도전층을 형성하였다.
상기 투명도전층 위에 두께 15 ㎛의 DFR 필름을 접합하고, 패턴을 형성할 수 있는 마스크를 대고 자외선을 조사하여 필름을 노광하였다. 상기 노광된 필름을 현상하여 두께가 메쉬 형상의 패턴을 형성하였다.
그 다음, 상기 포토레지스트 필름에 의해 메쉬 형상의 패턴이 형성된 결과물을 염화니켈(Ni) 60 g/ℓ 및 염산 10 g/ℓ을 물에 혼합하여 도금액을 만들었다. 이때, 음극과 양극 사이에 거리를 두고 일정 전류를 도금액에 흘려주어 포토레지스 트에 의해 노출되어 있는 투명도전층 상에 1 ㎛ 두께의 접착력 개선 패턴을 형성하였다. 이때, 접착력 개선 패턴은 포토레지스트 패턴을 넘지 않도록 하였다.
상기 접착력 개선 패턴이 형성된 결과물을 황산 구리 50 g/ℓ, 황산 250 g/ℓ, 염산 50 ppm, 및 레벨링(leveling) 첨가제 20 mL/ℓ이 혼합된 도금액에 넣고, 음극과 양극 사이에 거리를 두고 일정 전류를 도금액에 흘려주어 접착력 개선 패턴에 도전 패턴을 형성하였다. 이때, 도전 패턴은 10 ㎛의 두께가 되도록 하였다.
이후, 남아있는 포토레지스트를 KOH 박리액으로 박리하고, CuBlack No.444(한국, 주암도연사 제품)의 원액을 사용하여 70 ℃에서 약 3∼5 분간 흑화 처리하여 도전 패턴 표면에 산화층을 형성하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 투명도전층을 가진 기판에 접착력 개선 패턴을 도금하지 않고 바로 구리(Cu)를 도금한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 메쉬 필름을 이용하여 접착력을 Tape법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, Tape법은 3M 스카치 테이프를 도금층에 부착한 후 당겼을 때 도금층이 벗겨진 정도를 비교하는 방법으로 실시하였다.
하기 표 1의 접착력은 테이프 부착면적의 0∼10 %까지 벗겨질 때 ◎, 1-∼5- %까지 벗겨질 때 △로 나타내었다.
구분 층 구성 접착력
실시예 1 투명기재/ITO/Ni/Cu/흑화층
비교예 1 투명기재/ITO/Cu/흑화층
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 투명도전층과 도전 패턴 사이에 접착력 개선 패턴을 형성한 실시예 1은 접착력 개선 패턴이 없는 비교예 1과 비교하여 접착력이 우수함을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따르면 종래 패턴을 형성하기 위해 반드시 실시하여야만 했던 에칭 공정을 실시하지 않고도 목적하는 패턴을 우수한 정밀도로 형성할 수 있으며, 에칭 공정을 실시하지 않아 공정이 단순하고, 금속 등 재료의 부식을 막아 원가를 절감할 수 있다. 또한, 투명도전층과 도전 패턴 사이에 접착력 개선 패턴을 형성함으로써 투명도전층과 도전 패턴층을 더욱 강하게 접착시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (15)

  1. 투명 절연기판을 제공하는 단계;
    상기 투명 절연기판 상에 투명도전층을 형성하는 단계;
    상기 투명도전층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 투명도전층 상에 접착력 개선 패턴을 형성하는 단계;
    상기 접착력 개선 패턴 상에 도전 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 메쉬 필름의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 제거 전 또는 후에 상기 도전 패턴 상부에 흑색의 산화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 메쉬 필름의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전층이 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide, IZO), 및 알루미늄 징크 옥사이드(aluminium zinc oxide)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전층의 두께가 0.1 내지 0.3 ㎛인 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴이 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트를 포함하는 메쉬 필름의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접착력 개선 패턴이 구리(Cu), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 팔라듐 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접착력 개선 패턴이 도금법으로 형성되며, 그 두께가 0.01 내지 2 ㎛인 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전 패턴이 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 도전 패턴이 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름의 제조방법.
  10. 투명 절연기판;
    상기 투명 절연기판 상에 형성된 투명도전층;
    상기 투명도전층 상에 형성된 접착력 개선 패턴; 및
    상기 접착력 개선 패턴 상에 형성된 도전 패턴을 포함하는 메쉬 필름.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도전 패턴 상부에 산화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 투명도전층이 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide, IZO), 및 알루미늄 징크 옥사이드(aluminium zinc oxide)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 접착력 개선 패턴이 구리(Cu), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 팔라듐 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 도전 패턴이 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메쉬 필름.
  15. 투명 절연기판; 상기 투명 절연기판 상에 형성된 투명도전층; 상기 투명도전층 상에 형성된 접착력 개선 패턴; 및 상기 접착력 개선 패턴 상에 형성된 도전 패턴으로 구성된 메쉬 필름을 적어도 하나 포함하는 PDP 필터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014054842A1 (ko) * 2012-10-04 2014-04-10 한국기계연구원 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크 및 이의 제조방법
KR101422218B1 (ko) * 2012-10-04 2014-07-30 한국기계연구원 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크 및 이의 제조방법
KR101425995B1 (ko) * 2012-10-04 2014-08-06 한국기계연구원 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크 및 이의 제조방법

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