KR20080020428A - 표면 처리된 면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 구비하는백라이트 유닛 - Google Patents

Abstract

면광원 장치의 몸체를 구성하는 기판 중 적어도 어느 하나에 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층이 형성된다. 상기 표면처리층은 기판 표면에 세슘, 칼륨, 루비듐, 또는 이들의 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 도포한 후, 기판을 열처리하여 산화물 형태로 형성할 수 있다. 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층은 이차전자 방출이 용이하여 면광원 장치의 방전 개시 전압을 낮추며 암흑시동이 개선되고, 방전 효율을 크게 향상시킬 뿐만 아니라 구동 중에 발생되는 발열을 감소시킨다.

면광원, 표면처리, 금속산화물, 이차전자

Description

표면 처리된 면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 백라이트 유닛{SURFACE-TREATED SURFACE LIGHT SOURCE, FABRICATION METHOD THEREOF AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 면광원 장치를 도시한 사시도.

도 2는 도 1의 X-X'선 단면도.

도 3은 도 1의 Y-Y'선 단면도.

도 4는 표면처리층이 형성된 기판을 보인 모식적 단면도.

도 5는 표면처리층을 포함하는 기판의 이차전자 방출 특성을 보인 그래프.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 면광원 장치를 보인 사시도.

도 7은 도 6의 면광원 장치를 보인 측면도.

도 8은 표면처리된 기판을 보인 단면도.

도 9는 도 8의 S 부분 확대도.

도 10은 부가층을 포함하는 표면처리된 기판을 보인 단면도.

도 11은 도 6의 Z-Z'선 단면도.

도 12는 도 11의 A 부분 확대도.

도 13은 본 발명에 따른 다층 구조의 전극부를 보인 단면도.

도 14 내지 16은 본 발명에 따른 전극부의 전극 패턴의 다양한 예를 보인 평 면도.

도 17은 본 발명의 면광원 장치를 포함하는 백라이트 유닛을 보인 전개 사시도.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***

110:광원 몸체 111:표면처리층

120:방전 채널 130:밀봉 부재

140:격벽부 160:전극부

200:면광원 장치 210:제1기판

211:표면처리층 215:부가층

220:제2기판 230:실링 부재

235:스페이서 240:방전 공간

250:제1 표면 전극부 260:제2 표면 전극부

본 발명은 면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히 이차전자 방출 특성이 뛰어난 표면처리층을 구비하는 면광원 장치를 제공한다.

액정표시장치는 액정의 전기적 특성 및 광학적 특성을 이용하여 영상을 디스 플레이한다. 액정표시장치는 음극선관(cathode ray tube; CRT)등에 비하여 부피가 매우 작고 무게가 가벼운 장점을 갖고, 이 결과 휴대용 컴퓨터, 통신 기기, 액정 텔레비젼(liquid crystal television receiver) 및 우주 항공 산업 등에 널리 사용되고 있다.

액정표시장치는 액정을 제어하는 액정 제어부 및 액정에 광을 공급하는 후면 광원을 포함한다. 액정 제어부는 제1 기판에 배치된 화소전극(pixel electrode), 제2 기판에 배치된 공통전극(common electrode) 및 화소전극과 공통전극의 사이에 개재된 액정을 포함한다. 화소전극은 해상도에 대응하여 다수개로 이루어지고, 공통전극은 화소전극과 대향하며 1개로 이루어진다. 각 화소전극에는 서로 다른 레벨을 갖는 화소전압(pixel voltage)을 인가하기 위해 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 연결되고, 공통전극에는 동일한 레벨의 레퍼런스 전압(reference voltage)이 인가된다. 화소 전극 및 공통전극은 도전성을 갖는 투명한 물질로 이루어진다.

후면 광원에서 공급되는 빛은 화소전극, 액정 및 공통전극을 순차적으로 통과한다. 이때, 액정을 통과한 영상의 표시 품질은 후면 광원의 휘도 및 휘도 균일성에 의하여 크게 좌우된다. 일반적으로 휘도 및 휘도 균일성이 높을수록 표시 품질은 양호해진다.

종래 액정표시장치의 후면 광원은 막대 형상을 갖는 냉음극선관 방식 램프(cold cathode fluorescent lamp; CCFL) 또는 도트 형상을 갖는 발광 다이오드(light emitting diode; LED)가 주로 사용되었다. 냉음극선관 방식 램프는 휘도 가 높고 수명이 길으며, 백열등에 비하여 매우 발열량이 매우 작은 장점이 있다. 한편, 발광 다이오드는 소비 전력이 높으나 휘도가 우수한 장점이 있다. 그러나 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드는 휘도 균일성이 취약하다. 따라서, 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드를 광원으로 갖는 후면 광원은 휘도 균일성을 증가시키기 위해 도광판(light guide panel; LGP), 확산 부재(diffusion member) 및 프리즘 시트(prism sheet) 등과 같은 광학 부재(optical member)를 필요로 한다. 이로 인해 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드를 사용하는 액정표시장치는 광학 부재에 의한 부피 및 무게가 크게 증가되는 문제점을 갖는다.

액정표시장치용 후면 광원으로서 평판 형태의 면광원 장치(flat fluorescent lamp : FFL)가 제안된 바 있다.

면광원 장치는 저온에서 구동시 휘도 안정화 시간이 길어지고, 수은의 온도 민감성으로 인하여 면광원 자체의 온도 편차에 따라 휘도 균일도가 떨어지는 문제를 가지고 있다. 그 밖에도, 면광원 장치의 대형화를 위해서는 많은 해결 과제가 남아 있다.

본 발명의 목적은 대면적화에 적합한 새로운 면광원 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 방전 개시 전압이 낮고 휘도 안정화 시간이 감소된 면광원 장치를 제공하는 것이다.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징은 이하에서 보다 상세하게 제시될 것이 다.

본 발명은 제1기판과, 상기 제1기판에 소정 간격으로 대향되며 제1기판과 함께 내부 방전 공간을 형성하는 제2기판과, 상기 방전 공간에 방전 전압을 인가하는 전극부를 포함하며, 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 어느 하나는 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치를 제공한다.

상기 표면처리층은 세슘산화물, 칼륨산화물, 루비듐산화물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 구성될 수 있다.

상기 제1기판과 제2기판 사이에는 적어도 하나의 스페이서가 삽입되어 두 기판 사이를 이격시키며, 두 기판에 의하여 형성되는 내부 방전 공간은 외부와는 밀폐되고 하나의 열린 공간을 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1기판과 제2기판 사이에는 내부 방전 공간을 복수의 독립된 영역으로 구획하는 다수의 격벽을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1기판과 제2기판 중 적어도 어느 하나는 내부 방전 공간을 복수의 독립된 영역으로 구획하도록 굴곡진 형태로 성형될 수도 있다.

본 발명은 또한, 제1기판과 제2기판을 준비하고, 상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 표면에 알칼리 금속 또는 이들의 화합물을 포함하는 표면처리층을 형성하고, 상기 제1기판과 제2기판을 접합하여 밀폐된 방전 공간을 형성하고, 상기 제1기판 및 제2기판에 전극부를 형성하는 단계를 포함하는 면광원 장치 제조 방법을 제공한다.

상기 표면처리층은 제1기판 및 제2기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 알칼리 금속 또는 이를 포함하는 화합물을 도포하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 알칼리 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명은 또한, 제1기판과 제2기판으로 형성되는 밀폐된 방전 공간과, 상기 제1기판 및 제2기판에 방전 전압을 인가하는 전극부, 및 상기 제1기판과 제2기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층을 포함하는 면광원 장치와, 상기 면광원 장치를 수납하는 케이스, 및 상기 전극부에 전압을 인가하는 인버터를 포함하는 초박형 백라이트 유닛을 제공한다.

본 발명에 따른 면광원 장치 및 백라이트 유닛은 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층을 기판 표면에 형성하여 이차전자 방출이 용이하여 방전 개시 전압을 낮추며 암흑 시동이 개선되고, 방전 효율이 크게 향상될 뿐만 아니라 구동 중에 발열의 감소 효과를 얻을 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 면광원 장치(100)를 도시한 사시도로서, 상기 면광원 장치(100)는 광원 몸체(110)와, 광원 몸체(110)의 양측 가장자리 외면에 구비된 전극부(160)를 포함한다.

상기 광원 몸체(110)는 소정 간격을 두고 대향 배치된 제1기판(112) 및 제2 기판(114)을 포함한다. 다수의 격벽부(140)들이 제1기판 및 제2기판 사이에 배치되어, 제1기판과 제2기판 사이의 공간을 복수의 방전 채널(120)로 구획한다. 상기 방 전 채널(120) 및 격벽부(140)는 예를 들어 제1기판(112)을 성형하여 형성할 수 있으며, 제1기판 대신 혹은 추가적으로 제2기판을 성형하여 형성할 수도 있을 것이다. 제1기판(112) 및 제2기판(114)의 가장자리 사이에는 밀봉 부재(130)가 배치되어 상기 방전 채널(120)들을 외부와 격리시킨다. 방전 채널(120) 내부의 방전 공간(150)에는 방전 가스가 주입된다. 도시되지 않았지만 방전 채널(120) 내부에는 형광층과 보호층 등이 더 포함될 수 있으며, 제1기판과 제2기판 중 어느 하나에 반사층이 형성될 수도 있다.

도 1의 X-X'선 단면을 도시한 도 2와 도 1의 Y-Y'선 단면을 도시한 도 3을 참조하면, 본 발명의 면광원 장치는 제1기판(112) 또는 제2기판(114)의 표면에 부가적으로 표면처리층(111)을 포함한다. 이 표면처리층은 이차전자 방출이 용이한 물질을 포함하고 있으며, 바람직하게는 산화물 형태로 존재한다.

도 4는 표면처리층(111)이 형성된 기판(112, 114)을 모식적으로 도시한 것으로서, 기판 표면에 형성된 표면처리층은 예를 들어 세슘(Cs), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 등의 알칼리 금속 산화물을 포함한다. 상기 알칼리 금속 산화물은 타겟을 제조하여 스퍼터링 등의 물리적 증착 방법으로도 형성할 수 있지만, 본 발명에서는 제조 공정을 단순화시키고 대면적 기판에 형성이 용이하도록 도포 방식을 이용한다. 구체적으로는 알칼리 금속을 포함하는 화합물을 습식 방식으로 기판 표면에 도포하고, 열처리를 통하여 기판 표면에 형성된 코팅층의 미세 구조를 산화물 형태로 변화시킨다. 열처리 온도는 기판에 영향을 미치지 않는 범위에서 결정되며 예를 들어 300℃ 내외의 온도의 열을 가하여 표면처리층의 미세 구조를 변화시킬 수 있다.

기판에 알칼리 금속 물질을 도포하기 위한 출발 물질로는 예를 들어, CsSO₄, CsI, KI, RbI 등을 사용할 수 있다. 이들 물질을 유기 또는 무기 용매를 혼합하여 기판 표면에 도포하고, 열처리를 하면 불필요한 물질들이 제거된 산화물 형태의 표면처리층을 얻을 수 있다.

도 5는 본 발명에 따른 면광원 장치에 있어서 표면 처리된 기판의 이차전자 방출 특성을 도시한 그래프이다. 표면 처리 없는 기판(a)의 경우와 비교할 때, KI를 출발물질로 사용하여 K 산화물을 형성한 기판(b)과 CsI를 출발물질로 사용하여 Cs 산화물을 형성한 기판(c)의 경우 면광원 장치의 구동 전압과 관련된 범위(가속 전압 180 ~ 200 eV)에서 이차전자 방출계수가 우수한 것을 알 수 있다.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 면광원 장치(200)를 도시한 사시도이고, 도 7은 측면도이다.

상기 면광원 장치(200)는 평판형 제1기판(210) 및 이와 동일 형상의 평판형 제2기판(220)을 포함한다. 제1기판(210)과 제2기판(220)은 투명한 박판형 유리 기판이 바람직하며, 각각의 두께는 특별한 제한이 없지만 1 ~ 2 mm 내외, 바람직하게는 1 mm 이하의 두께가 적당하다.

제1기판(210)과 제2기판(220)의 내면에는 형광층이 도포되며, 제1기판과 제2기판 중 어느 하나에는 반사막이 더 형성될 수 있다. 제1기판(210)과 제2기판(220)은 소정 간격으로 서로 대향되며, 가장자리에는 프릿(frit) 등의 밀봉 부재(230)가 삽입되거나 별도의 측벽이 설치되어 밀폐 공간을 형성한다.

상기 제1기판(210) 또는 제2기판(220)의 표면에는 도 8에 도시한 바와 같이 표면처리층(211)이 형성된다. 이 표면처리층은 예를 들어 소다라임 유리로 된 기판(210, 220)의 표면에 전술한 알칼리 금속을 포함하는 물질을 형성시켜 이차전자 방출을 용이하게 한 것이다. 알칼리 금속을 포함하는 용액을 기판 표면에 도포하여 기판의 알칼리 이온(예를 들어 Na 이온)과 교환을 통해 기판 표면에 약 1 ~ 20 ㎛ 정도의 두께로 표면처리층을 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 표면처리층(211)은 도 9의 확대도에 도시한 바와 같이 금속 산화물(MO) 형태로 존재하는 것이 바람직하다. 이를 위하여 소정 온도로 기판을 소성하는 단계를 거친다. 산화물로 변화된 표면처리층(211)은 보다 안정적으로 기판 표면에 존재하게 된다. 최초 이온 상태로 침투된 알칼리 금속은 소성 과정을 통해 결정 상태로 변화되어 치밀한 미세 구조의 표면층을 형성한다.

면광원 장치의 구동 중에 상기 표면처리층(211)에서 이차전자가 방출되어 내부 공간에서의 방전이 활발하게 되며, 그 결과 방전 개시 전압이 낮아지고 발광 효율도 향상된다. 또한, 구동 중에 발생되는 열을 감소시켜 면광원 장치의 안정성을 증가시킨다.

상기 표면처리층은 기판(211, 220) 표면에 형성되며 그 위에는 도 10에 도시한 바와 같이 형광층 및/또는 반사막 등의 부가층(215)이 형성될 수 있다.

본 발명의 제2실시예에 따른 면광원 장치는 제1기판과 제2기판에 의하여 형성되는 광원 몸체의 외부 표면에 대면적의 평판형 전극이 형성된다. 도 11은 도 6의 Z-Z'선 단면도이고, 도 12는 도 11의 A부분 확대도로서, 도시된 바에 따르면, 제1기판(210)과 제2기판(220)의 외부 표면에는 각각 제1 표면 전극부(250)와 제2 표면 전극부(260)가 형성되어 있다. 상기 제1 표면 전극부(250)와 제2 표면 전극부(260)는 실질적으로 기판 면적 전체를 커버하는 평판 형태의 면 전극(surface electrode)으로 형성되어 있다.

상기 제1 표면 전극부(250)와 제2 표면 전극부(260) 중 적어도 하나는 광원 몸체로부터 방전에 의하여 출사되는 광의 투과도를 높이기 위해 기판을 노출시키는 개구율(open ratio)이 60% 이상인 것이 바람직하다.

상기 제1기판(210)과 제2기판(220)은 평판형이며, 제1기판과 제2기판 및 밀봉 부재에 의하여 정의되는 내부는, 기존의 면광원 장치에서와 같이 격벽에 의하여 구획되는 개별적인 방전 공간이 아닌, 하나의 열린 구조의 방전 공간(240)을 형성한다. 제1기판과 제2기판 사이의 간격은 기판 면적과 대비할 때 매우 작고 내부 공간이 하나의 열린 구조로 형성되어 진공 배기 및 방전 가스의 주입이 매우 용이하다. 뿐만 아니라, 방전 가스로서 수은 이외의 가스, 예를 들어 제논, 아르곤, 네온, 기타 불활성 가스 또는 이들의 혼합가스 등을 사용하여 면광원 장치를 구성하는데 적합하다.

상기 제1기판(210)과 제2기판(220) 사이의 방전 공간(240)은 스페이서(235)에 의하여 상하 높이가 결정될 수도 있다. 상기 스페이서(235)의 수 및 간격은 면광원 장치로부터 출사되는 광의 휘도 특성을 저해하지 않는 범위에서 정해질 수 있다. 이외에도 상판을 일정부분 성형을 하여 인위적으로 스페이서의 특성을 부가할 수도 있다. 이와 달리 제1기판 또는 제2기판의 내면에 일체적으로 형성되는 돌출 부(미도시)에 의하여 방전 공간(240)의 높이가 정의될 수도 있을 것이다.

본 실시예에 따른 면광원 장치에 있어서, 상기 제1 표면 전극부(250)와 제2 표면 전극부(260)는 투명성 전극(예를 들어 ITO)을 사용할 수도 있으며, 소정 패턴의 전극을 사용할 수 있다. 도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 전극부를 도시한 단면도로서, 도시된 바에 따르면, 하부의 베이스층(252)과, 이 베이스층 위에 형성된 전극 패턴(256) 및 상기 베이스층과 전극 패턴 상에 형성된 보호층의 다층 구조의 전극부를 확인할 수 있다. 상기 베이스층과 보호층은 가시광에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다.

전극 패턴 만을 포함하는 전극부의 경우 유리 기판과의 접합이 어렵고 내구성이 떨어질 수 있는 반면, 상기 다층 구조의 전극부는 기판과의 접합이 용이하고 전극 패턴의 내구성을 확보할 수 있으며 다양한 형태의 전극 패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다.

본 실시예에 따른 면광원 장치에 사용되는 평판형 전극부의 전극 패턴은 다양한 형태가 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 14에 도시된 바와 같은 망목 구조의 패턴이나, 도 15 및 16에 도시된 줄무늬(stripe) 형태의 패턴이 가능하다. 제1기판(210) 및 제2기판(220)에 각각 형성되는 제1 표면 전극부(250)와 제2표면 전극부(260)의 각 전극 패턴 형태를 서로 다르게 하여 면광원 장치의 방전 특성을 변화시킬 수 있을 것이다.

도 17은 본 발명의 일실시예에 따른 면광원 장치를 포함하는 백라이트 유닛을 나타낸 분해 사시도이다. 도시된 바에 따르면, 백라이트 유닛은 면광원(200), 상부 및 하부 케이스(1100, 1200), 광학 시트(900) 및 인버터(1300)를 포함한다. 상기 하부 케이스(1200)는 면광원(200)을 수납하기 위하여 바닥부(1210) 및 바닥부(1210)의 가장자리로부터 수납 공간을 형성하기 위해 연장된 복수의 측벽부(1220)로 이루어진다. 상기 면광원(200)은 하부 케이스(1200)의 수납 공간에 수납된다.

상기 인버터(1300)는 하부 케이스(1200)의 배면에 배치되며, 면광원(200)을 구동하기 위한 방전 전압을 발생시킨다. 인버터(1300)로부터 발생된 방전 전압은 제 1 및 제 2 전원선(1352, 1354)을 통해 면광원(200)의 전극부에 각각 인가된다. 상기 광학 시트(900)는 면광원(200)으로부터 출사되는 광을 균일하게 확산시키기 위한 확산판과, 확산된 광에 직진성을 부여하기 위한 프리즘 시트 등으로 이루어질 수 있다. 상부 케이스(1100)는 하부 케이스(1200)에 결합되어 면광원(200)과 광학 시트(900)를 지지한다. 상부 케이스(1100)는 면광원(200)이 하부 케이스(1200)로부터 이탈되는 것을 방지한다.

도시된 바와는 달리, 상기 상부 케이스(1100) 및 하부 케이스(1200)는 하나의 일체형 케이스로 형성될 수도 있다. 한편, 본 발명에 따른 백라이트 유닛은 면광원 장치의 휘도 및 휘도 균일도가 우수하므로 광학 시트(900)를 포함하지 않을 수도 있다.

이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범 위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.

본 발명에 따른 면광원 장치 및 백라이트 유닛은 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층이 형성되어 있으므로 이차전자 방출이 용이하여 방전 개시 전압을 낮추며 암흑 시동이 개선된다. 특히 이차전자방출층의 형성이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있으며 대량생산에 유리하다.

Claims (18)

1. 제1기판과,

   상기 제1기판에 소정 간격으로 대향되며 제1기판과 함께 내부 방전 공간을 형성하는 제2기판과,

   상기 방전 공간에 방전 전압을 인가하는 전극부를 포함하며,

   상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 어느 하나는 알칼리 금속 산화물층으로 구성되는 표면처리층을 포함하는 것을 특징으로 하는

   면광원 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 금속 산화물층은 세슘산화물, 칼륨산화물, 류비듐산화물 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 표면처리층의 두께는 1 ~ 20 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 표면처리층은 제1기판 또는 제2기판의 알카리 이온이 다른 알칼리 물질과 이온교환된 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 전극부는 제1기판 및 제2기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 전체적으로 형성된 평판형 면 전극인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 전극부는 베이스층과, 상기 베이스 층 상면에 형성된 전극 패턴, 및 상기 전극 패턴 상부에 형성된 보호층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 베이스층 및 보호층은 가시광에 대하여 투과성인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
8. 제6항에 있어서, 상기 전극부는 상기 제1기판 또는 제2기판을 노출시키는 개구율이 60% 이상인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판은 하나의 열린 구조의 내부 방전 공간을 형성하며, 상기 방전 공간에는 수은을 배제한 방전 가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판 사이에는 적어도 하나의 스페이서가 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
11. 제1항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판 사이에는 내부 방전 공간을 복수의 독립된 영역으로 구획하는 다수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
12. 제1항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판 중 적어도 어느 하나는 내부 방전 공간을 복수의 독립된 영역으로 구획하도록 굴곡진 형태로 성형되어 있는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
13. 제12항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판의 표면에는 외부 전극이 형성되어 있는 면광원 장치.
14. 제13항에 있어서, 상기 표면처리층은 상기 외부 전극에 대응하는 상기 제1기판 및 제2기판의 내면에 형성되어 있는 면광원 장치.
15. 제1기판과 제2기판을 준비하고,

    상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 하나의 표면에 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층을 형성하고,

    상기 제1기판과 제2기판을 접합하여 밀폐된 방전 공간을 형성하고,

    상기 제1기판 및 제2기판에 전극부를 형성하는 단계를 포함하는

    면광원 장치 제조 방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 표면처리층은 제1기판 및 제2기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 알칼리 금속을 포함하는 물질을 도포하는 단계와,

    상기 기판을 열처리하여 알칼리 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는

    면광원 장치 제조 방법.
17. 제1기판과 제2기판으로 형성되는 밀폐된 방전 공간과, 상기 제1기판 및 제2기판에 방전 전압을 인가하는 전극부, 및 상기 제1기판과 제2기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 알칼리 금속 산화물을 포함하는 표면처리층을 포함하는 면광원 장치와,

    상기 면광원 장치를 수납하는 케이스, 및

    상기 전극부에 전압을 인가하는 인버터를 포함하는

    초박형 백라이트 유닛.
18. 제17항에 있어서, 상기 표면처리층은 세슘산화물, 칼륨산화물, 루비듐산화물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.

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