KR20080012635A - 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치 - Google Patents

기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치 Download PDF

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KR20080012635A
KR20080012635A KR1020060073777A KR20060073777A KR20080012635A KR 20080012635 A KR20080012635 A KR 20080012635A KR 1020060073777 A KR1020060073777 A KR 1020060073777A KR 20060073777 A KR20060073777 A KR 20060073777A KR 20080012635 A KR20080012635 A KR 20080012635A
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alcohol
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한정남
홍창기
이근택
이효산
이몽섭
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삼성전자주식회사
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Abstract

기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 제공한다. 기판 건조 방법을 제공한다. 상기 기판 건조 방법은 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제공하는 단계; 상기 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하는 단계; 및 상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스하는 단계를 구비한다. 이로써, 기판 상에 잔존하는 물을 충분히 제거하여 물반점을 억제할 뿐 아니라, 상기 물로 인한 미세 패턴의 기울어짐을 방지할 수 있다.

Description

기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치 {Method of drying substrate, and apparatus for performing the same}
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 2는 도 1b의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
도 4a 내지 도 4g은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다.
도 8a 및 도 8b는 실험예 및 비교예에 따른 스토리지 노드 전극들을 각각 나타낸 사진들이다.
본 발명은 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 기판을 세정한 후 기판으로부터 물을 제거하기 위한 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 증착공정, 사진공정, 식각공정 등의 단위공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조된다. 상기 각 단위공정을 수행하기 전 또는 수행한 후, 기판 상에 잔류하는 잔류물 및 파티클을 제거하기 위해 상기 기판을 세정 한 후 건조한다. 상기 세정공정은 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 수행하는 것이 일반적이고, 상기 건조공정은 상기 세정된 기판 상에 잔존하는 물을 제거하는 공정이다. 상기 건조공정이 불완전하게 수행되는 경우, 상기 기판 상에 국부적으로 물방울이 잔존할 수 있다. 이러한 물방울이 공기중에 노출되는 경우 상기 물방울 내에 산소가 녹아들고, 녹아든 산소는 상기 기판 표면의 실리콘과 결합하여 산화 실리콘을 형성하고, 이러한 산화 실리콘은 상기 기판 표면에 소위 물반점이라는 결함을 생성한다. 이러한 물반점은 후속하는 증착공정에서 상기 기판 상에 증착되는 막과 상기 기판의 사이의 부착불량을 유발할 수 있다. 이러한 부착불량은 절연막의 불충분한 갭필(gap-fill), 콘택저항의 증가 등을 유발시킬 수 있어, 심각한 문제로 대두되고 있다.
한편, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라, 반도체 기판 상에 더욱더 미세한 패턴들을 형성하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 즉, 패턴들의 점유 면적은 감소됨과 동시에 상기 패턴들의 높이는 증가하고 있으며, 상기 패턴들 사이의 간격 또한 감소하고 있다. 이러한 미세 패턴이 형성된 기판을 탈이온수가 함유된 세정액을 사용하여 세정한 후, 상기 세정된 기판 상에 잔존하는 물을 제거하는 건조공정에서 모세관 현상에 의해 상기 미세한 패턴들 사이에 물로 인한 인력이 작용할 수 있다. 이 경우 상기 패턴들의 기울어짐(leaning)이 발생하고 나아가 상기 패턴들이 서로 만나 브릿지(bridge)를 형성하는 등의 전기적 결함이 유발될 수 있다. 이는 상기 미세 패턴들의 점유 면적 감소와 높이 증가에 따라 더욱 빈번하게 발생될 수 있다. 특히, 디램과 같은 메모리 소자에서 셀 캐패시터의 경우, 고집적화를 위해 점유면적의 감소와 고캐패시턴스를 위해 수직면적의 증가가 요구되는데, 이를 동시에 만족시키기 위해 단일 실린더 스토리지(One Cylinder Storage; OCS)형 노드 전극이 사용되고 있다. 이러한 단일 실린더 스토리지형 노드 전극의 경우 점유면적에 비해 높이가 커서 패턴 기울어짐 또는 브릿지로 인한 오류발생 가능성이 매우 높다.
이를 해결하기 위한 하나의 방법으로 마란고니 효과(marangoni effect)를 이용한 기판 건조 방법이 연구되고 있다. 구체적으로, 탈이온수가 담겨진 배쓰(bath)에 기판을 투입하여 세정한 후, 상기 탈이온수의 수면 상으로 이소프로필알콜(Isopropyl alcohol, IPA)을 분사하면서, 상기 기판에 대해 상기 탈이온수의 수면을 상대적으로 낮추어 상기 기판 표면에 상기 탈이온수와 상기 이소프로필알콜 이 만나는 계면을 형성한다. 상기 이소프로필알콜은 상기 탈이온수에 비해 표면장력이 낮아 상기 탈이온수와 상기 이소프로필알콜이 만나는 계면에는 마란고니 현상이 유발되고, 그 결과 상기 기판 표면으로부터 물과 파티클이 제거될 수 있다.
그러나, 상기 이소프로필알콜은 상기 탈이온수와 혼합될 수 있어, 상술한 마란고니 효과를 이용한 기판 건조 후에도 기판 상에 물이 잔존할 수 있다. 따라서, 이소프로필알콜 만을 사용한 기판 건조는 물제거에 있어 한계를 가질 수 밖에 없다. 따라서, 여전히 물반점이 생성될 수 있으며, 미세 패턴의 기울어짐 현상이 나타날 수 밖에 없다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판을 세정한 후 잔존하는 물을 충분히 제거하여 물반점을 억제할 뿐 아니라, 상기 물로 인한 미세 패턴의 기울어짐 을 방지할 수 있는 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 실시예는 기판 건조 방법을 제공한다. 상기 기판 건조 방법은 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제공하는 단계; 상기 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하는 단계; 및 상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스하는 단계를 구비한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 실시예는 기판 건조 장치를 제공한다. 상기 기판 건조 장치는 린스조 및 건조조를 구비한다. 상기 린스조는 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하기 위한 배쓰이고, 상기 건조조는 상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스하기 위한 배쓰이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이고, 도 2는 도 1b의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
먼저, 도 1a 및 도 3을 참조하면, 기판(W)은 베이스 기판(100) 및 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된 패턴(102)을 구비한다. 상기 패턴(102)은 습식식각법 또는 건식식각법을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 패턴(102)은 콘택홀을 구비하는 절연막 패턴일 수 있다. 상기 패턴(102)을 형성하기 위한 식각 공정 수행 후, 상기 기판(W) 상에 잔존하는 잔류물 및 파티클을 제거하기 위해 상기 기판(W)을 탈이온수(deionized water; DI water)를 함유하는 세정액을 사용하여 세정한다.
본 실시예에서는 절연막 내에 콘택홀을 형성한 경우를 예로 들어 설명하지 만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 반도체 제조공정에서 각 단위공정을 수행하기 전 또는 수행한 후, 기판 상에 잔류하는 잔류물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하고 건조하는 모든 경우에 적용될 수 있다.
상기 세정된 기판(W)을 제1 건조제(R1)를 사용하여 1차 린스한다(S10). 상기 제1 건조제(R1)는 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유한다.
상기 유기불소계 화합물은 표면장력이 비교적 낮고, 증기압(vapor pressure)이 비교적 높아 자연 건조시에도 빠른 건조가 가능하다. 또한, 상기 유기불소계 화합물의 경우, 상기 세정액에 함유된 물과 거의 섞이지 않을뿐더러 물보다 비중이 커서 건조될 때 물을 치환하면서(또는 끌어올리면서) 건조될 수 있어 건조속도를 증가시킬 수 있다. 이러한 유기불소계 화합물은 HFE(HydroFluoroEther), HFC(HydroFluoroCarbon), PFC(PerFluoroCarbon) 또는 이들의 복합물일 수 있다. 상기 HFE는 (CF3)3COCH3 또는 (CF3)3COC2H5 일 수 있고, 상기 HFC는 CF3(CHF)2CF2CF3일 수 있으며, 상기 PFC는 C6F14일 수 있다.
상기 알코올은 물보다 증기압이 높으면서 물과 섞일 수 있어 상기 제1 건조제(R1)의 물 제거력을 더 높일 수 있다. 물 제거력의 향상과 후속하는 공정에서 알코올의 제거 효율을 모두 고려할 때, 상기 알코올은 1중량% 내지 70중량%로 함유되는 것이 바람직하다. 상기 알코올은 이소프로필알코올(isopropylalcohol), 에탄올(ethanol) 또는 메탄올(methanol)일 수 있다. 바람직하게는 상기 알코올은 이소 프로필알코올이다.
상기 제1 건조제(R1)은 액체 또는 기체일 수 있다. 상기 제1 건조제(R1)가 액체인 경우 상기 1차 린스 단계(S10)는 불활성 기체 분위기에서 수행될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다. 또한, 상기 제1 건조제(R1)의 온도는 적절한 표면장력 및 휘발성을 고려할 때 15도 이상 끓는점 이하일 수 있다.
도 1b, 도2 및 도 3을 참조하면, 상기 1차 린스된 기판(W)을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제(R2) 즉, 제2 건조제(R2)를 사용하여 2차 린스한다. 구체적으로, 상기 기판(W)을 상기 제1 건조제(R1)와 분리시키고(또는 이와 동시에), 상기 기판(W) 상에 제2 건조제(R2)를 공급할 수 있다. 상기 기판(W)이 상기 제1 건조제(R1)와 분리될 때, 상기 기판(W) 상에 탈이온수, 유기불소계 화합물 및 알코올의 혼합층(103)이 잔존할 수 있다. 상기 잔존하는 혼합층(103) 내의 물 및 알코올은 상기 제2 건조제(R2) 즉, 상기 유기불소계 화합물 용제와 만남으로써 상기 유기불소계 화합물 용제 속으로 흘러들어가 제거될 수 있다. 상기 1차 린스 단계(S20) 또한 불활성 기체 분위기에서 수행될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다. 또한, 상기 제2 건조제(R2)의 온도는 적절한 표면장력 및 휘발성을 고려할 때 15도 이상 끓는점 이하일 수 있다.
상기 제2 유기불소계 화합물은 HFE(HydroFluoroEther), HFC(HydroFluoroCarbon) 및 PFC(PerFluoroCarbon)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유할 수 있다. 상기 제2 유기불소계 화합물은 상기 제1 유기불소계 화합물과 같은 것일 수도 있고 다른 것일 수도 있다. 일 실시예로서, 상기 제1 유기불소계 화합물은 상기 알코올과 섞일 수 있는 유기불소계 화합물일 수 있고, 상기 제2 유기불소계 화합물은 상기 알코올과 섞이지 않는 유기불소계 화합물일 수 있다. 따라서, 상기 제2 유기불소계 화합물은 상기 기판(W) 상에 잔존하는 제1 유기불소계 화합물에 섞여 상기 혼합층(103)에 침투하되, 물 및 알코올과 거의 섞이지 않고 물 및 알코올보다 비중이 커서 물 및 알코올을 치환하면서(또는 끌어올리면서) 건조될 수 있다. 결과적으로, 상기 기판(W) 상에 잔존하는 물 및 알코올의 제거속도를 증가시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 유기불소계 화합물은 HFE일 수 있고, 상기 제2 유기불소계 화합물은 PFC일 수 있다.
상기 제2 건조제(R2)는 물이 제거된 용제인 것이 바람직하다. 이를 위해, 상기 제2 건조제(R2)를 기판 상에 공급하기 전에 흡습제를 함유하는 필터를 통과시킬 수 있다. 또한, 상기 기판(W) 상에 상기 제2 건조제(R2)를 계속적으로 새롭게 공급하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 기판(W)으로부터 상기 제2 건조제(R2) 속으로 흘러들어간 물 및 알코올을 상기 제2 건조제(R2)로부터도 제거할 수 있고, 그에 따라 상기 기판(W) 상에 잔존하던 물 및 알코올을 더 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 상기 2차 린스단계가 수행되는 배쓰(bath) 내에 흡습제를 설치하여, 상 기 제2 건조제(R2) 속으로 흘러들어간 물 및 알코올을 효과적으로 제거할 수 있다. 상기 흡습제는 제올라이트(zeolite), 탄산 칼슘(CaCO3), 황산 마그네슘(MgSO4) 또는 황산 칼슘(CaSO4)을 함유할 수 있다.
이 후, 상기 기판(W)을 상기 제2 건조제(R2)와 분리시킨 후, 상기 기판(W)을 건조한다(S30). 이 때, 상기 기판(W) 상에 물 및 알코올이 제거된 유기불소계 화합물층이 잔존할 수 있는데, 상술한 바와 같이 상기 유기불소계 화합물의 증기압이 비교적 높아 빠른 건조가 가능하다. 또한, 상기 유기불소계 화합물층 내에는 물 및 알코올이 거의 없으므로, 물반점이 생길 가능성은 거의 없다.
도 4a 내지 도 4g은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4a을 참조하면, 베이스 기판(200)이 제공된다. 상기 베이스 기판(200) 상에는 모스 트랜지스터(미도시)가 형성되어 있을 수 있다.
상기 베이스 기판(200) 상에 층간 절연막(202)을 적층한다. 상기 층간 절연막(202)은 예를 들어, 실리콘 산화막일 수 있다. 상기 층간 절연막(202) 내에 상기 모스 트랜지스터의 소오스 영역(미도시) 또는 드레인 영역(미도시)에 전기적으로 접속하는 콘택 플러그(204)를 형성한다. 자세하게는, 상기 층간 절연막(202) 내에 상기 소오스 영역 또는 드레인 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 플러그 도전막을 적층한 후, 상기 플러그 도전막을 화 학적 기계적 연마 또는 에치백함으로써, 상기 콘택 플러그(204)를 형성할 수 있다.
상기 콘택 플러그(204) 및 상기 층간 절연막(202) 상에 식각 저지막(206) 및 몰드 절연막(208)을 순차적으로 적층한다. 상기 몰드 절연막(208)의 적층 두께에 따라 후술하는 스토리지 노드 전극의 높이가 결정될 수 있다. 상기 몰드 절연막(208)은 실리콘 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 식각 저지막(206)은 상기 몰드 절연막(208)에 대해 식각 선택비를 가지는 막으로, 상기 층간 절연막(202)을 보호할 목적으로 형성된다. 상기 몰드 절연막(208)을 실리콘 산화막으로 형성하는 경우, 상기 식각 저지막(206)은 실리콘 질화막(silicon nitride) 또는 실리콘 산질화막(silicon oxynitride)으로 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 몰드 절연막(208) 상에 포토레지스트 패턴(250)을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴(250)을 마스크로 하여 상기 몰드 절연막(208) 및 상기 식각 저지막(206)를 식각하여, 상기 몰드 절연막(208) 및 상기 식각 저지막(206) 내에 상기 콘택 플러그(204)를 노출시키는 콘택홀 형태의 전극 영역(208a)을 한정한다. 상기 몰드 절연막(208) 및 상기 식각 저지막(206)을 식각하는 것은 비등방성 식각이 가능한 건식식각법을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다.
도 4c을 참조하면, 상기 전극 영역(208a)의 측벽 상에 노출된 상기 몰드 절연막(208)을 등방성 식각한다. 상기 등방성 식각은 습식식각인 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 전극 영역(208a)은 항아리 형태로 되어, 상기 전극 영역(208a)의 내부 평면적은 증가될 수 있다. 이는 후술하는 스토리지 노드 전극의 표면적의 증가로 이어질 수 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 항아리 형태의 전극 영역(208a)의 바닥면과 측벽 및 상기 몰드 절연막(208) 상부를 따라 소정 두께의 스토리지 도전막(212)을 적층한다. 상기 스토리지 도전막(212)은 도핑된 폴리실리콘, Ti, TiN, TaN, W, WN, Ru, Pt, Ir 또는 이들의 다중층을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 스토리지 도전막(212) 상에 버퍼 절연막(214)을 적층한다. 상기 버퍼 절연막(214)은 상기 전극 영역(208a) 내부를 채우도록 형성한다. 바람직하게는 상기 버퍼 절연막(214)은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 사용하여 형성한다. 상기 버퍼 절연막(214)은 실리콘 산화막인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 몰드 절연막(208)과 비슷한 식각 선택비를 갖는 실리콘 산화막인 것이 바람직하다.
도 4e를 참조하면, 상기 버퍼 절연막(214) 및 상기 스토리지 도전막(212)을 상기 몰드 절연막(208)의 표면이 노출될 때까지 평탄화 식각한다. 상기 평탄화 식각은 화학적 기계적 연마 또는 에치백(etchback)일 수 있다. 그 결과, 상기 전극 영역(208a)의 바닥면 및 측벽을 덮는 실린더 형태의 스토리지 노드 전극(212a)이 형성된다.
도 4f을 참조하면, 상기 전극 영역(208a) 내부의 버퍼 절연막(214) 및 상기 몰드 절연막(208)을 제거한다. 상기 버퍼 절연막(214) 및 상기 몰드 절연막(208)을 제거하는 것은 습식식각액을 사용하여 수행할 수 있다. 상기 습식식각액은 희석화된 불산(HF)용액 또는 BOE(Buffered Oxide Etch)용액일 수 있다. 그 결과, 실린더 형태의 스토리지 노드 전극(212a)의 내부 표면 및 외측 표면들이 노출되고, 상기 스토리지 노드 전극(212a)의 주변에 상기 식각 저지막(206)이 노출된다. 즉, 기판(100) 상에 미세 패턴의 일 예인 스토리지 노드 전극(112a)의 형성이 완료된다.
이어서, 상기 기판(200) 상에 잔존하는 습식식각액을 제거하기 위해 상기 기판을 탈이온수(deionized water)를 함유하는 세정액을 사용하여 세정한다. 그 후, 상기 세정된 기판(200)을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 제1 건조제를 사용하여 1차 린스한다(도 3의 S10). 상기 1차 린스된 기판(200)을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제 즉, 제2 건조제를 사용하여 2차 린스한다(도 3의 S20). 그 결과, 상기 기판(200) 상에는 물 및 알코올이 거의 완전히 제거된 유기불소계 화합물층(150) 만이 잔존할 수 있다. 이러한 단계들 즉, 1차 및 2차 린스 단계(도 3의 S10 및 S20)에 대한 자세한 설명은 도 1a, 도 1b, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 실시예의 해당부분을 참조하기로 한다.
이 후, 상기 기판(200)을 건조한다. 이 때, 상술한 바와 같이 상기 유기불소계 화합물의 증기압이 비교적 높아 빠른 건조가 가능하다. 이와 더불어, 상기 유기불소계 화합물층(150) 내에는 물 및 알코올이 거의 없으므로, 상기 유기불소계 화합물층(150)의 표면장력(Fs)은 유기불소계 화합물에 의해서만 좌우될 수 있다. 따라서, 상기 유기불소계 화합물층(150)이 증발되어 제거될 때, 유기불소계 화합물의 매우 낮은 표면장력으로 인해 상기 스토리지 노드 전극(212a)의 기울어짐(leaning)이나 그들 사이의 브릿지(bridge) 발생을 최소화할 수 있다.
이에 대해 구체적으로 살펴보면, 상기 스토리지 노드 전극들(212a)의 기울어 짐(leaning)이 발생할 확률은 하기 수학식들로 나타낼 수 있다.
Figure 112006056132063-PAT00001
Figure 112006056132063-PAT00002
상기 수학식들에서, P는 기울어짐 발생 확률이고, Fs는 스토리지 노드 전극들(212a) 사이에 형성된 액막(W)의 표면장력(surface tension)이고, Fe는 스토리지 노드 전극(212a)의 전단 및 굽힘력(shear and bending force)이며, x는 스토리지 노드 전극(212a)의 변형 거리이며, D는 스토리지 노드 전극(212a)간의 간격(D)이고, γ는 액막(W)의 표면장력 계수(surface tension coefficient)이고, θ는 스토리지 노드 전극(212a)에 대한 액막(W)의 접촉각이며, L은 스토리지 노드 전극(212a)의 폭이며, H는 스토리지 노드 전극(212a)의 높이이며, E는 영스 계수(Young's coefficient)이고, I는 수평단면의 관성 모멘텀이다.
상기 수학식들을 참조하면, 스토리지 노드 전극(212a)의 높이(H)가 증가할수록 또한, 스토리지 노드 전극들(212a) 사이의 간격(D)이 줄어들수록 기울어짐 발생 확률은 높아진다. 그런데, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 스토리지 노드 전극들 사이의 간격은 줄어드는 추세에 있고, 또한 캐패시턴스를 높이기 위해 스토리지 노드 전극의 높이는 증가되는 추세에 있다. 따라서, 상기 스토리지 노드 전극의 기울어짐 발생확률(P)은 더욱 높아질 수 있다.
그러나, 상기 유기불소계 화합물의 표면장력(Fs)은 매우 낮아, 상기 스토리지 노드 전극(212a)의 높이가 증가되고 상기 스토리지 노드 전극들(212a) 사이의 간격(D)이 줄어드는 경우에도 상기 스토리지 노드 전극(212a)의 기울어짐 발생 확률(P)을 현저하게 낮출 수 있다.
도 4g을 참조하면, 건조된 기판(200) 상에 위치하는 상기 스토리지 노드 전극(212a) 상에 공지의 방법을 사용하여 유전막(미도시)을 형성하고, 상기 유전막 상에 플레이트 전극(미도시)을 형성한다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다. 본 실시예에 따른 기판 건조 방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 및 도 1b을 참조하여 설명한 기판 건조 방법과 유사하다.
도 5a를 참조하면, 린스조(rinse bath)와 건조조(dry bath)의 역할을 모두 수행하는 배쓰(bath; 44)가 제공된다. 상기 배쓰(44)는 밀폐된 것일 수 있다. 상기 배쓰(44)의 천정 근처에 노즐(N)이 배치될 수 있다. 상기 배쓰(44)에 제1 공급관(44a), 제1 배출관(44b), 제2 공급관(44c) 및 제2 배출관(44d)이 연결될 수 있다. 각 관들(44a, 44b, 44c, 44d)에는 제1 내지 제4 밸브들(V1, V2, V3, V4)이 각각 설치될 수 있다.
상기 제2 배출관(44d)과 상기 제2 공급관(44c)은 서로 연결될 수 있다. 이 때, 상기 제2 배출관(44d)과 상기 제2 공급관(44c) 사이에 펌프(P) 및 필터(F)가 설치될 수 있다. 상기 필터(F) 내에는 흡습제가 위치할 수 있다. 이에 더하여, 상기 제2 배출관(44d)과 상기 필터(F) 사이에 제3 공급관(44e)이 더 연결될 수 있다. 상기 제3 공급관(44e)에는 제5 밸브(V5)가 설치될 수 있다.
이하, 상술한 장치를 사용하여 기판을 건조하는 방법을 설명한다.
먼저, 상기 기판(W)이 기판홀더(H)에 의해 지지된 채 상기 배쓰(44) 내에 로딩된다. 상기 기판(W)은 도 1a를 참조하여 설명한 바와 같이, 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판일 수 있다. 상기 기판(W)이 배치(batch) 타입 또는 낱장 단위로 로딩될 수 있으며, 낱장 단위로 로딩될 경우 도시된 바와는 달리 눕혀져서 로딩될 수 있다.
상기 제1 밸브(V1)가 열리면 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 제1 건조제(R1)가 상기 제1 공급관(44a) 및 상기 노즐(N)을 통해 상기 배쓰(44) 내로 공급된다. 그 결과, 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판(W)은 제1 건조제(R1)를 사용하여 린스될 수 있다(도 3의 S10), 상기 제1 건조제(R1)는 액체 또는 기체일 수 있으나, 상기 제1 건조제(R1)가 액체인 경우 상기 제1 건조제(R1) 상부는 불활성 기체분위기로 유지될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 제1 밸브(V1)를 잠그고 상기 제2 밸브(V2)를 열어 상기 배쓰(44) 내의 제1 건조제(R1)를 상기 배쓰(44)로부터 모두 배출(drain)시킨 후, 상기 제2 밸브(V2)를 잠근다. 이 때, 상기 기판(W) 상에는 탈이온수, 유기불소계 화합물 및 알코올의 혼합층(도 2의 103)이 잔존할 수 있다. 상기 배쓰(44) 내부가 상술한 바와 같이 불활성 기체 분위기일 경우, 상기 제1 건조제(R1)를 상기 배쓰(44)로부터 배출시키더라도 상기 기판(W)은 산소가 포함된 공기에 노출되지 않을 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 1차 린스된 기판(W) 상에 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제 즉, 제2 건조제(R2)를 공급한다. 구체적으로, 상기 제5 밸브(V5) 및 상기 제3 밸브(V3)를 열어 상기 제3 공급관(44e), 상기 제2 공급관(44c) 및 상기 노즐(N)을 통해 상기 제2 건조제(R2)를 공급한다. 이 때, 상기 제2 건조제(R2)는 상기 필터(F)를 통과함으로써 제2 건조제(R2) 즉, 유기불소계 화합물 용제 내의 물이 제거될 수 있다. 따라서, 상기 1차 린스된 기판(W)에 공급되는 유기불소계 화합물 용제(R2)는 물이 제거된 용제일 수 있다.
상기 공급된 제2 건조제(R2) 내에 상기 기판(W)이 침지됨으로써, 상기 1차 린스된 기판(W)이 제2 건조제(R2)에 의해 2차 린스된다(도 3의 S20). 이 때, 상기 잔존하는 혼합층(도 2의 103) 내의 물 및 알코올은 상기 제2 건조제(R2) 즉, 상기 유기불소계 화합물 용제와 만남으로써 상기 유기불소계 화합물 용제 속으로 흘러들어가 제거될 수 있다.
물 및 알코올을 보다 효과적으로 제거하기 위해 상기 제2 건조제(R2)는 상기 기판(W) 상에 계속적으로 새롭게 공급되는 것이 바람직한데, 이를 위해 상기 제2 건조제(R2)가 상기 배쓰(44) 내에 일정 정도 채워진 후, 상기 제2 건조제(R2)를 상기 제3 공급관(44e) 및 상기 제2 공급관(44c)을 통해 계속적으로 공급함과 동시에 상기 제2 밸브(V2)를 열어 상기 배쓰(44) 내에 채워진 상기 제2 건조제(R2)를 상기 제1 배출관(44b)을 통해 배출시킬 수 있다.
이와는 달리, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 건조제(R2)가 상기 배쓰(44) 내에 일정 정도 채워진 후, 제5 밸브(V5)를 닫고 제4 밸브(V4)를 열어 상기 제2 배출관(44d)를 통해 상기 배쓰(44)로부터 상기 제2 건조제(R2)를 배출시킨다. 배출된 제2 건조제(R2)는 상기 펌프(P) 및 상기 필터(F)를 거치면서 물 및 알코올이 제거된 후, 다시 상기 제2 공급관(44c)을 통해 상기 배쓰(44) 내로 공급될 수 있다. 이 경우, 유기불소계 화합물 용제의 소모량을 줄일 수 있다.
상기 2차 린스 단계에서도 상기 제2 건조제(R2) 상부는 불활성 기체분위기로 유지될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다.
이 후, 상기 기판(W)을 상기 배쓰(44) 외부로 언로딩한다. 이 때, 상기 기판(W) 상에는 물 및 알코올이 거의 완전히 제거된 유기불소계 화합물층 만이 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 기판(W) 상에 물반점 불량 또는 패턴 기울어짐이 생길 가능성은 매우 낮다. 이 후, 상기 언로딩된 기판(W)을 건조하여 상기 유기불소계 화합물층을 제거한다(도 2의 S30). 이를 위해, 상기 언로딩된 기판(W)을 자연건조할 수 있다. 이 때, 상술한 바와 같이 상기 유기불소계 화합물의 증기압이 비교적 높아 빠른 건조가 가능하다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다. 본 실시예에 따른 기판 건조 방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 및 도 1b을 참조하여 설명한 기판 건조 방법과 유사하다.
도 6a를 참조하면, 린스조(rinse bath)와 건조조(dry bath)의 역할을 모두 수행하는 내부 배쓰(inner bath; 45)가 제공된다. 상기 내부 배쓰(45)의 외곽부에 외부 배쓰(outer bath; 46)가 배치된다. 상기 내부 배쓰(45)의 천정 근처에 노즐(N)이 배치될 수 있다. 상기 내부 배쓰(45)에 제1 공급관(45a) 및 제2 공급관(45b)이 연결될 수 있고, 상기 외부 배쓰(46)에 제1 배출관(46a) 및 제2 배출관(46b)이 연결될 수 있다. 상기 내부 배쓰(45)의 측벽의 상단부에 상기 측벽을 관통하는 관통구(45c)들이 설치될 수 있다. 상기 제1 공급관(45a), 상기 제1 배출 관(46a), 상기 제2 공급관(45b) 및 제2 배출관(46b)에는 제1 밸브(V1), 제2 밸브(V2), 제3 밸브(V3) 및 제4 밸브(V4)가 각각 설치될 수 있다.
상기 제2 배출관(46b)과 상기 제2 공급관(45b)은 서로 연결될 수 있다. 이 때, 상기 제2 배출관(46b)과 상기 제2 공급관(45b) 사이에 펌프(P) 및 필터(F)가 설치될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제2 배출관(46b)과 상기 필터(F) 사이에 제3 공급관(45c)이 더 연결될 수 있다. 상기 제3 공급관(45c)에는 제5 밸브(V5)가 설치될 수 있다.
이하, 상술한 장치를 사용하여 기판을 건조하는 방법을 설명한다.
먼저, 상기 기판(W)이 기판홀더(H)에 의해 지지된 채 상기 내부 배쓰(45) 내에 로딩된다. 상기 기판(W)은 도 1a를 참조하여 설명한 바와 같이, 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판일 수 있다.
이 후, 상기 제1 밸브(V1)가 열리면 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 제1 건조제(R1)가 상기 제1 공급관(45a) 및 상기 노즐(N)을 통해 상기 내부 배쓰(45) 내로 공급된다. 그 결과, 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판(W)은 제1 건조제(R1)를 사용하여 린스될 수 있다(도 3의 S10). 상기 제1 건조제(R1)는 액체 또는 기체일 수 있다. 상기 제1 건조제(R1)가 액체인 경우 상기 제1 건조제(R1) 상부는 불활성 기체분위기로 유지될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 제1 밸브(V1)를 잠그고 상기 제5 밸브(V5) 및 상기 제3 밸브(V3)를 열어, 상기 내부 배쓰(45) 내에 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제 즉, 제2 건조제(R2)를 공급한다. 이로써, 상기 내부 배쓰(45) 내에 상기 제1 건조제(R1)와 상기 제2 건조제(R2)의 혼합액이 채워진다. 이 때, 상기 제2 건조제(R2)는 상기 필터(F)를 통과함으로써 상기 제2 건조제(R2) 즉, 상기 유기불소계 화합물 용제 내의 물이 제거될 수 있다. 따라서, 상기 내부 배쓰(45) 내에 공급되는 유기불소계 화합물 용제(R2)는 물이 제거된 용제일 수 있다.
상기 제1 건조제(R1)와 상기 제2 건조제(R2)의 혼합액이 상기 내부 배쓰(45) 내에 일정 정도 채워져 상기 관통구(45c)를 통해 상기 외부 배쓰(46)로 넘쳐흐르게(overflow) 되면, 상기 제2 밸브(V2)를 열어 상기 외부 배쓰(46) 내에 채워진 상기 제1 건조제(R1)와 상기 제2 건조제(R2)의 혼합액을 상기 제1 배출관(46a)을 통해 배출시킬 수 있다. 그 후, 계속적으로 상기 내부 배쓰(45) 내에 제2 건조제(R2)를 공급하면, 상기 내부 배쓰(45) 내에는 상기 제2 건조제(R2)로 채워지게 된다. 따라서, 상기 제1 건조제(R1)에 의해 1차 린스된 기판(W)이 서서히 제2 건조제(R2)에 의해 2차 린스될 수 있다(도 3의 S20). 이 때, 상기 기판(W) 상에 잔존할 수 있는 물 및 알코올은 상기 제2 건조제(R2) 즉, 상기 유기불소계 화합물 용제와 만남으로써 상기 유기불소계 화합물 용제 속으로 서서히 흘러들어가 제거될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 상기 제2 밸브(V2) 및 상기 제5 밸브(V5)를 닫고, 상기 제4 밸브(V4)를 열어 상기 외부 배쓰(46)로부터 상기 제2 배출관(46b)를 통해 상기 제2 건조제(R2)를 배출시키고, 배출된 제2 건조제(R2)는 펌프(P) 및 필터(F)를 거치면서 물 및 알코올이 제거된 후, 다시 상기 제2 공급관(45b)을 통해 상기 상기 내부 배쓰(45)로 공급될 수 있다. 이 경우, 유기불소계 화합물 용제의 소모량을 줄일 수 있다.
상기 2차 린스 단계에서도 상기 제2 건조제(R2) 상부는 불활성 기체분위기로 유지될 수 있다. 상기 불활성 기체는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다.
이 후, 상기 기판(W)을 상기 배쓰들(45, 46) 외부로 언로딩한다. 이 때, 상기 기판(W) 상에는 물 및 알코올이 거의 완전히 제거된 유기불소계 화합물층 만이 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 기판(W) 상에 물반점 불량 또는 패턴 기울어짐이 생길 가능성은 매우 낮다. 이 후, 상기 언로딩된 기판(W)을 건조하여 상기 유기불소계 화합물층을 제거한다(도 2의 S30). 이를 위해, 상기 언로딩된 기판(W)을 자연건조할 수 있다. 이 때, 상술한 바와 같이 상기 유기불소계 화합물의 증기압이 비교적 높아 빠른 건조가 가능하다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 건조 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 건조 장치를 나타낸 개략도들이다. 본 실시예에 따른 기판 건조 방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 및 도 1b을 참조하여 설명한 기판 건조 방법과 유사하다.
도 7a를 참조하면, 린스 공정을 수행하는 린스조(41)와 건조 공정을 수행하는 건조조(43)가 옆으로 배열된다. 상기 린스조(41)와 상기 건조조(43) 상에 상기 린스조(41)과 상기 건조조(43)을 연결하는 연결통로(42)가 위치할 수 있다. 상기 린스조(41)과 상기 연결통로(42)는 제1 분리벽(D1)에 의해 분리되며, 상기 연결통로(42)와 상기 건조조(43)는 제2 분리벽(D2)에 의해 분리될 수 있다. 상기 건조조(43)의 적어도 한 부분에 흡습제(50)가 배치된다.
탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판(W)이 기판홀더(H)에 의해 지지된 채 상기 린스조(41) 내로 로딩되고, 상기 린스조(41) 내에 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제(R1)가 공급된다. 따라서, 상기 기판(W)은 상기 건조제(R1)에 의해 린스될 수 있다(도 3의 S10).
이 때, 상기 건조제(R1) 상부의 공간 및/또는 상기 연결통로(42) 내부는 불활성 기체 분위기로 유지될 수 있다. 또한, 상기 건조조(43) 내부는 진공으로 유지될 수 있다. 이 경우, 후술하는 기판 이동과정에서 상기 기판(W)은 산소를 포함한 공기중에 노출되지 않을 수 있으며, 상기 진공 분위기로 유지되는 건조조(43) 내부에는 물이 전혀 남아 있지 않을 수 있다. 이와는 달리, 상기 건조조(43) 내부또한 불활성 기체 분위기로 유지될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 제1 분리벽(D1)을 이동시킨 후, 소정의 승강수단(미도시)을 사용하여 상기 기판홀더(H)를 승강시키고, 상기 제1 분리벽(D1)을 원위치시킴으로써, 상기 기판(W)을 상기 제1 분리벽(D1) 상에 또는 상기 연결통로(42)의 다른 부분 상에 안착시킨다.
도 7c를 참조하면, 상기 기판(W)을 기판 이동 수단(미도시)에 의해 상기 연결통로(42) 내에서 상기 건조 챔버(43) 상부로 이동시킨다. 상기 제2 분리벽(D2)을 이동시키고, 소정의 하강수단(미도시)을 사용하여 상기 기판홀더(H)를 하강시킨 후, 상기 제2 분리벽(D2)을 원위치시킨다.
이 후, 상기 건조 챔버(43) 내에 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제 즉, 제2 건조제(R2)를 공급한다. 상기 제2 건조제(R2)는 물이 제거된 용제일 수 있다. 상기 공급된 제2 건조제(R2) 내에 상기 기판(W)이 침지됨으로써, 상기 1차 린스된 기판(W)이 제2 건조제(R2)에 의해 2차 린스된다(도 3의 S20). 이 때, 상기 기판 상에 잔존하는 물 및 알코올은 상기 제2 건조제(R2) 즉, 상기 유기불소계 화합물 용제와 만남으로써 상기 유기불소계 화합물 용제 속으로 흘러들어가 제거될 수 있다.
물 및 알코올을 보다 효과적으로 제거하기 위해 상기 제2 건조제(R2)는 상기 기판(W) 상에 계속적으로 새롭게 공급되는 것이 바람직한데, 이를 위해 상기 제2 건조제(R2)는 상기 건조조(43) 내에 계속적으로 공급됨과 동시에 상기 건조조(43)로부터 계속적으로 배출될 수 있다. 이에 더하여, 배출된 제2 건조제(R2)는 펌프(미도시) 및 필터(미도시)를 거치면서 물 및 알코올이 제거된 후, 다시 상기 건조조(43) 내로 공급될 수 있다. 이 경우, 유기불소계 화합물 용제의 소모량을 줄일 수 있다.
이 후, 상기 기판(W)을 상기 건조조(43) 외부로 언로딩한다. 이 때, 상기 기판(W) 상에는 물 및 알코올이 거의 완전히 제거된 유기불소계 화합물층 만이 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 기판(W) 상에 물반점 또는 패턴 기울어짐이 생길 가능성은 매우 낮다. 이 후, 상기 언로딩된 기판(W)을 건조하여 상기 유기불소계 화합물층을 제거한다(도 3의 S30). 이를 위해, 상기 언로딩된 기판(W)을 자연건조할 수 있다. 이 때, 상술한 바와 같이 상기 유기불소계 화합물의 증기압이 비교적 높아 빠른 건조가 가능하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)들을 제시한다. 다만, 하기의 실험예들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예들에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실험예>
도 4a 내지 도 4e를 참조하여 설명한 제조방법에 따라 기판 상에 구조물을 형성하고, 상기 기판에 BOE용액을 가하여 전극 영역 내부의 버퍼 절연막 및 몰드 절연막을 제거하였다. 상기 기판을 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정하였다. 그 후, 상기 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 제1 건조제를 사용하여 1차 린스하였다. 상기 제1 건조제 내에서 상기 알코올의 함유량은 5중량%이었다. 상기 1차 린스된 기판을 물이 제거된 유기불소계 화합물 용제 즉, 제2 건조제를 사용하여 2차 린스하였다. 이 후, 상기 기판을 자연건조함으로써 기판 상에 스토리지 노드 전극을 형성하였다.
<비교예>
제2 건조제를 사용하여 2차 린스한 것을 제외하고는 실험예와 동일한 방법으로 기판 상에 스토리지 노드 전극을 형성하였다.
도 8a 및 도 8b는 실험예 및 비교예에 따른 스토리지 노드 전극들을 각각 나타낸 사진들이다.
도 8a를 참조하면, 스토리지 노드 전극들 사이의 간격이 균일함을 알 수 있다.
그러나 도 8b를 참조하면, 스토리지 노드 전극들 사이의 간격들이 불균일함을 알 수 있다. 구체적으로, 상기 스토리지 노드 전극들 사이의 간격이 넓은 부분들에 불규칙한 사선들이 나타난다. 즉, 상기 스토리지 노드 전극들의 기울어짐이 발생하여 노드 전극들 사이의 간격 불균일이 나타났다. 이는 제1 건조제를 사용하 여 1차 린스한 후 바로 자연건조한 경우로서, 기판 상에 물 및 알코올이 잔존하여 발생한 결과이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하고, 상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스함으로써, 기판 상에 잔존하는 물을 충분히 제거하여 물반점을 억제할 뿐 아니라, 상기 물로 인한 미세 패턴의 기울어짐을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (20)

  1. 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하는 단계; 및
    상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기불소계 화합물 용제는 물이 제거된 용제인 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기불소계 화합물 용제는 계속적으로 새롭게 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 유기불소계 화합물은 HFE(HydroFluoroEther), HFC(HydroFluoroCarbon) 및 PFC(PerFluoroCarbon)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 유기불소계 화합물은 HFE(HydroFluoroEther), HFC(HydroFluoroCarbon) 및 PFC(PerFluoroCarbon)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 유기불소계 화합물은 상기 알코올과 섞일 수 있고, 상기 제2 유기불소계 화합물은 상기 알코올과 섞이지 않는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 유기불소계 화합물은 HFE이고, 상기 제2 유기불소계 화합물은 PFC인 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 알코올은 이소프로필알코올(isopropyl alchol), 에탄올(ethanol) 또는 메탄올(methanol)인 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 2차 린스 단계에서, 흡습제를 사용하여 상기 유기불소계 화합물 용제 내의 물을 흡수하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 흡습제는 제올라이트(zeolite), 탄산 칼슘(CaCO3), 황산 마그네슘(MgSO4) 또는 황산 칼슘(CaSO4)을 함유하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 1차 린스 단계 및 상기 2차 린스 단계는 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 방법.
  12. 탈이온수를 함유하는 세정액을 사용하여 세정된 기판을 제1 유기불소계 화합물 및 알코올을 함유하는 건조제를 사용하여 1차 린스하는 린스조; 및
    상기 1차 린스된 기판을 제2 유기불소계 화합물을 함유하는 유기불소계 화합물 용제를 사용하여 2차 린스하는 건조조를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유기불소계 화합물 용제는 상기 건조조에 공급되기 전 필터를 거침으로써 물이 제거되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 유기불소계 화합물 용제는 계속적으로 새롭게 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 건조조의 적어도 한 부분에 흡습제가 배치된 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 흡습제는 제올라이트(zeolite), 탄산 칼슘(CaCO3), 황산 마그네슘(MgSO4) 또는 황산 칼슘(CaSO4)을 함유하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 린스조 및 상기 건조조의 내부는 불활성 기체 분위기인 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 린스조 및 상기 건조조는 하나의 배쓰(bath)인 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 린스조 및 상기 건조조는 서로 분리되고,
    상기 린스조와 상기 건조조 사이에 상기 기판이 운반되는 연결통로가 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 연결통로 내부는 불활성 기체 분위기인 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.
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