KR20080010231A - 전계발광소자의 구동방법 - Google Patents

전계발광소자의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 전계발광소자의 구동방법은, 제2트랜지스터의 문턱전압(Vth)보다 제2트랜지스터의 게이트에 연결된 노드(Vy)와 제1전극에 연결된 노드(Vx)에 높은 전압이 형성되도록 제2트랜지스터의 제2전극에 연결된 제1전원단(Vcom)에 문턱전압(Vth)보다 높은 전압을 공급하는 초기화 단계; 문턱전압 저장단계; 및 데이터라인에 임의전압(Vvar)을 공급하고 문턱전압(Vth), 데이터전압(Vdata), 제1전원단(Vcom) 및 임의전압(Vvar)의 관계식 "Vth - Vdata - Vcom + Vvar" 이 되도록 하는 전압 값을 제2트랜지스터의 게이트에 공급하여 발광부의 발광을 선택하도록 하는 발광 단계를 포함한다.
전계발광소자, 구동방법, 문턱전압

Description

전계발광소자의 구동방법{Driving Method for Light Emitting Device}
도 1은 본 발명에 따른 전계발광소자의 회로구성도.
도 2는 도 1의 회로로 구성된 전계발광표시장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 전계발광소자의 구동 타이밍도.
도 4a 및 4b는 초기화 단계와 문턱전압 저장단계에 따른 동작예시도.
도 4c 및 4d는 N-1번째부터 N번째까지의 데이터전압 저장단계에 따른 동작예시도.
도 5a 및 5b는 가장 어두운 밝기에 따른 동작예시도.
도 5c 및 5d는 가장 밝은 밝기에 따른 동작예시도.
본 발명은 전계발광소자의 구동방법에 관한 것이다.
전계발광표시장치에 사용되는 전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다. 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 나눌 수 있었다.
유기전계발광소자는 전자(election) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
전계발광소자를 구동하는 구동 회로들은 저온 폴리실리콘(LTPS) TFT(Thin Film Transistor)를 이용한 방식들이 주로 제안되어 왔으며, 이와 관련된 구동방식으로는 크게 전류구동, 전압구동, 그리고 디지털 구동 방식 등이 있었다.
전계발광소자를 이용한 표시장치는 휴대폰, PDA 등과 같은 소형 휴대기기를 목적으로 비정질 실리콘(amorphous silicon) TFT를 이용한 픽셀(pixel) 구조 및 구동(driving) 방식은 극히 제한적인 상황을 요구하였다.
종래 전계발광소자는 2개의 TFT 소자와 1개의 저장 커패시터로 구성된 픽셀 구조에 공급된 스캔신호와 데이터신호에 의해 유기 발광다이오드가 발광하였다.
이는 각각의 동작 모드에 따라 패널(Panel) 내의 모든 발광다이오드의 캐소드 단자 전압을 동시에 스위칭(Switching)하는 방식을 사용하였다. 이와 같은 구조는 일반적으로 발광다이오드의 캐소드와 애노드 양단 간에 역방향 전압이 공급되어 발광다이오드에 전류가 흐르지 않는 경우, 발광다이오드는 기생 커패시턴스 성분으로만 작용하게 되었다. 이러한 기생 커패시턴스 성분의 크기는 전계발광소자의 적층구조, 사용된 물질 등에 따라 다양한 크기를 가질 수 있다. 기생 커패시턴스는 수백 pF에서 수 nF의 크기를 가질 수 있는데, 종래 제안된 방식의 경우 이처럼 전 계발광소자에 존재하는 기생 커패시턴스 값이 클 경우에 정상적인 동작을 보장할 수 없다는 단점이 있었다.
이는 전계발광소자의 기생 커패시턴스가 작은 소자들에만 응용이 가능하다는 제약이 따랐고, 기생 커패시턴스가 클 경우 전원전압(VDDEL)의 스위칭 시 픽셀 구조의 안정적인 동작을 방해하여 표시품질이 저하되는 문제를 유발하였다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 전계발광소자를 안정적으로 구동하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 구동방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따른 전계발광소자의 구동방법은, 제2트랜지스터의 문턱전압(Vth)보다 제2트랜지스터의 게이트에 연결된 노드(Vy)와 제1전극에 연결된 노드(Vx)에 높은 전압이 형성되도록 제2트랜지스터의 제2전극에 연결된 제1전원단(Vcom)에 문턱전압(Vth)보다 높은 전압을 공급하는 초기화 단계; 노드(Vy) 및 노드(Vx)의 전압을 제2트랜지스터를 통해 방전시켜 제2트랜지스터가 턴 오프되는 시점인 문턱전압(Vth)을 커패시터에 저장하는 문턱전압 저장단계; 데이터라인으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이에 해당하는 데이터 값(Vth-(Vdata))을 커패시터에 저장하는 데이터전압 저장단계; 및 데이터라인에 임의전압(Vvar)을 공급하고 문턱전압(Vth), 데이터전압(Vdata), 제1전원단(Vcom) 및 임의전압(Vvar)의 관계식 "Vth - Vdata - Vcom + Vvar" 이 되도록 하는 전압 값을 제2트랜지스터의 게이트에 공급하여 발광부의 발광을 선택하도록 하 는 발광 단계를 포함한다.
발광 단계에서, 제2트랜지스터의 게이트에 입력된 전압 값이 문턱전압(Vth)보다 상대적으로 클 때 발광부가 발광할 수 있다.
임의전압(Vvar)은, 선형적인 파형으로 공급하거나 2차 또는 루트(root) 함수의 궤적을 따르는 형태의 파형으로 공급할 수 있고, 발광부는 임의전압(Vvar) 값에 따라 밝기가 달라질 수 있다.
발광 단계에서, 임의전압(Vvar) 값이 가장 큰 것은 제1전압(Vtop)이고, 가장 낮은 것은 제2전압(Vbot)로 구분하며, 임의전압(Vvar) 값이 제1전압(Vtop)에 대응될 때, 발광부의 밝기가 가장 밝아 질 수 있다.
각 단계에서는, 스캔라인으로부터 공급된 스캔신호가 해당하는 픽셀을 선택할 때는 그라운드 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 나머지 픽셀들에는 그라운드 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급할 수 있다.
제1전원단(Vcom)은, 초기화 단계에서는 그라운드 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 문턱전압 저장단계와 데이터전압 저장단계에서는 그라운드 레벨을 갖도록 공급하며, 발광 단계에서는 그라운드 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급할 수 있다.
초기화 단계에서는, 제1트랜지스터를 턴 오프 시키고, 데이터라인으로 공급되는 데이터신호를 제1전원단(Vcom)에 공급된 전압과 유사하게 공급하여, 제2트랜지스터를 턴 온 시키고, 노드(Vx)가 "제1전원(Vcom) - 문턱전압(Vth)" 만큼 충전되도록 할 수 있다.
문턱전압 저장단계에서는, 제1전원단(Vcom), 제2전원단 및 데이터라인에 동일한 전압을 공급하고, 스캔라인으로부터 공급된 스캔신호가 제1트랜지스터를 턴온 시킬 수 있도록 할 수 있다.
발광 단계에서, 제2트랜지스터의 게이트와 제1전극 또는 제2전극 사이에 역 바이어스(reverse bias)를 공급하여 제2트랜지스터의 변화된 문턱전압(Vth)을 복원 또는 보상할 수 있다.
발광부는, 유기 발광다이오드일 수 있다.
<일실시예>
도 1은 본 발명에 따른 전계발광소자의 회로구성도이고, 도 2는 도 1의 회로로 구성된 전계발광표시장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전계발광소자(100)는, 스캔라인(SCAN)에 제1트랜지스터(T1)의 게이트가 연결된다. 데이터라인(DATA)에 커패시터(Cs)의 일단이 연결되며, 그 타단은 제1트랜지스터(T1)의 제1전극에 연결된다. 커패시터(Cs)의 타단에는 제2트랜지스터(T2)의 게이트가 연결된다. 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에는 제1전원단(Vcom)이 연결된다. 제2전원단(VDD)에는 유기 발광다이오드인 발광부(OLED)의 일단이 연결되며 그 타단은 제2트랜지스터(T2)의 제1전극 및 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 연결된다.
제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 비정질 실리콘으로 형성될 수 있고, 도면 상에는 NMOS트랜지스터 타입으로 도시하였지만, PMOS트랜지스터 타입으로 도 형성 가능함은 물론이다.
제1전원단(Vcom)은, 그라운드(GND)레벨 이하의 전압 레벨과 그라운드(GND)레벨 이상의 전압 레벨 사이에서 스위칭이 가능하고, 제2전원단(VDD)은, 그라운드(GND)레벨 이상의 전압 레벨을 갖고, 어느 일 시점에서는 특정 전압 레벨로 고정 가능하다. 덧붙여, 본 발명에서는 발광부(OLED)가 유기물을 포함하는 유기 발광다이오드로 형성되나 이에 한정되지 않는다.
제1트랜지스터(T1)는 스위치로 동작하는 스위칭트랜지스터이며, 제2트랜지스터(T2)는 밝기에 비례하는 전류를 발광부(OLED)에 공급하는 역할을 하는 구동트랜지스터일 수 있다.
그리고 커패시터(Cs)는 동작 중 제2트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)과 표현하고자 하는 밝기에 해당하는 데이터전압(Vdata)과의 차이를 저장하는 역할을 할 수 있다.
도 1에 도시된 전계발광소자(100)는 제2트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)보다 제2트랜지스터(T2)의 게이트에 연결된 노드(Vy)와 제1전극에 연결된 노드(Vx)에 높은 전압이 형성되도록 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 연결된 제1전원단(Vcom)에 문턱전압(Vth)보다 높은 전압을 공급하여 초기화를 할 수 있다.
그리고 데이터라인(DATA)에 임의전압(Vvar)을 공급하고 문턱전압(Vth), 데이터전압(Vdata), 제1전원단(Vcom) 및 임의전압(Vvar)의 관계식 "Vth - Vdata - Vcom + Vvar" 이 되도록 하는 전압 값을 제2트랜지스터(T2)의 게이트에 공급하여 발광부(OLED)의 발광을 선택할 수 있다.
설명을 덧붙이자면, 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vdata), 제1전원단(Vcom)에 공급된 전압 레벨 및 이후 데이터라인(DATA)으로 공급된 임의전압(Vvar) 보다 문턱전압(Vth)이 커야만 발광부(OLED)가 발광할 수 있다.
도 2을 참조하면, 본 발명에 따른 전계발광소자를 이용한 표시장치(200)가 도시되어 있다. 도시된 바와 같은 표시장치(200)에는 소자를 구동하기 위한 데이터드라이버(DATA Driver IC)와 스캔드라이버(SCAN Driver IC)가 포함된다.
데이터드라이버(DATA Driver IC)에서는 프로그램될 데이터전압(Vdata)을 각각의 서브픽셀(Sub-pixel)에 공급하는 역할과 스윕(SWEEP) 신호를 공급하는 역할 등을 할 수 있다.
여기서, 스윕 신호는 일종의 임의전압(Vvar)으로 이 전압 값에 의해 각 서브픽셀(Sub-pixel)의 발광여부가 정해질 수 있으며 밝기 및 시간을 조절할 수 있다.
스캔드라이버(SCAN Driver IC)에서는 각 서브픽셀(Sub-Pixel)에 스캔신호를 생성하여 입력하는 역할을 하며, 이 스캔신호에 의해 각 서브픽셀(Sub-pixel)들은 순차적으로 선택될 수 있다.
위와 같은 전계발광소자의 구동방법은 이하 도시된 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 전계발광소자의 구동 타이밍도 이고, 도 4a 및 4b는 초기화 단계와 문턱전압 저장단계에 따른 동작예시도 이며, 도 4c 및 4d는 N-1번째부터 N번째까지의 데이터전압 저장단계에 따른 동작예시도 이며, 도 5a 및 5b는 가장 어 두운 밝기에 따른 동작예시도 이고, 도 5c 및 5d는 가장 밝은 밝기에 따른 동작예시도 이다.
본 발명에 따른 전계발광소자의 구동방법은 도 1과 도 3 내지 도 5d를 참조하여 설명한다.
초기화 단계는, 제2트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)보다 제2트랜지스터(T2)의 게이트에 연결된 노드(Vy)와 제1전극에 연결된 노드(Vx)에 높은 전압이 형성되도록 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 연결된 제1전원단(Vcom)에 문턱전압(Vth)보다 높은 전압을 공급하는 단계이다. 도 4a에 도시한 동작예시도를 참조한다.
초기화 단계에서는, 제1트랜지스터(T1)를 턴 오프 시키고, 데이터라인(DATA)으로 공급되는 데이터신호를 제1전원단(Vcom)에 공급된 전압과 유사하게 공급하여, 제2트랜지스터(T2)를 턴 온 시키고, 노드(Vx)가 "제1전원(Vcom) - 문턱전압(Vth)" 만큼 충전되도록 할 수 있다.
여기서, 스캔라인(SCAN)으로 공급되는 스캔신호는 그라운드(GND) 레벨 이하로 설정되어 각 서브 픽셀(Sub-pixel)에 연결된 제1트랜지스터(T1)은 턴 오프 되어 있다.
도시된 도 3에는 데이터라인(DATA)과 제1전원단(Vcom)에 공급된 전압이 10V로 되어 있지만, 제2트랜지스터(T2)를 턴 온 할 수 있다면 이 전압 값에 한정되지 않는다. 그리고, 스캔라인(SCAN)으로 공급되는 전압이 -12V로 되어 있지만, 제1트랜지스터(T1)을 턴 오프 할 수 있다면 이 전압 값에 한정되지 않는다.
문턱전압 저장단계는, 노드(Vy) 및 노드(Vx)의 전압을 제2트랜지스터(T2)를 통해 방전시켜 제2트랜지스터(T2)가 턴 오프되는 시점인 문턱전압(Vth)을 커패시터(Cs)에 저장하는 단계이다. 도 4b에 도시한 동작예시도를 참조한다.
문턱전압 저장단계에서는, 제1전원단(Vcom), 제2전원단(VDD) 및 데이터라인(DATA)에 동일한 전압을 공급하고, 스캔라인(SCAN)으로부터 공급된 스캔신호가 제1트랜지스터(T1)를 턴온 시킬 수 있도록 할 수 있다.
이때, 각 서브 픽셀(Sub-pixel)에 연결된 제1트랜지스터(T1)은 모두 턴 온 되어 문턱전압(Vth)을 커패시터(Cs)에 저장할 수 있다. 스캔라인(SCAN)으로부터 공급된 전압이 10V로 되어 있지만, 제1트랜지스터(T1)을 턴 온 할 수 있다면 이 전압 값에 한정되지 않는다.
그리고 이때, 제1전원단(Vcom), 제2전원단(VDD) 및 데이터라인(DATA)에 동일한 전압이 0V로 되어 있지만, 이에 한정되지 않는다.
데이터전압 저장단계는, 데이터라인(DATA)으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이에 해당하는 데이터 값(Vth-(Vdata))을 커패시터(Cs)에 저장하는 단계이다. 도 4c 및 4d에 도시한 동작예시도를 참조하면, 도 4c는 N-1번째의 데이터전압 저장단계이고, 4d는 N번째의 데이터전압 저장단계이다.
여기서, 각 픽셀들은 데이터 값(Vth-(Vdata))을 커패시터(Cs)에 저장하기 위하여 도시된 바와 같이 각 스캔라인(SCAN)들을 순차적으로 활성화한다.
발광 단계는, 데이터라인(DATA)에 임의전압(Vvar)을 공급하고 문턱전압(Vth), 데이터전압(Vdata), 제1전원단(Vcom) 및 임의전압(Vvar)의 관계식 "Vth - Vdata - Vcom + Vvar" 이 되도록 하는 전압 값을 제2트랜지스터(T2)의 게이트에 공 급하여 발광부의 발광을 선택하도록 하는 단계이다.
임의전압(Vvar)은, 선형적인 파형으로 공급하거나 2차 또는 루트(root) 함수의 궤적을 따르는 형태의 파형으로 공급할 수 있고, 발광부는 임의전압(Vvar) 값에 따라 밝기가 달라질 수 있다.
발광 단계에서, 제2트랜지스터(T2)의 게이트에 입력된 전압 값이 문턱전압(Vth)보다 상대적으로 클 때 발광부가 발광할 수 있다.
발광 단계에서, 임의전압(Vvar) 값이 가장 큰 것은 제1전압(Vtop)이고, 가장 낮은 것은 제2전압(Vbot)로 구분하며, 임의전압(Vvar) 값이 제1전압(Vtop)에 대응될 때, 발광부의 밝기가 가장 밝아 질 수 있다.
발광 단계에서, 제2트랜지스터(T2)의 게이트와 제1전극 또는 제2전극 사이에 역 바이어스(reverse bias)를 공급하여 제2트랜지스터(T2)의 변화된 문턱전압(Vth)을 복원 또는 보상할 수 있다.
발광 단계에 의해 발광하는 동작예시를 가장 어두운 밝기와 가장 밝은 밝기로 구분하여 설명하면 다음과 같을 수 있다.
도 5a를 참조하면, 이는 발광단계의 시작 또는 끝 부분으로 데이터라인(DATA)에 공통으로 입력되는 임의전압(Vvar) 신호의 가장 낮은 전압인 제2전압(Vbot)이 인가되는 상황의 동작을 도시한다.
이때, 제2트랜지스터(T2)의 게이트 단자로 입력된 전압 값(Vdata+Vbot)이고, 가장 어두운 밝기를 표현하는 경우, 게이트 단자에 인가되는 전압이 제2트랜지스 터(T2)의 문턱전압(Vth)보다 작은 전압이 입력된다.
이에 따라, 제2트랜지스터(T2)에 전류가 흐르지 않고, 발광부(OLED)는 발광되지 않도록 작은 값의 데이터전압(Vdata)이 저장된다.
도 5b를 참조하면, 선형적으로 데이터라인(DATA)에 입력되는 임의전압(Vvar) 신호가 점점 증가하여 가장 높은 전압인 제1전압(Vtop)에 다다랐을 때, 화소의 동작을 도시한다.
이때, 제2트랜지스터(T2)의 게이트 단자로 입력된 전압 값(Vth-(Vdata+Vtop))이고, 가장 낮은 밝기를 표현하는 경우, 게이트 단자에 인가된 전압이 제2트랜지스터(T2)의 문턱전압(Vth)보다 작은 전압이 입력된다. 다만 이때는 작은 전압 값을 갖도록 미리 데이터전압(Vdata) 값이 저장돼 있는 것일 수 있다.
이에 따라, 가장 낮은 밝기를 표현하는 픽셀들의 경우, 발광하는 동안 발광부(OLED)는 계속 꺼져있게 될 수도 있다.
도 5c 및 5d를 참조하면, 가장 밝은 밝기를 표현하는 경우에 대한 동작을 도시한다.
처음 발광 모드를 시작하여 모든 데이터라인(DAT)에 임의전압(Vvar)이 낮은 전압인 제2전압(Vbot)으로 동일하게 입력된 경우, 가장 낮은 밝기를 표현할 때와 동일하게 제2트랜지스터(T2)의 게이트 단자에는 전압 값(Vdata+Vbot)이 입력된다. 다만, 데이터전압(Vdata)만 다른 값을 갖게 된다.
반면, 가장 높은 밝기를 표현하는 경우에는 발광 단계 초기에는 발광부(OLED)를 발광시키지 않고, 중간부터 발광시켜서 데이터라인(DATA)에 입력되는 임의전압(Vvar) 신호가 가장 높은 전압인 제1전압(Vtop)을 입력한다. 이때, 발광부(OLED)가 가장 밝은 빛을 내도록 데이터전압(Vdata)을 결정하는 방법이 있고, 이 외에도 처음 발광단계를 시작할 때부터 발광부(OLED)가 빛을 내도록 데이터전압(Vdata)을 결정하는 방법도 있다.
이와 같이 발광 단계는 데이터전압(Vdata) 값에 따라 발광 밝기와 발광 시점을 선택할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에의 각 단계에서는, 스캔라인으로부터 공급된 스캔신호가 해당하는 픽셀을 선택할 때는 그라운드(GND) 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 나머지 픽셀들에는 그라운드(GND) 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급할 수 있다. 위에서 설명한 픽셀들은 하나의 픽셀을 구성하는 서브 픽셀(Sub-pixel)임을 참조한다.
그리고 제1전원단(Vcom)은, 초기화 단계에서는 그라운드(GND) 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 문턱전압 저장단계와 데이터전압 저장단계에서는 그라운드(GND) 레벨을 갖도록 공급하며, 발광 단계에서는 그라운드(GND) 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2트랜지스터(T1, T2)는 비정질 실리콘을 이용하여 기판 상에 "Negative annealing" 을 하여 형성된 것일 수 있다.
이상 본 발명에서 제안하는 구동 방식은 미리 저장된 데이터전압과 문턱전압의 차이에 따라 발광 시간과 발광 여부를 선택할 수 있다. 또한, 기생 커패시턴스가 큰 경우에도 적용가능하며, 기생 커패시턴스 값이 수백 [pF]에서 수 [nF]에 이 르더라도 그 동작을 안정적으로 보장할 수 있는 장점이 있다. 또한, 저 계조 구간을 표시할 때에는 일부 구간에서 구동용 트랜지스터의 게이트와 소스 또는 드레인 사이에 리버스 바이어스를 공급하여 변화된 문턱전압을 복원 또는 보상할 수도 있다.
이와 같이 본 발명은 비정질 실리콘 트랜지스터를 이용한 전계발광소자를 안정적으로 구동하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 본 발명의 구성에 따르면, 전계발광소자를 안정적으로 구동하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 구동방법을 제공하는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 제2트랜지스터의 문턱전압(Vth)보다 상기 제2트랜지스터의 게이트에 연결된 노드(Vy)와 제1전극에 연결된 노드(Vx)에 높은 전압이 형성되도록 상기 제2트랜지스터의 제2전극에 연결된 제1전원단(Vcom)에 상기 문턱전압(Vth)보다 높은 전압을 공급하는 초기화 단계;
    상기 노드(Vy) 및 노드(Vx)의 전압을 상기 제2트랜지스터를 통해 방전시켜 상기 제2트랜지스터가 턴 오프되는 시점인 상기 문턱전압(Vth)을 커패시터에 저장하는 문턱전압 저장단계;
    데이터라인으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)과 상기 문턱전압(Vth)의 차이에 해당하는 데이터 값(Vth-(Vdata))을 상기 커패시터에 저장하는 데이터전압 저장단계; 및
    상기 데이터라인에 임의전압(Vvar)을 공급하고 상기 문턱전압(Vth), 상기 데이터전압(Vdata), 상기 제1전원단(Vcom) 및 상기 임의전압(Vvar)의 관계식 "Vth - Vdata - Vcom + Vvar" 이 되도록 하는 전압 값을 상기 제2트랜지스터의 게이트에 공급하여 발광부의 발광을 선택하도록 하는 발광 단계를 포함하는 전계발광소자의 구동방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광 단계에서,
    상기 제2트랜지스터의 게이트에 입력된 상기 전압 값이 상기 문턱전압(Vth) 보다 상대적으로 클 때 상기 발광부가 발광하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 임의전압(Vvar)은,
    선형적인 파형으로 공급하거나 2차 또는 루트(root) 함수의 궤적을 따르는 형태의 파형으로 공급할 수 있고, 상기 발광부는 상기 임의전압(Vvar) 값에 따라 밝기가 달라지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 발광 단계에서,
    상기 임의전압(Vvar) 값이 가장 큰 것은 제1전압(Vtop)이고, 가장 낮은 것은 제2전압(Vbot)로 구분하며, 상기 임의전압(Vvar) 값이 상기 제1전압(Vtop)에 대응될 때, 상기 발광부의 밝기가 가장 밝은 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 각 단계에서는,
    스캔라인으로부터 공급된 스캔신호가 해당하는 픽셀을 선택할 때는 그라운드 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 나머지 픽셀들에는 그라운드 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전원단(Vcom)은,
    상기 초기화 단계에서는 그라운드 레벨 이상의 전압 레벨을 갖도록 공급하고, 상기 문턱전압 저장단계와 상기 데이터전압 저장단계에서는 그라운드 레벨을 갖도록 공급하며, 상기 발광 단계에서는 그라운드 레벨 이하의 전압 레벨을 갖도록 공급하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 초기화 단계에서는,
    상기 제1트랜지스터를 턴 오프 시키고, 상기 데이터라인으로 공급되는 데이터신호를 상기 제1전원단(Vcom)에 공급된 전압과 유사하게 공급하여, 상기 제2트랜지스터를 턴 온 시키고, 상기 노드(Vx)가 "제1전원(Vcom) - 문턱전압(Vth)" 만큼 충전되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 문턱전압 저장단계에서는,
    상기 제1전원단(Vcom), 제2전원단 및 데이터라인에 동일한 전압을 공급하고, 스캔라인으로부터 공급된 스캔신호가 상기 제1트랜지스터를 턴온 시킬 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 발광 단계에서,
    상기 제2트랜지스터의 게이트와 제1전극 또는 제2전극 사이에 역 바이어스(reverse bias)를 공급하여 상기 제2트랜지스터의 변화된 문턱전압(Vth)을 복원 또는 보상할 수 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 발광부는,
    유기 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 구동방법.
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