KR20080007931A - Electro-plating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치의 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 기판 지지부의 평면도이다. 2 is a plan view of the substrate support.
도 3은 접촉 유닛의 사시도이다.3 is a perspective view of a contact unit.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치에서 압력부가 기판을 가압한 경우의 접촉 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing an operation of a contact unit when a pressure unit presses a substrate in an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치에서 압력부가 기판에 대한 가압을 해제한 경우의 접촉 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이다. 5 is a cross-sectional view for describing an operation of a contact unit when the pressure unit releases pressure on the substrate in the electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 전기 도금 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정의 수율을 향상시키는 전기 도금 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroplating apparatus, and more particularly to an electroplating apparatus for improving the yield of the semiconductor manufacturing process.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 다층 금속배선들(multi-layered metal interconnection lines)을 채택하는 기술이 널리 사용되고 있으며, 상기 다층 금속배선들은 상기 반도체 소자의 성능(performance)을 향상시키기 위하여 낮은 비저항(low resistivity) 및 높은 신뢰성(high reliability)을 갖는 금속막으로 형 성되어야 한다. 이러한 금속막으로 구리막이 널리 사용되고 있다. 이와 같은 구리막을 채택하는 금속 배선 공정에 대한 조건이 최근 반도체 소자의 고집적화 및 고성능화 경향에 따라 더욱 엄격해지고 있다. 구리막을 채택하는 금속 배선은 전기 도금 또는 전기 증착을 이용하는 반도체 공정을 진행함으로써 형성할 수 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, techniques employing multi-layered metal interconnection lines have become widely used, and the multi-layer metal wires have low resistivity in order to improve the performance of the semiconductor device. It should be formed of a metal film with low resistivity and high reliability. Copper films are widely used as such metal films. The conditions for the metallization process employing such a copper film have become more stringent in accordance with the recent trend toward higher integration and higher performance of semiconductor devices. The metal wirings employing the copper film can be formed by carrying out a semiconductor process using electroplating or electro deposition.
통상의 전기 도금 장치는 기판의 피도금면이 아래 방향으로 노출되도록 지지하는 환형의 기판 지지부와 상기 기판의 피도금면에 금속막을 형성하기 위한 도금 용액을 수용하는 도금 처리조를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 기판 지지부는 상기 기판에 전류를 제공하기 위해 상기 기판의 피도금면과 접촉하는 캐소드 콘택을 포함할 수 있다. 또한, 상기 도금 용액이 상기 기판의 후면으로 유입되지 않도록 상기 기판 지지부는 상기 기판의 피도금면의 가장자리를 지지하는 환형의 립 시일(lip seal)을 가질 수 있다. The conventional electroplating apparatus may include an annular substrate support portion for supporting the plated surface of the substrate to be exposed downward and a plating treatment tank for receiving a plating solution for forming a metal film on the plated surface of the substrate. The substrate support may include a cathode contact in contact with the plated surface of the substrate to provide a current to the substrate. In addition, the substrate support may have an annular lip seal supporting the edge of the plated surface of the substrate so that the plating solution does not flow into the rear surface of the substrate.
이러한 전기 도금 장치는 피도금면이 아래 방향로 노출된 상기 기판을 상기 도금 처리조에 담궈 전기 도금 공정을 진행할 수 있다. 이때, 상기 기판의 피도금면이 상기 캐소드 콘택과 접촉되도록 상기 기판의 후면을 가압할 수 있다. 이러한 상기 기판의 후면에 대한 가압은 상기 기판에 대한 도금 처리가 완료되고 나서 해제될 수 있다. The electroplating apparatus may perform an electroplating process by dipping the substrate having the plated surface exposed downward in the plating treatment tank. At this time, the back surface of the substrate may be pressed so that the surface to be plated of the substrate is in contact with the cathode contact. The pressurization of the rear surface of the substrate may be released after the plating process on the substrate is completed.
그러나, 상기 립 시일이 고무 등의 재질로 되어 있는 경우, 상기 기판의 후면에 대한 가압을 해제하더라도 상기 기판의 피도금면과 상기 립 시일 사이에 강한 점착력이 발생할 수 있다. 특히 상기 기판의 피도금면과 사기 립 시일 사이에 상기 도금 용액이 침투되는 경우 점착력이 강해질 수 있다. 그 결과로 상기 기판이 외부 로 이송되지 못할 수 있다. 심지어, 상기 기판이 이송시 상기 기판이 파손되거나 상기 기판 상에 스크래치(scratch)가 발생될 수 있다. 이는 반도체 소자 제조 공정의 수율을 저하시키는 원인이 된다. However, when the lip seal is made of a material such as rubber, a strong adhesive force may occur between the surface to be plated of the substrate and the lip seal even when the pressure on the rear surface of the substrate is released. In particular, when the plating solution penetrates between the surface to be plated of the substrate and the seal lip seal, the adhesion may be strong. As a result, the substrate may not be transferred to the outside. Even when the substrate is transferred, the substrate may be broken or scratch may occur on the substrate. This causes a decrease in the yield of the semiconductor device manufacturing process.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판의 파손 또는 기판 상의 스크래치의 발생을 방지하여 반도체 제조 공정의 수율을 향상시키는 전기 도금 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an electroplating apparatus for improving a yield of a semiconductor manufacturing process by preventing breakage of a substrate or occurrence of scratches on the substrate.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 전기 도금 장치가 제공된다. 상기 전기 도금 장치는 기판의 후면을 가압하는 압력부를 구비한다. 상기 압력부의 하부에 배치되며, 상기 기판의 피도금면을 지지하는 기판 지지부가 배치된다. 상기 기판을 담궈 상기 기판의 피도금면을 도금하는 도금 처리부가 배치된다. 여기서, 상기 기판 지지부는 중공(中空) 구조를 가진 몸체와 상기 몸체의 내벽을 따라 배치되어 상기 기판의 피도금면을 지지하는 립 시일을 구비한다. 상기 몸체의 내벽에서 돌출되고, 상기 압력부의 가압에 따라 상기 기판의 피도금면과 탄력성 있게 접촉하는 하나 또는 다수의 접촉 유닛이 위치된다. According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, an electroplating apparatus is provided. The electroplating apparatus includes a pressure unit for pressing the rear surface of the substrate. A substrate support part is disposed below the pressure part and supports a plated surface of the substrate. A plating treatment unit for dipping the substrate and plating the plated surface of the substrate is disposed. Here, the substrate support portion includes a body having a hollow structure and a lip seal disposed along an inner wall of the body to support a plated surface of the substrate. One or more contact units protruding from the inner wall of the body and in elastic contact with the surface to be plated of the substrate in response to the pressurization of the pressure portion are located.
상기 기판 지지부는 상기 립 시일 상에서 배치되며, 상기 몸체의 내벽을 따라 등간격으로 돌출된 다수개의 캐소드 콘택을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 접촉 유닛은 상기 캐소드 콘택들 사이에 배치될 수 있다. The substrate support may further include a plurality of cathode contacts disposed on the lip seal and protruding at equal intervals along the inner wall of the body. In addition, the contact unit may be disposed between the cathode contacts.
상기 돌출된 접촉 유닛은 상기 립 시일이 돌출된 길이보다 작은 길이를 가질 수 있다.The protruding contact unit may have a length smaller than the protruding length of the lip seal.
상기 접촉 유닛은 상기 립 시일 상에 배치되어 상기 기판의 피도금면과 탄력적으로 접촉하는 접촉 부재와 상기 접촉 부재 상에 배치되어 상기 기판을 상기 립 시일로 가이드하는 슬라이딩 부재를 포함할 수 있다. The contact unit may include a contact member disposed on the lip seal to elastically contact the plated surface of the substrate and a sliding member disposed on the contact member to guide the substrate to the lip seal.
상기 접촉 유닛이 다수일 경우, 상기 몸체의 내벽을 따라 등간격으로 배치될 수 있다.When there are a plurality of contact units, they may be arranged at equal intervals along the inner wall of the body.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout.
먼저, 도 1 내지 도 3를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치의 개략 단면도이며, 도 2는 기판 지지부의 평면도이고, 도 3은 접촉 유닛의 사시도이다.First, an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. 1 is a schematic cross-sectional view of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a substrate support, and FIG. 3 is a perspective view of a contact unit.
전기 도금 장치(1)는 기판 지지부(100), 상기 기판 지지부(100) 상에 배치되는 압력부(200) 및 상기 기판 지지부(100) 아래에 배치되는 도금 처리부(300)를 포함한다. The
상기 기판 지지부(100)는 중공(中空) 구조를 가진 몸체(110), 상기 몸체(110)의 내벽을 따라 배치되어 상기 기판(W)의 피도금면의 가장자리를 지지하는 립 시일(lip seal; 120), 상기 기판(W)의 피도금면에 전류를 공급하기 위한 캐소드 콘택(cathode contact;150) 및 상기 몸체(110)의 내벽에서 돌출되어 상기 기판(W)의 피도금면과 접촉하는 접촉 유닛(130)을 포함할 수 있다. The
상기 몸체(110)는 상기 기판(W)의 피도금면이 아래로 노출되도록 중공(中空) 구조를 가지고, 상기 기판(W)의 형상에 따라 링(ring) 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 절연 물질로 이루어질 수 있고, 그 내부에는 외부 전원(140)이 인가될 수 있도록 전선(미도시)이 내장될 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 상하로 이동되어, 상기 기판 지지부(100)가 상기 도금 처리부(300)에 담궈질 수 있다.The
상기 립 시일(120)은 상기 기판(W)의 피도금면에 대한 도금 처리가 진행 중에 상기 기판(W)의 후면으로 도금 용액(320)이 유입되지 않도록 방지하고, 상기 기판(W)을 지지할 수 있다. 상기 립 시일(120)은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(110)의 내벽을 따라 링 형상을 가질 수 있다. 그리고, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 립 시일(120)은 상기 몸체(110)의 중심을 향하여 뻗다가 상기 기판(W)을 지지하도록 끝단이 위로 절곡된 'L'자 형태일 수 있다. 상기 립 시일(120)의 끝단은 탄력성을 가져 상기 압력부(200)의 가압에 따라 수축과 이완을 할 수 있다. 또한, 상기 립 시일(120)은 절연 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면, 고무로 형성될 수 있다. The
상기 캐소드 콘택(150)은 도 2에 도시된 바와 같이, 도전체로서 상기 립 시 일(120) 상에 상기 몸체(110)의 내벽을 따라 등간격으로 다수개의 가지 형태로 돌출되며, 상기 몸체(110) 내부의 전선(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 캐소드 콘택(150)은 상기 압력부(200)의 가압에 의해 상기 기판(W)의 피도금면과 접촉될 수 있다. 한편, 상기 립 시일(120)은 상기 캐소드 콘택(150)으로 상기 도금 용액(320)의 유입을 차단하여 상기 캐소드 콘택(150)의 부식을 방지할 수 있다. As shown in FIG. 2, the cathode contact 150 protrudes into a plurality of branches at equal intervals along the inner wall of the
그리고, 상기 접촉 유닛(130)은 상기 립 시일(120) 상에 배치되며 상기 몸체(110)의 내벽에 결합될 수 있다. 상기 접촉 유닛(130)은 상기 기판(W)이 상기 립 시일(120) 상에 정위치에 안착되도록 상기 기판(W)을 가이드하는 슬라이딩 부재(132) 및 상기 슬라이딩 부재(132)의 끝단에서 상기 몸체(110)의 중심을 향하여 돌출된 접촉 부재(134)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 접촉 부재(134)는 상기 압력부(200)의 상기 기판(W)의 후면에 대한 가압에 따라 상기 슬라이딩 부재(132)의 끝단에서 상하로 탄력적으로 이동될 수 있다. 그리고, 상기 접촉 부재(134)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판(W)의 피도금면이 상기 캐소드 콘택(150)과 접촉되는 것을 방해받지 않도록 상기 캐소드 콘택들(150) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 접촉 부재(134)의 돌출된 길이는 상기 압력부(200)의 가압으로 인해 내려간 상기 접촉 부재(134)의 끝단이 상기 립 시일(120)에 접하지 않기 위해 상기 립 시일(120)의 돌출된 길이보다 작을 수 있다. In addition, the
그리고, 상기 접촉 유닛(130)은 상기 몸체(110)의 내벽과 결합하는 결합판(136)의 양측에서 연장된 판이 절곡되어 상기 슬라이딩 부재(132)를 형성시킬 수 있다. 또한, 상기 접촉 유닛(130)은 상기 몸체(110)의 내벽을 따라 등간격으로 다 수개 배치될 수 있다. 도 3에서는 상기 슬라이딩 부재(132)와 상기 접촉 부재(134)가 결합된 것을 도시하고 있으나, 상기 접촉 부재(134)가 독립적으로 상기 몸체(110)의 내벽에 설치될 수 있다.The
한편, 상기 압력부(200)는 상기 기판(W)의 피도금면에 대한 도금 처리시 상기 기판(W)의 후면을 가압하여, 상기 기판(W)의 피도금면에 상기 캐소드 콘택(150)이 접촉되게 할 수 있다. 상기 압력부(200)는 상기 기판(W)의 후면을 압력을 제공하는 본체(210) 및 상기 본체(210)를 상하로 이동시키는 구동부(220)를 포함한다. On the other hand, the
그리고, 상기 전기 도금부(300)는 상기 기판(W)의 피도금면에 금속막, 예를 들면, 구리막 등을 형성시킬 수 있다. 상기 기판(W)의 피도금면은 상기 기판 지지부(100)의 하강에 의해 도금조(310)에 채워진 상기 도금 용액(320)에 담궈질 수 있다. 이때 상기 기판 지지부(100)와 상기 도금조(310)는 외부로부터 전원이 인가되며, 상기 기판(W)과 상기 도금 용액(320)은 서로 다른 전기적 극성을 가질 수 있다. 또한, 구리막을 도금하는 경우, 상기 도금 용액(320)은 황산구리(CuSO₄), 황산(H₂SO₄), 염산(HCL), 및 첨가제(ADDITIVES) 등으로 이루어질 수 있다. In addition, the
이하, 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치의 동작에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치에서 압력부가 기판을 가압한 경우의 접촉 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 장치에서 압력부가 기판에 대한 가압을 해제한 경우의 접촉 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이다. 2, 4 and 5, the operation of the electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. 4 is a cross-sectional view for describing an operation of a contact unit when a pressure unit presses a substrate in an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a pressure in the electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating operation | movement of the contact unit at the time of the press release with respect to the additional board | substrate.
도 4를 참조하면, 상기 기판(W)이 상기 립 시일(120) 상에 안착되면, 상기 압력부(200)가 하강하여 상기 기판(W)의 후면을 가압할 수 있다. 상기 압력부(200)에 의해 상기 기판(W)의 피도금면을 지지하는 상기 립 시일(120)의 끝단이 수축되고, 이와 동시에, 상기 접촉 부재(134)가 탄력적으로 하강할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 상기 캐소드 콘택(150)이 상기 기판(W)의 피도금면과 접촉될 수 있다.Referring to FIG. 4, when the substrate W is seated on the
이어서, 도 5를 참조하면, 상기 기판(W)이 상기 도금 처리부(300)에서 도금 처리가 완료된 후, 상기 기판 지지부(100)가 상기 도금 처리부(300)에서부터 상승하여 외부에 위치될 수 있다. 계속해서, 상기 압력부(200)가 상기 기판(W)의 후면에 대한 가압을 해제하기 위해 상승하여 상기 립 시일(120)이 이완되고, 상기 접촉 부재(134)도 탄력적으로 상승할 수 있다. 이때, 상기 접촉 부재(134)의 탄력에 의해 상기 기판(W)의 피도금면이 상기 립 시일(120)로부터 용이하게 분리될 수 있다. Subsequently, referring to FIG. 5, after the plating process is completed in the
이에 따라, 상기 기판(W)과 상기 립 시일(120) 사이에 침투된 상기 도금 용액(320)으로 형성된 그들 사이의 점착력을 약화시킬 수 있다. 그 결과, 상기 이송 수단(미도시)에 의해 상기 기판(W)을 외부로 이송시, 상기 기판(W)이 상기 립 시일(120)에서 효과적으로 분리됨으로써 상기 기판(W)이 파손되거나 상기 기판(W) 상에 스크래치를 방지할 수 있다. 이는 반도체 제조 공정의 수율을 향상시킨다. Accordingly, it is possible to weaken the adhesive force between them formed of the plating solution 320 penetrated between the substrate (W) and the lip seal (120). As a result, when the substrate W is transferred to the outside by the transfer means (not shown), the substrate W is effectively separated from the
상술한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 상기 기판 지지부의 내벽을 따라 상기 기판을 탄력적으로 접촉하는 접촉 유닛을 설치한다. 이에 따라, 상기 압력부가 상승하는 경우에 상기 접촉 유닛은 상기 기판과 상기 립 시일 간의 점착력을 약화시킨다. 따라서, 상기 이송 수단이 상기 기판을 외부로 이송함에 있어서, 상기 기판의 파손 또는 스크래치 발생을 방지할 수 있다. 이는 반도체 제조 공정의 수율을 향상시킨다. According to the present invention made as described above, a contact unit for elastically contacting the substrate is provided along the inner wall of the substrate support. Accordingly, when the pressure portion rises, the contact unit weakens the adhesive force between the substrate and the lip seal. Therefore, when the transfer means transfers the substrate to the outside, it is possible to prevent the substrate from being damaged or scratched. This improves the yield of the semiconductor manufacturing process.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060067185A KR20080007931A (en) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | Electro-plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060067185A KR20080007931A (en) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | Electro-plating apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080007931A true KR20080007931A (en) | 2008-01-23 |
Family
ID=39220955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060067185A KR20080007931A (en) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | Electro-plating apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080007931A (en) |
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