KR20080003948A - Four-layered dry film photoresist - Google Patents

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KR20080003948A KR1020060062245A KR20060062245A KR20080003948A KR 20080003948 A KR20080003948 A KR 20080003948A KR 1020060062245 A KR1020060062245 A KR 1020060062245A KR 20060062245 A KR20060062245 A KR 20060062245A KR 20080003948 A KR20080003948 A KR 20080003948A
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Abstract

A dry film photoresist having a four-layer structure is provided to allow manufacture of various kinds of dry film with different optical reactivities, and to maintain physical properties while not causing such problems as fish eyes. A dry film photoresist having a four-layer structure comprises a support film, a photosensitive resin layer, a protective film, and a photoreaction controlling layer between the photosensitive resin layer and the protective film. The photoreaction controlling layer has a thickness of 0.001-3 micrometers. The photoreaction controlling layer comprises at least one component selected from photopolymerization initiators and photoreaction inhibitors.

Description

4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트{four-layered dry film photoresist}Four-layered dry film photoresist

본 발명은 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 감광성 수지층과 보호필름의 사이에 여러 가지 다양한 광반응성을 나타낼 수 있는 광반응 조절층을 형성시켜 광반응성의 변화가 가능하며, 한번의 조액 공정으로 광반응성이 다른 다종의 드라이 필름이 가능한 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트에 관한 것이다. The present invention relates to a four-layer dry film photoresist, and more particularly, it is possible to change the photoreactivity by forming a photoreaction control layer that can exhibit a variety of photoreactivity between the photosensitive resin layer and the protective film The present invention relates to a dry film photoresist having a four-layer structure that enables a plurality of dry films having different photoreactivity in one crude liquid process.

드라이 필름 포토레지스트(dry film photoresist), 즉 감광성 필름은 1968년에 미국 듀퐁사에 의해 'RISTON'이라는 상품명으로 개발된 이래 현재의 전기·전자 산업, 특히 인쇄회로기판 등의 가공에 중요한 재료로 사용되고 있다. 인쇄회로기판은 컴퓨터, 전자통신기기 등 산업용 전자기기는 물론, 가정용 민생 전자기기 부품의 부품회로 접속에 기본적으로 쓰이는 것으로, 이의 제작에 드라이 필름 포토레지스트는 획기적인 가공기술 재료로서 이용되고 있다. 인쇄회로기판 상의 회로형성에 사용되는 드라이 필름 포토레지스트 재료로는 전체 50% 정도가 감광성 스크린 인쇄잉크가 사용되고 있으나, 고밀도와 고신뢰도가 요구되는 양면판 및 다층판의 인쇄회로기판 제작에는 드라이 필름 포토레지스트가 필수적으로 사용되고 있다. Since dry film photoresist, or photosensitive film, was developed in 1968 under the trade name `` RISTON '' by DuPont in the United States, it has been used as an important material for the current electrical and electronics industry, especially printed circuit board processing. have. Printed circuit boards are basically used for connecting parts circuits of household electronic consumer electronics parts as well as industrial electronic devices such as computers and electronic communication devices, and dry film photoresists have been used as breakthrough processing technology materials for their production. About 50% of photosensitive screen printing ink is used as dry film photoresist material for circuit formation on printed circuit board, but dry film photo is used for manufacturing printed circuit board of double-sided board and multilayer board that require high density and high reliability. Resist is essentially used.

이같은 드라이 필름 포토레지스트는 통상 지지체 필름(base film), 감광성 수지층(photosensitive layer) 및 보호필름(cover film)의 3개 층으로 구성된다. 일반적으로 상기 지지체 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리에스터 필름을 사용하고, 그 두께는 25㎛ 정도이다. 이같은 폴리에스터 지지체 필름은 드라이 필름 포토레지스트를 제조하는 동안 지지체로서 사용된다. Such dry film photoresist is usually composed of three layers: a base film, a photosensitive layer, and a cover film. Generally, the support film uses a polyester film such as polyethylene terephthalate, and its thickness is about 25 μm. Such polyester support films are used as supports during the manufacture of dry film photoresists.

상기 보호필름은 먼지 및 취급시 레지스트의 손상을 방지해 주는 보호 덮게 역할을 하며, 일반적으로 두께 20∼30㎛ 정도인 폴리올레핀 필름이 사용되는 바, 폴리올레핀 필름은 점착성의 감광층이 서로 붙지 않고 굴대에 감아둘 수 있도록 해줌으로써 필름 형태인 포토레지스트의 제조, 운송, 및 보관 등에 아주 중요한 역할을 한다.The protective film serves as a protective cover that prevents damage to the resist during dust and handling, and generally a polyolefin film having a thickness of about 20 to 30 μm is used, and the polyolefin film has a sticky photosensitive layer on the mandrel without sticking to each other. By allowing it to be wound up, it plays a very important role in the manufacture, transportation and storage of photoresist in the form of a film.

상기와 같은 구조의 드라이 필름 포토레지스트를 사용할 때는 보호필름을 벗겨내고 동적층판 상에 라미네이션(lamination)한 다음 자외선(UV)을 조사하여 노광(exposing) 및 현상(developing) 공정을 거쳐 화상(image)을 형성시킨다. When using a dry film photoresist having the above structure, the protective film is peeled off, laminated on the dynamic layer plate, and then irradiated with ultraviolet (UV) light to expose and develop the image. To form.

다시 말해, 드라이 필름 포토레지스트 조성물을 금속표면 등에 도포나 라미네이션에 의하여 적층하고 자외선을 조사하여 노광하면 노광부는 경화되고 미노광부는 적당한 용제에 의해 제거되어 원하는 화상을 형성시킨다. In other words, when the dry film photoresist composition is laminated by coating or lamination on a metal surface or the like and irradiated with ultraviolet rays, the exposed portion is cured and the unexposed portion is removed by a suitable solvent to form a desired image.

상기 용제는 크게 수용성과 비수용성으로 나뉜다. 비수용성 용제는 작업환경과 환경오염, 그리고 제조단가 면에서 불리하여 수용성 용제로 현상하는 광경화 조성물이 증가 추세에 있다. The solvent is largely divided into water-soluble and water-insoluble. Water-insoluble solvents are disadvantageous in terms of working environment, environmental pollution, and manufacturing cost, and photocurable compositions that develop with water-soluble solvents are increasing.

상기 드라이 필름 포토레지스트 조성물로부터 제조된 알칼리 현상성 감광성 레지스트는 드라이 필름 포토레지스트로부터 보호필름층을 취외하고, 동판에 라미네이션하여 포토마스크 필름 등을 사용해서 자외선 노광을 행한 후 임의의 농도 및 온도의 알칼리 수용액을 이용하여 미노광 부위를 제거하여 포토레지스트 상을 형성시킨다. 알칼리 수용액을 이용하여 미노광 부위를 제거하여 포토레지스트상을 형성시키는 과정을 현상이라 부르며, 현상시 미노광 부위의 감광층은 25∼35℃ 온도의 0.5∼1.5 중량% 탄산나트륨 또는 탄산칼륨 수용액에 용해되어 화상(image)을 형성하게 된다. The alkali developable photosensitive resist prepared from the dry film photoresist composition removes the protective film layer from the dry film photoresist, is laminated on a copper plate, and subjected to ultraviolet exposure using a photomask film or the like, and then to an alkali having an arbitrary concentration and temperature. The unexposed portion is removed using an aqueous solution to form a photoresist phase. The process of forming the photoresist image by removing the unexposed portion using an aqueous alkali solution is called development, and during development, the photosensitive layer of the unexposed portion is dissolved in 0.5-1.5 wt% sodium carbonate or potassium carbonate aqueous solution at a temperature of 25-35 ° C. To form an image.

인쇄회로기판의 제작방법은 공법에 따라서 도금 공법 및 텐팅 공법으로 나뉜다. 도금공법은 도금액 및 여러 가지 첨가제 약품에 대하여 기판상에 도금이 행해지는 동안 드라이 필름 포토레지스트가 침식을 받아 벗겨지지 않도록 내도금성을 지녀야 하고, 텐팅 공법에서는 드라이 필름 포토레지스트 막 자체의 탄성이 요구된다.The manufacturing method of the printed circuit board is divided into plating method and tenting method according to the method. The plating method should have plating resistance to prevent the dry film photoresist from being eroded and peeled off during plating on the substrate for the plating solution and various additive chemicals. In the tenting method, the elasticity of the dry film photoresist film itself is required. .

한편, 드라이 필름 포토레지스트는 기판의 상하면에 전도성을 부여하는 임의의 크기의 구멍을 에칭액으로부터 보호하기 위하여 구멍을 덮고 있는 레지스트로서 작용한다. 이때 25∼35℃의 온도에서 0.5∼1.5 중량%의 탄산나트륨 또는 탄산칼륨 수용액으로 분사방식에 의해 현상되는 현상조건과, 45∼55℃ 온도 범위의 FeCl2, FeCl3, CuCl2, CuCl3 및 과황산암모니아 등의 에칭액이 분사되는 에칭 조건에 대하여 기판상의 구멍을 막고 있는 드라이 필름의 외부 응력에 대응하는 충분한 탄성이 요구되어진다. On the other hand, the dry film photoresist acts as a resist covering the hole in order to protect the hole of any size which imparts conductivity to the upper and lower surfaces of the substrate from the etching solution. At this time, the development conditions developed by the spray method with 0.5 to 1.5% by weight of sodium carbonate or potassium carbonate aqueous solution at a temperature of 25 to 35 ℃, and FeCl 2 , FeCl 3 , CuCl 2 , CuCl 3 and Sufficient elasticity corresponding to the external stress of the dry film blocking the hole on a board | substrate is calculated | required with respect to the etching conditions in which etching liquid, such as ammonia sulfate, is injected.

그런데, 종래의 알칼리 현상성 감광성 필름은 보호필름으로 폴리에틸렌과 같은 폴리올레핀 필름을 사용하고 있으며, 이러한 폴리에틸렌 필름은 유연성, 내약품성 및 이형성이 좋아 감광성 수지조성물의 보호필름으로 사용시 제거가 쉽다. 또한 폴리에틸렌테레프탈레이트와의 마찰계수가 커서 제품 권취시 텔레스코프(Telescope :제품형태가 원상태를 유지하지 못하고 폼이 빠지는 현상)가 적다. 그러나, 폴리에틸렌은 중합시 고분자량의 겔(gel)이 생성되고 이로 인해 필름으로 제막한 후에도 물고기 눈과 같은 미세한 돌기, 즉 피쉬아이(fisheye)가 생기는 문제가 있다. However, the conventional alkali developable photosensitive film uses a polyolefin film such as polyethylene as a protective film, and such polyethylene film is easily removed when used as a protective film of a photosensitive resin composition due to its flexibility, chemical resistance and mold release property. In addition, the coefficient of friction with polyethylene terephthalate is large, and there are few telescopes when the product is wound. However, polyethylene has a problem in that a high molecular weight gel is produced during polymerization, and thus, even after film formation with a film, fine protrusions such as fish eyes, that is, fisheye are generated.

이러한 피쉬아이 문제를 해결하기 위하여 국제 공개 특허 PCT/JP01/07043 (2001.08.15.)에서는 폴리에틸렌 필름 대신 폴리에틸렌테레프탈레이트를 이용하여 보호필름으로 적용한 방법이 개시되어 있다. 그러나, 상기와 같이 폴리에틸렌 필름 대신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 보호 필름으로 적용시 드라이 필름의 광반응성이 증가하는 현상이 발생하여, 기존 적용하던 폴리에틸렌 필름을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 교체하기 위해서는 감광성 수지 조성물의 조성 변경이 필요하거나 사용 조건의 변화가 필요한 문제점이 있다.In order to solve this fisheye problem, International Publication No. PCT / JP01 / 07043 (2001.08.15.) Discloses a method of applying polyethylene terephthalate as a protective film instead of a polyethylene film. However, when the polyethylene terephthalate film is used as a protective film instead of the polyethylene film as described above, a phenomenon occurs that the photoreactivity of the dry film is increased, so that in order to replace the existing polyethylene film with the polyethylene terephthalate film, There is a problem that needs to be changed or a change in conditions of use is required.

또한 감광성 수지층의 조성에 따라 광반응성이 정해져 있기 때문에 광반응성의 변화를 위해서는 수지 조성물의 변경이 필요하며 이러한 원인으로 인하여 드라이필름 조액 공정시 여러 종의 제품의 조액하여야 하는 문제점이 있다. In addition, since the photoreactivity is determined according to the composition of the photosensitive resin layer, a change of the resin composition is required to change the photoreactivity, and therefore, there is a problem in that the preparation of various kinds of products during the dry film preparation process.

따라서, 본 발명에서는 상기와 같이 보호 필름을 변화시킴에 따른 문제를 해결하고, 다양한 광반응성을 나타내도록 하기 위하여 여러 번의 수지 조성물의 변경이 필요한 등의 종래 문제들을 해결하기 위하여, 지지체 필름, 감광성 수지층, 보호 필름으로 이루어진 통상의 드라이 필름 포토레지스트에서, 상기 감광성 수지층과 보호필름 사이에 광반응 조절층을 첨가한 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트를 제조한 결과, 동일한 조성에서 광반응 조절층으로 사용된 성분의 종류에 따라 광반응성의 변화가 가능하여 한 번의 조액 공정으로 광반응성이 다른 다종의 드라이필름이 제조가 가능할 뿐만 아니라, 또한 보호필름으로 피쉬아이 문제를 가진 폴리에틸렌 보호필름 대신 이를 해결하기 위해 폴리에틸렌테레프탈레이트 보호필름 적용시 문제가 되었던 드라이 필름의 광반응성이 상승되는 문제를 해결하여 동일한 광반응성을 나타내며, 동일한 물성의 드라이필름 제품 제조가 가능하다는 것을 알게 되어 본 발명에 도달하게 되었다. Therefore, in the present invention, in order to solve the problems caused by changing the protective film as described above, and to solve the conventional problems such as the need to change a number of resin compositions in order to exhibit a variety of photoreactivity, a support film, a photosensitive number In a conventional dry film photoresist composed of a layer and a protective film, a four-layer dry film photoresist having a photoreaction control layer added between the photosensitive resin layer and a protective film was produced. It is possible to change the photoreactivity according to the type of components used, so that not only the dry film with different photoreactivity can be manufactured in one crude liquid process but also the protective film instead of the polyethylene protective film having the fisheye problem. To apply polyethylene terephthalate protective film Solving the problem that the photoreactivity of the dun dry film is raised to exhibit the same photoreactivity, it was found that it is possible to manufacture a dry film product of the same physical properties to reach the present invention.

따라서, 본 발명의 목적은 한 번의 조액 공정으로 광반응성이 다른 다종의 드라이 필름이 제조가 가능할 뿐만 아니라, 보호필름으로 PET를 사용시에도 피쉬아이 등의 문제를 발생시키지 않고 동일한 물성을 유지할 수 있는 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트를 제공하는 데 있다. Therefore, an object of the present invention is not only possible to manufacture a variety of dry film with different photoreactivity in one bath liquid process, but also to maintain the same physical properties without causing problems, such as fisheye when using PET as a protective film It is to provide a dry film photoresist of a layer structure.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트는 지지체 필름, 감광성 수지층, 보호필름으로 이루어진 드라이 필름 포토레지스트에 있어서, 상기 감광성 수지층과 보호필름 사이에 광반응 조절층을 포함하는 것을 그 특징으로 한다. Four-layer dry film photoresist of the present invention for achieving the above object is a dry film photoresist consisting of a support film, a photosensitive resin layer, a protective film, the photoreaction between the photosensitive resin layer and the protective film It is characterized by including a layer.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 지지체 필름, 감광성 수지층, 보호필름이 함유된 통상 3층 구조의 드라이 필름 포토레지스트에서, 상기 감광성 수지층과 보호필름 사이에 광반응 조절층을 더 포함한 것이다. The present invention further includes a photoreaction control layer between the photosensitive resin layer and the protective film in a dry film photoresist having a three-layer structure containing a support film, a photosensitive resin layer, and a protective film.

본 발명의 지지체 필름은 통상의 드라이 필름 포토레지스트의 지지체 필름으로 사용되는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 나일론, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐 등의 단독 중합체 또는 상기 고분자를 50% 이상 함유하는 다른 고분자로부터 얻어진 필름 중에서 선택된 것으로서, 그 두께는 5 내지 100㎛인 것이 통상 바람직하지만 이에 한정되지 않는다.The support film of the present invention is not particularly limited as long as it is used as a support film of a general dry film photoresist. For example, a homopolymer such as polyethylene terephthalate, polypropylene, nylon, polyethylene, polyvinyl chloride or the like may be used. It is usually selected from the films obtained from other polymers containing 50% or more, and the thickness thereof is usually preferably 5 to 100 µm, but is not limited thereto.

또한, 감광성 수지층은 바인더 폴리머, 광중합성 올리고머, 광중합 개시제, 및 착색제, 안료 등의 기타 첨가제 등을 포함하는 것으로서, 상기 각 성분이 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이하에서 구체적으로 설명한다. In addition, the photosensitive resin layer contains a binder polymer, a photopolymerizable oligomer, a photopolymerization initiator, and other additives such as colorants and pigments, and the like, although each of the above components is not particularly limited.

<바인더 폴리머>Binder Polymer

본 발명의 바인더 폴리머는 알카리 현상성 바인더 폴리머로서, (메트)아크릴산과 (메트)아크릴산에스테르의 공중합체, 또는 스타이렌계 고분자를 더 첨가하여 사용하는 것이 바람직한 바, 구체적으로는, 다음에서 선택된 둘 이상의 모노머들의 공중합을 통해 얻어진 공중합 아크릴산 고분자이다; 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타 크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 메타크릴레이트, 아크릴아마이드, 메타크릴아마이드, 스타이렌, α-메틸 스타이렌으로 합성된 선형 아크릴산 고분자 등이 있을 수 있으며, 이러한 고분자들은 드라이 필름 레지스트의 코팅성, 추종성, 그리고 회로형성 후 레지스트 자체의 기계적 강도를 고려해서 중량평균분자량이 30,000∼150,000이며, 유리전이온도는 20∼150℃ 범위인 것이 바람직하다. The binder polymer of the present invention is an alkali developable binder polymer, and it is preferable to further use a copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid ester or a styrene polymer. Specifically, at least two selected from Copolymerized acrylic acid polymer obtained through copolymerization of monomers; Methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxy ethyl acrylate, 2-hydroxy ethyl methacrylate, Linear acrylate polymers synthesized from 2-hydroxy propyl acrylate, 2-hydroxy propyl methacrylate, acrylamide, methacrylate, styrene, α-methyl styrene, and the like. It is preferable that the weight average molecular weight is 30,000 to 150,000, and the glass transition temperature is in the range of 20 to 150 ° C. in consideration of coating property, followability, and mechanical strength of the resist itself after circuit formation.

본 발명의 알칼리 현상성 바인더 폴리머의 함량은 감광성 수지층 조성물 중 20∼80중량%인 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the alkali developable binder polymer of the present invention is preferably 20 to 80% by weight in the photosensitive resin layer composition, but is not limited thereto.

<광중합성 올리고머><Photopolymerizable oligomer>

광중합성 올리고머는 말단에 적어도 2개의 에틸렌기를 갖는 단량체를 포함하는 것이 바람직한 바, 예를 들면, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트, 1,4-사이클로헥산디올-(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜-(메트)아크릴레이트, 2-다이-(p-하이드록시페닐)-프로판-다이-(메트)아크릴레이트, 글리세롤 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸롤 프로판 트리-(메트)아크릴레이트(trimethylrol propane tri metha)acrylate), 폴리옥시 프로필 트리 메틸올 트리-(메트)아크릴레이트, 비스페놀-A 기를 함유한 폴리에틸렌(프로필렌)-다이(메트)아크릴레이트, 및 우레탄기를 함유한 다관능 (메트)아크릴레이트 등이 있다.The photopolymerizable oligomer preferably includes monomers having at least two ethylene groups at the ends thereof, for example, 1,6-hexanediol (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol- (meth) acrylate, Polypropylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol- (meth) acrylate, 2-di- (p-hydroxyphenyl) -propane-di- (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylol Propane tri- (meth) acrylate, polyoxypropyl trimethylol tri- (meth) acrylate, polyethylene (propylene) -di (meth) acrylate containing bisphenol-A groups, and And polyfunctional (meth) acrylates containing urethane groups.

<광중합 개시제><Photoinitiator>

감광성 수지조성물에 있어서 광개시제는 UV 및 기타 라디에이션에 의해서 광중합성 모노머의 연쇄반응을 개시시키는 물질로서, 드라이 필름 레지스트의 경화에 중요한 역할을 하는 화합물이다.In the photosensitive resin composition, the photoinitiator is a material that initiates a chain reaction of the photopolymerizable monomer by UV and other radiation, and is a compound that plays an important role in curing the dry film resist.

이같은 광개시제로 사용할 수 있는 화합물로는 2 메틸 안트라퀴논과 2 에틸 안트라퀴논 등의 안트라퀴논 유도체; 및 벤조인 메틸 에테르, 벤조페논, 페난트렌 퀴논, 그리고 4,4'- 비스 (디메틸아미노)벤조페논 등의 벤조인 유도체를 들 수 있다.As a compound which can be used as such a photoinitiator, Anthraquinone derivatives, such as 2 methyl anthraquinone and 2 ethyl anthraquinone; And benzoin derivatives such as benzoin methyl ether, benzophenone, phenanthrene quinone, and 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone.

이외에도 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-[4-모르폴리노페닐] 부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 1-[4-(2-히드록시메톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤조페논, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 1-(4-이소프로필페닐)2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2하이두록시-2-메틸프로판-1-온, 4-벤조일-4'-메틸디메틸설파이드, 4-디메틸아미노벤조산, 메틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 에틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 부틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-에틸헥실 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-이소아밀 4-디메틸아미노벤 조에이트, 2,2-디에톡시아세토페논, 벤질케톤 디메틸아세탈, 벤질케톤 β-메톡시 디에틸아세탈, 1-페닐-1,2-프로필디옥심-o,o'-(2-카르보닐)에톡시에테르, 메틸 o-벤조일벤조에이트, 비스[4-디메틸아미노페닐)케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 벤질, 벤조인, 메톡시벤조인, 에톡시벤조인, 이소프로폭시벤조인, n-부톡시벤조인, 이소부톡시벤조인, tert-부톡시벤조인, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조수베론, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 펜틸 4-디메틸아미노벤조에이트 중에서 선택된 화합물을 광중합 개시제로서 사용할 수 있다. In addition to 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino Propane-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- [4-morpholinophenyl] butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2 , 4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 1- [4- (2-hydroxymethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2,4-diethylthione Oxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzophenone, 1-chloro-4-propoxycyxanthone, 1- ( 4-isopropylphenyl) 2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl) -2hydohydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-benzoyl-4 ' -Methyldimethylsulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-iso Wheat 4-dimethylaminobenzoate, 2,2-diethoxyacetophenone, benzylketone dimethylacetal, benzylketone β-methoxy diethylacetal, 1-phenyl-1,2-propyldioxime-o, o'- (2-carbonyl) ethoxyether, methyl o-benzoylbenzoate, bis [4-dimethylaminophenyl) ketone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, Benzyl, benzoin, methoxybenzoin, ethoxybenzoin, isopropoxybenzoin, n-butoxybenzoin, isobutoxybenzoin, tert-butoxybenzoin, p-dimethylaminoacetophenone, p-tert -Butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, dibenzosuberon, α, α-dichloro-4-phenoxy Compounds selected from acetophenone and pentyl 4-dimethylaminobenzoate can be used as the photopolymerization initiator.

본 발명의 광중합 개시제의 함량은 감광성 수지층 조성물 중 2∼10중량%인 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. Although the content of the photoinitiator of this invention is 2-10 weight% in a photosensitive resin layer composition, it is not limited to this.

<용제 및 기타 첨가제>Solvents and Other Additives

본 발명의 감광성 수지 조성물의 용제로는 일반적으로 메틸에틸케톤(MEK), 메탄올, THF, 톨루엔, 아세톤 중에서 선택된 것을 사용하지만, 상기 용제로 특별히 한정되어지는 것은 아니다. As a solvent of the photosensitive resin composition of this invention, although the thing chosen from methyl ethyl ketone (MEK), methanol, THF, toluene, and acetone is generally used, it is not specifically limited to the said solvent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기한 조성 이외에도 통상 첨가되는 가소제. 안정제, 레벨링제, 발색조제, 발색제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있음은 물론인 바, 이들의 구체 성분과 함량은 특별히 한정되는 것은 아니고 통상 첨가되는 수준이다.Moreover, the plasticizer which the photosensitive resin composition of this invention is added normally other than said composition. Additives such as stabilizers, leveling agents, color aids, coloring agents and the like may be further included, of course, the specific components and contents thereof are not particularly limited and are usually added levels.

본 발명에서는 특별히 여러 가지 성분들을 첨가하여 제조된 광반응 조절층을 포함하는 바, 구체적으로는 드라이 필름의 광반응성을 향상시키기 위해서 광중합 개시제류를, 또한, 드라이 필름의 광반응성을 감소시키기 위해서는 반응 억제제등을 첨가한다. The present invention includes a photoreaction control layer prepared by adding various components. Specifically, the photopolymerization initiators may be reacted to improve the photoreactivity of the dry film, and to reduce the photoreactivity of the dry film. Add an inhibitor etc.

상기 드라이 필름의 광반응성 증가를 위해 첨가되는 광중합 개시제류는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 및 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인 및 그 유도체; 벤질; 벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 클로로벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논 및 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논 및 그 유도체; 2-에틸안트라퀴논 및 2-t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 4-(디알킬아미노)벤조산알킬에스테르; 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체 및 이의 유도체 등이 포함된다. The photopolymerization initiators added to increase the photoreactivity of the dry film include benzoin and derivatives thereof such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin isopropyl ether; benzyl; Benzophenones and derivatives thereof such as benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, chlorobenzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone and 4,4'-dichlorobenzophenone; Anthraquinones such as 2-ethylanthraquinone and 2-t-butylanthraquinone; 4- (dialkylamino) benzoic acid alkyl ester; 2,4,5-triarylimidazole dimers and derivatives thereof, and the like.

또한, 상기 광반응성을 감소시키기 위해 포함될 수 있는 광반응 억제제는 일반적인 산화방지제가 적용되며, 예를 들면, 포스파이트 유도체 중에서 선택된 것이며, 본 특허에서는 특별히 페닐 다이아이소데실 포스파이트(Phenyl Diisodecyl Phosphite)를 사용하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, photoreaction inhibitors that may be included to reduce the photoreactivity are applied to a common antioxidant, for example, selected from phosphite derivatives, in this patent specifically phenyl diisodecyl phosphite (Phenyl Diisodecyl Phosphite) Although it is preferable to use, it is not limited to this.

본 발명의 광반응 조절층은 상기 나열된 광중합 개시제 또는 광반응 억제제 중에서 선택된 1종 이상의 성분을 메틸에틸케톤, 아세톤, 메탄올, 에탄올, THF 중에서 선택된 용매에 0.3 내지 50중량%로 용해시켜 사용하는 것이 바람직하다. The photoreaction control layer of the present invention is preferably used by dissolving at least one component selected from the above-described photopolymerization initiator or photoreaction inhibitor in 0.3 to 50% by weight in a solvent selected from methyl ethyl ketone, acetone, methanol, ethanol and THF. Do.

상기 광반응 조절층의 도포방법은 특별히 한정되지 않으며, 상기 감광성 수 지층 상에 도포시의 두께는 0.001 내지 3㎛ 수준이 적당하며, 바람직하게는 0.01 내지 1㎛ 수준이다. 0.001㎛ 미만의 두께를 가지는 층은 그 제조가 어렵고 균일한 광반응 조절 기능을 확보하기 어려우며, 또한 3㎛를 초과할 경우 광반응 효과의 증가가 미흡하고, 제조비용이 상승하는 단점을 가진다. The coating method of the photoreaction control layer is not particularly limited, and the thickness at the time of coating on the photosensitive resin layer is appropriately 0.001 to 3㎛ level, preferably 0.01 to 1㎛ level. The layer having a thickness of less than 0.001 μm is difficult to manufacture and difficult to secure a uniform photoreaction control function, and when it exceeds 3 μm, the increase in the photoreaction effect is insufficient and the manufacturing cost increases.

또한, 본 발명의 보호 필름으로는 드라이 필름 포토레지스트에서 통상적으로 사용되는 폴리에틸렌과 같은 올레핀계 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리에스터계 필름을 모두 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, as the protective film of the present invention, all of an olefin-based film such as polyethylene and a polyester-based film such as polyethylene terephthalate may be used, but are not limited thereto.

이는 본 발명에서 상기와 같은 광반응 조절층을 더 포함함으로써, 종래 기술에서 상기 폴리에틸렌 필름을 보호 필름으로 사용시 발생되던 피쉬아이 문제를 해결했기 때문에 가능한 것이다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 보호 필름으로 사용하더라도, 본 발명에 따른 광반응 조절층으로 인해 광반응성 조절이 용이하여 드라이 필름의 광반응성을 조절할 수 있으므로, 종래와 같이 광반응성의 차이로 인해 기존 감광성 수지 조성물의 조성을 변경시키거나 사용 조건을 변화시키는 등의 문제 등이 발생되지 않는다. This is possible because the present invention further includes a photoreaction control layer as described above, which solves the fish-eye problem that occurs when the polyethylene film is used as a protective film in the prior art. In addition, even if a polyethylene terephthalate film is used as a protective film, the photoreactivity can be easily adjusted due to the photoreaction control layer according to the present invention, so that the photoreactivity of the dry film can be adjusted. Problems such as changing the composition of the resin composition or changing the use conditions do not occur.

상기와 같은 본 발명의 보호 필름의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 통상 1 내지 100㎛인 것이 바람직하다.Although the thickness of the protective film of this invention as mentioned above is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 micrometers normally.

본 발명의 드라이 필름 포토레지스트는 상기 지지체 필름 상에, 감광성 수지 조성물을 이 분야에 잘 알려진 통상의 코팅 방식으로 도포시켜 감광성 수지층을 형성시킨 다음, 상기와 같이 광반응성을 조절할 수 있는 광반응 조절층을 도포하고, 최종적으로 보호 필름을 도포하게 된다. In the dry film photoresist of the present invention, the photosensitive resin composition is coated on the support film by a conventional coating method well known in the art to form a photosensitive resin layer, and then the photoreaction control which can control photoreactivity as described above. The layer is applied and finally a protective film is applied.

또한, 상기 감광성 수지층의 형성 과정은 통상의 드라이 필름 포토 레지스트 제조과정에 준하여 수행하였으며, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않는다. In addition, the process of forming the photosensitive resin layer was performed according to a conventional dry film photoresist manufacturing process, it is not particularly limited in the present invention.

본 실시예에서의 라미네이션은 Hakuto Mach610i 장비를 이용하였으며, 라미네이션 조건은 온도 110℃, 라미네이션 롤 압력 4kgf/cm2, 속도 2.0m/min의 조건에서 진행하였다. Lamination in the present embodiment was used Hakuto Mach610i equipment, lamination conditions were carried out under the conditions of temperature 110 ℃, lamination roll pressure 4kgf / cm 2, speed 2.0m / min.

드라이필름의 반응성은 드라이필름을 CCL위에 라미네이션 한 후에 드라이필름의 표면위에 Stouffer Step Tablet을 위치시킨 후, 노광공정을 진행하였다. 본 실시예에서의 노광 장비는 Perkin-ElmerTM OB7120을 이용하였다. The reactivity of the dry film was that after laminating the dry film on the CCL, the Stouffer Step Tablet was placed on the surface of the dry film, followed by an exposure process. The exposure equipment in this example used Perkin-ElmerTM OB7120.

노광 공정 진행 후 15분간의 방치시간을 둔 후 현상기를 이용하여 현상(break point=50%)하여 남아 있는 드라이필름 단수의 개수를 파악하여 드라이 필름의 반응성을 평가하였다. 이때, 사용된 현상 조건은 현상액 농도 Na2CO3 1중량% 수용액, 온도 30℃, 스프레이 압력 1.5kgf/㎠, 파단점 50%의 조건에서 평가를 진행하였다. After leaving the exposure process for 15 minutes, the development of the dry film (break point = 50%) was performed by using a developer to determine the number of remaining dry film stages to evaluate the reactivity of the dry film. At this time, the developing conditions used were evaluated under conditions of a developer concentration Na 2 CO 3 1% by weight aqueous solution, temperature 30 ℃, spray pressure 1.5kgf / ㎠, 50% breaking point.

이하 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited by Examples.

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2

지지체 필름으로 두께 19㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 다음 표 1과 같은 조성으로 된 감광성 수지 조성물을 도포하여 감광성 수지층을 형성시켰 다. As a support film, a photosensitive resin composition having a composition as shown in Table 1 was applied on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 19 μm to form a photosensitive resin layer.

성분ingredient 함량(중량부)Content (parts by weight) 용매menstruum 메틸에틸케톤Methyl ethyl ketone 2020 광개시제Photoinitiator 벤조페논 4,4'-(비스디에틸아미노)벤조페논Benzophenone 4,4 '-(bisdiethylamino) benzophenone 3.0 3.03.0 3.0 첨가제additive 루코 크리스탈 바이올렛 톨루엔술폰산1수화물 다이아몬드 그린 GHLuco Crystal Violet Toluenesulfonic Acid Monohydrate Diamond Green GH 0.4 0.4 0.20.4 0.4 0.2 광중합성 올리고머Photopolymerizable oligomer BPE-500 (Shin-nakamura) M281(미원상사) A-TMPT-3EOBPE-500 (Shin-nakamura) M281 (Miwon Corporation) A-TMPT-3EO 6 6 66 6 6 바인더 폴리머Binder polymer KOLON BP-1 (고형분 50%)KOLON BP-1 (50% solids) 5555

실시예 1 내지 4의 경우, 상기 감광성 수지층을 형성시킨 다음, 다음 표 2의 광반응 조절층 성분을 메틸에틸케톤(MEK) 용매에 용해시킨 후, 약 0.5㎛ 두께로 도포하여 광반응 조절층을 형성시키고, 최종적으로 다음 표 2와 같은 재질의 보호 필름을 형성시켜 드라이 필름 포토레지스트를 제조하였다. In Examples 1 to 4, the photosensitive resin layer was formed, and then the photoreaction control layer components of the following Table 2 were dissolved in a methyl ethyl ketone (MEK) solvent, and then applied to a thickness of about 0.5 μm to form a photoreaction control layer. To form, and finally to form a protective film of the material shown in Table 2 to prepare a dry film photoresist.

비교예 1 내지 2의 경우, 상기 감광성 수지층을 형성시킨 다음, 광반응성 조절층을 형성시키지 않고, 보호 필름만을 형성시켜 드라이 필름 포토레지스트를 제조하였다. In Comparative Examples 1 and 2, the photosensitive resin layer was formed, and then, only the protective film was formed without forming a photoreactive control layer to prepare a dry film photoresist.

보호필름 재질Protective film material 광반응 조절층 Photoreaction Control Layer 비교예 1Comparative Example 1 폴리에틸렌Polyethylene -- 비교예 2Comparative Example 2 폴리에틸렌테레프탈레이트Polyethylene terephthalate -- 실시예 1Example 1 폴리에틸렌Polyethylene 벤조페논Benzophenone 실시예 2Example 2 폴리에틸렌테레프탈레이트Polyethylene terephthalate 벤조페논Benzophenone 실시예 3Example 3 폴리에틸렌Polyethylene 페닐 다이아이소데실 포스파이트Phenyl diisodecyl phosphite 실시예 4Example 4 폴리에틸렌테레프탈레이트Polyethylene terephthalate 페닐 다이아이소데실 포스파이트Phenyl diisodecyl phosphite

상기 얻어진 드라이 필름 포토레지스트의 노광량에 따른 광반응성을 다음 표 3에 나타내었다. 그 결과는 스토우퍼 스텝 21단수로 표현하였으며, 그 값이 클수록 광반응성이 큰 것을 의미한다. Photoreactivity according to the exposure amount of the obtained dry film photoresist is shown in Table 3 below. The result was expressed by the stopper step 21 stage, the larger the value means that the photoreactivity is greater.

Figure 112006047826478-PAT00001
Figure 112006047826478-PAT00001

상기 표 3의 결과에서 확인할 수 있는 바와 같이, 폴리에틸렌을 보호필름 으로 사용한 실시예 1 및 실시예 3과, 폴리에틸렌테레프탈레이트를 보호필름 재질로 사용한 실시예 2와 실시예 4는 모두 동일한 감광성 수지 조성 상에서도 광반응성이 서로 다른 드라이 필름 포토레지스트의 제조가 가능하며, 특별히 비교예 1과 비교예 2와 같이 보호필름 재질에 따른 광반응성을 본 발명과 같이 광반응 조절층을 첨가함으로 인하여 광반응성 조절이 가능하다. 또한, 종래 폴리에틸렌테레프탈레이트를 보호필름으로 적용시 광반응성이 상승되는 문제도 본 발명과 같이 광반응 조절층을 형성시킨 경우 발생되지 않았다. 또한, 폴리에틸렌 필름을 보호필름으로 사용시 발생되던 피쉬아이 문제도 본 발명과 같이 광반응 조절층을 포함할 경우 해결할 수 있다. 또한, 스토우퍼스텝 21단을 이용 동일한 8단 스텝에서의 물성을 비교한 결과 모두 유의차 수준에서 동일한 물성을 가짐을 알 수 있다. As can be seen from the results of Table 3, Example 1 and Example 3 using polyethylene as a protective film, and Example 2 and Example 4 using polyethylene terephthalate as a protective film material are all on the same photosensitive resin composition. It is possible to manufacture a dry film photoresist having a different photoreactivity, and the photoreactivity can be adjusted by adding a photoreaction control layer as in the present invention, in particular, photoreactivity according to the protective film material as in Comparative Example 1 and Comparative Example 2 Do. In addition, when the conventional polyethylene terephthalate is applied as a protective film, the problem of increasing the photoreactivity did not occur when the photoreaction control layer was formed as in the present invention. In addition, the fish eye problem generated when the polyethylene film is used as a protective film can be solved when the photoreaction control layer is included as in the present invention. In addition, as a result of comparing the physical properties in the same eight-step step using the stow step step 21, it can be seen that all have the same physical properties at the significant difference level.

실시예 5 내지 8Examples 5-8

다음 실시예에서는 상기 실시예 1에서와 동일한 감광성 수지 조성물을 이용하여 감광성 수지층을 형성시킨 다음, 다음 표 4와 같이 광반응 조절층의 두께 변화에 따른 광반응성을 평가하였다. In the following examples, the photosensitive resin layer was formed using the same photosensitive resin composition as in Example 1, and then photoreactivity was evaluated according to the thickness change of the photoreaction control layer as shown in Table 4 below.

보호필름 재질Protective film material 광반응조절층 성분 Photoreaction Control Layer Components 두께(㎛)Thickness (㎛) 비교예 1Comparative Example 1 폴리에틸렌Polyethylene -- -- 실시예 5Example 5 폴리에틸렌Polyethylene 벤조페논Benzophenone 0.00050.0005 실시예 6Example 6 폴리에틸렌Polyethylene 벤조페논Benzophenone 0.10.1 실시예 7Example 7 폴리에틸렌Polyethylene 벤조페논Benzophenone 3.03.0 실시예 8Example 8 폴리에틸렌Polyethylene 벤조페논Benzophenone 3.53.5

상기 실시예 5 내지 8에 따라 제조된 드라이 필름의 노광량에 따른 광반응성을 다음 표 5에 나타내었다. Photoreactivity according to the exposure amount of the dry film prepared according to Examples 5 to 8 is shown in Table 5 below.

Figure 112006047826478-PAT00002
Figure 112006047826478-PAT00002

상기 표 5의 결과와 같이, 광반응 조절층의 두께가 상승함에 따라 감도 상승효과가 있음을 알 수 있으며, 실시예 5와 같이 그 두께가 0.001㎛ 이하일 경우 효과는 미미하며, 실시예 8과 같이 3㎛를 초과할 경우 광반응성 증가 효과는 없다. 또한, 스토우퍼스텝 21단을 이용 동일한 8단 스텝에서의 물성을 비교한 결과 모두 유의차 수준에서 동일한 물성을 가짐을 알 수 있다. As shown in the results of Table 5, it can be seen that there is a sensitivity increase effect as the thickness of the photoreaction control layer increases, the effect is insignificant when the thickness is less than 0.001㎛ as in Example 5, as in Example 8 If it exceeds 3㎛ there is no effect of increasing the photoreactivity. In addition, as a result of comparing the physical properties in the same eight-step step using the stow step step 21, it can be seen that all have the same physical properties at the significant difference level.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 지지체 필름, 감광성 수지층, 보호 필름으로 이루어진 3층 구조의 드라이 필름 포토레지스트에 감광성 수지층 상에 광반응 조절층을 더 포함시킨 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트는 사용되는 보호 필름의 종류에 상관없이 동일한 감광성 수지 조성물을 이용하여 다양한 광반응 특성을 가지는 드라이 필름 포토레지스트를 제조할 수 있다. As described in detail above, the dry film photoresist having a four-layer structure in which a dry film photoresist having a three-layer structure consisting of a support film, a photosensitive resin layer, and a protective film is further included on the photosensitive resin layer is used. Regardless of the kind of protective film to be used, the same photosensitive resin composition may be used to produce a dry film photoresist having various photoreaction characteristics.

Claims (6)

지지체 필름, 감광성 수지층, 보호필름으로 이루어진 드라이 필름 포토레지스트에 있어서, In a dry film photoresist consisting of a support film, a photosensitive resin layer, and a protective film, 상기 감광성 수지층과 상기 보호필름 사이에 광반응 조절층이 형성된 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트. Dry film photoresist having a four-layer structure formed a photoreaction control layer between the photosensitive resin layer and the protective film. 제 1항에 있어서, 상기 광반응 조절층은 0.001 내지 3㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트. The dry film photoresist of claim 1, wherein the photoreaction control layer is formed to a thickness of 0.001 to 3 μm. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광반응 조절층은 0.1 내지 1㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트. The dry film photoresist of claim 1, wherein the photoreaction control layer is formed to a thickness of 0.1 to 1 μm. 제 1항에 있어서, 광반응 조절층은 광중합 개시제, 또는 광반응 억제제로부터 선택된 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트. The dry film photoresist of claim 1, wherein the photoreaction control layer comprises at least one component selected from a photopolymerization initiator or a photoreaction inhibitor. 제 4항에 있어서, 상기 광중합 개시제는 벤조인 및 그 유도체, 벤질, 벤조페논 및 그 유도체, 안트라퀴논류, 4-(디알킬아미노)벤조산알킬에스테르, 또는 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체 및 이의 유도체 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 드라이 필름 포토레지스트.The photopolymerization initiator according to claim 4, wherein the photopolymerization initiator is benzoin and its derivatives, benzyl, benzophenone and its derivatives, anthraquinones, 4- (dialkylamino) benzoic acid alkyl esters, or 2,4,5-triarylimide. Dry film photoresist, characterized in that at least one selected from sol dimers and derivatives thereof. 제 4항에 있어서, 상기 광반응 억제제는 다이아이소데실 포스파이트(Phenyl Diisodecyl Phosphite)인 것을 특징으로 하는 드라이 필름 포토레지스트. The dry film photoresist of claim 4, wherein the photoreaction inhibitor is diisodecyl phosphite.
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WO2011037438A3 (en) * 2009-09-28 2011-08-04 코오롱인더스트리 주식회사 Dry film photoresist
KR20150054173A (en) * 2013-11-11 2015-05-20 삼성전기주식회사 Dry film resist
CN107488095A (en) * 2017-07-17 2017-12-19 北京斯伯乐科技发展有限公司 A kind of preparation of environment-friendly type retarder for styrene device and its application method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011037438A3 (en) * 2009-09-28 2011-08-04 코오롱인더스트리 주식회사 Dry film photoresist
KR20150054173A (en) * 2013-11-11 2015-05-20 삼성전기주식회사 Dry film resist
CN107488095A (en) * 2017-07-17 2017-12-19 北京斯伯乐科技发展有限公司 A kind of preparation of environment-friendly type retarder for styrene device and its application method

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