KR20080001844A - 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents
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- 기판상에 버퍼층이 형성되고, 버퍼층에 질화갈륨계 화합물 반도체층이 형성되는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서,상기 버퍼층은, AlxGa1 -xN(단, 0 < x ≤ 1 )물질막 또는 Un-doped AlyGa1 - yN (단, 0 ≤ y ≤ 1 ) 물질막이 적어도 한층이상 교대로 적층 되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은, AlN 버퍼층 , AlN/GaN 초격자 구조, AlN/AlxGa1 - xN (단, 0 ≤ x ) 초격자 구조, AlXInYGa(1-X-Y)N(단, 0≤X,Y≤1 및 0≤X+Y≤1)물질막 / AlXInYGa(1-X-Y)N(단, 0≤X,Y≤1 및 0≤X+Y≤1)물질막의 초격자 구조 중에 어느 하나의 형태를 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은, 300 ~ 900 ℃의 온도에서 5 ~ 100nm의 두께로 형성되는 AlxGa1-xN(단, 0 < x ≤ 1 )을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 다이오드.
- 청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은, 600 ~ 1200 ℃의 온도에서 2 ~ 20 ㎛의 두께로 형성되는 Un-doped AlxGa1 - xN (단, 0 ≤ x ≤ 1 )물질막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 다이오드.
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