KR20080001403A - Shift register and liquid crystal display device using the same - Google Patents

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Abstract

A shift register and an LCD(Liquid Crystal Display) device are provided to prevent ripples by using two output terminals, which have different loads from each other while two output signals are in low voltages, of the shift register. A shift register includes first and second stages(S1,S2), and a ripple down controller(100). The first stage charges a first output terminal in response to the voltage of a first node and discharges the first output terminal in response to the voltage of a second node. The second stage is operated according to the voltage of the first output terminal, charges a second output terminal in response to the voltage of a third node, and discharge the second output terminal in response to the voltage of a fourth node. The ripple down controller connects the first and second output terminals in response to the voltage of the fourth node.

Description

쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정표시장치{SHIFT REGISTER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME}SHIFT REGISTER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

도 1은 종래의 액정표시장치를 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional liquid crystal display device.

도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로의 구성을 나타내는 도면.FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the gate driving circuit shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2에 도시된 제1 스테이지의 상세 회로도.3 is a detailed circuit diagram of the first stage shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시된 제1 스테이지의 구동 파형도.4 is a drive waveform diagram of the first stage shown in FIG.

도 5는 종래 쉬프트 레지스터의 출력 파형을 나타내는 도면.5 is a diagram showing an output waveform of a conventional shift register.

도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면.6 is a diagram illustrating a shift register according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터 중 제1 및 제2 스테이지 회로 구성의 예를 나타내는 도면.Fig. 7 is a diagram showing examples of first and second stage circuit configurations among the shift registers according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 스테이지의 구동 파형도.FIG. 8 is a drive waveform diagram of the first and second stages shown in FIG. 7; FIG.

도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면.9 is a diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터 중 제1 및 제2 스테이지 회로 구성의 예를 나타내는 도면.FIG. 10 is a diagram showing an example of first and second stage circuit configurations among the shift registers according to the second embodiment of the present invention; FIG.

도 11a 및 도 11b는 도 10에 도시된 제1 및 제2 스테이지의 구동 파형도.11A and 11B are drive waveform diagrams of the first and second stages shown in FIG.

도 12는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 출력 파형을 나타내는 도면.12 is a view showing an output waveform of a shift register according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

11 : 데이터 구동회로 12 : 게이트 구동회로11 data driving circuit 12 gate driving circuit

13 : 액정표시패널 15 : 쉬프트 레지스터13: liquid crystal display panel 15: shift register

21 : 출력 버퍼 22 : 제어부21: output buffer 22: control unit

100, 200 : 리플 다운 제어부100, 200: ripple down control unit

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 출력신호에 발생하는 리플을 감소시킬 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shift register and a liquid crystal display using the same, and more particularly, to a shift register capable of reducing ripple generated in an output signal and a liquid crystal display using the same.

액정표시장치는 사무기기의 표시소자부터 컴퓨터의 모니터, 나아가 최근의 공정기술과 구동기술의 발전에 힘입어 대화면의 텔레비전(Television)에 이르기까지 광범위하게 이용되고 있는 평판 표시장치이다. 이러한 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열된 액정표시패널과, 액정표시패널을 구동하기 위한 구동 회로를 구비한다.Liquid crystal displays are widely used in display devices of office equipment, monitors of computers, and even large-screen televisions with the recent development of process and driving technologies. Such a liquid crystal display device displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel in which liquid crystal cells are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal display panel.

도 1을 참조하면, 종래의 일반적인 액정표시장치는 m×n개의 액정셀들(Clc) 이 매트릭스 타입으로 배열되고 m개의 데이터 라인들(D1 내지 Dm)과 n개의 게이트 라인들(G1 내지 Gn)이 교차되며 그 교차부에 박막 트랜지스터(TFT)가 접속된 액정표시패널(13)과, 액정표시패널(13)의 데이터 라인들(D1 내지 Dm)에 데이터를 공급하는 데이터 구동회로(11)와, 게이트 라인들(G1 내지 Gn)에 스캔 펄스를 공급하는 게이트 구동회로(12)를 구비한다.Referring to FIG. 1, in the conventional LCD, m × n liquid crystal cells Clc are arranged in a matrix type, m data lines D1 to Dm and n gate lines G1 to Gn. Intersect with the liquid crystal display panel 13 to which the thin film transistor TFT is connected, and the data driver circuit 11 for supplying data to the data lines D1 to Dm of the liquid crystal display panel 13. And a gate driving circuit 12 supplying a scan pulse to the gate lines G1 to Gn.

액정표시패널(13)은 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 어레이가 형성된 컬러 필터 기판이 액정 층을 사이에 두고 합착되어 형성된다. 이 액정표시패널(13)의 박막 트랜지스터 기판에 형성된 데이터 라인들(D1 내지 Dm)과 게이트 라인들(G1 내지 Gn)은 상호 직교 된다. 데이터 라인들(D1 내지 Dm)과 게이트 라인들(G1 내지 Gn)의 교차부에 접속된 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(G1 내지 Gn)의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인(D1 내지 Dn)을 통해 공급된 데이터 전압을 액정셀(Clc)의 화소 전극에 공급하게 된다. 컬러 필터 기판에는 블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극 등이 형성된다. 이에 따라, 액정셀(Clc)은 화소 전극에 공급된 데이터 전압과, 공통 전극에 공급된 공통 전압과의 전위차에 의해 유전 이방성을 갖는 액정이 회전하여 광 투과율을 조절하게 된다. 그리고 액정표시패널(13)의 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고, 액정 층과 접하는 내측면 상에는 액정의 프리틸트각을 결정하는 배향막이 더 형성된다. 또한, 액정셀(Clc) 각각에는 스토리지 캐패시터(Cst)가 더 형성된다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 화소 전극과 전단 게이트 라인 사이에 형성되거나, 화소 전극과 도시하지 않은 공통 라인 사이에 형 성되어 액정셀(Clc)에 충전된 데이터 전압을 일정하게 유지시킨다.The liquid crystal display panel 13 is formed by bonding a thin film transistor substrate on which a thin film transistor array is formed and a color filter substrate on which a color filter array is formed, with the liquid crystal layer interposed therebetween. The data lines D1 to Dm and the gate lines G1 to Gn formed on the thin film transistor substrate of the liquid crystal display panel 13 are perpendicular to each other. The thin film transistor TFT connected to the intersection of the data lines D1 to Dm and the gate lines G1 to Gn may connect the data lines D1 to Dn in response to a scan pulse of the gate lines G1 to Gn. The supplied data voltage is supplied to the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc. A black matrix, a color filter, a common electrode, and the like are formed on the color filter substrate. Accordingly, in the liquid crystal cell Clc, the liquid crystal having dielectric anisotropy is rotated to adjust the light transmittance by a potential difference between the data voltage supplied to the pixel electrode and the common voltage supplied to the common electrode. On the thin film transistor substrate and the color filter substrate of the liquid crystal display panel 13, a polarizing plate having an optical axis orthogonal to each other is attached, and an alignment layer for determining the pretilt angle of the liquid crystal is further formed on the inner side of the liquid crystal layer. In addition, a storage capacitor Cst is further formed in each of the liquid crystal cells Clc. The storage capacitor Cst is formed between the pixel electrode and the front gate line, or is formed between the pixel electrode and a common line (not shown) to keep the data voltage charged in the liquid crystal cell Clc constant.

데이터 구동회로(11)는 감마 전압을 이용하여 입력된 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하고 이 아날로그 데이터 전압을 데이터 라인들(D1 내지 Dm)에 공급한다.The data driving circuit 11 converts the input digital video data into an analog data voltage using a gamma voltage and supplies the analog data voltage to the data lines D1 to Dm.

게이트 구동회로(12)는 스캔 펄스를 게이트 라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터가 공급될 액정셀(Clc)의 수평 라인을 선택한다.The gate driving circuit 12 sequentially supplies scan pulses to the gate lines G1 to Gn to select a horizontal line of the liquid crystal cell Clc to which data is to be supplied.

구체적으로, 게이트 구동회로(12)는 도 2에 도시된 바와 같이 게이트 라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 스캔 펄스를 공급하기 위하여 스타트 펄스(Vst) 입력 라인에 종속적으로 접속된 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)를 구비하는 쉬프트 레지스터(15)를 포함한다. 도 2에 도시된 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)에는 고전위 구동전압(Vdd) 및 저전위 구동전압(Vss)과 함께 클럭신호들(CLKs)이 공통으로 공급되고, 스타트 펄스(Vst) 또는 이전 단 스테이지의 출력신호가 공급된다. 제1 스테이지(S1)는 스타트 펄스(Vst)와 클럭신호(CLK)에 응답하여 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 스캔 펄스를 출력한다. 그리고, 제2 내지 제n 스테이지(S2 내지 Sn)는 이전 단 스테이지의 출력신호와 클럭신호들(CLKs)에 응답하여 제2 내지 제n 게이트 라인(G2 내지 Gn) 각각에 스캔 펄스를 순차적으로 출력한다. 다시 말하여, 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)는 동일한 회로 구성을 가지며, 클럭신호들(CLKs)로는 위상이 서로 다른 적어도 2개의 클럭신호가 공급된다.Specifically, as shown in FIG. 2, the gate driving circuit 12 is first to first connected to the start pulse Vst input line in order to sequentially supply scan pulses to the gate lines G1 to Gn. a shift register 15 having n stages S1 to Sn. The clock signals CLKs are commonly supplied to the first to nth stages S1 to Sn shown in FIG. 2 together with the high potential driving voltage Vdd and the low potential driving voltage Vss, and the start pulse Vst is provided. ) Or the output signal of the previous stage is supplied. The first stage S1 outputs a scan pulse to the first gate line G1 in response to the start pulse Vst and the clock signal CLK. The second to nth stages S2 to Sn sequentially output scan pulses to the second to nth gate lines G2 to Gn in response to the output signal and the clock signals CLKs of the previous stage. do. In other words, the first to nth stages S1 to Sn have the same circuit configuration, and at least two clock signals having different phases are supplied to the clock signals CLKs.

도 3은 도 2에 도시된 쉬프트 레지스터 중 제1 스테이지 회로 구성의 예를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a first stage circuit configuration among the shift registers shown in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 제1 스테이지는 Q 노드의 제어에 의해 제1 클럭신호(CLK1)를 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 출력하는 풀-업 트랜지스터(T6)와 QB 노드의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 출력하는 풀-다운 트랜지스터(T7)로 구성된 출력 버퍼(21)와, Q 노드와 QB 노드를 제어하는 제1 내지 제5a 트랜지스터(T1 내지 T5a)로 구성된 제어부(22)를 구비한다. 이러한 제1 스테이지에는 고전위 구동전압(Vdd) 및 저전위 구동전압(Vss)과 스타트 펄스(Vst)가 공급되고, 도 4에 도시된 바와 같이 위상이 서로 다른 제1 및 제2 클럭신호(CLK1, CLK2)가 공급된다. 이하, 제1 스테이지의 동작 과정을 도 4에 도시된 구동 파형을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 3, the first stage has a low potential under the control of the pull-up transistor T6 and the QB node which output the first clock signal CLK1 to the first gate line G1 under the control of the Q node. An output buffer 21 composed of a pull-down transistor T7 for outputting a driving voltage Vss to the first gate line G1, and first to fifth a transistors T1 to T5a for controlling the Q node and the QB node. It is provided with a control unit 22 composed of a). The first stage is supplied with the high potential driving voltage Vdd, the low potential driving voltage Vss, and the start pulse Vst, and the first and second clock signals CLK1 having different phases as shown in FIG. , CLK2) is supplied. Hereinafter, an operation process of the first stage will be described in detail with reference to the driving waveform shown in FIG. 4.

도 4를 참조하면, A 기간에서, 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 하이 전압이 Q 노드로 프리-차지된다. Q 노드로 프리-차지된 하이 전압에 의해 풀-업 트랜지스터(T6)가 턴-온되어 제1 클럭신호(CLK1)의 로우 전압이 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 이때, 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5 트랜지스터(T5)와 Q 노드의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5a 트랜지스터(T5a)에 의해 QB 노드는 로우 전압 상태가 되어 제3 및 풀-다운 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다.Referring to FIG. 4, in the period A, the first transistor T1 is turned on by the high voltage of the start pulse Vst so that the high voltage is pre-charged to the Q node. The pull-up transistor T6 is turned on by the high voltage pre-charged to the Q node, and the low voltage of the first clock signal CLK1 is supplied to the first gate line G1 as the output signal Vg_out1. . At this time, the QB node is in a low voltage state by the fifth transistor T5 turned on according to the high voltage of the start pulse Vst and the fifth a transistor T5a turned on according to the high voltage of the Q node. And the pull-down transistors T3 and T7 are turned off.

B 기간에서, 스타트 펄스(Vst)의 로우 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되므로 Q 노드는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 풀-업 트랜지스터(T6)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압에 의해, Q 노드는 풀-업 트랜지스터(T6)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시 턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 A 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 풀-업 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압이 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 빠르게 공급된다. 한편, Q 노드에 의해 턴-온된 제5a 트랜지스터(T5a)를 통해 방전된 QB 노드는 로우 전압 상태를 유지한다.In period B, the first node T1 is turned off by the low voltage of the start pulse Vst, so the Q node is floated to a high voltage state, and the pull-up transistor T6 remains turned on. . At this time, due to the high voltage of the first clock signal CLK1, the Q node is bootstrapping due to the parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the pull-up transistor T6, and thus, the A period. It is charged to a higher voltage. Accordingly, the pull-up transistor T6 is reliably turned on so that the high voltage of the first clock signal CLK1 is quickly supplied to the first gate line G1 as the output signal Vg_out1. Meanwhile, the QB node discharged through the 5a transistor T5a turned on by the Q node maintains a low voltage state.

C 기간에서는 다음 제2 스테이지 게이트 출력신호(Vg_out2)의 하이 전압에 의해 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-온되고, 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압에 의해 턴-온된 제4 트랜지스터(T4)를 통해 고전위 구동전압(Vdd)이 공급되어 QB 노드는 하이 전압 상태가 되고 제3 및 풀-다운 트랜지스터(T3, T7)를 턴-온시킨다. 턴-온된 제3 및 제3a 트랜지스터에 의해 Q 노드는 빠르게 방전되고, 턴-온된 풀-다운 트랜지스터(T7)에 의해 로우 전압이 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다.In the C period, the third transistor T3a is turned on by the high voltage of the next second stage gate output signal Vg_out2 and the fourth transistor T4 is turned on by the high voltage of the second clock signal CLK2. The high potential driving voltage Vdd is supplied to the QB node to turn on the high voltage state and turn on the third and pull-down transistors T3 and T7. The Q node is quickly discharged by the turned-on third and third a transistors, and a low voltage is supplied to the first gate line G1 as the output signal Vg_out1 by the turned-on pull-down transistor T7.

D 기간에서는 C 기간에서 하이 전압 상태로 플로팅된 QB 노드가 플로팅 상태를 유지하여 제3 및 풀-다운 트랜지스터(T3 및 T7)를 턴-온시킨다. 이로 인해 Q 노드는 방전되어 로우 전압 상태를 유지하고 로우 전압이 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 그리고, 이 로우 전압의 출력신호(Vg_out1)는 다음 프레임에서 스타트 펄스(Vst)가 공급될 때까지 D 기간의 로우 전압 상태를 유지한다.In the D period, the QB node floated to the high voltage state in the C period maintains the floating state to turn on the third and pull-down transistors T3 and T7. As a result, the Q node is discharged to maintain the low voltage state, and the low voltage is supplied to the first gate line G1 as the output signal Vg_out1. The low voltage output signal Vg_out1 maintains the low voltage state of the D period until the start pulse Vst is supplied in the next frame.

이러한 구성을 갖는 게이트 구동회로를 액정표시패널에 내장하고자 하는 경우, 출력신호의 특성 열화를 감소시키기 위해 각 스테이지의 출력 버퍼, 즉 풀-업 및 풀-다운 트랜지스터의 크기가 매우 크게 형성되어야 한다. 설계치에 의하면 출력 버퍼는 수천 ㎛이상의 채널 폭을 가져야 하고, 10"이상 중대형 크기의 액정표시패널의 게이트 구동회로에는 20,000㎛가 넘는 채널폭을 가지는 트랜지스터가 이용되기도 한다. 특히, 풀-다운 트랜지스터는 도 4에 도시된 바와 같이 한 프레임에서 2 수평기간 동안에만 턴-오프되고 나머지 기간 동안 턴-온 상태를 유지해야 하므로 열화 속도가 빨라 게이트 구동회로의 수명을 단축시키기 때문에 더 큰 사이즈를 가져야 한다. 이를 위해, 내장된 쉬프트 레지스터가 차지하는 면적이 커져야 하지만 제품 규격상 비표시 영역 내에서 회로 면적을 크게 하는데는 한계가 있기 때문에 풀-다운 트랜지스터의 크기를 줄이면서도 열화 속도를 감소시킬 수 있는 듀얼 풀-다운 트랜지스터 등의 다양한 기술들이 개발되었다. 하지만, 하이 전압 타이밍을 제외하고는 출력신호가 지속적으로 로우 전압을 유지해야함에도 불구하고, 출력신호의 로우 전압을 유지시켜주는 풀-다운 트랜지스터의 크기가 축소됨에 따라 출력신호의 로우 전압 상태가 제대로 유지되지 못하여 리플(Ripple)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 또한, 풀-다운 트랜지스터의 크기가 축소됨으로써 출력단에 연결된 캐패시턴스 값이 작아져 리플의 높이가 더 높아지게 된다.In the case where the gate driving circuit having such a structure is to be incorporated in the liquid crystal display panel, the size of the output buffer of each stage, that is, the pull-up and pull-down transistors should be very large in order to reduce the deterioration of the characteristics of the output signal. By design, the output buffer should have a channel width of more than a few thousand micrometers, and transistors with a channel width of more than 20,000 micrometers may be used for gate driving circuits of liquid crystal display panels of 10 "or more medium-large size. In particular, pull-down transistors As shown in FIG. 4, since it is necessary to turn off only for two horizontal periods in one frame and to turn on for the rest of the period, the deterioration speed is increased and the life of the gate driving circuit is shortened. To do this, the area occupied by the built-in shift resistor must be large, but due to product specifications, there is a limit to increasing the circuit area within the non-display area, thereby reducing the degradation rate while reducing the size of the pull-down transistor. Various technologies have been developed, such as down transistors, but high voltage tie Despite the fact that the output signal must maintain a low voltage except that, as the size of the pull-down transistor that maintains the low voltage of the output signal is reduced, the low voltage state of the output signal is not properly maintained and the ripple ( In addition, as the size of the pull-down transistor is reduced, the capacitance value connected to the output terminal is reduced, resulting in a higher ripple height.

이 리플은 도 5에 도시된 바와 같이, 각 스테이지 출력신호의 하이 전압 타이밍을 지시하는 클럭신호, 예를 들어 도 3 및 도 4에 도시된 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압 타이밍에 동기화되어 발생한다.This ripple is synchronized with the high voltage timing of the clock signal indicating the high voltage timing of each stage output signal, for example, the first clock signal CLK1 shown in FIGS. 3 and 4, as shown in FIG. Occurs.

따라서, 본 발명의 목적은 출력신호에 발생하는 리플을 감소시킬 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a shift register and a liquid crystal display device using the same which can reduce ripple generated in an output signal.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지; 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제3 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지; 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비한다.In order to achieve the above object, a shift register according to an embodiment of the present invention is configured to charge a first output terminal in response to a voltage of a first node, and to discharge the first output terminal in response to a voltage of a second node. 1 stage; A second stage for driving according to the voltage of the first output terminal and charging the second output terminal in response to the voltage of the third node and discharging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node; And a ripple down controller connecting the first output terminal and the second output terminal in response to the voltage of the fourth node.

상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제4 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화된다.The output signal of the first output terminal and the output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fourth node is at a high voltage.

상기 리플 다운 제어부는 상기 제4 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 리플 다운 트랜지스터를 포함한다.The ripple down controller includes a ripple down transistor having a gate terminal connected to the fourth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 및 제3 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지; 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제4 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제5 및 제6 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지; 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비한다.A shift register according to another embodiment of the present invention may include a first stage that charges a first output terminal in response to a voltage of a first node and discharges the first output terminal in response to voltages of a second and third node; A second stage driving according to the voltage of the first output terminal and charging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node and discharging the second output terminal in response to the voltages of the fifth and sixth nodes; And a ripple down controller connecting the first output terminal and the second output terminal in response to the voltage of the fourth node.

상기 제2 및 제5 노드는 오드 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시키고, 상기 제3 및 제6 노드는 이븐 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시킨다.The second and fifth nodes discharge the first and fourth nodes during an odd frame period, and the third and sixth nodes discharge the first and fourth nodes during an even frame period.

상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제5 및 제6 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화된다.The output signal of the first output terminal and the output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fifth and sixth nodes are high voltage.

상기 리플 다운 제어부는 상기 제5 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제1 리플 다운 트랜지스터; 및 상기 제6 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제2 리플 다운 트랜지스터를 포함한다.The ripple down controller may include: a first ripple down transistor having a gate terminal connected to the fifth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively; And a second ripple down transistor having a gate terminal connected to the sixth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively.

본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 다수의 게이트 라인들과 다수의 데이터 라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널; 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지, 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제3 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지, 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 쉬프트 레지스터를 포함하여 상기 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 및 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로를 구비한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display includes: a liquid crystal display panel in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed; A first stage that charges a first output terminal in response to a voltage of a first node, discharges the first output terminal in response to a voltage of a second node, and drives according to a voltage of the first output terminal A second stage that charges a second output terminal in response to a voltage of the second output terminal, and discharges the second output terminal in response to a voltage of a fourth node; and the first output terminal and the response in response to a voltage of the fourth node. A gate driving circuit sequentially supplying scan pulses to the gate lines, including a shift register having a ripple down control unit connecting a second output terminal; And a data driver circuit for supplying data voltages to the data lines.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치는 다수의 게이트 라인들과 다수의 데이터 라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널;According to another exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display includes: a liquid crystal display panel in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed;

제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 및 제3 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지, 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제4 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제5 및 제6 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지, 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 쉬프트 레지스터를 포함하여 상기 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 및 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로를 구비한다.Charging a first output terminal in response to a voltage of a first node, driving a first stage to discharge the first output terminal in response to voltages of a second node and a third node, and driving according to a voltage of the first output terminal A second stage for charging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node, discharging the second output terminal in response to the voltages of the fifth and sixth nodes, and in response to the voltage of the fourth node; A gate driving circuit sequentially supplying scan pulses to the gate lines, including a shift register having a ripple down control unit connecting a first output terminal to the second output terminal; And a data driver circuit for supplying data voltages to the data lines.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 6 내지 도 12를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 12.

도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a shift register according to a first embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 게이트 라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 스캔 펄스를 공급하기 위하여 스타트 펄스(Vst) 입력 라인에 종속적으로 접속된 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)를 구비한다. 이러한 각각의 스테이지들(S1 내지 Sn)은 출력 단자에 연결되어 출력신호를 공급하는 출력 버퍼와 출력 버퍼를 제어하는 제어부로 구성된다. Referring to FIG. 6, the shift register according to the first embodiment of the present invention may include first to second slaves connected to the start pulse Vst input line to sequentially supply scan pulses to the gate lines G1 to Gn. Nth stages S1 to Sn. Each of these stages S1 to Sn is connected to an output terminal and includes an output buffer for supplying an output signal and a controller for controlling the output buffer.

제어부는 스테이지의 구동 시작을 위하여 스타트 펄스(Vst) 또는 이전 단 스테이지의 출력신호를 공급받는 S 단자, 스테이지 출력신호를 리셋시키기 위해 다음 단 스테이지의 출력신호를 리셋신호로 공급받는 R 단자, 풀-업 트랜지스터(F-u)의 게이트 단자에 연결되어 풀-업 트랜지스터(F-u)를 제어하는 Q 노드, 그리고 풀-다운 트랜지스터(F-d)의 게이트 단자에 연결되어 풀-다운 트랜지스터(F-d)를 제어하는 QB 노드를 포함한다. The control unit is an S terminal receiving the start pulse Vst or the output signal of the previous stage stage to start driving the stage, an R terminal receiving the output signal of the next stage stage as a reset signal to reset the stage output signal, a full- A Q node connected to the gate terminal of the up transistor Fu to control the pull-up transistor Fu, and a QB node connected to the gate terminal of the pull-down transistor Fd to control the pull-down transistor Fd. It includes.

출력 버퍼는 제어부 Q 노드의 제어에 의해 클럭신호(CLK1~CLK4) 중 하나를 출력 단자로 출력하는 풀-업 트랜지스터(F-u)와, 제어부 QB 노드의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 출력 단자로 출력하는 풀-다운 트랜지스터(F-d)를 포함한다.The output buffer outputs a pull-up transistor Fu that outputs one of the clock signals CLK1 to CLK4 to the output terminal under control of the control unit Q node, and a low potential driving voltage Vss under control of the control unit QB node. And a pull-down transistor Fd output to the terminal.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 두 스테이지의 출력 단자를 동기화시키는 리플 다운 제어부(100)를 더 구비한다. 리플 다운 제어부(100)는 적어도 하나의 리플 다운 트랜지스터(RDT)를 포함하며, 리플 다운 트랜지스터(RDT)는 소스 및 드레인 단자가 두 스테이지의 출력 단자에 연결되고, 아랫단 스테이지의 QB 노드에 게이트 단자가 연결된다. 즉, 리플 다운 트랜지스터(RDT)는 아랫단 스테이지 QB 노드의 제어에 의해 턴-온되어 두 스테이지의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시키게 된다.The shift register according to the first embodiment of the present invention further includes a ripple down control unit 100 for synchronizing output terminals of two stages. The ripple down control unit 100 includes at least one ripple down transistor RDT. The ripple down transistor RDT has a source and a drain terminal connected to output stages of two stages, and a gate terminal is connected to a QB node of a lower stage. Connected. That is, the ripple down transistor RDT is turned on under the control of the lower stage QB node to synchronize the output signals Vg_out1 and Vg_out2 of the two stages to a low voltage.

이와 같은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터의 각 스테이지에 는 고전위 구동전압(Vdd), 저전위 구동전압(Vss)과 함께 클럭신호(CLK1~CLK4)가 공통으로 공급되며, 스타트 펄스(Vst) 또는 이전 단 스테이지의 출력신호와 다음 단 스테이지의 출력신호가 공급된다. 이 신호들에 응답하여 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)는 순차적으로 스캔 펄스를 발생하여 각 게이트 라인에 공급하며, 제1 내지 제n-1 스테이지의 출력신호는 다음 단 스테이지의 출력신호로 인하여 리셋되고, 도면에는 도시되지 않았지만, 제n 스테이지의 리셋을 위하여 더미 스테이지가 더 구비된다. 제1 내지 제n 스테이지 및 더미 스테이지는 동일한 회로 구성을 가지며, 클럭신호로는 위상이 서로 다른 적어도 하나의 클럭신호가 공급된다.The clock signals CLK1 to CLK4 are commonly supplied to the stages of the shift register according to the first embodiment of the present invention together with the high potential driving voltage Vdd and the low potential driving voltage Vss, and the start pulse is provided. (Vst) or the output signal of the previous stage and the output signal of the next stage are supplied. In response to these signals, the first to nth stages S1 to Sn sequentially generate scan pulses and supply the scan pulses to the respective gate lines, and the output signals of the first to nth-1 stages are output signals of the next stage. Due to the reset, and not shown in the figure, a dummy stage is further provided for resetting the n-th stage. The first to nth stages and the dummy stage have the same circuit configuration, and at least one clock signal having a different phase is supplied to the clock signal.

도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터 중 제1 및 제2 스테이지(S1, S2) 회로 구성의 예를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the first and second stages S1 and S2 among the shift registers according to the first embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 제1 스테이지(S1)는 제1 노드(QA)의 제어에 의해 제1 클럭신호(CLK1)를 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 출력하는 제1 풀-업 트랜지스터(T6)와 제2 노드(QBA)의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 출력하는 제1 풀-다운 트랜지스터(T7)로 구성된 제1 출력 버퍼와, 제1 노드(QA)와 제2 노드(QBA)를 제어하는 제1 내지 제5a 트랜지스터(T1 내지 T5a)로 구성된 제1 제어부를 구비한다. Referring to FIG. 7, the first stage S1 outputs a first clock signal CLK1 to the first gate line G1 under the control of the first node QA. And a first output buffer comprising a first pull-down transistor T7 for outputting the low potential driving voltage Vss to the first gate line G1 under the control of the second node QBA, The first control unit includes the first to fifth a transistors T1 to T5a for controlling the QA and the second node QBA.

제2 스테이지(S2)는 제3 노드(QB)의 제어에 의해 제2 클럭신호(CLK2)를 두 번째 게이트 라인(G2)으로 출력하는 제2 풀-업 트랜지스터(T16)와 제4 노드(QBB)의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 두 번째 게이트 라인(G2)으로 출력하는 제2 풀-다운 트랜지스터(T17)로 구성된 제2 출력 버퍼와, 제3 노드(QB)와 제4 노 드(QBB)를 제어하는 제11 내지 제15a 트랜지스터(T11 내지 T15a)로 구성된 제2 제어부를 구비한다. The second stage S2 is the second pull-up transistor T16 and the fourth node QBB which output the second clock signal CLK2 to the second gate line G2 under the control of the third node QB. A second output buffer comprising a second pull-down transistor T17 for outputting the low potential driving voltage Vss to the second gate line G2 under the control of And a second controller configured of the eleventh through fifteena transistors T11 through T15a for controlling the node QBB.

또한, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 동기화시키는 리플 다운 제어부(100)를 더 구비한다. 리플 다운 제어부(100)는 리플 다운 트랜지스터(RDT)를 포함하며, 리플 다운 트랜지스터(RDT)의 소스 및 드레인 단자는 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자에 각각 연결되고, 게이트 단자는 제2 스테이지(S2)의 제4 노드(QBB)에 접속된다. 즉, 리플 다운 트랜지스터(RDT)는 제2 스테이지(S2) 제4 노드(QBB)에 의해 턴-온이 제어되어 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킨다.In addition, the shift register according to the first embodiment of the present invention further includes a ripple down controller 100 for synchronizing the output signals Vg_out1 and Vg_out2 of the first and second stages S1 and S2. The ripple down control unit 100 includes a ripple down transistor RDT, and source and drain terminals of the ripple down transistor RDT are connected to output terminals of the first and second stages S1 and S2, respectively, and are gate terminals. Is connected to the fourth node QBB of the second stage S2. That is, the ripple-down transistor RDT is controlled to be turned on by the fourth node QBB of the second stage S2 so that the output signals Vg_out1 and Vg_out2 of the first and second stages S1 and S2 are low. Synchronize to voltage.

이러한 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)에는 고전위 구동전압(Vdd) 및 저전위 구동전압(Vss)과 스타트 펄스(Vst)가 공급되고, 도 8에 도시된 바와 같이 위상이 서로 다른 클럭신호들이 공급된다. 이하, 제1 및 제2 스테이지의 동작 과정을 도 8에 도시된 구동 파형을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The first and second stages S1 and S2 are supplied with a high potential driving voltage Vdd, a low potential driving voltage Vss and a start pulse Vst, and clocks having different phases as shown in FIG. 8. The signals are supplied. Hereinafter, an operation process of the first and second stages will be described in detail with reference to the driving waveform shown in FIG. 8.

도 8을 참조하면, 먼저 A 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 하이 전압이 제1 노드(QA)로 프리-차지된다. 제1 노드(QA)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 턴-온되어 제1 클럭신호(CLK1)의 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 이때, 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5 트랜지스터(T5)와 제1 노드(QA)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5a 트랜지스터(T5a)에 의해 제2 노드(QBA)는 로우 전압 상태가 되어 제3 트랜지스터 및 제1 풀-다운 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다.Referring to FIG. 8, first, in a period A, the first stage S1 is turned on by the high voltage of the start pulse Vst so that the high voltage is freed to the first node QA. -It is charged. The first pull-up transistor T6 is turned on by the high voltage pre-charged to the first node QA, so that the low voltage of the first clock signal CLK1 becomes the first output signal Vg_out1. It is supplied to the gate line G1. In this case, the second node QBA is driven by the fifth transistor T5 turned on according to the high voltage of the start pulse Vst and the fifth a transistor T5a turned on according to the high voltage of the first node QA. Becomes a low voltage state and the third transistor and the first pull-down transistors T3 and T7 are turned off.

A 기간에서, 제2 스테이지(S2)는 이전 기간에서, 하이 전압 상태로 플로팅된 제4 노드(QBB)가 플로팅 상태를 유지하여 제3 트랜지스터 및 제1 풀-다운 트랜지스터(T3 및 T7)를 턴-온시킨다. 이로 인해 제3 노드(QB)는 방전되어 로우 전압 상태를 유지하고 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다.In period A, the second stage S2 turns on the third transistor and the first pull-down transistors T3 and T7 in the previous period by the fourth node QBB, which is floated to the high voltage state, remains in the floating state. -Turn on. As a result, the third node QB is discharged to maintain the low voltage state, and the low voltage is supplied to the second gate line G2 as the second output signal Vg_out2.

리플 다운 트랜지스터(RDT)는 하이 전압 상태의 제4 노드(QBB)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제한다. 이때, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각은 서로 부하로 작용하여, 출력신호에 리플이 발생하더라도 그 높이를 감소시킨다.The ripple down transistor RDT is turned on by the fourth node QBB in a high voltage state to suppress the occurrence of ripple by synchronizing the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. At this time, each of the output terminals of the first and second stages S1 and S2 acts as a load to each other to reduce the height of the output signal even if ripple occurs.

B 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 스타트 펄스(Vst)의 로우 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되므로 제1 노드(QA)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압에 의해, 제1 노드(QA)는 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 A 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 빠르게 공급된다. 한편, 제1 노드(QA)에 의해 턴-온된 제5a 트랜지스터(T5a)를 통해 방전된 제2 노드(QBA) 의 로우 전압 상태를 유지한다.In period B, since the first transistor T1 is turned off by the low voltage of the start pulse Vst, the first node QA is floated to a high voltage state, and the first full- Up transistor T6 remains turned on. At this time, due to the high voltage of the first clock signal CLK1, the first node QA is bootstrapping under the influence of parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the first pull-up transistor T6. Is charged to a voltage higher than the A period. Accordingly, the first pull-up transistor T6 is surely turned on so that the high voltage of the first clock signal CLK1 is quickly supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1. Meanwhile, the low voltage state of the second node QBA discharged through the 5a transistor T5a turned on by the first node QA is maintained.

B 기간에서, 제2 스테이지(S2)는 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 의해 제11 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 하이 전압이 제3 노드(QB)로 프리-차지된다. 제3 노드(QB)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제2 풀-업 트랜지스터(T16)가 턴-온되어 제2 클럭신호(CLK2)의 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out1)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다. 이때, 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제15 트랜지스터(T15)와 제3 노드(QB)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제15a 트랜지스터(T15a)에 의해 제4 노드(QBB)는 로우 전압 상태가 되어 제13 트랜지스터 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T13, T17)가 턴-오프된다.In the period B, the second stage S2 is turned on by the high voltage of the first output signal Vg_out1 and the high voltage is pre-charged to the third node QB. The second pull-up transistor T16 is turned on by the high voltage pre-charged to the third node QB so that the low voltage of the second clock signal CLK2 is the second output signal Vg_out1. It is supplied to the gate line G2. At this time, the fourth node (T15a) is turned on according to the high voltage of the first output signal Vg_out1 and the 15th transistor T15a is turned on according to the high voltage of the third node QB. QBB is in a low voltage state, and the thirteenth transistor and the second pull-down transistors T13 and T17 are turned off.

리플 다운 트랜지스터(RDT)는 로우 전압 상태의 제4 노드(QBB)에 의해 턴-오프됨으로써 하이 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 로우 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.The ripple-down transistor RDT is turned off by the fourth node QBB in the low voltage state to synchronize the first output signal Vg_out1 in the high voltage state with the second output signal Vg_out2 in the low voltage state. Block it.

C 기간에서, 제1 출력신호(Vg_out1)는 B 기간에 턴-온 상태이던 제1 풀-업 트랜지스터(T6)에 의해 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압을 유지하다가, C 기간이 되면서 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전된 제1 클럭신호(CLK1)에 의해 로우 전압으로 출력된다.In the C period, the first output signal Vg_out1 maintains the high voltage of the first clock signal CLK1 by the first pull-up transistor T6 turned on in the B period, and then becomes the C period. The first pull-up transistor T6 is output at a low voltage by the first clock signal CLK1 inverted to a low voltage before the state of the first pull-up transistor T6 is changed.

제2 스테이지(S2)는 상술한 바와 같이 로우 전압 상태가 된 제1 출력신호(Vg_ou1)에 의해 제11 트랜지스터가 턴-오프되므로 제3 노드(QB)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제2 풀-업 트랜지스터(T16)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압에 의해, 제3 노드(QB)는 제2 풀-업 트랜지스터(T16) 의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 B 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제2 풀-업 트랜지스터(T16)가 확실하게 턴-온됨으로써 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 빠르게 공급된다. 한편, 제3 노드(QB)에 의해 턴-온된 제15a 트랜지스터(T15a)를 통해 방전된 제4 노드(QBB)는 로우 전압 상태를 유지한다.Since the eleventh transistor is turned off by the first output signal Vg_ou1 which is in the low voltage state as described above, the second stage S2 is floated to the high voltage state, and the second pull The up-transistor T16 remains turned on. At this time, due to the high voltage of the second clock signal CLK2, the third node QB is bootstrapping under the influence of parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the second pull-up transistor T16. Is charged to a voltage higher than the B period. Accordingly, the second pull-up transistor T16 is reliably turned on so that the high voltage of the second clock signal CLK2 is quickly supplied to the second gate line G2 as the second output signal Vg_out2. Meanwhile, the fourth node QBB discharged through the fifteenth transistor T15a turned on by the third node QB maintains a low voltage state.

제1 스테이지(S1)는 제2 출력신호(Vg_out2)의 하이 전압에 의해 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-온되고, 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압에 의해 턴-온된 제4 트랜지스터(T4)를 통해 고전위 구동전압(Vdd)이 공급되어 제2 노드(QBA)는 하이 전압 상태가 되고 제3 트랜지스터(T3) 및 제1 풀-다운 트랜지스터(T7)를 턴-온시킨다. 턴-온된 제3 및 제3a 트랜지스터(T3, T3a)에 의해 제1 노드(QA)는 빠르게 방전되고, 턴-온된 제1 풀-다운 트랜지스터(T7)에 의해 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다.In the first stage S1, the third transistor T3a is turned on by the high voltage of the second output signal Vg_out2, and the fourth transistor turned on by the high voltage of the second clock signal CLK2. The high potential driving voltage Vdd is supplied through T4 to turn the second node QBA into a high voltage state and turn on the third transistor T3 and the first pull-down transistor T7. The first node QA is quickly discharged by the turned-on third and third a transistors T3 and T3a, and a low voltage is applied to the first output signal Vg_out1 by the turned-on first pull-down transistor T7. ) Is supplied to the first gate line G1.

리플 다운 트랜지스터(RDT)는 B 기간에서,와 마찬가지로 로우 전압 상태의 제4 노드(QBB)에 의해 턴-오프됨으로써 로우 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 하이 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.As in the B period, the ripple-down transistor RDT is turned off by the fourth node QBB in the low voltage state, so that the first output signal Vg_out1 in the low voltage state and the second output signal in the high voltage state ( Vg_out2) is blocked from synchronizing.

D 기간에서, 제2 출력신호(Vg_out2)는 C 기간에 턴-온 상태이던 제2 풀-업 트랜지스터(T16)에 의해 제2 클럭신호(CLK1)의 하이 전압을 유지하다가, D 기간이 되면서 제2 풀-업 트랜지스터(T16)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전된 제2 클럭신호(CLK2)에 의해 로우 전압으로 출력된다. 이때, 하이 전압의 제3 출력 신호(Vg_out3)에 의해 제13a 트랜지스터(T13a)가 턴-온되어 제3 노드(QB)는 방전 상태가 되기 때문에, 제3 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제15a 트랜지스터(T15a)가 턴-오프되어 제4 노드(QBB)의 방전 경로가 차단된다. 이와 같이 방전 경로가 차단된 제4 노드(QBB)에는 제3 클럭신호(CLK3)의 하이 전압에 의해 턴-온된 제14(T14) 트랜지스터를 통해 고전위 구동전압(Vdd)이 공급되어 제4 노드(QBB)는 하이 전압 상태가 되고, 제13 트랜지스터(T13) 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T7)를 턴-온시킨다. 턴-온된 제13 및 제13a 트랜지스터(T13, T13a)에 의해 제3 노드(QB)는 빠르게 방전되고, 턴-온된 제2 풀-다운 트랜지스터(T17)에 의해 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다.In the D period, the second output signal Vg_out2 maintains the high voltage of the second clock signal CLK1 by the second pull-up transistor T16 which was turned on in the C period, and then becomes the D period during the D period. Before the state of the second pull-up transistor T16 is changed, it is output at the low voltage by the second clock signal CLK2 inverted to the low voltage. In this case, since the thirteena transistor T13a is turned on by the high voltage third output signal Vg_out3 and the third node QB is discharged, the third node QB is connected to the gate electrode. The 15a transistor T15a is turned off to block the discharge path of the fourth node QBB. As such, the high potential driving voltage Vdd is supplied to the fourth node QBB where the discharge path is cut off through the 14th T14 transistor turned on by the high voltage of the third clock signal CLK3, thereby providing the fourth node QBB. QBB enters a high voltage state and turns on the thirteenth transistor T13 and the second pull-down transistor T7. The third node QB is quickly discharged by the turned-on thirteenth and thirteena transistors T13 and T13a, and a low voltage is applied to the second output signal Vg_out2 by the turned-on second pull-down transistor T17. ) Is supplied to the second gate line G2.

제1 스테이지(S1)는 C 기간에서, 하이 전압 상태로 플로팅된 제2 노드(QBA)가 플로팅 상태를 유지하여 제3 및 풀-다운 트랜지스터(T3 및 T7)를 턴-온시킨다. 이로 인해 제1 노드(QA)는 방전되어 로우 전압 상태를 유지하고 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 그리고, 이 로우 전압의 제1 출력신호(Vg_out1)는 다음 프레임에서 스타트 펄스(Vst)가 공급될 때까지 D 기간의 로우 전압 상태를 유지한다.The first stage S1 turns on the third and pull-down transistors T3 and T7 by maintaining the floating state of the second node QBA, which is floated to the high voltage state, in the C period. As a result, the first node QA is discharged to maintain the low voltage state, and the low voltage is supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1. The first output signal Vg_out1 of the low voltage maintains the low voltage state of the D period until the start pulse Vst is supplied in the next frame.

리플 다운 트랜지스터(RDT)는 하이 전압 상태의 제4 노드(QBB)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제하고, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각이 서로의 부하로 작용하여 리플의 높이를 감소시킨다. 이 리플 다운 트랜지스터(RDT)는 상술한 바와 같이 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)가 하이 전압일 때만 제외 하고 항상 턴-온 상태를 유지하게 된다.The ripple down transistor RDT is turned on by the fourth node QBB in a high voltage state to suppress the occurrence of ripple by synchronizing the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. And output terminals of the second stages S1 and S2 act as loads to each other to reduce the height of the ripple. As described above, the ripple-down transistor RDT remains turned on except when the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 are high voltage.

도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면이다.9 is a diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 게이트 라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 스캔 펄스를 공급하기 위하여 스타트 펄스(Vst) 입력 라인에 종속적으로 접속된 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)를 구비한다. 이러한 각각의 스테이지들(S1 내지 Sn)은 출력 단자에 연결되어 출력신호를 공급하는 출력 버퍼와 출력 버퍼를 제어하는 제어부로 구성된다. Referring to FIG. 9, the shift register according to the second exemplary embodiment of the present invention may include first to first slaves connected to the start pulse Vst input line to sequentially supply scan pulses to the gate lines G1 to Gn. Nth stages S1 to Sn. Each of these stages S1 to Sn is connected to an output terminal and includes an output buffer for supplying an output signal and a controller for controlling the output buffer.

제어부는 스테이지의 구동 시작을 위하여 스타트 펄스(Vst) 또는 이전 단 스테이지의 출력신호를 공급받는 S 단자, 스테이지 출력신호를 리셋시키기 위해 다음 단 스테이지의 출력신호를 리셋신호로 공급받는 R 단자, 풀-업 트랜지스터(F-u)의 게이트 단자에 연결되어 풀-업 트랜지스터(F-u)를 제어하는 Q 노드, 제1 풀-다운 트랜지스터(F-dO)의 게이트 단자에 연결되어 제1 풀-다운 트랜지스터(F-dO)를 제어하는 QBO 노드, 그리고 제2 풀-다운 트랜지스터(F-dE)의 게이트 단자에 연결되어 제2 풀-다운 트랜지스터(F-dE)를 제어하는 QBE 노드를 포함한다.The control unit is an S terminal receiving the start pulse Vst or the output signal of the previous stage stage to start driving the stage, an R terminal receiving the output signal of the next stage stage as a reset signal to reset the stage output signal, a full- A Q node connected to the gate terminal of the up transistor Fu to control the pull-up transistor Fu, and a gate node of the first pull-down transistor F-dO connected to the first pull-down transistor F-. a QBO node controlling dO) and a QBE node connected to the gate terminal of the second pull-down transistor F-dE to control the second pull-down transistor F-dE.

출력 버퍼는 제어부 Q 노드의 제어에 의해 클럭신호(CLK1~CLK4) 중 하나를 출력 단자로 출력하는 풀-업 트랜지스터(F-u)와, 제어부 QBO 노드의 제어에 의해 오드 프레임마다 저전위 구동전압(Vss)을 출력 단자로 출력하는 제1 풀-다운 트랜지스터(F-dO)와, 제어부 QBE 노드의 제어에 의해 이븐 프레임마다 저전위 구동전압(Vss)을 출력 단자로 출력하는 제2 풀-다운 트랜지스터(F-dE)를 포함한다.The output buffer includes a pull-up transistor Fu that outputs one of the clock signals CLK1 to CLK4 to the output terminal under control of the control unit Q node, and a low potential driving voltage Vss for each odd frame under control of the control unit QBO node. ) And a second pull-down transistor (F-dO) for outputting to the output terminal and a second pull-down transistor (Vss) for outputting the low potential driving voltage (Vss) for each even frame under the control of the controller QBE node ( F-dE).

본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 두 스테이지의 출력 단자를 동기화시키는 리플 다운 제어부(200)를 더 구비한다. 리플 다운 제어부(200)는 적어도 하나의 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)와 적어도 하나의 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)를 포함한다. 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 소스 및 드레인 단자가 두 스테이지의 출력 단자에 연결되고, 아랫단 스테이지의 QBO 노드에 게이트 단자가 연결된다. 그리고, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 소스 및 드레인 단자가 두 스테이지의 출력 단자에 연결되고, 아랫단 스테이지의 QBE 노드에 게이트 단자가 연결된다. 즉, 제1 및 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTO, RDTE)는 아랫단 스테이지의 QBO 노드 및 QBE 노드의 제어에 의해 각각 턴-온되어 두 스테이지의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시키게 된다.The shift register according to the second embodiment of the present invention further includes a ripple down control unit 200 for synchronizing output terminals of two stages. The ripple down controller 200 includes at least one first ripple down transistor RDTO and at least one second ripple down transistor RDTE. In the first ripple down transistor RDTO, source and drain terminals are connected to output stages of two stages, and a gate terminal is connected to a QBO node of a lower stage. In the second ripple down transistor RDTE, source and drain terminals are connected to output stages of two stages, and a gate terminal is connected to a QBE node of a lower stage. That is, the first and second ripple down transistors RDTO and RDTE are turned on by the control of the QBO node and the QBE node of the lower stage, respectively, to synchronize the output signals Vg_out1 and Vg_out2 of the two stages to a low voltage. .

이와 같은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터의 각 스테이지에는 고전위 구동전압(Vdd), 저전위 구동전압(Vss)과 함께 클럭신호(CLK1~CLK4), 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO), 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)가 공통으로 공급되며, 스타트 펄스(Vst) 또는 이전 단 스테이지의 출력신호와 다음 단 스테이지의 출력신호가 공급된다. 이 신호들에 응답하여 제1 내지 제n 스테이지(S1 내지 Sn)는 순차적으로 스캔 펄스를 발생하여 각 게이트 라인에 공급하며, 제1 내지 제n-1 스테이지의 출력신호는 다음 단 스테이지의 출력신호로 인하여 리셋되고, 도면에는 도시되지 않았지만, 제n 스테이지의 리셋을 위하여 더미 스테이지가 더 구비된다. 제1 내지 제n 스테이지 및 더미 스테이지는 동일한 회로 구성을 가지며, 클럭신호로는 위상이 서로 다른 적어도 하나의 클럭신호가 공급된다.Each stage of the shift register according to the second exemplary embodiment of the present invention includes the clock signals CLK1 to CLK4 and the odd frame high potential driving voltage VddO together with the high potential driving voltage Vdd and the low potential driving voltage Vss. ), The even frame high potential drive voltage VddE is commonly supplied, and the start pulse Vst or the output signal of the previous stage and the output signal of the next stage are supplied. In response to these signals, the first to nth stages S1 to Sn sequentially generate scan pulses and supply the scan pulses to the respective gate lines, and the output signals of the first to nth-1 stages are output signals of the next stage. Due to the reset, and not shown in the figure, a dummy stage is further provided for resetting the n-th stage. The first to nth stages and the dummy stage have the same circuit configuration, and at least one clock signal having a different phase is supplied to the clock signal.

도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터 중 제1 및 제2 스테이지(S1, S2) 회로 구성의 예를 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the first and second stages S1 and S2 of the shift register according to the second embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 제1 스테이지(S1)는 제1 노드(QA)의 제어에 의해 제1 클럭신호(CLK1)를 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 출력하는 제1 풀-업 트랜지스터(T6)와, 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 프레임마다 첫 번째 게이트 라인(G1)으로 교번 출력하는 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T7O, T7E)로 구성된 제1 출력 버퍼와, 제1 노드(QA)와 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)를 제어하는 제1 내지 제5bO 트랜지스터(T1 내지 T5bO)로 구성된 제1 제어부를 구비한다. Referring to FIG. 10, the first stage S1 outputs a first clock signal CLK1 to the first gate line G1 under the control of the first node QA. And the first and second pull-down transistors T7O, which alternately output the low potential driving voltage Vss to the first gate line G1 per frame under the control of the second and third nodes QBOA and QBEA. A first output buffer configured of T7E), and a first controller configured of first to fifth bO transistors T1 to T5bO for controlling the first node QA and the second and third nodes QBOA and QBEA. .

제2 스테이지(S2)는 제4 노드(QB)의 제어에 의해 제2 클럭신호(CLK2)를 두 번째 게이트 라인(G2)으로 출력하는 제2 풀-업 트랜지스터(T16)와 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)의 제어에 의해 저전위 구동전압(Vss)을 프레임마다 두 번째 게이트 라인(G2)으로 교번 출력하는 제3 및 제4 풀-다운 트랜지스터(T17O, T17E)로 구성된 제2 출력 버퍼와, 제4 노드(QB)와 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)를 제어하는 제11 내지 제15a 트랜지스터(T11 내지 T15bO)로 구성된 제2 제어부를 구비한다. The second stage S2 is the second pull-up transistor T16 and the fifth and sixth transistors which output the second clock signal CLK2 to the second gate line G2 under the control of the fourth node QB. Second output configured by third and fourth pull-down transistors T17O and T17E which alternately output the low potential drive voltage Vss to the second gate line G2 per frame under control of the nodes QBOB and QBEB. A second control unit includes a buffer and eleventh through fifteenth transistors T11 through T15bO for controlling the fourth node QB and the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB.

또한, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 동기화시키는 리플 다운 제어부(200)를 더 구비한다. 리플 다운 제어부(200)는 제1 및 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTO, RDTE)를 포함한다. 이때, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)의 소스 및 드레인 단자는 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자에 각각 연결되고, 게이트 단자는 제2 스테이지(S2)의 제5 노드(QBOB)에 접속된다. 그리고, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)의 소스 및 드레인 단자는 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자에 각각 연결되고, 게이트 단자는 제2 스테이지(S2)의 제6 노드(QBEB)에 접속된다. 즉, 제1 및 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTO, RDTE)는 제2 스테이지(S2)의 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)에 의해 턴-온이 제어되어 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킨다.In addition, the shift register according to the second embodiment of the present invention further includes a ripple down control unit 200 for synchronizing output signals Vg_out1 and Vg_out2 of the first and second stages S1 and S2. The ripple down control unit 200 includes first and second ripple down transistors RDTO and RDTE. In this case, the source and drain terminals of the first ripple down transistor RDTO are connected to the output terminals of the first and second stages S1 and S2, respectively, and the gate terminal is the fifth node QBOB of the second stage S2. ) Is connected. The source and drain terminals of the second ripple down transistor RDTE are connected to output terminals of the first and second stages S1 and S2, respectively, and the gate terminal of the sixth node QBEB of the second stage S2 is provided. ) Is connected. That is, the first and second ripple-down transistors RDTO and RDTE are turned on by the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB of the second stage S2 so that the first and second stages S1 are controlled. , Output signals Vg_out1 and Vg_out2 of S2 are synchronized to a low voltage.

이러한 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)에는 고전위 구동전압(Vdd) 및 저전위 구동전압(Vss)과 스타트 펄스(Vst)가 공급되고, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 위상이 서로 다른 클럭신호들이 공급된다. 이하, 제1 및 제2 스테이지의 동작 과정을 도 11a 및 도 11b에 도시된 구동 파형을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The first and second stages S1 and S2 are supplied with a high potential driving voltage Vdd, a low potential driving voltage Vss, and a start pulse Vst, and have a phase as shown in FIGS. 11A and 11B. Different clock signals are supplied. Hereinafter, an operation process of the first and second stages will be described in detail with reference to the driving waveforms shown in FIGS. 11A and 11B.

도 11a는 도 10의 오드(Odd) 프레임 기간을 나타내는 구동 파형이다.FIG. 11A is a drive waveform showing the odd frame period of FIG. 10.

도 11a를 참조하면, AO 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 고전위 구동전압(Vdd) 및 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 하이 전압이 제1 노드(QA)에 프리-차지된다. 제1 노드(QA)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 턴-온되어 제1 클럭신호(CLK1)의 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 이때, 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5O 및 제5E 트랜지스터(T5O, T5E)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 턴-온된 제5bE 트랜지스터(T5bE)와 하이 전압이 프리-차지된 제1 노드(QA)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)와 함께 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)에 로우 전압을 공급한다. 즉, 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)는 빠르게 방전되어 로우 전압 상태를 유지함으로써 제3O 트랜지스터, 제3E 트랜지스터, 제1 풀-다운 트랜지스터 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T3O, T3E, T7O, T7E)를 턴-오프시켜 제3O 및 제3E 트랜지스터(T3O, T3E)를 통한 제1 노드(QA)의 방전 경로를 차단한다.Referring to FIG. 11A, in the AO period, the first stage S1 is turned on by the high voltage of the high potential driving voltage Vdd and the start pulse Vst, thereby turning off the high voltage. It is pre-charged to one node QA. The first pull-up transistor T6 is turned on by the high voltage pre-charged to the first node QA, so that the low voltage of the first clock signal CLK1 becomes the first output signal Vg_out1. It is supplied to the gate line G1. At this time, the fifth and fifth E transistors T5O and T5E turned on according to the high voltage of the start pulse Vst are turned on by the fifth bE transistor T5bE and the high voltage turned on by the odd frame high potential driving voltage VddO. A low voltage is supplied to the second and third nodes QBOA and QBEA together with the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE turned on by the pre-charged first node QA. That is, the second and third nodes QBOA and QBEA are quickly discharged to maintain a low voltage state, so that the third transistor, the third E transistor, the first pull-down transistor, and the second pull-down transistor T3O, T3E, and T7O. T7E is turned off to block the discharge path of the first node QA through the third and third E transistors T3O and T3E.

한편, 제4O 트랜지스터(T4O)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 턴-온되어 제2 노드(QBOA)에 하이 전압을 공급하지만, 상술한 바와 같이 제5O 및 제5aO 트랜지스터(T5O, T5aO)에 의해 제2 노드(QBOA)의 방전 경로가 확보됨으로써, 제2 노드(QBOA)는 로우 전압 상태를 유지한다. 제4O 및 제5bE 트랜지스터(T4O, T5bE)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 오드 프레임 기간 동안 계속 턴-온 상태를 유지한다. 이로 인해, 제5bE 트랜지스터(T5bE)는 오드 프레임의 AO 기간 이후에 다른 방전 경로가 턴-오프되더라도 제3 노드(QBEA)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.Meanwhile, the fourth transistor T4O is turned on by the odd frame high potential driving voltage VddO to supply a high voltage to the second node QBOA, but as described above, the fifth and fifth aO transistors T5O, As a discharge path of the second node QBOA is secured by T5aO, the second node QBOA maintains a low voltage state. The fourth and fifth bE transistors T4O and T5bE are continuously turned on during the odd frame period by the odd frame high potential driving voltage VddO. Thus, the fifth bE transistor T5bE maintains the low voltage state of the third node QBEA even if another discharge path is turned off after the AO period of the odd frame.

AO 기간에서, 제2 스테이지(S2)의 제14O 및 제15bE 트랜지스터는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)의 하이 전압을 통해 턴-온 상태를 유지한다. 제14O 트랜지스터(T14O)에 의해 제5 노드(QBOB)는 계속 하이 전압 상태를 유지하여 제13O 트랜지스터 및 제3 풀-다운 트랜지스터(T13O, T17O)를 턴-온시키고, 제15bE 트랜지스터(T5bE)에 의해 제6 노드(QBEB) 노드는 방전되어 로우 전압 상태를 유지한다. 이때, 제13O 트랜지스터(T13O)를 통해 제4 노드(QB)는 로우 전압 상태를 유지하고, 제3 풀-다운 트랜지스터(T17O)를 통해 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번 째 게이트 라인(G2)에 공급된다.In the AO period, the 14O and 15BE transistors of the second stage S2 are turned on through the high voltage of the odd frame high potential driving voltage VddO. The fifth node QBOB keeps the high voltage state by the 14O transistor T14O to turn on the 13O transistor and the third pull-down transistors T13O and T17O, and to the 15bE transistor T5bE. As a result, the sixth node QBEB is discharged to maintain the low voltage state. At this time, the fourth node QB maintains a low voltage state through the thirteenth transistor T13O, and the low voltage is second gated to the second output signal Vg_out2 through the third pull-down transistor T17O. It is supplied to the line G2.

AO 기간에서, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 하이 전압 상태의 제5 노드(QBOB)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제한다. 또한, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각은 서로 부하로 작용하여, 출력신호에 리플이 발생하더라도 그 높이를 감소시킨다. 이때, 도 11a에 도시된 바와 같이 제6 노드(QBEB)가 오드 프레임 기간에는 로우 전압 상태를 유지하므로, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 오드 프레임 기간에는 턴-온되지 않는다.In the AO period, the first ripple down transistor RDTO is turned on by the fifth node QBOB in the high voltage state to generate the ripple by synchronizing the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. Suppress In addition, each of the output terminals of the first and second stages S1 and S2 acts as a load to each other to reduce the height of the output signal even if ripple occurs. At this time, as shown in FIG. 11A, since the sixth node QBEB maintains a low voltage state in the odd frame period, the second ripple down transistor RDTE is not turned on in the odd frame period.

BO 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 스타트 펄스(Vst)의 로우 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되므로 제1 노드(QA)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압에 의해 제1 노드(QA)는 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 AO 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 빠르게 공급된다. 한편, 제1 노드(QA)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)를 통해 방전된 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)는 로우 전압 상태를 계속 유지한다. 또한, 상술한 바와 같이 제5bE 트랜지스터(T5bE)는 턴-온 상태를 유지하여 제3 노드(QBEA)를 방전시킴으로써 제5aE 트랜지스터(T5aE)와 함께 제3 노드(QBEA)의 로우 전압 상태 를 유지시킨다.In the BO period, since the first transistor T1 is turned off by the low voltage of the start pulse Vst, the first node QA is floated to a high voltage state, and the first pull- Up transistor T6 remains turned on. At this time, the first node QA is bootstrapping due to the parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the first pull-up transistor T6 due to the high voltage of the first clock signal CLK1. Charge to a higher voltage than the AO period. Accordingly, the first pull-up transistor T6 is surely turned on so that the high voltage of the first clock signal CLK1 is quickly supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1. Meanwhile, the second and third nodes QBOA and QBEA discharged through the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE turned on by the first node QA maintain a low voltage state. In addition, as described above, the fifth bE transistor T5bE maintains a low voltage state of the third node QBEA together with the fifth aE transistor T5aE by maintaining the turn-on state to discharge the third node QBEA. .

BO 기간에서, 제2 스테이지(S2)는 고전위 구동전압(Vdd) 및 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 의해 제11 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 하이 전압이 제4 노드(QB)로 프리-차지된다. 제4 노드(QB)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제2 풀-업 트랜지스터(T16)가 턴-온되어 제2 클럭신호(CLK2)의 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다. 이때, 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제15O 및 제15E 트랜지스터(T15O, T15E)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 턴-온된 제15bE 트랜지스터(T15bE)와 하이 전압이 프리-차지된 제4 노드(QB)에 의해 턴-온된 제15aO 및 제15aE 트랜지스터(T15aO, T15aE)와 함께 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)에 로우 전압을 공급한다. 즉, 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)는 빠르게 방전되어 로우 전압 상태를 유지함으로써 제13O 트랜지스터, 제13E 트랜지스터, 제3 풀-다운 트랜지스터 및 제4 풀-다운 트랜지스터(T13O, T13E, T17O, T17E)를 턴-오프시켜 제13O 및 제13E 트랜지스터(T13O, T13E)를 통한 제4 노드(QB)의 방전 경로를 차단한다.In the BO period, the second stage S2 is turned on by the high voltage of the high potential driving voltage Vdd and the first output signal Vg_out1 so that the eleventh transistor T11 is turned on so that the high voltage becomes the fourth node QB. Pre-charged). The second pull-up transistor T16 is turned on by the high voltage pre-charged to the fourth node QB so that the low voltage of the second clock signal CLK2 becomes the second output signal Vg_out2. It is supplied to the gate line G2. In this case, the 15O and 15E transistors T15O and T15E turned on according to the high voltage of the first output signal Vg_out1 may be connected to the 15bE transistor T15bE turned on by the odd frame high potential driving voltage VddO. A low voltage is supplied to the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB along with the 15aO and 15aE transistors T15aO and T15aE turned on by the fourth node QB pre-charged with the high voltage. That is, the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB are quickly discharged to maintain a low voltage state, so that the thirteenth transistor, the thirteenth transistor, the third pull-down transistor, and the fourth pull-down transistor T13O, T13E, and T17O. T17E is turned off to block the discharge path of the fourth node QB through the thirteenth and thirteenth transistors T13O and T13E.

한편, 제14O 트랜지스터(T14O)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 턴-온되어 제5 노드(QBOB)에 하이 전압을 공급하지만, 상술한 바와 같이 제15O 및 제15aO 트랜지스터(T15O, T15aO)에 의해 제5 노드(QBOB)의 방전 경로가 확보됨으로써, 제5 노드(QBOB)는 로우 전압 상태를 유지한다. 제14O 및 제15bE 트랜지스터(T14O, T15bE)는 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 오드 프레임 기간 동안 계속 턴-온 상태를 유지한다. 이로 인해, 제15bE 트랜지스터(T15bE)는 오드 프레임의 BO 기간 이후에 다른 방전 경로가 턴-오프되더라도 제6 노드(QBEB)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.The 14O transistor T14O is turned on by the odd frame high potential driving voltage VddO to supply a high voltage to the fifth node QBOB, but as described above, the 15O and 15AO transistors T15O, As a discharge path of the fifth node QBOB is secured by T15aO, the fifth node QBOB maintains a low voltage state. The 14O and 15bE transistors T14O and T15bE are continuously turned on during the odd frame period by the odd frame high potential driving voltage VddO. For this reason, the fifteenth bE transistor T15bE maintains the low voltage state of the sixth node QBEB even if another discharge path is turned off after the BO period of the odd frame.

BO 기간에서, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 로우 전압 상태의 제5 노드(QBOB)에 의해 턴-오프됨으로써 하이 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 로우 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.In the BO period, the first ripple-down transistor RDTO is turned off by the fifth node QBOB in the low voltage state so that the first output signal Vg_out1 in the high voltage state and the second output signal in the low voltage state ( Vg_out2) is blocked from synchronizing.

CO 기간에서, 제1 출력신호(Vg_out1)는 BO 기간에 턴-온 상태이던 제1 풀-업 트랜지스터(T6)에 의해 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압을 유지하다가, CO 기간이 되면서 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전된 제1 클럭신호(CLK1)에 의해 로우 전압으로 출력된다.In the CO period, the first output signal Vg_out1 maintains the high voltage of the first clock signal CLK1 by the first pull-up transistor T6 turned on in the BO period, and then becomes the CO period during the CO period. The first pull-up transistor T6 is output at a low voltage by the first clock signal CLK1 inverted to a low voltage before the state of the first pull-up transistor T6 is changed.

제2 스테이지(S1)는 상술한 바와 같이 로우 전압 상태가 된 제1 출력신호(Vg_out1)에 의해 제11 트랜지스터(T11)가 턴-오프되므로 제4 노드(QB)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제3 풀-업 트랜지스터(T16)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압에 의해 제4 노드(QB)는 제3 풀-업 트랜지스터(T16)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 BO 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제3 풀-업 트랜지스터(T16)가 확실하게 턴-온됨으로써 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 빠르게 공급된다. 한편, 제4 노드(QB)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)를 통해 방전된 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)는 로우 전압 상태를 계속 유지한다. 또한, 상술한 바와 같이 제5bE 트랜지스터(T5bE)는 턴-온 상태를 유지하여 제6 노드(QBEB)를 방전시킴으로써 제5aE 트랜지스터(T5aE)와 함께 제6 노드(QBEB)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.As described above, since the eleventh transistor T11 is turned off by the first output signal Vg_out1 which is in the low voltage state as described above, the fourth node QB is floated to the high voltage state. The third pull-up transistor T16 maintains the turn-on state. In this case, due to the high voltage of the second clock signal CLK2, the fourth node QB may be bootstrapping under the influence of parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the third pull-up transistor T16. Charge to a voltage higher than the BO period. Accordingly, the third pull-up transistor T16 is reliably turned on so that the high voltage of the second clock signal CLK2 is rapidly supplied to the second gate line G2 as the second output signal Vg_out2. Meanwhile, the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB discharged through the fifth and fifth aO transistors T5aO and T5aE turned on by the fourth node QB maintain a low voltage state. In addition, as described above, the fifth bE transistor T5bE maintains a low voltage state of the sixth node QBEB together with the fifth aE transistor T5aE by maintaining the turn-on to discharge the sixth node QBEB. .

제1 스테이지(S1)는 제2 출력신호(Vg_out2)의 하이 전압에 의해 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-온되어 BO 기간까지 하이 전압 상태를 유지하던 제1 노드(QA)에 로우 전압을 공급하여 방전시킨다. 이때, 제1 노드(QA)에 게이트 전극이 연결된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)가 턴-오프되어 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)의 방전 경로가 차단된다. 한편, 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)에 의해 턴-온된 제4O 트랜지스터(T4O)를 통해 제2 노드(QBOA)에는 하이 전압이 공급되고 상술한 바와 같이 턴-온 상태인 제5bE 트랜지스터(T5bE)에 의해 제3 노드(QBEA)는 로우 전압을 공급받아 로우 전압 상태를 유지한다. 이에 따라, 하이 전압 상태인 제2 노드(QBOA)에 의해 제3O 트랜지스터 및 제1 풀-다운 트랜지스터(T3O, T7O)가 턴-온되어 제3O 트랜지스터(T3O)를 통해 제1 노드(QA)가 더욱 빠르게 방전되고, 제1 풀-다운 트랜지스터(T7O)를 통해 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다.The first stage S1 supplies a low voltage to the first node QA, in which the third a transistor T3a is turned on by the high voltage of the second output signal Vg_out2 to maintain a high voltage state until the BO period. To discharge. In this case, the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE having the gate electrode connected to the first node QA are turned off to cut off the discharge paths of the second and third nodes QBOA and QBEA. On the other hand, a high voltage is supplied to the second node QBOA through the fourth transistor T4O turned on by the odd frame high potential driving voltage VddO, and the fifth bE transistor T5bE is turned on as described above. ), The third node QBEA receives a low voltage and maintains a low voltage state. Accordingly, the third transistors and the first pull-down transistors T3O and T7O are turned on by the second node QBOA in the high voltage state, and the first node QA is turned on through the third transistor T3O. Discharged faster, a low voltage is supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1 through the first pull-down transistor T7O.

CO 기간에서, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 BO 기간과 마찬가지로 로우 전압 상태의 제5 노드(QBOB)에 의해 턴-오프됨으로써 로우 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 하이 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.In the CO period, like the BO period, the first ripple down transistor RDTO is turned off by the fifth node QBOB in the low voltage state, so that the first output signal Vg_out1 in the low voltage state and the first voltage in the high voltage state are reduced. 2 The output signal Vg_out2 is blocked from synchronizing.

DO 기간에서, 제2 출력신호(Vg_out2)는 CO 기간에 턴-온 상태이던 제2 풀-업 트랜지스터(T16)에 의해 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압을 유지하다가, DO 기간이 되면서 제2 풀-업 트랜지스터(T16)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전되 제2 클럭신호(CLK2)에 의해 로우 전압으로 출력된다. 이때, 하이 전압의 제3 출력신호(Vg_out3)에 의해 제13a 트랜지스터(T13a)가 턴-온되어 제4 노드(QB)는 방전 상태가 되기 때문에, 제4 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제15aO 및 제15aE 트랜지스터(T15aO, T15aE)가 턴-오프되어 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)의 방전 경로가 차단된다. 이때, 제6 노드(QBEB)는 제15bE 트랜지스터(T5bE)에 의해 방전이 가능하고, 제5 노드(QBOB)는 다른 방전 경로를 확보하지 못해 하이 전압으로 플로팅된다.In the DO period, the second output signal Vg_out2 maintains the high voltage of the second clock signal CLK2 by the second pull-up transistor T16 which was turned on in the CO period, and then becomes the DO period. Before the state of the second pull-up transistor T16 is changed, the second pull-up transistor T16 is inverted to a low voltage and is output to the low voltage by the second clock signal CLK2. At this time, since the 13th transistor T13a is turned on by the third output signal Vg_out3 of the high voltage and the fourth node QB is in a discharge state, the fourth electrode QB is connected to the gate electrode. The 15aO and 15aE transistors T15aO and T15aE are turned off to cut off discharge paths of the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB. In this case, the sixth node QBEB may be discharged by the 15th bE transistor T5bE, and the fifth node QBOB may float at a high voltage because it does not secure another discharge path.

로우 전압의 제2 출력신호(Vg_out2)에 따라, 제1 스테이지(S1)의 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-오프된다. 한편, 상술한 바와 같이 오드 프레임 고전위 구동전압(VddO)의 하이 전압을 통해 제4O 및 제5bE 트랜지스터는 턴-온 상태를 유지한다. 제4O 트랜지스터(T4O)에 의해 제2 노드(QBOA)는 계속 하이 전압 상태를 유지하여 제3O 트랜지스터 및 제1 풀-다운 트랜지스터(T3O, T7O)를 턴-온시키고, 제5bE 트랜지스터(T5bE)에 의해 제3 노드(QBEA)는 방전되어 로우 전압 상태를 유지한다. 이때, 제3O 트랜지스터(T3O)를 통해 제1 노드(QA)는 로우 전압 상태를 유지하고, 제1 풀-다운 트랜지스터(T7O)를 통해 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급되어 제1 출력신호(Vg_out1)는 남은 오드 프레임 기간 동안 로우 전압 상태를 유지한다.According to the second output signal Vg_out2 of the low voltage, the third a transistor T3a of the first stage S1 is turned off. As described above, the fourth and fifth bE transistors are turned on through the high voltage of the odd frame high potential driving voltage VddO. By the fourth transistor T4O, the second node QBOA keeps the high voltage state to turn on the third transistor and the first pull-down transistors T3O and T7O, and to the fifth bE transistor T5bE. The third node QBEA is discharged to maintain the low voltage state. At this time, the first node QA maintains a low voltage state through the third transistor T3O, and the first gate line becomes the first output signal Vg_out1 through the first pull-down transistor T7O. The first output signal Vg_out1 supplied to (G1) maintains a low voltage state for the remaining odd frame period.

DO 기간에서, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 하이 전압 상태의 제5 노드(QBOB)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으 로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제한다. 또한, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각은 서로 부하로 작용하여, 출력신호에 리플이 발생하더라도 그 높이를 감소시킨다. 이때, 도 11a에 도시된 바와 같이 제6 노드(QBEB)가 오드 프레임 기간에는 로우 전압 상태를 유지하므로, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 오드 프레임 기간에는 턴-온되지 않는다. 이 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 상술한 바와 같이 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)가 하이 전압일 때만 제외하고 항상 턴-온 상태를 유지하게 된다.In the DO period, the first ripple down transistor RDTO is turned on by the fifth node QBOB in the high voltage state to synchronize the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. Suppress occurrence. In addition, each of the output terminals of the first and second stages S1 and S2 acts as a load to each other to reduce the height of the output signal even if ripple occurs. At this time, as shown in FIG. 11A, since the sixth node QBEB maintains a low voltage state in the odd frame period, the second ripple down transistor RDTE is not turned on in the odd frame period. As described above, the first ripple down transistor RDTO is always turned on except when the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 are high voltage.

도 11b는 도 10의 이븐(Even) 프레임 기간을 나타내는 구동 파형이다.FIG. 11B is a drive waveform illustrating the even frame period of FIG. 10.

도 11b를 참조하면, AE 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 고전위 구동전압(Vdd) 및 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 하이 전압이 제1 노드(QA)에 프리-차지된다. 제1 노드(QA)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 턴-온되어 제1 클럭신호(CLK1)의 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다. 이때, 스타트 펄스(Vst)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제5O 및 제5E 트랜지스터(T5O, T5E)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 턴-온된 제5bO 트랜지스터(T5bO)와 하이 전압이 프리-차지된 제1 노드(QA)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)와 함께 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)에 로우 전압을 공급한다. 즉, 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)는 빠르게 방전되어 로우 전압 상태를 유지함으로써 제3O 트랜지스터, 제3E 트랜지스터, 제1 풀-다운 트랜지스터 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T3O, T3E, T7O, T7E)를 턴-오프시켜 제3O 및 제3E 트랜지스터(T3O, T3E)를 통한 제1 노드(QA)의 방전 경로를 차단한다.Referring to FIG. 11B, in the AE period, the first stage S1 is turned on by the high voltage of the high potential driving voltage Vdd and the start pulse Vst, thereby turning off the high voltage. It is pre-charged to one node QA. The first pull-up transistor T6 is turned on by the high voltage pre-charged to the first node QA, so that the low voltage of the first clock signal CLK1 becomes the first output signal Vg_out1. It is supplied to the gate line G1. At this time, the fifth and fifth E transistors T5O and T5E turned on according to the high voltage of the start pulse Vst are turned on by the fifth bO transistor T5bO and the high voltage turned on by the even frame high potential driving voltage VddE. A low voltage is supplied to the second and third nodes QBOA and QBEA together with the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE turned on by the pre-charged first node QA. That is, the second and third nodes QBOA and QBEA are quickly discharged to maintain a low voltage state, so that the third transistor, the third E transistor, the first pull-down transistor, and the second pull-down transistor T3O, T3E, and T7O. T7E is turned off to block the discharge path of the first node QA through the third and third E transistors T3O and T3E.

한편, 제4E 트랜지스터(T4E)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 턴-온되어 제3 노드(QBEA)에 하이 전압을 공급하지만, 상술한 바와 같이 제5E 및 제5aE 트랜지스터(T5E, T5aE)에 의해 제3 노드(QBEA)의 방전 경로가 확보됨으로써, 제3 노드(QBEA)는 로우 전압 상태를 유지한다. 제4E 및 제5bO 트랜지스터(T4E, T5bO)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 이븐 프레임 기간 동안 계속 턴-온 상태를 유지한다. 이로 인해, 제5bO 트랜지스터(T5bO)는 이븐 프레임의 AE 기간 이후에 다른 방전 경로가 턴-오프되더라도 제2 노드(QBOA)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.On the other hand, the fourth E transistor T4E is turned on by the even frame high potential driving voltage VddE to supply a high voltage to the third node QBEA, but as described above, the fifth E and fifth aE transistors T5E, The discharge path of the third node QBEA is secured by T5aE so that the third node QBEA maintains a low voltage state. The fourth and fifth bO transistors T4E and T5bO remain turned on during the even frame period by the even frame high potential driving voltage VddE. Thus, the fifth bO transistor T5bO maintains the low voltage state of the second node QBOA even if another discharge path is turned off after the AE period of the even frame.

AE 기간에서, 제2 스테이지(S2)의 제14E 및 제15bO 트랜지스터는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)의 하이 전압을 통해 턴-온 상태를 유지한다. 제14E 트랜지스터(T14E)에 의해 제6 노드(QBEB)는 계속 하이 전압 상태를 유지하여 제13E 트랜지스터 및 제4 풀-다운 트랜지스터(T13E, T17E)를 턴-온시키고, 제15bO 트랜지스터(T5bO)에 의해 제5 노드(QBOB) 노드는 방전되어 로우 전압 상태를 유지한다. 이때, 제13E 트랜지스터(T13E)를 통해 제4 노드(QB)는 로우 전압 상태를 유지하고, 제4 풀-다운 트랜지스터(T17E)를 통해 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다.In the AE period, the 14E and 15BO transistors of the second stage S2 are turned on through the high voltage of the even frame high potential driving voltage VddE. The sixth node QBEB continues to maintain the high voltage state by the 14E transistor T14E to turn on the 13E transistor and the fourth pull-down transistors T13E and T17E, and to the 15bO transistor T5bO. As a result, the fifth node QBOB is discharged to maintain the low voltage state. At this time, the fourth node QB maintains the low voltage state through the 13E transistor T13E, and the low gate voltage is the second gate line as the second output signal Vg_out2 through the fourth pull-down transistor T17E. It is supplied to (G2).

AE 기간에서, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 하이 전압 상태의 제6 노드(QBEB)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제한다. 또한, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각은 서로 부하로 작용하여, 출력신호에 리플이 발생하더라도 그 높이를 감소시킨다. 이때, 도 11b에 도시된 바와 같이 제5 노드(QBOB)가 이븐 프레임 기간에는 로우 전압 상태를 유지하므로, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 이븐 프레임 기간에는 턴-온되지 않는다.In the AE period, the second ripple down transistor RDTE is turned on by the sixth node QBEB in the high voltage state to generate the ripple by synchronizing the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. Suppress In addition, each of the output terminals of the first and second stages S1 and S2 acts as a load to each other to reduce the height of the output signal even if ripple occurs. In this case, as shown in FIG. 11B, since the fifth node QBOB maintains a low voltage state in the even frame period, the first ripple down transistor RDTO is not turned on in the even frame period.

BE 기간에서, 제1 스테이지(S1)는 스타트 펄스(Vst)의 로우 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되므로 제1 노드(QA)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압에 의해 제1 노드(QA)는 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 AE 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제1 풀-업 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 빠르게 공급된다. 한편, 제1 노드(QA)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)를 통해 방전된 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)는 로우 전압 상태를 계속 유지한다. 또한, 상술한 바와 같이 제5bO 트랜지스터(T5bO)는 턴-온 상태를 유지하여 제2 노드(QBOA)를 방전시킴으로써 제5aO 트랜지스터(T5aO)와 함께 제2 노드(QBOA)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.In the BE period, since the first transistor T1 is turned off by the low voltage of the start pulse Vst, the first node QA is floated to a high voltage state, and the first pull- Up transistor T6 remains turned on. At this time, the first node QA is bootstrapping due to the parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the first pull-up transistor T6 due to the high voltage of the first clock signal CLK1. Charge to a higher voltage than the AE period. Accordingly, the first pull-up transistor T6 is surely turned on so that the high voltage of the first clock signal CLK1 is quickly supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1. Meanwhile, the second and third nodes QBOA and QBEA discharged through the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE turned on by the first node QA maintain a low voltage state. In addition, as described above, the fifth bO transistor T5bO maintains a low voltage state of the second node QBOA together with the fifth aO transistor T5aO by maintaining the turn-on state to discharge the second node QBOA. .

BE 기간에서, 제2 스테이지(S2)는 고전위 구동전압(Vdd) 및 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 의해 제11 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 하이 전압이 제4 노드(QB)로 프리-차지된다. 제4 노드(QB)로 프리-차지된 하이 전압에 의해 제 2 풀-업 트랜지스터(T16)가 턴-온되어 제2 클럭신호(CLK2)의 로우 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 공급된다. 이때, 제1 출력신호(Vg_out1)의 하이 전압에 따라 턴-온된 제15O 및 제15E 트랜지스터(T15O, T15E)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 턴-온된 제15bO 트랜지스터(T15bO)와 하이 전압이 프리-차지된 제4 노드(QB)에 의해 턴-온된 제15aO 및 제15aE 트랜지스터(T15aO, T15aE)와 함께 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)에 로우 전압을 공급한다. 즉, 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)는 빠르게 방전되어 로우 전압 상태를 유지함으로써 제13O 트랜지스터, 제13E 트랜지스터, 제3 풀-다운 트랜지스터 및 제4 풀-다운 트랜지스터(T13O, T13E, T17O, T17E)를 턴-오프시켜 제13O 및 제13E 트랜지스터(T13O, T13E)를 통한 제4 노드(QB)의 방전 경로를 차단한다.In the BE period, the second stage S2 is turned on by the high voltage of the high potential driving voltage Vdd and the first output signal Vg_out1 so that the eleventh transistor T11 is turned on so that the high voltage becomes the fourth node QB. Pre-charged). The second pull-up transistor T16 is turned on by the high voltage pre-charged to the fourth node QB so that the low voltage of the second clock signal CLK2 is the second output signal Vg_out2. It is supplied to the gate line G2. In this case, the 15O and 15E transistors T15O and T15E turned on according to the high voltage of the first output signal Vg_out1 may be connected to the 15bO transistor T15bO turned on by the even frame high potential driving voltage VddE. A low voltage is supplied to the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB along with the 15aO and 15aE transistors T15aO and T15aE turned on by the fourth node QB pre-charged with the high voltage. That is, the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB are quickly discharged to maintain a low voltage state, so that the thirteenth transistor, the thirteenth transistor, the third pull-down transistor, and the fourth pull-down transistor T13O, T13E, and T17O. T17E is turned off to block the discharge path of the fourth node QB through the thirteenth and thirteenth transistors T13O and T13E.

한편, 제14E 트랜지스터(T14E)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 턴-온되어 제6 노드(QBEB)에 하이 전압을 공급하지만, 상술한 바와 같이 제15E 및 제15aE 트랜지스터(T15E, T15aE)에 의해 제6 노드(QBEB)의 방전 경로가 확보됨으로써, 제6 노드(QBEB)는 로우 전압 상태를 유지한다. 제14E 및 제15bO 트랜지스터(T14E, T15bO)는 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 이븐 프레임 기간 동안 계속 턴-온 상태를 유지한다. 이로 인해, 제15bO 트랜지스터(T15bO)는 이븐 프레임의 BE 기간 이후에 다른 방전 경로가 턴-오프되더라도 제5 노드(QBOB)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.On the other hand, the 14E transistor T14E is turned on by the even frame high potential driving voltage VddE and supplies a high voltage to the sixth node QBEB. However, as described above, the 15EE and 15AE transistors T15E, As a discharge path of the sixth node QBEB is secured by T15aE, the sixth node QBEB maintains a low voltage state. The 14E and 15BO transistors T14E and T15bO remain turned on during the even frame period by the even frame high potential driving voltage VddE. For this reason, the 15th bO transistor T15bO maintains the low voltage state of the fifth node QBOB even if another discharge path is turned off after the BE period of the even frame.

BE기간에서, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 로우 전압 상태의 제6 노드(QBEB)에 의해 턴-오프됨으로써 하이 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 로우 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.In the BE period, the second ripple down transistor RDTE is turned off by the sixth node QBEB in the low voltage state, so that the first output signal Vg_out1 in the high voltage state and the second output signal in the low voltage state ( Vg_out2) is blocked from synchronizing.

CE 기간에서, 제1 출력신호(Vg_out1)는 BE 기간에 턴-온 상태이던 제1 풀-업 트랜지스터(T6)에 의해 제1 클럭신호(CLK1)의 하이 전압을 유지하다가, CE 기간이 되면서 제1 풀-업 트랜지스터(T6)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전된 제1 클럭신호(CLK1)에 의해 로우 전압으로 출력된다.In the CE period, the first output signal Vg_out1 maintains the high voltage of the first clock signal CLK1 by the first pull-up transistor T6 turned on in the BE period, and then becomes the CE period during the CE period. The first pull-up transistor T6 is output at a low voltage by the first clock signal CLK1 inverted to a low voltage before the state of the first pull-up transistor T6 is changed.

제2 스테이지(S1)는 상술한 바와 같이 로우 전압 상태가 된 제1 출력신호(Vg_out1)에 의해 제11 트랜지스터(T11)가 턴-오프되므로 제4 노드(QB)는 하이 전압 상태로 플로팅되고, 제3 풀-업 트랜지스터(T16)는 턴-온 상태를 유지한다. 이때, 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압에 의해 제4 노드(QB)는 제3 풀-업 트랜지스터(T16)의 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩으로 형성된 기생 캐패시턴스의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 BE 기간보다 더 높은 전압으로 충전된다. 이에 따라, 제3 풀-업 트랜지스터(T16)가 확실하게 턴-온됨으로써 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압이 제2 출력신호(Vg_out2)로 두 번째 게이트 라인(G2)에 빠르게 공급된다. 한편, 제4 노드(QB)에 의해 턴-온된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)를 통해 방전된 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)는 로우 전압 상태를 계속 유지한다. 또한, 상술한 바와 같이 제5bO 트랜지스터(T5bO)는 턴-온 상태를 유지하여 제5 노드(QBOB)를 방전시킴으로써 제5aO 트랜지스터(T5aO)와 함께 제5 노드(QBOB)의 로우 전압 상태를 유지시킨다.As described above, since the eleventh transistor T11 is turned off by the first output signal Vg_out1 which is in the low voltage state as described above, the fourth node QB is floated to the high voltage state. The third pull-up transistor T16 maintains the turn-on state. In this case, due to the high voltage of the second clock signal CLK2, the fourth node QB may be bootstrapping under the influence of parasitic capacitance formed by overlapping the gate electrode and the drain electrode of the third pull-up transistor T16. Charge to a higher voltage than the BE period. Accordingly, the third pull-up transistor T16 is reliably turned on so that the high voltage of the second clock signal CLK2 is rapidly supplied to the second gate line G2 as the second output signal Vg_out2. Meanwhile, the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB discharged through the fifth and fifth aO transistors T5aO and T5aE turned on by the fourth node QB maintain a low voltage state. In addition, as described above, the fifth bO transistor T5bO maintains a low voltage state of the fifth node QBOB together with the fifth aO transistor T5aO by maintaining the turn-on state to discharge the fifth node QBOB. .

제1 스테이지(S1)는 제2 출력신호(Vg_out2)의 하이 전압에 의해 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-온되어 BE 기간까지 하이 전압 상태를 유지하던 제1 노드(QA)에 로 우 전압을 공급하여 방전시킨다. 이때, 제1 노드(QA)에 게이트 전극이 연결된 제5aO 및 제5aE 트랜지스터(T5aO, T5aE)가 턴-오프되어 제2 및 제3 노드(QBOA, QBEA)의 방전 경로가 차단된다. 한편, 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)에 의해 턴-온된 제4E 트랜지스터(T4E)를 통해 제3 노드(QBEA)에는 하이 전압이 공급되고 상술한 바와 같이 턴-온 상태인 제5bO 트랜지스터(T5bO)에 의해 제2 노드(QBOA)는 로우 전압을 공급받아 로우 전압 상태를 유지한다. 이에 따라, 하이 전압 상태인 제3 노드(QBEA)에 의해 제3E 트랜지스터 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T3E, T7E)가 턴-온되어 제3E 트랜지스터(T3E)를 통해 제1 노드(QA)가 더욱 빠르게 방전되고, 제2 풀-다운 트랜지스터(T7E)를 통해 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급된다.The first stage S1 applies the low voltage to the first node QA, which has maintained the high voltage state until the BE period by turning on the third a transistor T3a by the high voltage of the second output signal Vg_out2. Supply and discharge. In this case, the 5aO and 5aE transistors T5aO and T5aE having the gate electrode connected to the first node QA are turned off to cut off the discharge paths of the second and third nodes QBOA and QBEA. On the other hand, a high voltage is supplied to the third node QBEA through the fourth E transistor T4E turned on by the even frame high potential driving voltage VddE, and the fifth bO transistor T5bO turned on as described above. The second node QBOA receives a low voltage to maintain a low voltage state. Accordingly, the third E transistor and the second pull-down transistors T3E and T7E are turned on by the third node QBEA in a high voltage state, and the first node QA is turned on through the third E transistor T3E. Discharged faster, a low voltage is supplied to the first gate line G1 as the first output signal Vg_out1 through the second pull-down transistor T7E.

CE 기간에서, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 BE 기간과 마찬가지로 로우 전압 상태의 제6 노드(QBEB)에 의해 턴-오프됨으로써 로우 전압 상태의 제1 출력신호(Vg_out1)와 하이 전압 상태의 제2 출력신호(Vg_out2)가 동기화되는 것을 차단한다.In the CE period, the second ripple down transistor RDTE is turned off by the sixth node QBEB in the low voltage state, similarly to the BE period, so that the first output signal Vg_out1 in the low voltage state and the first in the high voltage state are removed. 2 The output signal Vg_out2 is blocked from synchronizing.

DE 기간에서, 제2 출력신호(Vg_out2)는 CE 기간에 턴-온 상태이던 제2 풀-업 트랜지스터(T16)에 의해 제2 클럭신호(CLK2)의 하이 전압을 유지하다가, DE 기간이 되면서 제2 풀-업 트랜지스터(T16)의 상태가 변경되기 전에 로우 전압으로 반전되 제2 클럭신호(CLK2)에 의해 로우 전압으로 출력된다. 이때, 하이 전압의 제3 출력신호(Vg_out3)에 의해 제13a 트랜지스터(T13a)가 턴-온되어 제4 노드(QB)는 방전 상태가 되기 때문에, 제4 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제15aO 및 제15aE 트랜 지스터(T15aO, T15aE)가 턴-오프되어 제5 및 제6 노드(QBOB, QBEB)의 방전 경로가 차단된다. 이때, 제5 노드(QBOB)는 제15bO 트랜지스터(T5bO)에 의해 방전이 가능하고, 제6 노드(QBEB)는 다른 방전 경로를 확보하지 못해 하이 전압으로 플로팅된다.In the DE period, the second output signal Vg_out2 maintains the high voltage of the second clock signal CLK2 by the second pull-up transistor T16 turned on in the CE period, and then becomes the DE period during the DE period. Before the state of the second pull-up transistor T16 is changed, the second pull-up transistor T16 is inverted to a low voltage and is output to the low voltage by the second clock signal CLK2. At this time, since the 13th transistor T13a is turned on by the third output signal Vg_out3 of the high voltage and the fourth node QB is in a discharge state, the fourth electrode QB is connected to the gate electrode. The 15aO and 15aE transistors T15aO and T15aE are turned off to interrupt the discharge paths of the fifth and sixth nodes QBOB and QBEB. At this time, the fifth node QBOB may be discharged by the 15bO transistor T5bO, and the sixth node QBEB may float at a high voltage because it does not secure another discharge path.

로우 전압의 제2 출력신호(Vg_out2)에 따라, 제1 스테이지(S1)의 제3a 트랜지스터(T3a)가 턴-오프된다. 한편, 상술한 바와 같이 이븐 프레임 고전위 구동전압(VddE)의 하이 전압을 통해 제4E 및 제5bO 트랜지스터는 턴-온 상태를 유지한다. 제4E 트랜지스터(T4E)에 의해 제3 노드(QBEA)는 계속 하이 전압 상태를 유지하여 제3E 트랜지스터 및 제2 풀-다운 트랜지스터(T3E, T7E)를 턴-온시키고, 제5bO 트랜지스터(T5bE)에 의해 제2 노드(QBOA)는 방전되어 로우 전압 상태를 유지한다. 이때, 제3E 트랜지스터(T3E)를 통해 제1 노드(QA)는 로우 전압 상태를 유지하고, 제2 풀-다운 트랜지스터(T7E)를 통해 로우 전압이 제1 출력신호(Vg_out1)로 첫 번째 게이트 라인(G1)에 공급되어 제1 출력신호(Vg_out1)는 남은 이븐 프레임 기간 동안 로우 전압 상태를 유지한다.According to the second output signal Vg_out2 of the low voltage, the third a transistor T3a of the first stage S1 is turned off. Meanwhile, as described above, the fourth and fifth bO transistors are turned on through the high voltage of the even frame high potential driving voltage VddE. The third node QBEA keeps the high voltage state by the fourth E transistor T4E to turn on the third E transistor and the second pull-down transistors T3E and T7E, and to the fifth bO transistor T5bE. The second node QBOA is discharged to maintain the low voltage state. At this time, the first node QA maintains the low voltage state through the third E transistor T3E, and the first gate line is the first gate line as the first output signal Vg_out1 through the second pull-down transistor T7E. The first output signal Vg_out1 supplied to (G1) maintains a low voltage state for the remaining even frame period.

DE 기간에서, 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 하이 전압 상태의 제6 노드(QBE)에 의해 턴-온되어 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)를 로우 전압으로 동기화시킴으로써 리플의 발생을 억제한다. 또한, 제1 및 제2 스테이지(S1, S2)의 출력 단자 각각은 서로 부하로 작용하여, 출력신호에 리플이 발생하더라도 그 높이를 감소시킨다. 이때, 도 11b 도시된 바와 같이 제5노드(QBOB)가 이븐 프레임 기간에는 로우 전압 상태를 유지하므로, 제1 리플 다운 트랜지스터(RDTO)는 이븐 프레임 기간에는 턴-온되지 않는다. 이 제2 리플 다운 트랜지스터(RDTE)는 상술한 바와 같이 제1 및 제2 출력신호(Vg_out1, Vg_out2)가 하이 전압일 때만 제외하고 항상 턴-온 상태를 유지하게 된다.In the DE period, the second ripple down transistor RDTE is turned on by the sixth node QBE in a high voltage state to generate the ripple by synchronizing the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 to a low voltage. Suppress In addition, each of the output terminals of the first and second stages S1 and S2 acts as a load to each other to reduce the height of the output signal even if ripple occurs. In this case, as shown in FIG. 11B, since the fifth node QBOB maintains a low voltage state in the even frame period, the first ripple down transistor RDTO is not turned on in the even frame period. As described above, the second ripple down transistor RDTE is always turned on except when the first and second output signals Vg_out1 and Vg_out2 are high voltage.

도 12는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 출력신호 파형을 나타내는 도면이다. 도 12를 참조하면, 출력신호(Vg_out)가 로우 전압 상태일 때 발생하는 리플 높이가 종래 도 5에 비하여 감소된 것을 알 수 있다.12 is a view showing an output signal waveform of a shift register according to the present invention. Referring to FIG. 12, it can be seen that the ripple height generated when the output signal Vg_out is in a low voltage state is reduced compared to that of FIG. 5.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정표시장치는 두 스테이지의 출력신호가 모두 로우 전압 상태일 때 두 출력신호를 동기화시켜주는 리플 다운 제어부를 구비하여, 두 출력신호가 로우 전압 상태를 유지해야 하는 동안 두 출력 단자가 각각 서로의 부하로 작용함으로써 리플 발생이 억제된다.As described above, the shift register and the liquid crystal display using the same according to the present invention include a ripple down control unit for synchronizing two output signals when the output signals of both stages are in a low voltage state, so that both output signals are low voltage. The ripple is suppressed by the two output terminals acting as loads to each other while maintaining the state.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (14)

제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지;A first stage charging a first output terminal in response to a voltage of a first node and discharging the first output terminal in response to a voltage of a second node; 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제3 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지; 및A second stage for driving according to the voltage of the first output terminal and charging the second output terminal in response to the voltage of the third node and discharging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node; And 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a ripple down controller configured to connect the first output terminal and the second output terminal in response to the voltage of the fourth node. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제4 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And an output signal of the first output terminal and an output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fourth node is at a high voltage. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 리플 다운 제어부는 상기 제4 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 리플 다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The ripple down controller may include a ripple down transistor having a gate terminal connected to the fourth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively. 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 및 제3 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지;A first stage that charges a first output terminal in response to a voltage of a first node and discharges the first output terminal in response to voltages of a second and third node; 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제4 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제5 및 제6 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지; 및A second stage driving according to the voltage of the first output terminal and charging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node and discharging the second output terminal in response to the voltages of the fifth and sixth nodes; And 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a ripple down controller configured to connect the first output terminal and the second output terminal in response to the voltage of the fourth node. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제2 및 제5 노드는 오드 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시키고,The second and fifth nodes discharge the first and fourth nodes during an odd frame period, 상기 제3 및 제6 노드는 이븐 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the third and sixth nodes discharge the first and fourth nodes during an even frame period. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제5 및 제6 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the output signal of the first output terminal and the output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fifth and sixth nodes are at a high voltage. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 리플 다운 제어부는,The ripple down control unit, 상기 제5 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제1 리플 다운 트랜지스터; 및A first ripple down transistor having a gate terminal connected to the fifth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively; And 상기 제6 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제2 리플 다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And a second ripple down transistor having a gate terminal connected to the sixth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively. 다수의 게이트 라인들과 다수의 데이터 라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널;A liquid crystal display panel in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed; 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지, 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제3 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지, 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 쉬프트 레지스터를 포함하여 상기 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 및A first stage that charges a first output terminal in response to a voltage of a first node, discharges the first output terminal in response to a voltage of a second node, and drives according to a voltage of the first output terminal A second stage that charges a second output terminal in response to a voltage of the second output terminal, and discharges the second output terminal in response to a voltage of a fourth node; and the first output terminal and the response in response to a voltage of the fourth node. A gate driving circuit sequentially supplying scan pulses to the gate lines, including a shift register having a ripple down control unit connecting a second output terminal; And 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a data driving circuit for supplying data voltages to the data lines. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제4 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an output signal of the first output terminal and an output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fourth node is at a high voltage. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 리플 다운 제어부는 상기 제4 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 리플 다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The ripple down controller may include a ripple down transistor having a gate terminal connected to the fourth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively. 다수의 게이트 라인들과 다수의 데이터 라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널;A liquid crystal display panel in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed; 제1 노드의 전압에 응답하여 제1 출력 단자를 충전시키고, 제2 및 제3 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자를 방전시키는 제1 스테이지, 상기 제1 출력 단자의 전압에 따라 구동하며 제4 노드의 전압에 응답하여 제2 출력 단자를 충전시키고, 제5 및 제6 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 출력 단자를 방전시키는 제2 스테이지, 및 상기 제4 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 출력 단자와 상기 제2 출력 단자를 연결하는 리플 다운 제어부를 구비하는 쉬프트 레지스터를 포함하여 상기 게이트 라인들에 스캔 펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 및Charging a first output terminal in response to a voltage of a first node, driving a first stage to discharge the first output terminal in response to voltages of a second node and a third node, and driving according to a voltage of the first output terminal A second stage for charging the second output terminal in response to the voltage of the fourth node, discharging the second output terminal in response to the voltages of the fifth and sixth nodes, and in response to the voltage of the fourth node; A gate driving circuit sequentially supplying scan pulses to the gate lines, including a shift register having a ripple down control unit connecting a first output terminal to the second output terminal; And 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a data driving circuit for supplying data voltages to the data lines. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 제2 및 제5 노드는 오드 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시키고,The second and fifth nodes discharge the first and fourth nodes during an odd frame period, 상기 제3 및 제6 노드는 이븐 프레임 기간 동안 상기 제1 및 제4 노드를 방전시키는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the third and sixth nodes discharge the first and fourth nodes during an even frame period. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 제1 출력 단자의 출력신호와 상기 제2 출력 단자의 출력신호는 상기 제5 및 제6 노드가 하이 전압일 때 로우 전압으로 동기화되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an output signal of the first output terminal and an output signal of the second output terminal are synchronized to a low voltage when the fifth and sixth nodes are high voltage. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 리플 다운 제어부는,The ripple down control unit, 상기 제5 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제1 리플 다운 트랜지스터; 및A first ripple down transistor having a gate terminal connected to the fifth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively; And 상기 제6 노드에 게이트 단자가 연결되고, 상기 제1 및 제2 출력 단자에 소스 및 드레인 단자가 각각 연결된 제2 리플 다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a second ripple down transistor having a gate terminal connected to the sixth node and a source and drain terminal connected to the first and second output terminals, respectively.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8194025B2 (en) 2008-08-06 2012-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
KR101448910B1 (en) * 2008-01-25 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 Gate deiver circuit and display apparatus having the same
CN106601199A (en) * 2016-11-07 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 LCD panel driving circuit and liquid crystal display
CN106898292A (en) * 2017-05-05 2017-06-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 Scan drive circuit and its driving method, array base palte and display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100965152B1 (en) * 2003-12-18 2010-06-23 삼성전자주식회사 Gate driver circuit and display apparatus having the same
KR101056369B1 (en) * 2004-09-18 2011-08-11 삼성전자주식회사 Drive unit and display device having same
KR101137880B1 (en) * 2004-12-31 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 Shift Register And Method For Driving The Same
KR101154338B1 (en) * 2006-02-15 2012-06-13 삼성전자주식회사 Shift register, and scan drive circuit and display device having the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101448910B1 (en) * 2008-01-25 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 Gate deiver circuit and display apparatus having the same
US8194025B2 (en) 2008-08-06 2012-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
CN106601199A (en) * 2016-11-07 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 LCD panel driving circuit and liquid crystal display
CN106601199B (en) * 2016-11-07 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel drive circuit and liquid crystal display
CN106898292A (en) * 2017-05-05 2017-06-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 Scan drive circuit and its driving method, array base palte and display device
CN106898292B (en) * 2017-05-05 2018-07-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 Scan drive circuit and its driving method, array substrate and display device
WO2018201690A1 (en) * 2017-05-05 2018-11-08 京东方科技集团股份有限公司 Scan driving circuit and driving method thereof, array substrate and display device
US10950153B2 (en) 2017-05-05 2021-03-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Scan driving circuit and driving method thereof, array substrate and display device

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