KR20080000981A - Rubbing device and method for rubbing an alignment film - Google Patents

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Abstract

An apparatus and a method for rubbing an alignment layer are provided to improve the directivity of an ion beam applied to the alignment layer, thereby preventing rubbing failure of the alignment layer and forming alignment grooves uniformly. A gas supply unit(150) supplies an inert gas into a housing member(110). A cathode electrode(120) is inserted into and fixed onto an upper face of the housing member. An anode electrode(130), interlocked with The cathode electrode, performs plasma discharge on the inert to form an ion beam. A magnet assembly(140) forms a magnet field in The direction perpendicular to a progress direction of the ion beam to make the ion beam move straight in a direction of a substrate having an alignment layer.

Description

러빙장치 및 이를 이용한 배향막 러빙 방법{Rubbing device and method for rubbing an alignment film}Rubbing device and method for rubbing alignment film using same {Rubbing device and method for rubbing an alignment film}

도 1은 일반적인 액정표시장치의 평면도.1 is a plan view of a general liquid crystal display device.

도 2는 종래의 러빙드럼을 이용한 배향막에 대한 접촉식 러빙공정을 나타낸 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing a contact rubbing process for the alignment film using a conventional rubbing drum.

도 3은 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 구성 사시도.Figure 3 is a perspective view of the configuration of the alignment film rubbing device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 분해 사시도 Figure 4 is an exploded perspective view of the alignment film rubbing device according to the present invention

도 5는 도 3에서 I-I'선을 따라 절취된 배향막 러빙장치의 구성 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of the alignment film rubbing device cut along the line II ′ in FIG. 3. FIG.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치를 이용한 러빙공정을 도시한 배향막 러빙 공정도.6a to 6d is an alignment film rubbing process diagram showing a rubbing process using the alignment film rubbing device according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 배향막 러빙장치 110 : 하우징 100: alignment film rubbing device 110: housing

112 : 가스홈 114 : 가스 주입공112 gas groove 114 gas injection hole

120 : 캐소드 122 : 제 1 캐소드 전극 120 cathode 122 first cathode electrode

124 : 제 2 캐소드 전극 130 : 애노드 전극 124: second cathode electrode 130: anode electrode

140 : 자석 어셈블리 142 : 자기 요크 어셈블리 140: magnet assembly 142: magnetic yoke assembly

144 : 영구자석 150 : 가스 공급부 144: permanent magnet 150: gas supply unit

152 : 가스홀 200 : 기판152 gas hole 200 substrate

210 : 배향막 212 : 배향홈210: alignment layer 212: alignment groove

300 : 이송수단300: transfer means

본 발명은 배향막 러빙장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 저전압 구동에 의해 양호한 직진성을 갖는 이온빔을 형성하여 배향막의 파손 및 러빙불량을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alignment film rubbing device and method, and more particularly, to an alignment film rubbing device and method capable of preventing damage and rubbing failure of an alignment film by forming an ion beam having good straightness by low voltage driving.

최근, 정보화 사회가 도래함에 따라 다양한 정보를 사용자에게 제공하는 전달매체로서의 역학을 수행하는 영상표시장치에 대한 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. Recently, with the arrival of the information society, the importance of an image display device that performs dynamics as a transmission medium for providing various information to users has been emphasized more than ever.

이러한 영상표시장치의 주류를 이루고 있었던 종래의 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있었고, 이러한 문제점을 해소하기 위해 다양한 종류의 평판표시소자(Flat Panel Display)가 개발되고 있다. The cathode ray tube or the cathode ray tube, which has been the mainstream of such an image display device, has a problem of weight and volume, and various kinds of flat panel displays have been developed to solve such problems. have.

평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 일렉트로루미네센스(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.The flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP) and an electroluminescence (EL). Most of these are commercially available and commercially available.

이 중에서 액정표시소자는 전자제품의 경박단소화 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관 또는 브라운관을 빠른 속도로 대체하고 있다. Among these, liquid crystal display devices can satisfy the trend of light and short and short of electronic products and have improved mass productivity, and are rapidly replacing cathode ray tubes or CRTs in many applications.

특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다.In particular, an active matrix type liquid crystal display device that drives a liquid crystal cell using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") has the advantages of excellent image quality and low power consumption, and secures the latest mass production technology. As a result of research and development, it is rapidly developing into larger size and higher resolution.

도 1을 참조하여 상술한 바와 같은 액정표시장치의 구성 및 동작에 대해 설명하면 다음과 같다. A configuration and an operation of the liquid crystal display as described above with reference to FIG. 1 will be described below.

액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판 및 컬러필터기판, 두 기판 사이에 일정한 셀갭 유지를 위해 위치하는 스페이서 및 그 셀갭에 채워진 액정 등을 구비한다.The liquid crystal display device displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. As shown in FIG. 1, a thin film transistor substrate and a color filter substrate, spacers positioned to maintain a constant cell gap between two substrates, and And liquid crystal filled in the cell gap.

여기서, 박막 트랜지스터 기판(70)은 서로 교차되게 형성된 게이트 라인(71) 및 데이터 라인(72), 그들(71,72)의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(73), 박막 트랜지스터(73)와 접속된 화소전극(74) 및 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막 (미도시)으로 구성된다.Here, the thin film transistor substrate 70 is connected to the gate line 71 and the data line 72 formed to cross each other, the thin film transistor 73 and the thin film transistor 73 formed at the intersections of the 71 and 72. A pixel electrode 74 and a lower alignment film (not shown) applied for liquid crystal alignment.

이때, 박막 트랜지스터(73)는 데이터 라인(72)에 접속된 소스전극, 채널을 사이에 두고 소스전극과 대향하는 드레인 전극 및 채널을 형성하는 반도체층으로 구성된다. 이때, 반도체층은 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 활성층과, 활성층 상에 위치하여 소스전극 및 드레인 전극과 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층을 포함한다.In this case, the thin film transistor 73 includes a source electrode connected to the data line 72, a drain electrode facing the source electrode with a channel therebetween, and a semiconductor layer forming a channel. In this case, the semiconductor layer includes an active layer forming a channel between the source electrode and the drain electrode, and an ohmic contact layer disposed on the active layer to perform ohmic contact with the source electrode and the drain electrode.

칼라필터기판(80)은 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(81), 칼라 구현을 위한 칼러 필터(82), 화소 전극(74)과 수직전계를 이루는 공통전극(83) 및 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막(84)으로 구성된다.The color filter substrate 80 includes a black matrix 81 for preventing light leakage, a color filter 82 for color implementation, a common electrode 83 forming a vertical electric field with the pixel electrode 74, and an upper portion coated for liquid crystal alignment. The alignment film 84 is comprised.

이때, 배향막은 박막 트랜지스터 기판(70)과 컬러필터기판(80) 사이에 개재되는 액정(90)을 소정 방향으로 배향시키기 역할을 수행하는 것으로서, 배향막 상에는 러빙장치를 이용하여 폴리이미드 등의 유기막에 대한 러빙공정이 수행됨에 따라 액정이 정렬되는 배향홈(미도시)이 형성된다.In this case, the alignment layer serves to orient the liquid crystal 90 interposed between the thin film transistor substrate 70 and the color filter substrate 80 in a predetermined direction. An organic layer such as polyimide may be used on the alignment layer using a rubbing device. As the rubbing process is performed, alignment grooves (not shown) in which the liquid crystals are aligned are formed.

여기서, 액정표시장치는 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터기판을 별도로 제작하여 합착한 다음 액정을 주입하고 봉입함으로써 완성하게 된다.Here, the liquid crystal display device is completed by separately manufacturing a thin film transistor substrate and a color filter substrate, and then injecting and encapsulating a liquid crystal.

종래, 상술한 바와 같이 구성된 액정표시장치를 구성하는 배향막은, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 폴리이미드 등과 같은 배향물질(20)을 도포한 후 러빙드럼(30)을 이용한 접촉식 러빙공정을 수행함으로써 형성되었다.Conventionally, as shown in FIG. 2, the alignment layer constituting the liquid crystal display device configured as described above is coated with an alignment material 20 such as polyimide on the substrate 10 and then using the rubbing drum 30. It was formed by performing a contact rubbing process.

즉, 기판(10)상에 폴리이미드 등의 고분자 화합물인 배향막(20)을 프린팅 방법 등에 의해 도포하고 이 표면을 나이론이나 폴리에스테르 레이온 섬유를 식모한 천이 감긴 러빙드럼(30)으로 고속 회전시켜 문지름으로써 중합체의 표면에 아주 미세한 홈을 형성하는 방법이다.That is, the alignment film 20, which is a polymer compound such as polyimide, is coated on the substrate 10 by a printing method or the like, and the surface is rubbed by rotating at a high speed with a cloth-wrapped rubbing drum 30 in which nylon or polyester rayon fibers are implanted. This is a method of forming very fine grooves on the surface of the polymer.

이때, 러빙 공정을 거치면서 액정 분자는 배향막(20) 표면에서 일정한 선경사각(θ)을 갖고 배향되는데 이러한 러빙방법은 공정이 간단하며 대면적화와 고속처리가 가능하여 공업적으로 널리 이용되는 장점이 있다.At this time, the liquid crystal molecules are oriented with a constant pretilt angle (θ) on the surface of the alignment layer 20 through the rubbing process. The rubbing method is simple and the industrial area is widely used because of its large area and high speed treatment. have.

그러나, 배향포(31)와 배향막(20)의 마찰강도에 따라 배향막(20))에 형성되는 미세홈 (microgroove)의 형태가 달라지기 때문에 액정분자의 배열이 불균일하게 되어 위상왜곡(phase distortion)과 광산란(light scattering)이 발한다는 문제점이 있었다.However, since the shape of the microgrooves formed in the alignment layer 20 varies according to the frictional strength of the alignment cloth 31 and the alignment layer 20, the arrangement of liquid crystal molecules becomes nonuniform, resulting in phase distortion. And there was a problem that light scattering (light scattering).

또한, 러빙 드럼(30)의 배향포(31)가 고분자 표면을 러빙함으로써 발생하는 정전기(ESD: ElectroStatic Discharge)로 인한 기판(2) 손상과 러빙드럼(30)에서 생성되는 미세한 먼지 등에 의해 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, the production yield due to damage to the substrate 2 due to electrostatic discharge (ESD) generated by rubbing the polymer surface of the rubbing drum 30 and the fine dust generated in the rubbing drum 30. There was a problem of this deterioration.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 배향막의 러빙 시에 발생되는 이온빔의 퍼짐현상을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.In order to solve the problems as described above, an object of the present invention is to provide an alignment film rubbing device and a rubbing method using the same that can prevent the phenomenon of the ion beam generated when the alignment film rubbing.

본 발명은 배향막의 러빙시에 발생되는 이온빔의 직진성을 향상시켜 러빙불량을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.The present invention is to provide an alignment film rubbing device and a rubbing method using the same, which can prevent rubbing defects by improving the linearity of the ion beam generated when rubbing the alignment film.

본 발명은 저전압 구동에 의해 양호한 직진성을 갖는 이온빔을 형성함으로써 배향막의 손상을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공 하는 데 있다.The present invention provides an alignment film rubbing device capable of preventing damage to an alignment film by forming an ion beam having good linearity by low voltage driving, and a rubbing method using the same.

본 발명은 비접촉식 러빙방식을 통해 배향막에 대한 러빙공정을 수행함으로써 배향막의 생산수율을 향상시킬 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.The present invention is to provide an alignment film rubbing device and a rubbing method using the same, which can improve the production yield of the alignment film by performing a rubbing process on the alignment film through a non-contact rubbing method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 배향막 러빙장치는, 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙장치에 있어서,하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부; 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극; 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the alignment film rubbing device according to the present invention, the alignment film rubbing device for forming an alignment groove for the liquid crystal alignment in the alignment film formed on the substrate, Gas supply unit for supplying an inert gas into the housing; A cathode electrode inserted into and fixed to an upper surface of the housing; An anode electrode which forms an ion beam by performing plasma discharge on the inert gas in association with a cathode electrode; And a magnet assembly which forms a magnetic field in a direction perpendicular to the traveling direction of the ion beam and directs the ion beam toward the substrate on which the alignment layer is formed.

여기서, 본 발명의 러빙장치를 구성하는 하우징은 직육면체 형상으로 구성되되, 하우징의 상면에는 이온빔을 기판상에 형성된 배향막으로 주사시키기 위한 슬릿홈이 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.Here, the housing constituting the rubbing device of the present invention has a rectangular parallelepiped shape, and a slit groove for scanning an ion beam to an alignment film formed on a substrate is formed continuously along the outer circumferential surface on the upper surface of the housing.

본 발명의 러빙장치를 구성하는 가스 공급부는 상면에 외부로부터 공급되는 이온 가스를 하우징 내부로 공급하기 위한 가스공이 형성된 것을 특징으로 한다.The gas supply part constituting the rubbing device of the present invention is characterized in that a gas hole for supplying an ion gas supplied from the outside into the housing is formed on the upper surface.

여기서, 가스 공급부의 상면에 형성된 가스공은 하우징의 상면에 형성된 슬릿과 대응되도록 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.Here, the gas holes formed on the upper surface of the gas supply part are continuously formed along the outer circumferential surface so as to correspond to the slits formed on the upper surface of the housing.

본 발명에 따른 러빙장치를 구성하는 자석 어셈블리는, 가스 공급부의 중심부에 형성된 홈에 삽입 고정되는 요크부; 및 요크부에 고정되는 다수의 영구자석을 구비하되, 영구자석은 이온빔의 진행방향에 수직 방향으로 자기장을 형성하여 상기 이온빔을 배향막이 형성된 기판 쪽으로 진행시키는 것을 특징으로 한다.The magnet assembly constituting the rubbing device according to the present invention includes a yoke portion inserted into and fixed to a groove formed at the center of the gas supply portion; And a plurality of permanent magnets fixed to the yoke part, wherein the permanent magnets form a magnetic field in a direction perpendicular to the traveling direction of the ion beam to advance the ion beam toward the substrate on which the alignment layer is formed.

여기서, 자석 어셈블리를 구성하는 영구자석은 가스 공급부로부터 공급되는 이온가스를 캐소드 및 애노드 전극 사이에 트랩 시키는 것을 특징으로 한다.Here, the permanent magnet constituting the magnet assembly is characterized in that to trap the ionic gas supplied from the gas supply portion between the cathode and the anode electrode.

본 발명에 따른 배향막 러빙 방법은, 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙 방법에 있어서, 이송수단을 통해 상기 배향막이 형성된 기판을 러빙장치가 위치한 방향으로 이송시키는 단계; 러빙장치에 구동전압을 인가하여 배향막 러빙시 이용되는 이온빔을 형성하는 단계; 이온빔을 상기 기판 방향으로 가속시켜 상기 배향막을 순차 조사하는 단계; 및 이온빔의 순차 조사에 연동하여 상기 배향막 상에 균일한 배향홈을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.An alignment film rubbing method according to the present invention comprises: an alignment film rubbing method for forming an alignment groove for liquid crystal alignment in an alignment film formed on a substrate, comprising: transferring a substrate on which the alignment film is formed in a direction in which a rubbing device is located through a transfer means; Forming an ion beam used when rubbing the alignment layer by applying a driving voltage to the rubbing device; Accelerating an ion beam toward the substrate to sequentially irradiate the alignment layer; And forming a uniform alignment groove on the alignment layer in association with sequential irradiation of the ion beam.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙 방법에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, an alignment film rubbing device and a rubbing method using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 구성 및 동작에 대해 상세하게 설명한다. 여기서, 도 3은 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 분해 사시도 이고, 도 5는 도 2에서 I-I'선을 따라 절취된 배향막 러빙장치의 단면도이다.First, the configuration and operation of the alignment film rubbing device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5. 3 is a plan view of the alignment film rubbing device according to the present invention, FIG. 4 is an exploded perspective view of the alignment film rubbing device according to the present invention, and FIG. 5 is a view of the alignment film rubbing device cut along the line II ′ in FIG. 2. It is a cross section.

본 발명에 따른 배향막 러빙장치(100)는 이송수단(300)을 통해 이송되는 기 판(200)상에 형성된 배향막(210)으로 이온빔을 주사시켜 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 것으로서, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 하우징(110))과, 하우징(110))의 상부에 형성되는 캐소드 전극(120)과, 소정의 절연체에 의해 하우징(110)과 절연된 상태로 캐소드 전극(120)의 하부에 위치하는 애노드 전극(130)과, 양 전극의 플라즈마 방전에 의해 형성된 이온빔을 배향막(210)이 형성된 기판(200) 방향으로 진행시키기 위한 자석 어셈블리(140)와, 외부로부터 공급되는 이온가스를 하우징(110) 내부로 공급하는 가스 공급부(150)를 포함하여 구성되어 있다.The alignment film rubbing device 100 according to the present invention is to form an alignment groove for liquid crystal alignment by scanning an ion beam to the alignment film 210 formed on the substrate 200 to be transferred through the transfer means 300, FIG. 5, the cathode 110 may be insulated from the housing 110, the cathode electrode 120 formed on the housing 110, and the housing 110 by a predetermined insulator. The anode electrode 130 positioned below the 120, the magnet assembly 140 for advancing the ion beam formed by plasma discharge of both electrodes toward the substrate 200 on which the alignment layer 210 is formed, and supplied from the outside. It is configured to include a gas supply unit 150 for supplying the ion gas into the housing 110.

여기서, 하우징(110))은 내부가 빈 직육면체 형상의 구조체로서, 상면에는 플라즈마 상태로 이온빔이 출사되는 슬릿 형상의 가스홈(112)이 형성되어 있고, 후면에는 가스 라인을 통해 공급되는 가스가 주입되는 가스 주입공(114))이 형성되어 있다.Here, the housing 110 is a hollow rectangular parallelepiped structure, the upper surface is formed with a slit-shaped gas groove 112, the ion beam is emitted in the plasma state, the gas supplied through the gas line in the rear The gas injection hole 114 to be formed is formed.

이때, 가스홈(112)은 가스 공급부(150)에 형성된 가스홀(152)의 위치와 대응되게 하우징(110) 상면의 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있고, 가스 주입공(114)은 가스 공급부(150)에 형성된 가스홀(152)의 위치와 대응되게 하우징(110) 후면의 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.At this time, the gas groove 112 is continuously formed along the outer circumferential surface of the upper surface of the housing 110 to correspond to the position of the gas hole 152 formed in the gas supply unit 150, the gas injection hole 114 is a gas supply unit ( It is continuously formed along the outer circumferential surface of the rear surface of the housing 110 to correspond to the position of the gas hole 152 formed in the 150.

캐소스 전극(120)은 잭 스크류(jack screw)를 통해 하우징(110)의 상면에 고정된 제 1 캐소드 전극(122)과, 제 1 캐소드 전극(122)의 하면에 형성된 제 2 캐소드 전극(124)으로 구성되어 있다.The cathode electrode 120 has a first cathode electrode 122 fixed to the upper surface of the housing 110 through a jack screw, and a second cathode electrode 124 formed on the lower surface of the first cathode electrode 122. )

이때, 제 1 캐소드 전극(122)은 하우징(110)의 외주면을 따라 고리 형상으로 형성되어 있고, 제 2 캐소스 전극(124)은 하우징(110)의 상면에 형성된 가스홈(112)의 내측에 형성됨으로써 가스 이온이 가스홈(112)을 통해 외부로 토출되는 것을 방해하지는 않는다. In this case, the first cathode electrode 122 is formed in an annular shape along the outer circumferential surface of the housing 110, and the second cathode electrode 124 is formed inside the gas groove 112 formed on the upper surface of the housing 110. It does not prevent the gas ions are discharged to the outside through the gas groove 112 by being formed.

애노드 전극(130)은 하우징(110)과 가스 공급부(150) 사이에 형성된 틈에 삽입 고정되며, 캐소드 전극(120)을 구성하는 제 2 캐소드 전극(124)과 소정 간격 이격 되어 형성된다.The anode electrode 130 is inserted and fixed in a gap formed between the housing 110 and the gas supply part 150, and is spaced apart from the second cathode electrode 124 constituting the cathode electrode 120 by a predetermined interval.

이때, 캐소드 전극(120)과 애노드 전극(130)은 외부로부터 인가되는 저전압, 보다 구체적으로는 약 1 KeV의 저전압에 연동하여 가스 공급부(150)로부터 공급되는 이온가스를 플라즈마 상태로 여기시킴으로써 기판(200)상의 배향막(210)을 러빙시에 이용되는 이온빔을 형성한다.At this time, the cathode electrode 120 and the anode electrode 130 is excited by the ion gas supplied from the gas supply unit 150 in conjunction with a low voltage applied from the outside, more specifically, a low voltage of about 1 KeV in a plasma state ( An ion beam used for rubbing the alignment film 210 on 200 is formed.

자석 어셈블리(140)는 가스 공급부(150)로부터 공급되는 가스를 양 전극 사이에 트랩시키는 동시에 플라즈마 상태의 이온빔을 배향막(210)이 형성된 기판(200) 방향으로 직진시키는 역할을 수행한다.The magnet assembly 140 traps the gas supplied from the gas supply unit 150 between both electrodes, and simultaneously moves the ion beam in the plasma state toward the substrate 200 on which the alignment layer 210 is formed.

이때, 자석 어셈블리(140)는 가스 공급부(150)의 중심부에 형성된 홈에 잭 스크류를 통해 삽입 고정되는 자기 요크 어셈블리(142)와, 자기 요크 어셈블리(142)에 고정된 다수의 영구자석(144)으로 구성된다.In this case, the magnet assembly 140 includes a magnetic yoke assembly 142 inserted into and fixed to a groove formed in the center of the gas supply unit 150 through a jack screw, and a plurality of permanent magnets 144 fixed to the magnetic yoke assembly 142. It consists of.

여기서, 자석 어셈블리(140)를 구성하는 다수의 영구자석(144)은 이온빔의 진행방향과 수직 방향으로 자계를 형성함으로써 이온빔이 분산되는 것을 방지할 뿐만 아니라 배향막(210)이 형성된 기판(200) 방향으로 이온빔을 직진시키는 역할을 수행한다.Here, the plurality of permanent magnets 144 constituting the magnet assembly 140 not only prevents the ion beam from being dispersed by forming a magnetic field in a direction perpendicular to the traveling direction of the ion beam, but also in the direction of the substrate 200 on which the alignment layer 210 is formed. It plays a role of driving the ion beam straight.

즉, 자석 어셈블리에 의해 기판 쪽으로 진행하는 이온빔이 분산되는 것을 방지함으로써, 이온빔의 퍼짐 현상으로 인하여 발생되는 배향막의 러빙불량을 방지함으로써 양호한 배향특성을 갖는 배향막을 형성할 수 있는 것이다.That is, by preventing the dispersion of the ion beam propagating toward the substrate by the magnet assembly, it is possible to form an alignment layer having good alignment characteristics by preventing rubbing failure of the alignment layer caused by the spreading of the ion beam.

가스 공급부(150)는 가스 라인으로부터 공급되는 가스를 하우징(110)의 후면에 형성된 가스 주입공(114)을 통해 공급받은 후, 이를 하우징(110)의 내부로 토출시키는 역할을 수행한다.The gas supply unit 150 receives the gas supplied from the gas line through the gas injection hole 114 formed in the rear surface of the housing 110, and then discharges the gas into the inside of the housing 110.

이때, 가스 공급부(150)의 상면에 형성된 가스홀(152)은 하우징(110) 상면에 형성된 가스홈(112)에 대응되도록 외주면을 따라 형성되어 있다.At this time, the gas hole 152 formed on the upper surface of the gas supply unit 150 is formed along the outer circumferential surface so as to correspond to the gas groove 112 formed on the upper surface of the housing 110.

이하, 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 러빙장치를 이용하여 기판상의 배향막에 대한 러빙 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a rubbing method for an alignment layer on a substrate using a rubbing device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 6.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판상에 액정 배향을 위한 배향홈이 형성될 배향막을 전면 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, the alignment layer on which the alignment grooves for the liquid crystal alignment are to be formed is formed on the substrate.

여기서, 배향막은 기판과 액정의 계면에 형성되어 액정분자를 소정 방향으로 배향시키는 역할을 수행하는 것으로서, 폴리이미드나 폴리아미드산이 주로 이용되고 있다.Here, the alignment film is formed at the interface between the substrate and the liquid crystal and serves to align the liquid crystal molecules in a predetermined direction. Polyimide or polyamic acid is mainly used.

이때, 배향막은 약 0.05~0.1um 정도의 두께로 기판상에 균일하게 형성되는 것이 바람직하다. At this time, the alignment film is preferably formed uniformly on the substrate to a thickness of about 0.05 ~ 0.1um.

상술한 바와 같이 기판(200)상에 배향막(220)을 전면 형성한 후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 이송수단(300)을 통해 배향막(220)이 형성된 기판(200)을 본 발명에 따른 러빙장치(100)가 설치된 위치로 이송시킨다.As described above, after the alignment layer 220 is entirely formed on the substrate 200, as shown in FIG. 6B, the substrate 200 on which the alignment layer 220 is formed through the transfer means 300 is formed according to the present invention. The rubbing device 100 is transferred to the installed position.

여기서, 이송수단(300)을 통해 기판(200)이 러빙장치(200)가 설치된 위치로 이송됨에 따라, 도 6c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 러빙장치(200)는 외부로부터 인가되는 저전압, 보다 구체적으로는 약 1Kev의 저전압에 연동하여 이온빔을 가속한 후 이를 기판(200)상에 형성된 배향막(220)으로 순차 주사한다.Here, as the substrate 200 is transferred to the position where the rubbing device 200 is installed through the conveying means 300, as shown in FIG. 6C, the rubbing device 200 according to the present invention is a low voltage applied from the outside. More specifically, after accelerating the ion beam in conjunction with a low voltage of about 1Kev, it is sequentially scanned into the alignment layer 220 formed on the substrate 200.

이때, 이온빔은 러빙장치(100)를 구성하는 자석 어셈블리(140)의 영구자석(144)에 의해 형성되는 자계에 의해 양호한 직진성을 유지하면서 기판(200) 방향으로 가속되어 배향막(220)에 대한 순차 주사를 수행한다.At this time, the ion beam is accelerated toward the substrate 200 while maintaining good straightness due to the magnetic field formed by the permanent magnet 144 of the magnet assembly 140 constituting the rubbing device 100, thereby sequentially sequencing the alignment layer 220. Perform an injection.

즉, 러빙장치를 통해 출사되는 이온빔은 영구자석(144)에 의해 형성되는 자계에 의해 퍼짐 현상이 방지되고, 이에 의해 양호한 직진성을 유지하면서 기판(200) 방향으로 가속되어 배향막(220)에 대한 러빙 공정을 수행한다.That is, the ion beam emitted through the rubbing device is prevented from being spread by the magnetic field formed by the permanent magnet 144, thereby accelerating toward the substrate 200 while maintaining good straightness, thereby rubbing against the alignment layer 220. Perform the process.

상술한 바와 같이 러빙장치로부터 출사되는 이온빔에 의해 배향막(220)이 순차 주사됨에 따라, 도 6d에 도시된 바와 같이, 균일한 배향 특성을 갖는 배향홈(222)이 형성된 배향막(220)을 최종적으로 완성한다.As the alignment layer 220 is sequentially scanned by the ion beam emitted from the rubbing device as described above, as shown in FIG. 6D, the alignment layer 220 having the alignment groove 222 having uniform alignment characteristics is finally formed. Complete

상술한 바와 같이, 본 발명은 직진성이 양호한 러빙장치를 통해 배향막에 대한 비접촉식 러빙공정을 수행함으로써, 배향막의 러빙시에 발생되는 이온빔의 퍼짐현상을 방지할 수 있다는 효과를 갖는다.As described above, the present invention has the effect of preventing the spreading of the ion beam generated when rubbing the alignment film by performing a non-contact rubbing process on the alignment film through a rubbing device having good straightness.

본 발명은 배향막에 주사되는 이온빔의 직진성을 향상시킴으로써, 배향막의 러빙시에 발생 되는 러빙 불량을 방지하여 균일한 배향홈을 형성할 수 있다는 효과 를 갖는다.The present invention has the effect that by improving the linearity of the ion beam scanned in the alignment film, it is possible to prevent rubbing defects generated during rubbing of the alignment film to form a uniform alignment groove.

본 발명은 저전압을 이용하여 배향막에 주사되는 이온빔을 가속시킴으로써, 러빙시에 발생되는 배향막의 손상을 방지할 수 있다는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of preventing damage to the alignment film generated during rubbing by accelerating the ion beam scanned to the alignment film using a low voltage.

본 발명은 비접촉식 러빙방식을 통해 배향막에 대한 러빙공정을 수행함으로써, 종래의 접촉식 러빙공정과 비교하여 배향막의 생산수율을 향상시킬 수 있다는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of improving the yield of the alignment film compared to the conventional contact rubbing process by performing a rubbing process on the alignment film through a non-contact rubbing method.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (12)

기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙장치에 있어서,An alignment film rubbing device for forming an alignment groove for liquid crystal alignment in an alignment film formed on a substrate, 하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit supplying an inert gas into the housing; 상기 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극;A cathode electrode inserted into and fixed to an upper surface of the housing; 상기 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및 An anode electrode which forms an ion beam by performing plasma discharge on the inert gas in association with the cathode electrode; And 상기 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치. And a magnet assembly which forms a magnetic field in a direction perpendicular to the traveling direction of the ion beam, and directs the ion beam toward the substrate on which the alignment film is formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하우징의 상면에는 상기 이온빔을 출사시키기 위한 가스홈이 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.And a gas groove for emitting the ion beam on an upper surface of the housing. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가스홈은 외주면을 따라 슬릿 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.The gas groove is an alignment film rubbing device, characterized in that formed in a slit shape along the outer peripheral surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하우징의 후면에는 상기 불활성 가스가 공급되는 가스 주입공이 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.And a gas injection hole through which the inert gas is supplied at a rear surface of the housing. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 가스 공급부의 상면에는 상기 불활성 가스를 상기 하우징의 내부로 토출시키기 위한 가스홀이 형성된 것을 특징으로 하는 이온 도핑장치.And a gas hole for discharging the inert gas into the housing on an upper surface of the gas supply part. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가스홀은 상기 하우징의 가스홈과 대응되도록 외주면을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.The gas hole is an alignment film rubbing device, characterized in that formed along the outer circumferential surface to correspond to the gas groove of the housing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이온빔을 가속시키기 위해 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 가속전압은 1keV이하의 저전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.And a low voltage of 1 keV or less is applied to the acceleration voltage applied between the cathode electrode and the anode electrode to accelerate the ion beam. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 자석 어셈블리는,The magnet assembly, 상기 가스 공급부의 중심부에 형성된 홈에 삽입 고정되는 요크부; 및 A yoke part inserted into a groove formed at a center of the gas supply part; And 상기 요크부에 고정되는 다수의 영구자석을 구비하되, While having a plurality of permanent magnets fixed to the yoke, 상기 영구자석은 상기 이온빔의 진행방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 이온빔을 기판 방향으로 직진시키는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.And the permanent magnet forms a magnetic field in a direction perpendicular to the traveling direction of the ion beam, and moves the ion beam straight toward the substrate. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 영구자석은 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스를 상기 캐소드 전극 및 애노드 전극 사이에 트랩시키는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.And the permanent magnet traps an inert gas supplied from a gas supply unit between the cathode electrode and the anode electrode. 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙 방법에 있어서, In the alignment film rubbing method of forming an alignment groove for liquid crystal alignment in the alignment film formed on the substrate, 이송수단을 통해 상기 배향막이 형성된 기판을 러빙장치가 위치한 방향으로 이송시키는 단계;Transferring the substrate on which the alignment layer is formed through a transfer means in a direction in which a rubbing device is located; 상기 러빙장치에 구동전압을 인가하여 배향막 러빙시 이용되는 이온빔을 형성하는 단계;Forming an ion beam used when rubbing an alignment layer by applying a driving voltage to the rubbing device; 상기 이온빔을 상기 기판 방향으로 가속시켜 상기 배향막을 순차 조사하는 단계; 및 Accelerating the ion beam toward the substrate to sequentially irradiate the alignment layer; And 상기 이온빔의 순차 조사에 연동하여 상기 배향막 상에 균일한 배향홈을 형성하는 단계Forming a uniform alignment groove on the alignment layer in association with sequential irradiation of the ion beam; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙방법.Alignment film rubbing method comprising a. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 이온빔을 가속시키기 위해 상기 러빙장치에 인가되는 가속전압은 1keV 이하의 저전압인 것을 특징으로 하는 배향막 러빙방법.And an acceleration voltage applied to the rubbing device to accelerate the ion beam is a low voltage of 1 keV or less. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 러빙장치로부터 출사되는 이온빔은 상기 기판방향으로 직진성을 유지하면서 순차 조사되는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙방법. And the ion beam emitted from the rubbing device is sequentially irradiated while maintaining the straightness toward the substrate.
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