KR20070117974A - Method for manufacturing micro probe and probe card using the same - Google Patents

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KR20070117974A
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Abstract

A method for manufacturing a micro probe is provided to improve a freedom grade of probe arrangement by controlling a probe angle within a constant range to enable a stacked array of a probe assembly. A probe assembly structure is constructed by using conductive pipes. A plurality of probes(30) and a plurality of conductive pipes(40) are included in the probe assembly structure. A remaining portion including a tip except for a peripheral region thereof in the entire length of the probe is inserted into the conductive pipe, and fixed thereon. The conductive pipe is cut to have a shape like a character L or a similar shape thereof.

Description

마이크로 프로브 제조 및 그를 이용한 프로브 카드{Method for manufacturing micro probe and probe card using the same}TECHNOLOGY FOR MANUFACTURING MICRO PROBE AND PROBE CARD USING THE SAME

도 1은 기존의 에폭시 프로브 카드의 구조를 보여주는 사시도이다. 1 is a perspective view showing the structure of a conventional epoxy probe card.

도 2는 멤스 프로브 카드의 구조를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the structure of a MEMS probe card.

도 3은 수평식 텅스텐 니들과 전도성 파이프를 이용하여 프로브 구조물의 한 예를 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an example of a probe structure using a horizontal tungsten needle and a conductive pipe.

도 4는 본 발명에 따른 프로브 지지 구조체의 구조를 보여주는 완성도이다.4 is a complete view showing the structure of a probe support structure according to the present invention.

도 5는 한 번 절곡된 텅스텐 프로브의 사시도이다.5 is a perspective view of a tungsten probe bent once.

도 6은 본 발명에 따른 프로브 어셈블리의 사시도이다.6 is a perspective view of a probe assembly according to the invention.

도 7은 적층배열이 가능한 프로브 지지 구조체의 구조를 보여주는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing the structure of the probe support structure capable of stacking arrangement.

도 8은 홀 단위 기판의 상단 하단 면의 구조를 보여주는 도이다.8 is a diagram illustrating a structure of an upper bottom surface of a hole unit substrate.

도 9는 홀 단위 기판 제조 순서를 보여주는 공정도이다.9 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a hole unit substrate.

도 10은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도이다.10 is a cross-sectional view of the probe card according to the first embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도이다.11 is a cross-sectional view of the probe card according to the second embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a probe card according to a third embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도이다.13 is a sectional view of a probe card according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 멤스 프로브 카드와 에폭시 프로브 카드가 갖고 있는 각각의 장점을 살릴 수 있는 프로브 카드 개발에 관한 것으로 보다 상세하게는 전도성 파이프를 이용한 마이크로 프로브 개발 및 이를 응용한 프로브 카드 제조에 관한 것이다. 즉 저렴한 제조 비용과 단순한 제조 공정을 통해 스프링 힘은 작고 위치 정밀도, 팁 평탄도가 우수한 프로브를 갖는 프로브 카드를 개발하고자 하는 것이다.The present invention relates to the development of a probe card that can take advantage of each of the advantages of the MEMS probe card and the epoxy probe card, and more particularly to the development of a micro-probe using a conductive pipe and the manufacture of a probe card using the same. In other words, through low manufacturing cost and simple manufacturing process, the company intends to develop a probe card having a probe with small spring force and excellent position accuracy and tip flatness.

현재 반도체 디바이스 검사 공정에서는 검사 속도 지연으로 인해 큰 고민에 빠져 있다. 검사 비용이 디바이스 제조 비용의 40%에 이르고 있으며 향후 그 비용은 반도체 제조 비용과 같거나 더 높을 것으로 예상하고 있다. 이를 해결하기 위해서는 반도체 검사와 관련된 주변 환경이 개선되어야 하는데 그 중 핵심 중 하나가 바로 프로브 카드이다. 프로브 카드는 앞서 언급한 검사 속도를 향상하기 위해서는 고속 검사가 이뤄지거나 대면적을 한 번에 검사할 수 있는 프로브 카드를 시장에 내놓아야 한다. 동시에 스프링 힘이 작고 정밀하면서 전기적 성능이 우수하여야 한다.In the semiconductor device inspection process, the inspection speed is delayed, causing a great deal of concern. Inspection costs are up to 40% of device fabrication costs and are expected to be the same or higher than semiconductor fabrication costs in the future. To solve this problem, the surrounding environment related to semiconductor inspection needs to be improved. One of the core is the probe card. In order to improve the inspection speed mentioned above, the probe card has to be marketed with a probe card capable of high-speed inspection or inspection of a large area at one time. At the same time, the spring force should be small, precise and excellent in electrical performance.

프로브 카드는 오랜 기간 동안 텅스텐 니들을 프로브로 사용한 에폭시 프로브 카드가 폭넓게 사용되어 왔다. 도 1은 에폭시 프로브 카드를 보여주는 사진으로서 에폭시 프로브 카드는 수평식으로 분류되며 대부분의 주요 작업이 수작업에 의존하고 있다. 또한, 프로브의 스프링 힘이 커서 패드 손상을 초래하며 프로브의 길 이가 길며 그 길이가 각각 달라 고속 검사에 부적합하다. 하지만, 저렴한 가격과 우수한 정밀도 그리고 적층 배열이 가능하여 다양한 디바이스 검사를 위해 여전히 많이 애용되고 있다. Probe cards have been widely used for many years with epoxy probe cards using tungsten needles as probes. 1 is a photograph showing an epoxy probe card, where the epoxy probe card is classified horizontally and most of the main work is manual. In addition, the spring force of the probe is large, resulting in pad damage, long probe lengths, and different lengths, which are not suitable for high speed inspection. However, its low cost, high precision and stacking arrangements are still popular for a variety of device inspections.

최근에는 수직형 타입의 멤스 프로브 카드가 출현하였는데 도 2는 대표적 사진으로 그 주요 특징을 살펴보면 반도체 공정을 이용하여 희생기판상에 마이크로 프로브를 제조하며 범프가 형성된 세라믹 기판과 상기 프로브가 형성된 희생기판을 접합한 후 희생기판을 제거하여 프로브를 완성한다. 상기 멤스 방식의 프로브 카드는 기계적 평탄도와 정밀도가 우수하며 프로브의 스프링 힘이 적어 터치다운 시 패드 손상이 최소화할 수 있다. 또한, 반도체 제조 공정을 기반으로 하기 때문에 반복성 및 재현성이 우수하다. Recently, a vertical type MEMS probe card has emerged. FIG. 2 is a representative photograph. Referring to the main features, a micro probe is manufactured on a sacrificial substrate using a semiconductor process, and a ceramic substrate having bumps and a sacrificial substrate having the probes are formed. After bonding, the sacrificial substrate is removed to complete the probe. The MEMS type probe card has excellent mechanical flatness and precision, and has a small spring force of the probe, thereby minimizing pad damage during touchdown. In addition, because of the semiconductor manufacturing process is excellent repeatability and repeatability.

그러나 상기 멤스 방식의 프로브 카드는 고가이며 제조 공정이 복잡해 제조 불량률이 높고 제작 기간이 길다는 단점이 있다.However, the MEMS type probe card is expensive and has a disadvantage in that the manufacturing process is complicated and the manufacturing failure rate is high and the manufacturing period is long.

수평식 텅스텐 니들과 전도성 파이프를 이용하여 프로브 구조물을 제작한 종래의 프로브 카드의 한 예가 공개 특허(2004-0078630)에 기술되어있다. 상기 프로브 카드는 PCB기판과 세라믹 링 및 복수의 프로브 구조물로 구성되며 도 3에 도시된 바와 같이 프로브 구조물(10)에는 적어도 하나 이상의 프로브(11)로 구성하고 상기 프로브(11)는 절연체 부재(15)에 인입되어 상기 절연체 부재(15)의 측면을 따라 절곡되어, 절연체 부재의 아래 면에 프로브 팁 부를 형성하고 있다. 이때 프로브 구조물(10)의 구성은 전도성 도선(16), 전도성 파이프(17)와 프로브(11)로 구성되고 있다. 도 3의 프로브 카드의 주요 특징으로는 프로브와 전도성 도선을 전기적 으로 연결하기 위한 매개체로 단순히 전도성 파이프를 사용하고 있다. 상기 방식의 프로브 카드는 절연 부재의 측면을 따라 프로브 구조물을 에폭시를 이용하여 고정하기 때문에 위치 정밀도가 떨어지고 절연 부재로 인한 공간적 제약이 있어 파인 피치와 비메모리와 같은 패드 배치가 복잡한 경우 사용이 어려운 단점이 있다.An example of a conventional probe card for fabricating probe structures using horizontal tungsten needles and conductive pipes is described in published patent (2004-0078630). The probe card includes a PCB substrate, a ceramic ring, and a plurality of probe structures, and as shown in FIG. 3, the probe structure 10 includes at least one probe 11, and the probe 11 includes an insulator member 15. ) And bent along the side surface of the insulator member 15 to form a probe tip portion on the lower surface of the insulator member. At this time, the configuration of the probe structure 10 is composed of a conductive wire 16, a conductive pipe 17 and the probe (11). The main feature of the probe card of Figure 3 is simply using a conductive pipe as a medium for electrically connecting the probe and the conductive wire. The probe card of the above method is difficult to use in case of complicated pad arrangement such as fine pitch and non-memory because of poor positioning accuracy and space constraints due to the insulating member because the probe structure is fixed with epoxy along the side of the insulating member. There is this.

본 발명은 기존의 에폭시 프로브 카드용 텅스텐 니들을 전도성 파이프에 삽입하여 전도성 파이프의 일단에서 프로브 팁을 포함한 프로브 빔의 길이를 멤스 프로브와 같은 수준으로 조정 및 고정하여 초소형 프로브 어셈블리를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a micro probe assembly by inserting a conventional tungsten needle for an epoxy probe card into a conductive pipe to adjust and fix the length of the probe beam including the probe tip at one end of the conductive pipe to the same level as the MEMS probe. do.

또한, 상기 프로브 어셈블리의 위치 정밀도를 높이기 위해 복수의 관통 홀이 형성된 단위 홀 기판이 적어도 한 개 이상으로 구성된 프로브 지지 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide a probe support substrate having at least one unit hole substrate having a plurality of through holes formed therein to increase the positional accuracy of the probe assembly.

이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 텅스텐 프로브(30)와 전도성 파이프(40)를 이용하여 프로브 어셈블리(25)를 제조하는데 그 구조는 복수의 프로브(30)와 복수의 전도성 파이프(40)가 포함되며 상기 프로브(30)의 전체 길이 중에서 프로브 팁(29)을 포함한 일정 영역을 제외한 나머지 부분은 전도성 파이프(40) 내로 삽입된 후 고정되고 상기 프로브(30)가 삽입된 전도성 파이프(40)는 절곡되어 "L" 혹은 그와 유사한 형태를 갖는 프로브 어셈블리(25)를 갖는 것을 특징으로 한다. In order to achieve this object, the present invention manufactures the probe assembly 25 using the tungsten probe 30 and the conductive pipe 40, the structure of which includes a plurality of probes 30 and a plurality of conductive pipes 40. The remaining portion of the entire length of the probe 30 except the predetermined region including the probe tip 29 is inserted into the conductive pipe 40 and then fixed, and the conductive pipe 40 into which the probe 30 is inserted is bent. And a probe assembly 25 having a shape of "L" or the like.

상기 프로브 어셈블리(25)를 고정하기 위해서 본 발명은 복수 개의 관통 홀(44)이 형성된 프로브 지지 기판(45)을 제조하였다. 상기 프로브 지지 기판(45)은 적어도 한 개 이상의 단위 홀 기판(46)이 서로 접합 되어 구성되어 있으며 전기적 성능 향상을 위해 단위 홀 기판(46) 일면에는 그라운드 층(50)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to fix the probe assembly 25, the present invention manufactures a probe support substrate 45 having a plurality of through holes 44 formed therein. The probe support substrate 45 is composed of at least one unit hole substrate 46 bonded to each other, and a ground layer 50 is formed on one surface of the unit hole substrate 46 to improve electrical performance. do.

또한, 상기 프로브 어셈블리(25)를 상기 프로브 지지 기판(45)에 고정하여 완성된 프로브 지지 구조체(80)는 상기 전도성 파이프(40)의 절곡부(42)를 기준으로 프로브 기단부(31) 방향과 일치하는 전도성 파이프 부분(43)은 상기 프로브 지지 기판(45)의 복수의 관통 홀(44)에 삽입되어 그 상단 면(48)에서 접합 되며, 프로브 팁(29) 방향과 일치하는 전도성 파이프 부분(41)은 프로브 지지 기판(45)의 하단 면(47)에 형성된 전도성 파이프 지지용 구조물(60)에 의해 지지가 되는 것을 특징으로 한다. 참고로 본 발명에 따른 프로브 지지 구조체(80)의 완성도를 도 6에 보여주고 있다. In addition, the probe support structure 80 completed by fixing the probe assembly 25 to the probe support substrate 45 may be aligned with the direction of the probe proximal end 31 based on the bent portion 42 of the conductive pipe 40. Consistent conductive pipe portions 43 are inserted into the plurality of through holes 44 of the probe support substrate 45 and joined at their upper faces 48, and the conductive pipe portions corresponding to the probe tip 29 direction ( 41 is supported by the conductive pipe support structure 60 formed on the bottom surface 47 of the probe support substrate 45. For reference, the completeness of the probe support structure 80 according to the present invention is shown in FIG.

이때, 프로브(30)의 재질은 텅스텐(W), 레늄-텅스텐(Re-W) 합금 재질을 사용하며 도 4와 같은 한 번 절곡된 외팔보(cantilever) 형태의 프로브(30)를 사용한다. 에폭시 프로브 카드에 사용되는 텅스텐 프로브의 경우 사용 목적에 따라 길이가 다르지만 일반적으로 50~70mm의 긴 프로브(30)를 사용한다. 또한, 프로브의 지름은 0.05 ~ 0.15mm의 범위를 갖고 프로브의 기단부(31)는 굵고 프로브 팁(29) 부 영역에서는 가늘어지는 테이퍼 형상이 아닌 직선 형을 사용한다. At this time, the material of the probe 30 uses a tungsten (W), rhenium-tungsten (Re-W) alloy material, and uses a probe 30 having a cantilever shape as shown in FIG. 4. Tungsten probes used in epoxy probe cards vary in length depending on the purpose of use, but generally use a long probe 30 of 50 to 70 mm. In addition, the diameter of the probe is in the range of 0.05 ~ 0.15mm and the base end portion 31 of the probe is thick, in the region of the probe tip 29 uses a straight rather than tapered shape.

본 발명에서는 상기 기존의 프로브(30)를 개선하여 멤스 프로브와 같이 낮은 스프 링 힘을 갖는 초소형 프로브로 변경하기 위해 전도성 파이프(40)를 사용한다. 기존 프로브(30)를 전도성 파이프(40)로 삽입한 후 고정 한 다음 스프링 힘을 결정하는 프로브 빔의 길이를 결정하게 되는데 이 길이는 전도성 파이프(40)의 일단에서부터 프로브 팁까지 연장된 길이에 의해 결정되며 멤스 프로브와 유사한 물리적 치수를 갖는다. In the present invention, the conductive pipe 40 is used to improve the existing probe 30 and change it into a micro probe having a low spring force such as a MEMS probe. After inserting the existing probe 30 into the conductive pipe 40 and fixing it, the length of the probe beam for determining the spring force is determined. The length is extended by the length extending from one end of the conductive pipe 40 to the probe tip. It is determined and has a similar physical dimension as the MEMS probe.

프로브 어셈블리의 구조를 상세히 도시한 것이 도 6으로 (a)는 프로브가 전도성 파이프에 삽입된 후 프로브 빔의 길이를 결정한 상태를 보여주는 것이고 (b)는 도 6 (a) 공정을 끝낸 상태에서 절곡하여 프로브 어셈블리를 끝낸 상태를 보여주는 사시도이다. 프로브 어셈블리의 주요 구성을 정리하면 아래 표 1과 같다.The structure of the probe assembly is shown in detail in FIG. 6 (a), which shows the state of determining the length of the probe beam after the probe is inserted into the conductive pipe, and (b) is bent at the end of the process of FIG. A perspective view showing a state where the probe assembly is finished. The main components of the probe assembly are summarized in Table 1 below.

구분division 명 칭 Name aa 전도성 파이프 높이Conductive pipe height bb 전도성 파이프 빔 길이Conductive pipe beam length cc 전도성 파이프 절곡각도Conduction Pipe Bending Angle dd 프로브 빔 길이Probe beam length ee 프로브 팁 길이Probe tip length ff 프로브 절곡 각도Probe bending angle gg 프로브 기단부Probe Base

이때, 사용한 전도성 파이프(40)의 재질은 스테인리스 스틸(SUS), 베릴륨-구리(Be-CU), 구리(Cu), 니켈(Ni), 니켈 합금(Ni alloy) 등과 같은 금속을 사용하며, 전도성 파이프(40)는 내경은 0.05~0.15mm 범위이며, 외경은 0.1 ~ 0.3mm 범위를 갖는 것을 사용한다.In this case, the material of the conductive pipe 40 used is a metal such as stainless steel (SUS), beryllium-copper (Be-CU), copper (Cu), nickel (Ni), nickel alloy (Ni alloy) and the like, and conductive Pipe 40 uses an inner diameter of 0.05 ~ 0.15mm range, the outer diameter of 0.1 ~ 0.3mm range.

또한, 스프링 힘과 프로브 배치 자유도를 높이기 위해 도 7과 같은 적층 배열이 가능한데 이는 프로브 어셈블리(25)가 "L" 형태로 절곡될 때 절곡 각도와 프로브 빔 과 팁의 길이를 조절할 수 있기 때문에 가능하다.In addition, a stacked arrangement as shown in FIG. 7 is possible to increase the spring force and the degree of freedom of probe placement, since the bending angle and the length of the probe beam and the tip can be adjusted when the probe assembly 25 is bent in an “L” shape. .

전도성 파이프(40)를 절곡하여 "L" 형태의 프로브 어셈블리(25)를 만드는 방법 외에도 전도성 파이프(40)와 "L" 형태로 만들어진 전도성 봉(74)을 연결하여 프로브 어셈블리(25)를 제조하여 상기 언급한 효과를 얻을 수 있기도 하다.In addition to the method of bending the conductive pipe 40 to form the "L" shaped probe assembly 25, the probe assembly 25 is manufactured by connecting the conductive pipe 40 and the conductive rod 74 made of the "L" shape. The above-mentioned effects can also be obtained.

상기 단위 홀 기판의 재질은 감광성 유리, 세라믹 또는 폴리이미드(PI), FR4와 같은 폴리머 재질을 사용할 수 있으며 관통 홀 가공 방법으로 감광성 유리는 포토 에칭(photo etching), 세라믹과 폴리머 재질은 레이저 혹은 드릴 방법을 사용한다.The unit hole substrate may be made of photosensitive glass, ceramic or polyimide (PI), or a polymer material such as FR4. Through hole processing may be performed by photoetching the photosensitive glass, and the ceramic and polymer materials may be laser or drilled. Use the method.

이때, 관통 홀의 직경은 0.1 ~ 0.3mm 범위를 갖는다.At this time, the diameter of the through hole has a range of 0.1 ~ 0.3mm.

상기 단위 홀 기판(46)에는 도 8에 도시된 바와 같이 두 가지 기능의 관통 홀(44)이 있다. 하나는 웨이퍼 패드를 검사하기 위한 프로브 고정용 관통 홀(44-a)과 그라운드 층이 형성된 일면과 반대 면에 형성된 패드와 전기적 연결을 위한 관통 홀(44-b)이 있다. 상기 프로브 고정용 관통 홀(44-a)은 그라운드 층과 전기적으로 연결되지 않도록 하기 위하여 일정 간극 (49,clearance)를 갖고 있다. 그라운드 재질은 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)을 사용한다. The unit hole substrate 46 has a through hole 44 having two functions as shown in FIG. 8. One is a probe fixing through hole 44-a for inspecting a wafer pad and a through hole 44-b for electrical connection with a pad formed on a surface opposite to a surface on which a ground layer is formed. The probe fixing through hole 44-a has a clearance 49 to prevent it from being electrically connected to the ground layer. Ground material is copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au).

상기 프로브 지지 기판(45)은 적어도 한 개 이상의 서로 접합 된 단위 홀 기판(46)으로 구성되며 단위 홀 기판(46)은 그 크기가 각각 달라서 계단 피라미드 형태로 적층 될 수 있다. 이때, 적층된 단위 홀 기판(46) 간의 그라운드 층(50)과 그라운 드 층(50) 사이의 전기적 연결방법은 와이어 본딩(52)을 이용하거나 플립 칩 본딩, 이방성 전도필름(ACF)을 이용할 수 있다.The probe support substrate 45 may include at least one unit hole substrate 46 bonded to each other, and the unit hole substrate 46 may have a different size and may be stacked in a stepped pyramid shape. In this case, the electrical connection method between the ground layer 50 and the ground layer 50 between the stacked unit hole substrates 46 may be wire bonding 52 or flip chip bonding or anisotropic conductive film (ACF). have.

또한, 프로브 지지 기판(45) 하단 면(47)에는 프로브가 웨이퍼 패드의 위치와 정확히 일치하도록 배치되어야 하는데 이를 위해서 구조물(60)이 프로브 지지 기판(45) 하단 면(47)에 설치된다. 이 구조물은 반도체 제조 공정을 이용한 감광제 구조물이거나 세라믹을 다이싱 쏘(dicing saw)로 가공한 것으로 모두 슬릿이 있다. In addition, the probe support substrate 45 must be disposed on the bottom surface 47 so that the probe is exactly aligned with the position of the wafer pad. For this purpose, the structure 60 is installed on the bottom surface 47 of the probe support substrate 45. This structure is either a photoresist structure using a semiconductor manufacturing process or a ceramic dicing saw, all with slits.

또한, 프로브 어셈블리(25)가 고정될 프로브 지지 기판 하단 면(47)에는 디카플링 캐파시터(63)가 납땜 될 수 있도록 파워 검사용 프로브와 전기적으로 연결된 패드(64)와 그라운드와 연결된 패드(65)가 형성되는 것을 특징으로 하며 이를 통해 전기적 노이즈를 최소화할 수 있다. In addition, a pad 64 electrically connected to the power test probe and a pad 65 connected to the ground so that the decoupling capacitor 63 may be soldered to the bottom surface 47 of the probe support substrate on which the probe assembly 25 is to be fixed. ) Is formed, thereby minimizing electrical noise.

상기 단위 홀 기판(46)의 제조방법은 도 9에 도시하였는데, (a)관통 홀(44)이 형성된 기판을 준비하는 단계와, (b) 상기 기판의 양면 상에서 표면과 관통 홀 내에 절연 층(67)과 시드 층(68)을 형성하는 단계와, (c) 그라운드 층(50)이 형성될 일면에서는 반도체 제조 공정을 이용하여 감광제(69)를 관통 (44) 홀을 포함한 일정 영역과 그로부터 일정 간극(49)을 둔 나머지 영역에서만 감광제(69)를 패턴닝하면서 그라운드 층(50)이 없는 반대 면에서는 관통 홀(44)을 포함한 일정 영역에서만 패턴닝 하는 단계와, (d)감광제(69)가 패턴닝되지 않은 영역에서 형성된 시드 층(68)을 에칭하여 제거하는 단계와, (e) 상기 감광제(69)를 제거하는 단계와, (f) 도금을 이용하여 그라운드 층(50)과 그라운드 층(50)과 전기적 연결될 관통 홀(44) 내 에 전도성 피막(66)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the unit hole substrate 46 is illustrated in FIG. 9, which comprises: (a) preparing a substrate on which the through hole 44 is formed, and (b) insulating layers in surfaces and through holes on both surfaces of the substrate. 67) and the seed layer 68, and (c) on one surface on which the ground layer 50 is to be formed, a predetermined region including holes 44 through the photoresist 69 using a semiconductor manufacturing process and a predetermined region therefrom. Patterning the photoresist 69 only in the remaining area with the gap 49 and patterning only in a certain area including the through hole 44 on the opposite side without the ground layer 50, and (d) the photoresist 69 Etching to remove the seed layer 68 formed in the non-patterned region, (e) removing the photoresist 69, and (f) the ground layer 50 and the ground layer using plating. Forming a conductive coating 66 in the through hole 44 to be electrically connected with the 50. And that is characterized.

상기 프로브 어셈블리(25)와 프로브 지지 구조체(80)를 이용하여 완성된 프로브 카드 구조물(100)은 아래의 실시 예들과 같은 다양한 형태의 프로브 카드 구조물로 구현될 수 있다. 실시 예들의 공통점은 인쇄회로기판(81), 공간 변환기(70)와 본 발명에 따른 프로브 지지 구조체와의 전기적 연결 방식은 공유하도록 하였다. 전도성 파이프(40)를 이용하여 제작한 프로브 어셈블리(25)와 복수의 프로브 어셈블리가 프로브 지지 기판(45)에 고정된 프로브 지지 구조체(80)와 공간 변환기(70)와 인쇄회로기판(81)이 포함되어 있고 상기 프로브 지지 구조체(80)는 공간 변환기 하단 면에서 프로브 지지 구조체(80) 상단면(48)의 프로브용 관통 홀(44-a)에 형성된 패드(79)와 전기적으로 연결되어 있고 공간 변환기(70) 상단 면에서 인쇄회로 기판과의 전기적으로 상호 연결되는 것을 특징으로 하고 있다. 여기에서 프로브 어셈블리(25)를 프로브 지지 기판(45)에 조립 후, 프로브 지지 기판(45)의 상단 면(48)에 접합용 패드를 형성하는 방법으로 관통 홀(44-a)에 삽입된 전도성 파이프(40) 내지 전도성 봉(75)을 프로브 지지 기판의 상단 면(48)에서 연마한 후 반도체 공정을 이용하여 접합용 패드를 전도성 파이프 내지 전도성 봉 위치에서 형성한다.The probe card structure 100 completed by using the probe assembly 25 and the probe support structure 80 may be implemented as various types of probe card structures as in the following embodiments. Common to the embodiments is to share the electrical connection between the printed circuit board 81, the space transducer 70 and the probe support structure according to the present invention. The probe assembly 25 and the plurality of probe assemblies fabricated using the conductive pipe 40 may include a probe support structure 80, a space transducer 70, and a printed circuit board 81 fixed to the probe support substrate 45. And the probe support structure 80 is electrically connected to the pad 79 formed in the through hole 44-a of the probe of the top surface 48 of the probe support structure 80 at the bottom surface of the space transducer. The upper surface of the converter 70 is characterized in that it is electrically interconnected with the printed circuit board. Here, after the probe assembly 25 is assembled to the probe support substrate 45, the conductive insert inserted into the through hole 44-a by forming a bonding pad on the upper surface 48 of the probe support substrate 45. After the pipe 40 to the conductive rod 75 is polished on the top surface 48 of the probe support substrate, a bonding pad is formed at the conductive pipe to conductive rod position using a semiconductor process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제 1 실시 예First embodiment

도 10은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도로서 간단히 도시하고자 대부분의 프로브 어셈블리를 생략하였다. 전도성 파이프(40)를 절곡하여 "L"과 유사한 형태로 만든 프로브 어셈블리(25)는 프로브 지지 구조체(80)에 고정되어 있다.10 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to a first embodiment of the present invention, and most of the probe assemblies are omitted. The probe assembly 25, which is bent by the conductive pipe 40 and shaped like "L", is fixed to the probe support structure 80.

상기 프로브 어셈블리(25) 제조 방법은 기존 텅스텐 프로브 기단부(31)에 고정용 에폭시 접착제를 도포한 후 전도성 파이프(40) 내로 프로브(30)를 삽입한다. 그리고 현미경을 통해 전도성 파이프(40) 일단으로부터 프로브 팁까지의 거리, 즉 프로브 빔의 길이를 결정하고 상기 에폭시 접착제를 경화(curing)한다. 그리고 상기 전도성 파이프(40) 일단에서 프로브(30)와 전도성 파이프(40)를 납땜에 의해 접합하여 고정한 후 상기 전도성 파이프(40)를 한 번 절곡하여 "L" 혹은 그와 유사한 형태를 갖는 프로브 어셈블리(25)를 제조한다. In the method of manufacturing the probe assembly 25, the fixing epoxy adhesive is applied to the existing tungsten probe base end 31, and then the probe 30 is inserted into the conductive pipe 40. The distance from one end of the conductive pipe 40 to the probe tip, that is, the length of the probe beam, is determined through a microscope and the epoxy adhesive is cured. In addition, the probe 30 and the conductive pipe 40 are bonded to each other at one end of the conductive pipe 40 by soldering, and then, the conductive pipe 40 is bent once to form an “L” or similar shape. (25) is manufactured.

상기 프로브 어셈블리(25)가 프로브 지지 기판(45)에서의 접합은 프로브 어셈블리(25) 중에서 전도성 파이프(40)의 절곡부를 기준으로 프로브 기단부(41) 방향과 일치하는 전도성 파이프(40) 부분은 상기 프로브 지지 기판(45)의 복수의 관통 홀(44)에 삽입되어 그 상단 면(48)에서 접합 되며, 프로브 팁(29) 방향과 일치하는 전도성 파이프(40) 부분은 프로브 지지 기판(45)의 하단 면(47)에 형성된 전도성 파이프(40) 지지용 구조물(60)에 의해 지지가 된다.Bonding of the probe assembly 25 to the probe support substrate 45 may correspond to a portion of the conductive pipe 40 that matches the direction of the probe base end 41 with respect to the bent portion of the conductive pipe 40 of the probe assembly 25. A portion of the conductive pipe 40 which is inserted into the plurality of through holes 44 of the probe support substrate 45 and is joined at the upper surface 48 thereof and coincides with the probe tip 29 direction is formed in the probe support substrate 45. It is supported by the structure 60 for supporting the conductive pipe 40 formed on the bottom surface 47.

제 2 실시 예Second embodiment

도 11은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도로서 간단히 도시하고자 대부분의 프로브 어셈블리를 생략하였다. 프로브 어셈블리(25)는 프로브 지지 기판(45)에 고정되어 있다. 이때 사용된 프로브 어셈블리(25)는 제 1 실시 예와 달리 전도성 파이프(40)를 절곡한 것이 아니라 절곡된 전도성 봉(74)을 전도성 파이프(40)에 삽입한 후 접합하여 "L"과 유사한 형태로 만든 것이다.FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to a second embodiment of the present invention, and most of the probe assemblies are omitted. The probe assembly 25 is fixed to the probe support substrate 45. In this case, unlike the first embodiment, the probe assembly 25 used is not bent the conductive pipe 40 but is inserted into the conductive pipe 40 by the bent conductive rod 74 and then bonded to each other to form a shape similar to “L”. It is made with.

상기 프로브 어셈블리(25) 제조 방법은 기존 텅스텐 프로브 기단 부(31)에 고정용 에폭시 접착제를 도포하고 전도성 파이프(40) 내로 상기 프로브(30)를 삽입한다. 상기 전도성 파이프(40)를 통과한 프로브(30) 부분을 잘라내어 프로브 끝단이 전도성 파이프(40) 내에 위치하게 한 다음 현미경을 통해 파이프 일단으로부터 프로브 팁까지의 거리, 즉 프로브 빔의 길이를 결정한다. 그리고 에폭시 접착제를 경화(curing)한다. 상기 프로브 빔이 시작되는 상기 전도성 파이프 일단에서 프로브와 전도성 파이프를 납땜에 의해 접합한다. 이미 한 번 절곡된 전도성 봉(74)을 상기 전도성 파이프(40)의 일단에 삽입한 후 상기 전도성 파이프(40)의 일단에서 상기 전도성 봉(74)을 납땜에 의해 접합하여 프로브 어셈블리(25)를 완성하게 된다.In the method of manufacturing the probe assembly 25, a fixing epoxy adhesive is applied to an existing tungsten probe base end portion 31 and the probe 30 is inserted into the conductive pipe 40. A portion of the probe 30 passing through the conductive pipe 40 is cut out so that the probe end is positioned in the conductive pipe 40 and then the distance from the end of the pipe to the probe tip through the microscope, that is, the length of the probe beam. And the epoxy adhesive is cured. At the end of the conductive pipe where the probe beam starts, the probe and the conductive pipe are joined by soldering. After inserting the conductive rod 74, which is already bent once, into one end of the conductive pipe 40, the conductive rod 74 is joined by soldering at one end of the conductive pipe 40 to connect the probe assembly 25. You are done.

상기 구조를 갖는 프로브 어셈블리(25)가 프로브 지지 기판(45)에서의 접합은 Bonding of the probe assembly 25 having the above structure to the probe support substrate 45

상기 전도성 봉(74)은 상기 프로브 지지 기판(45)의 복수의 관통 홀에 삽입되어 그 상단 면(48)에서 접합 되며 상기 전도성 파이프는 프로브 지지 기판(45)의 하단 면(47)에 형성된 전도성 파이프(40) 지지용 구조물(60)에 의해 지지가 된다.The conductive rod 74 is inserted into a plurality of through-holes of the probe support substrate 45 and bonded at its upper surface 48, and the conductive pipe is formed on the lower surface 47 of the probe support substrate 45. The pipe 40 is supported by the supporting structure 60.

제 3 실시 예Third embodiment

도 12는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도로서 간단히 도시하고자 대부분의 프로브 어셈블리를 생략하였다. 프로브 어셈블리(25)는 프로브 지지 구조체(80)에 고정되어 있다. 이때 사용된 프로브 어셈블리(25)는 제 1 실시 예와 달리 전도성 파이프(40)를 절곡한 것이 아니라 복수의 전도성 파이프(40)를 사용하는데 제 1 전도성 파이프(40-a)는 프로브 팁(29)과 빔 부 영역에 위치하고 제 2 전도성 파이프(40-b)는 프로브 기단부(31) 근처에 위치한다. "L" 형태의 절곡은 양 전도성 파이프 사이의 텅스텐 프로브에서 이뤄지게 된다. 앞서 언급한 실시 예와 마찬가지로 프로브 빔의 길이는 동일한 방식으로 결정된다. 12 is a cross-sectional view of the probe card according to the third exemplary embodiment of the present invention and is omitted for the sake of simplicity. The probe assembly 25 is fixed to the probe support structure 80. In this case, unlike the first embodiment, the probe assembly 25 used does not bend the conductive pipe 40 but uses a plurality of conductive pipes 40. The first conductive pipe 40-a is a probe tip 29. And the second conductive pipe 40-b is located near the probe proximal end 31. Bending in the form of "L" is achieved in the tungsten probe between both conductive pipes. As in the aforementioned embodiment, the length of the probe beam is determined in the same manner.

상기 프로브 기단부(31) 근처에 위치한 전도성 파이프(40)는 상기 프로브 지지 기판(45)의 복수 관통 홀(44)에 삽입되어 그 상단 면(48)에서 접합 되며 상기 프로브 팁 근처에 위치한 전도성 파이프는 프로브 지지 기판(45)의 하면에 형성된 파이프 지지용 구조물(60)에 의해 지지가 된다.The conductive pipe 40 located near the probe proximal end 31 is inserted into the plurality of through holes 44 of the probe support substrate 45 and joined at the upper surface 48 thereof, and the conductive pipe located near the probe tip It is supported by the pipe support structure 60 formed on the lower surface of the probe support substrate 45.

제 4 실시 예Fourth embodiment

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 프로브 카드 단면도로서 간단히 도시하고자 대부분의 프로브 어셈블리를 생략하였다. 프로브 어셈블리(25)가 프로브 지지 구조체(80)에 고정되어 있다. 이때 사용된 프로브 어셈블리(25)는 제 1 실시 예와 달리 전도성 파이프(40)를 절곡한 것이 아니라 하나의 전도성 파이프를 사용하고 있다. "L" 형태의 절곡은 텅스텐 프로브에서 이뤄지게 된다. 앞서 언급한 실시 예와 마찬가지로 프로브 빔의 길이는 동일한 방식으로 결정된다. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, and most of the probe assemblies are omitted. The probe assembly 25 is fixed to the probe support structure 80. In this case, unlike the first exemplary embodiment, the probe assembly 25 used does not bend the conductive pipe 40 but uses one conductive pipe. "L" shaped bends are made in the tungsten probe. As in the aforementioned embodiment, the length of the probe beam is determined in the same manner.

상기 프로브 기단 부(31)가 상기 프로브 지지 기판(45)의 복수 관통 홀(44)에 삽입되어 그 상단 면(48)에서 접합 되며 상기 전도성 파이프는 프로브 지지 기판(45) 하단 면(47)에 형성된 파이프 지지용 구조물(60)에 의해 지지가 된다.The probe proximal end 31 is inserted into the plurality of through-holes 44 of the probe support substrate 45 and bonded at its upper surface 48, and the conductive pipe is connected to the lower surface 47 of the probe support substrate 45. It is supported by the formed pipe support structure 60.

본 발명은 빔의 길이는 1~2mm 이며, 직경은 0.1mm 이하의 초소형 프로브 제작이 가능하다. 또한, 프로브 각도를 일정 범위 내에서 조절이 가능하여 프로브 어셈블리(25)의 적층 배열이 가능하여 프로브 배치 자유도가 향상되는 효과가 있다. 따라서 파인 피치의 메모리 디바이스 뿐만 아니라 비메모리 디바이스 검사도 가능하다.In the present invention, the length of the beam is 1 ~ 2mm, the diameter can be manufactured with a small probe of 0.1mm or less. In addition, since the probe angle can be adjusted within a predetermined range, stacking arrangement of the probe assembly 25 is possible, thereby improving the degree of freedom of probe placement. This allows inspection of non-memory devices as well as fine pitch memory devices.

기존의 텅스텐 프로브를 사용하여 상기와 같은 마이크로 프로브의 특성을 갖는 프로브 제작이 가능하므로 제작비용이 저렴하고 제작기간이 짧은 장점이 있다.Using a conventional tungsten probe, it is possible to manufacture a probe having the characteristics of the micro-probe as described above has the advantage of low manufacturing cost and short manufacturing period.

또한, 그라운드 면을 상기 프로브 지지 기판(45) 일면에 형성하였고 디카플링 캐파시터를 프로브 지지 기판 하단 면(47)에서 프로브와 가장 가까운 곳에 위치하게 하여 전기적 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다. In addition, the ground surface is formed on one surface of the probe support substrate 45 and the decoupling capacitor is positioned closest to the probe on the bottom surface 47 of the probe support substrate, thereby improving electrical characteristics.

Claims (43)

전도성 파이프를 이용하여 제작한 프로브 어셈블리 구조에 있어서In the probe assembly structure manufactured using the conductive pipe 복수의 프로브와 복수의 전도성 파이프가 포함되며It includes a plurality of probes and a plurality of conductive pipes 상기 프로브의 전체길이 중에서 팁을 포함한 그 주변 영역을 제외한 나머지 부분은 전도성 파이프 내로 삽입된 후 고정되고 Of the entire length of the probe except for the peripheral region including the tip is inserted into the conductive pipe and then fixed 상기 프로브가 삽입된 전도성 파이프는 절곡되어 "L" 혹은 그와 유사한 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리Probe assembly is inserted into the probe pipe is characterized in that the probe assembly characterized in that "L" or similar shape 전도성 파이프를 이용하여 제작한 프로브 어셈블리 구조에 있어서In the probe assembly structure manufactured using the conductive pipe 복수의 프로브와 복수의 전도성 파이프와 With a plurality of probes and a plurality of conductive pipes 복수의 "L" 혹은 그와 유사한 형태로 절곡된 전도성 봉이 포함되며Conductive rods that are bent into a plurality of "L" or similar forms 상기 프로브의 전체길이 중에서 팁을 포함한 그 주변 영역을 제외한 나머지 부분은 파이프 내로 삽입된 후 소정길이로 절단되어 그 끝단이 파이프 전장 내에 위치하고 The remaining portion of the entire length of the probe except the peripheral region including the tip is inserted into the pipe, cut into a predetermined length, and the end thereof is positioned in the pipe length. 상기 전도성 파이프의 한쪽 끝에서는 상기 전도성 봉이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리Probe assembly, characterized in that the conductive rod is fixed at one end of the conductive pipe 전도성 파이프를 이용하여 제작한 프로브 어셈블리 구조에 있어서In the probe assembly structure manufactured using the conductive pipe 복수의 프로브와 복수의 전도성 파이프가 포함되며 It includes a plurality of probes and a plurality of conductive pipes 상기 전도성 파이프는 프로브 당 적어도 2개 이상 사용되며 그 하나는 상기 프로브 기단부 근처의 영역에서 다른 하나는 프로브 팁과 빔 근처의 영역에서 프로브가 전도성 파이프 내로 삽입 및 고정되고 있는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리At least two conductive pipes are used per probe, the probe being inserted and fixed into the conductive pipe, one in the region near the probe proximal end and the other in the region near the probe tip and the beam. 전도성 파이프를 이용한 프로브 어셈블리 구조에 있어서In the probe assembly structure using the conductive pipe 복수의 프로브와 복수의 전도성 파이프가 포함되며It includes a plurality of probes and a plurality of conductive pipes 상기 프로브의 팁을 포함한 선단부는 상기 전도성 파이프 한쪽 끝에서 돌출되며 상기 프로브 기단부는 상기 전도성 파이프를 관통하며 전도성 파이프 양 끝단에서 고정되는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리A probe assembly including a tip of the probe protrudes from one end of the conductive pipe and the probe proximal portion penetrates the conductive pipe and is fixed at both ends of the conductive pipe. 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 프로브에 있어서In claim 1, 2, 3 to 4 of the probe 프로브의 재질은 텅스텐(W), 레늄-텅스텐(Re-W) 합금으로 하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 The probe assembly is made of a tungsten (W) or rhenium-tungsten (Re-W) alloy. 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 프로브에 있어서In claim 1, 2, 3 to 4 of the probe 상기 프로브는 한 번 절곡된 칸틸레버 형태의 프로브를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 The probe is a probe assembly, characterized in that using a cantilever-shaped probe bent once 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 프로브에 있어서In claim 1, 2, 3 to 4 of the probe 상기 프로브는 절연 피복을 한 프로브를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 The probe is a probe assembly, characterized in that using the probe with an insulating coating 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 프로브에 있어서In claim 1, 2, 3 to 4 of the probe 상기 프로브는 절연 피복을 하지 않은 프로브를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The probe assembly is characterized in that for using the probe without the insulation coating 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 전도성 파이프에 있어서In the conductive pipe of claim 1, 2, 3 to 4 전도성 파이프의 재질은 스테인리스 스틸(SUS), 베릴륨-구리(Be-CU), 구리(Cu), 니켈(Ni), 니켈 합금(Ni alloy) 등과 같은 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The material of the conductive pipe is a probe assembly characterized by using a metal such as stainless steel (SUS), beryllium-copper (Be-CU), copper (Cu), nickel (Ni), nickel alloy (Ni alloy), or the like. 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 전도성 파이프에 있어서 In the conductive pipe of claim 1, 2, 3 to 4 전도성 파이프는 내경은 0.05~0.15mm 범위이며, 외경은 0.1 ~ 0.3mm 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The conductive pipe has an inner diameter ranging from 0.05 to 0.15 mm and an outer diameter ranging from 0.1 to 0.3 mm. 상기 제 1항의 전도성 파이프에 있어서In the conductive pipe of claim 1 전도성 파이프의 절곡 각도는 75 ~ 110도 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 Probe assembly characterized in that the bending angle of the conductive pipe ranges from 75 to 110 degrees 상기 제 2항의 전도성 봉에 있어서In the conductive rod of claim 2 전도성 봉의 절곡 각도는 75 ~ 110도 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈 블리 Probe assembly characterized in that the bending angle of the conductive rods ranges from 75 to 110 degrees 상기 제 2항의 전도성 봉에 있어서In the conductive rod of claim 2 전도성 봉의 재질은 스테인리스 스틸(SUS), 베릴륨-구리(Be-Cu), 구리(Cu), 니켈(Ni), 니켈 합금(Ni alloy) 등과 같은 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The material of the conductive rod is a probe assembly characterized by using a metal such as stainless steel (SUS), beryllium-copper (Be-Cu), copper (Cu), nickel (Ni), nickel alloy (Ni alloy), or the like. 상기 제 2항의 전도성 봉에 있어서In the conductive rod of claim 2 전도성 봉의 재질은 전도성 있는 물질로 코팅 처리가 된 플라스틱, 세라믹을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The material of the conductive rod is a probe assembly, characterized by using a plastic, ceramic coated with a conductive material 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 프로브 어셈블리 구조에 있어서 In the probe assembly structure of claim 1, 2, 3-4 스프링 힘을 결정하는 프로브 빔의 길이는 전도성 파이프의 일단에서부터 프로브 팁까지 연장된 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 The length of the probe beam determining the spring force is determined by the length extending from one end of the conductive pipe to the probe tip. 상기 제 15항에 있어서The method of claim 15 상기 프로브 빔의 길이는 4mm 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리The probe assembly has a length of 4 mm or less. 상기 제 15항에 있어서The method of claim 15 상기 프로브 팁의 길이는 2mm 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리A probe assembly, characterized in that the length of the probe tip has a length of less than 2mm 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리는 프로브 팁과 빔의 길이를 조절하고 프로브 각도를 조절하여 적층 배열이 가능한 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure having the structure of claim 1, 2, 3 to 4 is characterized in that the probe support structure characterized in that the stacking arrangement is possible by adjusting the length of the probe tip and the beam and the probe angle 상기 제 1항, 2항, 3항 내지 4항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리가 고정될 프로브 지지 기판 구조에 있어서In the probe support substrate structure to be fixed to the probe assembly having the structure of claim 1, 2, 3-4 상기 프로브 지지 기판은 복수 개의 관통 홀이 형성된 적어도 한 개 이상의 단위 홀 기판이 서로 접합 되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체The probe support substrate may include at least one unit hole substrate having a plurality of through holes formed therein and bonded to each other. 상기 19항의 제 1홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the first hole substrate of 19 서로 접합 된 단위 홀 기판은 계단 피라미드 형태로 적층 될 수 있는 각각의 단위 홀 기판 크기가 다른 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체The unit support substrate bonded to each other is a probe support structure, characterized in that each unit hole substrate size can be stacked in the form of a stair pyramid 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서 In the structure of the unit hole substrate of 19 관통 홀의 직경은 0.1 ~ 0.3mm 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the diameter of the through-hole has a range of 0.1 ~ 0.3mm 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the unit hole substrate of 19 관통 홀의 내벽에는 SiO2, 질화산화물, TEOS 산화물 등과 같은 절연 층과 시드 층(seed layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the inner layer of the through-hole formed with an insulating layer and a seed layer such as SiO2, nitride oxide, TEOS oxide, etc. 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the unit hole substrate of 19 상기 단위 홀 기판의 일면에는 그라운드 층(ground layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the ground layer (ground layer) is formed on one surface of the unit hole substrate 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the unit hole substrate of 19 상기 그라운드 층은 프로브 고정용 관통 홀과 전기적으로 연결되지 않고 일정 간극(clearance)을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체The ground layer has a certain clearance without being electrically connected to the through hole for fixing the probe. 상기 28항의 그라운드 층에 있어서In the ground layer of claim 28 그라운드 재질은 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the ground material using copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the unit hole substrate of 19 단위 홀 기판은 그라운드 층이 형성된 일면과 반대 면을 전기적으로 연결하는 전도성 피막이 형성된 관통 홀과 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the unit hole substrate is formed with a through hole and a pad formed with a conductive film for electrically connecting the one surface and the opposite surface on which the ground layer is formed 상기 19항의 복수의 단위 홀 기판이 접합 된 프로브 지지 기판 구조에 있어서In the probe support substrate structure bonded to the plurality of unit hole substrate of claim 19 단위 홀 기판 간의 그라운드 층과 그라운드 층 사이의 전기적 연결은 와이어 본딩을 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체  Probe support structure, characterized in that the electrical connection between the ground layer and the ground layer between the unit hole substrate using wire bonding 상기 19항의 복수의 단위 홀 기판이 접합 된 프로브 지지 기판 구조에 있어서In the probe support substrate structure bonded to the plurality of unit hole substrate of claim 19 단위 홀 기판 간의 그라운드 층과 그라운드 층 사이의 전기적 연결방법은 플립 칩 본딩, 이방성 전도필름(ACF)을 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 제조 방법 The electrical connection method between the ground layer and the ground layer between the unit hole substrate is a method for manufacturing a probe support structure, characterized in that the manufacturing using flip chip bonding, anisotropic conductive film 상기 19항의 단위 홀 기판의 구조에 있어서In the structure of the unit hole substrate of 19 상기 단위 홀 기판의 재질은 감광성 유리, 세라믹 또는 폴리이미드(PI), FR4와 같은 폴리머 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the material of the unit hole substrate using a polymer material such as photosensitive glass, ceramic or polyimide (PI), FR4 상기 19항의 관통 홀 가공 방법으로 감광성 유리는 포토 에칭(photo etching), 세라믹과 폴리머 재질은 레이져 혹은 드릴 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 The probe support structure of claim 19, wherein the photosensitive glass is photo etched using the through hole processing method, and the ceramic or polymer material is laser or drilled. 상기 19항의 프로브 지지 기판 구조에 있어서In the probe support substrate structure of claim 19 단위 홀 기판 간 접합 방법은 에폭시 접착제, 접착성 있는 양면 테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 Probe support structure is characterized in that the unit hole substrate-to-substrate bonding method uses an epoxy adhesive, adhesive double-sided tape 상기 19항의 프로브 지지 기판 구조에 있어서In the probe support substrate structure of claim 19 프로브가 고정될 프로브 지지 기판 하단 면에는 디카플링 캐파시터가 납땜 되어 접합 될 수 있도록 일부 프로브용 관통 홀에 접속되는 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the bottom surface of the probe support substrate to which the probe is to be fixed, the pad is connected to the through hole for some probes so that the decoupling capacitor can be soldered and bonded 상기 19항의 프로브 지지 기판 구조에 있어서 In the probe support substrate structure of claim 19 프로브가 고정될 프로브 지지 기판 하단 면에는 프로브 팁을 포함한 전도성 파이프가 고정될 구조물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체Probe support structure, characterized in that the structure to be fixed to the conductive pipe including the probe tip is formed on the bottom surface of the probe support substrate to which the probe is to be fixed 상기 33항에 있어서 전도성 파이프가 고정될 구조물은 반도체 제조공정을 이용한 슬릿이 있는 감광제 구조물인 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체34. The probe support structure of claim 33, wherein the structure to which the conductive pipe is to be fixed is a photoresist structure having a slit using a semiconductor manufacturing process. 상기 33항에 있어서 전도성 파이프가 고정될 구조물은 다이싱 쏘(dicing saw)가공 방법에 의해 형성된 슬릿이 있는 세라믹 구조물인 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체34. The probe support structure of claim 33, wherein the structure to which the conductive pipe is to be fixed is a ceramic structure with slits formed by a dicing saw processing method. 상기 19항에 있어서 단위 홀 기판의 제조방법에 있어서 The method of manufacturing a unit hole substrate according to the above 19 관통 홀이 형성된 기판을 준비하는 단계와 Preparing a substrate on which a through hole is formed; 상기 기판의 양면 상에서 표면과 관통 홀 내에 절연 층과 시드 층을 형성하는 단계와 Forming an insulating layer and a seed layer in surfaces and through holes on both sides of the substrate; 그라운드 층이 형성될 일면에서는 반도체 제조 공정을 이용하여 감광제를 관통 홀을 포함한 일정 영역과 그로부터 일정 간격을 둔 나머지 영역에서만 감광제를 패턴닝하는 하고 그라운드 층이 없는 반대 면에서는 관통 홀을 포함한 일정 영역에서만 패턴닝 하는 단계와On one side where the ground layer is to be formed, the photoresist is patterned only in a certain area including the through hole and the remaining area spaced therefrom by using a semiconductor manufacturing process, and only in a certain area including the through hole on the other side without the ground layer. With patterning steps 포토 레지스트가 패턴닝되지 않은 영역에서 형성된 시드 층을 에칭하여 제거하는 단계와Etching away the seed layer formed in the region where the photoresist is not patterned; 상기 감광제를 제거하는 단계와Removing the photosensitizer and 도금을 이용하여 그라운드 층과 그라운드와 전기적 연결될 관통 홀 내에 전도성 피막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 제조 방법Forming a conductive film in the through layer to be electrically connected to the ground layer and the ground using plating; 상기 1항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리가 상기 제 19항의 구조를 갖는 프로브 지지 기판에 접합 되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체에 있어서A probe assembly having the structure of claim 1 is bonded to a probe support substrate having the structure of claim 19. 상기 1항의 프로브 어셈블리 중에서 전도성 파이프의 절곡부를 기준으로 프로브 기단 방향과 일치하는 전도성 파이프 부분은 상기 프로브 지지 기판의 복수의 관통 홀에 삽입되어 그 상단 면에서 접합 되며, 프로브 팁 방향과 일치하는 전도성 파이프 부분은 프로브 지지 기판의 하면에 형성된 전도성 파이프 지지용 구조물에 의해 지지가 되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 The conductive pipe portion of the probe assembly of claim 1, which matches the probe proximal direction with respect to the bent portion of the conductive pipe, is inserted into the plurality of through holes of the probe support substrate and bonded at the upper surface thereof, and the conductive pipe coincides with the probe tip direction. The portion is supported by the conductive pipe support structure formed on the lower surface of the probe support substrate. 상기 2항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리가 상기 제 19항의 구조를 갖는 프로브 지지 기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체에 있어서In the probe support structure characterized in that the probe assembly having the structure of claim 2 is bonded to the probe support substrate having the structure of claim 19 상기 제 2항의 전도성 봉은 상기 프로브 지지 기판의 복수의 관통 홀에 삽입되어 그 상단 면에서 접합 되며The conductive rod of claim 2 is inserted into a plurality of through holes of the probe support substrate and bonded at an upper surface thereof. 상기 제 2항의 전도성 파이프는 프로브 지지 기판의 하단 면에 형성된 전도성 파이프 지지용 구조물에 의해 지지가 되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 The probe support structure of claim 2, wherein the conductive pipe is supported by a conductive pipe support structure formed on the bottom surface of the probe support substrate. 상기 제 3항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리가 상기 제 19항의 구조를 갖는 프로브 지지 기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체에 있어서A probe support structure having a probe assembly having the structure of claim 3 is bonded to a probe support substrate having the structure of claim 19. 상기 3항의 프로브 기단부 근처에 위치한 전도성 파이프는 상기 프로브 지지 기판의 복수 관통 홀에 삽입되어 그 상단 면에서 접합 되며The conductive pipe located near the probe base end of claim 3 is inserted into a plurality of through holes of the probe supporting substrate and joined at the upper surface thereof. 상기 3항의 프로브 팁 근처에 위치한 전도성 파이프는 프로브 지지 기판의 하면에 형성된 파이프 지지용 구조물에 의해 지지가 되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체 A probe support structure, wherein the conductive pipe located near the probe tip of claim 3 is supported by a pipe support structure formed on the bottom surface of the probe support substrate. 상기 제 4항의 구조를 갖는 프로브 어셈블리가 상기 제 19항의 구조를 갖는 프로브 지지 기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체에 있어서Probe support structure having the structure of claim 4 is bonded to the probe support substrate having the structure of claim 19 in the probe support structure 상기 4항의 프로브 기단부가 상기 프로브 지지 기판의 복수 관통 홀에 삽입되어 그 상단 면에서 접합 되며The probe base end of claim 4 is inserted into a plurality of through-holes of the probe support substrate and bonded at an upper surface thereof. 상기 4항의 전도성 파이프는 프로브 지지 기판 하단 면에 형성된 파이프 지지용 구 조물에 의해 지지가 되는 것을 특징으로 하는 프로브 지지 구조체The probe support structure of claim 4, wherein the conductive pipe is supported by a pipe support structure formed on the bottom surface of the probe support substrate. 상기 37, 38, 39항 내지 40항의 경우에서 프로브 어셈블리가 프로브 지지 기판에 조립된 상태에서 프로브 지지 기판의 상단 면에 접합용 패드를 형성하는 방법으로 관통 홀에 삽입된 전도성 파이프 내지 전도성 봉을 프로브 지지 기판의 상단 면에서 연마한 후 반도체 공정을 이용하여 접합용 패드를 전도성 파이프 내지 전도성 봉 위에서 형성하는 것을 특징으로 프로브 지지 구조체 제조방법In the case of 37, 38, 39 to 40 in the probe assembly is assembled to the probe support substrate by a method for forming a bonding pad on the upper surface of the probe support substrate to the conductive pipe or conductive rod inserted into the through hole probe A method of manufacturing a probe support structure, comprising: polishing the upper surface of the support substrate and then forming a bonding pad on the conductive pipe or the conductive rod using a semiconductor process. 전도성 파이프를 이용하여 제작한 프로브 어셈블리와 Probe assemblies made from conductive pipes 복수의 프로브 어셈블리가 프로브 지지 기판에 고정된 프로브 지지 구조체와A plurality of probe assemblies comprising a probe support structure secured to a probe support substrate. 공간 변환기와With space converter 인쇄회로기판이 포함되어 있고Printed circuit board is included 상기 프로브 지지 구조체는 공간 변환기 하단 면에서 전기적으로 연결되어 있고The probe support structure is electrically connected at the bottom face of the space transducer and 공간 변환기 상단 면에서 인쇄회로 기판과의 전기적으로 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 구조물A probe card structure characterized in that it is electrically interconnected with a printed circuit board at the top surface of the space transducer 상기 44항에서 프로브 지지 구조체와 공간 변환기 하단 면에서 전기적 연결방법은 플립 칩 본딩을 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 구조물 제조 방법45. The method of manufacturing a probe card structure according to claim 44, wherein the electrical connection method at the bottom surface of the probe support structure and the space transducer uses flip chip bonding.
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