KR20070109425A - Oscillator circuit - Google Patents

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KR20070109425A
KR20070109425A KR1020060042359A KR20060042359A KR20070109425A KR 20070109425 A KR20070109425 A KR 20070109425A KR 1020060042359 A KR1020060042359 A KR 1020060042359A KR 20060042359 A KR20060042359 A KR 20060042359A KR 20070109425 A KR20070109425 A KR 20070109425A
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최원범
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

An oscillator circuit is provided to implement a stable operation by a reference circuit for outputting a uniform period by varying the change of periods in a compensative direction by the external environment. An oscillator circuit(200) includes a first inverter(210) inverting a first input signal; a second inverter(220) inverting a second input signal; a reference circuit(230) generating a reference voltage varied according to power voltage(Vdd) and temperature change; a first comparator(CM1) comparing the output of the first inverter and the output of the reference circuit; a second comparator(CM2) comparing the output of the second inverter and the output of the reference circuit; and an SR(Set Reset) latch(240) generating a clock signal(clk) according to the output of the first and second comparators.

Description

오실레이터 회로{Oscillator circuit}Oscillator circuit

도 1은 종래의 오실레이터를 상세히 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a conventional oscillator in detail.

도 2는 본 발명의 오실레이터를 상세히 도시한 회로도이다.2 is a circuit diagram showing in detail the oscillator of the present invention.

도 3(a)는 도 1 및 도 2의 오실레이터 회로의 전원전압 변화에 따른 주기변화를 비교한 그래프이다.FIG. 3A is a graph comparing periodic changes according to changes in power supply voltages of the oscillator circuits of FIGS. 1 and 2.

도 3(b)는 도 1 및 도 2의 오실레이터 회로의 온도 변화에 따른 주기변화를 비교한 그래프이다.FIG. 3B is a graph comparing period change according to temperature change of the oscillator circuit of FIGS. 1 and 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

210 : 제 1 인버터 220 : 제 2 인버터210: first inverter 220: second inverter

230 : 레퍼런스 회로 240 : SR 래치230: reference circuit 240: SR latch

본 발명은 오실레이터에 관한 것으로서, 특히 SR-래치를 구비한 오실레이터 회로에 관한 것이다.The present invention relates to an oscillator, and more particularly to an oscillator circuit with an SR-latch.

일반적으로 메모리, IC 칩 등에서는 내부 장치들을 동작시키기 위하여 내부 클럭이 사용된다. 플래시 메모리(flash memory)에서는 마이크로 컨트롤러(micro controller)나 펌프(pump) 회로등에서 내부 클럭이 사용되는데 이러한 내부 클럭을 발생시키는 회로가 오실레이터 회로이다. 오실레이터 회로 중 가장 기본적인 회로는 홀수개의 인버터를 링 구조로 연결하여 클럭을 발생시키는 링 오실레이터이다. 이러한 구조는 간단하지만 공정, 전원전압, 온도 등의 변화(PVT variation)가 생기면 주기가 크게 변할 수 있다. 내부 클럭의 주기는 시스템의 동작에 큰 영향을 끼친다. 이를 개선하기 위하여 정전류원을 인버터에 연결하거나 저항, 캐패시터 및 슈미트 트리거(schmitt triger) 또는 비교기를 포함시켜 RC 지연효과가 주기를 결정하게 하는 회로가 많이 사용된다. 그러나 이러한 경우에도 공정, 전원전압, 온도 등의 변화에 의하여 저항값의 변화가 생기는데 이러한 저항값의 변화에 의하여 주기가 변하게 된다. In general, an internal clock is used to operate internal devices in a memory or an IC chip. In flash memory, an internal clock is used in a microcontroller or a pump circuit, and the circuit for generating the internal clock is an oscillator circuit. The most basic circuit among oscillator circuits is a ring oscillator that connects an odd number of inverters in a ring structure to generate a clock. Although this structure is simple, the period may change significantly when PVT variations occur in the process, power supply voltage, and temperature. The period of the internal clock greatly affects the operation of the system. To improve this, many circuits are used that connect a constant current source to the inverter or include resistors, capacitors and a schmitt trigger or comparator to allow the RC delay effect to determine the period. However, even in this case, a change in the resistance value occurs due to a change in process, power supply voltage, temperature, and the like, and the period changes due to the change in the resistance value.

도 1은 종래의 오실레이터를 상세히 도시한 회로도이다. 오실레이터(10)는 제 1 및 제 2 인버터(11 및 12), 제 1 및 제 2 캐패시터(CP1 및 CP2), 레퍼런스 회로(13), 제 1 및 제 2 비교기(CR1 및 CR2), 트랜지스터들(P3 및 N3) 및 SR 래치(14)를 포함한다. 제 1 인버터(11)와 제 2 인버터(12)는 각각 상반된 신호(INP 및 /INP)를 입력받고 노드(K1 및 K2)를 통해 제 1 및 제 2 비교기(CR1 및 CR2)에 신호를 인가한다. 레퍼런스 회로(13)는 기준전압(Vref)을 발생하여 제 1 및 제 2 비교기(CR1 및 CR2)에 인가한다. 제 1 및 제 2 비교기(CR1 및 CR2)의 출력이 바뀌면 SR 래치(14)에 입력되는 신호가 바뀌게 되고, 이로 인해, 클럭신호(clk)가 바뀌게 된다. 그러므로, 주기가 빨라지려면 인버터들(IN1 및 IN2)의 디스차지 시간이 빠를 때, 즉, 기준전압(Vref)이 높을 때이다. 레퍼런스 회로(13)에서, 전원전 압(Vdd)이 높아지게 되면 노드(K1 및 K2)에 인가되는 전압도 높아지게 된다. 그러면, 인버터(IN1 및 IN2)를 통한 디스차지 시간은 늘어나게 된다. 또한, 오실레이터(10)의 클럭신호(clk) 주기는 기준전압(Vref)이 높아짐에 따라 줄어든다. 이로 인해, 전원전압(Vdd)의 변화에 따른 전체적인 오실레이터(10)의 클럭신호(clk) 주기는 서로 보상된다고 볼 수 있다. 1 is a circuit diagram illustrating a conventional oscillator in detail. The oscillator 10 includes first and second inverters 11 and 12, first and second capacitors CP1 and CP2, a reference circuit 13, first and second comparators CR1 and CR2, and transistors ( P3 and N3) and SR latch 14. The first inverter 11 and the second inverter 12 receive the opposite signals INP and / INP, respectively, and apply signals to the first and second comparators CR1 and CR2 through the nodes K1 and K2. . The reference circuit 13 generates a reference voltage Vref and applies it to the first and second comparators CR1 and CR2. When the outputs of the first and second comparators CR1 and CR2 are changed, the signal input to the SR latch 14 is changed. As a result, the clock signal clk is changed. Therefore, the faster the cycle, the faster the discharge time of the inverters IN1 and IN2, that is, when the reference voltage Vref is high. In the reference circuit 13, when the power supply voltage Vdd is high, the voltage applied to the nodes K1 and K2 is also high. Then, the discharge time through the inverters IN1 and IN2 is increased. In addition, the clock signal clk period of the oscillator 10 decreases as the reference voltage Vref increases. Therefore, it can be seen that the clock signal clk period of the entire oscillator 10 according to the change of the power supply voltage Vdd is compensated for each other.

그러나, 온도가 높아져도 레퍼런스 회로(13)의 기준전압(Vref)은 일정한 전압으로 출력되어서 클럭신호(clk)의 주기는 증가하게 된다. However, even when the temperature increases, the reference voltage Vref of the reference circuit 13 is output at a constant voltage, so that the period of the clock signal clk increases.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 SR 래치를 구비한 오실레이터에서 주기를 결정하는 부분을 비교기의 두 입력으로 나누고, 두 입력으로 들어오는 신호가 외부 환경에 의해 주기의 변화를 서로 보상할 수 있는 방향으로 변화시켜 전체적인 주기가 일정하도록 하는 레퍼런스 회로를 구비한 오실레이터 회로를 제공하는 데 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to divide the period determining portion of the oscillator with the SR latch into two inputs of the comparator, the direction that the signals coming from the two inputs can compensate for the change in the period by the external environment The present invention provides an oscillator circuit having a reference circuit which is changed so that the overall period is constant.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 오실레이터 회로는, 제 1 입력신호를 반전시키기 위한 제 1 인버터, 제 2 입력신호를 반전시키기 위한 제 2 인버터, 전원전압과 온도변화에 따라 가변되는 기준전압을 생성하는 레퍼런스 회로, 상기 제 1 인버터의 출력과 상기 레퍼런스 회로의 출력을 비교하기 위한 제 1 비교기, 상기 제 2 인버터의 출력과 상기 레퍼런스 회로의 출력을 비교하기 위한 제 2 비교기, 및 상기 제 1 및 제 2 비교기의 출력에 따라 클럭신호를 생성하는 SR 래치를 포함하는 오실레이터를 포함한다. The oscillator circuit according to the present invention for achieving the above technical problem, the first inverter for inverting the first input signal, the second inverter for inverting the second input signal, a reference variable that varies with power supply voltage and temperature change A reference circuit for generating a voltage, a first comparator for comparing an output of the first inverter and an output of the reference circuit, a second comparator for comparing an output of the second inverter and an output of the reference circuit, and the first comparator And an oscillator including an SR latch for generating a clock signal in accordance with the outputs of the first and second comparators.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 2는 본 발명의 오실레이터를 상세히 도시한 회로도이다. 오실레이터(200)는 제 1 및 제 2 인버터(210 및 220), 제 1 및 제 2 캐패시터(C1 및 C2), 레퍼런스 회로(230), 제 1 및 제 2 비교기(CM1 및 CM2), 트랜지스터들(PT3 및 NT5) 및 SR 래치(240)를 포함한다. 제 1 인버터(210)는 PMOS 트랜지스터(PT1), NMOS 트랜지스터(NT1) 및 저항(R1)을 포함한다. PMOS 트랜지스터(PT1)는 전원전압(Vdd)과 제 1 노드(D1)간에 접속되어 입력신호(INP)에 응답하여 동작한다. NMOS 트랜지스터(NT1)는 제 1 노드(D1)와 접지전압(Vss) 사이에 접속되어 입력신호(INP)에 응답하여 동작한다. 저항(R1)은 제 1 노드(D1)와 NMOS 트랜지스터(NT1) 사이에 접속하여 지연된 신호(L1)를 발생한다. 제 2 인버터(220)는 PMOS 트랜지스터(PT2), NMOS 트랜지스터(NT2) 및 저항(R2)을 포함한다. PMOS 트랜지스터(PT2)는 전원전압(Vdd)과 제 2 노드(D2)간에 접속되어 반입력신호(/INP)에 응답하여 동작한다. NMOS 트랜지스터(NT2)는 제 2 노드(D2)와 접지전압(Vss) 사이에 접속되어 반입력신호(/INP)에 응답하여 동작한다. 저항(R2)은 제 2 노드(D2)와 NMOS 트랜지스터(NT2) 사이를 접속하여 지연된 신호(L2)를 발생한다. 제 1 및 제 2 캐패시터(C1 및 C2)는 신호(L1 및 L2)를 지연시킨다. 레퍼런스 회로(230)는 NMOS 트랜지스터들(NT3 및 NT4) 및 저항들(R3~R5)을 포함한다. 저항(R3)은 전원전압(Vdd)과 노드(D6)간에 접속된다. 저항(R4)은 노드(D6)와 노드(D5)간에 접속된다. 가변저항(R5)은 노드(D5)와 접지전압(Vss)간에 접속된다. 다이오드 접속구조의 NMOS 트랜지스터(NT3)는 전원전압(Vdd)과 노드(D4)간에 접속되는데, 전원전압(Vdd)에 응답하여 전원전압(Vdd)을 노드(D4)를 통해 전달한다. 다이오드 접속구조의 NMOS 트랜지스터(NT4)는 노드(D4)의 전위에 응답하여 노드(D4)의 전위를 노드(D5)를 통해 전달한다. 제 1 비교기(CM1)는 기준전압(Vref)보다 높은 레벨의 신호(L1)가 인가되면, 인가된 신호(L1)를 반전하여 출력한다. 제 2 비교기(CM2)는 기준전압(Vref)보다 높은 레벨의 신호(L2)가 인가되면, 인가된 신호(L2)를 반전하여 출력한다. PMOS 트랜지스터(PT3) 및 NMOS 트랜지스터(NT5)는 인에이블 스위치이다. PMOS 트랜지스터(PT3)는 전원전압과 노드(D7)간에 접속되어 인에이블 신호(EN)에 응답하여 동작한다. NMOS 트랜지스터(NT5)는 접지전압(Vss)과 노드(D8)간에 접속되어 인에이블바 신호(ENb)에 응답하여 동작한다. PMOS 및 NMOS 트랜지스터(PT3 및 NT5)는 래치를 초기화할 때 턴 온 된다. 인버터(IV1 및 IV2)는 제 1 및 제 2 비교기(CM1 및 CM2)의 출력신호(BL1 및 BL2)를 반전하여 출력한다. SR 래치(240)는 낸드게이트들(NG1 및 NG2)로 이루어진다. SR 래치(240)는 인버터(IV1 및 IV2)의 출력신호에 응답하여 클럭신호(clk)를 출력한다.2 is a circuit diagram showing in detail the oscillator of the present invention. The oscillator 200 includes first and second inverters 210 and 220, first and second capacitors C1 and C2, a reference circuit 230, first and second comparators CM1 and CM2, and transistors ( PT3 and NT5) and SR latch 240. The first inverter 210 includes a PMOS transistor PT1, an NMOS transistor NT1, and a resistor R1. The PMOS transistor PT1 is connected between the power supply voltage Vdd and the first node D1 to operate in response to the input signal INP. The NMOS transistor NT1 is connected between the first node D1 and the ground voltage Vss to operate in response to the input signal INP. The resistor R1 is connected between the first node D1 and the NMOS transistor NT1 to generate a delayed signal L1. The second inverter 220 includes a PMOS transistor PT2, an NMOS transistor NT2, and a resistor R2. The PMOS transistor PT2 is connected between the power supply voltage Vdd and the second node D2 to operate in response to the half input signal / INP. The NMOS transistor NT2 is connected between the second node D2 and the ground voltage Vss to operate in response to the half input signal / INP. The resistor R2 connects between the second node D2 and the NMOS transistor NT2 to generate a delayed signal L2. The first and second capacitors C1 and C2 delay the signals L1 and L2. The reference circuit 230 includes NMOS transistors NT3 and NT4 and resistors R3 to R5. The resistor R3 is connected between the power supply voltage Vdd and the node D6. The resistor R4 is connected between the node D6 and the node D5. The variable resistor R5 is connected between the node D5 and the ground voltage Vss. The NMOS transistor NT3 of the diode connection structure is connected between the power supply voltage Vdd and the node D4. The NMOS transistor NT3 transfers the power supply voltage Vdd through the node D4 in response to the power supply voltage Vdd. The NMOS transistor NT4 of the diode connection structure transfers the potential of the node D4 through the node D5 in response to the potential of the node D4. When the signal L1 having a level higher than the reference voltage Vref is applied, the first comparator CM1 inverts the applied signal L1 and outputs the inverted signal. When the signal L2 having a level higher than the reference voltage Vref is applied, the second comparator CM2 inverts the applied signal L2 and outputs the inverted signal. PMOS transistor PT3 and NMOS transistor NT5 are enable switches. The PMOS transistor PT3 is connected between the power supply voltage and the node D7 and operates in response to the enable signal EN. The NMOS transistor NT5 is connected between the ground voltage Vss and the node D8 to operate in response to the enable bar signal ENb. PMOS and NMOS transistors PT3 and NT5 are turned on when the latch is initialized. The inverters IV1 and IV2 invert and output the output signals BL1 and BL2 of the first and second comparators CM1 and CM2. The SR latch 240 is composed of NAND gates NG1 and NG2. The SR latch 240 outputs a clock signal clk in response to the output signals of the inverters IV1 and IV2.

오실레이터(200)는 다음과 같이 동작한다. 제 1 및 제 2 인터버(210 및 220)는 입력신호(INP 및 /INP)에 응답하여 제 1 및 제 2 신호(L1 및 L2)를 발생한다. 제 1 및 제 2 캐패시터(C1 및 C2)는 제 1 및 제 2 신호(L1 및 L2)를 지연시킨다. 기준전압(Vref)은 전원전압(Vdd)이 증가할 경우, 전원전압(Vdd)에서 저항(R5)의 전압을 뺀 만큼의 전압이 인가된다. 따라서, 전원전압(Vdd)의 증가폭이 저항(R5)을 흐르는 전류의 증가폭보다 크므로 기준전압(Vref)은 증가하게 된다. 또한, 기준전압(Vref)은 온도가 증가함에 따라, 증가하게 된다. 이는, NMOS 트랜지스터들(NT3 및 NT4)의 문턱전압이 온도가 증가함에 따라 감소하므로, 노드(D5)의 전위는 높아지게 되고, 저항들(R3 및 R4)간의 흐르는 전류는 감소하게 된다. 따라서, 저항(R5)에 흐르는 전류는 감소하고 기준전압(Vref)은 증가하게 된다. 기준전압(Vref)이 증가하면 그만큼 클럭의 주기도 감소하게 되므로 전체회로의 클럭신호는 일정하게 보상된다. 인버터들(IV1 및 IV2)은 제 1 및 제 2 비교기(CM1 및 CM2)의 출력신호들(BL1 및 BL2)을 반전시킨다. SR 래치부(240)는 인버터들(IV1 및 IV2)의 출력신호들에 응답하여 클럭신호(clk)를 출력한다.The oscillator 200 operates as follows. The first and second interlocks 210 and 220 generate the first and second signals L1 and L2 in response to the input signals INP and / INP. The first and second capacitors C1 and C2 delay the first and second signals L1 and L2. When the power supply voltage Vdd is increased, the reference voltage Vref is applied with a voltage equal to the power supply voltage Vdd minus the voltage of the resistor R5. Therefore, since the increase width of the power supply voltage Vdd is greater than the increase width of the current flowing through the resistor R5, the reference voltage Vref increases. In addition, the reference voltage Vref increases as the temperature increases. This is because the threshold voltages of the NMOS transistors NT3 and NT4 decrease as the temperature increases, so that the potential of the node D5 becomes high and the current flowing between the resistors R3 and R4 decreases. Therefore, the current flowing through the resistor R5 decreases and the reference voltage Vref increases. As the reference voltage Vref increases, the clock period decreases accordingly, so that the clock signal of the entire circuit is uniformly compensated. The inverters IV1 and IV2 invert the output signals BL1 and BL2 of the first and second comparators CM1 and CM2. The SR latch unit 240 outputs a clock signal clk in response to the output signals of the inverters IV1 and IV2.

도 3(a) 및 도 3(b)는 종래와 본 발명의 오실레이터(200) 주기 변화를 나타낸 그래프이다. 도 3(a)는 전원전압에 따른 주기 변화를 나타낸 그래프이고, 도 3(b)는 온도에 따른 주기 변화를 나타낸 그래프이다. 도 1 및 도 2의 오실레이터 회로의 전원전압(Vdd)의 변화에 따른 주기변화를 비교한 그래프이다. 도 2에서 설명한 바와 같이 전원전압과 온도가 증가하여도 클럭신호의 주기변화폭이 크지 않을을 그래프로 알 수 있다.3 (a) and 3 (b) are graphs showing cycle changes of the oscillator 200 according to the related art and the present invention. 3 (a) is a graph showing a cycle change according to the power supply voltage, Figure 3 (b) is a graph showing a cycle change with the temperature. 1 and 2 are graphs comparing periodic changes according to changes in the power supply voltage Vdd of the oscillator circuit of FIGS. 1 and 2. As illustrated in FIG. 2, it can be seen from the graph that the period variation of the clock signal is not large even when the power supply voltage and temperature increase.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님 을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention described above has been described in detail in a preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, the present invention will be understood by those skilled in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 SR 래치를 구비한 오실레이터 회로는, 외부 환경에 의해 주기의 변화를 서로 보상할 수 있는 방향으로 변화시켜 일정한 주기를 출력하는 레퍼런스 회로에 의해 안정적인 동작을 가능하게 할 수 있다.As described above, the oscillator circuit having the SR latch according to the present invention can be stably operated by a reference circuit which outputs a constant period by changing the period change in a direction that can compensate for each other by an external environment. can do.

Claims (7)

제 1 입력신호를 반전시키기 위한 제 1 인버터;A first inverter for inverting the first input signal; 제 2 입력신호를 반전시키기 위한 제 2 인버터;A second inverter for inverting the second input signal; 전원전압과 온도변화에 따라 가변되는 기준전압을 생성하는 레퍼런스 회로;A reference circuit for generating a reference voltage that varies with power supply voltage and temperature change; 상기 제 1 인버터의 출력과 상기 레퍼런스 회로의 출력을 비교하기 위한 제 1 비교기;A first comparator for comparing an output of the first inverter and an output of the reference circuit; 상기 제 2 인버터의 출력과 상기 레퍼런스 회로의 출력을 비교하기 위한 제 2 비교기; 및A second comparator for comparing the output of the second inverter with the output of the reference circuit; And 상기 제 1 및 제 2 비교기의 출력에 따라 클럭신호를 생성하는 SR 래치를 포함하는 오실레이터.And an SR latch for generating a clock signal in response to the outputs of the first and second comparators. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 인버터는,The method of claim 1, wherein the first inverter, 전원전압과 제 1 노드간에 접속되어 상기 제 1 입력신호에 응답하여 동작하는 PMOS 트랜지스터;A PMOS transistor connected between a power supply voltage and a first node to operate in response to the first input signal; 상기 제 1 노드와 접지전압 사이에 접속되어 상기 제 1 입력신호에 응답하여 동작하는 NMOS 트랜지스터; 및An NMOS transistor connected between the first node and a ground voltage to operate in response to the first input signal; And 상기 제 1 노드와 상기 NMOS 트랜지스터 사이에 접속하여 출력신호를 지연시키는 제 1 저항을 포함하는 오실레이터.And a first resistor connected between the first node and the NMOS transistor to delay an output signal. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 인버터는,The method of claim 1, wherein the second inverter, 전원전압과 제 2 노드간에 접속되어 상기 제 2 입력신호에 응답하여 동작하는 PMOS 트랜지스터;A PMOS transistor connected between a power supply voltage and a second node to operate in response to the second input signal; 상기 제 2 노드와 접지전압 사이에 접속되어 상기 제 2 입력신호에 응답하여 동작하는 NMOS 트랜지스터; 및An NMOS transistor connected between the second node and a ground voltage to operate in response to the second input signal; And 상기 제 2 노드와 NMOS 트랜지스터 사이를 접속하여 출력신호를 지연시키는 제 2 저항을 포함하는 오실레이터.And a second resistor connected between the second node and an NMOS transistor to delay an output signal. 제 1 항에 있어서, 상기 레퍼런스 회로는,The method of claim 1, wherein the reference circuit, 전원전압과 제 1 노드간에 출력노드를 통해 직렬연결되며 출력노드에서 기준전압이 출력되는 제 1 및 제 2 저항;First and second resistors connected in series between the power supply voltage and the first node through an output node and outputting a reference voltage at the output node; 상기 전원전압과 상기 제 1 노드간에 직렬연결되며 다이오드 접속구조의 제 1 및 제 2 트랜지스터; 및First and second transistors connected in series between the power supply voltage and the first node and having a diode connection structure; And 상기 제 1 노드와 상기 접지간에 연결되는 가변저항을 포함하는 오실레이터.An oscillator comprising a variable resistor coupled between the first node and the ground. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 비교기는,The method of claim 1, wherein the first comparator, 상기 기준전압보다 높은 레벨의 상기 제 1 인버터 출력이 인가되면 상기 제 1 인버터의 출력을 반전하여 출력하는 오실레이터.And outputting the inverted output of the first inverter when the first inverter output having a level higher than the reference voltage is applied. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 비교기는,The method of claim 1, wherein the second comparator, 상기 기준전압보다 높은 레벨의 상기 제 2 인터버 출력이 인가되면 상기 제 2 인버터의 출력을 반전하여 출력하는 오실레이터.And outputting the inverted output of the second inverter when the second interlock output having a level higher than the reference voltage is applied. 제 1 항에 있어서, 상기 SR 래치는,The method of claim 1, wherein the SR latch, 상기 제 1 및 제 2 비교기의 출력이 로우 상태에서 하이 상태로 바뀌는 순간에 상기 클럭신호의 레벨이 바뀌는 오실레이터.And the level of the clock signal changes at the instant the output of the first and second comparators changes from a low state to a high state.
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