KR20070107301A - Target for sputtering and fabrication method the same, and apparatus and method for sputtering using the same - Google Patents

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Abstract

A target for sputtering and a manufacturing method thereof, and a sputtering apparatus and a method using the same are provided to form a uniform conductive layer by forming an embossing pattern on a surface of the target to distribute metal ions to the various angles. A sputtering apparatus comprises a chamber(150) for keeping vacuum state, a stage(130) for supporting a substrate(120) on which a semiconductor pattern is formed, a target(110) including embossing patterns and a back plate(100) for supporting the target. An inactive gas like Ar is injected into a chamber(150). The stage is installed in the chamber and supports a returning substrate. The target is made of metal materials and contains the embossing patterns.

Description

스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링 장치 및 방법{TARGET FOR SPUTTERING AND FABRICATION METHOD THE SAME, AND APPARATUS AND METHOD FOR SPUTTERING USING THE SAME} Target for sputtering, manufacturing method thereof, and sputtering apparatus and method using same {TARGET FOR SPUTTERING AND FABRICATION METHOD THE SAME, AND APPARATUS AND METHOD FOR SPUTTERING USING THE SAME}

도 1은 종래의 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 도면.1 schematically shows a conventional sputtering apparatus.

도 2는 종래의 스퍼터링 장치에 의해 기판 상에 형성된 도전막을 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a conductive film formed on a substrate by a conventional sputtering apparatus.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 도면. 3 is a schematic view of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 타겟을 나타낸 평면도.4 is a plan view showing the target shown in FIG.

도 5는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'의 절단면을 나타낸 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cut plane of II ′ shown in FIG. 4. FIG.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링용 타겟의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing a sputtering target according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치에 의해 기판 상에 형성된 도전막을 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing a conductive film formed on a substrate by a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 백 플레이트 110: 타겟 100: back plate 110: target

112a: 볼록부 112b: 오목부112a: convex portion 112b: concave portion

120: 기판 130: 스테이지120: substrate 130: stage

140: 패턴 150: 챔버 140: pattern 150: chamber

160: 도전막 170: 전력 원160: conductive film 170: power source

180: 성형 틀 190: 프레스180: forming mold 190: press

200: 금속이온200: metal ion

본 발명은 스퍼터링 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 타겟(Target)의 표면을 엠보싱 형태로 만듦으로써 기판에 도전막을 균일하게 형성할 수 있도록 한 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus and method, and more particularly, to a sputtering target and a method for manufacturing the same, and a sputtering apparatus and method using the same, by which the surface of the target is embossed to form a conductive film uniformly. It is about.

일반적으로, 반도체 소자 또는 평판 표시장치(Flat Panel Display)의 제조공정 중 기판에 금속박막을 형성하기 위하여 스퍼터링 장치를 이용한다. 스퍼터링 장치는 플라즈마 방전을 이용하여 알루미늄과 같은 금속의 타겟에서 금속이온을 방출시켜 기판에 금속박막을 형성하는 장치이다. 이러한, 스퍼터링 장치는 사용하는 전원에 따라 직류 스퍼터링 장치 및 교류 스퍼터링 등으로 구분된다.In general, a sputtering apparatus is used to form a metal thin film on a substrate during a manufacturing process of a semiconductor device or a flat panel display. A sputtering apparatus is a device that forms a metal thin film on a substrate by releasing metal ions from a target of a metal such as aluminum using plasma discharge. Such a sputtering apparatus is classified into a direct current sputtering apparatus and an alternating current sputtering according to the power source to be used.

도 1은 종래의 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional sputtering apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 스퍼터링 장치는 진공상태를 유지하는 챔버(15), 반도체 패턴이 형성된 기판(12)을 지지하는 스테이지(13), 기판의 반도체 패턴에 도전막을 형성하기 위한 타겟(11) 및 타겟(11)을 지지하기 위한 백 플레이트(10) 를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional sputtering apparatus includes a chamber 15 maintaining a vacuum state, a stage 13 supporting a substrate 12 on which a semiconductor pattern is formed, and a target 11 for forming a conductive film on a semiconductor pattern of the substrate. And a back plate 10 for supporting the target 11.

챔버(15)는 스퍼터링 공정을 수행하기 위하여 진공상태를 유지한다. 이러한 챔버(15) 내부에는 스퍼터링 공정시 도시하지 않은 가스 주입구를 통해 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스가 주입된다.The chamber 15 is maintained in a vacuum state to perform the sputtering process. An inert gas such as argon (Ar) gas is injected into the chamber 15 through a gas injection hole (not shown) during the sputtering process.

스테이지(13)는 챔버(15) 내부에 설치되어 외부의 기판 반송 장치에 의해 반송되는 기판(12)을 지지한다. The stage 13 is installed inside the chamber 15 to support the substrate 12 conveyed by an external substrate transfer apparatus.

타겟(11)은 반도체 소자 또는 평판 표시장치의 제조 공정에 따라 크롬(Cr),티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag) 또는 기타 특수 금속의 재질을 가지며, 기판(12)과 마주 보는 표면은 균일한 평탄도를 갖는다. 이러한, 타겟(11)은 전력 원(17)으로부터 전원이 인가되면, 백 플레이트(10)에 부착된 상태에서 스퍼터링 현상에 의하여 금속이온들을 기판(12) 쪽으로 방출시킨다. 이때 금속이온은 기판(12)의 표면을 기준으로 타겟(11)에서 수직한 방향으로 방출된다. 즉, 타겟(11)에서 방출되는 금속이온은 직진성만을 가진다.The target 11 may be made of chromium (Cr), titanium (Ti), gold (Au), silver (Ag), or other special metal, depending on a manufacturing process of a semiconductor device or a flat panel display device, and may face the substrate 12. The viewing surface has a uniform flatness. When the target 11 is powered from the power source 17, the target 11 releases metal ions toward the substrate 12 by sputtering in a state where it is attached to the back plate 10. At this time, the metal ions are emitted in a direction perpendicular to the target 11 based on the surface of the substrate 12. That is, the metal ions emitted from the target 11 have only straightness.

백 플레이트(10)는 챔버(15)의 상부에 설치되어 기판(12)과 마주보는 상기 타겟(11)의 배면을 지지한다. 또한 백 플레이트(10)는 스퍼터링 공정시 타겟(11)의 온도를 방열시킨다.The back plate 10 is installed above the chamber 15 to support the rear surface of the target 11 facing the substrate 12. In addition, the back plate 10 heats the temperature of the target 11 during the sputtering process.

기판(12)에는 이전 공정에 의해 반도체 패턴(14)이 형성된다. 이때 반도체 패턴(14)은 일정한 두께를 가지도록 형성되기 때문에 두께에 의한 단차를 방지하기 위하여 양 측면에 경사면을 가지도록 패터닝된다.The semiconductor pattern 14 is formed on the substrate 12 by a previous process. In this case, since the semiconductor pattern 14 is formed to have a constant thickness, the semiconductor pattern 14 is patterned to have inclined surfaces on both sides in order to prevent a step due to the thickness.

그리고 기판(12)에는 스퍼터링 공정시 타겟(11)으로부터 방출되는 금속이온 이 증착되어 도전막이 형성된다.The substrate 12 is deposited with metal ions emitted from the target 11 during the sputtering process to form a conductive film.

이와 같은 종래의 스퍼터링 장치는 스테이지(13) 상에 기판(12)을 안착시킨 후 기판(12)과 타겟(11)을 일정 거리로 유지시킨 상태에서 전력 원(17)으로부터의 전력을 타겟(11)에 인가함으로써 챔버(15) 내부에 플라즈마를 형성하여 타겟(11)으로부터 금속이온을 방출시켜 기판(12) 상에 도전막을 증착한다.The conventional sputtering apparatus targets power from the power source 17 in a state in which the substrate 12 is seated on the stage 13 and the substrate 12 and the target 11 are kept at a predetermined distance. ) To form a plasma inside the chamber 15 to release metal ions from the target 11 to deposit a conductive film on the substrate 12.

이에 따라 기판(12) 상에는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(12) 상에 도전막이 형성된다.As a result, a conductive film is formed on the substrate 12 as shown in FIG. 2.

그러나 종래의 스퍼터링 장치는 스퍼터된 금속이온이 직진성만을 가지기 때문에 기판(12)의 반도체 패턴(14)의 경사면에는 도전막이 형성되지 않으므로 반도체 패턴(14)의 경사면에 형성되는 도전막에서 단선이 발생하는 문제점이 있다.However, in the conventional sputtering apparatus, since the sputtered metal ions have only linearity, since a conductive film is not formed on the inclined surface of the semiconductor pattern 14 of the substrate 12, disconnection occurs in the conductive film formed on the inclined surface of the semiconductor pattern 14. There is a problem.

이러한 도전막의 단선을 방지하기 위해서는 반도체 패턴(14)의 경사면의 기울기를 작게 해야 하기 때문에 반도체 패턴(14)의 선폭이 증가하게 된다. 반도체 패턴(14)의 선폭이 증가하게 될 경우 반도체 소자의 집적도가 감소하게 되는 문제점이 있으며, 평판 표시장치의 경우 개구율이 감소되어 고개구율을 실현할 수 없는 문제점이 있다.In order to prevent such disconnection of the conductive film, the inclination of the inclined surface of the semiconductor pattern 14 must be reduced, so that the line width of the semiconductor pattern 14 is increased. When the line width of the semiconductor pattern 14 is increased, there is a problem in that the degree of integration of the semiconductor device is reduced, and in the case of a flat panel display device, there is a problem that a high aperture ratio cannot be realized because the aperture ratio is reduced.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 타겟의 표면을 엠보싱 형태로 만듦으로써 기판에 도전막을 균일하게 형성할 수 있도록 한 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링 장치 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. Accordingly, in order to solve the above problems, the present invention provides a sputtering target, a method for manufacturing the same, and a sputtering apparatus and method using the same, by which the surface of the target is embossed to make the conductive film uniform. Its purpose is to.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링용 타겟은 플라즈마 방전을 이용하여 기판 상에 도전막을 증착하기 위한 타겟에 있어서, 상기 타겟은 상기 기판과 마주보는 표면에 형성된 엠보싱 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Sputtering target according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a target for depositing a conductive film on a substrate using a plasma discharge, the target includes an embossing pattern formed on the surface facing the substrate It is characterized in that the configuration.

본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는 반도체 패턴이 형성된 기판을 지지하는 스테이지; 상기 기판과 마주보는 표면에 엠보싱 패턴이 형성되고, 상기 반도체 패턴에 도전막을 형성하기 위한 타겟; 및 상기 타겟을 지지하기 위한 백 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a sputtering apparatus includes: a stage for supporting a substrate on which a semiconductor pattern is formed; A target for forming an embossing pattern on a surface facing the substrate and forming a conductive film on the semiconductor pattern; And it characterized in that it comprises a back plate for supporting the target.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는 반도체 패턴이 형성된 기판을 지지하는 스테이지; 상기 기판과 마주보도록 설치되어 금속이온을 다각도로 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 타겟; 및 상기 타겟을 지지하기 위한 백 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A sputtering apparatus according to another embodiment of the present invention includes a stage for supporting a substrate on which a semiconductor pattern is formed; A target installed to face the substrate to emit metal ions at various angles to form a conductive film on the substrate; And it characterized in that it comprises a back plate for supporting the target.

본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링용 타겟의 제조방법은 분말 형태의 금속재료를 마련하는 단계; 상기 금속재료를 성형 틀에 충진하는 단계; 및 엠보싱 패턴이 형성된 프레스로 상기 성형 틀에 충진된 상기 금속재료를 압축 및 소결하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.Method for producing a target for sputtering according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a metal material in the form of a powder; Filling the metal mold into a mold; And compressing and sintering the metal material filled in the mold by a press on which an embossing pattern is formed.

본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 방법은 엠보싱 패턴이 형성된 타겟을 마련하는 단계; 상기 타겟과 마주보도록 설치된 스테이지에 반도체 패턴이 형성된 기판을 공급하는 단계; 및 플라즈마 방전을 이용하여 상기 타겟에서 금속이온을 방출 시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Sputtering method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a target formed embossing pattern; Supplying a substrate on which a semiconductor pattern is formed to a stage provided to face the target; And releasing metal ions from the target using plasma discharge to form a conductive film on the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 스퍼터링 방법은 스테이지에 반도체 패턴이 형성된 기판을 공급하는 단계; 및 상기 기판과 마주보도록 설치된 타겟에서 금속이온을 다각도로 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a sputtering method includes supplying a substrate on which a semiconductor pattern is formed on a stage; And forming a conductive film on the substrate by releasing metal ions at various angles from a target installed to face the substrate.

이하 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는 진공상태를 유지하는 챔버(150), 반도체 패턴이 형성된 기판(120)을 지지하는 스테이지(130), 기판(120)과 마주보는 표면에 형성된 엠보싱 패턴(112)을 포함하는 타겟(110) 및 타겟(110)을 지지하기 위한 백 플레이트(100)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 150 for maintaining a vacuum state, a stage 130 for supporting a substrate 120 on which a semiconductor pattern is formed, and a surface facing the substrate 120. It is configured to include a target 110 including an embossed pattern 112 formed in the back plate 100 for supporting the target (110).

챔버(150)는 스퍼터링 공정을 수행하기 위하여 진공상태를 유지한다. 이러한 챔버(150) 내부에는 스퍼터링 공정시 도시하지 않은 가스 주입구를 통해 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스가 주입된다.The chamber 150 maintains a vacuum state to perform the sputtering process. An inert gas such as argon (Ar) gas is injected into the chamber 150 through a gas injection hole (not shown) during the sputtering process.

스테이지(130)는 챔버(150) 내부에 설치되어 외부의 기판 반송 장치에 의해 반송되는 기판(120)을 지지한다.The stage 130 is installed inside the chamber 150 to support the substrate 120 conveyed by an external substrate transport apparatus.

타겟(110)은 반도체 소자 또는 평판 표시장치의 제조 공정에 따라 크롬(Cr),티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag) 또는 기타 특수 금속의 재질을 갖는다. 또한, 타 겟(110)은 기판(120)과 마주보는 표면에 형성된 엠보싱 패턴(110)을 포함한다.The target 110 may be made of chromium (Cr), titanium (Ti), gold (Au), silver (Ag), or other special metal according to a manufacturing process of a semiconductor device or a flat panel display. In addition, the target 110 includes an embossing pattern 110 formed on a surface facing the substrate 120.

엠보싱 패턴(112)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 타겟(110)의 표면으로부터 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부(112a)와, 복수의 돌출부(112a) 사이마다 형성된 복수의 홈부(112b)를 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 4 and 5, the embossing pattern 112 includes a plurality of protrusions 112a formed at regular intervals from the surface of the target 110 and a plurality of grooves 112b formed between the plurality of protrusions 112a. It is configured to include.

복수의 돌출부(112a) 및 복수의 홈부(112b)는 동일한 원주를 가지도록 원호 형태로 형성된다.The plurality of protrusions 112a and the plurality of grooves 112b are formed in an arc shape to have the same circumference.

또한, 엠보싱 패턴(112)은 제 1 방향(114)의 패턴과, 제 1 방향(114)과 인접한 제 2 방향(116)이 서로 엇갈리는 지그재그 형태로 형성된다. 이와 같이 타겟(120) 표면의 형성된 엠보싱 패턴(112)이 지그재그 형태로 형성되기 때문에 불균일한 증착을 방지할 수 있다. 여기서, 엠보싱 패턴(112)이 지그재그 형태가 아니라 매트릭스 형태로 형성될 경우 엠보싱 형태의 규칙성에 의해 증착이 불균일하게 될 수 있다.In addition, the embossing pattern 112 is formed in a zigzag pattern in which the pattern in the first direction 114 and the second direction 116 adjacent to the first direction 114 are alternated with each other. As such, since the embossed pattern 112 formed on the surface of the target 120 is formed in a zigzag form, uneven deposition may be prevented. Here, when the embossed pattern 112 is formed in a matrix form rather than in a zigzag form, deposition may be uneven due to the regularity of the embossed form.

이와 같은, 엠보싱 패턴(112)을 가지는 타겟(110)은 소결 방식에 의해 제작된다.As such, the target 110 having the embossed pattern 112 is manufactured by a sintering method.

구체적으로, 타겟(110)의 제조방법은 도 6에 도시된 바와 같이 반도체 소자 또는 평판 표시장치의 제조 공정에 따라 크롬(Cr),티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag) 또는 기타 특수 금속을 분말 형태로 가공한다.In detail, the method of manufacturing the target 110 may include chromium (Cr), titanium (Ti), gold (Au), silver (Ag), or the like according to the manufacturing process of the semiconductor device or the flat panel display device as shown in FIG. 6. Special metals are processed in powder form.

그런 다음, 가공된 분말 형태의 금속재료(110)를 성형 틀(180)에 충진한다.Thereafter, the metal powder 110 in the form of a processed powder is filled in the forming mold 180.

이어서, 성형용 엠보싱 패턴이 음각된 프레스(190)로 성형 틀(180)에 충진된 금속재료(110)를 압축하여 소결한다.Subsequently, the metal material 110 filled in the molding die 180 is compressed and sintered by the press 190 in which the molding embossing pattern is engraved.

이에 따라, 타겟(100)의 표면은 프레스(190)의 형성된 성형용 엠보싱 패턴과 동일한 형태로 소결되어 원하는 형태로 성형된다.Accordingly, the surface of the target 100 is sintered in the same form as the forming embossing pattern formed of the press 190 and molded into a desired shape.

백 플레이트(100)는 챔버(150)의 상부에 설치되어 상기 기판(120)과 마주보는 타겟(110)의 배면을 지지한다. 또한 백 플레이트(100)는 스퍼터링 공정시 타겟(110)의 온도를 방열하여 타겟(110)의 온도를 일정하게 유지시킨다. 이를 위해, 백 플레이트(100)의 내부에는 외부로부터 냉각 수 또는 냉각 가스가 공급되는 방열관이 형성될 수 있다.The back plate 100 is installed above the chamber 150 to support the back surface of the target 110 facing the substrate 120. In addition, the back plate 100 heats the temperature of the target 110 during the sputtering process to maintain a constant temperature of the target 110. To this end, a heat dissipation tube through which the cooling water or the cooling gas is supplied from the outside may be formed in the back plate 100.

이와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는 스테이지(130) 상에 기판(120)을 안착시킨 후 기판(120)과 타겟(110)을 일정 거리로 유지시킨 상태에서 전력 원(170)으로부터의 전력을 타겟(110)에 인가한다. 이에 따라, 챔버(150) 내부에 플라즈마 방전이 발생됨으로써 엠보싱 패턴을 포함한 타겟(110)에서 금속이온(200)이 다각도로 방출된다. 타겟(110)에서 다각도로 방출되는 금속이온(200)은 반도체 패턴(140)이 형성된 기판(120) 상에 균일하게 증착됨으로써 기판(120) 상에 일정한 두께를 가지는 도전막이 형성된다.The sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention as described above from the power source 170 in a state in which the substrate 120 and the target 110 is maintained at a predetermined distance after mounting the substrate 120 on the stage 130. Power is applied to the target 110. Accordingly, the plasma discharge is generated in the chamber 150 to emit the metal ions 200 at various angles from the target 110 including the embossing pattern. The metal ions 200 emitted from the target 110 at various angles are uniformly deposited on the substrate 120 on which the semiconductor pattern 140 is formed, thereby forming a conductive film having a predetermined thickness on the substrate 120.

이러한, 본 발명은 엠보싱 패턴(112)에 의해 타겟(110)으로부터 금속이온(200)이 다각도로 방출되기 때문에 경사면을 가지는 반도체 패턴(140)을 포함하는 기판(120) 상에 도전막(160)을 균일하게 형성할 수 있다.In the present invention, since the metal ions 200 are emitted from the target 110 by the embossing pattern 112 at various angles, the conductive layer 160 is formed on the substrate 120 including the semiconductor pattern 140 having an inclined surface. Can be formed uniformly.

따라서, 본 발명은 반도체 패턴(140)의 경사면에도 균일한 도전막(160)을 형성할 수 있으므로 도전막(160)의 단선을 방지할 수 있다.Therefore, the present invention can form a uniform conductive film 160 on the inclined surface of the semiconductor pattern 140, thereby preventing the disconnection of the conductive film 160.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되 는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is a technology that the various permutations, modifications and changes can be made within the scope without departing from the spirit of the present invention It will be apparent to those skilled in the art.

상술한 바와 같은 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링 장치 및 방법은 타겟의 표면에 엠보싱 패턴을 형성하여 스퍼터링시 금속이온을 다각도로 방출시킴으로써 반도체 패턴의 경사면뿐만 아니라 기판 상에 균일한 도전막을 형성할 수 있다. The sputtering target as described above, a method for manufacturing the same, and a sputtering apparatus and method using the same, form an embossed pattern on the surface of the target to emit metal ions at various angles during sputtering, thereby forming a uniform conductive film on the substrate as well as the inclined surface of the semiconductor pattern. Can be formed.

또한 본 발명은 반도체 패턴의 경사면에도 균일한 도전막을 형성할 수 있으므로 반도체 패턴의 경사면의 기울기를 크게 하여 반도체 패턴의 선폭을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 소자의 집적도가 증가할 수 있으며, 평판 표시장치의 경우 개구율을 증가시켜 고개구율을 실현할 수 있다.In addition, the present invention can form a uniform conductive film on the inclined surface of the semiconductor pattern, it is possible to increase the inclination of the inclined surface of the semiconductor pattern to reduce the line width of the semiconductor pattern. Therefore, the present invention can increase the degree of integration of semiconductor devices, and in the case of flat panel displays, it is possible to realize a high opening rate by increasing the aperture ratio.

Claims (20)

플라즈마 방전을 이용하여 기판 상에 도전막을 증착하기 위한 타겟에 있어서,In a target for depositing a conductive film on a substrate using plasma discharge, 상기 타겟은 상기 기판과 마주보는 표면에 형성된 엠보싱 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟. The target is a sputtering target, characterized in that it comprises an embossing pattern formed on the surface facing the substrate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟.The embossing pattern is a sputtering target, characterized in that the pattern in the first direction and the pattern in the second direction adjacent to the first direction are formed in a zigzag form. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 엠보싱 패턴은,The embossing pattern, 상기 타겟의 표면에 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부와,A plurality of protrusions formed on the surface of the target at regular intervals, 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟. And a plurality of grooves formed between the plurality of protrusions. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 복수의 돌출부 및 복수의 홈부는 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟.The plurality of protrusions and the plurality of grooves targets for sputtering, characterized in that the arc shape. 반도체 패턴이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;A stage supporting a substrate on which a semiconductor pattern is formed; 상기 기판과 마주보는 표면에 엠보싱 패턴이 형성되고, 상기 반도체 패턴에 도전막을 형성하기 위한 타겟; 및A target for forming an embossing pattern on a surface facing the substrate and forming a conductive film on the semiconductor pattern; And 상기 타겟을 지지하기 위한 백 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.A sputtering apparatus, comprising a back plate for supporting the target. 반도체 패턴이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;A stage supporting a substrate on which a semiconductor pattern is formed; 상기 기판과 마주보도록 설치되어 금속이온을 다각도로 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 타겟; 및A target installed to face the substrate to emit metal ions at various angles to form a conductive film on the substrate; And 상기 타겟을 지지하기 위한 백 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.A sputtering apparatus, comprising a back plate for supporting the target. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 타겟은 상기 기판과 마주보는 표면에 형성되어 상기 금속이온을 다각도로 방출시키는 엠보싱 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And the target is formed on a surface facing the substrate and comprises an embossing pattern for releasing the metal ions at various angles. 제 5 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방 향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The embossing pattern is a sputtering apparatus, characterized in that the pattern in the first direction and the pattern in the second direction adjacent to the first direction are formed in a zigzag form. 제 5 항 또는 제 7 항에 있어서, The method according to claim 5 or 7, 상기 엠보싱 패턴은,The embossing pattern, 상기 타겟의 표면에 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부와,A plurality of protrusions formed on the surface of the target at regular intervals, 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And a plurality of grooves formed between the plurality of protrusions. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 복수의 돌출부 및 복수의 홈부는 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The sputtering device, characterized in that the plurality of protrusions and the plurality of grooves in the form of an arc. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 반도체 패턴은 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.Sputtering apparatus, characterized in that the semiconductor pattern comprises an inclined surface. 분말 형태의 금속재료를 마련하는 단계;Preparing a metal material in powder form; 상기 금속재료를 성형 틀에 충진하는 단계; 및 Filling the metal mold into a mold; And 엠보싱 패턴이 형성된 프레스로 상기 성형 틀에 충진된 상기 금속재료를 압축 및 소결하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법.And a step of compressing and sintering the metal material filled in the mold by an embossing pattern formed press. 제 12 항에 있어서, The method of claim 12, 상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법.The embossing pattern is a method of manufacturing a sputtering target, characterized in that the pattern in the first direction and the pattern in the second direction adjacent to the first direction is formed in a zigzag form. 제 12 항에 있어서, The method of claim 12, 상기 엠보싱 패턴은,The embossing pattern, 상기 타겟의 표면에 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부와,A plurality of protrusions formed on the surface of the target at regular intervals, 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법.And a plurality of grooves formed between the plurality of protrusions. 제 14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 복수의 돌출부 및 복수의 홈부는 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법.The plurality of protrusions and the plurality of grooves is a method of manufacturing a sputtering target, characterized in that the arc shape. 엠보싱 패턴이 형성된 타겟을 마련하는 단계;Providing a target having an embossed pattern formed thereon; 상기 타겟과 마주보도록 설치된 스테이지에 반도체 패턴이 형성된 기판을 공급하는 단계; 및 Supplying a substrate on which a semiconductor pattern is formed to a stage provided to face the target; And 플라즈마 방전을 이용하여 상기 타겟에서 금속이온을 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.Sputtering method comprising forming a conductive film on the substrate by releasing metal ions from the target using plasma discharge. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 금속이온은 상기 타겟에서 다각도로 방출됨을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.The metal ion is sputtering method, characterized in that the emission from the target in multiple angles. 스테이지에 반도체 패턴이 형성된 기판을 공급하는 단계; 및 Supplying a substrate having a semiconductor pattern formed on the stage; And 상기 기판과 마주보도록 설치된 타겟에서 금속이온을 다각도로 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.And forming a conductive film on the substrate by releasing metal ions at various angles from a target installed to face the substrate. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 금속이온은 상기 타겟의 표면에 형성된 엠보싱 패턴에 의해 다각도로 방출됨을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.The metal ion is sputtered method characterized in that the emission by the embossed pattern formed on the surface of the target in multiple angles. 제 16 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 16 or 18, 상기 반도체 패턴은 경사면을 포함하며,The semiconductor pattern includes an inclined surface, 상기 도전막은 상기 반도체 패턴의 경사면을 포함하도록 상기 기판에 형성됨을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.And the conductive film is formed on the substrate to include an inclined surface of the semiconductor pattern.
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