JP4057287B2 - Manufacturing method of erosion profile target - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)が良好であり、パーティクルの発生が少なく、スパッタリング中のターゲットの変形がなく、さらにターゲットの寿命が長いエロージョンプロファイルターゲットの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
スパッタリングによる薄膜の形成方法は、各種の電子・電気部品等の製造に広範囲に使用されている。
スパッタリング法は、陽極となる基板と陰極となるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
【0003】
現在、スパッタリングの多くは、いわゆるマグネトロンスパッタリングと呼ばれている方法が使用されている。マグネトロンスパッタリング法は、ターゲットの裏側に磁石をセットしターゲット表面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリングを行なう方法であり、このような直交電磁界空間内ではプラズマの安定化および高密度化が可能であり、スパッタ速度を大きくすることができるという特徴を有している。
【0004】
一般に、マグネトロンスパッタリングは磁界中に電子を捕らえて、効率よくスパッタガスを電離するが、マグネットの構造や種類、さらにはスパッタ条件、ターゲットの材質(特に非磁性材又は磁性材)、スパッタ装置の種類等によって、スパッタリング中の、ターゲットの侵食(エロージョン)のされ方が異なり、均一なエロージョンがなされない。これは、マグネトロンスパッタリング法に限らず、他のスパッタリング法においても同様である。
ターゲットは最も深くエロージョンされたところが限界に達したところで寿命となり、新規なターゲットと交換される。一般に、ターゲットは平板状に形成されているが、このようなターゲットは比較的寿命が短いという欠点を持っている。
【0005】
また、ターゲットが局所的に深くエロージョンされると、スパッタリングが均一に起こらず、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)が悪化し、また突起部又は角部でパーティクルが増大するという問題も発生するようになる。
しかも、スパッタリング操作中の、このようなターゲット形状の変化は、ターゲットそのものに残留歪や変形をもたらし、ターゲット自体にひびや割れを発生したり、バッキングプレートから剥離して冷却が十分でなくなり、異常放電やパーティクルがさらに増大する等の問題が生ずるようになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題または欠点に鑑みてなされたもので、ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にするとともに、パーティクルの発生が少なく、スパッタリング中のターゲットの変形がなく、さらにはターゲットの寿命が長いエロージョンプロファイルターゲットの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明者はスパッタリング用ターゲットの形状に着目し、エロージョンを予想したターゲット形状とし、ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、スパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にするとともに、パーティクルの発生が少なく、スパッタリング中のターゲットの変形がなく、さらにはターゲットの寿命を長くすることができるとの知見を得た。なお、本明細書で使用する「エロージョンプロファイルターゲット」は、このように、エロージョンを想定した形状を持つターゲットを意味するものである。
【0008】
本発明は、上記知見に基づき、
1.平板状のターゲットのスパッタリングによるエロージョン形状及び深さに基づいて、エロージョン形状及び深さに相当する分、ターゲットの厚さを厚くするターゲットの製造方法であって、厚さd0の平板状ターゲットのスパッタリングによるエロージョンの最大深さをdmaxとしたとき、dmaxに比例定数を掛けた値のd0に対する比が0.1〜0.5になるように、ターゲットの厚さ増加分に対して同じ比例定数を掛けて、ターゲットの厚さを厚くするエロージョンプロファイルターゲットの製造方法、を提供する。
【0009】
(削除)
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、エロージョンプロファイルターゲットの製造方法に関するものであるが、製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、スパッタリングによって深くエロージョンされるターゲットの領域を、それ以外の平行な部分の厚さの1.5倍以内で厚い構造を有している。これによって、選択的に深くエロージョンされる部位のターゲット厚さ減少量を他の部位とほぼ同程度にするものである。
このような厚さを不均一にしたエロージョンプロファイルターゲットは、ターゲットの寿命を長くすることができ、さらにスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にすることができる。
また、このようなエロージョンプロファイルターゲットは、従来の平板状ターゲットに比べて極端な最深部の形成がなくなり、平均化した侵食形態となるので、パーティクルの発生が少なく、さらにスパッタリング中のターゲットの変形がないという特徴を有する。エロージョンされるターゲットの領域を、それ以外の平行な部分の厚さの1.5倍以内で厚くするが、これを超える厚さは、スパッタリング初期において、膜のユニフォーミティが悪くなる傾向にあるので、最大1.5倍の厚さにすることが望ましい。
【0011】
本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、ターゲット表面が連続に変化した、なだらかな起伏を持たせることが望ましい。これによって、スパッタリング操作中の極端な突起や角部の発生が少なくなり、異常放電やパーティクルの発生がより減少し、良好なスパッタリングが維持できる。
本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットが円盤状ターゲットである場合、同心円状に2つのリング状凸部を有し、内側のリング状凸部の方が外側のリング状凸部の厚さよりも厚い形状とすることができる。
一般に、多く使用されているマグネトロンスパッタリングでは、上記のようにエロージョン部が同心円状に2個のリング状に形成されることが多く、特に内側のリング状凸部が外側のリング状凸部よりも厚い形状とすることによって安定したスパッタリングができ、膜のユニフォーミティをより均一にすることができる。
【0012】
また、本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、スパッタリングによって深くエロージョンされるターゲット領域及びその近傍の表面粗さを、Ra≦1.0μmとし、その他のエロージョンの激しくない部分の表面粗さを、10μm≦Ra≦20μmとすることが望ましい。
10μm≦Ra≦20μmは表面粗化部であることを意味する。ターゲットにおけるエロージョン部は、主として特定の個所のみであり、それ以外はエロージョンされることは少ない。このような場合、リデポ膜がこのような非エロージョン部に付着・堆積し、それが剥がれて浮遊し、パーティクル発生の原因となることがある。したがって、上記非エロージョン部については、付着したリデポ膜が剥がれないようにする方が、むしろ望ましいと言える。
以上から、10μm≦Ra≦20μmの表面粗化部は、このようなリデポ膜の剥離を防止する上で効果的である。
【0013】
また、本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、該ターゲットの側面を傾斜させ、その傾斜角を水平面に対して60°以上とする。この角度を調整することによって、ターゲット角部のスパッタリングによる温度変化を少なくし、リデポ膜の剥がれを防止することができる。
さらに、スパッタリングターゲットの側面が2つの傾斜を持ち、外側の傾斜が水平面に対して60°以上であり、内側の傾斜が水平面に対して20°〜60°であることが望ましい。これによって、付着力の弱いリデポ膜の形成を効果的に防止することができる。上記ターゲット側面の工夫は、寿命の長いエロージョンプロファイルターゲットにおいて特に有効である。
【0014】
また、本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、ターゲットの側面の表面粗さを10μm≦Ra≦20μmに粗化面とすることが望ましい。これによって、ターゲットの側面にリデポ膜が付着・堆積し、それが剥がれて浮遊し、パーティクル発生となることを防止できる。この剥離防止には、10μm≦Ra≦20μmの表面粗化部を有することが良い。
本発明のスパッタリングターゲットは、旋盤などの機械加工が可能なアルミニウム、銅、タンタル、チタン、ニッケル、コバルト、ルテニウム、タングステン、ロジウム、又はこれらの合金に適用できる。マグネトロンスパッタリングを使用して、薄膜を形成する磁性材ターゲットにも有効である。
【0015】
本発明のエロージョンプロファイルターゲットとバッキングプレートとの組立構造体を作製する場合、スパッタリングターゲットの側面がバッキングプレートに埋め込まれた構造とすることができる。厚さ増加分程度の埋め込み深さが適切である。
磁性材ターゲットについては、その特性からターゲットをなるべく薄くしてスパッタ効率を上げる必要があるが、強度的にそれだけ弱くなる傾向がある。したがって、ターゲットをバッキングプレートに埋め込まれた構造とすることによって、ターゲットの変形や割れの発生を防止し、弱点を補強することができる。
また、バッキングプレートは冷却媒体を循環させる構造を有しているが、このように、ターゲットをバッキングプレートに埋め込まれた構造とすることにより、著しく冷却効率を高めることができる。したがって、よりハイパワーのスパッタリングが可能であり、その目的に応じて、この構造を採用することができる。
【0016】
本発明のエロージョンプロファイルターゲットの製造に際しては、予め平板状のターゲットをスパッタリングし、その時のエロージョン形状及び深さを調べ、それに基づいて、ターゲットの厚さ調節することができる。
この場合、厚さd0の平板状ターゲットのスパッタリングによるエロージョンの最大深さをdmaxとした場合、0.1≦dmax/d0≦0.5になるように、厚さ増加分の比例定数を掛けて、その分ターゲットの厚さを厚くすることができる。
0.1≦dmax/d0≦0.5の条件はターゲットを厚くする場合の上限値と下限値であり、0.1未満では効果がなく、また0.5を超える場合にはスパッタリング初期において、むしろ膜のユニフォーミティが悪くなる虞があるので、上記の範囲とすることが望ましい。
これによって、ターゲットの材料の種類により変化するというエロージョンの相違があっても、固有のターゲットエロージョンに応じてエロージョンプロファイルターゲットを容易に製造することができる。
【0017】
次に、実施例に基づいて本発明を説明する。なお、以下の実施例は発明を容易に理解できるようにするためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく他の例又は変形は、当然本発明に含まれるものである。
【0018】
(実施例1)
図1に示すように、まず直径300mm、厚さ10.0mm(d0)の平板状Tiターゲット1をマグネトロンスパッタリングした。スパッタ条件は、スパッタパワー15kWで1500kWhに至るまでスパッタリングを行った。
図1の(イ)に示すスパッタリング後のターゲットのエロージョンプロファイル2を、三次元測定器にて中心腺上を等間隔で61ポイント測定した。
最大エロージョン深さ(dmax)は、4.50mmであった。次に、図1の(ロ)に示すように、このエロージョンプロファイル2の凹凸を逆さにして、このdmax/d0の値が0.35になるように、比例定数0.78をかけて表面形状を調整した。半円分の31ポイントの位置データをNC旋盤に入力して、最大厚さが13.5mmのTiターゲットを作製した。図1の(ハ)は、表面形状を調整した後のエロージョンプロファイルターゲット3を示す。符号4はバッキングプレートを示す。
このエロージョンプロファイルターゲット3は、同じスパッタパワーで、平板状ターゲットと比べて、1.5倍程度の長い間スパッタリングすることができた。
【0019】
(実施例2)
図2に示すように、本発明のターゲット5をバッキングプレート6に3.5mmだけ埋め込んだ構造とし、側面の第一傾斜7を60°、第二傾斜8を30°として、さらにこの傾斜部付近に対して12μmRaの表面粗化処理を行ったところ、パーティクル発生数は平板状ターゲットより少なく抑えることができた。
【0020】
(ターゲット形状のその他の例)
図3に本発明の製造方法によって製造された他のターゲット例を示す。図3Aは、外側リング状凸部が内側のリング状部よりも厚い例を示す。図3Bは、外側リング状凸部が内側のリング状部よりも厚く、さらに中央部にも凸部がある例を示す。図3Cは、同心円状に3つのリング状凸部がある例を示す。図3Dは、中央に凸部があり、この凸部が他のリング状凸部よりも厚みが大である例を示す。
ターゲットエロージョンはスパッタ装置のマグネット構造等に影響を受けるが、上記の例に示すように、固有のエロージョンプロファイルに応じてターゲットの形状を適宜設計することができる。
【0021】
【発明の効果】
本発明の製造方法によって製造されたエロージョンプロファイルターゲットは、該ターゲットの寿命を長くすることができるとともに、スパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にすることができ、またパーティクルの発生が少なくかつスパッタリング中のターゲットの変形が少ないという優れた効果を有する。
さらに、ターゲットの材料の種類により変化するというエロージョンの相違があっても、固有のターゲットエロージョンに応じてエロージョンプロファイルターゲットを容易に製造することができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(イ)平板状ターゲットのエロージョンプロファイルを示す説明図、(ロ)エロージョンプロファイルの凹凸を逆さにした状態の説明図、(ハ)表面形状を調整した後のエロージョンプロファイルターゲットを示す説明図である。
【図2】側面が2つの傾斜を持つスパッタリングターゲットの説明図である。
【図3】ターゲット形状の他の例(A〜D)を示す断面説明図である。
【符号の説明】
1: 平板状ターゲット
2: エロージョンプロファイル
3: 表面形状を調整した後のエロージョンプロファイルターゲット
4: バッキングプレート
5: 本発明のターゲット
6: 本発明のターゲットを埋め込んだバッキングプレート
7: 側面の第一傾斜
8: 側面の第二傾斜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a film uniformity (film thickness uniformity) that is good throughout the sputtering life of the target, produces less particles, does not deform the target during sputtering, and has a long target life . It relates to the production method.
[0002]
[Prior art]
Thin film forming methods by sputtering are widely used in the production of various electronic and electrical components.
In the sputtering method, a substrate serving as an anode and a target serving as a cathode are opposed to each other, and an electric field is generated by applying a high voltage between these substrate and target in an inert gas atmosphere. Electrons and inert gas collide to form a plasma. The cations in the plasma collide with the target surface and strike target atoms, and the ejected atoms adhere to the opposing substrate surface to form a film. This is based on the principle that
[0003]
Currently, most of sputtering uses a so-called magnetron sputtering method. Magnetron sputtering is a method in which a magnet is set on the back side of a target and a magnetic field is generated in the direction perpendicular to the electric field on the target surface to perform sputtering. In such an orthogonal electromagnetic field space, plasma stabilization and densification are achieved. It is possible to increase the sputtering rate.
[0004]
In general, magnetron sputtering captures electrons in a magnetic field and efficiently ionizes the sputtering gas, but the structure and type of the magnet, as well as the sputtering conditions, the target material (especially non-magnetic or magnetic material), and the type of sputtering equipment The target erosion (erosion) is different during sputtering, and uniform erosion is not achieved. This applies not only to the magnetron sputtering method but also to other sputtering methods.
The target reaches the end of its life when the deepest erosion is reached and is replaced with a new target. In general, the target is formed in a flat plate shape, but such a target has a disadvantage that its life is relatively short.
[0005]
In addition, when the target is locally deeply eroded, sputtering does not occur uniformly, the film uniformity (thickness uniformity) deteriorates, and there is a problem that particles increase at protrusions or corners. To come.
Moreover, such a change in the target shape during the sputtering operation causes residual distortion and deformation in the target itself, which causes cracks and cracks in the target itself, or peels off from the backing plate, resulting in insufficient cooling and abnormalities. Problems such as further increase in discharge and particles occur.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above problems or disadvantages, and improves the film uniformity (film thickness uniformity) throughout the sputtering life of the target, and the generation of particles is small. An object of the present invention is to provide a method for producing an erosion profile target with no deformation of the target and with a long target life.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor pays attention to the shape of the target for sputtering, sets the target shape to which erosion is expected, and performs sputtering using the target, so that the uniformity of the film (thickness of the film thickness) is increased. The present inventors have found that (uniformity) is good, the generation of particles is small, the target is not deformed during sputtering, and the life of the target can be extended. Note that the “erosion profile target” used in this specification means a target having a shape that assumes erosion.
[0008]
The present invention is based on the above findings.
1. Plate-shaped based by sputtering targets erosion shape and depth, the amount corresponding to the erosion shape and depth, a target manufacturing method of increasing the thickness of the target, the thickness d 0 of the flat target when the maximum depth of erosion by sputtering and dmax, as the ratio d 0 of a value obtained by multiplying a proportional constant dmax is 0.1 to 0.5, the same proportion to the target thickness increase An erosion profile target manufacturing method for multiplying a constant to increase a target thickness is provided.
[0009]
(Delete)
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an erosion profile target, and the manufactured erosion profile target is within 1.5 times the thickness of the other parallel portion of the target area deeply eroded by sputtering. It has a thick structure . As a result, the target thickness reduction amount of the portion that is selectively deeply eroded is made substantially the same as other portions.
Such an erosion profile target having a non-uniform thickness can extend the life of the target and can improve the film uniformity (film thickness uniformity) through the sputtering life.
Further, such an erosion profile target eliminates the formation of the extreme deepest part compared to the conventional flat target, and becomes an averaged erosion form, so that the generation of particles is small, and the deformation of the target during sputtering is further reduced. It has the feature of not. The target area to be eroded is thickened within 1.5 times the thickness of the other parallel parts, but if the thickness exceeds this, the film uniformity tends to deteriorate at the initial stage of sputtering. The maximum thickness is preferably 1.5 times.
[0011]
It is desirable that the erosion profile target manufactured by the manufacturing method of the present invention has a gentle undulation with the target surface continuously changing. As a result, the occurrence of extreme protrusions and corners during the sputtering operation is reduced, the occurrence of abnormal discharge and particles is further reduced, and good sputtering can be maintained.
When the erosion profile target manufactured by the manufacturing method of the present invention is a disk-shaped target, it has two ring-shaped convex portions concentrically, and the inner ring-shaped convex portion is thicker than the outer ring-shaped convex portion. It can be made thicker than the thickness.
In general, in magnetron sputtering that is often used, the erosion part is often formed in two rings concentrically as described above, and the inner ring-shaped convex part is more particularly than the outer ring-shaped convex part. By making it thick, stable sputtering can be performed, and the uniformity of the film can be made more uniform.
[0012]
In addition, the erosion profile target manufactured by the manufacturing method of the present invention has a surface roughness Ra ≦ 1.0 μm in the target region deeply eroded by sputtering and the vicinity thereof, and the surface roughness of other portions where erosion is not severe. The thickness is preferably 10 μm ≦ Ra ≦ 20 μm.
10 μm ≦ Ra ≦ 20 μm means a surface roughened portion. The erosion part in the target is mainly only at a specific portion, and erosion is rare in other parts. In such a case, the redeposition film may adhere to and accumulate on such a non-erosion part, and it may peel off and float, which may cause generation of particles. Therefore, it can be said that it is more desirable for the non-erosion part to prevent the attached redepo film from peeling off.
From the above, the surface roughened portion of 10 μm ≦ Ra ≦ 20 μm is effective in preventing such peeling of the redeposite film.
[0013]
Moreover, the erosion profile target manufactured by the manufacturing method of this invention inclines the side surface of this target, and makes the inclination | tilt angle 60 degrees or more with respect to a horizontal surface. By adjusting this angle, it is possible to reduce the temperature change due to sputtering at the target corner and prevent the redeposition film from peeling off.
Further, it is desirable that the side surface of the sputtering target has two inclinations, the outer inclination is 60 ° or more with respect to the horizontal plane, and the inner inclination is 20 ° to 60 ° with respect to the horizontal plane. Thereby, the formation of a redepo film having a weak adhesion can be effectively prevented. The contrivance of the target side surface is particularly effective for an erosion profile target having a long lifetime.
[0014]
In addition, the erosion profile target manufactured by the manufacturing method of the present invention preferably has a roughened surface with a surface roughness of 10 μm ≦ Ra ≦ 20 μm on the side surface of the target. As a result, it is possible to prevent the redeposition film from adhering and depositing on the side surface of the target, peeling off and floating, and generating particles. In order to prevent this peeling, it is preferable to have a surface roughened portion of 10 μm ≦ Ra ≦ 20 μm.
The sputtering target of the present invention can be applied to aluminum, copper, tantalum, titanium, nickel, cobalt, ruthenium, tungsten, rhodium, or alloys thereof that can be machined such as a lathe. It is also effective for a magnetic material target for forming a thin film by using magnetron sputtering.
[0015]
When the assembly structure of the erosion profile target and the backing plate according to the present invention is manufactured, the side surface of the sputtering target can be embedded in the backing plate. An embedding depth corresponding to the thickness increase is appropriate.
Regarding the magnetic material target, it is necessary to increase the sputtering efficiency by making the target as thin as possible because of its characteristics, but there is a tendency that the strength is weakened accordingly. Therefore, the structure in which the target is embedded in the backing plate can prevent the target from being deformed or cracked, and can reinforce the weak point.
Further, the backing plate has a structure in which the cooling medium is circulated, but the cooling efficiency can be remarkably increased by making the target embedded in the backing plate in this way. Therefore, higher power sputtering is possible, and this structure can be adopted depending on the purpose.
[0016]
In manufacturing the erosion profile target of the present invention, a flat target is sputtered in advance, and the erosion shape and depth at that time are examined, and based on this, the thickness of the target can be adjusted.
In this case, when the maximum depth of erosion by sputtering of a flat target having a thickness of d 0 is dmax, the proportional constant for the increase in thickness is set so that 0.1 ≦ dmax / d 0 ≦ 0.5. By multiplying, the target thickness can be increased accordingly.
The condition of 0.1 ≦ dmax / d 0 ≦ 0.5 is the upper limit value and the lower limit value when the target is thickened, and if it is less than 0.1, there is no effect, and if it exceeds 0.5, in the initial stage of sputtering. Rather, since the uniformity of the film may be deteriorated, the above range is desirable.
Accordingly, even if there is a difference in erosion that varies depending on the type of target material, an erosion profile target can be easily manufactured according to the specific target erosion.
[0017]
Next, the present invention will be described based on examples. In addition, the following examples are for making the invention easily understood, and the present invention is not limited to these examples. That is, other examples or modifications based on the technical idea of the present invention are naturally included in the present invention.
[0018]
Example 1
As shown in FIG. 1, a flat plate Ti target 1 having a diameter of 300 mm and a thickness of 10.0 mm (d 0 ) was first magnetron sputtered. Sputtering was performed at a sputtering power of 15 kW up to 1500 kWh.
The erosion profile 2 of the target after sputtering shown in FIG. 1A was measured at 61 points on the central gland with a three-dimensional measuring device at equal intervals.
The maximum erosion depth (dmax) was 4.50 mm. Next, as shown in (b) FIG. 1, the unevenness of the erosion profile 2 by inversion, so that the value of this dmax / d 0 is 0.35, over proportionality constant 0.78 surface The shape was adjusted. The position data of 31 points for a semicircle was input to an NC lathe to produce a Ti target with a maximum thickness of 13.5 mm. (C) of FIG. 1 shows the erosion profile target 3 after adjusting the surface shape. Reference numeral 4 denotes a backing plate.
This erosion profile target 3 was able to be sputtered with the same sputtering power for about 1.5 times longer than the flat target.
[0019]
(Example 2)
As shown in FIG. 2, the
[0020]
(Other examples of target shapes)
FIG. 3 shows another target example manufactured by the manufacturing method of the present invention. FIG. 3A shows an example in which the outer ring-shaped convex portion is thicker than the inner ring-shaped portion. FIG. 3B shows an example in which the outer ring-shaped convex portion is thicker than the inner ring-shaped convex portion, and the central portion also has a convex portion. FIG. 3C shows an example in which there are three ring-shaped convex portions concentrically. FIG. 3D shows an example in which there is a convex portion at the center, and this convex portion is thicker than other ring-shaped convex portions.
The target erosion is affected by the magnet structure of the sputtering apparatus, but as shown in the above example, the shape of the target can be appropriately designed according to the specific erosion profile.
[0021]
【The invention's effect】
The erosion profile target manufactured by the manufacturing method of the present invention can extend the life of the target, improve the film uniformity (film thickness uniformity) through the sputtering life, It has the excellent effect that there is little generation | occurrence | production and there is little deformation | transformation of the target during sputtering.
Furthermore, even if there is a difference in erosion that varies depending on the type of target material, an erosion profile target can be easily manufactured according to the specific target erosion.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is an explanatory diagram showing an erosion profile of a flat target, FIG. 1B is an explanatory diagram showing the erosion profile with the irregularities inverted, and FIG. 1C is an explanatory diagram showing the erosion profile target after the surface shape is adjusted. FIG.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a sputtering target having two inclined side surfaces.
FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing other examples (A to D) of the target shape.
[Explanation of symbols]
1: flat target 2: erosion profile 3: erosion profile target after adjusting the surface shape 4: backing plate 5: target 6 of the present invention: backing plate 7 embedded with the target of the present invention 7: first inclined surface 8 : Second side slope
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001365938A JP4057287B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Manufacturing method of erosion profile target |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001365938A JP4057287B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Manufacturing method of erosion profile target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003166054A JP2003166054A (en) | 2003-06-13 |
JP4057287B2 true JP4057287B2 (en) | 2008-03-05 |
Family
ID=19175908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001365938A Expired - Lifetime JP4057287B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Manufacturing method of erosion profile target |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4057287B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8795486B2 (en) * | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
JP4811324B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-11-09 | 東ソー株式会社 | Sputtering target |
CN105154836A (en) * | 2015-09-18 | 2015-12-16 | 有研亿金新材料有限公司 | High-performance ferromagnetic sputtering target material |
US11244815B2 (en) * | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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