KR20070102949A - Coating and developing apparatus, control method of coating and developing apparatus and recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
도1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 일 실시 형태를 도시하는 평면도.1 is a plan view showing one embodiment of the coating and developing apparatus of the present invention.
도2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 외관 사시도.Fig. 2 is an external perspective view showing the coating and developing apparatus.
도3은 상기 도포, 현상 장치의 레이아웃의 개략을 도시하는 측면도.Fig. 3 is a side view showing the outline of the layout of the coating and developing apparatus.
도4는 상기 도포, 현상 장치의 기판의 흐름을 설명하는 설명도.4 is an explanatory diagram illustrating a flow of a substrate of the coating and developing apparatus;
도5는 본 발명에 있어서, 검사 스테이션 내의 기판의 움직임을 나타내는 반송 스케줄의 시뮬레이션을 도시하는 설명도.5 is an explanatory diagram showing a simulation of a conveyance schedule showing the movement of the substrate in the inspection station in the present invention.
도6은 비교예에 있어서, 검사 스테이션 내의 기판의 움직임을 나타내는 반송 스케줄의 시뮬레이션을 도시하는 설명도.FIG. 6 is an explanatory diagram showing a simulation of a conveyance schedule showing movement of a substrate in an inspection station in a comparative example; FIG.
도7은 상기 반송 스케줄의 하나의 사이클에 있어서, 검사 모듈 및 전달 모듈의 준비 신호와 기판의 움직임을 대응시킨 설명도.Fig. 7 is an explanatory diagram in which movements of a substrate and a preparation signal of an inspection module and a delivery module are correlated in one cycle of the transfer schedule.
도8은 상기 반송 스케줄의 하나의 사이클에 있어서, 검사 모듈 및 전달 모듈의 준비 신호와 기판의 움직임을 대응시킨 설명도.Fig. 8 is an explanatory diagram in which movements of a substrate and a preparation signal of an inspection module and a delivery module are correlated in one cycle of the transfer schedule.
도9는 종래의 도포, 현상 장치에 있어서의 기판의 흐름을 설명하는 평면도.9 is a plan view illustrating the flow of a substrate in a conventional coating and developing apparatus.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
W : 웨이퍼W: Wafer
C : 카세트C: Cassette
21 : 카세트 스테이션21: cassette station
24 : 전달 아암24: delivery arm
26A, 26B : 메인 아암26A, 26B: main arm
40 : 검사 스테이션40: inspection station
4 : 반송 아암4: carrier arm
TRSa 내지 TRSd : 전달 모듈TRSa to TRSd: Delivery Module
TRS1 내지 TRS4 : 전달 모듈TRS1 to TRS4: Delivery Module
E1 내지 E3 : 검사 모듈E1 to E3: inspection module
200 : 제어부200: control unit
S1 : 처리 스테이션S1: processing station
[문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-175052(단락 0042, 도4) [Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2005-175052 (paragraph 0042, Fig. 4)
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판에 대해 기판의 세정 처리나 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법에 관한 것이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applied to a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display), for example, a coating treatment, a developing apparatus and a coating method, and a developing method for performing a cleaning treatment of a substrate, a coating treatment of a resist liquid, and a development treatment after exposure. It is about.
반도체 디바이스나 LCD 기판 등의 기판에 대해 레지스트액을 도포하고, 포토마스크를 이용하여 그 레지스트막을 노광하고, 그것을 현상시킴으로써 원하는 레지스트 패턴을 기판 상에 제작하는 일련의 처리는 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.A series of processes of applying a resist liquid to a substrate such as a semiconductor device or an LCD substrate, exposing the resist film using a photomask, and developing it to produce a desired resist pattern on the substrate involves application or development of the resist liquid. It is performed using the system which connected the exposure apparatus to the application | coating performed and developing apparatus.
도포, 현상 장치는 웨이퍼 카세트가 적재되고, 이 웨이퍼 카세트 사이에서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 전달을 행하는 전달 아암을 구비한 카세트 스테이션과, 웨이퍼에 대해 레지스트의 도포나 현상 처리를 행하는 처리 스테이션과, 노광 장치에 접속되는 인터페이스 스테이션을 일렬로 배열하여 구성되어 있다.The coating and developing apparatus includes a cassette station equipped with a transfer arm for loading a wafer cassette, transferring semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) between the wafer cassettes, and processing for applying or developing a resist to the wafer. The station and the interface stations connected to the exposure apparatus are arranged in a row.
그리고, 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해서는 소정의 검사, 예를 들어 레지스트 패턴의 선폭, 레지스트 패턴과 기초 패턴의 중합 상태 및 현상 결함 등의 검사가 행해져 합격으로 판정된 기판만이 다음 공정에 이송된다. 이와 같은 검사는 도포, 현상 장치와는 별개로 마련된 독립형의 검사 장치에 의해 행해질 경우가 많지만, 도포, 현상 장치 내에 검사 장치를 마련하는 인라인 시스템을 채용한 쪽이 편리하다.Then, for the substrate on which the resist pattern is formed, predetermined inspection, for example, inspection of the line width of the resist pattern, the polymerization state of the resist pattern and the base pattern, development defects, and the like is performed, and only the substrate determined to pass is transferred to the next step. Such inspection is often performed by an independent inspection apparatus provided separately from the coating and developing apparatus, but it is more convenient to adopt an inline system in which the inspection apparatus is provided in the coating and developing apparatus.
따라서, 문헌 1에는 카세트 스테이션과 처리 스테이션 사이에 복수의 검사 장치와 반송 아암을 구비한 검사 스테이션을 개재시킨 구성이 기재되어 있다. 여기에 기재되어 있는 시스템은 카세트 스테이션으로부터 검사 스테이션을 통해 처리 스테이션에 기판을 반송하고, 처리를 끝낸 기판을 일단 카세트 스테이션의 카세트 내에 복귀한 후, 여기서부터 기판을 검사 스테이션에 반송하여 검사를 행하는 것이다.Therefore,
도9는, 이와 같은 시스템을 실제로 구축한 경우의 구성예를 도시하고 있다. 도9는 도포, 현상 장치를 평면적으로 본 개략도이며, 부호 11은 카세트 스테이션, 12는 검사 스테이션, 13은 처리 스테이션, 14는 노광 장치에 접속되는 인터페이스 스테이션이다. 또한, C는 웨이퍼 카세트, 부호 15는 카세트 스테이션(11) 내의 전달 아암, 16은 검사 스테이션 내의 반송 아암이다. TRSa, TRSb, TRSc 및 TRSd는 전달 모듈, E1, E2 및 E3은 검사 모듈이며, 이들은 편의상 평면으로 전개되어 있지만, 예를 들어 전달 모듈은 4단 구성으로 되고, 검사 모듈은 3단 구성으로 한다.Fig. 9 shows an example of the configuration when such a system is actually constructed. 9 is a schematic view of a coating and developing apparatus in plan view, with reference numeral 11 a cassette station, 12 an inspection station, 13 a processing station, and 14 an interface station connected to an exposure apparatus. In addition, C is a wafer cassette, 15 is a delivery arm in the
도9의 도포, 현상 장치에 있어서는 카세트(C) 내의 웨이퍼는 전달 아암(15) → TRSa → 반송 아암(16) → 처리 스테이션(13)의 경로로 반송된다. 그리고, 웨이퍼는 처리 스테이션(13)에 의해 레지스트 도포에 필요한 여러 가지의 처리가 각 모듈로 행해지고, 인터페이스 스테이션(14)으로부터 노광 장치에 불출되어, 다시 처리 모듈(13)로 복귀하고, 현상 처리에 필요한 여러 가지의 처리가 모듈에 의해 행해진다. 그 후, 웨이퍼는 반송 아암(16) → TRSb → 반송 아암(15) → 카세트(C)로 복귀된다.In the application | coating and developing apparatus of FIG. 9, the wafer in the cassette C is conveyed by the path of the
이 경우, 카세트(C) 내의 웨이퍼에는 처리되는 순서가 결정되어 있고, 예를 들어 13매 수납용의 웨이퍼이면, 1번에서 13번까지 할당되어 있다. 그리고, 1번으로부터 순서대로 처리 스테이션(13)에 반송되고, 미리 결정된 모듈을 순서대로 이동해 간다. 처리 스테이션(13) 내의 반송 아암(메인 아암)은, 미리 설정된 일련의 모듈 사이를 순서대로 주기적으로 이동하는 사이클 반송을 행하고, 이에 의해 웨이퍼가 순서대로 이동해 가게 된다. 또한, 메인 아암은 2매의 아암에 의해 모듈 내 의 웨이퍼를 교환하는 동작을 행한다. 메인 아암의 반송로를 순환로라 부르는 것으로 하면, 반송 아암이 순환로를 일주하는 사이클 타임이 미리 결정되어 있고, 또한 다음에 복귀하는 동작 및 번호가 큰 웨이퍼[후에 카세트(C)로부터 취출된 웨이퍼]가 번호가 작은 웨이퍼[먼저 카세트(C)로부터 취출된 웨이퍼]를 추월하여 반송하는 동작은 행해지지 않는다. 이와 같은 동작을 금지하고 있는 것은, 반송 프로그램이 매우 번잡하게 되어 현실적이지 않기 때문이다.In this case, the order to be processed is determined for the wafer in the cassette C. For example, in the case of a wafer for storing 13 sheets,
한편 카세트(C)로 복귀된 웨이퍼는 전체 수 혹은 선택된 웨이퍼가 전달 아암(15)에 의해 전달 모듈(TRSc)에 불출되고, 반송 아암(16)에 의해 검사 모듈에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 중에는 예를 들어 검사 모듈(E1)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E2)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E3)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E2)에 계속되어 검사 모듈(E3)을 행하는 것 등이 있다. 검사 스테이션(12) 내의 웨이퍼의 반송에 있어서도, 처리 스테이션(13) 내의 사이클 반송과 마찬가지인 방법이 채용되어 있고, 상기 사이클 반송에 동기하여 행해지고 있었다.On the other hand, in the wafer returned to the cassette C, the total number or selected wafers are sent out to the transfer module TRSc by the
그런데, 전달 모듈(TRSa)의 웨이퍼는 처리 스테이션(13) 내의 메인 아암이 수취하는 전달 모듈(도시 생략)에, 상기 메인 아암이 수취할 때까지 놓여져 있는 것이 필요하다. 그렇지 않으면 메인 아암이 수취하지 못한 채 먼저 진행되고, 상기 웨이퍼의 반송이 1사이클만큼 지연되어 버리기 때문이다.By the way, the wafer of the transfer module TRSa needs to be placed in the transfer module (not shown) which the main arm in the
따라서, 검사 스테이션(12) 내의 반송 아암(16)에 있어서는 전달 모듈(TRSa 및 TRSb)과 처리 스테이션(12) 사이의 웨이퍼의 반송을 최우선할 필요가 있다. 그렇게 하면 반송 아암(16)에 있어서는 사이클 반송으로 행할 경우에는, 전달 모 듈(TRSa 혹은 TRSb)에 대한 웨이퍼의 반송을 끝낸 후, 전달 모듈(TRSc), 검사 모듈(E1, E2, E3 및 TRSd)을 순서대로 반송하게 되므로, 예를 들어 검사 모듈(E1, E2)에 의해 동시에 검사가 종료되면, 그 중 한쪽의 웨이퍼는 검사 모듈(E1, E2) 내에 의해 1사이클만큼 대기하게 된다.Therefore, in the
그렇게 하면 검사 흐름의 처리량이 저하되므로, 본 발명자는 메인 아암에 대해 반송 아암(16)을 비동기식으로 동작시키는 것을 검토하고 있다. 이 경우에는, 반송 아암(16)은 전달 모듈(TRSa)로부터 준비 신호가 출력되었을 때 혹은 처리 스테이션(13)의 전달 모듈에 처리 종료의 웨이퍼가 놓여져 여기서부터 준비 신호가 출력 되었을 때에는 우선적으로 처리 스테이션으로의 불출 반송 혹은 처리 스테이션으로부터의 취입 반송을 행하고, 그 이외일 때에는 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대한 전달에 전념할 수 있어 유리하다고 사료된다.In doing so, the throughput of the inspection flow is lowered. Therefore, the present inventor is considering operating the
그러나 그 경우라도 다음과 같은 문제가 생긴다. 지금, 도포, 현상 장치에 있어서 1시간당 150매의 처리가 요구되어 있다. 한편 전달 아암(15)의 1회의 반송 동작은, 예를 들어 8초 걸리고, 또한 반송 아암(16)의 1회의 반송 동작은 5초 걸린다. 1시간당 150매의 처리를 행하기 위해서는, 상술한 사이클 반송에 있어서의 사이클 타임은 3600초/150매 = 24초를 초과되어서는 안 된다. 그렇게 하면, 전달 아암(15)에 대해서는 1사이클 사이에 3회의 반송 동작밖에 행할 수 없게 되고(8초 × 3 = 24초), 또한 반송 아암(16)에 대해서는 1사이클 사이에 4회의 반송 동작밖에 행할 수 없게 된다(5초 × 4 = 20초).But even then, the following problems arise. Now, 150 sheets of treatment are required per hour in the coating and developing apparatus. On the other hand, one conveyance operation of the
여기서 이미 서술한 바와 같이 전달 모듈(TRSa 및 TRSb)에 대한 웨이퍼의 전 달은 최우선으로 행해야만 하므로, 1사이클 동안에 전달 아암(15)이 전달 모듈(TRSc 및 TRSd)에 대해 행할 수 있는 반송 동작은 1회이며, 또한 1사이클 동안에 반송 아암(16)이 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대해 행할 수 있는 반송 동작은 2회가 된다. 검사 모듈(E1, E2, E3)은 서로 다른 검사를 행하는 것이고, 각각의 검사 시간이 다르다. 검사 모듈(E1, E2, E3)의 검사 시간이, 예를 들어 각각 30초, 100초 및 140초일 경우, 예를 들어 검사 모듈(E1)에 11번째의 웨이퍼가, 검사 모듈(E2)에 10번째의 웨이퍼가, 검사 모듈(E3)에 9번째의 웨이퍼가 각각 들어가 있다고 하면, 11번째의 웨이퍼의 검사가 종료된 시점에서 9번째의 웨이퍼가 종료되어 있지 않으면, 11번째의 웨이퍼를 검사 모듈(E1)로부터 취출할 수 없다.As already described herein, the transfer of the wafer to the transfer modules TRSa and TRSb must be made first, so that the transfer operation that the
그 이유는 검사 스테이션 내에 있어서도 웨이퍼의 추월을 허가하면, 예를 들어 검사 모듈(E3)에 다음 로트의 선두 웨이퍼가 들어가고, 계속되어 앞의 로트의 맨 마지막 웨이퍼가 들어갈 경우가 발생된다. 그렇게 하면, 검사 모듈(E3)의 레시피를 변경해야만 한다는 문제가 생겨, 결과적으로 반송이 체류되어 버린다.The reason for this is that even when the wafer is allowed to pass in the inspection station, for example, the first wafer of the next lot enters the inspection module E3, and then the last wafer of the previous lot enters. In doing so, there arises a problem that the recipe of the inspection module E3 must be changed, and consequently the conveyance remains.
그러나, 웨이퍼의 검사가 종료된 후에 그 검사 모듈로부터 반출할 수 없는 상황을 만들어 내면, 실시 형태에 있어서 비교예로서 나타내지만, 검사 공정에 긴 시간이 걸린다.However, if a situation in which the wafer cannot be taken out from the inspection module after the inspection of the wafer is created, the embodiment is shown as a comparative example, but the inspection process takes a long time.
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 검사 모듈에 의해 기판이 불필요하게 체재되는 시간을 삭감하고, 이에 의해 도포, 현상 장치의 처리량을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.This invention is made | formed under such a situation, The objective is to provide the technique which can reduce the time which a board | substrate stays unnecessarily by an inspection module, and can improve the throughput of application | coating and developing apparatus by this.
복수매의 기판을 수납한 카세트가 적재되고, 카세트 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달 수단을 구비한 카세트 스테이션과, A cassette station having a plurality of substrates stored therein, the cassette station having a transfer means for transferring the substrates between the cassettes;
카세트로부터 취출된 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상, 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해 순환로에 따라 차례로 기판을 반송하는 동시에 순환로를 일주하는 사이클 타임이 미리 결정되어 있는 제1 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과, A plurality of processing modules which perform application of a resist to a substrate taken out of the cassette, development of the substrate after the resist is applied and exposed to the substrate, or a process before and after the process, and the substrates are sequentially carried out along the circulation path to these processing modules. At the same time, a processing station having a first substrate conveying means, the cycle time of circulating the circulation path is predetermined;
처리를 끝낸 기판에 대해 검사를 행하고, 검사에 요하는 시간이 서로 다른 복수의 검사 모듈과, 상기 카세트 스테이션과 처리 스테이션 사이의 기판의 전달 및 검사 모듈에 대해 기판의 전달을 행하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 검사 스테이션과, 2nd board | substrate conveyance means which performs a test | inspection about the board | substrate which completed processing, and delivers a board | substrate with respect to the some inspection module from which the time required for inspection differs, and the board | substrate transfer between the said cassette station and a processing station, and an inspection module An inspection station having:
상기 제2 기판 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비하고, A control unit for controlling the second substrate transfer means;
상기 제어부는 제2 기판 반송 수단에 대해, The said control part with respect to a 2nd board | substrate conveyance means,
a) 상기 카세트 스테이션으로부터 처리 스테이션으로 사이의 기판의 전달 및 처리 스테이션으로부터의 기판의 수취를 우선하고, a) prioritizing the transfer of the substrate between the cassette station and the processing station and the receipt of the substrate from the processing station,
b) 기판에 할당된 처리 순서가 작은 기판으로부터 검사 모듈에 대해 반입을 행하고, b) carrying out the inspection module from a substrate having a small processing order assigned to the substrate,
c) 기판에 할당된 처리의 순서에 상관없이, 검사가 종료되어 있는 기판을 검사 모듈로부터 반출하도록 제어하는 기능을 구비하는 것을 특징으로 한다.c) a function of controlling the carrying out of the inspection module from the inspection module, regardless of the order of the processes assigned to the substrate.
본 발명의 구체적인 형태로서는, 카세트 스테이션 내의 전달 수단과 제2 기판 반송 수단 사이의 기판의 전달을 위해 마련된 한쪽의 전달 모듈 및 다른 쪽의 전달 모듈을 구비하고, As a specific aspect of the present invention, there is provided one transfer module and the other transfer module provided for transfer of a substrate between the transfer means in the cassette station and the second substrate transfer means,
상기 제어부는 처리 스테이션에 의해 처리를 끝낸 기판을 카세트로 전달하고, 카세트로부터 기판을 취출하여 상기 한쪽의 전달 모듈로 전달하고, 또한 검사가 종료된 기판을 다른 쪽의 전달 모듈로부터 카세트로 전달하도록 카세트 스테이션 내의 전달 수단을 제어하는 것을 들 수 있다.The control unit transfers the substrate which has been processed by the processing station to the cassette, takes out the substrate from the cassette, transfers the substrate to one of the transfer modules, and transfers the finished substrate to the cassette from the other transfer module. Controlling the delivery means in the station.
또한 구체적인 형태로서는, 상기 제어부는 처리 스테이션에 의해 처리를 끝낸 기판을 카세트로부터 취출하여 상기 한쪽의 전달 모듈로 전달하도록 전달 수단을 제어하는 형태 혹은 도포, 현상 장치의 외부로부터 검사를 위해 운반된 카세트로부터 기판을 취출하여 상기 한쪽의 전달 모듈로 전달하도록 카세트 스테이션 내의 전달 수단을 제어하는 형태를 들 수 있다.In a specific aspect, the control unit controls the transfer means to take out the substrate finished by the processing station from the cassette and transfer it to the one transfer module or from the cassette conveyed for inspection from the outside of the application or developing apparatus. And a form of controlling the delivery means in the cassette station to take out the substrate and transfer it to the one delivery module.
상기 카세트 스테이션 내의 전달 수단은, 예를 들어 상기 사이클 타임 내에 있어서 상기 한쪽 또는 다른 쪽의 전달 모듈 중 어느 한 쪽에 1회만큼 기판의 전달이 가능하다.The transfer means in the cassette station is capable of transferring the substrate once to either of the one or the other transfer module, for example, within the cycle time.
또한, 카세트 스테이션으로부터의 처리 스테이션에 기판이 전달될 때의 전달처가 처리 모듈일 경우, 예를 들어 냉각 모듈인 경우에는 상기 제어부는 카세트 스테이션으로부터의 기판을 처리 스테이션에 반송하는 반송 시간과, 처리 스테이션으로부터의 기판을 수취하여 반송하는 반송 시간을 상기 사이클 타임으로부터 뺀 남은 시간에서, 검사 모듈에 대해 기판의 전달을 행하도록 제2 기판 반송 수단을 제 어하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 카세트 스테이션으로부터의 기판이 처리 모듈에 반입된 시점으로부터 사이클 타임이 경과되는 시점을 T0로 하면, 제2 반송 수단이 검사 모듈에 대해 전달이 가능한 경우라도, 그 전달을 행함으로써 카세트 스테이션으로부터의 다음 기판이 처리 모듈에 반입되는 시점이 T0를 지나면 판단될 경우에는 상기 전달을 보류하게 된다.Further, when the transfer destination when the substrate is transferred from the cassette station to the processing station is a processing module, for example, a cooling module, the control unit transfers the substrate from the cassette station to the processing station; It is preferable to control a 2nd board | substrate conveyance means so that the board | substrate may be delivered to an inspection module in the remaining time which subtracted the conveyance time which receives and conveys the board | substrate from the said cycle time. In this case, if T0 is the time point at which the cycle time has elapsed from the time when the substrate from the cassette station is loaded into the processing module, even if the second conveying means is capable of delivering to the inspection module, the cassette station is transferred by performing the transfer. The transfer is suspended if it is determined that the time point at which the next substrate from is brought into the processing module has passed T0.
다른 발명은 복수매의 기판을 수납한 카세트가 적재되고, 카세트 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달 수단을 구비한 카세트 스테이션과, Another invention provides a cassette station having a cassette storing a plurality of substrates, the cassette station including transfer means for transferring substrates between cassettes;
카세트로부터 취출된 기판에 대해 레지스트의 도포, 현상 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해 순환로에 따라 차례로 기판을 반송하는 동시에 순환로를 일주하는 사이클 타임이 미리 결정되어 있는 제1 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과, A plurality of processing modules for applying, developing, or processing the resist before and after the substrate taken out from the cassette, and a cycle time for circulating the circulation paths while conveying the substrates sequentially in accordance with the circulation paths for these processing modules are predetermined. A processing station equipped with a first substrate conveying means,
이 처리 스테이션에 의해 처리를 끝낸 기판에 대해 검사를 행하고, 검사에 요하는 시간이 서로 다른 복수의 검사 모듈과, 상기 카세트 스테이션과 처리 스테이션 사이의 기판의 전달 및 검사 모듈에 대해 기판의 전달을 행하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 검사 스테이션을 구비한 도포, 현상 장치를 제어하는 방법이며,The processing station performs inspection on the substrates that have been processed, and transfers the substrates to a plurality of inspection modules having different time required for inspection, and to transfer and inspect the substrates between the cassette station and the processing station. It is a method of controlling the application | coating and developing apparatus provided with the inspection station provided with a 2nd board | substrate conveying means,
상기 카세트 스테이션으로부터 처리 스테이션으로의 기판의 반송 준비를 알리는 준비 신호가 출력되었을 때, 또는 처리 스테이션으로부터 반송처로의 기판의 반송 준비를 알리는 준비 신호가 출력되었을 때에, 제2 기판 반송 수단이 그 기판의 반송을 우선하여 행하는 공정과, When the preparation signal for informing the preparation for conveyance of the substrate from the cassette station to the processing station is output, or when the preparation signal for informing the preparation for conveyance of the substrate from the processing station to the conveying destination is output, the second substrate conveying means generates a substrate. The process of giving priority to conveyance,
기판에 할당된 처리 순서가 작은 기판으로부터 검사 모듈에 대해 반입을 행 하는 공정과, A process of carrying out an inspection module from a substrate having a small processing order assigned to the substrate;
기판에 할당된 처리의 순서에 상관없이, 검사가 종료되어 있는 기판을 검사 모듈로부터 반출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.Irrespective of the order of the process assigned to the board | substrate, the process of carrying out the board | substrate for which inspection is complete | finished is characterized by including the process.
또한, 다른 발명에 관한 기억 매체는, 본 발명 방법을 실시하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기억된 것을 특징으로 한다.The storage medium according to another invention is characterized in that a computer program for implementing the method of the present invention is stored.
우선 본 발명의 도포, 현상 장치의 일 실시 형태에 대해 예의 개략에 대해 도1의 평면도 및 도2의 사시도를 참조하면서 설명한다. 도1 및 도2 중, 부호 21은 기판인 예를 들어 12인치 사이즈의 웨이퍼(W)가 예를 들어 13매 밀폐 수납된 카세트(C)를 반출입하기 위한 카세트 스테이션이며, 이 카세트 스테이션(21)에는 상기 카세트(C)를 적재하는 적재부(22)와, 이 적재부(22)로부터 보아 전방의 벽면에 마련되는 개폐부(23)와, 개폐부(23)를 통해 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단인 전달 아암(24)이 마련되어 있다. 이 전달 아암(24)은 아암이 승강 가능하게, 좌우 및 전후로 이동 가능하면서 연직축 주위에 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 제어부(200)로부터의 명령을 기초로 하여 제어되도록 되어 있다.First, the outline of an example about application | coating and the developing apparatus of this invention is demonstrated, referring a top view of FIG. 1 and a perspective view of FIG. In Fig. 1 and Fig. 2,
상기 카세트 스테이션(21)의 안쪽에는 각각 하우징에 의해 주위를 둘러싸는 검사 스테이션(40) 및 처리 스테이션(S1)이 이 차례로 접속되어 있다.An
검사 스테이션(40)은 4개의 전달 모듈(TRSa 내지 TRSd)과, 검사 모듈(E1 내지 E3)과, 이들 모듈(TRSa 내지 TRSd, E1 내지 E3) 및 후술하는 전달 모듈(TRS1, TRS4) 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 제2 기판 반송 수단을 이루는 반송 아 암(4)을 구비하고 있다. 전달 모듈(TRSa 내지 TRSd)은 도3에 도시한 바와 같이 상하로 적층되어 있고, 또한 검사 모듈(E1 내지 E3)에 대해서도 상하로 적층되어 있다. 검사 스테이션(40)에 관해 보다 상세한 설명은 후술하는 것으로 하고, 처리 스테이션(S1)에 대해 먼저 설명한다.The
처리 스테이션(S1)에는 전방으로부터 차례로 가열ㆍ냉각계의 모듈을 다단화한 3개의 선반 모듈[25(25A, 25B, 25C)]과, 후술하는 액처리 모듈 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 2개의 제1 기판 반송 수단인 메인 아암[26(26A, 26B)]이 교대로 배열하여 마련되어 있다. 상기 메인 아암[26(26A, 26B)]은, 모두 2개의 아암을 구비하고 있고, 상기 아암(27)이 승강 가능하게, 좌우 및 전후로 이동 가능하면서 연직축 주위에 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 제어부(200)로부터의 명령을 기초로 하여 제어되도록 되어 있다.The processing station S1 delivers the wafer W between three shelf modules 25 (25A, 25B, and 25C) in which the modules of the heating / cooling system are multistage in order from the front, and the liquid processing module described later. The main arms 26 (26A, 26B) which are two 1st board | substrate conveying means for carrying out are arrange | positioned alternately. The main arms 26 (26A, 26B) are each provided with two arms, and the
상기 선반 모듈[25(25A, 25B, 25C)] 및 메인 아암[26(26A, 26B)]은 카세트 스테이션(21)측으로부터 보아 전후 일렬로 배열되어 있고, 각각 접속 부위(G)에는 도시하지 않은 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되어 있기 때문에, 이 처리 스테이션(S1) 내에 있어서 웨이퍼(W)는 일단부측의 선반 모듈(25A)로부터 타단부측의 선반 모듈(25C)까지 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다. 또한, 메인 아암[26(26A, 26B)]은 카세트 스테이션(21)으로부터 보아 전후 방향으로 배치되는 선반 모듈[25(25A, 25B, 25C)]측의 일면부와, 예를 들어 우측의 액처리 장치측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽에 의해 둘러싸는 공간 내에 놓여져 있다.The shelf modules 25 (25A, 25B, 25C) and the main arms 26 (26A, 26B) are arranged in a line in front and rear as viewed from the
메인 아암[26(26A, 26B)]에 의해 기판의 전달이 행해지는 위치에는, 또한 도포 장치나 현상 장치 등의 액처리 장치를 다단화한 액처리 모듈[28(28A, 28B)]이 마련되어 있다. 이 액처리 모듈[28(28A, 28B)]은, 예를 들어 도2에 도시한 바와 같이 도포 장치(4A) 등이 수납되는 처리 용기(29)가 복수단 예를 들어 5단으로 적층된 구성으로 되어 있다.The liquid processing module 28 (28A, 28B) which multiplexed liquid processing apparatuses, such as an application | coating apparatus and a developing apparatus, is provided in the position to which board | substrate transfer is performed by the main arm 26 (26A, 26B). . This liquid processing module 28 (28A, 28B) is a structure in which the
또한, 선반 모듈[25(25A, 25B, 25C)]에 대해서는, 예를 들어 도3에 도시한 바와 같이 웨이퍼의 전달을 행하기 위한 전달부를 이루는 전달 모듈(TRS1 내지 TRS4)이나, 레지스트액의 도포 후나 현상액의 도포 후에 웨이퍼의 가열 처리를 행하기 위한 가열 장치를 이루는 가열 모듈(LHP1, LHP2)이나, 레지스트액의 도포의 전후나 현상 처리 전에 웨이퍼의 냉각 처리를 행하기 위한 냉각 장치를 이루는 냉각 모듈(CPL1, CPL2, CPL3) 외, 노광 처리 다음 웨이퍼의 가열 처리를 행하는 가열 장치를 행하는 가열 모듈(PEB) 등이 예를 들어 상하 10단으로 할당되어 있다. 여기서, 상기 TRS1, TRS4는 카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(S1) 사이, TRS2, TRS3은 2개의 메인 아암[26(26A, 26B)]끼리의 사이에서, 각각 웨이퍼의 전달을 행하기 위해 이용된다.For the shelf module 25 (25A, 25B, 25C), for example, as shown in FIG. 3, the transfer modules TRS1 to TRS4 forming the transfer unit for transferring the wafer and the application of the resist liquid are shown. Heating modules (LHP1, LHP2), which form a heating device for carrying out the heat treatment of the wafer after or after application of the developer, or cooling modules, which form a cooling device for performing the cooling process of the wafer before or after application of the resist liquid or before development. In addition to (CPL1, CPL2, CPL3), a heating module (PEB) or the like which performs a heating apparatus for performing a heat treatment of the wafer following the exposure treatment is assigned to, for example, 10 stages above and below. Here, the TRS1 and TRS4 are used to transfer wafers between the
본 예에서는 가열 모듈(LHP1, LHP2), 냉각 모듈(CPL1, CPL2, CPL3), 가열 모듈(PEB)이 처리 모듈에 상당한다.In this example, the heating modules LHP1 and LHP2, the cooling modules CPL1, CPL2 and CPL3 and the heating module PEB correspond to processing modules.
이와 같은 처리 스테이션(S1)에 있어서의 선반 모듈(25C)의 안쪽에는 제1 인터페이스부(S2) 및 제2 인터페이스부(S3)를 통해 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 제1 인터페이스부(S2)는 승강 가능하게 및 연직축 주위에 회전 가능하게 구성되고, 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(S1)의 선반 모듈(25C)의 CPL2나 PEB에 대해 웨이퍼의 전달을 행하는 전달 아암(31)과, 주변 노광 장치와 노광 장치(S4)로부터 반입된 웨이퍼를 일단 수납하기 위한 내측용 버퍼 카세트와 노광 장치(S4)로부터 반출된 웨이퍼를 일단 수납하기 위한 외측용 버퍼 카세트가 다단에 배치된 선반 모듈(32A)과, 웨이퍼의 전달 모듈과 고정밀도 온도 조절 모듈이 다단에 배치된 선반 모듈(32B)을 구비하고 있다.The exposure apparatus S4 is connected to the inside of the
상기 제2 인터페이스부(S3)에는 전달 아암(33)이 마련되어 있고, 이에 의해 제1 인터페이스부(S2)의 전달 모듈이나 고정밀도 온도 조절 모듈, 노광 장치(S4)의 내측 스테이지 및 외측 스테이지에 대해 웨이퍼의 전달을 행하게 되어 있다.The
여기서 처리 스테이션(S1)의 내부에서의 메인 아암[26(26A, 26B)]의 움직임을 설명하면 2개의 메인 아암[26(26A, 26B)]은, 예를 들어 도4에 도시한 바와 같이 TRS1 → CPL1 → 도포 장치(COT) → TRS2 → LHP1 → CPL2의 경로로 카세트 스테이션(21)으로부터 제1 인터페이스부(S2)를 향해 웨이퍼를 반송하고, 이후 PEB → CPL3 → 현상 장치(DEV) → LHP2 → TRS3 → TRS4의 경로로 제1 인터페이스부(S2)로부터 카세트 스테이션(21)을 향해 웨이퍼를 반송하도록 이동한다. 또한, 처리 스테이션(S1)과 제1 인터페이스부(S2) 사이는 CPL2와 PEB를 통해 웨이퍼의 전달이 행해진다.Here, the movement of the main arms 26 (26A, 26B) inside the processing station S1 will be described. The two main arms 26 (26A, 26B) are, for example, TRS1 as shown in FIG. → CPL1 → Coating device (COT) → TRS2 → LHP1 → CPL2 conveys wafer from
이때 본 실시 형태에서는, 도4에 메인 아암[26(26A, 26B)]의 각각의 경로를 점선으로 나타낸 바와 같이 메인 아암(26A)은, 예를 들어 TRS1 → CPL1 → COT → TRS2 → TRS3 → TRS4 → TRS1의 순환 경로로 웨이퍼를 사이클 반송하고, 메인 아 암(26B)은 TRS2 → LHP1 → CPL2 → PEB → CPL3 → DEV → LHP2 → TRS3 → TRS2의 경로로 웨이퍼를 반송한다. 이로 인해, 예를 들어 선반 모듈(25A 내지 25C)의 레이아웃의 일례를 도3에 도시한 바와 같이 TRS1, TRS4는 선반 모듈(25A), TRS2, TRS3은 선반 모듈(25B), CPL2나 PEB는 선반 모듈(25C), CPL1은 선반 모듈(25A) 또는 선반 모듈(25B, LHP1, LHP2)은 선반 모듈(25B) 또는 선반 모듈(25C)에, 각각 배치된다. 또한, 메인 아암[26(26A, 26B)]은, 각각 2매의 아암체를 구비하고 있고, 전달 대상의 처리 모듈에 적재되어 있는 웨이퍼(W)를 취출하고, 다음에 보유하고 있는 다음 웨이퍼(W)를 상기 모듈에 대해 전달한다. 그리고, 메인 아암[26(26A, 26B)]은 미리 작성된 반송 스케줄[웨이퍼(W)를 반송하는 모듈의 순서]에 따라서, 각 모듈에 놓여진 웨이퍼(W)를 다음 모듈에 1매씩 옮겨 바꾸어 가지만, 이때 반송 경로에 있어서 할당된 처리 순서가 작은 웨이퍼(W)가 순서가 큰 웨이퍼(W)에 추월되는 일은 없다. 예를 들어, 가열 모듈 → 냉각 모듈의 순서로 웨이퍼(W)가 반송될 때, 순서가 큰 웨이퍼(W)가 순서가 작은 웨이퍼(W)보다도 먼저 가열 모듈에 들어가는 일은 없다.At this time, in the present embodiment, as the paths of the main arms 26 (26A, 26B) are shown in dotted lines in FIG. 4, the
계속해서 처리 스테이션(S1)에 의해 기판에 처리를 행할 경우의 기판의 흐름에 대해 설명한다. 우선 외부로부터 웨이퍼(W)가 수납된 카세트(C)가 상기 카세트 스테이션(21)에 반입되면, 개폐부(23)와 함께 카세트(C)의 덮개가 제외되어 전달 아암(24)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 전달 아암(24)으로부터 전달 모듈(TRSa)로 전달되고, 도3 및 도4에 도시한 바와 같이 검사 스테이션(40)의 반송 아암(4)에 의해 여기서부터 전달 모듈(TRS1)에 반송된다. 다음에 메인 아암(26A)이 여기서부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 이후 메인 아암[26(26A, 26B)]에 의해 이미 서술한 바와 같이 TRS1 → CPL1 → COT → TRS2 → LHP1 → CPL2의 경로로 반송되고, CPL2를 통해 레지스트액의 도포가 행해진 웨이퍼가 제1 인터페이스부(S2)에 이송된다.Subsequently, the flow of the substrate when the substrate is processed by the processing station S1 will be described. First, when the cassette C in which the wafer W is housed from the outside is brought into the
제1 인터페이스부(S2) 내에서는 내측용 버퍼 카세트 → 주변 노광 장치 → 고정밀도 온도 조절 모듈의 순서로 전달 아암(31)에 의해 반송되고, 선반 모듈(32B)의 전달 모듈을 통해 제2 인터페이스부(S3)에 반송되고, 제2 인터페이스부(S3)의 웨이퍼는 반송 수단(33)에 의해 노광 장치(S4)의 내측 스테이지를 통해 노광 장치(S4)에 반송되고, 노광이 행해진다.In the 1st interface part S2, it is conveyed by the
노광 후 웨이퍼는 제2 인터페이스(S3) → 제1 인터페이스부(S2)를 통해 처리 스테이션(S1)의 PEB를 통해 처리 스테이션(S1)까지 반송되고, 이미 서술한 바와 같이 PEB → CPL3 → DEV → LHP2 → TRS3 → TRS4의 경로로 반송되고, 이와 같이 하여 현상 장치에 의해 소정의 현상 처리가 행해져 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.After exposure, the wafer is conveyed through the second interface S3-> first interface portion S2 to the processing station S1 through the PEB of the processing station S1, and as described above, PEB-> CPL3-> DEV-> LHP2. It is conveyed by the path | route of TRS3 -TRS4, A predetermined developing process is performed by the developing apparatus in this way, and a predetermined resist pattern is formed.
이때 메인 아암(26A)은 로트의 n번째의 웨이퍼(Wn)를 TRS1을 통해 다음 공정의 CPL1에 반송하고, 다음에 COT → TRS2 → TRS3 → TRS4 → TRS1의 경로로 1사이클하여 다시 TRS1로 복귀하고, 다음 (n+1)번째의 웨이퍼(Wn + 1)를 TRS1을 통해 CPL1에 반송한다. 또한, 메인 아암(26B)은 TRS2의 웨이퍼를 다음 공정의 LHP1에 반송하고, 다음에 CPL2 → PEB → CPL3 → DEV → LHP2 → TRS3 → TRS2의 경로로 1사이클하여 다시 TRS2로 복귀하고, 다음 웨이퍼를 TRS2를 통해 LHP1에 반송한다. 배경 기술의 항목에 있어서도 서술하였지만, 본 장치에 의해 1시간당 150매의 웨이퍼(W)를 처리하고자 하면, 이 1사이클의 시간은 24초로 설정된다.At this time, the
다음에 검사 스테이션(40)에 관해 도4를 참조하면서 상세하게 서술한다. 전달 모듈(TRSa)은 카세트(C)로부터 취출되고, 이제부터 처리 스테이션(S1)에 불출된 웨이퍼(W)가 적재되기 위한 것이고, 전달 모듈(TRSb)은 처리 스테이션(S1)으로부터 복귀해 온 처리 완료의 웨이퍼(W)가 적재되기 위한 것이다. 또한, 전달 모듈(TRSc)은, 본 예에서는 처리 스테이션(S1)으로부터 복귀해 온 처리 완료의 웨이퍼(W)가 들어가 있는 카세트(C)로부터 처리 완료의 웨이퍼(W)를 수취하고, 검사 모듈(E1, E2, E3)에 불출되기까지 대기하기 위한 적재대이며, 전달 모듈(TRSd)은 검사 모듈(E1, E2, E3)에 의해 검사된 웨이퍼(W)가 반입되기 위한 적재대이다. 또한, 전달 모듈(TRSc, TRSd) 및 검사 모듈(E1, E2, E3)은 각각 적층되어 있지만, 도4에서는 편의상 평면에 배열하여 나타내고 있다.Next, the
상기 반송 아암(4)은, The conveying
a) 상기 카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(S1) 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 우선하도록 제어된다.a) Controlled to prioritize the transfer of the wafer W between the
따라서, 이미 서술한 사이클 타임이 24초인 경우, 반송 아암(4)의 1회의 반송 동작이 5초라고 하면, 전달 모듈 TRSa로부터 TRS1로의 반송 및 전달 모듈 TRS4로부터 TRSb로의 반송을 우선해야만 하므로, 전달 모듈(TRSc, TRSd)과 검사 모듈(E1, E2, E3) 사이의 반송은, 계산상은 1사이클에(1사이클 타임에서) 2회밖에 행할 수 없다. 그러나, 전달 모듈(TRSc, TRSd)과 검사 모듈(E1, E2, E3) 사이의 반 송은, 실제로는 각 사이클에 있어서 2회 이상 행할 수 있는 경우도 있다. 예를 들어, 지금 전달 모듈(TRS1) 상의 웨이퍼(W)가 메인 아암(26A)에 의해 취출되고, 계속해서 반송 아암(4)에 의해 전달 모듈 TRSa로부터 TRS1로 후속의 웨이퍼(W)가 반송되었다고 한다. 메인 아암(26A)은 사이클 타임이 경과된 후에, 전달 모듈(TRS1)로부터 상기 후속의 웨이퍼(W)를 취출해 가지만, 이 비어진 전달 모듈(TRS1)에 더욱 후속의 웨이퍼(W)를 반입하는 타이밍은, 다음 사이클 타임이 경과되는 시점 즉 다음에 메인 아암(26A)이 전달 모듈(TRS1)에 취출되기까지의 시점에 있으면 좋다. 이로 인해 일정 사이클에 있어서 TRSd와 검사 모듈(E1, E2, E3) 사이의 반송을 3회 행할 수 있는 경우도 있다. 본 예로서, 하나의 사이클 타임이 종료되기 직전에 검사 모듈에 대한 기판의 전달이 개시되고, 또한 그 직후에 전달 모듈 TRSa로부터 TRS1로의 기판의 반송이 가능하게 된 경우를 들 수 있다.Therefore, in the case where the cycle time described above is 24 seconds, if one conveyance operation of the conveying
또한, 전달 모듈(TRS1)이 처리 모듈을 겸용할 경우에는, 처리 모듈 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 체재 시간이 결정되어 있으므로, 이와 같은 반송은 허용되지 않고, 반드시 상기 반송은 1사이클에 2회가 된다. 이 점에 대해서는 후술한다.In addition, when the transfer module TRS1 also serves as a processing module, since the stay time of the wafer W in the processing module is determined, such conveyance is not allowed, and the conveyance is necessarily twice in one cycle. Becomes This point is mentioned later.
또한, 반송 아암(4)은, Moreover, the
b) 웨이퍼(W)에 할당된 처리 순서가 작은 웨이퍼(W)로부터 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대해 반입을 행하고, b) carrying-in to the inspection modules E1, E2, and E3 from the wafer W having a small processing order assigned to the wafer W;
c) 웨이퍼(W)에 할당된 처리의 순서에 상관없이, 검사가 종료되어 있는 웨이퍼(W)를 검사 모듈(E1, E2, E3)로부터 반출하도록 제어된다. 따라서, 예를 들어 1번에서 13번까지의 웨이퍼(W)에 대해 순서대로 전달 모듈(TRSc)로부터 검사 모 듈(E1, E2, E3)에 반송되지만, 어느 사이클 타임에서, 예를 들어 11번의 웨이퍼(W)는 처리가 끝나 있지만, 9번의 웨이퍼(W)는 처리가 끝나 있지 않을 경우에는 9번의 웨이퍼(W)를 추월하여 11번의 웨이퍼(W)를 검사 모듈(E1, E2, E3)로부터 반출한다.c) Irrespective of the order of the process assigned to the wafer W, it is controlled to carry out the wafer W which the inspection is complete | finished from inspection module E1, E2, E3. Thus, for example, the wafers W from 1 to 13 are sequentially transferred from the transfer module TRSc to the inspection modules E1, E2, and E3, but at any cycle time, for example, 11 times. If the wafer W is finished, but the nine wafers W are not finished, the wafer W is overtaken the nine wafers W and the eleven wafers W are removed from the inspection modules E1, E2, and E3. Export.
여기서, 검사 모듈에 관해 서술해 두면, 본 예에서는 검사 모듈(E1)은 웨이퍼(W) 상의 매크로 결함을 검출하는 매크로 검사 모듈이며, 검사 모듈(E2)은 웨이퍼(W) 상에 형성된 막의 두께나 패턴의 선폭을 측정하는 막 두께ㆍ선폭 검사 모듈이며, 검사 모듈(E3)은 노광의 중합의 어긋남 즉 금회 형성된 패턴과 기초의 패턴의 위치 어긋남을 검출하는 중합 검사 모듈이다. 이 경우, 검사 모듈(E1, E2, E3)의 검사에 걸리는 시간은, 예를 들어 각각 30초, 100초 및 140초이다. 이와 같이 검사 모듈(E1, E2, E3)에 있어서의 검사 시간이 다르기 때문에, 다음부터 반입한 순서가 큰(느림) 웨이퍼(W)의 검사가, 먼저 반입한 순서가 작은(빠름) 웨이퍼(W)보다도 빨리 종료될 경우가 생기는 것이다.Herein, the inspection module will be described. In this example, the inspection module E1 is a macro inspection module for detecting macro defects on the wafer W, and the inspection module E2 is used to determine the thickness of the film formed on the wafer W. The film thickness and line width inspection module which measures the line width of a pattern, and the inspection module E3 is a polymerization inspection module which detects the shift | offset | difference of superposition | polymerization of exposure, ie, the position shift | offset | difference of the pattern currently formed and the base pattern. In this case, the time taken for the inspection of the inspection modules E1, E2, and E3 is, for example, 30 seconds, 100 seconds, and 140 seconds, respectively. Since the inspection time in the inspection modules E1, E2, and E3 is different in this way, the inspection of the wafer (W) with the larger order of imports from the next (the faster) the wafer (W) with the smaller order of imports first It may end sooner than).
또한, 카세트 스테이션(21)의 전달 아암(24)은, In addition, the
a) 카세트(C)로부터 처리 전의 웨이퍼(W)를 수취하여 전달 모듈(TRSa)로 전달하고, a) receiving the wafer W before processing from the cassette C and transferring it to the transfer module TRSa,
b) 전달 모듈(TRSb)로부터 처리 완료의 웨이퍼(W)를 수취하여 카세트(C)로 복귀하고,b) receiving the processed wafer W from the delivery module TRSb and returning to the cassette C,
c) 처리 완료의 웨이퍼(W)를 카세트(C)로부터 전달 모듈(TRSc)로 전달하고, c) transfer the processed wafer W from the cassette C to the transfer module TRSc,
d) 검사된 웨이퍼(W)를 전달 모듈(TRSd)로부터 카세트(C)로 복귀하는 역할을 갖고 있다. 또한 a), b)의 반송은, 상기 사이클 타임에서 반드시 행해져야만 하므 로, 사이클 타임이 24초인 경우에는 1회의 반송 동작에 예를 들어 8초 걸린다고 하면, 1사이클에서는 c), d) 중 어느 한 쪽밖에 행할 수 없다.d) has the role of returning the inspected wafer W to the cassette C from the transfer module TRSd. In addition, since conveyance of a) and b) must be performed at the said cycle time, when a cycle time is 24 second, if one conveyance operation takes 8 seconds, for example, any of c) and d) in one cycle. Only one can do it.
본 장치는, 컴퓨터를 포함하는 제어부(200)를 구비하고 있고, 전달 아암(24), 반송 아암(4)의 반송 동작도 포함하여 일련의 공정은, 이 제어부(200)의 기억부에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 제어된다. 그리고, 전달 모듈에 대해서는 웨이퍼(W)가 적재되었을 때 혹은 불출되었을 때에 그 모듈에 대한 준비 신호가 출력되고, 또한 검사 모듈에 대해서는 웨이퍼(W)의 검사가 종료되었을 때나 불출되었을 때에 그 모듈에 대한 준비 신호가 출력된다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 TRSa에 웨이퍼(W)가 적재되었을 때에 출력되는 신호는 반송 아암(4)으로부터 보면 전달 준비 완료 신호가 되고, TRSa로부터 웨이퍼(W)가 불출되었을 때에 출력되는 신호는 전달 아암(24)으로부터 보면 전달 준비 완료 신호가 된다. 따라서, 양쪽 아암(24, 4)은, 이들의 준비 신호를 기초로 하여 지금 어느 모듈로부터 어느 모듈로의 반송이 가능한지를 판단할 수 있게 되고, 그 판단과 앞선 룰을 기초로 하여 반송 동작이 결정된다.This apparatus is provided with the
다음에 본 실시 형태에 있어서의 검사 스테이션(40)에 관한 작용에 대해 설명한다. 도5는, 각 사이클마다 전달 모듈(TRSc, TRSd) 및 검사 모듈(E1, E2, E3) 각각에 놓여지는 웨이퍼(W)를 나타내고 있고, 숫자는 웨이퍼에 처리의 관리상에 있어서 할당된 순서이다. 즉, 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)는 이 순서대로 처리 스테이션(S1)으로부터 복귀하고, 이 순서대로 검사 스테이션(40)에 불출된다. 즉, 최상단의 번호 배열의 의미는, 여기에 배열되어 있는 번호에 상당하는 웨이퍼(W)는 카 세트(C) 내에 위치하고 있는 것이다. 또한, 바꿔 말하면, 이 표를 세로로 보면, 소위 스케줄 반송의 표이며, 최상단의 번호는 사이클의 번호로 판독한다.Next, operation | movement with respect to the test |
이후의 설명에서는, 최상단의 번호는 사이클의 번호로서 취급하는 것으로 하면, 사이클(1)에서는 각 모듈(TRSc, TRSd, E1, E2 및 E3)의 모두 웨이퍼(W)는 들어 있지 않다.In the following description, the uppermost number is regarded as the cycle number. In the
다음 사이클(2)에서는 TRSc에 웨이퍼 「1」이 놓여진다. 이는 이미 서술한 바와 같이 전달 아암(24)이 1사이클에 행할 수 있는 검사에 관련되는 반송 동작이 1회인 것에 의한다.In the
사이클(3)에서는 TRSc의 웨이퍼 「1」을 반송 아암(4)에 의해 검사 모듈(E1)에 반송하고, 그 후 전달 아암(24)에 의해 TRSc에 웨이퍼 「2」가 놓여진다.In the
사이클(4)에서는 TRSc의 웨이퍼 「2」가 반송 아암(4)에 의해 검사 모듈(E2)에 반송되고, 계속해서 전달 아암(24)에 의해 TRSc에 웨이퍼 「3」이 놓여진다. 이때 검사 모듈(E1)에서는 웨이퍼 「1」의 검사가 종료되지 않으므로 그대로의 상태이다.In the
사이클(5)에서는, 반송 아암(4)은 TRSc로부터 웨이퍼 「3」을 검사 모듈(E3)에 반송하고, 다음에 검사 모듈(E1)에 의해 검사가 종료된 웨이퍼 「1」을 TRSd에 반송한다. 또한, 전달 아암(24)은 다음 웨이퍼 「4」를 TRSc로 전달한다.In
이와 같이 하여 사이클이 진행되고, 사이클(27)이 되면 앞의 웨이퍼 「9」 및 「10」은 각각 검사 모듈(E3 및 E2)에 의해 검사 중이지만, 다음 웨이퍼 「11」은 검사 모듈(E1)에 있어서의 처리를 종료하고 있다. 따라서, 이 경우에는 앞의 웨이퍼 「9」 및 「10」의 검사 종료를 대기하지 않고 다음 웨이퍼 「11」을 먼저 검사 모듈(E1)로부터 반출하여 TRSd로 전달한다. 계속해서 웨이퍼 「12」가 TRSc로부터 검사 모듈(E1)로 전달되는 동시에, TRSd에 웨이퍼 「13」이 놓여진다.In this manner, when the cycle progresses and the
도7의 (a), (b)는, 각각 이 사이클(27)에 있어서의 준비 신호의 출력과 반송 경로를 나타내고 있고, 반송 아암(4)의 제어 동작이 명백해져 있다. 우선 검사 모듈(E1)로부터 검사 종료의 신호(반출 준비 완료 신호인 준비 신호)가 출력되면, 반송 아암(4)은 웨이퍼 「11」을 TRSd에 반송한다. 그리고, 이 반송의 도중에 TRSc로부터 반출 준비 완료를 나타내는 준비 신호가 출력되고, 계속해서 TRS1로부터 반입 준비 완료를 나타내는 준비 신호가 출력되면, 카세트 스테이션(21)으로부터 처리 스테이션(S1)으로의 반송은 우선적으로 행해지므로, TRSa로부터 TRS1로의 웨이퍼 「n」의 반송을 우선적으로 행하고, 그 후에 TRSc로부터 웨이퍼 「12」를 검사 모듈(E1)에 반송한다.7 (a) and 7 (b) show the output of the ready signal and the conveyance path in this
한편, 본 발명과 같이 웨이퍼의 추월 반송을 하지 않고, 검사 모듈(E1, E2, E3)로의 반입 및 반출과 함께, 웨이퍼의 번호순에 행할 경우에는 반송 스케줄은 도6에 도시된 바와 같다. 예를 들어, 사이클(31)에 착안하면, 웨이퍼 「11」은 검사가 종료되고 있는데도 불구하고, 사이클(39)까지 검사 모듈(E1)에서 기다리게 되어 불필요한 시간이 많다. 따라서, 웨이퍼 「22」를 카세트(C)로 복귀할 때까지 필요한 사이클수는 본 발명에서는 46사이클인 데 반해, 추월 반송을 하지 않을 경우에는 61사이클이 된다.On the other hand, the transfer schedule is as shown in Fig. 6 when the wafer is carried out in the order of the number of wafers in addition to the carrying in and out of the inspection modules E1, E2, and E3 without carrying over the wafers as in the present invention. For example, paying attention to the
상술의 실시 형태에 따르면, 웨이퍼에 할당된 처리 순서가 큰 웨이퍼보다도 처리 순서가 작은 웨이퍼를 검사 모듈(E1, E2, E3)로부터 먼저 반출할 수 있게 하고 있기 때문에, 즉 검사 모듈(E1, E2, E3)로부터의 웨이퍼의 반출에 대해서는 웨이퍼의 추월을 행할 수 있게 하고 있기 때문에, 처리가 끝난 웨이퍼가 검사 모듈(E1, E2, E3)에서 대기하는 불필요한 시간을 삭감할 수 있어 처리량(생산성)을 향상시킬 수 있다. 그리고, 검사 모듈(E1, E2, E3)로의 웨이퍼의 반입에 대해서는, 웨이퍼의 추월을 금지하고 있으므로, 어떤 검사 모듈에 다음 로트의 선두 웨이퍼가 들어가고, 계속되어 앞의 로트의 마지막 웨이퍼가 들어감에 따른 레시피 변경의 발생이라는 문제도 발생하지 않는다.According to the above-described embodiment, the wafers having the smaller processing order than the wafers having the larger processing order assigned to the wafer can be carried out from the inspection modules E1, E2, and E3 first, that is, the inspection modules E1, E2, Since it is possible to overtake wafers for the removal of wafers from E3), it is possible to reduce unnecessary time for the processed wafers to wait in the inspection modules E1, E2, and E3, thereby improving throughput (productivity). You can. Since the overtaking of the wafer is prohibited with respect to the carrying of the wafer into the inspection modules E1, E2, and E3, the first wafer of the next lot enters a certain inspection module, and then the last wafer of the previous lot enters. There is no problem of making a recipe change.
또한, 웨이퍼의 반송 경로에 따라서는 기판의 전달만을 행하는 전달 모듈 외, 기판의 냉각을 행하는 냉각 모듈이나 기판의 가열을 행하는 가열 모듈에 있어서, 기판의 냉각 또는 가열과, 기판 전달의 양쪽을 행하는 모듈을 기판 카세트로부터 처리 스테이션으로의 웨이퍼의 교환에 이용해도 좋고, 이 경우에는 이 처리 모듈이 전달 모듈(TRS1)을 겸용한다. 이 경우에는, 반송 아암(4)의 제어에 관한 설명의 부분에서 이미 서술하였지만, 웨이퍼(W)의 처리 시간 즉 TRS1에 있어서의 체재 시간이 결정되므로, 카세트 스테이션(21)으로부터의 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(S1)에 반송하는 반송 시간과 처리 스테이션(S1)으로부터의 웨이퍼(W)를 수취하는 반송 시간을 상기 사이클 타임으로부터 뺀 남은 시간에서 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 필요가 있다.Moreover, in addition to the transfer module which only transfers a board | substrate according to the conveyance path | route of a wafer, the cooling module which cools a board | substrate or the heating module which heats a board | substrate WHEREIN: The module which performs both cooling or heating of a board | substrate, and board | substrate delivery. May be used for the replacement of the wafer from the substrate cassette to the processing station, in which case the processing module also serves as the transfer module TRS1. In this case, although already described in the description regarding the control of the
즉, 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대해 웨이퍼(W)의 교환이 가능하게 되어도, 그 동작을 실시하기 전에 그 동작을 실시함으로써, 계속되는 전달 모듈(TRSa)로부터 TRS1로의 웨이퍼(W)의 교환의 종료 시점이 사이클 타임의 종료 시점을 지나치는지 여부를 판단할 필요가 있다. 사이클 타임의 종료 시점을 지나칠 경우에는, 검사 모듈(E1, E2, E3)에 대한 웨이퍼(W)의 전달을 실행하지 않도록 제어할 필요가 있다. 혹시 그 전달을 실행하면, 다음의 웨이퍼(W)의 전달 모듈(TRS1) 내의 체재 시간(처리 시간)이 설정 시간보다도 짧아지기 때문이다.That is, even if the wafer W can be exchanged for the inspection modules E1, E2, and E3, the operation of the wafer W from the subsequent transfer module TRSa to the TRS1 is performed by performing the operation before performing the operation. It is necessary to determine whether the end point of the exchange passes the end point of the cycle time. When the end of the cycle time has passed, it is necessary to control the transfer of the wafer W to the inspection modules E1, E2, E3 not to be executed. This is because if the transfer is performed, the stay time (processing time) in the transfer module TRS1 of the next wafer W is shorter than the set time.
도8은 이와 같은 모습을 도시하는 설명도이다. T0은 어느 사이클에 있어서의 사이클 타임 종료 시점이며, 제어부(200)는 검사 모듈(E1)로부터 웨이퍼 「11」의 반출이 가능하게 된 경우에, 그 시점으로부터 T0까지의 시간이 반송 아암(4)의 반송 동작 시간인 5초의 2배 이상인지 여부를 판단하고, 2배 이상이면 검사 모듈(E1)로부터 웨이퍼(W)를 전달 모듈(TRSd)에 반송하고, 2배로 충족되지 않으면 이 반송을 보류한다. 이로 인해, 그 후에 메인 아암(26A)에 의해 전달 모듈(예를 들어, 냉각 모듈)(TRS1)로부터 앞의 웨이퍼가 반출되면, 즉시 후속의 웨이퍼 「n」이 전달 모듈(TRSa)로부터 TRS1에 반입되게 된다. 그러한 후, 반송 아암(4)이 검사 모듈(E1)로부터 웨이퍼 「11」을 전달 모듈(TRSd)에 반송한다.8 is an explanatory diagram showing such a state. T0 is the end of the cycle time in a cycle, and when the
또한, 본 발명에서는 카세트(C) 내의 웨이퍼에 대해 전체 수 검사를 행해도 좋거나 선택된 웨이퍼에 대해 검사를 행해도 좋다. 또한, 처리 스테이션(S1)에 의해 처리되고, 카세트(C)로 복귀된 웨이퍼를 검사하는 대신에, 도포, 현상 장치의 외부로부터 검사를 위해 적재부(22)에 운반된 카세트 내의 웨이퍼에 대해 전달 아암(24) 및 반송 아암(4)을 이용하여 마찬가지로 검사 모듈(E1, E2, E3)에 의해 검사를 행해도 좋다.In the present invention, the entire number inspection may be performed on the wafers in the cassette C or the selected wafers may be inspected. Also, instead of inspecting the wafer processed by the processing station S1 and returned to the cassette C, it is delivered to the wafer in the cassette transported to the
본 발명에서는 기판에 할당된 처리 순서가 큰 기판보다도 처리 순서가 작은 기판을 검사 모듈로부터 앞서 반출할 수 있게 되어 있으므로, 즉 검사 모듈로부터의 기판의 반출에 대해서는 기판의 추월을 행할 수 있게 하고 있기 때문에, 처리가 끝난 기판이 검사 모듈에서 대기하는 불필요한 시간을 삭감할 수 있어 처리량(생산성)을 향상시킬 수 있다. 그리고, 검사 모듈로의 기판의 반입에 대해서는 기판의 추월을 금지하고 있으므로, 어떤 검사 모듈에 다음 로트의 선두 기판이 들어가고, 계속하여 앞의 로트의 마지막 기판이 들어감에 따른 레시피 변경의 발생이라는 문제도 발생하지 않는다.In the present invention, since a substrate having a smaller processing order than that of a substrate having a larger processing order assigned to the substrate can be carried out earlier from the inspection module, that is, the substrate can be overtaken for the removal of the substrate from the inspection module. In addition, unnecessary time for the processed substrate to wait in the inspection module can be reduced, thereby improving throughput (productivity). In addition, since the overtaking of the board is prohibited with respect to bringing the board into the inspection module, the problem is that a recipe change occurs as the first substrate of the next lot enters a certain inspection module and the last substrate of the previous lot enters. Does not occur.
Claims (13)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00113331 | 2006-04-17 | ||
JP2006113331A JP2007287909A (en) | 2006-04-17 | 2006-04-17 | Application/development device, control method for application/development device, and storage medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070102949A true KR20070102949A (en) | 2007-10-22 |
KR101161467B1 KR101161467B1 (en) | 2012-07-02 |
Family
ID=38759397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070036835A KR101161467B1 (en) | 2006-04-17 | 2007-04-16 | Coating and developing apparatus, control method of coating and developing apparatus and recording medium |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007287909A (en) |
KR (1) | KR101161467B1 (en) |
CN (1) | CN101060072B (en) |
TW (1) | TWI335617B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150012207A (en) * | 2013-07-24 | 2015-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5275058B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-08-28 | 株式会社Sokudo | Substrate processing equipment |
JP5187274B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
JP5223778B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
TWI523134B (en) * | 2011-09-22 | 2016-02-21 | 東京威力科創股份有限公司 | Substrate treatment system, substrate transfer method and computer-readable storage medium |
JP7161896B2 (en) * | 2018-09-20 | 2022-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786369A (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composite processing device equipped with plurality of processing means |
JPH09107012A (en) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Yuasa Seisakusho:Kk | Automatic processing device of semiconductor exposure system |
JP3600711B2 (en) * | 1997-05-30 | 2004-12-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP3748193B2 (en) * | 1999-03-17 | 2006-02-22 | 株式会社日立製作所 | Vacuum processing apparatus and operation method thereof |
SG94851A1 (en) * | 2000-07-12 | 2003-03-18 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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JP3916468B2 (en) * | 2002-01-11 | 2007-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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JP4105617B2 (en) * | 2003-09-19 | 2008-06-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
-
2006
- 2006-04-17 JP JP2006113331A patent/JP2007287909A/en active Pending
-
2007
- 2007-03-28 TW TW096110732A patent/TWI335617B/en active
- 2007-04-16 KR KR1020070036835A patent/KR101161467B1/en active IP Right Grant
- 2007-04-17 CN CN2007100964469A patent/CN101060072B/en active Active
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---|---|---|---|---|
KR20150012207A (en) * | 2013-07-24 | 2015-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101060072A (en) | 2007-10-24 |
CN101060072B (en) | 2012-09-05 |
TWI335617B (en) | 2011-01-01 |
TW200809916A (en) | 2008-02-16 |
JP2007287909A (en) | 2007-11-01 |
KR101161467B1 (en) | 2012-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150601 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170530 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180618 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190618 Year of fee payment: 8 |