KR20070098121A - 정전척 및 그를 구비하는 반도체 제조설비 - Google Patents

정전척 및 그를 구비하는 반도체 제조설비 Download PDF

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KR20070098121A
KR20070098121A KR1020060029385A KR20060029385A KR20070098121A KR 20070098121 A KR20070098121 A KR 20070098121A KR 1020060029385 A KR1020060029385 A KR 1020060029385A KR 20060029385 A KR20060029385 A KR 20060029385A KR 20070098121 A KR20070098121 A KR 20070098121A
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Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 정전척 및 그를 구비하는 반도체 제조설비를 개시한다. 그의 정전척은, 외부에서 유입되는 전원인입선에 연결되고, 상기 전원인입선에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 콘덴서; 상기 콘덴서를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디; 상기 척 바디의 내부에 위치되는 상기 콘덴서에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓; 상기 척 바디의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트; 상기 척 시트의 하부에서 돌출되어 상기 소켓에 삽입되는 전극 봉; 및 상기 전극 봉이 상기 소켓에 삽입될 경우, 상기 전극 봉의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉과 상기 소켓의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링을 포함하여 이루어진다.
척킹(Chucking), 디척킹(Dechucking), 정전척(Electro-Static Chuck)

Description

정전척 및 그를 구비하는 반도체 제조설비{Electro-static chuck and equipment for manufacturing semiconductor device used the same}
도1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.
도 3은 도 2의 클램핑 링을 나타내는 사시도.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
100 : 공정 챔버 112 : 상부 전극
114 : 샤워헤드 116 : 하부 전극
118 : 정전척 120 : 정전압 공급부
122 : 척 바디 124 : 척 시트
126 : 척 전극 128 : 소켓
130 : 전원 인입선 132 : 전극 봉
134 : 콘덴서 136 : 클램핑 링
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 공정 챔버의 내부에서 웨이퍼를 고정적으로 지지하는 정전척 및 그를 구비하는 반도체 제조설비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장비 중 기판의 홀딩은 메카니컬 클램핑 링(mechanical clamp)방식이 많이 이용되며, 그러나 최근에는 파티클(particle)과 공정의 단일성 (uniformity)이 우수한 정전척(ElectroStatic Chuck;ESC)의 사용이 급증하고 있다.
특히, 고밀도 플라즈마 증착 및 식각을 위한 장비로써 정전척의 사용이 일반화되고 있다. 그러나 이러한 정전척 사용 시 파티클이나 척에 폴리머(polymer)가 증착되는 등 다량의 이물질이 발생되고, 또한 정전척(ESC)을 사용하여 기판을 척킹하는 장치에서 더킹(ducking)문제 발생으로 공정 챔버내에서 기판의 깨짐(broken)이 발생한다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 반도체 제조설비에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비는, 외부로부터 독립된 내부 공간에 불활성 기체 및 반응 가스로 충만되어 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버(10)와, 상기 공정 챔버(10)의 상단에 형성된 상부 전극(12)과, 상기 상부 전 극(12)에 인접하여 상기 공정 챔버(10) 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드(14)와, 상기 샤워헤드(14)에 대향되는 상기 공정 챔버(10)의 하단에 형성된 하부 전극(16)과, 상기 하부 전극(16)의 상부에서 상기 웨이퍼(W)를 지지하며, 외부 또는 정전압 공급부(20)에서 공급되는 정전압을 이용하여 상기 웨이퍼를 척킹하는 정전척(18)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 상부 전극(12)과 상기 하부 전극(16)은 상기 공정 챔버(10) 외부에서 공급되는 고주파 파워(high frequency power)를 인가받아 상기 공정 챔버(10) 내부에 공급되는 상기 불활성 기체 및 반응 가스를 고온에서 전자와, 양의 전하를 갖는 이온이 분리되는 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극이다. 이때, 상기 샤워헤드(14)를 통해 상기 공정 챔버(10) 하부의 상기 웨이퍼(W)로 분사되는 상기 불활성 가스 및 반응 가스는 상기 플라즈마 상태로 여기되면서 균일하게 혼합되어 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 유동되면서 소정의 박막을 증착시키거나, 상기 소정의 박막을 식각할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 상태의 상기 불활성 가스 및 반응 가스가 상기 웨이퍼(W) 또는 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 상기 박막 내에 도핑된 도전성 불순물을 열화(heat budget)시킬 수 있기 때문에 상기 웨이퍼(W)는 소정의 온도로 냉각되어야만 한다. 따라서, 상기 정전척(18)은 상기 웨이퍼(W)의 후면으로 냉매를 유동시켜 상기 웨이퍼(W)가 냉각되도록 할 수 있다.
또한, 상기 정전척(18)은 상기 냉매가 상기 웨이퍼(W)의 후면 바깥으로 유동되지 않도록 상기 웨이퍼(W)를 소정의 압착력으로 홀딩 해야만 한다. 따라서, 상기 정전척(18)은 상기 정전압 공급부(20)에서 공급되는 정전압을 이용하여 상기 웨이퍼(W)를 척킹(chucking)한다. 예컨대, 상기 정전척(18)은 크게 상기 공정 챔버(10)의 하부에서 유입되는 냉매관(도시되지 않음)을 통해 상기 냉매가 유동되도록 형성된 척 바디(22)와 상기 척 바디(22) 상에 지지되면서 상기 웨이퍼(W)를 척킹하는 척 시트(puck, 24)를 포함하여 이루어진다. 상기 척 시트(24) 내에는 상기 정전압이 인가되는 척 전극(26)을 포함한다. 여기서, 상기 척 전극(26)은 상기 정전압 공급부(20)에서 연결되는 전원 인입선(30)의 소켓(28), 또는 상기 전원 인입선(30)에 연결되는 콘덴서(34)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 삽입되는 전극 봉(32)을 구비하여 이루어진다. 이때, 상기 콘덴서(34)는 상기 하부 전극(16)에 인가되는 고주파 파워에 의해 상기 척 전극(26)에 인가되는 정전압의 노이즈를 제거시킬 수 있기 때문에 상기 척 바디(22)의 내부에 적어도 하나이상이 형성된다. 상기 척 전극(26)에 상기 정전압이 인가될 때, 정전척(18)은 존슨-라벡 효과 (Johnsen-Rahbek effect)에 따라 상기 웨이퍼(W)를 정전기적으로 끌어당겨 상기 웨이퍼(W)를 척킹(chucking)한다. 이때, 상기 정전척(18) 상에 위치한 웨이퍼(W)는 상기 정전척(18)에 인가되는 정전압에 의해 상기 정전척(18)에 인접하는 상기 웨이퍼(W)면에 상기 정전압에 반대되는 극성의 전하가 유도된다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)에 유도된 상기 전하에 의해 유도 기전력이 발생되고, 상기 웨이퍼(W)가 상기 정전척(18)에 고정된다.
하지만, 종래 기술에 따른 정전척(18)은 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 정전척(18)은 예방정비 또는 상기 정전척(18)의 교체 시 상기 전원 인입선(30)의 소켓(28) 또는 상기 콘덴서(34)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 삽입되는 전극 봉(32)이 헐거워지고, 상기 전극 봉(32)과 소켓(28)이 전기적으로 접촉되는 면적이 줄어들어 정전척(18)의 척킹 효율을 감소되어 반도체 제조공정의 불량을 야기시킬 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 예방정비 또는 상기 정전척(18)의 교체 시 상기 전원 인입선(30)의 소켓(28) 또는 상기 콘덴서(34)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 삽입되는 전극 봉(32)이 헐거워지는 것을 방지하고, 상기 전극 봉(32)과 소켓(28)이 전기적으로 접촉되는 면적을 증가시키고, 정전척(18)의 척킹 효율을 감소되어 반도체 제조공정의 불량을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상에 따른 정전척은, 외부에서 유입되는 전원 인입선에 연결되고, 상기 전원 인입선에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 콘덴서; 상기 콘덴서를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디; 상기 척 바디의 내부에 위치되는 상기 콘덴서에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓; 상기 척 바디의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트; 상기 척 시트의 하부에서 돌출되어 상기 소켓에 삽입되는 전극 봉; 및 상기 전극 봉이 상기 소켓에 삽입될 경우, 상기 전극 봉의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉과 상기 소켓의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양상은, 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하며 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 상단 또는 하단에 형성된 플라즈마 전극; 및 상기 플라즈마 전극의 상단에 형성되어 상기 챔의 외부에서 유입되는 전원 인입선에 연결되고, 상기 전원 인입선에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 콘덴서와, 상기 콘덴서를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디와, 상기 척 바디의 내부에 위치되는 상기 콘덴서에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓과, 상기 척 바디의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트와, 상기 척 시트의 하부에서 돌출되어 상기 소켓에 삽입되는 전극 봉과, 상기 전극 봉이 상기 소켓에 삽입될 경우, 상기 전극 봉의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉과 상기 소켓의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링을 구비하는 정전척을 포함하는 반도체 제조설비이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비는 외부로부터 독립된 내부 공간에 불활성 기체 및 반응 가스로 충만되어 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버(100)와, 상기 공정 챔버(100)의 상단에 형성된 상부 전극(112)과, 상기 상부 전극(112)에 인접하여 상기 공정 챔버(100) 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드(114)와, 상기 샤워헤드(114)에 대향되는 상기 공정 챔버(100)의 하단에 형성된 하부 전극(116)과, 상기 하부 전극(116)의 상부에서 상기 웨이퍼(W)를 지지하며, 상기 공정 챔버(100)의 하단에서 유입되는 전원 인입선(130) 또는 콘덴서(134)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 척 시트(124) 내의 척 전극(126)으로부터 돌출되는 전극 봉(132)이 삽입될 경우, 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)사이에 형성되고 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)의 전기적인 접촉면적을 증가시켜 상기 척 전극(126)에 인가되는 정전압을 이용한 척킹 효율을 향상시키도록 형성된 클램핑 링(136)을 구비하는 정전척(118)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 정전척(118)에 상기 웨이퍼(W)가 정전기적으로 척킹(chucking)되도록 상기 정전척(118)에 정전압을 인가하는 정전압 공급부(120)를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 공정 챔버(100)는 상기 웨이퍼(W)이 외부의 오염물질에 의해 오염되지 않고 반도체 제조공정이 우수하게 수행되도록 하기 위해 진공 상태를 갖도록 설정된다. 도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(100)의 하부에서 외부로 연 결되는 배기 라인을 통해 상기 공정 챔버(100) 내에 공급되는 상기 불활성 가스, 상기 반응 가스 및 반응 후 가스를 소정의 펌핑 압력으로 펌핑하는 진공 펌프가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 진공 펌프는 10-6Torr 정도의 고진공을 만들기 위한 터보 펌프와 같은 고진공 펌프와, 10-3Torr 정도의 저진공을 만들기 위한 드라이 펌프와 같은 저진공 펌프를 포함하여 이루어진다.
상기 상부 전극(112)과 상기 하부 전극(116)은 외부에서 인가되는 고주파 파워를 이용하여 상기 공정 챔버(100) 내부에 충만되는 상기 불활성 가스 및 반응 가스를 고온에서 전자와 고온의 양이온의 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극이다. 도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(100)의 외부에서 상기 상부 전극(112) 또는 상기 하부 전극(116)에 고주파 파워를 정합시켜 인가하는 매칭 박스가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 상부 전극(112) 또는 하부 전극(116)에 인가되는 고주파 파워는 약 20000V정도의 전압과 약 수십 와트(W) 또는 수백 와트(W)정도의 에너지를 갖는다.
또한, 상기 정전척(118) 상에 고정 지지되어 웨이퍼(W)는 고온의 플라즈마 반응에 의해 소정의 온도로 가열될 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 반응은 약 700℃ 내지 약 800℃정도에서 이루어진다. 따라서, 상기 플라즈마 반응에 의해 상기 웨이퍼(W)가 가열되어 상기 웨이퍼(W) 상에 이온주입된 도전성 불순물이 열화되거나, 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 도전성 금속 배선이 단선되는 것을 방지하기 위해 상기 정전척(118)과 상기 웨이퍼(W)의 후면사이에 냉매를 유동시켜 상기 웨이퍼(W) 를 냉각시키도록 형성되어 있다.
예컨대, 상기 정전척(118)은 상기 정전압 공급부(120) 연결되어 상기 공정 챔버(100)의 외부에서 유입되는 전원 인입선(130)에 연결되고, 상기 전원 인입선(130)에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 적어도 하나이상의 콘덴서(134)와, 상기 콘덴서(134)를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디(122)와, 상기 척 바디(122)의 내부에 위치되는 상기 콘덴서(134)에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디(122)의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓(28)과, 상기 척 바디(122)의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트(124)와, 상기 척 시트(124)의 내부에서 상기 정전압이 척 전극(126)과, 상기 척 전극(126)과 연결되며 상기 척 시트(124)의 하부에서 돌출되어 상기 소켓(28)에 삽입되는 전극 봉(132)과, 상기 전극 봉(132)이 상기 소켓(28)에 삽입될 경우, 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)의 사이에서 상기 전극 봉(132)의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓(28)의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링(136)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 척 바디(122)는 상기 하부 전극(116)의 상부에서 평탄면을 갖고 상기 냉매를 유동시키는 냉매 라인을 갖도록 형성되며, 상기 콘덴서(134)를 탑재하며 상기 콘덴서(134)에서 전기적으로 연결되는 상기 소켓(28)을 상부로 노출시키도록 형성되어 있다.
상기 콘덴서(134)는 상기 하부 전극(116) 또는 상부 전극(112)에서 인가되는 고주파 파워에 의해 상기 척 전극(126)에 인가되는 정전압의 노이즈를 방지토록 하 기 위해 상기 척 바디(122)의 내부에 형성되어 있다.
상기 척 시트(124)는 상기 척 바디(122)에 형성된 냉매 라인을 통해 유입되는 냉매가 상기 웨이퍼(W)의 후면으로 유동되도록 형성된 냉매 홀을 포함하여 이루어진다. 예컨대, 상기 척 시트(124)는 약 0.7㎝정도의 두께를 갖도록 형성되어 있다. 또한, 상기 냉매는 헬륨 또는 갈덴이 주로 사용되며 상기 냉매는 상기 척 바디(122)의 냉매 라인 및 상기 척 시트(124)의 냉매 홀을 따라 순환공급되면서 상기 웨이퍼(W)를 냉각시키도록 순환 공급된다. 화학기상증착공정 또는 건식식각공정의 진행중에 상기 플라즈마 반응이 고온의 이온 분리상태를 요하기 때문에 상기 웨이퍼(W)의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해 상기 정전척(118) 상에 헬륨 홀을 형성하여 헬륨가스를 순환 공급하여 상기 기판(108)의 표면 온도를 하강시켜 진행될 수 있다. 이때, 상기 냉매가 상기 웨이퍼(W) 후면에서 바깥으로 누설될 경우, 상기 공정 챔버(100) 내부에서의 반도체 제조공정 불량이 발생될 수 있다. 상기 정전척(118) 상에서 웨이퍼(W)는 소정의 압착력을 갖고 고정되어야 한다.
따라서, 상기 척 전극(126)은 상기 정전압 공급부(120)에서 인가되는 정전압에 의해 유도되는 존슨-라벡 효과를 이용하여 상기 웨이퍼(W)를 소정 크기의 정전력으로 압착 고정시킨다. 존슨-라벡 효과는 1920년 존슨과 라벡에 의해 마노(瑪瑙), 점판암(粘板岩)등과 같은 약한 전도성 물질을 연마한 판과 인접한 금속판이 200V의 전압이 가해진 상태로 단단하게 결합하는 현상으로 발견되었다. 전하가 없는 상태에서는 이러한 결합이 쉽게 끊어진다. 이 현상은 몇몇 점에서 약한 전도성 물질과 금속이 접촉하기 때문에 일어나는 것이다. 이는 전이 영역에서의 저항은 크 고, 금속판의 횡단면 사이와 금속판 자체 내에서의 저항력은 작기 때문에 발생한다. 따라서 금속과 물체 사이의 전이 공간에 조금이라도 전기장이 존재한다면, 큰 전압이 발생한다. 금속과 물체사이의 거리는 거의 1nm정도로 작기 때문에, 이 공간 사이로 큰 전압이 발생하는 것이다. 상기 척 시트(124)는 상기 존슨-라벡 효과에 의해 유도되는 정전력을 이용해 웨이퍼(W)와 접촉하지 않고도 웨이퍼(W)를 착탈할 수 있는 소모성 부분이다. 이때, 존슨-라벡 효과와 관련된 힘은 전위차가 가해지는 시간에 따라 증가한다. 상기 정전압이 상기 척 전극(126)으로부터 제거될 때에, 잔류하는 힘은 시간에 따라 점차 감소할 것이다. 이는 존슨-라벡 효과의 힘이 너무 큰 경우, 척 시트(124)로부터 웨이퍼(W)를 즉각적으로 분리시킬 수 없다. 따라서, 상기 척 전극(126)은 존슨-라벡 효과에 의해 고정 압착 시 상기 웨이퍼(W)의 표면에 유도된 전하를 보상하기 위해 접지되어 상기 웨이퍼(W)를 디척킹토록 할 수도 있다. 이때, 웨이퍼(W)는 소정 레벨의 전하가 잔존하더라도 상기 척 전극(126)이 접지되어 상기 웨이퍼(W)에 잔존하는 전하에 의해 유도되는 정전력이 보상되어 분리되도록 할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 정전척(118) 상에서 상기 웨이퍼(W)를 리프팅 시키는 복수개의 리프트 핀이 상기 정전척(118)에 형성된 복수개의 핀홀을 관통하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 척 시트(124)에 안착시키거나 상기 웨이퍼(W)를 상기 척 시트(124) 상에서 분리시킬 수 있다.
상기 전극 봉(132)은 상기 소켓(28)에 삽입되면 상기 척 전극(126)에 상기 정전압이 인가되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 전극 봉(132)은 도전성이 우수한 구리 재질로 형성되어 있다. 따라서, 상기 전극 봉(132)이 상기 소켓(28)에서 분리 결합될 경우, 상기 전극 봉(132)이 마모되어 상기 소켓(28)에 전기적으로 접촉되는 면적이 줄어들 수 있다. 따라서, 상기 소켓(28)의 나부에 삽입되는 상기 전극 봉(132)의 외주면에 상기 클램핑 링(136)을 장착하여 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)이 전기적으로 접촉되는 면적을 향상시킬 수 있다.
도 3은 도 2의 클램핑 링(136)을 나타내는 사시도로서, 상기 클램핑 링(136)은 상기 전극 봉(132)의 외주면이 삽입될 수 있도록 일측이 개방된 밴드 모양을 갖도록 형성되어 있다. 여기서, 상기 클램핑 링(136)은 상기 전극 봉(132)의 외주면과 상기 소켓(28)의 내주면으로 소정의 텐션을 갖도록 하기 위해 둘레를 따라 소정간격으로 다수개의 구멍(aperture, 138)이 형성되어 있다. 또한, 상기 클램핑 링(136)의 중심이 오목하게 함몰되어 있어 상기 전극 봉(132)에 용이하게 접촉되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 클램핑 링(136)은 도전성이 우수한 구리 재질로 이루어진다.
따라서, 본 발명에 따른 정전척(118)은 정전압 공급부(120)에서 연결되는 전원 인입선(130) 또는 콘덴서(134)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 척 시트(124) 내의 척 전극(126)으로부터 돌출되는 전극 봉(132)이 삽입될 경우, 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)사이에 형성되고 상기 전극 봉(132)과 상기 소켓(28)의 전기적인 접촉면적을 증가시키도록 형성된 클램핑 링(136)을 구비하여 예방정비 또는 상기 정전척(118)의 교체 시 상기 전원 인입선(130)의 소켓(28) 또는 상기 콘덴서(134)에서 전기적으로 연결되는 소켓(28)에 삽입되는 전극 봉(132)이 헐거워지는 것을 방지하고, 상기 전극 봉(132)과 소켓(28)이 전기적으로 접촉되는 면적을 증가시키고, 정전척(118)의 척킹 효율을 감소되어 반도체 제조공정의 불량을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 정전압 공급부에서 연결되는 전원 인입선 또는 콘덴서에서 전기적으로 연결되는 소켓에 척 시트 내의 척 전극으로부터 돌출되는 전극 봉이 삽입될 경우, 상기 전극 봉과 상기 소켓사이에 형성되고 상기 전극 봉과 상기 소켓의 전기적인 접촉면적을 증가시키도록 형성된 클램핑 링을 구비하여 예방정비 또는 상기 정전척의 교체 시 상기 전원 인입선의 소켓 또는 상기 콘덴서에서 전기적으로 연결되는 소켓에 삽입되는 전극 봉이 헐거워지는 것을 방지하고, 상기 전극 봉과 소켓이 전기적으로 접촉되는 면적을 증가시키고, 정전척의 척킹 효율을 감소되어 반도체 제조공정의 불량을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 외부에서 유입되는 전원 인입선에 연결되고, 상기 전원 인입선에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 콘덴서;
    상기 콘덴서를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디;
    상기 척 바디의 내부에 위치되는 상기 콘덴서에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓;
    상기 척 바디의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트;
    상기 척 시트의 하부에서 돌출되어 상기 소켓에 삽입되는 전극 봉; 및
    상기 전극 봉이 상기 소켓에 삽입될 경우, 상기 전극 봉의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉과 상기 소켓의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링을 구비하는 정전척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    클램핑 링은 상기 전극 봉의 원주 방향의 중심이 함몰되도록 형성함을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 클램핑 링은 구리 재질로 형성함을 특징으로 하는 정전척.
  4. 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하며 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 상단 또는 하단에 형성된 플라즈마 전극;
    상기 플라즈마 전극의 상단에 형성되어 상기 챔의 외부에서 유입되는 전원 인입선에 연결되고, 상기 전원 인입선에서 인가되는 정전압에 유도되는 노이즈를 방지하는 콘덴서와, 상기 콘덴서를 내부에 위치시키며 수평상태를 갖는 원반 모양을 갖도록 형성된 척 바디와, 상기 척 바디의 내부에 위치되는 상기 콘덴서에 전기적으로 연결되어 상기 척 바디의 상부에서 노출되도록 형성된 소켓과, 상기 척 바디의 상부에서 소정의 두께를 갖고 평탄하도록 형성된 척 시트와, 상기 척 시트의 하부에서 돌출되어 상기 소켓에 삽입되는 전극 봉과, 상기 전극 봉이 상기 소켓에 삽입될 경우, 상기 전극 봉의 외주면을 둘러싸고, 상기 소켓의 내주면에 밀착되어 상기 전극 봉과 상기 소켓의 도전성을 극대화하도록 형성된 클램핑 링을 구비하는 정전척을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
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