KR20070098062A - The apparatus for heating semiconductor layer - Google Patents

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Abstract

An apparatus for heating a semiconductor film is provided to enhance the crystalline of an amorphous silicon film by improving structure of a preheating part, an inductive core and an inductive coil or installing a preheating part for a substrate. An apparatus(300) for heating a semiconductor film(305) includes a chamber, a substrate fixing part(309), a preheating part(311,313), and a magnetic inductive part(314,316). The substrate fixing part(309) fixes a substrate which is supplied into the chamber. The preheating part(311,313) preheats the substrate. The magnetic inductive part(314,316) crystallizes the semiconductor film(305) by induced-heating with the inductive magnetic field. The magnetic inductive part(314,316) comprises an inductive core and an inductive coil. A preheating part for the substrate is installed for preheating the semiconductor film(305) in a separate chamber before transferring the substrate to the chamber for crystallizing the semiconductor film(305).

Description

반도체막 열처리 장치{The apparatus for heating semiconductor layer}Semiconductor film heat treatment apparatus {The apparatus for heating semiconductor layer}

도 1은 종래 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.1 is a schematic view showing a conventional semiconductor film heat treatment apparatus as one example.

도 2는 도 1에 도시한 반도체막 열처리 장치의 유도가열부를 확대하여 나타낸 확대도.FIG. 2 is an enlarged view of an induction heating unit of the semiconductor film heat treatment apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.3 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor film heat treatment apparatus as a first embodiment according to the present invention;

도 4는 도 3에 도시한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도.FIG. 4 is an enlarged view showing an electric field distribution diagram of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part by expanding the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus shown in FIG.

도 5는 도 3의 변형된 실시예로써, 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도.FIG. 5 is an enlarged view showing an electric field distribution diagram of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part by expanding the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the modified embodiment of FIG.

도 6은 도 3의 또 다른 변형된 실시예로써, 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도.FIG. 6 is an enlarged view showing the electric field distribution of the generated induced magnetic field generated in the thin film crystal part by enlarging the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus as another modified embodiment of FIG. 3.

도 7은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.7 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor film heat treatment apparatus as a second embodiment according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *

300, 700 : 반도체막 열처리 장치 301a, 301b, 701 : 스테이지300, 700 semiconductor film heat treatment apparatus 301a, 301b, 701: stage

302 : 열처리용 기판 공급부 303, 703 : 롤러302: substrate substrate for heat treatment 303, 703: roller

305, 405 : 반도체막 306, 506, 606 : 박막 결정부305 and 405: semiconductor films 306, 506 and 606: thin film crystal part

307 : 유리기판 308 : 냉각부307: glass substrate 308: cooling unit

309, 709 : 기판 고정부 311 : 도전판309, 709: substrate fixing part 311: conductive plate

313 : 반사막 314, 514, 614 : 유도코어313: reflection film 314, 514, 614: induction core

316, 516, 616 : 유도코일 A : 자속316, 516, 616: guide coil A: magnetic flux

B : 함몰부 318 : 냉각수B: depression 318: cooling water

710 : 기판용 예비가열부 711 : 히터710: preheating unit for the substrate 711: heater

본 발명은 반도체막 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor film heat treatment apparatus.

최근에 액정표시장치(Liquid crystal Device)나 유기 전계 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes)등의 평판 디스플레이분야가 급격히 발전하고 있는 가운데에, 이들에 대한 구동 소자의 제조 및 개선에 대한 필요성도 급격히 커지고 있다.Recently, the field of flat panel displays such as liquid crystal devices and organic light emitting diodes has been rapidly developed, and the necessity for manufacturing and improving the driving elements for these devices is also rapidly increasing. .

이러한, 전계 발광 소자 혹은 액정표시장치는 유리기판상에 반도체막을 이용한 TFT(Thin Film Transister)를 사용하고 있으며, 차후 플라스틱 기판상에도 이러한 반도체 TFT나 혹은 현재 개발중인 유기반도체TFT(Organic Thin Film Transister)가 사용될 것으로 예상된다.Such an electroluminescent device or liquid crystal display device uses a thin film transistor (TFT) using a semiconductor film on a glass substrate, and such a semiconductor TFT or an organic semiconductor thin film transistor (TFT) currently being developed is also used on a plastic substrate. It is expected to be used.

예컨데, 유리기판상에 반도체막인 폴리실리콘을 형성하기 위해서는 수백도의 열처리가 필수적인데, 이때 열처리공정시에 유리기판이 변형되거나 손상을 받기 쉽다.For example, in order to form polysilicon as a semiconductor film on a glass substrate, heat treatment of several hundred degrees is necessary. In this case, the glass substrate is easily deformed or damaged during the heat treatment process.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 현재까지 개발되고 있는 방법은 저온으로 엑시머 레이저를 조사하여 아몰포스실리콘소자를 국부적으로 결정화하는 ELC(Excimer Laser Crystallization) 방법과, 아몰포스실리콘막에 Ni, Pd등과 같은 금속원소를 첨가하여 저온에서 결정화를 유도하는 MIC(Metal Induced Crystallization) 방법등이 있다.In order to solve this problem, the methods developed so far are ELC (Excimer Laser Crystallization) method which locally crystallizes an amorphous silicon device by irradiating an excimer laser at low temperature, and metal elements such as Ni and Pd on the amorphous silicon film. There is a method of MIC (Metal Induced Crystallization) to induce crystallization at low temperature by adding.

여기서, ELC 방법은 엑시머 레이저에 의해서 조사되는 레이저 빔의 에너지에 따라 국부적 결정화를 기반으로 하기 때문에 대면적의 평판디스플레이용 유리기판 처리에는 시간과 비용 및 처리평탄성등의 측면에서 단점이 있고, MIC방법은 아몰포스실리콘막에 첨가된 금속입자로 인한 누설전류증가, 금속실리사이드형성, 결정성 부족등의 측면에서 단점이 있다.Here, since the ELC method is based on local crystallization according to the energy of the laser beam irradiated by the excimer laser, there are disadvantages in terms of time, cost and processing flatness in glass substrate processing for a large area flat panel display. Silver has disadvantages in terms of increased leakage current, metal silicide formation, and lack of crystallinity due to the metal particles added to the amorphous silicon film.

최근에는, 전술한 ELC 방법과 MIC 방법의 문제점을 개선하기 위해서 유도코일에서 발생한 유도전류를 이용하여 유리기판상의 반도체막을 유도 가열하도록 하는 방법이 계속한 연구를 통해서 이루어지고 있다. 이러한, 종래 하나의 일예인 반 도체막 열처리 장치를 살펴보면 다음 도 1과 같다.Recently, in order to improve the problems of the above-described ELC method and MIC method, a method of inductively heating a semiconductor film on a glass substrate by using an induction current generated in an induction coil has been made through continuous studies. Looking at such a semiconductor film heat treatment apparatus as one example of the prior art as shown in FIG.

도 1은 종래 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a schematic view showing a conventional semiconductor film heat treatment apparatus as one example.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치(100)는 열처리용 기판 공급부(102), 예열부(104), 유도가열부(106), 냉각부(108)등이 설치된다.As shown in FIG. 1, the semiconductor film heat treatment apparatus 100, which is one example of the related art, is provided with a substrate supply unit 102, a preheating unit 104, an induction heating unit 106, a cooling unit 108, and the like for heat treatment. do.

먼저, 열처리용 기판 공급부(102)는 하나의 스테이지(stage, 101a)에 소정의 이송수단인 롤러(103)가 설치되고, 롤러(103)상에는 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)을 고정하기 위한 기판 고정부(109)가 설치된다. 이러한, 열처리용 기판 공급부(102)는 기판 고정부(109)상에 위치한 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)을 저온으로 열처리시키기 위해서 이후에 진술할 예열부(104)로 공급시키는 역할을 하게 된다.First, the substrate supply unit 102 for heat treatment is provided with a roller 103, which is a predetermined conveying means, on one stage 101a, and a glass substrate 107 on which the semiconductor film 105 is deposited. The substrate fixing part 109 is installed to fix it. The heat supply substrate supply unit 102 supplies the preheating unit 104 to be described later to heat-treat the glass substrate 107 on which the semiconductor film 105 located on the substrate fixing unit 109 is deposited at a low temperature. It will play a role.

또한, 예열부(104)는 다른 하나의 스테이지(stage, 101b)에 소정의 예열수단인 히터(111)가 설치되고, 히터(111)상에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(103)가 설치된다. 여기서, 예열부(104)는 히터(111)상에 위치한 열처리용 기판 공급부(102)에서 공급받은 열안정성이 취약한 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)을 손상하지 않을 범위 정도로, 저온으로 예열처리 하는 역할을 하게 된다.In addition, the preheating unit 104 is provided with a heater 111, which is a predetermined preheating means, on the other stage 101b, and a roller 103, which is a predetermined conveying means, to perform the next process on the heater 111. ) Is installed. Here, the preheating unit 104 has a low temperature so as not to damage the glass substrate 107 on which the thermally stable semiconductor film 105 supplied from the heat treatment substrate supply unit 102 located on the heater 111 is deposited. Preheating is to play a role.

또한, 유도가열부(106)는 또 다른 하나의 스테이지(stage, 101c)에 소정의 유도가열수단인 유도코어(110)와 유도코일(112)이 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)을 고정하는 기판 고정부(109)의 사이를 서로 마주보도록 설치되고, 기판 고정부(109)의 하부에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(103)가 설치된다. 이러한, 유도가열부(106)는 유도코일(112)에서 발생한 유도전류가 전기적으로 연결된 유도코어(110)로 유도전류를 확산시켜, 유리기판(107)상에 형성된 반도체막(105)인 아몰포스실리콘막을 유도가열하여 결정화시키는 역할을 하게 된다.In addition, the induction heating unit 106 is a glass substrate 107 on which the induction core 110 and the induction coil 112, which are predetermined induction heating means, are deposited on another stage 101c. ) Is installed so as to face each other between the substrate fixing portion 109 for fixing (), and a roller 103, which is a predetermined conveying means, is installed at the lower portion of the substrate fixing portion 109 to perform the next process. The induction heating unit 106 diffuses the induction current into the induction core 110 to which the induction current generated in the induction coil 112 is electrically connected, and is an amorphous film, which is a semiconductor film 105 formed on the glass substrate 107. The silicon film is inductively heated to crystallize.

또한, 냉각부(108)는 또 다른 하나의 스테이지(stage, 101d)에 소정의 냉각수단인 냉각수(113)가 설치되고, 냉각수(113)상에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(103)가 설치되며, 롤러(103)상에는 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)을 고정하는 기판 고정부(109)가 설치된다. 이러한, 냉각부(108)는 유도가열된 반도체막(105)이 증착된 유리기판(107)의 급격한 상승온도를 낮추기 위해서 유리기판(107)을 냉각처리하는 역할을 하게 된다.In addition, the cooling unit 108 is provided with a cooling water 113 which is a predetermined cooling means in another stage 101d, and a roller which is a predetermined conveying means to perform the next process on the cooling water 113. 103 is provided, and a substrate fixing portion 109 is provided on the roller 103 to fix the glass substrate 107 on which the semiconductor film 105 is deposited. The cooling unit 108 serves to cool the glass substrate 107 in order to lower the sudden rise temperature of the glass substrate 107 on which the induction-heated semiconductor film 105 is deposited.

이와같은 종래 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치(100)는 유리기판(107)이 유도가열부(106)에 의해서 유도가열되기 전에, 예열부(104)를 통하여 손상되지 않는 범위내에서 일정온도 이상으로 예비가열(preheating) 처리가 이루어지고, 그 이후의 공정에는 예비가열처리가 이루어지지 않게 된다.One such conventional semiconductor film heat treatment apparatus 100 is a predetermined temperature or more within a range that is not damaged through the preheating unit 104 before the glass substrate 107 is induction heating by the induction heating unit 106. The preheating treatment is performed, and the preheating treatment is not performed in subsequent processes.

따라서, 예비가열처리 공정이 끝난 유리기판(107)에 반도체막(105)인 아몰포스실리콘막을 형성하여 결정화시키는 공정으로 진행시킬 때에, 유리기판(107)의 온도가 서서히 하강하게 되어 유리기판(107)의 예비가열을 더욱 높게 처리해줘야만 한다.Therefore, the temperature of the glass substrate 107 is gradually lowered when the amorphous substrate is formed to crystallize and formed on the glass substrate 107 after the preheating process is completed. The preheating of) should be handled higher.

이에따라, 유리기판(107)에 예비가열을 미리 더욱 높게 처리할시에 유기기판(107)의 허용온도 한계범위를 넘게 된다면, 유리기판(107)의 손상을 가져올 수가 있게 되어 제조비용의 상승을 초래할 수가 있게 되고, 유리기판(107)을 예비가열하기 위한 별도의 예비가열챔버가 필요하므로 반도체막을 열처리하기 위한 제조비용의 상승을 불러오게 되어, 결국에는 장치의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다.Accordingly, when the preliminary heating of the glass substrate 107 is further processed in advance, if the allowable temperature limit of the organic substrate 107 is exceeded, the glass substrate 107 may be damaged, resulting in an increase in manufacturing cost. Since a separate preheating chamber for preheating the glass substrate 107 is required, the manufacturing cost for heat treatment of the semiconductor film is increased, resulting in a problem that the reliability of the device is lowered.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이 종래 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치(도1의 100)에 구비된 유도가열부(106)는 유도코일(112)에서 발생한 유도전류가 전기적으로 연결된 유도코어(110)로 유도전류를 확산시켜, 생성된 유도자기장으로 유리기판(107)에 형성된 반도체막(105)인 아몰포스실리콘막을 유도가열하여 결정화시키는 데에는 전계 분포도의 자속(A)이 치밀하게 집중되지 않아 결정성을 높이는 데에는 한계가 따르게 된다.In addition, as shown in FIG. 2, the induction heating unit 106 provided in the semiconductor film heat treatment apparatus (100 of FIG. 1), which is one example of the related art, has an induction core electrically connected to an induction current generated in the induction coil 112. The magnetic flux (A) of the electric field distribution is not concentrated precisely in induction heating to crystallize by inducing heating the induced current to 110, and induction heating the amorphous film of the semiconductor film 105 formed on the glass substrate 107 with the generated induction magnetic field. There is a limit to increasing crystallinity.

상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 유리기판상에 반도체막을 결정화시킬 때에, 하나의 챔버 내부에 예비가열부와 자기유도부를 설치함으로써, 별도의 예비가열챔버를 사용하지 않고 반도체막을 열처리시키므로 반도체막을 열처리하기 위한 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention provides a preheating unit and a magnetic induction unit inside a chamber when crystallizing the semiconductor film on a glass substrate, thereby heat treating the semiconductor film without using a separate preheating chamber. It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of suppressing an increase in manufacturing cost.

본 발명의 다른 목적은, 복사열을 높게 하는 예비가열부와 자기유도부의 구조를 개선하거나 기판용 예비가열부를 더 구비함으로써, 유리기판상에 증착된 반도체막에 전계 분포도의 자속을 더욱 치밀하게 집중시켜, 반도체막인 아몰포스실리콘막의 결정성을 더욱 높일 수가 있는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to improve the structure of the preheating portion and the magnetic induction portion to increase the radiant heat or to further provide a preheating portion for the substrate, thereby more precisely focusing the magnetic flux of the electric field distribution map on the semiconductor film deposited on the glass substrate, An object of the present invention is to provide a further improvement in crystallinity of an amorphous silicon film, which is a semiconductor film.

이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 챔버와, 챔버에 공급된 반도체막이 증착된 기판을 고정하는 기판고정부와, 챔버에 공급된 반도체막이 증착된 기판을 예비가열(Preheating)하는 예비가열부와, 챔버에 공급된 반도체막이 증착된 기판에 유도자기장으로 유도가열하여 반도체막을 결정화하는 자기유도부를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber, a substrate fixing part for fixing a substrate on which a semiconductor film supplied to the chamber is deposited, a preheating part for preheating a substrate on which the semiconductor film supplied to the chamber is deposited; And a magnetic induction part that inductively heats an induction magnetic field on the substrate on which the semiconductor film supplied to the chamber is deposited to crystallize the semiconductor film.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 예비가열부는 기판고정부의 상하부 또는내부에 설치되고, 자기유도부는 유도코어와 유도코일이 구비되어, 예비가열부의 상하부에 위치하여 서로 대향되게 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the pre-heating unit is installed on the upper or lower portion or inside of the substrate fixing portion, the magnetic induction portion is provided with an induction core and the induction coil, it is located on the upper and lower portions of the pre-heating portion is characterized in that it is installed opposite each other .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 자기유도부는 유도코어와 유도코일이 구비되고, 유도코어는 서로 분리되게 설치되며, 그 일측에 함몰부가 둘 이상은 형성되어 함몰부의 각각에 유도코일이 둘 이상으로 설치되며, 함몰부를 제외한 나머지 부분중 어느 하나의 부분은 돌출되게 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the magnetic induction part is provided with an induction core and the induction coil, the induction core is installed separately from each other, two or more depressions are formed on one side of the induction coil in each of the two or more depressions It is installed, any one of the remaining portions except the depression is characterized in that it is installed to protrude.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 어느 하나의 부분은 유도코어의 중심부분이고, 유도코어의 중심부분은 절곡 또는 굴곡지게 돌출되어 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, any one portion is the central portion of the induction core, the central portion of the induction core is characterized in that it is installed protruded bent or curved.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유도코어는 한측이 오픈되도록 일체형으로 설치되고, 오픈되지 않는 어느 다른 한측을 감싸도록 유도코일이 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the induction core is installed integrally so that one side is open, characterized in that the induction coil is installed to surround any other side that is not open.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유도코어의 오픈된 한측은 절곡 또는 굴곡지게 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the open one side of the induction core is characterized in that it is installed bent or curved.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 예비가열부는 적외선 램프, 저항가열형 히터, 도전판중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the preheating unit is characterized in that any one of the infrared lamp, resistance heating type heater, conductive plate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 도전판은 기판을 마주보도록 서로 대향되게 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the conductive plate is characterized in that it is provided opposite to each other to face the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 도전판의 외측에 반사막이 더 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the reflective film is further provided on the outside of the conductive plate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 도전판은 복사율이 큰 재료인 Cu, Al, Ag중 어느 하나 또는 어느 하나이상을 포함한다.According to another feature of the invention, the conductive plate comprises any one or more of Cu, Al, Ag, which is a material having a high emissivity.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 반도체막이 증착된 기판을 예비가열하는 기판용 예비가열부가 반도체막을 결정화하기 위한 챔버로 공급하기 전에 별도의 챔버로 공급하여 예비가열하도록 더 설치되는 것을 특징으로 한다.According to still another feature of the present invention, the substrate preheater for preheating the substrate on which the semiconductor film is deposited may be further installed to be preheated by supplying it to a separate chamber before supplying the semiconductor film to the chamber for crystallization.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 반도체막이 증착되어 결정화된 기판을 별도의 챔버로 공급하여 냉각하도록 냉각부가 더 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, a cooling unit is further installed to supply and cool the substrate in which the semiconductor film is deposited and crystallized to a separate chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 반도체막은 아몰포스실리콘막인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the semiconductor film is characterized in that the amorphous silicon film.

이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention in more detail.

<제 1 실시예><First Embodiment>

도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 도 1에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치와 동일하게 설치된다. 다만, 본 발명에 따른 반 도체막 열처리 장치는 열처리용 기판 공급부에서 공급받은 유리기판을 하나의 공정챔버에서 예비가열하는 예비가열부와, 유리기판상에 형성된 반도체막인 아몰포스실리콘막을 유도자기장으로 유도가열하는 자기유도부가 포함되어 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치를 자세하게 살펴보면 다음 도 3과 같다.3 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor film heat treatment apparatus as a first embodiment according to the present invention. First, the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is installed in the same manner as the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. However, the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention, the pre-heating unit for pre-heating the glass substrate supplied from the heat treatment substrate supply unit in one process chamber, and the amorphous silicon film which is a semiconductor film formed on the glass substrate to guide the induction magnetic field The magnetic induction part for heating is included. The semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 하나의 일예인 반도체막 열처리 장치(300)는 열처리용 기판 공급부(302), 박막결정부(306), 냉각부(308)등이 설치된다.As shown in FIG. 3, one example of the semiconductor film heat treatment apparatus 300 according to the present invention includes a substrate supply unit 302 for heat treatment, a thin film crystal unit 306, a cooling unit 308, and the like.

먼저, 열처리용 기판 공급부(302)는 하나의 스테이지(stage, 301a)에 소정의 이송수단인 롤러(303)가 설치되고, 롤러(303)상에는 반도체막(305)이 증착된 유리기판(307)을 고정하기 위한 기판 고정부(309)가 설치된다. 이러한, 열처리용 기판 공급부(302)는 기판 고정부(309)상에 위치한 반도체막(305)이 증착된 유리기판(307)을 저온으로 열처리하고 이후에 진술할 유리기판(307)상에 형성되는 반도체막(305)을 유도자기장으로 결정화시키기 위해서 박막결정부(306)로 공급시키는 역할을 하게 된다.First, the substrate supply unit 302 for heat treatment is provided with a roller 303 which is a predetermined conveying means in one stage 301a, and a glass substrate 307 having a semiconductor film 305 deposited thereon. The substrate fixing part 309 is installed to fix it. The substrate supply unit 302 for heat treatment is formed on the glass substrate 307 which will be described later by heat-treating the glass substrate 307 on which the semiconductor film 305 located on the substrate fixing unit 309 is deposited at a low temperature. In order to crystallize the semiconductor film 305 into the induction magnetic field, the semiconductor film 305 is supplied to the thin film crystal part 306.

또한, 박막결정부(306)는 다른 하나의 스테이지(stage, 301b)에 전술한 열처리용 기판 공급부(302)에 의해서 반도체막(305)이 증착된 유리기판(307)을 예비가열(Pre-heating)하는 예비가열부(311, 313)와, 유리기판(307)상에 형성된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 유도자기장으로 유도가열(Induced-heating)하여 결정화시키는 자기유도부(314, 316)인 유도코어(314)와 유도코일(316)이 구비되고, 기판 고정부(309)의 하부에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(303) 가 설치된다. 이러한, 유도코일(316)은 유도코일(316)에서 발생한 유도전류가 전기적으로 연결된 유도코어(314)로 유도전류를 확산시켜, 유리기판(307)상에 형성된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 유도가열하여 결정화시키는 역할을 하게 된다.In addition, the thin film crystal part 306 pre-heats the glass substrate 307 on which the semiconductor film 305 is deposited by the heat treatment substrate supply part 302 described above in another stage 301b. Magnetic induction parts 314 and 316 for induction heating of the preheating parts 311 and 313 and an amorphous silicon film, which is a semiconductor film 305 formed on the glass substrate 307, with an induction magnetic field. The induction core 314 and the induction coil 316 are provided, and a roller 303 which is a predetermined conveying means is installed under the substrate fixing part 309 to perform the next process. The induction coil 316 diffuses the induction current into the induction core 314 to which the induction current generated in the induction coil 316 is electrically connected, and is an amorphous silicon, which is a semiconductor film 305 formed on the glass substrate 307. Induction heating of the film to crystallize.

여기서, 예비가열부(311, 313)는 기판 고정부(309)의 상하부에 설치되고, 유도코어(314)와 유도코일(316)은 예비가열부(311, 313)의 상하부에 위치하여 서로 대향되게 설치된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 도시하지는 않았지만 하나의 예비가열부(311, 313)가 기판 고정부(309)의 내부에 설치되고, 유도코어(314)와 유도코일(316)은 예비가열부(311, 313)의 상하부에 위치하여 서로 대향되게 설치되는 것도 가능하다.Here, the preheating parts 311 and 313 are installed on the upper and lower parts of the substrate fixing part 309, and the induction core 314 and the induction coil 316 are located on the upper and lower parts of the preheating parts 311 and 313 and face each other. It is installed. However, the present invention is not limited thereto, and although not illustrated, one preheating unit 311 and 313 is installed inside the substrate fixing unit 309, and the induction core 314 and the induction coil 316 are provided with a spare unit. It is also possible to be located above and below the columns 311 and 313 so as to face each other.

이때, 예비가열부(311, 313)는 예열가능한 수단들이면 모두 가능하나, 바람직하게는 적외선 램프, 저항가열형 히터, 도전판중 어느 하나가 이용되어 유리기판(307)의 허용온도 한계범위를 넘지 않을 정도로 유리기판(307)을 미리 예열하게 된다.At this time, the preheating unit (311, 313) can be all preheatable means, but preferably any one of the infrared lamp, resistance heating heater, conductive plate is used to exceed the allowable temperature limit of the glass substrate 307 The glass substrate 307 is preheated in advance so as not to be.

여기서, 설명의 편의상 유리기판(307)을 예열하는 예열가능한 수단들중에 전술한 도전판(311)을 도시하여 설명하면, 도전판(311)은 유리기판(307)을 마주보도록 서로 대향되게 설치된다. 이러한, 도전판(311)은 복사율이 큰 재료이면 모두 가능하나, 바람직하게는 도전판(311)에 Cu, Al, Ag중 어느 하나 또는 어느 하나이상의 물질이 포함되어 유리기판(307)을 직접 복사열로 예열하게 된다. 또한, 전술한 도전판(311)의 외측에 반사율이 좋은 반사막(313)이 더 설치되어 복사열의 효율성 을 높혀 유리기판(307)을 더욱 빨리 예열하는 것도 가능하다.Here, for the convenience of description, the conductive plate 311 described above will be described among the preheatable means for preheating the glass substrate 307, and the conductive plate 311 is provided to face each other so as to face the glass substrate 307. . The conductive plate 311 may be any material having a high emissivity, but preferably, the conductive plate 311 includes any one or more materials of Cu, Al, Ag, and directly radiates the glass substrate 307. Preheated. In addition, a reflective film 313 having a good reflectance is further provided outside the conductive plate 311 to increase the efficiency of radiant heat so that the glass substrate 307 can be preheated faster.

또한, 유도코어(314)와 유도코일(316)은 도전판(311)과 반사막(313)에 의해서 충분히 가열된 유리기판(307)에 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 형성시켜, 유도자기장을 이용하여 폴리실리콘막으로 결정화시키게 된다. 이때, 유도코어(314)는 서로 분리되게 설치되고, 그 일측에 함몰부(B)가 적어도 둘 이상은 형성되어 함몰부(B)의 각각에 유도코일(316)이 적어도 둘 이상으로 설치되며, 함몰부(B)를 제외한 나머지 부분중 적어도 어느 하나의 부분(C)은 돌출되게 설치된다.In addition, the induction core 314 and the induction coil 316 form an amorphous silicon film, which is a semiconductor film 305, on the glass substrate 307 sufficiently heated by the conductive plate 311 and the reflective film 313, thereby inducing a magnetic field. It is crystallized into a polysilicon film using. At this time, the induction core 314 is installed to be separated from each other, at least two recessed portion (B) is formed on one side of each of the recessed portion (B) is provided with at least two induction coils 316, At least one portion C of the remaining portions except for the depression B is provided to protrude.

또한, 냉각부(308)는 반도체막(305)이 증착되어 결정화된 유리기판(307)을 별도의 챔버로 공급하여 냉각하도록 또 다른 하나의 스테이지(stage, 301c)에 소정의 냉각수단인 냉각수(318)가 설치되고, 냉각수(318)상에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(303)가 설치되며, 롤러(303)상에는 반도체막(305)이 증착되어 결정화된 유리기판(307)을 고정하기 위한 기판 고정부(309)가 설치된다. 이러한, 냉각부(308)는 유도가열된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막이 증착된 유리기판(307)의 급격한 상승온도를 낮추기 위해서 유리기판(307)을 냉각처리하는 역할을 하게 된다.In addition, the cooling unit 308 is provided with cooling water, which is a predetermined cooling means, in another stage 301c so as to supply the glass substrate 307 crystallized by depositing the semiconductor film 305 to a separate chamber to cool it. 318 is installed, a roller 303, which is a predetermined conveying means, is installed on the cooling water 318, and a glass substrate 307 crystallized by depositing a semiconductor film 305 on the roller 303. The substrate fixing part 309 is installed to fix it. The cooling unit 308 serves to cool the glass substrate 307 in order to lower the rapid rise temperature of the glass substrate 307 on which the amorphous silicon film, which is the induction-heated semiconductor film 305, is deposited.

여기서, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치중 박막 결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 살펴보면 다음 도 4와 같다.Here, look at the electric field distribution of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention as shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도이다.FIG. 4 is an enlarged view showing an electric field distribution diagram of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part by expanding the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus shown in FIG. 3.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정 부(306)는 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막이 증착된 유리기판(307)을 예비가열하는 도전판(311) 및 반사막(313)과, 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 유도자기장으로 유도가열하는 자기유도부(314, 316)인 유도코어(314) 및 유도코일(316)이 구비된다.As shown in FIG. 4, the thin film crystal part 306 of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is a conductive plate 311 which preheats the glass substrate 307 on which the amorphous silicon film, which is the semiconductor film 305, is deposited. And an induction core 314 and an induction coil 316, which are magnetic induction parts 314 and 316 for inductively heating a reflective film 313 and an amorphous silicon film, which is a semiconductor film 305 deposited on a glass substrate 307, to an induction magnetic field. ) Is provided.

이와같은 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 하나의 챔버 내부에 도전판(311) 및 반사막(313)과 유도코어(314) 및 유도코일(316)이 구비되어, 도전판(311) 및 반사막(313)이 먼저, 유리기판(307)을 손상하지 않은 범위내에서 일정한 온도 이상으로 예비가열 처리를 하게 되고, 그 이후에 유도코어(314) 및 유도코일(316)을 이용하여 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 생성된 유도자기장으로 유도가열하여 결정화시키게 된다.Such a semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided with a conductive plate 311, a reflective film 313, an induction core 314, and an induction coil 316 in one chamber, and include a conductive plate 311 and a reflective film ( 313 first, the preheating treatment to a predetermined temperature or more within a range that does not damage the glass substrate 307, after which the glass substrate 307 using the induction core 314 and the induction coil 316 The amorphous silicon film, which is a semiconductor film 305 deposited thereon, is crystallized by induction heating with a generated induction magnetic field.

더욱 자세하게 말하면, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 복사율이 좋은 도전판(311)과 반사율이 좋은 반사막(313)인 예비가열부(311, 313)가 구비되어 유리기판(307)을 직접 복사열로 예열하거나 반사막(313)으로 반사시킴으로써 복사열의 효율성을 더욱 높힐 수가 있게 된다.More specifically, the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided with a conductive plate 311 having a good emissivity and preliminary heating parts 311 and 313 which are good reflecting films 313, thereby directly converting the glass substrate 307 into radiant heat. By preheating or reflecting to the reflective film 313, the efficiency of radiant heat can be further increased.

또한, 유도코어(314)의 함몰부(B)에 위치한 4개의 유도코일(316)에서 발생한 유도전류가 전기적으로 연결된 유도코어(314)로 유도전류를 확산시켜, 생성된 유도자기장이 절곡 또는 굴곡지게 돌출되어 설치된 유도코어(314)의 중심부분에 전계 분포도의 자속(A)을 더욱 치밀하게 집중시킴으로써, 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막의 결정성을 더욱 높일 수가 있게 된다. 한편, 본 발명은 설명의 편의상 유도코어(314)의 함몰부(B)에 구비되는 유도코일(316)의 갯 수를 각각 하나씩 4개로 설치되는 것으로 도시하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 유도코어(314)의 함몰부(B)에 구비되는 유도코일(316)의 갯수를 각각 둘 이상씩 8개이상으로 설치하는 것도 가능하다.In addition, the induced current generated from the four induction coils 316 located in the depression B of the induction core 314 diffuses the induced current into the inductive core 314 electrically connected, so that the generated induction magnetic field is bent or bent. By densely concentrating the magnetic flux A of the electric field distribution diagram in the central portion of the induction core 314 protrudingly installed, the crystallinity of the amorphous silicon film, which is the semiconductor film 305 deposited on the glass substrate 307, is further increased. You can increase it. On the other hand, the present invention has been described for the convenience of description by showing that the number of the induction coil 316 provided in the recessed portion (B) of the induction core 314, each one installed in four, but the present invention is not limited to this. In addition, the number of induction coils 316 provided in the depression B of the induction core 314 may be installed in eight or more, respectively two or more.

이에따라, 하나의 챔버내부에서 유리기판(307)을 예비가열부(311, 313)로 예열하고 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(405)인 아몰포스실리콘막을 유도코어(314)와 유도코일(316)로 유도가열하여 결정화시키기 때문에, 별도의 예비가열챔버가 필요없게 되므로, 반도체막을 열처리하기 위한 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있어, 결국에는 반도체막 열처리 장치의 신뢰성을 향상시킬 수가 있게 된다.Accordingly, the glass substrate 307 is preheated to the preheating units 311 and 313 in one chamber, and the amorphous silicon film, which is a semiconductor film 405 deposited on the glass substrate 307, is induced with the induction core 314. Since the induction heating is crystallized by the coil 316, a separate preheating chamber is not required, so that an increase in the manufacturing cost for heat treatment of the semiconductor film can be suppressed, so that the reliability of the semiconductor film heat treatment apparatus can be improved. do.

한편, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부에 구비된 유도코어와 유도코일의 구조를 개선하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도의 자속을 더욱 치밀하게 집중시킬 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 살펴보면 다음 도 5와 같다.Meanwhile, by improving the structure of the induction core and the induction coil provided in the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention, the magnetic flux of the electric field distribution of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part can be more concentrated. Looking at the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention as shown in FIG.

도 5는 도 3의 변형된 실시예로써, 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도이다. 먼저, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부는 도 4에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부와 동일하게 구비된다. 다만, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부에 구비된 유도코어 및 유도코일은 유도코어의 한측이 오픈되도록 일체형으로 설치되고, 오픈되지 않는 어느 다른 한측을 감싸도록 유도코일이 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 살펴보면 다음 도 5와 같다.5 is an enlarged view illustrating an electric field distribution diagram of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part by enlarging the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the modified embodiment of FIG. 3. First, the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided in the same manner as the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. 4. However, the induction core and the induction coil provided in the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention are integrally installed so that one side of the induction core is opened, and the induction coil is installed to surround any other side which is not opened. Such a thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 5.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(506)는 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막이 증착된 유리기판(307)을 예비가열하는 예비가열부인 도전판(311) 및 반사막(313)과, 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 유도자기장으로 유도가열하는 자기유도부(514, 516)인 유도코어(514) 및 유도코일(516)이 구비된다.As shown in FIG. 5, the thin film crystal part 506 of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is a conductive plate which is a preheating part which preheats the glass substrate 307 on which the amorphous silicon film, which is the semiconductor film 305, is deposited. Induction core 514 and induction cores 514 and 516 that induce and heat the 311 and the reflection film 313 and the amorphous film, which is the semiconductor film 305 deposited on the glass substrate 307, to an induction magnetic field. Coil 516 is provided.

이때, 유도코어(514) 및 유도코일(516)은 유도코어(514)의 한측(D)이 오픈되도록 일체형으로 설치되고, 오픈되지 않는 어느 다른 한측(E)을 감싸도록 유도코일(516)이 적어도 둘 이상으로 설치된다.At this time, the induction core 514 and the induction coil 516 is integrally installed so that one side (D) of the induction core 514 is open, the induction coil 516 to surround any other side (E) that is not open. At least two or more are installed.

이와같은 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(506)는 유도코어(514)가 일체형으로 제작되므로, 도 4에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(도 4의 306)보다 유도코어(514)의 패턴면적이 더 넓어, 박막결정부(506)에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도의 자속(A)을 더욱 치밀하게 집중시키게 된다.Since the induction core 514 is integrally manufactured, the thin film crystal part 506 of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. 4 (306 in FIG. 4). Since the pattern area of the induction core 514 is wider, the magnetic flux A of the electric field distribution of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part 506 is more concentrated.

또한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부에 구비된 유도코어의 구조를 개선하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도의 자속을 더욱 치밀하게 집중시킬 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 살펴보면 다음 도 6과 같다.In addition, by improving the structure of the induction core provided in the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention, the magnetic flux of the electric field distribution of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part can be concentrated more precisely. Looking at the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the invention as shown in FIG.

도 6은 도 3의 또 다른 변형된 실시예로써, 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 확대하여 박막결정부에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도를 나타낸 확대도이다. 먼저, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부는 도 5에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부와 동일하게 구비된다. 다만, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부는 유도코어의 오픈된 한측이 절곡 또는 굴곡진 형상으로 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부를 살펴보면 다음 도 6과 같다.FIG. 6 is an enlarged view showing an electric field distribution diagram of the generated induced magnetic field generated in the thin film crystal part by enlarging the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to another modified embodiment of FIG. 3. First, the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided in the same manner as the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. 5. However, the thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided with an open side of the induction core in a bent or curved shape. Such a thin film crystal part of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(606)는 도 5에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(도5의 506)와 동일하게 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막이 증착된 유리기판(307)을 예비가열하는 예비가열부인 도전판(311) 및 반사막(313)과, 유리기판(307)상에 증착된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 유도자기장으로 유도가열하는 자기유도부(614, 616)인 유도코어(614) 및 유도코일(616)이 구비된다.As shown in FIG. 6, the thin film crystal part 606 of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is the same as the thin film crystal part (506 of FIG. 5) of the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. 5. The conductive plate 311 and the reflective film 313, which are preheaters, which preheat the glass substrate 307 on which the amorphous silicon film 305 is deposited, and the semiconductor film 305 deposited on the glass substrate 307 An induction core 614 and an induction coil 616 which are magnetic induction parts 614 and 616 for induction heating of the force silicon film to an induction magnetic field are provided.

이때, 유도코어(614)는 유도코어(614)의 한측(D)이 오픈되어, 오픈된 한측(D)이 절곡 또는 굴곡진 형상을 갖으면서 일체형으로 제작되어 설치되고, 오픈되지 않는 어느 다른 한측(E)을 감싸도록 유도코일(616)이 적어도 둘 이상으로 설치된다.At this time, the induction core 614 is one side (D) of the induction core 614 is open, the open one side (D) is formed and installed integrally while having a bent or curved shape, any other side that is not opened At least two guide coils 616 are installed to surround (E).

이와같은 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(606)는 유도코어(614)가 일체형으로 제작되므로, 도 4에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(도4의 306)보다 유도코어(614)의 패턴면적이 더 넓고, 도 5에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치의 박막결정부(도5의 506)보다 오픈된 한측(D)이 절곡 또는 굴곡진 형상을 갖으므로, 박막결정부(606)에서 발생하는 생성된 유도자기장의 전계 분포도의 자속(A)을 더욱 치밀하게 집중시키게 된다.Since the induction core 614 is integrally manufactured, the thin film crystal part 606 of the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is the thin film crystal part 306 of FIG. Since the pattern area of the induction core 614 is wider, and the open side D is larger than the thin film crystal part (506 of FIG. 5) of the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. Further, the magnetic flux A of the electric field distribution of the generated induction magnetic field generated in the thin film crystal part 606 is more concentrated.

한편, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치를 개선하여 유리기판을 박막결정부의 공정상에서 가열하기 전에 별도의 챔버를 두어 유리기판을 미리 더 빠르게 가열할 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 다른 일예인 반도체막 열처리 장치를 살펴보면 다음 도 7과 같다.On the other hand, by improving the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention it is possible to heat the glass substrate more quickly in advance by placing a separate chamber before heating the glass substrate in the process of the thin film crystal part, this is another example of the semiconductor film according to the present invention Looking at the heat treatment apparatus as shown in FIG.

<제 2 실시예>Second Embodiment

도 7은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 반도체막 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 도 3에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치와 동일하게 구비된다. 다만, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 반도체막이 증착된 기판을 반도체막을 결정화하기 위한 챔버로 공급하기 전에 별도의 챔버로 공급하여 예비가열하도록 기판용 예비가열부가 더 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치를 살펴보면 다음 도 7과 같다.7 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor film heat treatment apparatus as a second embodiment according to the present invention. First, the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided in the same manner as the semiconductor film heat treatment apparatus described above with reference to FIG. 3. However, in the semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention, the substrate preheater is further installed to supply the substrate on which the semiconductor film is deposited to a separate chamber before preheating the semiconductor film. Such a semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 7.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치(700)는 도 3에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치(도3의 300)와 동일하게 열처리용 기판 공급부(302), 박막결정부(306), 냉각부(308)등이 설치된다.As shown in FIG. 7, the semiconductor film heat treatment apparatus 700 according to the present invention is the same as the semiconductor film heat treatment apparatus (300 of FIG. 3) described above with reference to FIG. 3, and the substrate supply unit 302 and the thin film crystal for heat treatment. The part 306, the cooling part 308, etc. are provided.

이러한, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치(700)의 각각의 구성요소들과 이들간의 유기적인 관계 및 각각의 기능들은 도 3에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치(300)의 각각의 구성요소들과 이들간의 유기적인 관계 및 각각의 기능들과 동일하므로, 이들에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다.The respective components of the semiconductor film heat treatment apparatus 700 according to the present invention, the organic relationship therebetween, and the respective functions thereof are illustrated in FIG. 3. And the organic relationship between them and their functions are the same, so the description of each of them will be omitted below.

다만, 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치(700)는 열처리용 기판 공급 부(302)와 박막결정부(306)의 사이에 유리기판(307)을 미리 예열하는 기판용 예비가열부(710)가 더 설치된다.However, in the semiconductor film heat treatment apparatus 700 according to the present invention, the substrate preheater 710 for preheating the glass substrate 307 in advance between the heat treatment substrate supply part 302 and the thin film crystal part 306 is provided. Is installed more.

여기서, 기판용 예비가열부(710)는 별도의 챔버에 설치되어, 다른 하나의 스테이지(stage, 701)에 소정의 예열수단인 히터(711)가 설치되고, 히터(711)상에 다음 공정을 수행하도록 소정의 이송수단인 롤러(703)가 설치되며, 롤러(703) 상부에는 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막이 증착된 유리기판(307)을 고정하기 위한 기판 고정부(709)가 설치된다. 이러한, 기판용 예비가열부(710)는 열처리용 기판 공급부(302)에서 공급받은 열안정성이 취약한 반도체막(305)이 증착된 유리기판(307)을 손상하지 않을 범위 정도로, 저온으로 미리 예열처리하는 역할을 하게 된다.Here, the substrate preheater 710 is installed in a separate chamber, and the heater 711, which is a predetermined preheating means, is installed in another stage 701, and the next process is performed on the heater 711. The roller 703 which is a predetermined conveying means is installed, and a substrate fixing part 709 is installed on the roller 703 to fix the glass substrate 307 on which the amorphous silicon film, which is the semiconductor film 305, is deposited. do. The preheating unit 710 for the substrate is preheated to a low temperature in advance so as not to damage the glass substrate 307 on which the thermally stable semiconductor film 305 supplied from the heat treatment substrate supply unit 302 is deposited. It will play a role.

이와같은 본 발명에 따른 반도체막 열처리 장치는 별도의 챔버에 기판용 예비가열부(710)가 구비되어 유리기판(307)을 충분히 미리 가열하게 되고, 도 3에 도시하여 전술한 반도체막 열처리 장치(도3의 300)와 마찬가지로 하나의 챔버 내부에 예비가열부인 도전판(311) 및 반사막(313)과 유도코어(314) 및 유도코일(316)이 구비되어, 유리기판(307)을 예열하면서 유리기판(307)상에 형성된 반도체막(305)인 아몰포스실리콘막을 생성되는 유도자기장으로 유도가열하여 아폴포스실리콘막의 결정성을 더욱 높일 수가 있게 된다.Such a semiconductor film heat treatment apparatus according to the present invention is provided with a preheating unit 710 for the substrate in a separate chamber to sufficiently heat the glass substrate 307 in advance, the semiconductor film heat treatment apparatus described above as shown in FIG. Similar to 300 of FIG. 3, a conductive plate 311, a reflective film 313, an induction core 314, and an induction coil 316, which are preheating units, are provided in one chamber to preheat the glass substrate 307. The amorphous silicon film, which is the semiconductor film 305 formed on the substrate 307, is inductively heated with a generated induction magnetic field to further increase the crystallinity of the apollo silicon film.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설 명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, the exemplary embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description above, and the meaning and scope of the claims are as follows. And all changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 반도체막 열처리 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the semiconductor film heat treatment apparatus of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 유리기판상에 반도체막을 결정화할때에, 하나의 챔버 내부에 예비가열부와 자기유도부인 유도코어 및 유도코일을 설치함으로써, 별도의 예비가열챔버가 필요없게 되므로 반도체막을 열처리하기 위한 제조비용의 상승을 억제시킬 수 있는 효과가 있다.First, when the semiconductor film is crystallized on the glass substrate, a preheating unit and an induction core and an induction coil, which are magnetic induction units, are provided in one chamber, thereby eliminating the need for a separate preheating chamber. There is an effect that can suppress the rise.

둘째, 복사열을 높게 하는 예비가열부와, 유도코어 및 유도코일의 구조를 개선하거나 기판용 예비가열부를 더 구비함으로써, 유리기판상에 증착된 반도체막에 전계 분포도의 자속을 더욱 치밀하게 집중시킬 수가 있으므로, 아몰포스실리콘막의 결정성을 더욱 높일 수가 있는 다른 효과가 있다.Second, by improving the structure of the preheating unit to increase the radiant heat, the structure of the induction core and the induction coil, or by further providing a preheating unit for the substrate, the magnetic flux of the electric field distribution can be more concentrated in the semiconductor film deposited on the glass substrate. There is another effect that can further increase the crystallinity of the amorphous silicon film.

셋째, 이러한 반도체막 열처리 장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작할 시에 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 또 다른 효과가 있다.Third, there is another effect that can improve the reliability of the device when manufacturing the electroluminescent device using the semiconductor film heat treatment apparatus.

Claims (13)

챔버와;A chamber; 상기 챔버에 공급된 반도체막이 증착된 기판을 고정하는 기판고정부와;A substrate fixing part for fixing a substrate on which the semiconductor film supplied to the chamber is deposited; 상기 챔버에 공급된 반도체막이 증착된 기판을 예비가열(Preheating)하는 예비가열부와;A preheater for preheating the substrate on which the semiconductor film supplied to the chamber is deposited; 상기 챔버에 공급된 상기 반도체막이 증착된 기판에 유도자기장으로 유도가열하여 반도체막을 결정화하는 자기유도부를 포함하는 반도체막 열처리 장치.And a magnetic induction part crystallizing the semiconductor film by induction heating with an induction magnetic field on the substrate on which the semiconductor film supplied to the chamber is deposited. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비가열부는 상기 기판고정부의 상하부 또는 내부에 설치되고, 상기 자기유도부는 상기 예비가열부의 상하부에 위치하여 서로 대향되게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.And the preheating part is disposed above or below the substrate fixing part, and the magnetic induction part is disposed above and below the preheating part so as to face each other. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 자기유도부는 유도코어와 유도코일이 구비되고, 상기 유도코어는 서로 분리되게 설치되며, 그 일측에 함몰부가 둘 이상은 형성되어 상기 함몰부의 각각에 상기 유도코일이 둘 이상으로 설치되며, 상기 함몰부를 제외한 나머지 부분중 어느 하나의 부분은 돌출되게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.The magnetic induction part is provided with an induction core and an induction coil, the induction core is installed separately from each other, two or more depressions are formed on one side thereof, the two or more induction coils are installed on each of the depressions, the depression The semiconductor film heat treatment apparatus, wherein any one of the remaining portions except for the portion is provided to protrude. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 어느 하나의 부분은 상기 유도코어의 중심부분이고, 상기 유도코어의 중심부분은 절곡 또는 굴곡지게 돌출되어 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.Wherein any one of the portions is a central portion of the induction core, and the central portion of the induction core is installed to be bent or bent to protrude. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유도코어는 한측이 오픈되도록 일체형으로 설치되고, 오픈되지 않는 어느 다른 한측을 감싸도록 유도코일이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.The induction core is integrally installed to open one side, the semiconductor film heat treatment apparatus characterized in that the induction coil is installed to surround any other side that is not open. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유도코어의 오픈된 한측은 절곡 또는 굴곡지게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.Open one side of the induction core is a semiconductor film heat treatment apparatus, characterized in that installed bent or bent. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비가열부는 적외선 램프, 저항가열형 히터, 도전판중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.The preheating unit is a semiconductor film heat treatment apparatus, characterized in that any one of an infrared lamp, a resistance heating type heater, a conductive plate. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 도전판은 상기 기판을 마주보도록 서로 대향되게 설치되는 것을 특징으 로 하는 반도체막 열처리 장치.And the conductive plate is disposed to face each other so as to face the substrate. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 도전판의 외측에 반사막이 더 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.A semiconductor film heat treatment apparatus, characterized in that the reflective film is further provided on the outside of the conductive plate. 제 8항 또는 제 9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 도전판은 복사율이 큰 재료인 Cu, Al, Ag중 어느 하나 또는 어느 하나이상을 포함하는 반도체막 열처리 장치.The conductive plate is a semiconductor film heat treatment apparatus comprising any one or more of Cu, Al, Ag which is a material having a high emissivity. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체막이 증착된 기판을 예비가열하는 기판용 예비가열부가 상기 반도체막을 결정화하기 위한 챔버로 공급하기 전에 별도의 챔버로 공급하여 예비가열하도록 더 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.And a substrate preheating unit for preheating the substrate on which the semiconductor film is deposited is supplied to a separate chamber and preheated before supplying the semiconductor film to the chamber for crystallizing the semiconductor film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체막이 증착되어 결정화된 기판을 별도의 챔버로 공급하여 냉각하도록 냉각부가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.And a cooling unit is further provided to supply the substrate to which the semiconductor film is deposited and crystallized, and to cool it to a separate chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체막은 아몰포스실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체막 열처리 장치.And said semiconductor film is an amorphous silicon film.
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