KR20070093583A - Esc, support table, chamber and the manufacture methods thereof - Google Patents

Esc, support table, chamber and the manufacture methods thereof

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KR20070093583A
KR20070093583A KR1020060023595A KR20060023595A KR20070093583A KR 20070093583 A KR20070093583 A KR 20070093583A KR 1020060023595 A KR1020060023595 A KR 1020060023595A KR 20060023595 A KR20060023595 A KR 20060023595A KR 20070093583 A KR20070093583 A KR 20070093583A
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Abstract

An electrostatic chuck, a substrate support unit, a chamber, and a manufacturing method thereof are provided to improve the endurance by preventing the generation of cracks due to the difference of thermal expansions using a buffer layer interposed between a lower insulating layer and a base member. An electrostatic chuck includes a base member(110), upper and lower insulating layers(120,122) on the base member, an electrode pattern and a buffer layer. The electrode pattern(124) is interposed between the upper and the lower insulating layers. The electrode pattern is applied with a high voltage. The buffer layer(130) is interposed between the lower insulating layer and the base member to prevent the generation of cracks due to the difference of degrees in a thermal deformation and to endow a buffering force.

Description

정전척, 기판 지지대, 챔버 및 그 제조 방법{ESC, SUPPORT TABLE, CHAMBER AND THE MANUFACTURE METHODS THEREOF}Electrostatic chuck, substrate support, chamber and manufacturing method thereof {ESC, SUPPORT TABLE, CHAMBER AND THE MANUFACTURE METHODS THEREOF}

도 1은 종래의 정전척을 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing a conventional electrostatic chuck.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전척을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판지지대를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a substrate support according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 챔버를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a chamber according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 정전척 제조방법 과정을 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a process of manufacturing an electrostatic chuck of the present invention.

도 6은 본 발명의 기판지지대 제조방법 과정을 나타낸 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a substrate support of the present invention.

도 7은 본 발명의 챔버 제조방법 과정을 나타낸 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a chamber of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100: 정전척 110: 베이스 부재100: electrostatic chuck 110: base member

120, 122: 상, 하부 절연층 124: 전극 패턴120, 122: upper and lower insulating layers 124: electrode pattern

126: 엠보싱부 130: 버퍼(Buffer)층126: embossing unit 130: buffer layer

132: 금속층 134: 요철(凹凸)132: metal layer 134: irregularities

200: 기판지지대 210: 지지부200: substrate support 210: support

220: 절연층 230: 버퍼층220: insulating layer 230: buffer layer

232: 금속층 234: 요철232: metal layer 234: irregularities

300: 챔버 310: 벽체300: chamber 310: wall

320: 절연층 330: 버퍼층320: insulating layer 330: buffer layer

334: 요철334: unevenness

본 발명은 열팽창의 차이에 따라 발생되는 크랙(Crack)을 방지하여 내구성을 향상시키는 정전척, 기판 지지대, 챔버 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck, a substrate support, a chamber, and a method of manufacturing the same, which improves durability by preventing cracks caused by differences in thermal expansion.

최근 반도체 건식처리에서 반도체 기판의 패터닝(Patterning)시 위치 정밀도를 향상시킬 필요가 대두되었으며, 정전척은 정전기력을 이용하여 이러한 위치정밀도의 향상을 위해 사용되는 장치이다.Recently, there has been a need to improve the positional accuracy during patterning of semiconductor substrates in the semiconductor dry process, and the electrostatic chuck is an apparatus used for improving such positional accuracy by using electrostatic force.

종래의 정전척은, 일본 공개특허공보 2002-70340호 "정전척 부재 및 그 제조방법"에 개시되어있다. 즉, 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이, '기재(1)상의 적어도 한쪽 표면에 금속질층으로 이루어지는 언더코트(2)를 갖고, 그 언더코트(2) 상에 Al2O3 세라믹스로 이루어지는 하부 절연층(3)을 갖고, 그 절연층 상에 금속질 전극층(4)을 가지며, 그 전극층 위에는 톱코트로서 Al2O3 세라믹스로 이루어지는 상부 절연층(5)을 형성하여 이루어지는 정전척 부재'로 구성되어 있다.A conventional electrostatic chuck is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-70340 "Electrostatic Chuck Member and Its Manufacturing Method". That is, conventionally, as shown in Fig. 1, 'the lower coat having an undercoat 2 made of a metallic layer on at least one surface on the substrate 1, and the lower coat made of Al 2 O 3 ceramics on the undercoat 2 An electrostatic chuck member having an insulating layer 3, having a metallic electrode layer 4 on the insulating layer, and forming an upper insulating layer 5 made of Al 2 O 3 ceramics as a top coat on the electrode layer. Consists of.

그러나 이와 같은 종래의 정전척은 기판(10)과 면접촉을 함에 따라, 기판상에 파티클이 발생할 우려가 있으며, 기판 전체면이 정전척과 접촉함에 따라 기판의 평판도를 유지하는데 어려움이 있고, 이에 따라 기판 제작상 균일한 표면처리와 구조적인 평판도를 확보하기가 어렵다는 문제점이 있었다.However, such a conventional electrostatic chuck is in contact with the substrate 10, there is a risk that particles are generated on the substrate, there is a difficulty in maintaining the flatness of the substrate as the entire surface of the substrate in contact with the electrostatic chuck, There was a problem that it is difficult to ensure a uniform surface treatment and structural flatness in the substrate manufacturing.

그리고 정전척과 기판이 면 접촉함에 따라, 기판의 제조공정상 식각 또는 증착시 온도, 압력 등의 공정조건의 균일성을 확보하기가 어렵다는 문제점이 있었다.In addition, as the surface of the electrostatic chuck is in contact with the substrate, there is a problem that it is difficult to secure uniformity of process conditions such as temperature and pressure during etching or deposition in the manufacturing process of the substrate.

그러나 상기 정전척의 제조시 각각의 기재(1)와 언더코트(2) 및 상, 하부 절연층(3, 5)은 각각 외면에 코팅 처리하되 각각의 층 중 상기 기재(1)의 열팽창 계수는 높고 상기 상, 하부 절연층(3, 5)의 열팽창 계수는 낮으므로 공정 수행시 국부적으로 크랙(Crack)이 발생할 가망성이 높으며, 그로 인해 전류 누설 값의 상승과 함께 원활한 척킹(Chucking)이 이루어지지 못하고 플라즈마 처리시 플라즈마에 노출되는 부분에서 플라즈마 집중으로 인한 열적 손상으로 아킹(Arcing) 현상이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the manufacture of the electrostatic chuck, each substrate 1, the undercoat 2, and the upper and lower insulating layers 3 and 5 are coated on the outer surface, respectively, and the coefficient of thermal expansion of the substrate 1 in each layer is high. Since the thermal expansion coefficients of the upper and lower insulating layers 3 and 5 are low, there is a high possibility of local cracking during the process, and thus, smooth chucking is not possible with an increase in the current leakage value. In the plasma treatment, there is a problem in which arcing occurs due to thermal damage due to plasma concentration in a portion exposed to the plasma.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 열팽창 계수의 차이로 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위해 열팽창 계수가 차이나는 층 사이에 버퍼층을 개재하여 내구성을 향상하고 그로 인해 완충 작용까지 할 수 있게 한 정전척 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object is to improve the durability through the buffer layer between the layers having a different coefficient of thermal expansion to prevent cracking due to a difference in the coefficient of thermal expansion and thereby buffer The present invention provides an electrostatic chuck and a method of manufacturing the same.

그리고 본 발명의 목적은, 열팽창 계수의 차이로 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위해 열팽창 계수가 차이나는 층 사이에 버퍼층을 개재하여 내구성을 향상하고 그로 인해 완충 작용까지 할 수 있게 한 기판지지대 및 그 제조방법을 제공함에 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate support and its manufacture, which can improve the durability and buffer effect between the layers having different coefficients of thermal expansion to prevent cracking due to differences in coefficients of thermal expansion and thereby buffering. In providing a method.

그리고 본 발명의 목적은, 열팽창 계수의 차이로 내벽에 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위해 열팽창 계수가 차이나는 층 사이에 버퍼층을 개재하여 내구성을 향상하고 그로 인해 완충 작용까지 할 수 있게 한 챔버 및 그 제조방법을 제공함에 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a chamber having a buffer layer interposed between layers having different thermal expansion coefficients to prevent cracks from occurring due to a difference in thermal expansion coefficients, thereby improving durability and thereby buffering action. To provide a manufacturing method.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 베이스 부재; 상기 베이스 부재의 상부에 구비되는 상, 하부 절연층; 상기 상, 하부 절연층의 사이에 개재되며, 고전압이 인가되는 전극 패턴; 상기 하부 절연층과 상기 베이스 부재 사이에 개재되어 열변형 정도가 상이하여 발생되는 크랙을 방지하는 매개 역할을 하면서 완충력을 부여하는 버퍼층; 을 포함하여 이루어짐으로써, 상기 하부 절연층과 상기 베이스 부재의 사이에 개재되는 버퍼층은 열팽창(Thermal expansion)시 충격을 완화하고 열팽창 계수가 낮은 하부 절연층에 크랙이 발생되는 것을 방지하므로 바람직하다.The present invention to achieve the above object, the base member; Upper and lower insulating layers provided on the base member; An electrode pattern interposed between the upper and lower insulating layers and to which a high voltage is applied; A buffer layer interposed between the lower insulating layer and the base member to provide a buffering force while acting as a medium for preventing cracks caused by different degrees of thermal deformation; In this case, the buffer layer interposed between the lower insulating layer and the base member is preferable because it mitigates an impact during thermal expansion and prevents cracking in the lower insulating layer having a low thermal expansion coefficient.

또한, 본 발명에서의 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면은, 서로 대응하는 요철(凹凸) 형상으로 형성됨으로써, 열팽창 계수가 큰 베이스 부재의 변형량이 열팽창 계수가 작은 하부 절연층에 전달되는 것을 방지하므로 바람직하다.In addition, the contact surface between the base member and the buffer layer in the present invention is formed in a concave-convex shape corresponding to each other, so that the amount of deformation of the base member having a large thermal expansion coefficient is transmitted to the lower insulating layer having a small thermal expansion coefficient. It is preferable because it prevents.

또한, 본 발명에서의 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면에는, 전기 전도성이 우수한 금속층이 더 형성됨으로써, 고주파 전력이 용이하게 통과할 수 있는 통로를 형성시키므로 바람직하다.Moreover, since the metal layer which is excellent in electrical conductivity is further formed in the contact surface of the said base member and the said buffer layer in this invention, the passage which can pass a high frequency electric power easily is preferable.

또한, 본 발명에서의 상기 상부 절연층의 상부에는, 엠보싱부가 일정 간격을 갖도록 구비됨으로써, 상기 상부 절연층의 수명을 연장할 수 있도록 상기 엠보싱부가 매개 역할을 하고 그 사이로 헬륨 가스가 기판에 골고루 분포되어 기판 처리 작업에 적정한 온도와 압력이 일정하게 유지되도록 하므로 바람직하다.In addition, the upper portion of the upper insulating layer in the present invention, the embossed portion is provided with a predetermined interval, so that the embossed portion serves as a medium to extend the life of the upper insulating layer, and helium gas evenly distributed on the substrate therebetween. It is preferable because the temperature and pressure appropriate for the substrate processing operation are kept constant.

이하, 본 발명의 정전척, 기판 지지대, 챔버 및 그 제조 방법을 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the electrostatic chuck, the substrate support, the chamber and the manufacturing method of the present invention will be described with reference to an embodiment as follows.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 정전척(100)은 도 2에 도시된 바와 같이 베이스 부재(110)와, 상, 하부 절연층(120, 122)과, 전극 패턴(124)과, 버퍼층(130) 및 금속층(132)으로 이루어지며, 상기 베이스 부재(110)와, 상기 하부 절연층(122)과, 상기 버퍼층(130) 및 상기 금속층(132)에는 각각 접착 물질층이 더 형성되어 서로 견고하게 부착된다.As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a base member 110, upper and lower insulating layers 120 and 122, an electrode pattern 124, and a buffer layer ( 130 and a metal layer 132, and an adhesive material layer is further formed on the base member 110, the lower insulating layer 122, the buffer layer 130, and the metal layer 132, respectively, to be firmly formed. Is attached.

상기 베이스 부재(110)는 정전척(100)의 최하부에 위치되되 그 상면이 평면을 이루며, 상면 가장자리를 제외한 나머지 부분이 함몰 형성되고 그 함몰된 부분에 후술할 버퍼층(130)이 형성된다.The base member 110 is positioned at the lowermost portion of the electrostatic chuck 100, and its upper surface is flat, and the remaining portion except the upper edge is recessed, and the buffer layer 130 to be described later is formed on the recessed portion.

여기서, 상기 베이스 부재(110)의 상면 가장자리를 제외한 부분을 함몰시키는 이유는 분말 형태로 이루어지는 상기 버퍼층(130)을 격리시키기 위함이다.Here, the reason for recessing the portion except the upper edge of the base member 110 is to isolate the buffer layer 130 made of a powder form.

상기 상, 하부 절연층(120, 122) 중 이 하부 절연층(122)은 상기 베이스 부재(110)의 상면에 형성되되 그 표면이 세라믹으로 코팅되며, 상부 절연층(120)은 상기 하부 절연층(122)의 상면에 형성되되 그 표면이 세라믹으로 코팅된다. Among the upper and lower insulating layers 120 and 122, the lower insulating layer 122 is formed on the upper surface of the base member 110, and the surface thereof is coated with ceramic, and the upper insulating layer 120 is the lower insulating layer. It is formed on the upper surface of 122, the surface of which is coated with ceramic.

여기서, 상기 상, 하부 절연층(120, 122)의 사이에는 후술할 전극 패턴(124)이 개재될 수 있도록 어느 하나에 상기 전극 패턴(124)과 상응하는 형상의 홈이 형성된다.Here, a groove having a shape corresponding to the electrode pattern 124 is formed in one of the upper and lower insulating layers 120 and 122 so that the electrode pattern 124 to be described later is interposed.

상기 전극 패턴(124)은 정전척(100)에 일반적으로 구비되며, 상기 정전척(100)에 직류전원을 인가하여 정전력을 발생시키는 역할을 한다. 더욱이, 상기 정전척(100)의 형상 및 고정되는 기판(도면에 미도시)의 형상에 따라 다양한 패턴(pattern)으로 형성된다.The electrode pattern 124 is generally provided in the electrostatic chuck 100, and serves to generate a constant power by applying a DC power to the electrostatic chuck 100. Furthermore, it is formed in various patterns according to the shape of the electrostatic chuck 100 and the shape of the substrate to be fixed (not shown).

그리고 상기 전극 패턴(124)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 등의 금속으로 이루어진다.The electrode pattern 124 is made of metal such as copper (Cu), nickel (Ni), or tungsten (W).

상기 버퍼층(130)은 상기 하부 절연층(122)과 상기 베이스 부재(110) 사이에 개재되며 열팽창 계수가 가장 급격히 차이 나는 하부 절연층(122)과 베이스 부재(110)의 사이에 개재된다. 그리고 상기 정전척(100)의 여러 층 중 열팽창 계수가 가장 큰 상기 베이스 부재(110)와 가장 작은 하부 절연층(122)의 사이에 위치되므로 열팽창 수가 큰 층의 변형이 작은 층에 영향을 주어 하부 절연층(122)에 크랙이 발생되는 것을 방지하면서 완충 역할까지 한다.The buffer layer 130 is interposed between the lower insulating layer 122 and the base member 110, and is interposed between the lower insulating layer 122 and the base member 110, the thermal expansion coefficient of which is most sharply different. Since the coefficient of thermal expansion is located between the base member 110 having the largest coefficient of thermal expansion and the smallest lower insulating layer 122 among the various layers of the electrostatic chuck 100, the deformation of the layer having the greatest thermal expansion affects the lower layer. It also serves as a buffer while preventing cracks from occurring in the insulating layer 122.

더욱이, 상기 베이스 부재(110)와 상기 버퍼층(130)과의 접촉 면에는 서로 대응되는 요철(凹凸)(134)이 형성되되 그 사이에 후술할 금속층(132)이 개재될 수 있는 공간이 구비된다.In addition, an uneven surface 134 corresponding to each other is formed on a contact surface between the base member 110 and the buffer layer 130, and a space in which a metal layer 132 to be described later is interposed therebetween is provided. .

그리고 상기 버퍼층(130)은 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말인 알루미나(Al2O3)를 구속시켜 형성되며 상기 베이스 부재(110)와 상기 버퍼층(130)과의 접촉 면에 형성된 요철(134)을 같이 미리 접촉 면에 러빙(Rubbing) 공정과 유사한 방법을 이용하여 형성시킨 후 알루미나 분말을 상기 요철(134)에 충진하여 결속된 분말로 형성되는 층인 것이다.The buffer layer 130 is formed by constraining alumina (Al 2 O 3 ), which is a metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance), and is formed on the contact surface between the base member 110 and the buffer layer 130 ( 134) is formed on the contact surface in advance using a method similar to a rubbing process, and then the alumina powder is filled with the unevenness 134 to be a layer formed of bound powder.

상기 금속층(132)은 상기 베이스 부재(110)와 상기 버퍼층(130)과의 접촉 면 형상과 상응하도록 요철이 형성되되 전기 전도성이 우수한 니켈(Ni)에 금속 등을 별도로 혼합시킨 혼합물로 형성되며, 고주파 전력의 손실을 방지하고 균일한 플라즈마를 형성시키는 기능을 한다.The metal layer 132 is formed of a mixture in which irregularities are formed to correspond to the shape of the contact surface between the base member 110 and the buffer layer 130, and a metal and the like are separately mixed with nickel (Ni) having excellent electrical conductivity. It prevents the loss of high frequency power and forms a uniform plasma.

그리고 상기 상부 절연층(122)의 상면에는 일정 간격을 갖으면서 배열되는 엠보싱부(126)가 구비되되 상기 엠보싱부(126)이 상기 상, 하부 절연층(120, 122)과 동일하게 절연체인 세라믹으로 코팅되어 있다.An upper surface of the upper insulating layer 122 is provided with an embossing part 126 arranged at a predetermined interval, and the embossing part 126 is an insulator similar to the upper and lower insulating layers 120 and 122. Is coated.

여기서, 상기 엠보싱부(126)는 그 상면에 면 접촉하는 기판이 올려지며 상기 상부 절연층(120)의 수명을 연장할 수 있도록 매개 역할을 하고 그 사이로 헬륨 가스가 기판에 골고루 분포되어 기판 처리 작업에 적정한 온도와 압력이 일정하게 유지되도록 하는 기능을 한다.Here, the embossing portion 126 is a substrate that is placed in contact with the upper surface is raised and serves as a medium to extend the life of the upper insulating layer 120 between the helium gas is evenly distributed on the substrate substrate processing work It keeps the proper temperature and pressure constant.

그리고 상기 엠보싱부(126)가 구비된 상부 절연층(120) 표면에는 내구성 등의 향상을 위해서 코팅층 또는 금속 용사(spray coating)층을 선택적으로 형성하거 나 형성하지 않는다.In addition, the surface of the upper insulating layer 120 having the embossed portion 126 is not selectively formed or formed of a coating layer or a metal spray coating layer to improve durability.

그러므로 본 발명의 정전척(100)은 도 2에 도시된 바와 같이 여러 층으로 이루어지며, 그 상면에 형성된 엠보싱부(126)에 기판이 안착된 상태에서 상기 전극 패턴(124)이 소정 전압을 띠도록 고주파 전원을 인가하여 이 기판에는 인가되는 전원과 다른 전위차를 갖는 전압이 인가된다. 따라서, 상기 기판은 상기 전위차에 의해 발생된 전기력에 의해서 상기 다수의 상기 엠보싱부(126) 상에 고정된다.Therefore, the electrostatic chuck 100 of the present invention has a plurality of layers as shown in FIG. 2, and the electrode pattern 124 has a predetermined voltage in a state in which a substrate is seated on an embossing part 126 formed on an upper surface thereof. A high frequency power source is applied so that a voltage having a potential difference different from that of the applied power source is applied to the substrate. Thus, the substrate is fixed on the plurality of embossed portions 126 by the electric force generated by the potential difference.

그 후, 기판을 척킹/디척킹(Chucking/Dechucking)하는 과정에서 상기 정전척(100)은 이 중 열팽창 계수가 가장 큰 베이스 부재(110)와 열팽창 계수가 가장 낮은 하부 절연층(122)과의 사이에 버퍼층(130)이 개재되어 상기 버퍼층(130)이 완충 기능과 함께 변형력이 열팽창 계수가 낮은 상기 하부 절연층(122)으로 전이되어 크랙이 발생하는 것을 방지한다.Subsequently, in the process of chucking / dechucking the substrate, the electrostatic chuck 100 is formed between the base member 110 having the largest coefficient of thermal expansion and the lower insulating layer 122 having the lowest coefficient of thermal expansion. The buffer layer 130 is interposed between the buffer layer 130 and the buffer layer 130 to prevent the crack from being transferred to the lower insulating layer 122 having a low thermal expansion coefficient with a deforming function.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 기판지지대(200)는 도 3에 도시된 바와 같이 지지부(210)와, 절연층(220)과, 버퍼층(230) 및 금속층(232)으로 이루어지며, 상기 지지부(210)와, 상기 절연층(220)과, 상기 버퍼층(230) 및 상기 금속층(232)에는 각각 접착 물질층이 더 형성되어 서로 견고하게 부착된다.The substrate support 200 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a support 210, an insulating layer 220, a buffer layer 230, and a metal layer 232 as shown in FIG. 3. An adhesive material layer is further formed on the 210, the insulating layer 220, the buffer layer 230, and the metal layer 232, and are firmly attached to each other.

여기서, 상기 기판지지대(200)의 상기 버퍼층(230)과 금속층(232)과 요철(234) 및 엠보싱부(226)는 앞선 실시 예의 그것과 동일한 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.Here, the buffer layer 230, the metal layer 232, the concave-convex 234 and the embossing portion 226 of the substrate support 200 has the same function as that of the previous embodiment, so a detailed description thereof will be omitted.

다만, 상기 버퍼층(230)은 상기 기판지지대(200)의 여러 층 중 열팽창 계수가 가장 큰 상기 지지부(210)와 가장 작은 절연층(220)의 사이에 위치되므로 열팽창 수가 큰 층의 변형이 작은 층에 영향을 주어 상기 절연층(220)에 크랙이 발생되는 것을 방지하면서 완충 역할까지 한다.However, since the buffer layer 230 is positioned between the support 210 having the largest thermal expansion coefficient and the smallest insulating layer 220 among the various layers of the substrate support 200, the layer having the smallest deformation of the layer having the largest thermal expansion coefficient is small. Affects to prevent the occurrence of cracks in the insulating layer 220 and even serves as a buffer.

더욱이, 상기 기판지지대(200)는 앞선 실시 예의 전극 패턴(124)이 존재하지 않고 앞선 실시 예의 상, 하부 절연층(120, 122)이 절연층(220)으로 변경된 것이다.In addition, in the substrate support 200, the electrode pattern 124 of the previous embodiment does not exist, and the upper and lower insulating layers 120 and 122 of the previous embodiment are changed to the insulating layer 220.

그리고 상기 절연층(220)의 상면에도 기판이 접촉하는 엠보싱부(226)가 구비되며, 그리고 상기 엠보싱부(226)가 구비된 절연층(220) 표면에는 내구성 등의 향상을 위해서 코팅층 또는 금속 용사(spray coating)층을 형성한다.In addition, an upper surface of the insulating layer 220 is provided with an embossing portion 226 contacting the substrate, and the surface of the insulating layer 220 having the embossing portion 226 is provided with a coating layer or a metal spray to improve durability. A spray coating layer is formed.

그러므로 본 발명의 기판지지대(200)는 도 3에 도시된 바와 같이 여러 층으로 이루어지며, 그 상면에 형성된 엠보싱부(226)에 기판이 안착된 후 플라즈마를 발생시켜 공정 처리하는 과정에서 열이 발생하지만 상기 기판지지대(200)는 이 중 열팽창 계수가 가장 큰 지지부(210)와 열팽창 계수가 가장 낮은 절연층(220)과의 사이에 버퍼층(230)이 개재되어 상기 버퍼층(230)이 완충 기능과 함께 변형력이 열팽창 계수가 낮은 상기 절연층(220)으로 전이되어 크랙이 발생하는 것을 방지한다.Therefore, the substrate support 200 of the present invention is composed of several layers as shown in Figure 3, the heat is generated in the process of generating a plasma after the substrate is seated on the embossing portion 226 formed on the upper surface However, the substrate support 200 has a buffer layer 230 interposed between the support 210 having the largest coefficient of thermal expansion and the insulating layer 220 having the lowest coefficient of thermal expansion. In addition, the deformation force is transferred to the insulating layer 220 having a low coefficient of thermal expansion to prevent cracks from occurring.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 챔버(300)는 도 4에 도시된 바와 같이 벽과 천장 및 바닥으로 이루어지되 이 벽을 형성하는 벽체(310)와 절연층(320) 및 버퍼층(330)으로 이루어지며, 상기 벽체(310)와, 상기 절연층(320) 및 상기 버퍼층(330)에는 각각 접착 물질층이 더 형성되어 서로 견고하게 부착된다.Chamber 300 according to a preferred embodiment of the present invention is composed of a wall, a ceiling and a floor as shown in Figure 4 but the wall 310 and the insulating layer 320 and the buffer layer 330 forming the wall The wall 310, the insulating layer 320, and the buffer layer 330 are each further formed with an adhesive material layer to be firmly attached to each other.

여기서, 상기 챔버(300)의 상기 절연층(320)과 버퍼층(330)과 요철(334)은 앞선 실시 예의 그것과 동일한 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.Here, the insulating layer 320, the buffer layer 330 and the concave-convex 334 of the chamber 300 has the same function as that of the previous embodiment, so a detailed description thereof will be omitted.

그리고 상기 절연층(320)의 내면에는 내구성 등의 향상을 위해서 코팅층 또는 금속 용사(spray coating)층을 선택적으로 형성하거나 형성하지 않는다.In addition, the inner surface of the insulating layer 320 may or may not selectively form a coating layer or a metal spray coating layer to improve durability.

그러므로 본 발명의 챔버(300)는 도 4에 도시된 바와 같이 여러 층으로 이루어지며, 그 내부에서 공정 처리가 수행되는 과정에서 내부의 온도가 상승하게 되지만 상기 챔버(300)는 이 중 열팽창 계수가 가장 큰 내벽(310)과 열팽창 계수가 가장 낮은 절연층(320)과의 사이에 버퍼층(330)이 개재되어 상기 버퍼층(330)이 완충 기능과 함께 변형력이 열팽창 계수가 낮은 상기 절연층(320)으로 전이되어 크랙이 발생하는 것을 방지한다.Therefore, the chamber 300 of the present invention is composed of several layers as shown in FIG. 4, and the internal temperature of the chamber 300 is increased during process processing therein, but the chamber 300 has a coefficient of thermal expansion. The buffer layer 330 is interposed between the largest inner wall 310 and the insulating layer 320 having the lowest coefficient of thermal expansion so that the buffer layer 330 has a buffer function and the insulating layer 320 having a low thermal expansion coefficient. To prevent cracking.

본 발명의 정전척 제조방법은 도 5에 도시된 바와 같이 적층단계(S400)와, 버퍼층 개재단계(S410)와, 금속층 형성 단계(S420)와, 엠보싱부 형성단계(S430) 및 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S440)로 이루어진다.Electrostatic chuck manufacturing method of the present invention, as shown in Figure 5 lamination step (S400), buffer layer interposing step (S410), metal layer forming step (S420), embossing forming step (S430) and coating layer or metal spray The layer forming step (S440) is made.

상기 적층단계(S400)는 최하부에 위치된 베이스 부재(110)에 하부 절연층(122)과 전극 패턴(124) 및 상부 절연층(120)을 순차 적층하는 단계이며 층 사이사이에 접착 물질층이 더 형성된다.In the laminating step S400, the lower insulating layer 122, the electrode pattern 124, and the upper insulating layer 120 are sequentially stacked on the base member 110 positioned at the lowermost portion, and an adhesive material layer is disposed between the layers. More is formed.

상기 버퍼층 개재 단계(S410)는 상기 하부 절연층(122)과 베이스 부재(110) 사이에 버퍼층(130)을 개재시키는 단계로, 상기 베이스 부재(110)와 상기 버퍼층(130)과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철(134)을 형성하는 단계와, 상기 요철(134)이 형성된 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 알루미나(Al2O3) 등의 금속 분말을 구속하여 형성하는 단계를 포함한다.In the buffer layer interposing step S410, a buffer layer 130 is interposed between the lower insulating layer 122 and the base member 110. The buffer layer 130 is disposed on the contact surface between the base member 110 and the buffer layer 130. Forming a concave-convex 134 corresponding to each other, and constraining and forming a metal powder such as alumina (Al 2 O 3 ) having a high volume resistance (intrinsic resistance) between the concave-convex 134 formed therebetween. do.

상기 금속층 형성 단계(S420)는 상기 버퍼층 개재 단계(S410)의 수행 후에 실시하며, 상기 베이스 부재(110)와 상기 버퍼층(130)과의 접촉 면에 전기 전도성이 우수한 금속층(132) 즉, 니켈(Ni)과 다른 금속을 혼합한 혼합물로 금속층(132)을 형성하는 단계이다.The metal layer forming step (S420) is performed after the buffer layer intervening step (S410), and the metal layer 132 having excellent electrical conductivity on the contact surface between the base member 110 and the buffer layer 130, that is, nickel ( The metal layer 132 is formed of a mixture of Ni) and other metals.

상기 엠보싱부 형성단계(S430)는 상기 금속층 형성 단계(S420) 이후 상기 상부 절연층(120)의 상부에 일정 간격을 갖도록 엠보싱부(126)를 형성시키는 단계이다.The embossing part forming step (S430) is a step of forming the embossing part 126 to have a predetermined interval on the upper insulating layer 120 after the metal layer forming step (S420).

상기 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S440)는 상기 엠보싱부 형성 단계(S430) 이후 상기 엠보싱부(126)가 구비된 상부 절연층(120) 표면에 코팅층 또는 금속 용사층을 형성하거나 하지 않는 단계이다.The coating layer or the metal spray layer forming step (S440) is a step of forming or not forming a coating layer or a metal spray layer on the surface of the upper insulating layer 120 provided with the embossing part 126 after the embossing part forming step (S430). .

본 발명의 기판지지대 제조방법은 도 6에 도시된 바와 같이 적층단계(S500)와, 버퍼층 개재단계(S510)와, 금속층 형성 단계(S520)와, 엠보싱부 형성단계(S530) 및 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S540)로 이루어진다.Substrate support manufacturing method of the present invention, as shown in Figure 6 lamination step (S500), buffer layer interposing step (S510), metal layer forming step (S520), embossing forming step (S530) and coating layer or metal spray The layer forming step (S540) is made.

상기 적층단계(S500)는 최하부에 위치된 지지부(210)에 절연층(220)을 순차 적층하는 단계이며, 층 사이사이에 접착 물질층이 더 형성된다.The stacking step (S500) is a step of sequentially stacking the insulating layer 220 on the support portion 210 located at the bottom, the adhesive material layer is further formed between the layers.

상기 버퍼층 개재 단계(S510)는 상기 절연층(220)과 지지부(210) 사이에 버퍼층(230)을 개재시키는 단계로, 상기 지지부(210)와 상기 버퍼층(230)과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철(234)을 형성하는 단계와, 상기 요철(234)이 형성된 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 알루미나(Al2O3) 등의 금속 분말을 구속하여 형성되는 단계를 포함한다.In the buffer layer interposing step S510, a buffer layer 230 is interposed between the insulating layer 220 and the support part 210. The buffer layer interposing step S510 corresponds to a contact surface between the support part 210 and the buffer layer 230. Forming the concave-convex 234, and restraining the metal powder, such as alumina (Al 2 O 3 ) having a high volume resistance (intrinsic resistance) between the concave-convex 234 is formed.

상기 금속층 형성 단계(S520)는 상기 버퍼층 개재 단계(S510)의 수행 후에 실시되며 상기 지지부(210)와 상기 버퍼층(230)과의 접촉 면에 전기 전도성이 우수한 금속층(232) 즉, 니켈(Ni)과 다른 금속을 혼합한 혼합물의 금속층(232)을 형성하는 단계이다.The metal layer forming step (S520) is performed after the buffer layer intervening step (S510) and the metal layer 232 having excellent electrical conductivity on the contact surface between the support part 210 and the buffer layer 230, that is, nickel (Ni). And forming a metal layer 232 of the mixture of the metal and the other metal.

상기 엠보싱부 형성단계(S530)는 상기 금속층 형성 단계 이후 상기 절연층(220)의 상부에는 일정 간격을 갖도록 엠보싱부(226)를 형성시키는 단계이다.The embossing part forming step (S530) is a step of forming the embossing part 226 at a predetermined interval on the insulating layer 220 after the metal layer forming step.

상기 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S540)는 상기 엠보싱부 형성 단계(S530) 이후 상기 엠보싱부(226)가 구비된 절연층(220) 표면에 코팅층 또는 금속 용사층을 형성하는 단계이다.The coating layer or the metal spray layer forming step (S540) is a step of forming a coating layer or a metal spray layer on the surface of the insulating layer 220 provided with the embossing part 226 after the embossing part forming step (S530).

본 발명의 챔버 제조방법은 도 7에 도시된 바와 같이 벽체 내면에 절연층 구비단계(S600)와, 버퍼층 개재단계(S610) 및 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S620)로 이루어진다.As illustrated in FIG. 7, the chamber manufacturing method includes an insulation layer providing step (S600), a buffer layer interposing step (S610), and a coating layer or a metal spray layer forming step (S620).

상기 벽체 내면에 절연층 구비단계(S600)는 챔버(300)의 외벽을 이루는 벽체(310)의 내면에 절연층(320)을 구비는 단계이며, 층 사이에 접착 물질층이 더 형성된다.In the step of providing an insulating layer on the inner surface of the wall (S600), the insulating layer 320 is provided on the inner surface of the wall 310 forming the outer wall of the chamber 300, and an adhesive material layer is further formed between the layers.

상기 버퍼층 개재 단계(S610)는 상기 절연층(320)과 벽체(310) 사이에 버퍼층(330)을 개재시키는 단계로, 상기 벽체(310)와 상기 버퍼층(330)과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철(334)을 형성하는 단계와, 상기 요철(334)이 형성된 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 알루미나(Al2O3) 등의 금속 분말을 구속하여 형성하는 단계를 포함한다.In the buffer layer interposing step S610, a buffer layer 330 is interposed between the insulating layer 320 and the wall 310. The buffer layer interposing step S610 corresponds to a contact surface between the wall 310 and the buffer layer 330. Forming the unevenness 334, and restraining and forming a metal powder such as alumina (Al 2 O 3 ) having a high volume resistance (intrinsic resistance) between the unevenness 334 is formed.

상기 코팅층 또는 금속 용사층 형성 단계(S620)는 상기 버퍼층 개재 단계(S610) 이후 상기 절연층(320)의 내면에 코팅층 또는 금속 용사층을 형성하거나 하지 않는 코팅층 또는 금속 용사층을 형성하는 단계이다.The coating layer or the metal spray layer forming step (S620) is a step of forming a coating layer or a metal spray layer on the inner surface of the insulating layer 320 after the buffer layer intervening step (S610) or not.

이와 같은 본 발명의 정전척 및 그 제조 방법은 정전척을 여러 층으로 구비함에 있어 열팽창 계수의 차가 심한 층 사이에 버퍼층을 구비하여 완충 효과가 함께 열팽창 계수가 큰 층의 신장력이 열팽창 계수가 작은 층으로 전이되어 크랙이 발생되는 것을 방지하여 내구성을 향상시키는 효과가 있다.The electrostatic chuck of the present invention and the manufacturing method thereof have a layer between the layers having a large difference in thermal expansion coefficient when the electrostatic chuck is provided in several layers, so that the expansion force of the layer having a large thermal expansion coefficient with a buffering effect is small. There is an effect of improving the durability by preventing the crack is generated to transition to.

그리고 본 발명에 따른 기판 지지대 및 그 제조 방법은 기판 지지대를 여러 층으로 구비함에 있어 열팽창 계수의 차가 심한 층 사이에 버퍼층을 구비하여 완충 효과가 함께 열팽창 계수가 큰 층의 신장력이 열팽창 계수가 작은 층으로 전이되어 크랙이 발생되는 것을 방지하여 내구성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the substrate support and the method of manufacturing the same according to the present invention include a buffer layer between layers having a large difference in coefficient of thermal expansion when the substrate support is provided in several layers. There is an effect of improving the durability by preventing the crack is generated to transition to.

또한, 본 발명에 따른 챔버 및 그 제조 방법은 챔버 외벽을 여러 층으로 구비함에 있어 열팽창 계수의 차가 심한 층 사이에 버퍼층을 구비하여 완충 효과가 함께 열팽창 계수가 큰 층의 신장력이 열팽창 계수가 작은 층으로 전이되어 크랙이 발생되는 것을 방지하여 내구성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the chamber and the method of manufacturing the same according to the present invention include a buffer layer between layers having a large difference in coefficient of thermal expansion when the chamber outer wall is provided in several layers. There is an effect of improving the durability by preventing the crack is generated to transition to.

Claims (36)

정전척에 있어서,In the electrostatic chuck, 베이스 부재;A base member; 상기 베이스 부재의 상부에 구비되는 상, 하부 절연층;Upper and lower insulating layers provided on the base member; 상기 상, 하부 절연층의 사이에 개재되며, 고전압이 인가되는 전극 패턴;An electrode pattern interposed between the upper and lower insulating layers and to which a high voltage is applied; 상기 하부 절연층과 상기 베이스 부재 사이에 개재되어 열변형 정도가 상이하여 발생되는 크랙을 방지하는 매개 역할을 하면서 완충력을 부여하는 버퍼층; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척.A buffer layer interposed between the lower insulating layer and the base member to provide a buffering force while acting as a medium for preventing cracks caused by different degrees of thermal deformation; Electrostatic chuck characterized in that it comprises a. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면은,The contact surface of the base member and the buffer layer, 서로 대응하는 요철(凹凸) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.An electrostatic chuck characterized in that it is formed in a concave-convex shape corresponding to each other. 제 2항에 있어서, 상기 버퍼층은,The method of claim 2, wherein the buffer layer, 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.An electrostatic chuck, which is formed by confining a metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance). 제 3항에 있어서, 상기 금속 분말은,The method of claim 3, wherein the metal powder, 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the alumina (Al 2 O 3 ). 제 4항에 있어서, 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면에는,The contact surface of the base member and the buffer layer, 전기 전도성이 우수한 금속층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the metal layer excellent in electrical conductivity is further formed. 제 5항에 있어서, 상기 금속층은,The method of claim 5, wherein the metal layer, 니켈(Ni) 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck, characterized in that consisting of a nickel (Ni) mixture. 제 6항에 있어서, 상기 상부 절연층의 상부에는,The method of claim 6, wherein the upper portion of the upper insulating layer, 엠보싱부가 일정 간격을 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the embossed portion is provided to have a predetermined interval. 제 7항에 있어서, 상기 엠보싱부는,The method of claim 7, wherein the embossing portion, 상, 하부 절연층과 동일한 절연체로 코팅 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the coating is formed of the same insulator as the upper and lower insulating layers. 제 8항에 있어서, 상기 엠보싱부가 구비된 상부 절연층 표면에,The method of claim 8, wherein the surface of the upper insulating layer having the embossed portion, 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck, characterized in that to form a coating layer or a metal spray layer selectively. 기판지지대에 있어서,In the substrate support, 최하단에 구비되는 지지부;A support part provided at the bottom; 상기 지지부의 상부에 구비되는 절연층;An insulation layer provided on the support part; 상기 지지부와 절연층의 상이에 개재되어 열변형 정도가 상이하여 발생되는 크랙을 방지하는 매개 역할을 하면서 완충력을 부여하는 버퍼층; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판지지대.A buffer layer interposed between the support part and the insulating layer to provide a buffering force while acting as a medium for preventing cracks caused by different degrees of thermal deformation; Substrate support, characterized in that comprises a. 제 10항에 있어서, 상기 지지부와 버퍼층과의 접촉 면은,The contact surface of the support portion and the buffer layer, 서로 대응하는 요철(凹凸) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대.A substrate support characterized by being formed in an uneven shape corresponding to each other. 제 11항에 있어서, 상기 버퍼층은,The method of claim 11, wherein the buffer layer, 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대.A substrate support, characterized in that formed by restraining a metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance). 제 12항에 있어서, 상기 금속 분말은,The method of claim 12, wherein the metal powder, 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 기판지지대.Substrate support, characterized in that the alumina (Al 2 O 3 ). 제 13항에 있어서, 상기 지지부와 상기 버퍼층과의 접촉 면에는,The contact surface of the support portion and the buffer layer, 전기 전도성이 우수한 금속층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the metal layer excellent in electrical conductivity is further formed. 제 14항에 있어서, 상기 금속층은,The method of claim 14, wherein the metal layer, 니켈(Ni) 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck, characterized in that consisting of a nickel (Ni) mixture. 제 15항에 있어서, 상기 절연층의 상부에는,The method of claim 15, wherein the upper portion of the insulating layer, 엠보싱부가 일정 간격을 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판지지대.Substrate support characterized in that the embossed portion is provided to have a predetermined interval. 제 16항에 있어서, 상기 엠보싱부는,The method of claim 16, wherein the embossing portion, 상기 절연층과 동일한 절연체로 코팅 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대.Substrate support characterized in that the coating is formed of the same insulator as the insulating layer. 제 17항에 있어서, 상기 엠보싱부가 구비된 절연층 표면에,The method of claim 17, wherein the surface of the insulating layer provided with the embossed portion, 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판지지대.A substrate support, characterized in that to form a coating layer or a metal spray layer selectively. 챔버에 있어서,In the chamber, 육면체 중 네 벽면을 이루는 벽체;A wall that forms four walls of a cube; 상기 벽체의 내면에 구비되는 절연층;An insulation layer provided on an inner surface of the wall; 상기 벽체와 절연층의 상이에 개재되어 열변형 정도가 상이하여 발생되는 크랙을 방지하는 매개 역할을 하면서 완충력을 부여하는 버퍼층; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버.A buffer layer interposed between the wall and the insulating layer to provide a buffering force while acting as a medium for preventing cracks caused by different degrees of thermal deformation; Chamber comprising a. 제 19항에 있어서, 상기 벽체와 버퍼층과의 접촉 면은,The contact surface of the wall and the buffer layer, 서로 대응하는 요철(凹凸) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버.A chamber characterized by being formed in an uneven shape corresponding to each other. 제 20항에 있어서, 상기 버퍼층은,The method of claim 20, wherein the buffer layer, 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버.A chamber characterized by confining a metal powder having a high volume resistivity (intrinsic resistance). 제 21항에 있어서, 상기 금속 분말은,The method of claim 21, wherein the metal powder, 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 챔버.And alumina (Al 2 O 3 ). 제 22항에 있어서, 상기 절연층의 표면에,The surface of the insulating layer according to claim 22, 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 챔버.And selectively forming a coating layer or a metal spray layer. 정전척 제조 방법에 있어서,In the electrostatic chuck manufacturing method, 1) 베이스 부재에 전극 패턴이 개재된 상, 하부 절연층이 순차 적층하는 단 계;1) sequentially stacking the upper and lower insulating layers having an electrode pattern interposed in the base member; 2) 상기 하부 절연층과 베이스 부재 사이에 버퍼층을 개재시키는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.2) interposing a buffer layer between the lower insulating layer and the base member. 제 24항에 있어서, 상기 2) 단계에서는,The method of claim 24, wherein in step 2), 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철을 형성하고 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.And a concave-convex shape corresponding to each other on the contact surface between the base member and the buffer layer, and restraining the metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance) therebetween. 제 25항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,The method of claim 25, wherein after performing step 2), 상기 베이스 부재와 상기 버퍼층과의 접촉 면에 전기 전도성이 우수한 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.And forming a metal layer having excellent electrical conductivity on the contact surface between the base member and the buffer layer. 제 26항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,The method of claim 26, wherein after performing step 2), 상기 상부 절연층의 상부에는 일정 간격을 갖도록 엠보싱부를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.Electrostatic chuck manufacturing method comprising the step of forming an embossed portion to have a predetermined interval on the upper insulating layer. 제 27항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,The method of claim 27, wherein after performing step 2), 상기 엠보싱부가 구비된 상부 절연층 표면에 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.And forming a coating layer or a metal spray layer on a surface of the upper insulating layer provided with the embossing part. 기판지지대 제조방법에 있어서.In the substrate support manufacturing method. 1) 최하단에 구비되는 지지부의 상부에 절연층을 구비하는 단계;1) providing an insulating layer on an upper portion of the support part provided at the bottom; 2) 상기 지지부와 절연층의 사이에 버퍼층을 개재하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판지지대 제조방법.2) interposing a buffer layer between the support and the insulating layer. 제 29항에 있어서, 상기 2) 단계에서는,The method of claim 29, wherein in step 2), 상기 지지부와 상기 버퍼층과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철을 형성하고 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지대 제조방법.And a concave-convex shape corresponding to each other on the contact surface between the support portion and the buffer layer, and restraining the metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance) therebetween. 제 30항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,The method of claim 30, wherein after performing step 2), 상기 지지부와 상기 버퍼층과의 접촉 면에 전기 전도성이 우수한 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대 제조방법.And forming a metal layer having excellent electrical conductivity on a contact surface between the support and the buffer layer. 제 31항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,The method of claim 31, wherein after performing step 2): 상기 절연층의 상부에는 일정 간격을 갖도록 엠보싱부를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대 제조방법.And forming an embossed portion at a predetermined interval on the insulating layer. 제 32항에 있어서, 상기 2) 단계 수행 후에,33. The method of claim 32, wherein after performing step 2): 상기 엠보싱부가 구비된 절연층 표면에 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대 제조방법.And selectively forming a coating layer or a metal sprayed layer on the surface of the insulating layer provided with the embossed portion. 챔버 제조방법에 있어서,In the chamber manufacturing method, 1) 육면체 중 네 벽면을 이루는 벽체의 내면에 절연층을 구비하는 단계;1) providing an insulating layer on an inner surface of the wall forming four walls of the cube; 2) 상기 벽체와 절연층의 사이에 버퍼층을 개재하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 제조방법.2) interposing a buffer layer between the wall and the insulating layer. 제 34항에 있어서, 상기 2) 단계에서는,The method of claim 34, wherein in step 2), 상기 벽체와 버퍼층과의 접촉 면에 서로 대응하는 요철(凹凸) 형상으로 형성하고 그 사이에 체적 저항(고유 저항)이 높은 금속 분말을 구속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버 제조방법.And forming a concave-convex shape corresponding to each other on the contact surface between the wall and the buffer layer, and restraining the metal powder having a high volume resistance (intrinsic resistance) therebetween. 제 35항에 있어서, 상기 2) 단계에서는,The method of claim 35, wherein in step 2), 상기 절연층의 표면에 코팅층 또는 금속 용사층을 선택적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 제조방법.And selectively forming a coating layer or a metal spray layer on the surface of the insulating layer.
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