KR20070093163A - 실리콘 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 표면에 확산 공정에 의해 불순물을 주입함으로써 고농도 불순물 층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼가 탑재되는 캐리어의 쉐도우 효과를 이용하여 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치의 고농도 불순물 층 상에 하드 마스크로서 반사방지막을 형성하는 단계, 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 반사방지막을 도포하는 단계, 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계 등으로 우수한 균일도의 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Description
도 1a 내지 1c에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 태양전지의 일련의 제조과정에 대한 모식적인 수직 단면도들이다;
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조과정의 일부 단계에 대한 모식적인 수직 단면도이다;
도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따라 웨이퍼 캐리어에 실리콘 웨이퍼를 탑재하여 하드 마스크를 형성하는 과정의 모식도이다;
도 4는 도 3의 웨이퍼 캐리어의 사시도이다.
본 발명은 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 실리콘 웨이퍼의 표면에 확산 공정에 의해 불순물을 주입함으로써 고농도 불순물 층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼가 탑재되는 캐리어의 쉐도우 효과를 이용하여 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치의 고농도 불순물 층 상에 하드 마스크 로서 반사방지막을 형성하는 단계, 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 반사방지막을 도포하는 단계, 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계 등으로 우수한 균일도의 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공한다.
최근 환경문제와 에너지 고갈에 대한 관심이 높아지면서, 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없으며 에너지 효율이 높은 대체 에너지로서의 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
태양전지는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지로 나눌 수 있다. 그 중에서도 빛을 흡수하여 생성된 p-형 반도체의 전자와 n-형 반도체의 전공이 재결합함으로써 광 에너지가 전기 에너지로 변환되는 태양광 전지에 대한 연구가 활발히 행해지고 있다.
이러한 태양광 전지(이하에서는 "태양전지"로 약칭함)의 대표적인 예인 실리콘 태양전지는, 일반적으로 Si 기재의 전면(前麵)에 n-형 반도체 층과 후면(後面)에 p-형 반도체 층을 각각 형성하여 제조된다. 전면의 n-형 반도체 층은 에미터(emitter)로 작용하며, 조사되는 빛의 반사를 최소화시키기 위하여 실리콘 질화막 또는 산화막의 반사방지층을 도포한 후 전극을 배선한다.
상기 전면전극의 배선은 금속 페이스트를 스크린 프린팅함으로써 달성되는데, 실리콘 표면과 전면전극과의 접촉 저항이 높다는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 실리콘 표면과 전면전극의 접촉 저항을 낮추기 위하여, Si 기재의 전면에 고농 도의 에미터를 형성한 후 전면전극을 배선하고 있다.
그러나, 전면전극이 위치하지 않는 부위까지 고농도의 에미터를 형성하는 경우, 표면에 존재하는 고농도의 불순물(dopant)들이 실리콘 내에 과잉으로 존재함으로써 응집물(precipitate)이 형성되고, 이로 인해 전하의 수명(lifetime)이 감소되어 궁극적으로 태양전지의 작동 효율이 저하되는 문제점이 발생한다.
따라서, 미국 특허등록 제5928438호 등은 태양전지에서 전면전극이 배선되는 부위를 상대적으로 고농도의 에미터로 형성하여 상기의 문제점을 해결하는 방안을 제시하고 있다. 이러한 구조의 에미터를 선택적 에미터(selective emitter)로 칭하기도 한다.
이러한 선택적 에미터의 일반적인 제조방법을 설명하면, 우선 실리콘 웨이퍼의 표면에 불순물을 주입하여 n-형 반도체 층과 같은 불순물 층을 형성하는 과정, 상기 불순물 층의 외면에 반사방지막을 도포하는 과정, 전극을 배선할 부위를 노광 공정에 의해 식각하여 Si 기재를 부분적으로 노출시키는 과정, 상기 노출 부위에 불순물을 고농도로 재차 주입하는 과정 등을 거친다.
그러나, 상기 방법은 불순물 주입 과정이 2 회에 걸쳐 진행되므로 균일도(uniformity)가 낮아 최종 완성된 태양전지의 효율이 균일하게 못하게 되고, 포토리소그래피 공정을 위해 노광 마스크(photo mask), 감광성 물질 등을 필요로 하는 등 전반적으로 공정이 복잡하고 그로 인해 태양전지의 제조비용이 높아지는 등 다양한 문제점들을 가지고 있다.
이와 관련하여, 한국 특허등록 제366353호에는 실리콘 웨이퍼의 표면에 산화 막을 형성하고, 그 위에 감광막을 도포하여 포토리소그래피 공정에 의해 부분적인 식각을 행한 후, 부분적으로 노출된 실리콘 웨이퍼에 도펀트를 열확산시킴으로써 선택적 에미터를 제조하는 방법을 제시하고 있다. 상기 방법은 불순물 주입 과정을 단지 1 회 행한다는 장점을 가지지만, 전극이 형성되지 않는 부위의 Si 기재에 대한 불순물 층의 깊이가 매우 균일하지 못하여 종래의 태양전지에 비해 작동 효율이 크게 저하된다는 근본적인 문제점을 가지고 있다.
따라서, 높은 작동 효율을 나타내면서 간단한 공정에 의해 선택적 에미터를 형성할 수 있는 기술에 대한 필요성이 높은 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 첫 번째 목적은, 불순물 주입 공정을 단 1 회 행함으로써 우수한 균일도의 불순물 층에 의해 태양전지의 작동 효율을 높일 수 있고, 노광 마스크, 감광성 물질 등을 사용하는 포토리소그래피 공정을 거치지 않음으로써 공정의 전반적인 간소화를 추구할 수 있는 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 두 번째 목적은 상기 제조방법으로 제조된 우수한 작동 효율의 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 세 번째 목적은 태양전지의 양산 공정에서 상기 제조방법을 효과적으로 수행할 수 있는 구조의 웨이퍼 캐리어를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 태양전지의 제조방법은, 전면전극의 배선 부위에서 상대적으로 높은 농도의 불순물 층을 가진 선택적 에미터의 형성을 거치는 태양전지의 제조방법으로서,
(a) 실리콘 웨이퍼의 표면에 확산 공정에 의해 불순물을 주입함으로써 고농도 불순물 층을 형성하는 단계;
(b) 상기 실리콘 웨이퍼가 탑재되는 캐리어(웨이퍼 캐리어: wafer carrier)의 쉐도우 효과를 이용하여, 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치의 고농도 불순물 층 상에 하드 마스크로서 반사방지막을 형성하는 단계;
(c) 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계;
(d) 상기 실리콘 웨이퍼의 전면(前麵) 전체에 반사방지막을 도포하는 단계; 및
(e) 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계;
를 포함하는 것으로 구성되어 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, 노광 마스크, 감광성 물질 등을 사용하는 포토리소그래피 공정에 의하지 않고도 전면전극이 배선될 부위의 불순물 층의 농도를 상대적으로 높게 한 선택적 에미터 구조를 용이하게 제조할 수 있으며, 전체 제조과정에서 불순물 주입 공정을 1 회 진행하고 저농도 불순물 층의 두께를 균일하게 만들 수 있으므로 최종적으로 제조되는 태양전지의 작동 효율을 크게 높일 수 있는 특징이 있다.
상기 단계(a)에서 고농도 불순물 층은 실리콘 웨이퍼의 전면에만 형성할 수도 있지만, 바람직하게는 후면을 포함한 실리콘 웨이퍼의 외면 전체에 형성할 수 있다.
이러한 고농도 불순물 층은 대략 0.2 내지 2.0 ㎛의 깊이로 형성할 수 있으며, 상기 층의 깊이가 너무 얕은 경우에는 앞서 설명한 바와 같은 응집물의 형성에 의한 작동 효율이 저하되는 문제점이 있고, 반대로 너무 깊은 경우에는 생성된 정공(hole)이 전면의 표면에 도달하기 위한 거리가 길어지게 되어 이동 중 전자(electron)와 재결합(recombination) 될 확률이 높아지게 되어 수집확률(collection probability)이 감소하여 효율이 떨어지는 문제점이 있으므로 바람직하지 않다.
고농도 불순물 층의 바람직한 깊이와 농도는 면저항 값 등에 의해 결정될 수 있는 바, 고농도 불순물 층의 바람직한 면저항은 30 내지 100 Ω/㎠이다. 면저항이 너무 작으면, 붕소이온의 표면 농도가 높아져서 고농도층이 재결합 부위(recombination site)로 작용하게 되어 FSRV(front surface recombination velocity)가 커지게 되며, 결국 개방회로 전압(open circuit voltage: Voc)를 감소시켜 효율을 떨어뜨리는 문제점이 있다. 반대로 너무 크면, 금속 배선과의 접촉 저항이 커지게 되어 필팩터(fill factor)를 감소시켜 효율을 저하시키는 문제점이 있으므로 바람직하지 않다.
상기 고농도 불순물 층은 바람직하게는 N+ 도핑층일 수 있다.
이러한 고농도 불순물 층의 형성을 위한 확산 공정은 다양한 방법으로 수행될 수 있으며, 바람직하게는, POCl3 용액을 기화시키고 O2 및 N2 가스를 함께 사용하여 700 내지 950℃에서 수행할 수 있다. 이때, 가스의 바람직한 유속량은, N2가 10000 ~ 250000 sccm (standard cubic centimeter per minute)이고, O2가 200 ~ 450 sccm이다.
상기와 같은 확산 공정에 의해 고농도 불순물 층을 형성하면 부수적으로 인산화물 층이 형성되는 바, 바람직하게는, 단계(b) 이전에 상기 인산화물 층을 제거하는 단계를 더 거칠 수 있다. 이러한 인산화물 층의 제거는, 예를 들어, 불산(HF)과 초순수(D.I)를 사용하는 습식방식으로 수행할 수 있다.
상기 단계(b)에서는 전면전극이 배선될 부위의 고농도 불순물 층 상에 선택적으로 반사방지막을 형성하며, 이러한 반사방지막은 단계(c)의 식각 공정에서 하드 마스크로서 사용된다. 상기 하드 마스크는 단계(d)에서 실리콘 웨이퍼의 전면 전체에 도포되는 반사방지막과 동일할 수도 있고 다른 수도 있다. 다만, 일반적인 태양전지에서 반사방지막으로 사용되는 소재가 그대로 사용될 수 있으며, 그것의 대표적인 예로는 실리콘 질화막과 실리콘 산화막을 들 수 있다.
상기 반사방지막의 선택적 형성 또는 하드 마스크의 형성은, 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼 캐리어의 쉐도우 효과(shadow effect)에 의해 달성될 수 있다. 태양전지의 양산 공정에서는 생산의 효율성을 높이기 위하여 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 탑재시켜 인-라인(in line) 공정으로 진행하는 바, 실리콘 웨이퍼의 전면을 아래쪽으로 향하도록 캐리어에 탑재하고 하부로부터 박막 등을 형성하는 과정을 거치게 된다. 따라서, 웨이퍼 캐리어 상에 노광 마스크의 역할을 대신할 수 있는 격막 등의 미소부재를 웨이퍼 캐리어의 개구에 설치하면, 상기 미소부재에 의한 쉐도우 효과에 의해 선택적으로 상기 반사방지막을 형성할 수 있다. 즉, 상기 미소부재는 고농도 불순물 층에서 전면전극이 형성될 위치를 제외한 나머지 부위를 가림으로써 소정의 부위에 선택적으로 반사방지막(하드 마스크)을 형성할 수 있다.
상기 하드 마스크의 두께는 300 내지 5000 Å로 형성되는 것이 바람직하며, 두께가 너무 얇으면 단계(d)의 식각 공정에서 하드 마스크로서의 작용에 한계가 있다. 반대로, 두께가 너무 두터우면 다음과 같은 문제점이 있다. 첫째, 하드 마스크를 사용한 후 필요에 따라 제거할 경우, 두껍게 증착하기 위한 증착 시간과 식각 후 남은 두꺼워 하드마스크를 제거하기 위한 식각에 많은 시간이 소요되어 전체 공정 시간이 길어지게 되고, 두껍게 증착함에 따라 두께 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 둘째, 너무 두꺼운 하드 마스크를 사용한 후 제거하지 않을 경우, 후속 과정으로서 반사방지막의 증착시, 하드 마스크에 반사방지막이 추가로 증착되어 두께가 두꺼워지게 되는데, 그 위에 프린팅되는 금속 배선이 소결 과정에서 상기 층을 뚫고 들어가(punchthrough) 층 하부의 실리콘과 접촉하는 전극 형성 과정이 완료되지 못하는 문제점이 있다.
상기 하드 마스크로서의 실리콘 질화막은, 예를 들어, NH3, SiH4 및 N2를 사용하여 형성될 수 있으며, 또한 하드 마스크로서의 실리콘 산화막은, 예를 들어, SiH4, N2 및 N2O를 사용하여 형성될 수 있다. 이들 하드 마스크는 바람직하게는 250 ~ 550℃의 온도, 400 ~ 2500 sccm의 증착 가스량 및 1500 ~ 3000 W의 플라즈마 파워로서 형성될 수 있다.
상기 단계(c)에는 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 바, 이러한 부분 식각에 의해 하드 마스크 이외의 부위에서 저농도 불순물 층이 만들어진다.
상기 부분 식각은 고농도 주입층 표면으로부터 약 0.1 ~ 0.5 ㎛ 두께의 저농도 불순물 층이 만들어지는 깊이로 수행하는 것이 바람직하다. 저농도 불순물 층의 두께가 너무 얇으면, PN 접합에서의 built-in potential이 작아지는 문제점이 있고, 또한 N+의 농도가 낮을 경우 포화 전류(saturation current)가 증가하게 되어 개방회로 전압를 감소시켜 궁극적으로 효율을 저하시키는 문제점이 있다. 반대로, 상기 두께가 너무 두터우면, 고농도층과의 주입 농도 차이가 거의 없어 선택적 에미터 형성이 무의미하게 되는 문제점이 있으므로 바람직하지 않다.
상기 부분 식각은 습식 방식 또는 건식 방식으로 수행할 수 있다. 습식 방식은, 예를 들어, 질산, 불산 및 초순수를 사용하여 수행할 수 있고, 건식 방식은, 예를 들어, WF6 또는 CF4/O2 혼합 가스를 사용하여 수행할 수 있다.
하나의 바람직한 예에서, 단계(c)와 단계(d) 사이에, 하드 마스크를 제거하 는 단계(c')를 더 포함할 수 있다. 이러한 하드 마스크 제거 공정은 바람직하게는 습식 방식으로 수행할 수 있으며, 예를 들어, 인산 용액을 가한 후 50 ~ 155℃로 가열하거나, 또는 불산과 초순수를 사용하여 수행할 수 있다.
상기 단계(d)에서는 실리콘 웨이퍼의 전면(前面) 전체에 반사방지막을 도포하는 바, 이러한 반사방지막은 실리콘 웨이퍼 전면 전체에 대해 도포된다는 점을 제외하고는, 앞서 단계(b)에서 설명한 하드 마스크로서의 반사방지막의 선택적 형성과 동일하다.
이러한 반사방지막의 두께는 550 ~ 1200Å인 것이 바람직하다. 반사방지막의 두께가 너무 얇으면, 조사되는 빛의 반사율이 높아져 소망하는 효과를 발휘하기 어려우며, 반대로 너무 두꺼우면, 반사방지막 자체의 빛 흡수로 인해 하부의 실리콘으로 입사되는 태양광이 감소하게 되어 효율이 저하되는 문제점이 있으므로 바람직하지 않다.
단계(d) 이전에 단계(c')를 더 거치는 경우에는, 고농도 불순물 층과 저농도 불순물 층 상에 고르게 반사방지막이 도포될 수 있다. 반면에, 단계(d) 이전에 단계(c')를 거치지 않는 경우에는, 고농도 불순물 층 부위, 즉, 하드 마스크 상에 재차 반사방지막이 도포되게 되므로, 공정의 경제성은 높아지지만 반사방지막의 두께 균일성은 다소 떨어진다.
상기 단계(e)에서는 고농도 불순물 층 부위의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하게 되는 바, 이러한 전극 배선은, 예를 들어, Ag 등과 같은 금속 분말을 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅 방식으로 인쇄함으로써 행해진다. 일반적으로 금속 페이스트에는 글라스 프릿(frit)이 포함되어 있고, 소결 과정에서 상기 글라스 프릿이 반사 방지층을 관통할 때 금속 분말이 함께 운반되어 고농도 불순물 층에 도달함으로써 전기적 접촉이 이루어진다.
상기 제조방법에는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 기타 공지의 과정들이 추가로 포함될 수 있음은 물론이다.
본 발명은 또한 상기 방법으로 제조되는 실리콘 태양전지를 제공한다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 간단한 제조공정에도 불구하고 두께가 균일한 저농도 불순물 층이 얻어지므로 작동 효율이 우수한 장점을 가진다.
본 발명은 또한 상기 제조방법에서 사용될 수 있는 특정한 구조의 웨이퍼 캐리어를 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 캐리어는 태양전지의 양산 공정에서 상기 제조방법 중 단계(b)의 선택적 하드 마스크 형성을 가능하게 할 수 있는 캐리어이다. 상기 웨이퍼 캐리어는 실리콘 웨이퍼의 적어도 외주면을 지지하도록 개구가 형성되어 있는 프레임 구조물로서, 상기 개구에는 전면전극이 배선될 위치를 제외한 부위를 가리는 격막이 형성되어 있는 구조로 이루어져 있다.
하드 마스크의 선택적 형성 과정에서 위치 편차를 최소화하기 위하여, 웨이퍼 캐리어는 열팽창율이 낮은 소재로 이루어지는 것이 필요하며, 바람직하게는 탄소섬유 복합체 또는 그라파이트일 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 일부 실시예들을 도면을 참조하여 설명하지만, 이들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
도 1a 내지 1c에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 태양전지의 일련의 제조과정이 수직 단면도로서 모식적으로 도시되어 있다.
이들 도면을 참조하면, 우선 실리콘 웨이퍼(100)의 외면에 POCl3 용액, O2 및 N2 가스를 사용하는 확산 공정에 의해 불순물을 주입하여 고농도 불순물 층(N+ 도핑층: 200)을 형성한다. 이러한 불순물 주입 과정에서 고농도 N+ 도핑층(200)의 외면에는 인 산화물층(210)이 형성되므로, 불산 및 초순수를 사용하는 습식방식으로 이를 제거한다.
그런 다음, 고농도 N+ 도핑층(200)에서 전면전극이 형성될 부위에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막의 하드 마스크(300)를 선택적으로 증착하여 형성한다. 하드 마스크(300)의 이러한 선택적 형성은, 이후 도 3 및 도 4에서 설명하는 바와 같이, 특정한 웨이퍼 캐리어를 사용하여 형성된다.
하드 마스크(300)가 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼(100)의 전면을, 질산, 불산 및 초순수를 사용하여 습식으로 에칭하거나 WF6 또는 CF4/O2 혼합 가스를 사용하여 건식으로 에칭하면, 하드 마스크(300)에 의해 도포된 부위를 제외하고 부분적인 식각이 행해져서 저농도 N+ 도핑층(201)이 형성된다. 결과적으로, 포토리소그래피 방식에 의하지 않고도 고농도 N+ 도핑층(200)과 저농도 N+ 도핑층(200)을 가진 선택적 에미터가 만들어질 수 있다.
그런 다음, 습식 방식으로 하드 마스크(300)을 제거하고, 고농도 N+ 도핑층(200)과 저농도 N+ 도핑층(200)을 포함하여 전면에 걸쳐 반사방지층(400)을 형상한 후, 금속 전극(500)을 고농도 N+ 도핑층(200) 부위의 반사방지층(400) 상에 스크린 프린팅 방식에 의해 인쇄한다.
이러한 배선 과정이 완료되면, 실리콘 웨이퍼(100)의 후면에 대해서도 전극 배선 작업이 행하고 공소결(co-firing)을 행함으로써 PN 접합을 포함하는 실리콘 태양전지를 제조할 수 있다.
도 2에는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조과정의 일부 단계가 수직단면도로서 모식적으로 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 도 1의 단계(D)를 거치지 않고 단계(C)에서 바로 단계(E)의 반사방지막 형성 과정을 수행함으로써, 고농도 N+ 도핑층(200)의 상단에는 반사방지막의 하드 마스크(300)와 반사방지막(400)이 이중으로 형성되어 있고, 그 위에 금속 전극(500)이 배선되어 있다.
그러나, 하드 마스크(300)는 반사방지막(400)과 동일한 성분으로 이루어져 있고, 금속 전극(500)을 형성하기 위해 반사방지막(400) 상에 인쇄된 금속 페이스트가 소결 과정에서 하드 마스크(300)와 반사방지막(400)을 각각 관통(Punching through)하여 고농도 N+ 도핑층(200)에 전기적 접촉을 이루므로, 태양전지의 작동에 크게 영향을 미치지 않는다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따라 웨이퍼 캐리어에 실리콘 웨이퍼를 탑재하여 하드 마스크를 형성하는 과정이 모식적으로 도시되어 있고, 도 4에는 도 3의 웨이퍼 캐리어의 사시도가 모식적으로 도시되어 있다.
우선 도 3을 참조하면, 실리콘 웨이퍼(100)는 그것의 전면(101)이 하부를 향하도록 웨이퍼 캐리어(600)에 탑재되며, 웨이퍼 캐리어(600)는 컨베이어 벨트(700) 상에서 이동하면서 소정 공정들을 연속적으로 수행하게 된다.
웨이퍼 캐리어(600)는, 도 4에서 보는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 외주면을 지지하도록 개구(620)가 형성되어 있는 격자형의 프레임(610)으로 이루어져 있으며, 개구(620)에는 금속 전극(도 1c: 500)이 배선될 위치를 제외한 나머지 부위를 가리는 미세한 격막들(630)이 형성되어 있다.
따라서, 도 3에서와 같이, 실리콘 웨이퍼(100)가 웨이퍼 캐리어(600) 상에 탑재되면 실리콘 웨이퍼(100)의 전면(101)은 개구(620)를 통해 아래쪽으로 노출되며, 웨이퍼 캐리어(600)가 컨베이어 벨트(700)를 따라 이동하면 CVD 장치(710) 상에서 웨이퍼 캐리어(600)의 개구(620)를 통해 실리콘 웨이퍼(100)의 전면에 반사방지막이 도포되게 된다. 이때, CVD 장치(710)에 의한 화학증착은 격막들(도 4: 630)의 쉐도우 효과에 의해 이들 사이로 노출된 실리콘 웨이퍼(100) 상에만 행해짐으로써, 도 1a에서와 같은 하드 마스크가 형성될 수 있다. 따라서, 격막들(630)은 포토리소그래피 공정에서 노광 마스크와 같은 역할을 수행하지만, 본 발명에 따른 제조방법의 특성 상, 상기 포토리소그래피 공정과는 달리 감광성 수지를 도포하고 자외선 등의 조사하며 미경화 부위를 제거하는 등의 공정을 거치지는 않는다.
상기에서 본 발명을 구체적인 예들을 중심으로 상세히 설명하였지만, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백할 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속한다.
이상의 설명과 같이, 본 발명에 따르면, 단 1 회의 불순물 주입 공정과, 노광 마스크, 감광성 물질 등을 사용하는 포토리소그래피 공정을 거치지 않음으로써 전반적으로 간소화된 공정에 의해, 우수한 균일도의 선택적 에미터를 형성함으로써, 작동 효율이 뛰어난 태양전지를 제조할 수 있다.
Claims (13)
- 전면전극의 배선 부위에서 상대적으로 높은 농도의 불순물 층을 가진 선택적 에미터의 형성을 거치는 태양전지의 제조방법으로서,(a) 실리콘 웨이퍼의 표면에 확산 공정에 의해 불순물을 주입함으로써 고농도 불순물 층을 형성하는 단계;(b) 상기 실리콘 웨이퍼가 탑재되는 캐리어(웨이퍼 캐리어)의 쉐도우 효과를 이용하여, 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치의 고농도 불순물 층 상에 하드 마스크로서 반사방지막을 형성하는 단계;(c) 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계;(d) 상기 실리콘 웨이퍼의 전면(前麵) 전체에 반사방지막을 도포하는 단계; 및(e) 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계;를 포함하는 것으로 구성되어 있는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층은 0.2 내지 2.0 ㎛의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층의 면저항은 30 내지 100 Ω/㎠인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층은 N+ 도핑층인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 확산 공정에 의해 고농도 불순물 층을 형성할 때 부수적으로 형성된 인산화물 층을 제거한 후 상기 단계(b)를 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)의 하드 마스크는 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 이루어져 있고 단계(d)의 반사방지막과 동일한 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)의 하드 마스크는 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 탑재시켜 인-라인(in line) 공정으로 작업을 수행할 때 상기 웨이퍼 캐리어의 개구에 형성되어 있는 미소부재들의 쉐도우 효과에 의해 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하드 마스크의 두께는 300 내지 5000 ㎛인 것을 특 징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서의 부분 식각은 0.1 ~ 0.5 ㎛ 두께의 저농도 불순물 층이 만들어지는 깊이로 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)와 단계(d) 사이에, 하드 마스크를 제거하는 단계(c')를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조되는 실리콘 태양전지.
- 실리콘 태양전지의 양산 과정에서 실리콘 웨이퍼를 탑재할 수 있도록 실리콘 웨이퍼의 적어도 외주면을 지지하면서 개구가 형성되어 있는 프레임 구조의 캐리어로서, 상기 개구에는 전면이 아래쪽을 향하도록 탑재된 실리콘 웨이퍼에서 전면전극이 배선될 위치를 제외한 부위를 가리는 격막이 형성되어 있는 구조의 웨이퍼 캐리어.
- 제 12 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어는 탄소섬유 복합체 또는 그라파이트로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060022928A KR100910968B1 (ko) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 실리콘 태양전지의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060022928A KR100910968B1 (ko) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 실리콘 태양전지의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070093163A true KR20070093163A (ko) | 2007-09-18 |
| KR100910968B1 KR100910968B1 (ko) | 2009-08-05 |
Family
ID=38687512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060022928A KR100910968B1 (ko) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 실리콘 태양전지의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100910968B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101054985B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2011-08-05 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 제조 방법 |
| CN102487103A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| KR101370126B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2014-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 탑햇 형태의 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적에미터 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100965600B1 (ko) | 2008-04-08 | 2010-06-23 | 주식회사 효성 | 실리콘 태양전지와 그의 제조방법 및 제조장치 |
| KR100962110B1 (ko) | 2008-05-28 | 2010-06-10 | (재)나노소자특화팹센터 | 태양전지 제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124490A (ja) | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2004193350A (ja) | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
| KR100537439B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2005-12-16 | 준 신 이 | 고준위/저준위 일괄 도핑처리 태양전지 제조방법 및 이에 사용되는 광학계 |
| JP4660642B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-13 KR KR1020060022928A patent/KR100910968B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101370126B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2014-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 탑햇 형태의 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적에미터 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| KR101054985B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2011-08-05 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 제조 방법 |
| CN102487103A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN102487103B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-07-09 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100910968B1 (ko) | 2009-08-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140624 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150624 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160624 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170614 Year of fee payment: 9 |
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