KR20070090130A

KR20070090130A - Retainer ring structure for chemical-mechanical polishing machine and mounting method thereof

Info

Publication number: KR20070090130A
Application number: KR1020070082103A
Authority: KR
Inventors: 김부순; 최흥선
Original assignee: (주)선일테크론
Priority date: 2007-08-16
Filing date: 2007-08-16
Publication date: 2007-09-05
Also published as: KR100869549B1

Abstract

A vacuum-mounted retainer ring structure for a CMP apparatus is provided to shorten an interval of planarization time of a wafer while increasing the planarization of the wafer by coupling a metal ring or a resin ring having a coupling protrusion and a coupling groove by a vacuum absorption method. A plurality of bolt holes for being coupled to a head of a CMP apparatus are formed on the upper surface of an upper ring(12) of a metal material, and at least one protrusion part(20) protrudes downward from the lower surface of the upper ring wherein the upper ring has at least one vacuum line hole penetrating the upper and the lower surfaces of the upper ring. A lower ring(22) of a resin material is coupled to the lower surface of the upper ring by a vacuum absorption method. The upper ring can includes an O-ring groove(28) formed along the edge of the lower surface of the upper ring and an O-ring(26) of an elastic member mounted on the O-ring groove.

Description

Retainer ring structure for chemical-mechanical polishing machine and mounting method

본 발명은 화학 기계적 연마(chemical-mechanical polishing, 이하 CMP 라함) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CMP 공정 중 실리콘 웨이퍼(wafer)의 위치를 고정시켜주는 리테이너 링 구조물로 진공흡착 방식을 이용하여 수지재의 링을 금속재의 링에 결합시킴으로써 리테이너 링의 장착시간을 감소시킬 뿐만 아니라 보수관리가 용이하여 상품성을 증대시킬 수 있는 CMP 장치용 진공 장착식 리테이너 링 구조물 및 그 장착방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus. More specifically, the present invention relates to a resin ring structure for fixing a position of a silicon wafer during a CMP process. The present invention relates to a vacuum-mounted retainer ring structure for a CMP apparatus and a method of mounting the same, in which the retaining ring is attached to a metal ring and the maintenance time of the retainer ring is not only reduced, but also the maintenance is easy.

일반적으로, 반도체 소자의 고속화 및 고집적화에 따라 다층 배선 구조에 있어서 배선 층수의 증가와 배선 패턴의 미세화에 대한 요구가 갈수록 높아져 다층배선 기술이 서브 마이크론 공정에서 중요한 과제이다.In general, with the high speed and high integration of semiconductor devices, there is an increasing demand for increasing the number of wiring layers and miniaturization of wiring patterns in a multilayer wiring structure, so that multilayer wiring technology is an important problem in a submicron process.

특히 0.35㎛ 이하의 공정 시대에 들어서면서 미세패턴형성을 실현하기 위한 노광장치의 촛점심도에 대한 공정 여유가 줄어듦에 따라 충분한 촛점 심도를 확보하기 위하여 칩 영역에 걸친 광역 평탄화 기술이 요구된다.In particular, as the process era of 0.35 μm or less is reduced, the process margin for the depth of focus of the exposure apparatus for realizing fine pattern formation is reduced, so that a wide area planarization technique is required to secure a sufficient depth of focus.

따라서 광역평탄화를 실현하기 위해 화학 기계적 연마(CMP)라고 불리는 기술이 현재 널리 이용되고 있으며 이러한 기술이 반도체 소자 제조공정에 필수적으로 적용되고 있을 뿐만 아니라 차세대 소자에 대해 활발히 연구되고 있다. 그리고 상기한 CMP 기술은 소자의 고속화를 실현하기 위해 다층 배선이 요구되는 논리형 소자에 많이 적용되고 있을 뿐만 아니라 기억형 소자에서도 다층화 되어감에 따라 점차적으로 적용을 하고 있는 추세이다.Therefore, a technique called chemical mechanical polishing (CMP) is widely used to realize wide-area flattening, and this technique is not only applied to a semiconductor device manufacturing process but also actively researched for next-generation devices. In addition, the above-described CMP technology is not only applied to logic devices that require multi-layer wiring in order to realize high speed, but also gradually applied to memory devices as they are multilayered.

그리고 상기한 CMP 장치에서 기계적인 작용을 담당하기 위해 웨이퍼를 고정하는 연마 헤드에는 리테이너 링(retainer ring)이 설치되어 있고 이러한 리테이너 링은 홀딩된 웨이퍼의 정위치를 고정하는데 이용된다.In addition, a retainer ring is installed in the polishing head that fixes the wafer to perform a mechanical action in the CMP apparatus, and the retainer ring is used to fix the held wafer in position.

그러나 상기 리테이너 링은 수지재인 플래스틱으로만 제조되어 있어 강도가 약할뿐 아니라 CMP 공정 전에 행해지는 링 자체의 평탄화 작업시에 소요되는 시간이 많아지고 커버 볼트 조임에 의한 힘의 불균형으로 인해 편마모가 발생되는 문제점이 있었다.However, the retainer ring is made of plastic, which is only made of resin, so that the strength of the retainer ring is not only weak, but also increases the time required for the planarization of the ring itself before the CMP process, and uneven wear occurs due to the unbalance of the force of the cover bolt. There was a problem.

이에 따라 금속과 플래스틱과 같은 수지재로 제조한 링을 사용하나 화학적인 연마를 위해 공급되는 액상의 슬러리가 용이하게 리테이너 링에서 배출되지 못하여 웨이퍼 연마시 표면 스크래치(scratch)가 발생될 뿐만 아니라 리테이너 링의 내부 세척이 어려움에 따라 발생되는 이물질에 의해 표면 스크래치가 발생되는 문제점을 내포하고 있었다.As a result, a ring made of a resin material such as metal and plastic is used, but the liquid slurry supplied for chemical polishing is not easily discharged from the retainer ring, so that surface scratches occur during wafer polishing, as well as the retainer ring. There was a problem that the surface scratches caused by the foreign matter caused by the internal cleaning of the difficulty.

게다가 금속재의 링과 수지재 링의 결합시 본딩이나 용접 등이 이용되나 그 기능이 미비하고 불균일한 결합으로 인해 편마모가 발생되는 문제점이 내포되어 있었다.In addition, bonding or welding is used when the metal ring and the resin ring are combined, but their problems are inferior and uneven bonding causes uneven wear.

따라서, 본 고안은 상술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 고안의 목적은 CMP 공정 중 실리콘 웨이퍼(wafer)의 위치를 고정시켜주는 리테이너 링 구조물로 진공흡착 방식을 이용하여 수지재의 링을 금속재의 링에 결합시킴으로써 리테이너 링의 장착시간을 감소시킬 뿐만 아니라 보수관리가 용이하여 상품성을 증대시킬 수 있는 CMP 장치용 진공 장착식 리테이너 링 구조물 및 그 장착방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is a retainer ring structure to fix the position of the silicon wafer (wafer) during the CMP process ring of the resin material using the vacuum adsorption method The present invention provides a vacuum-mounted retainer ring structure for a CMP apparatus and a mounting method thereof, which can reduce the mounting time of the retainer ring by combining the metal ring with the metal ring, and can easily maintain and increase the marketability.

이러한 상기 목적은 본 발명에 의해 달성되며, 본 발명의 일면에 따라, 화학 기계적 연마(CMP)장치용 진공 장착식 리테이너 링 구조물은, 상기 화학 기계적 연마 장치의 헤드에 결합되기 위한 다수의 볼트구멍이 상면에 형성되고, 하면에는 하향으로 돌출되어 형성된 하나 이상의 돌기부가 형성되며, 상기 상하면을 관통하여 형성된 하나 이상의 진공 라인홀을 갖는 금속재의 상부 링, 및 상기 상부 링의 하면에 진공흡착방식으로 결합되는 수지재의 하부 링을 포함하는 것을 특징으로 한다.This object is achieved by the present invention, and in accordance with an aspect of the present invention, a vacuum-mounted retainer ring structure for a chemical mechanical polishing (CMP) device includes a plurality of bolt holes for coupling to the head of the chemical mechanical polishing device. It is formed on the upper surface, the lower surface is formed with one or more protrusions protruding downward, the upper ring of the metal material having one or more vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces, and is coupled to the lower surface of the upper ring by a vacuum suction method And a lower ring of a resin material.

본 발명의 다른 일면에 따라, 화학 기계적 연마 장치용 진공 장착식 리테이너 링 구조물은, 상기 화학 기계적 연마 장치의 헤드에 결합되기 위한 다수의 볼트구멍이 상면에 형성되고, 하면에는 하향으로 돌출되어 형성된 하나 이상의 돌기부 가 형성되며, 상기 상하면을 관통하여 형성된 하나 이상의 진공 라인홀을 갖는 금속재의 상부 링과, 상기 상부 링의 하면에 진공흡착방식으로 결합되고, 하면에는 하향으로 돌출하여 외측으로 전개된 결합돌기가 형성된 금속재의 중간 링, 및 상기 중간 링의 결합돌기가 삽입되는 결합홈이 상면에 형성된 수지재의 하부 링을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a vacuum-mounted retainer ring structure for a chemical mechanical polishing apparatus includes a plurality of bolt holes formed on an upper surface thereof to be coupled to a head of the chemical mechanical polishing apparatus, and downwardly protruding downwardly. The protrusion is formed, the upper ring of the metal material having at least one vacuum line hole formed through the upper and lower surfaces, and coupled to the lower surface of the upper ring in a vacuum suction method, the lower surface protruding downwardly coupled to the engaging projection The intermediate ring of the metal material is formed, and the coupling groove into which the coupling projection of the intermediate ring is inserted comprises a lower ring of the resin material formed on the upper surface.

본 발명의 또 다른 일면에 따라, 화학 기계적 연마(CMP)장치용 진공 장착식 리테이너 링 구조물의 장착방법은, 상기 화학 기계적 연마 장치의 헤드에 결합되기 위한 다수의 볼트구멍이 상면에 형성되고, 하면에는 하향으로 돌출되어 형성된 하나 이상의 돌기부가 형성되며, 상기 상하면을 관통하여 형성된 하나 이상의 진공 라인홀을 갖는 금속재의 상부 링을 마련하는 단계와, 하면에는 하향으로 돌출하여 외측으로 전개된 결합돌기가 형성된 금속재의 중간 링을 마련하여, 하부 링의 상면에 형성된 결합홈에 상기 결합돌기를 결합시키는 단계와, 상기 상부 링을 상기 연마 장치의 헤드에 결합하는 단계, 및 상기 상부 링에 형성된 진공 라인 홀을 이용하여 상기 중간 링에 결합된 하부 링을 상기 상부 링에 진공 흡착 공정으로 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to yet another aspect of the present invention, in the method of mounting a vacuum-mounted retainer ring structure for a chemical mechanical polishing (CMP) device, a plurality of bolt holes for coupling to the head of the chemical mechanical polishing device are formed on the upper surface, One or more protrusions are formed to protrude downward, the step of providing an upper ring of a metal material having one or more vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces, and the lower surface is formed with engaging projections protruding downwards to the outside Providing an intermediate ring of metal material to engage the engaging projection in a coupling groove formed in the upper surface of the lower ring, coupling the upper ring to the head of the polishing apparatus, and vacuum line hole formed in the upper ring. Coupling the lower ring coupled to the intermediate ring to the upper ring using a vacuum adsorption process. It is characterized by.

본 발명은 상기와 같은 구성에 따라, 결합돌기 및 결합홈이 형성된 금속재 링 및 수지재 링의 결합을 진공흡착방식으로 결합시킴으로써 링의 강도를 증가시키고 웨이퍼의 평탄시간을 감소시키면서 평탄도를 증대시킬 수 있다. 게다가 O링의 결합으로 외부에서의 이물질의 유입이 차단되어 링의 결합에 따른 힘의 불균형을 방지함으로써 편마모의 발생이 방지되어 내구성을 증대시킬 뿐만 아니라 수지재가 마모되었을 경우에는 금속부분은 재활용할 수 있는 효과가 발생한다.According to the configuration as described above, by combining the coupling of the metal ring and the resin ring formed with the coupling protrusion and the coupling groove in a vacuum adsorption method to increase the strength of the ring and reduce the flatness time of the wafer to increase the flatness Can be. In addition, the combination of O-rings prevents the inflow of foreign substances from the outside and prevents the imbalance of force caused by the engagement of the rings, which prevents the occurrence of uneven wear and increases durability. That effect occurs.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하며, 또한 본 발명을 설명하는 데 있어서 도면 전체를 통하여 동일한 부분에는 동일한 도면부호를 사용하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily practice the present invention. In describing the present invention, the same reference numerals will be used for the same parts throughout the drawings.

도 1 은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 CMP 장치를 개략적인 나타낸 도면이고, 도 2 는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 리테이너 링 구조물의 개략적인 사시도이며, 도 3 은 도 2 에 따른 리테이너 링 구조물의 횡 단면도이다.1 is a schematic view showing a CMP apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic perspective view of a retainer ring structure according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a retainer according to Figure 2 Cross section of the ring structure.

도면에 도시한 바와 같이, 도면 부호 10 으로 도시한 본 고안에 따른 리테이너 링 구조물은 도 1 을 참조하여 설명하면 다음과 같다.As shown in the figure, the retainer ring structure according to the present invention shown by the reference numeral 10 will be described with reference to FIG.

우선 CMP 장치는 본체(108)와 연마 헤드(112)로 구성되되 상기 본체(108)는 상면에 장착되는 연마 플래튼(11)과 이 연마 플래튼(110)의 상면에 설치되는 연마 패드(106)를 포함한다.First, the CMP apparatus is composed of a main body 108 and a polishing head 112, the main body 108 is a polishing platen 11 mounted on an upper surface and a polishing pad 106 provided on an upper surface of the polishing platen 110. ).

상기 연마 헤드(112)에는 웨이퍼(100)를 고정하는 리테이너 링 구조물(10)과, 이 구조물(10)이 장착되는 연마 하우징(102) 및 회전 아암(104)으로 구성되며 상기 회전 아암(104)에 의해 연마 하우징(102)이 회전운동을 한다. The polishing head 112 includes a retainer ring structure 10 for fixing the wafer 100, a polishing housing 102 and a rotating arm 104 on which the structure 10 is mounted, and the rotating arm 104. As a result, the polishing housing 102 rotates.

상기 연마 플래튼(110)은 그 상면에 상기 웨이퍼(100)의 표면이 서로 접촉하 여 연마가 이루어지는 연마 패드(106)가 구비되며, 그 하측에 구동수단이 연결된 회전 구동축(114)이 형성되어 상기 구동수단에 의해 상기 연마 플래튼(110)은 오비탈(orbital)운동을 하게 된다.The polishing platen 110 is provided with a polishing pad 106, the surface of the wafer 100 is in contact with each other on the upper surface of the polishing plate, the rotating drive shaft 114 is connected to the driving means is formed on the lower side By the driving means, the polishing platen 110 is to orbital (orbital) movement.

상기 리테이너 링 구조물(10)은 도 2 와 도 3 에 도시된 바와 같이, 금속재의 상부 링(12)과 이 상부 링과(12) 진공흡착 방식으로 결합되는 수지재의 하부링(22)으로 구성된다.As shown in FIGS. 2 and 3, the retainer ring structure 10 includes an upper ring 12 of a metal material and a lower ring 22 of a resin material which is coupled to the upper ring 12 by a vacuum suction method. .

상기 상부 링(12)은 상기 연마 헤드(112)에 결합되기 위한 다수의 볼트구멍(16)이 상면에 형성되고, 하면에는 하향으로 돌출되어 형성된 다수의 돌기부(20)가 형성되며, 상기 상하면을 관통하여 형성된 다수의 진공 라인홀(14)을 갖는다.The upper ring 12 has a plurality of bolt holes 16 to be coupled to the polishing head 112 is formed on the upper surface, the lower surface is formed with a plurality of protrusions 20 protruding downward, the upper and lower surfaces It has a plurality of vacuum line holes 14 formed therethrough.

그리고 상기 상부 링(12)의 하면에 진공흡착방식으로 결합되는 수지재의 하부 링(22)은 하면에 슬러리 배출 홈(18)이 형성되고, 상면 양측 가장자리에는 상기 상부 링(12)의 돌기부(20)와 동일한 높이의 턱부(24)를 형성시켜 보다 완벽한 결합을 이루어질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the lower ring 22 of the resin material coupled to the lower surface of the upper ring 12 by vacuum suction method has a slurry discharge groove 18 formed on the lower surface thereof, and protrusions 20 of the upper ring 12 are formed at both edges of the upper surface. It is desirable to form the jaw portion 24 having the same height as) to achieve a more perfect coupling.

이때 상기 하부 링(22)은 통상적으로 금속 및 기타 다른 물질보다 우수한 기계적 성질, 내화학성, 높은 내열온도특성을 갖는 수지재로 제조하는 것이 바람직하다.In this case, the lower ring 22 is typically made of a resin material having mechanical properties, chemical resistance, and high temperature resistance characteristics superior to metals and other materials.

게다가 상기 상부 링(12)의 하면 가장자리를 따라 O링 홈(28)을 형성시키고 이 O링 홈(28)에 탄성부재의 O링(26)을 장착시킴으로써 외부에서 이물질의 유입을방지시킬 뿐만 아니라 진공흡착시에도 상기 상부 링(12)과 하부 링(22)의 결합도 보다 완벽하게 이루어진다.In addition, by forming an O-ring groove 28 along the bottom edge of the upper ring 12 and mounting the O-ring 26 of the elastic member in the O-ring groove 28, as well as preventing the inflow of foreign substances from the outside. Even in vacuum adsorption, the upper ring 12 and the lower ring 22 are more perfectly combined.

본 발명의 상기와 같은 구성에 따른 장착방법을 보면, 우선적으로 상기 상부 링(12) 및 하부 링(22)을 마련하여 상기 상부 링(12)을 상기 연마 헤드(112)에 볼팅공정으로 결합시킨다.In the mounting method according to the above configuration of the present invention, the upper ring 12 and the lower ring 22 are first provided to couple the upper ring 12 to the polishing head 112 by a bolting process. .

그 후 상기 상부 링(12)에 형성된 진공라인 홀(14)을 통해 진공흡착공정을 이용하여 상기 하부 링(22)을 상기 상부 링(12)에 결합시킴으로써 상기 리테이너 링 구조물(10)을 상기 연마 헤드(112)에 용이하게 장착시킬 수 있다.The retainer ring structure 10 is then polished by bonding the lower ring 22 to the upper ring 12 using a vacuum suction process through a vacuum line hole 14 formed in the upper ring 12. It can be attached to the head 112 easily.

도 4 는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 리테이너 링 구조물의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a retainer ring structure according to another embodiment of the present invention.

도 4 에 따른 실시예에서의 리테이너 링 구조물(30)은 상기 화학 기계적 연마 장치의 헤드(112)에 결합되기 위한 다수의 볼트구멍이 상면에 형성되고, 하면에는 하향으로 돌출되어 형성된 다수의 돌기부(42)가 형성되며, 상기 상하면을 관통하여 형성된 다수의 진공 라인홀을 갖는 금속재의 상부 링(32)과, 하부 링(34) 및 중간 링(36)을 포함한다.In the embodiment according to FIG. 4, the retainer ring structure 30 has a plurality of bolt holes formed on an upper surface thereof to be coupled to the head 112 of the chemical mechanical polishing apparatus, and a plurality of protrusions protruding downward from the lower surface thereof. 42 is formed and includes an upper ring 32, a lower ring 34, and an intermediate ring 36 of a metal material having a plurality of vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces.

상기 상부 링(32)의 하면에 진공흡착방식으로 결합되는 금속재의 상기 중간 링(36)은 그 하면에 하향으로 돌출하여 외측으로 전개된 결합돌기(38)가 형성된다.The intermediate ring 36 of the metal material coupled to the lower surface of the upper ring 32 by a vacuum suction method is formed on the lower surface thereof with a coupling protrusion 38 extending downward.

이때 상기 상부 링(32)의 하면 가장자리를 따라 O링 홈(46)을 형성시키고 이 O링 홈(46)에 탄성부재의 O링(44)을 장착시킴으로써 외부에서 이물질의 유입을방지시킬 뿐만 아니라 진공흡착시에도 이 상부 링(32)과 중간 링(36)의 결합도 보다 완벽하게 이루어진다.At this time, by forming an O-ring groove 46 along the lower edge of the upper ring 32 and mounting the O-ring 44 of the elastic member in the O-ring groove 46 to prevent the inflow of foreign substances from the outside, Even in vacuum adsorption, the upper ring 32 and the intermediate ring 36 are more perfectly combined.

그리고 상기 하부 링(34)은 수지재로 형성하되 상기 중간 링(36)의 결합돌기(38)가 삽입되는 결합홈(40)이 상면에 형성된다.The lower ring 34 is formed of a resin material, but the coupling groove 40 into which the coupling protrusion 38 of the intermediate ring 36 is inserted is formed on the upper surface.

본 발명의 상기와 같은 구성에 따른 장착방법을 보면 다음과 같다.Looking at the mounting method according to the above configuration of the present invention.

우선적으로 금속재의 상부 링(32)과, 하면에는 하향으로 돌출하여 외측으로 전개된 결합돌기(38)가 형성된 금속재의 중간 링(36)을 마련하여, 상기 하부 링(34)의 상면에 형성된 결합홈(40)에 상기 결합돌기(38)를 결합시킨다.First, the upper ring 32 of the metallic material and the intermediate ring 36 of the metallic material formed with a coupling protrusion 38 which protrudes downward and extends outward on the lower surface thereof, are coupled to the upper surface of the lower ring 34. The coupling protrusion 38 is coupled to the groove 40.

그 후 상기 상부 링(32)을 상기 연마 장치의 헤드(112)에 볼팅공정으로 결합시키고 상기 상부 링(32)에 형성된 진공 라인 홀을 이용하여 상기 중간 링(36)에 결합된 하부 링(34)을 상기 상부 링(32)에 진공 흡착 공정으로 결합시킴으로써 상기 리테이너 링 구조물(30)을 상기 연마 헤드(112)에 용이하게 장착시킬 수 있다.The upper ring 32 is then bolted to the head 112 of the polishing apparatus in a bolting process and the lower ring 34 coupled to the intermediate ring 36 using a vacuum line hole formed in the upper ring 32. ) May be easily mounted to the polishing head 112 by coupling the upper ring 32 to the upper ring 32 in a vacuum adsorption process.

도 1 은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 CMP 장치를 개략적으로 나타낸 도면.1 is a view schematically showing a CMP apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 와 도 3 은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 리테이너 링 구조물의 개략적인 사시도 및 횡 단면도. 2 and 3 are schematic perspective and lateral cross-sectional views of a retainer ring structure in accordance with one preferred embodiment of the present invention.

도 4 는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 리테이너 링 구조물의 개략적인 횡 단면도.4 is a schematic transverse cross-sectional view of a retainer ring structure in accordance with another embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10,30 : 리테이너 링 구조물, 12,32 : 상부 링,10,30: retainer ring structure, 12,32: upper ring,

14 : 진공 라인 홀, 16 : 볼트 구멍,14: vacuum line hole, 16: bolt hole,

18 : 슬러리 배출 홈, 20,42 : 돌기부,18: slurry discharge groove, 20,42: projection,

22,34 : 하부 링, 24 : 턱부,22,34: lower ring, 24: jaw,

26,44 : O링, 28,46 : O링 홈,26,44: O ring, 28,46: O ring groove,

36 : 중간 링, 38 : 결합 돌기,36: middle ring, 38: engaging projection,

40 : 결합 홈, 40: joining groove,

Claims

A vacuum mounted retainer ring structure for a chemical mechanical polishing (CMP) device,

A plurality of bolt holes for coupling to the head of the chemical mechanical polishing apparatus is formed on the upper surface, the lower surface is formed with one or more protrusions protruding downward, the metal material having one or more vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces Upper ring; And

And a lower ring of a resin material bonded to the lower surface of the upper ring by a vacuum adsorption method.

The vacuum retaining structure of claim 1, wherein the upper ring includes an O-ring groove formed along an edge of the lower surface and an O-ring of an elastic member mounted to the O-ring groove. .

A plurality of bolt holes for coupling to the head of the chemical mechanical polishing apparatus is formed on the upper surface, the lower surface is formed with one or more protrusions protruding downward, the metal material having one or more vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces Upper ring;

An intermediate ring of a metal material coupled to a lower surface of the upper ring by a vacuum suction method, and having a coupling protrusion formed on the lower surface to protrude downward; And

And a lower ring of a resin material formed on an upper surface of the coupling groove into which the coupling protrusion of the intermediate ring is inserted.

4. The vacuum retaining structure of claim 3, wherein the upper ring includes an O-ring groove formed along an edge of the lower surface and an O-ring of an elastic member mounted to the O-ring groove. .

A method of mounting a vacuum-mounted retainer ring structure for a chemical mechanical polishing (CMP) device,

A plurality of bolt holes for coupling to the head of the chemical mechanical polishing apparatus is formed on the upper surface, the lower surface is formed with one or more protrusions protruding downward, the metal material having one or more vacuum line holes formed through the upper and lower surfaces Providing an upper ring;

Providing an intermediate ring of the metal material is formed in the lower surface protruding downwardly engaging projections to the outer side, engaging the coupling projections in the coupling groove formed on the upper surface of the lower ring;

Coupling the upper ring to a head of the polishing apparatus; And

Coupling a lower ring coupled to the intermediate ring to the upper ring by a vacuum adsorption process using a vacuum line hole formed in the upper ring; How to install