KR20070083691A - 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents

방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 복수의 외부 표면들, 낮은 주파수 부분 및 높은 주파수 부분을 포함한다. 상기 높은 주파수 부분은 낮은 주파수 부분에 배치되고, 상기 낮은 주파수 부분에 전기적으로 연결됨에 따라, 상기 방위 비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용함에 따라, 특정한 방위설정 절차에 상관없이 용이하게 SMT 호환가능할 수 있다.

Description

방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터 및 그 제조 방법{ORIENTATION-INSENSITIVE ULTRA-WIDEBAND COUPLING CAPACITOR AND METHOD OF MAKING}
본 즉시 정식출원(instant non-provisional application)은 'ULTRA-WIDEBAND COUPLING CAPACITOR'라는 제목으로 2003년 9월 15일에 출원된 가출원 번호 제60/503,183호로부터 우선권을 주장한다.
본 발명은 초-광대역 커플링 캐패시터에 관한 것으로, 더 상세하게는 본 발명은 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도인 도 1과 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략적 확대 사시도인 도 2에 각각 도시된 바와 같이, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)는 높은 값 캐패시터(12)(통상적으로, 10 나노패럿 이상) 및 낮은 값 캐패시터(14)(통상적으로 20 피코패럿 내지 250 피코패럿)의 병렬 조합이다. 알 수 있는 바와 같이, 병렬로 된 캐패시터들은 더 넓은 동작 대역폭들을 유도한다.
종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)는 정밀한 어셈블리를 요구하는 2 이상의 물리적 아이템들로 구성되거나, 내부적으로 다중 캐패시터 구성들을 포함하여야 하는 단일 세라믹 어셈블리로 구성되며, 외부 콘택 패드들에 내부 전극들을 상호연결하는 비아 홀(via hole)들로 구성된다. 이러한 두 디바이스 군(family)은 요구되는 것보다 큰 물리적 풋프린트(footprint)들을 가지며, 디바이스의 일 특정 부분 상에만 장착될 수 있으므로, SMT(surface mount technology)가 채택되는 경우에 사용을 어렵게 한다. 전기적으로, 크기 제한은 높은 삽입(insertion)과 복귀 손실(return loss)을 유발하며, 또한 더 높은 마이크로파 주파수들에서 과도한 표면 모딩(surface moding)을 초래한다.
높은 값 캐패시터(12)는 다층 캐패시터인 한편, 낮은 값 캐패시터(14)는 일반적으로 단층 캐패시터 또는 균형잡힌(balanced) 구성에서 2 개의 단층 캐패시터들이다. 다층 캐패시터는 얇은 유전 층에 의해 각각 분리된 서로 맞물린 플레이트(interdigitated plate)들을 갖는 다층 구조체인 한편, 단층 캐패시터는 얇은 유전 층에 의해 분리된 2 개의 플레이트들을 갖는 단층 구조체이다.
비교적 낮은 직렬 공진(series resonance)을 갖는 높은 값 캐패시터(12)는 더 낮은 주파수 신호들에 가장 효과적인 한편, 비교적 높은 직렬 공진을 갖는 낮은 값 캐패시터(14)는 높은 주파수 신호들에 가장 효과적이다.
종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)의 높은 값 캐패시터(12) 및 낮은 값 캐패시터(14)는 아래에 설명되는 바와 같이 초-광대역 동작 스펙트럼의 상이한 부분들에서의 상이한 동작 특성들을 갖는다.
낮은 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도인 도 3a에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)가 낮은 주파수에서 동작하는 경우, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10) 전극들은 사소한 스킨 효과(skin effect)를 나타낸다. 세라믹 구조체는 벌크 유전체(bulk dielectric)처럼 보인다.
중간 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도인 도 3b에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)가 중간 주파수에서 동작하는 경우, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10) 전극은 상당한 스킨 효과를 나타낸다. 유전 영역은 사행의(meandering) 병렬 플레이트 전달 라인 구조체에 영향을 주기 시작한다. 추가 공진들이 나타난다.
높은 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도인 도 3c에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)가 높은 주파수에서 동작하는 경우, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10) 전극들은 전체(full) 스킨 효과를 나타낸다. 유전 영역은 손실있는(lossy) 사행의 병렬 플레이트 전달 라인으로서 기능한다. 더 높은 주파수들에서 추가 공진들이 나타난다.
종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)는 연계된 몇 가지 단점들을 갖는다. 첫째, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)가 2-피스(piece) 구조체이기 때문에, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)는 단위 비용을 증가시키는 추가적인 생산 어셈블리 노력을 필요로 한다. 둘째, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)는 그것이 일 특정 표면 상에만 장착되도록 제한하는 방위-감응성이므로, SMT(surface mount technoloy) 호환성 문제들을 야기한다. 셋째, 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)의 어셈블리 높이는 0.012"에 의한 표준 0402 패키지의 0.020" 치수를 초과한다.
따라서, 1-피스임에 따라 추가적인 생산 어셈블리 노력을 제거하여 단위 비용을 감소시키고, 방위-비감응성임에 따라 캐패시터가 일 특정 표면 상에만 장착되도록 제한하는 것을 제거하여 SMT(surface mount technoloy) 호환성 문제들을 제거하며, 표준 0402의 0.020" 치수를 초과하지 않는 초-광대역 커플링 캐패시터에 대한 요구가 존재한다.
종래 기술에서는 높은 주파수 캐패시터들에 대한 다수의 개선책들이 제공되었다. 이러한 개선책들이 추구하는 특정한 개개의 목적들에 대해 이러한 개선책들이 적합할 수 있다 하더라도, 이러한 개선책들은 1-피스임에 따라 추가적인 생산 어셈블리 노력을 제거하여 단위 비용을 감소시키고, 방위-비감응성임에 따라 캐패시터가 일 특정 표면 상에만 장착되도록 제한하는 것을 제거하여 SMT(surface mount technoloy) 호환성 문제들을 제거하며, 표준 0402의 0.020" 치수를 초과하지 않는 초-광대역 커플링 캐패시터가 존재하지 않는다는 점에서, 이러한 개선책들 각각은 구조 및/또는 동작 및/또는 목적 면에서 본 발명과 상이하다.
예를 들어, Monsorno의 U.S. 특허 번호 제 5,576,926호는 본 즉시 출원과 공동 양수인을 갖고, RF 스펙트럼의 상부 영역들에서 동작할 수 있는 이점을 갖는 캐패시터를 제시한다. 상기 캐패시터는 한 쌍의 유전 층들 사이에 장착된 평면(planar) 전극 층을 포함한다. 상기 전극 층은 일반적으로 유전 물질의 바깥쪽 마진(margin)을 두는 유전 층들에 대해 안쪽으로 중심 잡힌다. 상기 유전 층들의 하나는 2 개의 이격된 콘택 부재들을 가지며, 그 각각은 다른 하나와 상이한 극성을 갖는다. 상기 전극 층은 여하한의 도전체와의 전기적 접촉으로부터 고립되며, 유전 층들 내에 매립된다. 상기 전극 층은 콘택 부재들이 장착된 유전 층 및 콘택 부재들과 조합하여, 상기 콘택 부재들 간의 캐패시턴스의 선택된 값의 발전을 허용한다. 절단된(trimmed) 콘택 부재들을 제공하고, 그들의 크기 및 간격을 제어하는 것은 캐패시터의 원하는 동작 특성들의 편리한 사전선택을 허용한다. 상기 콘택 부재들은 매립된 전극이 장착된 기판 상에 위치될 수도 있다.
또 다른 예시인 Liebowitz의 U.S. 특허 번호 제 6,690,572호는 두께가 0.0035 인치 이하이고, 가능하게는 0.0005 인치 이하인 얇은 취성(brittle) 세라믹 유전 층을 갖는 SLC를 개시한다. 전극들은 개별적으로 또는 함께, 제조, 핸들링 및 용도를 위해 구조 요구된 물리적 강도를 제공하기에 충분히 두껍고 강하다. 전극들은 (1) 세라믹 금속 복합물, (2) 금속 또는 다른 도전성 물질이 침투된(infiltrated) 다공성 세라믹, (3) 금속 또는 다른 도전성 물질로 채워진 수지, 또는 (4) 그 조합이다. 매우 얇고, 본질적으로 깨지기 쉬운 유전 층은 온도 안정성 및 낮은 손실들을 갖는 단위 면적당 매우 높은 용량을 제공한다. 또한, 티타늄 이산화물로 된 0.00001-인치 두께의 유전체가 사용된다.
종래 기술에서, 사용되도록 적합화(adapt)된 높은 주파수 캐패시터들에 대한 다수의 개선책들이 제안되었다는 것은 분명하다. 또한, 이러한 개선책들이 추구하는 특정한 개개의 목적들에 대해 이러한 개선책들이 적합할 수 있다 하더라도, 이러한 개선책들은 상술된, 즉 1-피스임에 따라 추가적인 생산 어셈블리 노력을 제거하여 단위 비용을 감소시키고, 방위-비감응성임에 따라 캐패시터가 일 특정 표면 상에만 장착되도록 제한하는 것을 제거하여 SMT(surface mount technoloy) 호환성 문제들을 제거하며, 표준 0402의 0.020" 치수를 초과하지 않는 초-광대역 커플링 캐패시터와 같이 본 발명의 목적들에 적합하지 않을 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 단점들을 회피하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래 기술을 능가하는 개선된 전기적 성능을 갖는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래 기술보다 더 매력적인 물리적/기계적 특성들을 갖는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 1-피스이고, 이에 따라 본질적으로 더 높은 신뢰성을 가지며, 추가적인 생산 어셈블리 노력을 제거하여, 단위 비용을 감소시키는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 2-피스 종래 기술 초-광대역 커플링 캐패시터보다 작고, 이에 따라 낮은 공간을 소모하며, 표면 모드들에 착수하는 성향(propensity)을 감소시키는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 반응-비감응성이고, 이에 따라 캐패시터가 일 특정 표면 상에만 장착되는 것을 제거함에 따라, SMT(surface mount technoloy) 호환성 문제들을 제거한, 부연하면 캐패시터를 장착하는데 사용된 표면과 관계없이 동일하게 잘 동작하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 테입-앤-릴 로딩(tape-and-reel loading) 시에 특별한 방위를 요구하지 않는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 표준 SMT 장비로 핸들링될 수 있는 실제(true) 0402 패키지를 형성하도록 표준 0402의 0.020" 치수를 초과하지 않는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 2-피스 종래 기술 초-광대역 커플링 캐패시터와 전기적으로 동일한 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 2-피스 종래 기술 초-광대역 커플링 캐패시터보다 낮은 삽입 손실들을 갖는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 2-피스 종래 기술 초-광대역 커플링 캐패시터보다 양호한 VSWR을 갖는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 갭이 있는(gapped) 낮은-손실 도전체 쌍 내에 기능적 RF 구성요소를 에워싸는 부피적으로(volumetrically) 유효한 수단을 제공하는 것으로, 그 각각은 4 개의 측면들 상에서 RF 구성요소를 둘러싸며 나머지 2 개의 측면들 상에서 그것과 함께 단자화된다(co-terminal).
본 발명의 간명하게 설명된 또 다른 목적은 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제공하는 것이다. 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 복수의 외부 표면들, 낮은 주파수 부분 및 높은 주파수 부분을 포함한다. 높은 주파수 부분은 낮은 주파수 부분 상에 배치되고, 상기 낮은 주파수 부분에 전기적으로 연결되어, 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면(longitudinal surface) 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용함에 따라, 특별한 방위설정 절차들에 상관없이 용이하게 SMT 호환가능하다.
본 발명의 고려되는 특성인 새로운 특징들은 첨부된 청구항들에 설명된다. 하지만, 본 발명의 추가 목적들 및 장점들과 함께 그 구성 및 그 동작 방법에 관한 본 발명 그 자체는 다음의 설명으로부터 첨부한 도면들과 함께 연계하여 판독되고 이해되는 경우에 가장 잘 이해될 것이다.
도면들의 특징들은 다음과 같이 간명하게 설명된다:
도 1은 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도;
도 2는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략적 확대 사시도;
도 3a는 낮은 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도;
도 3b는 중간 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도;
도 3c는 높은 주파수에서 동작하는 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략도;
도 4는 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략적 사시도;
도 5는 도 4의 라인 5-5를 따른 개략적 단면도;
도 6은 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터와 등가인 회로; 및
도 7a 및 도 7d는 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법의 흐름도이다.
본 발명의 도면들에서 사용되는 참조 번호들 목록
종래 기술
10 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터
12 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)의 높은 값 캐패시터
14 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10)의 낮은 값 캐패시터
본 발명
20 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터
22 복수의 외부 표면들
24 낮은 주파수 부분
26 높은 주파수 부분
28 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된(unterminated) 다층 캐패시터
29 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 외부 표면들
30 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 전극 층들
32 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 유전 층들
34 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의
전극 층들(30)의 제 1 단부들
36 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의
외부 표면들(29)의 대향 단부들
38 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의
전극 층들(30)의 제 2 단부들
40 높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍
42 높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40) 사이의 주변 슬롯
46 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)의
복수의 외부 표면들(22)의 노출된 대향 단부들
48 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(solder dam coating)
50 도금
51 땜납의 연결(solderable connection)들
52 접착층
54 접착 층(52)의 대향 단부들
56 슬롯화된 몸체(slotted body)
동일한 번호들이 동일한 부분들을 나타내는 도면들, 특히 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 개략적 사시도인 도 4 및 도 4의 라인 5-5를 따른 개략적 단면도인 도 5를 각각 참조하여, 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)가 개괄적으로 도시된다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)는 통상적으로 20 ㎑ 이하에서부터 40 ㎓ 이상의 범위에서 동작하며, 거의 모든 초-광대역 디지털 신호 처리 어플리케이션들, 예를 들어 광학 시스템들 및 그와 연관된 테스트 장비, 밀접하게 관련된 DC 복귀(return) 및 바이어스 티(bias tee), FTTH(fiber to the home) 및 MMIC 개발, 예를 들어 증폭기들, 예를 들어 초-광대역 MMIC 증폭기들 및 관계된 기술을 이용하는 것들에서의 사용을 찾아냄으로써 양호한 블로킹(blocking) 및 디커플링 구성요소들에 대한 요구를 충족시킨다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)는 복수의 외부 표면들(22), 낮은 주파수 부분(24) 및 높은 주파수 부분(26)을 포함한다. 높은 주파수 부분(26)은 낮은 주파수 부분(24) 상에 배치되고, 상기 낮은 주파수 부분(24)에 전기적으로 연결되어, 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)가 상기 복수의 외부 표면들(22)의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용함에 따라, 특별한 방위설정 절차들에 상관없이 용이하게 SMT 호환가능하다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(12)는 낮은 주파수 부분(24)에 대해, 상술된 20 ㎑ 이하에서부터 40 ㎓ 이상의 범위에서 사용되는 것보다 더 큰 값을 이용함으로써 16 ㎑ 아래에서 동작할 수 있다.
낮은 주파수 부분(24)은 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10), 예를 들어 다층 캐패시터의 높은 값 캐패시터(12)와 기능적으로 등가인 한편, 높은 주파수 부분(26)은 종래 기술의 초-광대역 커플링 캐패시터(10), 예를 들어 단일-층 캐패시터의 낮은 값 캐패시터(14)와 기능적으로 등가임에 따라, 방위-비감응성 초-광 대역 커플링 캐패시터(20)는 단지 단일의 다층 세라믹 몸체에서 높은 값 캐패시터(12)와 낮은 값 캐패시터(14)의 기능을 모두 갖도록 허용한다.
낮은 주파수 부분(24)은 외부 표면들(29), 전극 층들(30) 및 유전 층들(32)을 갖는 비단자화된 다층 캐패시터(28)이며, 바람직하게는 10 ㎋ 이상이다. 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 유전 층들(32)은 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 전극 층들(30)과 교번(alternate)한다. 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 전극 층들(30)은 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 외부 표면들(29)의 대향 단부들(36)로부터 외부 전기 연통에 대해 개방되고, 그로부터의 외부 전기 연통에 대해 개방되지 않도록 그들이 연장되는 것과 반대로, 그 제 1 단부들(34)에서, 상기 대향 단부들(36)로부터, 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 외부 표면들(29)의 대향 단부(36)의 단락(short)을 교번하여 중지시키는 그 제 2 단부들(38)로 연장된다.
높은 주파수 부분(26)은 도전체들의 쌍(40)이다. 상기 높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40)은 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 외부 표면들(29)의 대향 단부들(36)을 각각 덮고, 그로부터, 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 외부 표면들(29)을 걸쳐, 단지 서로의 단락으로 연장되어, 그 사이에 주변 슬롯(42)을 형성하고 서로 분리된다. 주변 슬롯(42)은 바람직하게는 레이저 스크라이빙(laser scribing)에 의해 형성되나, 화학적 에칭, 기계적 연마, 또는 여하한의 유사한 절차에 의해 형성될 수 있다. 높은 주파수 부분(26)이 분리 층들을 갖는 추가 내부 전극들을 채택하지 않기 때문에, 즉 높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40)에 커플링된 단일 플로팅 전극(floating electrode)으로서 복잡한 서로 맞물린 내부 전극 어레이를 채택하지 않기 때문에, 낮은 삽입 및 복귀 손실들을 갖는다.
높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40)은 복수의 외부 표면들(22)을 형성하고, 그와 연계된 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)의 전극 층들의 제 1 단부들(34)과 전기적으로 연통함에 따라, 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)가 그 복수의 외부 표면들(22)의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용한다. 커플링된 전달 라인들의 세트가 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28) 내에 포함된 전극 층들(30)과 높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40) 사이의 복수의 외부 표면들(22) 상에 형성됨에 따라, 중심에 위치된 낮은 주파수 부분(24)을 통해 낮은 주파수 에너지가 통하게 하고, 주변에 위치된 높은 주파수 부분(26)을 통해 높은 주파수 에너지가 통하게 한다.
높은 주파수 부분(26)의 도전체들의 쌍(40)은 바람직하게는 티타늄-텅스텐(TiW) 이후에 공칭적으로(nominally) 3 미크론의 구리 및 골드(Au) 플래시를 포함한다.
주변 슬롯(42)은 바람직하게는 공칭적으로 1.5 mil의 폭을 가지며, 높은 주파수 부분(26)에 일정하게 유지되고, 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)를 파괴하지 않고 높은 주파수 부분(26)을 통해 완전히 연장되며, 상기 높은 주파수 부분(26) 주위로 완전히 연장되고, 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)의 복수의 외부 표면들(22)의 노출된 대향 단부들(46) 간의 실질적으로 중간에 배치됨에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)의 노출된 대향 단부들(46)을 서로 전기적으로 분리시켜, 캐패시턴스를 회복시킨다.
상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)는 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(48)을 더 포함한다. 상기 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(48)은 주변 슬롯(42)을 보호하기 위해 상기 주변 슬롯(42)을 정의하는 모든 표면들을 덮는다.
상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)는 도금(50)을 더 포함한다. 상기 도금(50)은 땜납의 연결들(51)에 대해 스톱-오프 배리어(stop-off barrier)로서 기능하는 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(48)까지 연장되는 땜납의 연결들(51)을 형성하도록 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)의 복수의 외부 표면들(22)의 노출된 대향 단부들(46)을 덮는다. 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)가 형성됨에 따라, 땜납의 연결들(51)에 걸친 저향이 100 MegOhm을 초과하도록 증가된다. 상기 도금(50)은 바람직하게는 주석 또는 땜납 또는 금이다. 도금(50)이 금인 경우, 땜납의 연결들(51)은 금/리본 결합될 수 있거나 에폭시 결합될 수 있다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)와 등가인 회로는 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터와 등가인 회로인 도 6에 가장 잘 나타나 있다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)를 제조하는 방법은 본 발명의 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법의 흐름도인 도 7a 내지 도 7d에 가장 잘 나타나 있으며, 이에 대해 설명하기로 한다.
방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)를 제조하는 방법은 다음과 같은 단계들을 포함한다:
단계 1: 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)를 확보(secure)하는 단계.
단계 2: 대향 단부들(54)을 갖는 접착층(52)을 형성하기 위해, 티타늄-텅스텐(TiW) 이후의 공칭적으로 3 미크론의 구리(Cu) 및 골드(Au) 플래시로 상기 낮은 주파수 부분(24)의 상기 비단자화된 다층 캐패시터(28)를 완전히 코팅하는 단계.
단계 3: 레이저 스크라이빙, 화학적 에칭, 기계적 연마 또는 유사한 절차를 이용하여, 낮은 주파수 부분(24)의 비단자화된 다층 캐패시터(28)를 파괴하지 않고 접착층(52)을 통해 완전히, 상기 접착층(52) 주위로 완전히, 상기 접착층(52)에 일정하게 유지되고, 상기 접착층(52)의 대향 단부들(54) 간의 실질적으로 중간에, 주변 슬롯(42)을 공칭적으로 1.5 mil의 폭을 생성함에 따라, 상기 접착층(52)의 대향 단부들(54)을 서로 전기적으로 분리시켜, 캐패시턴스를 회복시키고 슬롯화된 몸체(56)을 형성하는 단계.
단계 4: 상기 주변 슬롯(42)이 레이저 스크라이빙에 의해 생성된 경우, 상기 레이저 스크라이빙 이후에 상기 주변 슬롯(42) 안으로 재적층된 기화 금속의 잔재 필름을 제거하도록, 고도로 희석된 과산화수소에 상기 슬롯화된 몸체(56)를 연장적 으로(prolongingly) 담그는(soak) 단계.
단계 5: 상기 주변 슬롯(42)을 보호하기 위해, 상기 주변 슬롯(42)을 정의하는 모든 표면들에 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(48)을 적용하는 단계.
단계 6: 땜납의 연결들(51)에 대해 스톱-오프 배리어로서 기능하는 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(58)까지 땜납의 연결들(51)을 형성함에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터(20)를 형성하도록 순 주석 또는 땜납 또는 금으로 상기 접착층(52)의 대향 단부들(54)을 도금하는 단계로, 수행된다면 상기 담그는 단계의 결과로서, 상기 땜납의 연결들(51)에 걸친 저항이 100 MegOhm을 초과하도록 증가된다. 상기 도금(50)은 바람직하게는 주석 또는 땜납 또는 금이다.
비록, 주어진 실시예가 높은 주파수 캐패시터 내의 낮은 주파수 캐패시터에 대한 것이지만, 일반적으로 일 실시예가 갭 있는 저-손실 도전체 쌍 내의 기능적 RF 구성요소를 에워싸는 부피적으로 유효한 수단을 포함한다는 점에서 이는 그 조합으로 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 할 것이다. 저-손실 도전체들의 쌍의 각각은 4 개의 측면들 상의 RF 구성요소를 둘러싸고, 나머지 2 개의 측면들 상의 RF 구성요소와 함께 단자화된다. 상기 도전체 쌍 사이에 형성된 갭은 둘러싸인 RF 구성요소와 병렬 배치된 저-손실 캐패시터를 생성한다. 상기 둘러싸인 RF 구성요소는 제한하는 것은 아니지만, 다층 캐패시터, 인덕터, 저항기, 다른 공진 회로, 필터, 전달 라인, 또는 복수의 전달 라인을 포함할 수 있다. 결과적인 전체 디바이스 는 제한하는 것은 아니지만, 2 개의 캐패시터들, 인덕터 및 캐패시터의 부피적으로 유효한 고-성능 병렬 조합들을 포함하여, 병렬-공진 네트워크, 저항기, 다른 공진 회로 및 캐패시터 또는 소위 R-C 네트워크, 필터 및 캐패시터를 생성함에 따라 추가 극(pole) 또는 커플링을 갖는 필터, 전달 라인 및 캐패시터, 또는 복수의 전달 라인들 및 캐패시터를 생성한다.
상술된 요소들 각각 또는 2 이상의 요소들이 상술된 형태들과 상이한 구성들의 다른 형태들에서도 유용한 적용을 찾을 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명은 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터 및 그 제조 방법으로 구현된 바와 같이 예시되고 설명되었지만, 당업자라면, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않고 해당 기술 분야에 알려진 지식에 따라 상기 디바이스의 형태들 및 세부사항들의 다양한 생략들, 수정들, 대체들 및 변형들, 채택된 물질들, 이용되고 예시된 방법들 및 그 작동원리가 행해질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이므로, 이는 도시된 세부내용들로 제한되지 않는다.
또 다른 분석 없이, 상기의 설명은 본 발명의 요점만을 나타낸 것이며, 다른 것들은 종래 기술의 관점으로부터 본 발명의 일반적인 또는 특정한 실시형태들의 특성을 본질적으로 구성하는 특징들을 생략하지 않고, 다양한 실시예들에 대해 본 지식을 적용함으로써 본 발명을 용이하게 적합화할 수 있다.

Claims (66)

  1. 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터에 있어서,
    a) 복수의 외부 표면들;
    b) 낮은 주파수 부분; 및
    c) 높은 주파수 부분을 포함하고,
    상기 높은 주파수 부분은 상기 낮은 주파수 부분에 배치되고, 상기 낮은 주파수 부분에 전기적으로 연결되어, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 20 ㎑ 이하에서부터 40 ㎓ 이상의 범위에서 동작하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 낮은 주파수 부분은 높은 값 캐패시터와 기능적으로 등가이고, 상기 높은 주파수 부분은 낮은 값 캐패시터와 기능적으로 등가임에 따라, 상기 방위-비감 응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 단지 단일의 다층 세라믹 몸체에서 상기 높은 값 캐패시터와 상기 낮은 값 캐패시터의 기능들을 모두 갖도록 허용하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 낮은 주파수 부분은 다층 캐패시터와 기능적으로 등가이고, 상기 높은 주파수 부분은 단층 캐패시터와 기능적으로 등가임에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 단지 단일의 다층 세라믹 몸체에서 상기 다층 캐패시터와 상기 단층 캐패시터의 기능들을 모두 갖도록 허용하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 낮은 주파수 부분은 비단자화된(unterminated) 다층 캐패시터이고;
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터는 외부 표면들을 가지며;
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터는 전극 층들을 갖고;
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터는 유전 층들을 가지며;
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 유전 층들 은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들과 교번하고;
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 대향 단부들로부터 외부 전기 연통에 대해 개방되고, 그로부터의 외부 전기 연통에 대해 개방되지 않도록 그들이 연장되는 것에 대향하여, 그 제 1 단부들에서, 상기 대향 단부들로부터, 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 상기 대향 단부의 단락(short)을 교번하여 중지시키는 그 제 2 단부들로 연장되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터는 10 ㎋ 이상인 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분은 도전체들의 쌍이고;
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 대향 단부들을 각각 덮으며;
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 상기 단부로부터, 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들을 걸쳐, 단지 서로의 단락으로 연장되어, 그 사이에 주변 슬롯을 형성하고 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분은 분리 유전 층들을 갖는 추가 내부 전극들을 채택하지 않음에 따라, 낮은 삽입 및 복귀 손실들을 갖는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들을 형성하고;
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 그와 연계된 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들의 상기 제 1 단부들과 전기적으로 연통함에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  10. 제 7 항에 있어서,
    커플링된 전달 라인들의 세트가 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터 내에 포함된 상기 전극 층들과 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍 사이의 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들 상에 형성됨에 따라, 중심에 위치된 상기 낮은 주파수 부분을 통해 낮은 주파수 에너지가 통하도록 허용하고, 주변에 위치된 상기 높은 주파수 부분을 통해 높은 주파수 에너지가 통하도록 허용하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 티타늄-텅스텐으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 구리로 이루어지고;
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리는 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 티타늄-텅스텐 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리는 공칭적으 로(nominally) 3 미크론인 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍은 골드 플래시(gold flash)로 이루어지고;
    상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 골드 플래시는 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯은 상기 높은 주파수 부분에 일정하게 유지되고;
    상기 주변 슬롯은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 파괴하지 않고 상기 높은 주파수 부분을 통해 완전히 연장되며;
    상기 주변 슬롯은 상기 높은 주파수 부분 주위로 완전히 연장되며;
    상기 주변 슬롯은 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 노출된 대향 단부들을 서로 전기적으로 분리시켜, 그에 대한 캐패시턴스를 회복시키는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯은 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 노출된 대향 단부들 간의 실질적으로 중간에 배치되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  17. 제 7 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯은 공칭적으로 1.5 mil의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  18. 제 15 항에 있어서,
    신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(quick curing protective UV-curable solder dam coating)을 더 포함하고,
    상기 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅은 상기 주변 슬롯을 보호하기 위해 상기 주변 슬롯을 정의하는 모든 표면들을 덮는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  19. 제 18 항에 있어서,
    도금을 더 포함하고,
    상기 도금은 땜납의 연결(solderable connection)들을 형성하도록 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들의 상기 노출된 대향 단부들을 덮으며;
    상기 땜납의 연결들은 상기 땜납의 연결들에 대해 스톱-오프 배리어(stop-off barrier)로서 가능하는 상기 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅(solder dam coating)까지 연장되는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 상기 땜납의 연결들에 걸쳐 100 MegOhm의 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 도금은 순(pure) 주석, 땜납 및 금 중 하나인 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  22. 복수의 외부 표면들, 낮은 주파수 부분 및 높은 주파수 부분을 갖는 형태의 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터에 있어서,
    상기 개선은:
    상기 높은 주파수 부분이 상기 낮은 주파수 부분에 배치되고, 상기 낮은 주파수 부분에 전기적으로 연결되어, 상기 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되 는 경우에 동일하게 작동하도록 허용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 20 ㎑ 이하에서부터 40 ㎓ 이상의 범위에서 동작하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분이 높은 값 캐패시터와 기능적으로 등가이고, 상기 높은 주파수 부분이 낮은 값 캐패시터와 기능적으로 등가임에 따라, 상기 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 단지 단일의 다층 세라믹 몸체에서 상기 높은 값 캐패시터와 상기 낮은 값 캐패시터의 기능들을 모두 갖도록 허용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분이 다층 캐패시터와 기능적으로 등가이고, 상기 높은 주파수 부분이 단층 캐패시터와 기능적으로 등가임에 따라, 상기 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 단지 단일의 다층 세라믹 몸체에 서 상기 다층 캐패시터와 상기 단층 캐패시터의 기능들을 모두 갖도록 허용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분이 비단자화된 다층 캐패시터임을 포함하고;
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터가 외부 표면들을 갖는 것을 포함하며;
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터가 전극 층들을 갖는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터가 유전 층들을 갖는 것을 포함하며;
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 유전 층들이 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들과 교번하는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들이 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 대향 단부들로부터 외부 전기 연통에 대해 개방되고, 그로부터의 외부 전기 연통에 대해 개방되지 않도록 그들이 연장되는 것에 대향하여, 그 제 1 단 부들에서, 상기 대향 단부들로부터, 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 상기 대향 단부의 단락을 교번하여 중지시키는 그 제 2 단부들로 연장되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터가 10 ㎋ 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분이 도전체들의 쌍인 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 대향 단부들을 각각 덮는 것을 포함하며;
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들의 상기 단부로부터, 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 외부 표면들을 걸쳐, 단지 서로의 단락으로 연장되어, 그 사이에 주변 슬롯을 형성하고 서로 분리되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐 패시터.
  29. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분이 분리 유전 층들을 갖는 추가 내부 전극들을 채택하지 않음에 따라, 낮은 삽입 및 복귀 손실들을 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들을 형성하는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 그와 연계된 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터의 상기 전극 층들의 상기 제 1 단부들과 전기적으로 연통함에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 복수의 외부 표면들의 여하한의 외부 세로방향 표면 상에 장착되는 경우에 동일하게 작동하도록 허용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 커플링된 전달 라인들의 세트가 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터 내에 포함된 상기 전극 층들과 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍 사이의 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들 상에 형성됨에 따라, 중심에 위치된 상기 낮은 주파수 부분을 통해 낮은 주파수 에너지가 통하도록 허용하고, 주변에 위치된 상기 높은 주파수 부분을 통해 높은 주파수 에너지가 통하도록 허용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 티타늄-텅스텐으로 이루어진 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 구리로 이루어지는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리가 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 티타늄-텅스텐 상에 배치되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리가 공칭적으로 3 미크론인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  35. 제 33 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍이 골드 플래시로 이루어지는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 골드 플래시가 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍의 상기 구리 상에 배치되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 상기 높은 주파수 부분에 일정하게 유지되는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 파괴하지 않고 상기 높은 주파수 부분을 통해 완전히 연장되는 것을 포함하며;
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 상기 높은 주파수 부분 주위로 완전히 연장되 는 것을 포함하고;
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 노출된 대향 단부들을 서로 전기적으로 분리시켜, 그에 대한 캐패시턴스를 회복시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 노출된 대향 단부들 간의 실질적으로 중간에 배치되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  38. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 주변 슬롯이 공칭적으로 1.5 mil의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  39. 제 36 항에 있어서,
    상기 개선은 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅을 포함하고,
    상개 개선은 상기 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅이 상기 주변 슬롯을 보호하기 위해 상기 주변 슬롯을 정의하는 모든 표면들을 덮는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 개선은 도금을 포함하고,
    상기 개선은 상기 도금이 땜납의 연결들을 형성하도록 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 상기 복수의 외부 표면들의 상기 노출된 대향 단부들을 덮는 것을 포함하며;
    상기 개선은 상기 땜납의 연결들이 상기 땜납의 연결들에 대해 스톱-오프 배리어로서 가능하는 상기 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅까지 연장되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 상기 땜납의 연결들에 걸쳐 100 MegOhm의 저항을 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  42. 제 40 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 도금이 순(pure) 주석, 땜납 및 금 중 하나인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  43. 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서,
    a) 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터의 낮은 주파수 부분의 비단자화된 다층 캐패시터를 확보(secure)하는 단계;
    b) 대향 단부들을 갖는 접착층으로 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 완전히 코팅하는 단계;
    c) 상기 접착층 주위에 주변 슬롯을 생성하는 단계, 및 상기 접착층의 상기 대향 단부들을 서로 전기적으로 분리시킴에 따라 캐패시턴스를 회복시키고 슬롯화된 몸체를 형성하는 단계;
    d) 상기 주변 슬롯을 보호하기 위해, 상기 주변 슬롯을 정의하는 모든 표면들에 땜납 댐 코팅을 적용하는 단계; 및
    e) 상기 접착층의 상기 대향 단부들을 도금하는 단계, 및 땜납의 연결들을 형성함에 따라, 상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  44. 제 43 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯이 레이저 스크라이빙(laser scribing)에 의해 생성된 경우, 상기 레이저 스크라이빙 이후에 상기 주변 슬롯 안으로 재적층된(redeposited) 기화 금속의 잔재 필름(residue film)을 제거하도록, 상기 슬롯화된 몸체를 담그는(soak) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  45. 제 43 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯이 레이저 스크라이빙에 의해 생성된 경우, 상기 레이저 스크라이빙 이후에 상기 주변 슬롯 안으로 재적층된 기화 금속의 잔재 필름을 제거하도록, 상기 슬롯화된 몸체를 연장적으로(prolongingly) 담그는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  46. 제 43 항에 있어서,
    상기 주변 슬롯이 레이저 스크라이빙에 의해 생성된 경우, 상기 레이저 스크라이빙 이후에 상기 주변 슬롯 안으로 재적층된 기화 금속의 잔재 필름을 제거하도록, 고도로 희석된 과산화수소에 상기 슬롯화된 몸체를 담그는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  47. 제 43 항에 있어서,
    상기 코팅하는 단계는 티타늄-텅스텐으로 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 완전히 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  48. 제 43 항에 있어서,
    상기 코팅하는 단계는 티타늄-텅스텐 이후에 구리로 상기 낮은 주파수 부분 의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 완전히 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  49. 제 43 항에 있어서,
    상기 코팅하는 단계는 티타늄-텅스텐 이후에 공칭적으로 3 미크론의 구리로 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 완전히 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  50. 제 43 항에 있어서,
    상기 코팅하는 단계는 티타늄-텅스텐 이후에 구리 및 골드 플래시로 상기 낮은 주파수 부분의 상기 비단자화된 다층 캐패시터를 완전히 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  51. 제 43 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 주변 슬롯을 레이저 스크라이빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  52. 제 43 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 공칭적으로 1.5 mil 폭의 주변 슬롯을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  53. 제 43 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 상기 접착층에서 일정하게 유지되고, 상기 접착층을 통해 완전히 유지되며, 상기 접착층 주위에서 완전히 유지되는 주변 슬롯을 생성하는 단계를 포함하는 것을 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  54. 제 43 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 상기 접착층의 상기 대향 단부들 간의 실질적으로 중간에 주변 슬롯을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  55. 제 43 항에 있어서,
    상기 적용하는 단계는 상기 주변 슬롯을 보호하기 위해 상기 주변 슬롯을 정의하는 모든 표면들에 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅을 적용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  56. 제 43 항에 있어서,
    상기 도금하는 단계는 땜납의 연결들을 형성하도록 순 주석, 땜납 및 금 중 하나로 상기 접착층의 상기 대향 단부들을 도금하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  57. 제 43 항에 있어서,
    상기 도금하는 단계는 땜납의 연결들에 대해 스톱-오프 배리어로서 기능하는 상기 신속한 경화 보호성 UV-경화성 땜납 댐 코팅까지 상기 땜납의 연결들을 형성하도록, 상기 접착층의 상기 대향 단부들을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  58. 제 1 항에 있어서,
    상기 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터는 16 ㎑ 이하에서 동작하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  59. 제 22 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터가 16 ㎑ 이하에서 동작하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  60. 제 7 항에 있어서,
    상기 높은 주파수 부분은 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍에 커플링된 단일 플로팅 전극(floating electrode)으로서 복잡한 서로 맞물린(interdigital) 내부 전극 어레이를 채택하지 않음에 따라, 낮은 삽입 및 복귀 손실들을 갖는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  61. 제 28 항에 있어서,
    상기 개선은 상기 높은 주파수 부분이 상기 높은 주파수 부분의 상기 도전체들의 쌍에 커플링된 단일 플로팅 전극으로서 복잡한 서로 맞물린 내부 전극 어레이를 채택하지 않음에 따라, 낮은 삽입 및 복귀 손실들을 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터.
  62. 제 43 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 상기 접착층 주위의 주변 슬롯을 레이저 스크라이빙하거나, 화학적 에칭하거나, 기계적 연마하는 단계 중 하나를 포함함에 따라, 상기 접착층의 상기 대향 단부들을 전기적으로 분리시켜 캐패시턴스를 회복시키고 슬롯화된 몸체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방위-비감응성 초-광대역 커플링 캐패시터를 제조하는 방법.
  63. 전자 구성요소에 있어서,
    a) RF 구성요소; 및
    b) 저-손실 도전체들의 쌍을 포함하고,
    상기 저-손실 도전체들의 쌍의 각각은 4 개의 측면 상에서 상기 RF 구성요소를 둘러싸고, 나머지 2 개의 측면들 상에서 상기 RF 구성요소와 함께 단자화(co-terminal)되는 것을 특징으로 하는 전자 구성요소.
  64. 제 63 항에 있어서,
    상기 저-손실 도전체들의 쌍 사이에 형성된 갭은 저-손실 캐패시터를 생성하고;
    상기 저-손실 캐패시터는 그것이 둘러싸는 상기 RF 구성요소와 병렬 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 구성요소.
  65. 제 63 항에 있어서,
    상기 RF 구성요소는 다층 캐패시터, 인덕터, 저항기, 필터, 전달 라인 및 복수의 전달 라인들 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자 구성요소.
  66. 제 63 항에 있어서,
    상기 RF 구성요소 및 상기 저-손실 도전체들의 쌍은 2 개의 캐패시터들, 인덕터 및 캐패시터 중 하나의 부피적으로 유효한 고-성능 병렬 조합들을 유도하여, 병렬-공진 네트워크(parallel-resonant network), 저항기 및 캐패시터, R-C 네트워크, 필터 및 캐패시터를 생성함에 따라, 추가 극(pole) 또는 커플링을 갖는 필터, 전달 라인 및 캐패시터, 및 복수의 전달 라인들 및 캐패시터를 생성하는 것을 특징으로 하는 전자 구성요소.
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