KR20070081038A - 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리 - Google Patents

플라즈마 장치의 정전척 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR20070081038A
KR20070081038A KR1020060012747A KR20060012747A KR20070081038A KR 20070081038 A KR20070081038 A KR 20070081038A KR 1020060012747 A KR1020060012747 A KR 1020060012747A KR 20060012747 A KR20060012747 A KR 20060012747A KR 20070081038 A KR20070081038 A KR 20070081038A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode
electrostatic chuck
focus ring
plasma
graphite sheet
Prior art date
Application number
KR1020060012747A
Other languages
English (en)
Inventor
서기원
배도인
강영호
이혁재
김상호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060012747A priority Critical patent/KR20070081038A/ko
Publication of KR20070081038A publication Critical patent/KR20070081038A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리에 관한 것으로, 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리에 있어서, 상기 정전척 어셈블리는 포커스링과 캐소드와의 접촉부분에 비교적 우수한 전기전도성과 내열성을 갖는 시트가 개재되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 포커스링과 캐소드가 서로 맞닿는 부분에 열전도성이 우수하고 내열성이 강한 흑연시트가 있어서 플라즈마의 온도 상승으로 인한 내구성 약화 및 결함 발생이 억제된다.
반도체, 플라즈마, 정전척, 캐소드, 포커스링

Description

플라즈마 장치의 정전척 어셈블리{ELECTROSTATIC CHUCK OF PLASMA APPARTUS}
도 1은 종래 기술에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리를 도시한 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100; 정전척 어셈블리 120; 정전척
140; 캐소드 160; 포커스링
180; 상부 커버링 200; 하부 커버링
300; 흑연 시트
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치의 정전척 어셈블리에 관한 것이다.
플라즈마를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 옥사이드나 폴리실리콘을 선택적으로 식각하는 드라이 에처(DRY ETCHER)와 같은 플라즈마 장치에는 정전기를 이용하 여 웨이퍼를 고정지지하는 정전척을 가지는 것이 일반적이다. 도 1에 나타내듯이, 웨이퍼(W)는 정전척(12)에 의해 지지된다. 웨이퍼(W)의 가장자리에는 플라즈마를 이용한 공정처리시 공정 균일도(uniformity)를 향상시켜주는 역할을 하는 포커스링(16)이 구비되고, 포거스링(16)은 상부 커버링(18)과 하부 커버링(20)에 의해 둘러싸인다. 정전척(120) 하부는 플라즈마 형성시 필요한 전극인 캐소드(140)로 구성된다.
고집적 기술에 따라 신규 반도체 소자를 제조하기 위해서 플라즈마 장치는 더욱 강한 전기적 파워를 요구한다. 그에 따라, 플라즈마 장치를 구성하는 부품들의 열화현상 및 부산물을 억제하여햐 하는 것이 종래이다. 특히, 포커스링(16)와 캐소드(14)가 맞닿는 부분에서는 강한 전기적 파워로 인하여 열이 발생한다. 열의 발생으로 인해 공정 결함이 발생하고 설비의 잔고장이 유발되어 생산성을 약화시키는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로,본 발명의 목적은 강한 전기적 파워에 내성이 있는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리는 포커스링과 캐소드와의 접촉부분에 열전도성이 우수하고 내열성이 강한 흑연 시트(graphite sheet)를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리는, 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리에 있어서, 상기 정전척 어셈블리는 포커스링과 캐소드와의 접촉부분에 비교적 우수한 전기전도성과 내열성을 갖는 시트가 개재되는 것을 특징으로 한다.
본 실시예의 어셈블리에 있어서, 상기 시트는 흑연 시트이다. 상기 흑연 시트는 탄성중합체 접착제를 이용하여 상기 포커스링이나 상기 캐소드에 부착된다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리는, 웨이퍼를 정전기력으로 고정시키는 정전척과; 상기 정전척의 하부를 이루며 플라즈마 발생에 필요한 전기적 파워를 인가받는 캐소드와; 상기 웨이퍼의 둘레를 둘러싸도록 상기 캐소드에 배치된 포커스링과; 상기 포커스링을 둘러싸는 커버링과; 상기 캐소드와 상기 포커스링 사이에 개재된 흑연 시트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 변경 실시예의 어셈블리에 있어서, 상기 흑연 시트는 탄성중합체 접착제에 의해 상기 포커스링이나 상기 캐소드에 접착된다. 상기 커버링은 상기 포커스링의 일부와 맞닿으며 상기 포커스링의 둘레를 둘러싸는 상부 커버링과, 상기 상부 커버링의 하부를 이루며 상기 캐소드의 둘레를 둘러싸는 하부 커버링을 포함한다.
본 발명에 의하면, 포커스링과 캐소드가 서로 맞닿는 부분에 열전도성이 우수하고 내열성이 강한 흑연시트가 있어서 플라즈마의 온도 상승으로 인한 내구성 약화 및 결함 발생이 억제된다.
이하, 본 발명에 따른 플라즈마 장치의 정전척을 첨부한 도면을 참조하여 상 세히 설명한다. 본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
(실시예)
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리를 도시한 단면도이다.
도 2에 나타내듯이, 본 발명 실시예의 정전척 어셈블리(100)는 웨이퍼(W)를 지지하는 정전척(120)을 구비한다. 정전척(120)의 하부는 캐소드(140)를 구성한다. 캐소드(140)는 플라즈마 형성에 필요한 파워가 인가된다. 도면에는 자세히 도시되지 아니하였지만, 플라즈마 형성에 필요한 파워가 인가되는 애노드가 구비되어 있어 애노드와 캐소드(140) 사이에서 플라즈마가 생성된다.
플라즈마를 이용한 공정처리시 공정 균일도(uniformity)를 향상시켜주는 역할을 하는 포커스링(160)이 웨이퍼(W)의 둘레를 둘러싸도록 캐소드(140) 상에 설치된다. 포커스링(160)은 웨이퍼(W)를 가로지르는 불균일한 플라즈마 분포에 의해 발생되는 플라즈마 처리(예; 플라즈마 건식 에칭)의 불균일도를 감소시킨다. 캐소드(140) 및 포커스링(160)은 상부 커버링(180)과 하부 커버링(200)에 의해 둘러싸인다. 포커스링(160)은 통상 실리콘으로 구성된다.
종래에 비해 더욱 강한 전기적 파워가 요구되어지는게 현재 기술의 추세이다. 더욱 높은 전기적 파워가 요구됨에 따라 플라즈마에 직접적으로 노출되는 포커스링(160)을 비롯한 여러 부품들로 구성된 정전척 어셈블리(100)는 강한 내열성과 열적조절(thermal control)이 가능해야 한다.
플라즈마 온도는 매우 높으나, 공정 특성상 정전척 어셈블리(100)를 구성하는 정전척(120), 캐소드(140), 포커스링(160) 등을 비롯한 부품들은 플라즈마 온도보다 낮은 온도를 유지하여야 하는 것이 일반적이다. 주지된 바와 같이, 캐소드(140)와 정전척(120)은 칠러(chiller)를 사용하여 냉각하고 온도조절을 하는 기능을 가지고 있어 정전척 어셈블리(100)의 열적조절을 가능케 하고 있다.
정전척 어셈블리(100)의 열적조절을 위해 포커스링(160)과 캐소드(140)가 맞닿는 부분에는 열전도성과 내열성이 비교적 우수한 흑연 시트(300)가 배치된다. 흑연 시트(300)가 캐소드(140)와 포커스링(160) 사이에 개재되어 있어 기존에 비해 강한 전기적 파워가 캐소드(140)에 인가되어 플라즈마 온도가 급상승하더라도 포커스링(160)이 느끼는 높은 온도는 흑연 시트(300)를 통해 캐소드(140)로 전달된다. 또한, 흑연 시트(300)는 내열성이 비교적 강하므로 플라즈마의 높은 열로 인한 파괴가 잘 일어나지 않는다. 이에 따라, 고주파 아킹(RF arching)이나 파티클 발생 등이 일어나지 않게 된다. 흑연 시트(300)는 탄성중합체 접착제(elastomer bond)를 이용하여 포커스링(160)이나 캐소드(140)에 접착될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 포커스링과 캐소드가 서로 맞닿는 부분에 열전도성이 우수하고 내열성이 강한 흑연시트가 있어서 플라즈마의 온도 상승으로 인한 내구성 약화 및 결함 발생이 억제된다. 따라서, 공정결함을 없앨 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리에 있어서,
    상기 정전척 어셈블리는 포커스링과 캐소드와의 접촉부분에 비교적 우수한 전기전도성과 내열성을 갖는 시트가 개재되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 시트는 흑연 시트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 흑연 시트는 탄성중합체 접착제를 이용하여 상기 포커스링이나 상기 캐소드에 부착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
  4. 웨이퍼를 정전기력으로 고정시키는 정전척과;
    상기 정전척의 하부를 이루며 플라즈마 발생에 필요한 전기적 파워를 인가받는 캐소드와;
    상기 웨이퍼의 둘레를 둘러싸도록 상기 캐소드에 배치된 포커스링과;
    상기 포커스링을 둘러싸는 커버링과;
    상기 캐소드와 상기 포커스링 사이에 개재된 흑연 시트;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 흑연 시트는 탄성중합체 접착제에 의해 상기 포커스링이나 상기 캐소드에 접착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 커버링은,
    상기 포커스링의 일부와 맞닿으며 상기 포커스링의 둘레를 둘러싸는 상부 커버링과;
    상기 상부 커버링의 하부를 이루며 상기 캐소드의 둘레를 둘러싸는 하부 커버링;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리.
KR1020060012747A 2006-02-09 2006-02-09 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리 KR20070081038A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060012747A KR20070081038A (ko) 2006-02-09 2006-02-09 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060012747A KR20070081038A (ko) 2006-02-09 2006-02-09 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070081038A true KR20070081038A (ko) 2007-08-14

Family

ID=38601244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060012747A KR20070081038A (ko) 2006-02-09 2006-02-09 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070081038A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101989543B (zh) * 2009-08-07 2012-09-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于减少基片背面聚合物的装置
KR20170025472A (ko) * 2015-08-28 2017-03-08 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180074013A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101989543B (zh) * 2009-08-07 2012-09-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于减少基片背面聚合物的装置
KR20170025472A (ko) * 2015-08-28 2017-03-08 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180074013A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11743973B2 (en) Placing table and plasma processing apparatus
CN111226309B (zh) 静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环
JP7200101B2 (ja) 静電気的にクランプされたエッジリング
TWI403617B (zh) 在一基板上用於溫度之空間及時間控制之裝置
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JPH0730468B2 (ja) ドライエッチング装置
JP2019500751A (ja) 静電チャック機構および半導体処理装置
JP5917946B2 (ja) 基板載置台及びプラズマエッチング装置
US10497597B2 (en) Electrostatic chuck assembly and substrate processing apparatus including the same
TWI798249B (zh) 用於電漿處理設備之冷卻聚焦環及其相關基座總成與設備
KR20070081038A (ko) 플라즈마 장치의 정전척 어셈블리
JP2021141277A (ja) 載置台及びプラズマ処理装置
JP4386753B2 (ja) ウェハーステージ及びプラズマ処理装置
JP3393118B2 (ja) プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法
KR102442285B1 (ko) 플라즈마 에칭 시스템
KR20210008725A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR100734779B1 (ko) 반도체 제조장치의 포커스링
KR101976538B1 (ko) 온도 가변형 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2013254901A (ja) シール材およびエッチング装置
JP2021163831A (ja) 保持装置、及びプラズマ処理装置
US6837937B2 (en) Plasma processing apparatus
KR100787384B1 (ko) 정전척
KR20050028586A (ko) 반도체 제조 설비의 건식식각장치
KR20050117054A (ko) 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한건식 식각 장치
KR20050120862A (ko) 기판 식각 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination