KR20070080173A - 노광 시스템 및 노광 방법 - Google Patents

노광 시스템 및 노광 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070080173A
KR20070080173A KR1020060011350A KR20060011350A KR20070080173A KR 20070080173 A KR20070080173 A KR 20070080173A KR 1020060011350 A KR1020060011350 A KR 1020060011350A KR 20060011350 A KR20060011350 A KR 20060011350A KR 20070080173 A KR20070080173 A KR 20070080173A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
unit
exposure
inspection
light
Prior art date
Application number
KR1020060011350A
Other languages
English (en)
Inventor
이윤근
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060011350A priority Critical patent/KR20070080173A/ko
Publication of KR20070080173A publication Critical patent/KR20070080173A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 레티클(reticle)을 레티클 스테이지(reticle stage)로 이동하는 과정에서 레티클의 헤이즈 오염 등을 사전에 확인할 수 있는 노광 시스템 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명의 노광 시스템은 레티클(Reticle)을 통해서 기판 상에 패턴을 주사하여 노광하는 노광부, 다수의 레티클들이 보관되어 있는 레티클 케이스, 상기 레티클 케이스로부터 레티클을 인출하여 상기 노광부로 제공하는 반송아암을 갖는 로더(loader)부 및 레티클이 상기 노광부로 로딩되기 전에 레티클의 헤이즈 및 광투과율 검사가 이루어지는 검사부를 포함한다.
상술한 장치에 의하면, 레티클 스테이지로 로딩되기 전에 레티클 표면의 헤이즈 및 광투과율을 실시간으로 측정하여 불량 레티클을 자동 색출함으로써, 노광 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.
레티클, 노광, 헤이즈, 광투과율

Description

노광 시스템 및 노광 방법{EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE SYSTEM}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템을 개략적으로 보여주는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템의 검사부를 개략적으로 보여주는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템에서의 노광 방법에 대한 플로우 챠트이다.
도 4는 본 발명에서 검사부의 변형예를 보여주는 구성도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
110 : 노광부 120 : 로더부
130 : 검사부 132 : 검사 테이블
134 : 광원발생부 136 : 측정부
138 : 연산부
본 발명은 노광 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 레티클(reticle) 을 레티클 스테이지(reticle stage)로 이동하는 과정에서 레티클의 헤이즈 오염 등을 사전에 확인할 수 있는 노광 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중 포토 공정은 웨이퍼 상에 실제로 필요한 회로를 포토 레지스트(photo resist)를 이용하여 설계하고자 하는 회로 패턴이 그려진 레티클( 또는 포토 마스크, photo mask)에 빛을 조사하여 웨이퍼 상에 도포된 포토 레지스트를 감광시킴으로써 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 형성할 수 있게 된다. 그리고, 이러한 포토 공정에서 사용되는 노광 시스템은 레티클의 패턴을 광학 렌즈를 이용하여 웨이퍼 상에 축소 투영하여 전사하는 장비이다. 노광 시스템에서 광원의 빛이 레티클을 통과할 때 레티클에 새겨져 있는 패턴이 플레이트에 맺힘으로써 레티클과 동일한 패턴이 형성된다. 이 때, 하나의 플레이트에는 여러 개의 레티클에서의 미세한 패턴들이 선택적으로 노광됨으로써 필요한 전체 회로의 패턴이 형성된다.
여기서, 광원의 빛은 레티클 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기중의 미세 오염 물질의 광반응을 유발시키며, 광반응에 의해 레티클의 표면에 헤이즈 오염(haze contamination)이 발생된다. 헤이즈 오염의 예로는 레티클 표면에 형성되는 표면 분자상 오염(Surface Molecular Contamination; SMC), 암모늄 설페이트(ammonium sulfate)가 있다. 이와 같은 레티클의 헤이즈 오염은 레티클의 투과율을 저하시키고, 포토레지스트 패턴의 임계 치수(Critical Dimension; CD) 불량, 패턴 브리지 현상 등과 같은 공정 불량을 유발시킨다.
현재는 이러한 불량을 방지하기 위해 정기적으로 레티클 검사(헤이즈 오염 및 투과율 측정)를 별도의 검사 장비에서 실시하고 있으나, 현재의 방식으로는 모든 불량 및 생산 로스(loss)를 막을 수 없는 단점이 있다. 또한, 레티클의 검사 주기를 선정하는 것에도 많은 애로 사항이 있어 헤이즈 불량으로 인한 사고가 발생되고 있다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 실시간으로 레티클의 헤이즈 불량을 검사함으로써, 공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 새로운 형태의 노광 시스템 및 그 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위한 본 발명의 노광 시스템은 레티클(Reticle)을 통해서 기판 상에 패턴을 주사하여 노광하는 노광부; 다수의 레티클들이 보관되어 있는 레티클 케이스; 상기 레티클 케이스로부터 레티클을 인출하여 상기 노광부로 제공하는 반송아암을 갖는 로더(loader)부; 및 레티클이 상기 노광부로 로딩되기 전에 레티클의 헤이즈 및 광투과율 검사가 이루어지는 검사부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 검사부는 레티클이 안착되는 검사 테이블; 상기 검사 테이블 상부에 설치되며, 상기 검사 테이블에 놓여진 레티클에 광을 조사하는 광원발생부; 상기 검사 테이블의 하부에 설치되며, 레티클에 투과된 광을 측정하여 측정신호를 출력하는 측정부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 검사부는 상기 측정부의 측정신호를 입력 받아서 광투과율을 계산하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율과 비교하여 불량 여부를 판별하는 연산부를 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위한 본 발명의 노광 방법은 레티클 케이스에 적재된 레티클을 인출하는 단계; 인출된 레티클을 검사부로 로딩하는 단계; 상기 검사부에서 레티클의 헤이즈 및 광투과율을 검사하여 불량 유무를 판단하는 단계; 및 불량으로 판단된 레티클은 상기 레티클 케이스에 적재하고, 정상으로 판단된 레티클은 노광부로 로딩하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 불량유무 판단 단계는 레티클에 광을 조사하는 단계; 레티클에 투과된 광을 측정하는 단계; 및 측정된 값으로 광투과율을 계산하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율을 비교하여 불량 여부를 판단하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명은 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 공정중에서 가장 기본적인 공정중의 하나인 포토리소그래피 공정 중에서, 기판 상에 실제로 필요한 회로를 포토 레지스트(photo resist)를 이용하여 설계하고자 하는 회로 패턴이 그려진 레티클( 또 는 포토 마스크, photo mask)에 빛을 조사하여 기판 상에 도포된 포토 레지스트를 감광시킴으로써 원하는 패턴을 형성시키는 노광 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 노광 시스템은 레티클을 레티클 스테이지에 로딩하기 직전에 레티클의 헤이즈 불량 등을 실시간으로 검출할 수 있는 검사부를 갖는데 그 특징이 있다.
이와 같이 노광 공정을 수행하기 위한 노광 시스템을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템의 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 노광 시스템(100)은 소정 회로패턴이 구현된 레티클(10)을 통해서 포토레지스트가 코팅된 기판 상에 광을 주사함으로써 포토레지스트를 노광시키는 통상의 노광부(110), 노광부(110) 근방에 배치되어 노광부(110)로 레티클(10)을 공급하는 레티클 로더부(120) 그리고 노광부(110)로 제공되는 레티클(10)을 검사하는 검사부(130)를 포함한다.
노광부(110)는 레티클(10)을 조명하는 조명 유닛(112), 미세패턴이 형성된 레티클(10)이 위치하는 레티클 스테이지(Reticle Stage;114), 레티클(10)을 통과한 광을 집속시켜 기판 스테이지(118)에 위치한 기판(w) 상에 주사되도록 하는 투영 광학계(Projection Optical System;116) 및 기판이 놓여지는 기판 스테이지(Wafer State)(118) 등으로 이루어지는 통상의 구성들을 포함한다. 참고로, 노광광(조명광)을 공급하기 위한 조명유닛(110)의 광원은, 예컨대 248㎚의 파장의 빛을 공급하는 KrF 엑시머 레이저 광원 또는 193㎚의 파장의 빛을 공급하는 ArF 엑시머 레이저 광원 또는 YAG 레이저의 고주파 발생 장치등의 펄스 레이저 광원에서 사출된 레이 저 빔일 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 노광부(110)에는 로더부(120)의 반송아암(122)으로부터 레티클(10)을 전달받아 레티클 스테이지(114)로 로딩하는 레티클 로딩 유닛이 구비될 수 있다.
로더부(120)는 레티클 케이스(140)로부터 레티클(10)을 인출하여 검사부(130)와 노광부(110)로 반송하는 다관절 반송아암(122)을 갖는다.
레티클 카세트(140)에는 노광 공정 단계별로 사용되는 복수의 레티클(10)들이 적재되며, 이 레티클 카세트(140)로는 레티클들이 상하 방향으로 소정 간격을 두고 수납 가능한 밀폐형 상자가 사용될 수 있다.
검사부(130)는 노광부(110)로 로딩되기 전에 레티클(10)의 헤이즈(haze) 및 광투과율(transmittance) 검사가 이루어지는 공간이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템의 검사부를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 검사부(130)는 레티클(10)이 안착되는 검사 테이블(132), 검사 테이블(132) 상부에 설치되며, 검사 테이블(132)에 놓여진 레티클(10)에 광을 조사하는 광원발생부(134), 검사 테이블(132)의 하부에 설치되며, 레티클(10)에 투과된 광을 측정하여 측정신호를 출력하는 측정부(136) 그리고 측정부(136)의 측정신호를 입력받아서 광투과율을 계산하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율과 비교하여 불량 여부를 판별하는 연산부(138)를 포함한다. 광원발생부(134)는 할로겐 램프나 발광다이오드 등이 사용될 수 있으며, 측정부(136)는 광투과율을 측정할수 있는 광량 센서(CDS, Photo Tr, 포토다이오드, 광원 집적판 등 광원의 양을 측정 할 수 있는 센서)가 사용될 수 있다.
여기서, 광투과율은 레티클(10)이 없는 상태 즉, 광원발생부(134)의 광이 측정부(136)에 바로 입력되는 것을 100.00%으로 봤을 때(기준은 바뀔 수 있음) 측정하고자하는 레티클(10)을 광원발생부(134)와 측정부(136) 사이(검사 테이블)에 두고 투과율을 측정하여 레티클의 투과율을 검출하게 된다. 검사부(130)에서는 레티클(10)이 검사 테이블에 놓여진 상태에서 검사가 진행되는 것으로 설명하였으나, 도 4에서와 같이 레티클(10)이 반송 아암(122)의 블레이드(124)에 놓여진 상태에서 블레이드가 광원발생부(134)와 측정부(!36) 사이로 위치하여 검사하는 방법도 가능하며 이 경우에는 검사 테이블을 생략할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템에서 레티클의 로딩 과정을 설명하기 위한 플로우 챠트이다. 도 3을 참조하면, 레티클 케이스(140)에 적재된 레티클(10)은 로더부(120)의 반송아암(122)에 의해 인출되어 검사부(130)의 검사 테이블(132)로 로딩된다(s110,s120). 검사부(130)에서는 레티클(10)에 대한 헤이즈 및 광투과율 검사를 실시하여 불량 유무를 판단하게 된다. 불량유무 판단은 레티클(10)에 광을 조사하여, 레티클(10)에 투과된 광을 측정한다(s130). 그리고, 측정된 값으로 광투과율을 산출하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율을 비교하여 불량 여부를 판단하게 된다(s140).
정상으로 판단된 레티클(10)은 반송아암(122)에 의해 노광부로 로딩되고(s150), 노광부(110)에서는 정상적으로 공정이 진행된다(s160). 반대로, 검사부(130)에서 불량으로 판단된 레티클(10)은 레티클 케이스(140)에 다시 적재되고, 경 보 등을 통해 작업자에게 그러한 사실을 알려서 후속 조치를 취하게 한다(s170). 그리고, 새로운 레티클(10)을 레티클 케이스(140)로부터 인출하여(s180), 불량 유무 검사를 다시 실시하게 된다.
이상에서, 본 발명에 따른 노광 시스템의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 레티클 스테이지로 로딩되기 전에 레티클 표면의 헤이즈 및 광투과율을 실시간으로 측정하여 불량 레티클을 자동 색출함으로써, 노광 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 노광 시스템에 있어서:
    레티클(Reticle)을 통해서 기판 상에 패턴을 주사하여 노광하는 노광부;
    다수의 레티클들이 보관되어 있는 레티클 케이스;
    상기 레티클 케이스로부터 레티클을 인출하여 상기 노광부로 제공하는 반송아암을 갖는 로더(loader)부; 및
    레티클이 상기 노광부로 로딩되기 전에 레티클의 헤이즈 및 광투과율 검사가 이루어지는 검사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검사부는
    레티클이 안착되는 검사 테이블;
    상기 검사 테이블 상부에 설치되며, 상기 검사 테이블에 놓여진 레티클에 광을 조사하는 광원발생부;
    상기 검사 테이블의 하부에 설치되며, 레티클에 투과된 광을 측정하여 측정신호를 출력하는 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검사부는
    상기 측정부의 측정신호를 입력받아서 광투과율을 계산하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율과 비교하여 불량 여부를 판별하는 연산부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  4. 노광 방법에 있어서:
    레티클 케이스에 적재된 레티클을 인출하는 단계;
    인출된 레티클을 검사부로 로딩하는 단계;
    상기 검사부에서 레티클의 헤이즈 및 광투과율을 검사하여 불량 유무를 판단하는 단계; 및
    불량으로 판단된 레티클은 상기 레티클 케이스에 적재하고, 정상으로 판단된 레티클은 노광부로 로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 불량유무 판단 단계는
    레티클에 광을 조사하는 단계;
    레티클을 투과한 광을 측정하는 단계; 및
    측정된 값으로 광투과율을 계산하고, 그 광투과율과 기설정된 광투과율을 비교하여 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
KR1020060011350A 2006-02-06 2006-02-06 노광 시스템 및 노광 방법 KR20070080173A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011350A KR20070080173A (ko) 2006-02-06 2006-02-06 노광 시스템 및 노광 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011350A KR20070080173A (ko) 2006-02-06 2006-02-06 노광 시스템 및 노광 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070080173A true KR20070080173A (ko) 2007-08-09

Family

ID=38600622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060011350A KR20070080173A (ko) 2006-02-06 2006-02-06 노광 시스템 및 노광 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070080173A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101032794B1 (ko) * 2009-01-05 2011-05-06 나노전광 주식회사 헤이즈 가속 검출장치 및 그 검출방법
KR101286374B1 (ko) * 2010-07-30 2013-07-15 호야 가부시키가이샤 투과율 측정 장치, 포토마스크의 투과율 검사 장치, 투과율 검사 방법, 포토마스크 제조 방법, 패턴 전사 방법, 포토마스크 제품

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101032794B1 (ko) * 2009-01-05 2011-05-06 나노전광 주식회사 헤이즈 가속 검출장치 및 그 검출방법
KR101286374B1 (ko) * 2010-07-30 2013-07-15 호야 가부시키가이샤 투과율 측정 장치, 포토마스크의 투과율 검사 장치, 투과율 검사 방법, 포토마스크 제조 방법, 패턴 전사 방법, 포토마스크 제품

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6665065B1 (en) Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
US7379175B1 (en) Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7027143B1 (en) Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US8041106B2 (en) Methods and systems for detecting defects on a reticle
US8592770B2 (en) Method and apparatus for DUV transmission mapping
US8421026B2 (en) Method and apparatus for mapping of line-width size distributions on photomasks
KR20210113372A (ko) 광대역 방사선 생성을 위한 중공-코어 광결정 섬유 기반 광학 컴포넌트
KR20160031274A (ko) 레티클 검사 장치 및 방법
US8023102B2 (en) Test method for determining reticle transmission stability
KR20070080173A (ko) 노광 시스템 및 노광 방법
JP4846510B2 (ja) 表面位置計測システム及び露光方法
JP2007110055A (ja) ホトリソグラフィ・システムの光インテグレータをモニタする方法
US7424144B2 (en) Method for checking periodic structures on lithography masks
KR20070052054A (ko) 반도체 리소그래피 장치
Lickteig et al. Optimization of an integrated and automated macro inspection system for the utilization of wafer color variation detection in a photolithography cluster
KR20070014585A (ko) 기판 얼라인 장치
TWI557822B (zh) 檢測光罩的方法
JP2012208185A (ja) レジスト検査装置及びマスク基板の欠陥検査方法
KR100271648B1 (ko) 반도체 노광장비의 웨이퍼 척 이물 검사장치
Lu et al. Realizing EUV photomask defectivity qualification by actinic mask review system
KR101037488B1 (ko) 반도체 공정에 이용되는 레티클
Cai et al. Enhanced dispositioning of reticle defects using the Virtual Stepper with automated defect severity scoring
KR20040008435A (ko) 투영렌즈 오염측정장치가 구비된 노광설비
JP2008242113A (ja) 位相シフトマスクの検査方法、位相シフトマスクの検査装置及び半導体装置の製造方法
KR100642465B1 (ko) 펠리클 에러가 방지되는 노광 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination