KR20070078553A - Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) panel and a manufacturing method thereof are provided to prevent light leakage caused due to mis-alignment, by forming a key in forming a black matrix, thus facilitating checking of a position degree of a column spacer, and forming the column spacer at a precise location. A color filter substrate includes a black matrix(220) through which a key(221) passes, and the key defines a position where a column spacer is to be formed. A column spacer(260) is formed within an area defined by the key. The key is formed at each corner of a polygonal shape inscribed in the column spacer. The key is formed on a black matrix corresponding to an active area(A) of the thin film transistor substrate.

Description

액정 표시 패널 및 그 제조방법 {Liquid Crystal Display Panel And Manufacturing Method Thereof}Liquid Crystal Display Panel And Manufacturing Method Thereof {Liquid Crystal Display Panel And Manufacturing Method Thereof}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 표시 패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칼라필터기판을 도시한 평면도이다.2 is a plan view showing a color filter substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 키가 형성된 블랙매트릭스 형성을 개략적으로 도시한 공정도이다. 3A to 3C are flowcharts schematically illustrating the formation of a keyed black matrix according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 박막트랜지스터기판 110: 기판1: thin film transistor substrate 110: substrate

120: 게이트 전극 130: 게이트 절연막120: gate electrode 130: gate insulating film

140: 액티브층 150: 오믹접촉층140: active layer 150: ohmic contact layer

161: 드레인 전극 162: 소오스 전극161: drain electrode 162: source electrode

170: 유기절연막 180: 화소전극170: organic insulating film 180: pixel electrode

2: 칼라필터기판 210: 기판2: color filter substrate 210: substrate

220: 블랙매트릭스 221: 키220: black matrix 221: key

230: 칼라필터 240: 오버코트230: color filter 240: overcoat

250: 공통전극 260: 컬럼스페이서250: common electrode 260: column spacer

3: 액정3: liquid crystal

A: 액티브 영역A: active area

B: 컬럼스페이서를 내접하는 사각형B: rectangle that inscribes the column spacer

본 발명은 액정 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 블랙매트릭스 형성시 키(Key)를 형성함으로써 컬럼스페이서의 위치정도 확인이 용이하고, 정확한 위치에 컬럼스페이서를 형성함으로써 얼라인 미스에 의한 빛샘 불량을 방지할 수 있는 액정 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same. More specifically, by forming a key for forming a black matrix, the positional accuracy of the column spacer can be easily confirmed, and the alignment miss is formed by forming the column spacer at the correct position. The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same, which can prevent light leakage defects caused by light.

종래의 액정 표시 패널은 박막트랜지스터 기판과 칼라필터 기판 사이에 셀갭을 유지하기 위해 컬럼스페이서를 형성하는데, 형성되는 컬럼스페이서의 위치정도가 정확하지 않으면 패널을 두드렸을 때 컬럼스페이서의 위치 이동에 따른 얼라인 미스에 의한 빛샘 불량이 발생하는 문제가 있었다.Conventional liquid crystal display panels form column spacers to maintain cell gaps between thin film transistor substrates and color filter substrates. There was a problem in that light leakage caused by the miss.

또한, 컬럼스페이서와 박막트랜지스터 기판의 화소전극과의 정확한 거리 관리가 되지 않으면 잔가로줄 얼룩이 발생하여 표시품질을 저하시키는 문제가 있었다.In addition, when accurate distance management between the column spacer and the pixel electrode of the thin film transistor substrate is not performed, uneven line defects may occur, thereby degrading display quality.

따라서, 컬럼스레이서 형성 후 컬럼스페이서의 위치정도를 확인하기 위해 종래에는인라인(IN-Line)검사기 또는 Mac/Mic 검사기로 사용하여 확인하는 데, 상기의 방법들은 형성된 위치에 대한 개략적인 확인만 가능하기 때문에 정확한 위치정도 확인이 어렵기 때문에 두드림 빛샘 또는 잔가로줄 얼룩 불량에 매우 취약한 치명적인 문제가 있었다. Therefore, in order to check the position of the column spacer after forming the column spacer, it is conventionally used by using an in-line inspector or a Mac / Mic inspector. The above methods can only confirm the outline of the formed position. Because it is difficult to check the exact position, there was a fatal problem that is very vulnerable to the defect of smearing lead to light leakage or residue.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 정확한 위치에 컬럼스페이서를 형성함으로써 얼라인 미스에 의한 빛샘 불량및 잔가로줄 얼룩 불량을 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 액정 표시 패널 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to form a column spacer in the correct position to prevent poor light leakage due to misalignment and uneven line to the remaining balance to improve the display quality The present invention provides a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 컬럼스페이스가 형성될 위치를 한정하는 키가 관통된 블랙매트릭스가 형성된 칼라필터 기판과; 상기 키에 의해 한정된 영역내에 형성된 컬럼스페이서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display panel according to the present invention includes: a color filter substrate having a black matrix through which a key is penetrated defining a position at which a column space is formed; And a column spacer formed in a region defined by the key.

그리고, 상기 키는 컬럼스페이서를 내접하는 다각형의 모서리에 형성된 것을 특징으로 한다.And, the key is characterized in that formed on the corner of the polygon inscribed column spacer.

또한, 상기 키는 박막트랜지스터기판의 액티브 영역과 대응되는 블랙매트릭 스 상에 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the key is formed on a black matrix corresponding to the active region of the thin film transistor substrate.

여기서, 상기 키의 면적은 20um2 ~ 30um2로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널. Here, the area of the key is 20um 2 ~ 30um 2 characterized in that the liquid crystal display panel.

한편, 본 발명에 따른 액정 표시 패널 제조방법은 기판상에 컬럼스페이스가 형성될 위치를 한정하는 키가 관통된 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 키에 의해 한정된 영역내에 컬럼스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the liquid crystal display panel manufacturing method according to the present invention comprises the steps of forming a black matrix through the key defining a position where the column space is to be formed on the substrate; And forming a column spacer in a region defined by the key.

그리고, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 키는 컬럼스페이서를 내접하는 사각형의 모서리에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the forming of the black matrix, the key is formed at a corner of a quadrangle that inscribes the column spacer.

또한, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 키는 박막트랜지스터기판의 액티브 영역과 대응되는 블랙매트릭스 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.In the forming of the black matrix, the key is formed on the black matrix corresponding to the active region of the thin film transistor substrate.

여기서, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 키의 면적을 20um2 ~ 30um2으로 형성하는 것을 특징으로 한다.Here, in the step of forming the black matrix, it characterized in that the area of the key to form a 20um 2 ~ 30um 2 .

이하, 본 발명의 구체적인 구성 및 작용에 대하여 도면 및 실시예를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the specific configuration and operation of the present invention will be described in detail with reference to the drawings and the embodiments.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 표시 패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시패널은 액정(3)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막트랜지스터기판(1) 및 칼라필터기판(2)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a liquid crystal display panel according to the present invention includes a thin film transistor substrate 1 and a color filter substrate 2 bonded together to face each other with a liquid crystal 3 therebetween.

박막트랜지스터기판(1)은 절연기판(110)상에 형성된 박막트랜지스터, 박막트랜지스터와 접속된 화소전극(180)을 포함한다.The thin film transistor substrate 1 includes a thin film transistor formed on the insulating substrate 110 and a pixel electrode 180 connected to the thin film transistor.

또한, 박막 트랜지스터기판(1)은 박막 트랜지스터와 화소 전극(180) 사이에 형성되어 박막 트랜지스터를 보호하는 유기 절연막(170)을 더 포함한다. In addition, the thin film transistor substrate 1 further includes an organic insulating layer 170 formed between the thin film transistor and the pixel electrode 180 to protect the thin film transistor.

박막 트랜지스터는 게이트배선과 연결되는 게이트전극(120)과, 데이터배선과 연결되는 소스 전극(162)과, 화소 전극(180)과 연결되는 드레인 전극(161)을 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 게이트배선에 공급되는 스캔 신호에 응답하여 데이터 배선에 공급되는 화소 신호를 화소 전극(180)에 공급한다. 유기 절연막(170)은 아크릴 등과 같은 감광성 유기물질이 이용된다.The thin film transistor includes a gate electrode 120 connected to the gate line, a source electrode 162 connected to the data line, and a drain electrode 161 connected to the pixel electrode 180. The thin film transistor supplies the pixel signal supplied to the data line to the pixel electrode 180 in response to the scan signal supplied to the gate line. As the organic insulating layer 170, a photosensitive organic material such as acryl is used.

화소전극(180)은 각 서브화소의 유기절연막(170) 위에 형성되고 유기절연막(170)을 관통하는 컨택홀(190)을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(161)과 접속된다.The pixel electrode 180 is connected to the drain electrode 161 of the thin film transistor through a contact hole 190 formed on the organic insulating layer 170 of each subpixel and penetrating the organic insulating layer 170.

한편, 칼라필터기판(2)에는 절연기판(210)상에 칼라필터간의 혼색을 방지하고, 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(220)가 형성된다.Meanwhile, a black matrix 220 is formed on the color filter substrate 2 to prevent color mixing between the color filters and to prevent light leakage on the insulating substrate 210.

여기서, 블랙매트릭스(220)에는 컬럼스페이서(260)가 형성될 부분에 컬럼스페이서 위치 확인을 위해 관통된 키(KEY)(221)가 형성된다.Here, the black matrix 220 is formed with a key 221 penetrated to determine the position of the column spacer in the portion where the column spacer 260 is to be formed.

블랙매트릭스(220)위에는 RGB 칼라필터(230), 칼라필터의 두께를 일정하게 유지하는 오버코트(Overcoat)(240), 화소전극(180)과 전계를 이루는 공통전극(250)이 차례대로 형성된다.On the black matrix 220, an RGB color filter 230, an overcoat 240 for maintaining a constant thickness of the color filter, and a common electrode 250 forming an electric field with the pixel electrode 180 are sequentially formed.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칼라필터기판을 도시한 평면도이 다.2 is a plan view showing a color filter substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 컬럼스페이서(260)는 빛샘의 영향이 없도록 박막트랜지스터기판(1)의 액티브 영역(A)과 이에 대응되는 칼라필터기판(2)의 블랙매트릭스 부분 사이에 형성된다. 따라서, 블랙매트릭스(230)에 관통되는 키는 액티브 영역(A)과 대응되는 블랙매트릭스에 형성된다.Referring to FIG. 2, the column spacer 260 is formed between the active region A of the thin film transistor substrate 1 and the black matrix portion of the color filter substrate 2 corresponding thereto so as not to influence light leakage. Therefore, a key penetrating the black matrix 230 is formed in the black matrix corresponding to the active area A. FIG.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 키(221)가 설계상 컬럼스페이서(260)를 내접하는 사각형(B)의 모서리에 형성된 것을 도시한 것이지만, 본 발명에 따른 키(221)는 설계상 컬럼스페이서(260)의 위치를 한정하여 위치정도를 용이하게 확인할 수 있다면 어떠한 위치에도 형성될 수 있다.Figure 2 shows that the key 221 is formed in the corner of the rectangle (B) inscribed in the column spacer 260 in accordance with a preferred embodiment of the present invention, the key 221 according to the present invention is designed If the positional accuracy can be easily confirmed by limiting the position of the column spacer 260 may be formed in any position.

따라서, 컬럼스페이서(260)를 내접하는 다각형의 모서리 위치에서 형성될 컬럼스페이서(260)를 한정할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 컬럼스페이서(260)는 일반적으로 단면을 원형으로 설계하므로 설계상 컬럼스페이서(260)의 크기에 해당하는 원의 사분점에도 형성될 수 있다.Therefore, it may be formed to define the column spacer 260 to be formed at the corner position of the polygon inscribed to the column spacer 260. In addition, since the column spacer 260 is generally designed to have a circular cross section, the column spacer 260 may be formed at a quadrant of the circle corresponding to the size of the column spacer 260 by design.

여기서, 컬럼스페이서(260)를 내접하는 다각형의 모서리에 키(221)를 형성할 경우 키(221)는 컬럼스페이서(260)보다 큰 영역을 한정하므로 정확한 얼라인에 문제가 없으나, 키(221)가 컬럼스페이서(260)와 동일한 크기의 원의 4분점에 형성될 경우 미세공정에서 컬럼스페이서(260)의 정확한 얼라인이 어려울 뿐만 아니라, 컬럼스페이서(260)는 설계상의 크기와 실제 공정상 오차가 발생할 수 있으므로 오차에 대한 마진을 고려하여야 하므로 컬럼스페이서(260)의 크기보다 크게 형성된 원의 사분점에 키(221)를 형성하는 것이 바람직하다.Here, in the case where the key 221 is formed at the corner of the polygon that inscribes the column spacer 260, the key 221 defines a larger area than the column spacer 260, but there is no problem in correct alignment. Is formed at the quadrant of the circle having the same size as the column spacer 260, it is difficult to accurately align the column spacer 260 in the micro process, and the column spacer 260 has a design size and an actual process error. Since the margin for error should be considered, it is preferable to form the key 221 at the quadrant of the circle formed larger than the size of the column spacer 260.

그러나, 컬럼스페이서(260)보다 지나치게 크게 큰 원의 사분점에 키(221)가 형성할 경우 오히려 컬럼스페이서(260)가 위치 산포에 의해 미스얼라인되어 빛샘이 발생할 수 있으므로 컬럼스페이서(260)의 위치정도 확인이 용이할 정도로만 크게 형성하는 것이 좋다. 바람직하게는 컬럼스페이서(260)보다 1.5um ~ 2.5um정도 크게 형성된 원의 4분점에 키(221)를 형성하는 것이 좋다. However, when the key 221 is formed at the quadrant of the circle that is too large than the column spacer 260, the column spacer 260 may be misaligned due to the positional dispersion, causing light leakage. It is good to form large enough to easily check the position accuracy. Preferably, the key 221 is formed at the quadrant of the circle formed 1.5um to 2.5um larger than the column spacer 260.

또한, 키(221)는 컬럼스페이서의 위치확인이 용이하기만 하면 어떠한 형상으로도 형성될 수 있다.In addition, the key 221 may be formed in any shape as long as the positioning of the column spacer is easy.

한편, 블랙매트릭스(220)에 관통되는 키(221)의 크기는 지나치게 작을 경우 컬럼스페이서(260)의 위치정도 확인이 어렵고, 지나치게 클 경우에는 키(221)가 액티브 영역(A)에 형성된다 하더라도 빛샘이 발생할 가능성이 있으므로, 컬럼스페이서(260)의 위치정도 확인이 용이하고 빛샘에 의한 영향을 받지 않을 정도의 크기로 형성해야 한다. On the other hand, if the size of the key 221 penetrating the black matrix 220 is too small, it is difficult to check the position of the column spacer 260. If the key 221 is too large, the key 221 is formed in the active area A. Since light leakage may occur, it is easy to check the position of the column spacer 260 and should be formed to a size that is not affected by light leakage.

이를 위해. 키(221)가 사각형일 경우, 한 변의 길이를 4.5um ~ 5.5um로 형성하고 원형일 경우 지름을 4.5um ~ 5.5um로 형성하는 것이 바람직하며, 면적으로는 형상에 관계없이 20um2 ~ 30um2으로 형성하는 것이 바람직하다. for teeth. If the key 221 is a square, it is preferable to form the length of one side of 4.5um ~ 5.5um, and in the case of a circular shape, the diameter of 4.5um ~ 5.5um, 20um 2 ~ 30um 2 regardless of shape It is preferable to form.

이러한 칼라필터기판(2)과 박막트랜지스터기판(1) 사이에는 두 기판이 소정 간격인 셀갭(Cell Gap)을 유지하게 하기 위한 컬럼스페이서(260)가 형성된다.A column spacer 260 is formed between the color filter substrate 2 and the thin film transistor substrate 1 to maintain a cell gap at a predetermined interval.

컬럼스페이서(260)는 블랙매트릭스(220)에 관통된 키(221)에 의해 컬럼스페이서(260)가 정확한 위치에 형성되는지 여부에 대한 위치정도 확인이 용이하게 된 다. 따라서, 컬럼스페이서(260)의 미스얼라인에 의한 위치산포로 인한 빛샘이나 잔가로줄 얼룩을 방지하여 액정 패널의 표시품질을 향상시킬 수 있다.The column spacer 260 makes it easy to check the position accuracy of whether the column spacer 260 is formed at the correct position by the key 221 penetrated through the black matrix 220. Accordingly, the display quality of the liquid crystal panel may be improved by preventing light leakage or streaks caused by misalignment of the column spacer 260 due to misalignment of the column spacer 260.

본 발명에 따른 액정표시패널의 제조방법에 대해 살펴보면 박막트랜지스터기판(1)과 칼라필터기판(2)이 별도의 공정을 통해 제작된다.Referring to the manufacturing method of the liquid crystal display panel according to the present invention, the thin film transistor substrate 1 and the color filter substrate 2 are manufactured through a separate process.

박막트랜지스터기판(1)은 절연기판(110)상에 게이트 금속을 증착(Depositon)하고, 포토리소그라피(Photolithograpy)공정 및 식각공정에 의해 금속을 패터닝하여 게이트전극(120)을 포함하는 게이트배선을 형성한다.The thin film transistor substrate 1 deposits a gate metal on the insulating substrate 110 and forms a gate wiring including the gate electrode 120 by patterning the metal by a photolithograpy process and an etching process. do.

그 후, 게이트 절연막(130)을 증착하고, 비정질실리콘막(amorphous silicon layer)과 n+ 비정질실리콘막을 증착한 후, 포토리소그라피 공정 및 식각공정에 의해 n+ 비정질실리콘막과 비정질실리콘막을 패터닝하여 액티브층(140)과 오믹접촉층(150)을 형성한다.Thereafter, the gate insulating layer 130 is deposited, an amorphous silicon layer and an n + amorphous silicon layer are deposited, and then the n + amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer are patterned by a photolithography process and an etching process to form an active layer ( 140 and an ohmic contact layer 150 are formed.

이어서, 오믹접촉층(150)과 게이트 절연막(130) 상에 데이타 금속을 증착하고 포토리소그라피 및 식각공정에 의해 데이타 금속을 패터닝하여 소오스 전극(162) 및 드레인 전극(161)을 포함하는 데이타배선을 형성한다.Subsequently, a data metal is deposited on the ohmic contact layer 150 and the gate insulating layer 130, and the data metal is patterned by photolithography and etching to form a data wiring including the source electrode 162 and the drain electrode 161. Form.

그리고, 데이타배선 및 게이트 절연막(130) 상에 유기 절연막(170)을 형성하고 콘택홀을 형성한 후, 유기 절연막(170) 상부에 투명도전물질을 증착하고 포토리소그라피 및 식각공정으로 패터닝하여 화소전극(180)을 형성하여 박막트랜지스터 기판(1)을 형성한다.After forming the organic insulating film 170 on the data wiring and the gate insulating film 130 and forming the contact hole, the transparent conductive material is deposited on the organic insulating film 170 and patterned by photolithography and etching processes to form a pixel electrode. The thin film transistor substrate 1 is formed by forming the thin film transistor 180.

한편, 칼라필터기판(2)은 절연기판(210)상에 검은색의 금속 또는 유기물질을 적층한 후 포토리소그라피 공정 및 식각공정에 의해 패터닝하여 관통된 키(221)가 형성된 블랙매트릭스(220)를 형성한다.On the other hand, the color filter substrate 2 is a black matrix 220 formed with a key 221 penetrated by laminating a black metal or organic material on the insulating substrate 210 and then patterned by a photolithography process and an etching process. To form.

도 3a 내지 도 3c 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 블랙매트릭스 형성을 개략적으로 도시한 공정도이다. 3A to 3C are schematic flowcharts illustrating the formation of a black matrix according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3c를 참조하여, 블랙매트릭스(220)를 형성함과 동시에 컬럼스페이서(260)의 정확한 얼라인을 위해 키(221)를 패터닝한다.3A through 3C, the black matrix 220 is formed and the key 221 is patterned for accurate alignment of the column spacer 260.

기판(210)상에 검은색의 금속 또는 유기물질을 도포한 후 포토리소그라피 공정에 의해 패터닝한다. 여기서, 포토리소그라피 공정시 사용되는 마스크는 블랙매트릭스(220)와 동시에 키(221)를 패터닝할 수 있도록 제작된 마스크를 사용한다.A black metal or organic material is coated on the substrate 210 and then patterned by a photolithography process. Here, the mask used in the photolithography process uses a mask made so as to pattern the key 221 at the same time as the black matrix 220.

도포되는 금속 또는 유기물질이 네가티브 타입인 경우, 식각되는 부분은 마스크 기판 하부가 크롬(Cr)처리되어 노광되지 않도록 구성해야 한다. 따라서, 마스크 공정에 의해 전부 식각되는 칼라필터 영역과 키 영역은 마스크 기판 하부가 크롬(Cr)처리되어 노광이 차단되고, 전혀 식각되지 않는 블랙매트릭스영역은 마스크 기판 하부가 크롬(Cr)처리되지 않아 노광되도록 제작된 마스크를 통해 포토리소그라피 공정을 수행한다.When the metal or organic material to be applied is a negative type, the portion to be etched must be configured so that the lower portion of the mask substrate is not exposed due to the chromium (Cr) treatment. Therefore, in the color filter area and the key area which are all etched by the mask process, the lower portion of the mask substrate is subjected to chromium (Cr) treatment so that exposure is blocked, and the black matrix region that is not etched at all is not chromium (Cr) treated under the mask substrate. The photolithography process is performed through a mask fabricated to be exposed.

만일, 도포되는 금속 또는 유기물질이 포지티브 타입인 경우 이와 반대로, 식각되는 부분이 노광되도록 마스크 기판 하부가 크롬(Cr)처리되지 않고, 식각되지 않는 부분이 노광차단되도록 마스크 기판 하부가 크롬(Cr)처리된 마스크를 사용하여 포토리소그라피 공정을 수행한다.If the applied metal or organic material is a positive type, on the contrary, the lower portion of the mask substrate is not chromium (Cr) treated to expose the etched portion, and the lower portion of the mask substrate is exposed to chromium (Cr) so that the non-etched portion is exposed to light. The photolithography process is performed using the treated mask.

상기 공정에 의해 블랙매트릭스(220)와 키(221)가 형성되면, 블랙매트릭스위에 칼라필터용 PR을 도포한 후 포토리소그라피 공정에 의해 패터닝하여 RGB칼라필 터(230)를 각각 형성한다. When the black matrix 220 and the key 221 are formed by the above process, the color filter PR is coated on the black matrix and then patterned by a photolithography process to form the RGB color filter 230, respectively.

칼라필터가 형성되면, 필요에 따라 오버코트막을 기판상에 도포하고 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝하여 오버코트를 형성한다.Once the color filter is formed, an overcoat film is applied to the substrate as needed and patterned through a photolithography process to form an overcoat.

그 후, 오버코트 상에 투명도전물질을 증착하고 포토리소그라피 및 식각공정으로 패터닝하여 공통전극을 형성한다.Thereafter, a transparent conductive material is deposited on the overcoat and patterned by photolithography and etching to form a common electrode.

한 편, 컬럼스페이서를 형성하기 위해 기판(210)상에 아크릴계 감광성 수지를 도포하고, 포토리소그라피 공정에 의해 패터닝하여 컬럼스페이서(260)를 형성한다.On the other hand, an acrylic photosensitive resin is coated on the substrate 210 to form a column spacer, and patterned by a photolithography process to form the column spacer 260.

여기서, 블랙매트릭스(220)와 동시에 패터닝된 키(221)를 통해 컬럼스페이서(260)가 정확한 위치에 얼라인되는지 여부를 확인할 수 있다. 따라서, 컬럼스페이서의 정확한 위치정도 확인을 통한 품질관리가 가능하고, 컬럼스페이서가 정확한 위치에 얼라인됨으로써 컬럼스페이서의 위치산포에 의해 발생하는 두드림 빛샘 또는 잔가로줄 얼룩을 제거할 수 있다. Here, it may be determined whether the column spacer 260 is aligned at the correct position through the key 221 patterned at the same time as the black matrix 220. Therefore, quality control is possible through the exact positioning of the column spacer, and since the column spacer is aligned at the correct position, it is possible to remove the tap light rays or residual lines that are caused by the positional distribution of the column spacer.

상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 정확한 위치에 컬럼스페이서를 형성함으로써 얼라인 미스에 의한 빛샘 불량 및 잔가로줄 얼룩 불량을 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 탁월한 효과가 발생한다.As described above, the liquid crystal display panel according to the present invention has an excellent effect of improving display quality by preventing column leakage defects due to misalignment and defects caused by residual misalignment by forming column spacers at precise positions.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니 며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the detailed description of the present invention described above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, the protection scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and those skilled in the art will appreciate It will be understood that various modifications and changes can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (8)

컬럼스페이서가 형성될 위치를 한정하는 키가 관통된 블랙매트릭스가 형성된 칼라필터 기판과;A color filter substrate having a black matrix through which a key is defined defining a position at which a column spacer is to be formed; 상기 키에 의해 한정된 영역내에 형성된 컬럼스페이서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널And a column spacer formed in a region defined by the key. 제 1항에 있어서, 상기 키는 상기 컬럼스페이서를 내접하는 다각형의 모서리에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the key is formed at a corner of a polygon inscribed with the column spacer. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 키는 박막트랜지스터기판의 액티브 영역과 대응되는 블랙매트릭스 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널The liquid crystal display panel of claim 1 or 2, wherein the key is formed on a black matrix corresponding to an active region of the thin film transistor substrate. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 키의 면적은 20um2 ~ 30um2로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널. According to claim 1 or 2, wherein the liquid crystal display panel, characterized in that the area of the key is formed with two 20um 30um ~ 2. 기판상에 컬럼스페이스가 형성될 위치를 한정하는 키가 관통된 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a keyed black matrix defining a position at which a column space is to be formed on the substrate; 상기 키에 의해 한정된 영역내에 컬럼스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 제조방법.And forming a column spacer in a region defined by the key. 제 5항에 있어서, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 상기 키는 상기 컬럼스페이서를 내접하는 사각형의 모서리에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the key is formed at a corner of a quadrangle in which the column spacer is inscribed in the forming of the black matrix. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 상기 키의 면적을 20um2 ~ 30um2으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 제조방법.In the fifth or 6, wherein the liquid crystal display panel manufacturing method in the step of forming the black matrix so as to form an area of the key to 20um 2 ~ 30um 2. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 블랙매트릭스를 형성하는 단계에서 상기 키는 박막트랜지스터기판의 액티브 영역과 대응되는 블랙매트릭스 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 제조방법.The method of claim 5, wherein, in the forming of the black matrix, the key is formed on a black matrix corresponding to the active region of the thin film transistor substrate.
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