KR20070077937A - 캐소드 모듈 - Google Patents

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KR20070077937A
KR20070077937A KR1020060007849A KR20060007849A KR20070077937A KR 20070077937 A KR20070077937 A KR 20070077937A KR 1020060007849 A KR1020060007849 A KR 1020060007849A KR 20060007849 A KR20060007849 A KR 20060007849A KR 20070077937 A KR20070077937 A KR 20070077937A
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Abstract

캐소드 모듈을 제공한다. 개시된 캐소드 모듈은 본체와, 상기 본체 상부에 배치되는 정전척과, 상기 본체에 설치되며 홀이 형성된 커넥터와, 상기 커넥터와 상기 정전척 사이를 연결하는 케이블, 및 상기 홀을 통해 연결되는 상기 커넥터와 상기 케이블의 접속부를 밀봉시키는 밀봉 부재를 구비한다.
상기 캐소드 모듈은 상기 정전척의 냉각을 위해 저온을 유지할 경우 상기 본체로부터 상기 접속부로 물이 낙하함으로써 발생할 수 있는 아킹에 의한 전압의 불균일을 미연에 방지할 수 있다.
정전척, 커넥터, 케이블, 밀봉 부재

Description

캐소드 모듈{Cathode Module}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드 모듈을 구비한 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 단면 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 커넥터와 케이블의 접속부를 밀봉시키는 밀봉 부재의 일 실시예를 보이기 위한 사시도이다.
도 3은 도2의 Ⅰ-Ⅰ′선을 따라 절개한 부분 단면도이다.
도 4는 밀봉 부재의 다른 실시예를 보이기 위한 부분 단면도이다.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**
100 : 플라즈마 식각 장치
120 : 챔버 리드
125 : 가스공급부
130 : 진공 배기 유닛
200 : 캐소드 모듈
210 : 본체
220 : 정전척(Electrostatic chuck: ESC)
222 : 정전척 지지대
230 : 커넥터
233,233′ : 밀봉 부재
234 : 케이블
238 : 커패시터
240 : 고전압 모듈(High voltage module)
245 : 정합부(Matching box)
250 : 냉각 모듈
260 : RF 공급부
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 식각 장치의 캐소드 모듈에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적으로 반복 수행함으로써 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 적층하여 조합되게 하는 것으로 만들어진다.
이러한 공정 중 식각공정은 크게 습식식각과 건식식각으로 나눌 수 있으 며, 습식식각은 소자의 최소선폭이 수백 내지 수십 마이크로대의 LSI 시대에 범용으로 적용되었으나 VLSI, ULSI소자에는 등방성 식각이 보이는 집적도의 한계 때문에 그 사용이 줄어들고 있다.
따라서 현재 일반적으로 건식식각을 사용하고 있으며, 건식식각 설비 중 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 초미세 가공하는 플라즈마 식각 설비는 진공이 형성되는 공정챔버의 내부에 플라즈마 형성용 반응 가스와 고주파 파워 등 각종 요소를 이용하여 웨이퍼를 식각할 수 있도록 하고 있다.
상기 플라즈마 식각 설비는 식각 공정이 진행되는 공정 챔버를 구비하고 있다. 상기 공정 챔버는 접지된 상부 전극과, 고전압이 인가되는 캐소드 모듈을 구비한다. 상기 캐소드 모듈은 본체와, 상기 본체 상부에 배치되는 정전척과, 상기 본체에 설치되어 상기 본체 외부로부터 공급되는 고전압을 상기 정전척에 연결하는 커넥터와, 상기 커넥터와 상기 정전척 사이를 연결하는 케이블, 및 상기 정전척을 냉각하는 냉각 모듈을 구비한다.
상기 캐소드 모듈은 식각 공정 진행시에 발생하는 열이 웨이퍼로 전달되어 가열되는 것을 방지하기 위해서 상기 냉각 모듈로부터 냉각수가 상기 정전척으로 공급되게 한다.
상기 냉각수에 의해서 캐소드 모듈이 냉각되는 과정에서 보통 -10℃ 정도로 유지되므로 상기 냉각 모듈에 접하는 본체 상에 이슬이 맺혀서 고전압을 인가하는 상기 커넥터 상에 물이 스며들 수 있는데, 이 물이 상기 커넥터와 케이블을 연결하는 단자에 접촉된 상태에서 고전압이 인가될 수 있다.
이 경우, 상기 커넥터에 연결된 케이블이 상기 캐소드 모듈 본체와의 단락에 의해 아킹이 발생할 수 있다. 상기 아킹이 발생하면 상기 정전척에 공급되는 전압이 불균일할 수 있고 또는 전압이 전혀 공급되는 않는 상태가 발생할 수 있다.
상기와 같이 정전척에 인가되는 전압이 규정된 범위 내에 유지되기 어려우므로 결과적으로 상기 정전척 상에 안착된 웨이퍼 식각 공정의 품질 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 커넥터 또는 케이블의 교환 작업을 수행하기 위해서 상기 캐소드 모듈을 해체해야 하는 시간적, 경제적 손실 요인이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 상기 커넥터와 상기 케이블의 연결 부위에 물이 접촉함으로써 발생할 수 아킹에 의한 전압 불균일 현상을 미연에 방지하고자 하는데 있다.
상기와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐소드 모듈은 본체와, 상기 본체 상부에 배치되는 정전척과, 상기 본체에 설치되며 홀이 형성된 커넥터와, 상기 커넥터와 상기 정전척 사이를 연결하는 케이블, 및 상기 홀을 통해 연결되는 상기 커넥터와 상기 케이블의 접속부를 밀봉시키는 밀봉 부재를 구비한다.
상기 밀봉 부재는 실리콘으로 형성될 수 있다.
바람직하게, 상기 밀봉 부재는 상기 커넥터의 상단 및 상기 케이블의 외주면으로부터 각각 일정거리 이격되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 밀봉 부재는 오링일 수 있다.
바람직하게, 상기 밀봉 부재는 상기 커넥터의 상단 및 상기 홀의 외주면으로부터 각각 일정거리 이격되어 단차진 홈에 삽입 설치될 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 한편, 첨부된 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위해 다소 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드 모듈(200)을 구비한 플라즈마 식각 장치(100)를 설명하기 위한 단면 구성도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치(100)는 플라즈마를 이용한 공정이 수행되는 공정 챔버(110)와, 상기 공정 챔버(110)의 상부에 배치되는 챔버 리드(120)와, 상기 공정 챔버(110) 내부에 배치되는 캐소드 모듈(200), 및 RF 공급부(260) 를 구비한다.
또한, 상기 플라즈마 식각 장치(100)는 상기 공정 챔버(110)의 외측 둘레에 배치되는 자석(140)과, 상기 공정 챔버(110)와 연통 되도록 배치되는 진공 배기유닛(130)을 더 포함할 수 있다. 상기 진공 배기 유닛(130)은 스로틀 밸브(132) 및 진공 펌프(미도시) 등을 구비하여 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공을 유지함과 동시에 부산물(by product)의 배출을 용이하게 한다.
상기 캐소드 모듈(200)은 본체(210), 정전척(220), 정전척 지지대(222), 커넥터(230), 케이블(234), 고전압 모듈(240), 및 냉각 유닛(250) 등을 구비한다.
상기 정전척(220)은 상기 본체(210)의 상부에 위치한다. 상기 정전척(220)의 상단에는 웨이퍼(W)가 안착된다. 상기 정전척 지지대(222)는 정전척(220)의 하부에 배치되고 내부에 소정 공간이 형성된다.
상기 냉각 유닛(250)은 상기 소정 공간을 통해 냉각제를 유출입시킴에 의해서 상기 정전척(220)의 냉각을 가능하게 한다. 상기 냉각 유닛(250)으로 칠러(chiller)가 그 기능을 수행할 수 있다. 상기 정전척(220) 및 정전척 지지대(222)와 상기 본체(210) 사이에는 서로간에 전기적인 이동이 없도록 절연부(224)가 배치될 수 있다.
상기 RF 공급부(260)는 정전척(220)으로 고주파 전력을 공급함으로써 상기 공정 챔버(110) 내에 전위차가 발생하여 플라즈마가 생성될 수 있도록 한다. 예로 RF 공급부(260)는 13.56Mhz의 교류 전원을 통해 전력의 공급이 가능하다.
상기 본체(210)에는 커넥터(230)가 설치되는데, 상기 커넥터(230)는 고전압 모듈(240)과 정전척(220) 사이에서 전압을 송신하는 기능을 한다. 상기 고전압 모듈(240)은 상기 커넥터(230)에 직접 접속되어 약 1000V 정도의 전압을 인가하는데, 상기 정전척(220)이 상단의 웨이퍼(W)를 동요없이 고정시킬 수 있도록 +,- 전원을 반복하여 공급하게 된다.
상기 정전척(220)과 상기 커넥터(230)는 케이블(234)로 연결되고, 상기 케이블(234)의 일단은 상기 커넥터(230) 내부의 단자(미도시)에 접속되는 형태로 이루어진다. 상기 정전척(220)과 상기 커넥터(230) 사이에는 커패시터(238)가 마련될 수 있다. 상기 커패시터(238)는 상기 정전척(220)으로 전압이 변동없이 균일하게 공급될 수 있도록 보정하고 더불어 리플 필터(ripple filter,평활회로) 역할도 수행한다.
도 2는 커넥터(230)와 케이블(234)의 접속 부위를 밀봉시키는 밀봉 부재의 일 실시예(233)를 보이기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′ 선을 따라 절개한 부분 단면도이다
상기 냉각 유닛(250)의 작동에 의해 정전척(220)이 냉각되는 과정에서 본체(210)도 영향을 받아 저온으로 유지하게 되는데, 상기 밀봉 부재(233)는 상기 본체(210)의 온도와 상온과의 차이로 인하여 상기 본체(210) 상에 맺히는 물에 의하여 상기 커넥터(230) 상에 아킹이 발생하는 것을 방지하게 한다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 상기 밀봉 부재의 일 실시예(233)에 대해 설명한다.
상기 커넥터(230)는 내측 부재(230a)와 상기 내측 부재(230a)의 일단으로부터 단차지게 형성된 외측 부재(230b)로 구성되며, 내부를 관통하는 홀(231)이 형 성되어 있다. 상기 내측 부재(230a)는 상기 본체(210)에 형성된 홈(미도시)에 삽입되어 고정되며, 상기 외측 부재(230b)는 상기 본체(210)의 외면에 밀착되어 고정된다.
상기 케이블(234)의 일단은 상기 홀(231)에 삽입되어 단자(미도시)에 접속된다. 상기 밀봉 부재(233)는 상기 커넥터(230)의 상단에서 상기 케이블(234)의 둘레를 감싸는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 밀봉 부재(233)는 전기가 흐르지 않아야 하므로 절연성이 있어야 한다. 따라서, 실리콘과 같이 수밀성이 우수하고 절연성이 있는 재질로 구성함이 바람직하다.
도 4는 밀봉 부재의 다른 실시예(233′)를 보이기 위한 부분 단면도이다. 이하 도 4를 참조하여, 상기 밀봉 부재(233′)에 대해 설명한다.
상기 커넥터(230)의 상단 및 상기 홀(231)의 외주면으로부터 각각 일정거리(232a,232b) 이격되어 단차진 홈(232)이 형성된다. 상기 홈(232)에 밀봉 부재(233′)가 삽입 설치될 수 있다. 상기 밀봉 부재(233′)는 오링의 형태를 취할 수 있고, 상기 오링의 내경은 케이블(234)의 직경보다 작으며 신축성이 있는 것이 바람직하다. 상기 밀봉 부재(233′)는 케이블(234)을 상기 커넥터(230)에 삽입하기 전에 먼저 상기 홈(232)에 삽입한 후 설치 가능하다.
또한, 상기 밀봉 부재(233′)를 상기 케이블(234) 둘레에 먼저 끼우고 상기 케이블(234)을 상기 홀(231)에 삽입한 후에, 상기 밀봉 부재(233′)를 상기 홈(232)에 밀착하여 삽입하는 방법이 가능하다.
이하 다시 도 1을 참조해서, 캐소드 모듈(200)의 작용을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 공정 챔버(110)의 내부는 진공 상태의 분위기가 형성되고, 가스공급부(125)는 노즐부(125a)을 통해 반응 가스를 상기 공정 챔버(110) 내부로 공급한다. 여기서, 본 발명의 플라즈마 식각 장치(100)는 MERIE(magnetically enhanced reacted ion etching)방식일 수 있기 때문에, 상기 공정 챔버(110)의 외측 둘레에 배치된 자석(140)에 의해 상기 공정 챔버(110)의 내부는 자장이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 공정 챔버(110) 내부에 배치되는 캐소드 모듈(200)를 통해 전기장이 형성될 수 있다.
캐소드 모듈(200)의 작용을 살피면 다음과 같다. 고전압 모듈(240), 커넥터(230) 및 커패시터(238)을 순차적으로 거쳐 정전척(220)에 DC전압이 공급된다. 상기의 공급된 전압은 상기 정전척(220)에 안착된 웨이퍼(W)를 동요없이 고정시키는 역할을 하게 된다.
그후, RF 공급부(260)로부터 정합부(Matching box,245)를 거쳐 정전척(220)으로 고주파 전력이 공급되면, 이때 접지(262)된 공정 챔버(110)와 RF 전원이 공급되는 정전척(220) 사이에 상당한 크기의 전위차가 발생하게 된다. 이러한 상태에서 가스공급부(125)를 통하여 반응 가스가 공정챔버(110) 내부로 노즐(125a)을 통하여 공급되면, 공정 챔버(110) 내부의 전위차로 공정가스의 이온화가 진행되어 공정가스의 양전하와 전자, 즉 플라즈마 가스층과 전자가 생성되게 된다.
상기 과정 수행 중에 상기 정전척(220)이 공급되는 전력에 의해서 고온화 되는 것을 방지하기 위해서 냉각 모듈(250)을 통해 적절한 온도를 유지하게 한다. 예를 들어, 상기 냉각 모듈(250)에 의해서 -10℃로 유지가 가능하다.
상기와 같이 냉각 모듈(250)에 의해 상기 정전척(220)이 저온을 유지하는 동안에, 상기 냉각 모듈(250)과 접할 수 있는 본체(210)로부터 상온과의 차이로 이슬이 형성되어 하부의 커넥터(230)로 물이 낙하할 수 있다. 상기 커넥터(230)와 케이블(234)의 연결 부위에 마련되는 밀봉 부재(233,233′)는 이러한 경우에 발생할 수 있는 아킹을 방지함으로써 상기 정전척(220)에 인가되는 전압을 균일하게 할 수 있는 방안을 제시한다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 캐소드 모듈은 밀봉 부재를 커넥터와 케이블의 연결 부위에 고정 설치함으로써 커넥터에 발생할 수 있는 아킹을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 궁극적으로 정전척에 인가되는 전압을 균일하게 유지할 수 있게 함으로써 공정 수율을 향상할 수 있게 한다.
그리고, 상기 커넥터나 케이블의 파손시에 캐소드 모듈을 해체함으로써 발생하는 시간적, 경제적 손실을 최소화할 수 있다.

Claims (5)

  1. 본체;
    상기 본체 상부에 배치되는 정전척;
    상기 본체에 설치되며 홀이 형성된 커넥터;
    상기 커넥터와 상기 정전척 사이를 연결하는 케이블; 및
    상기 홀을 통해 연결되는 상기 커넥터와 상기 케이블의 접속부를 밀봉시키는 밀봉 부재를 포함하는 캐소드 모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐소드 모듈.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는 상기 커넥터의 상단 및 상기 케이블의 외주면으로부터 각각 일정거리 이격되는 것을 특징으로 하는 캐소드 모듈.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는 오링인 것을 특징으로 하는 캐소드 모듈.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는 상기 커넥터의 상단 및 상기 홀의 외주면으로부터 각각 일정거리 이격되어 단차진 홈에 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 캐소드 모듈.
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