KR20070073388A - 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널 - Google Patents

표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20070073388A
KR20070073388A KR1020060001222A KR20060001222A KR20070073388A KR 20070073388 A KR20070073388 A KR 20070073388A KR 1020060001222 A KR1020060001222 A KR 1020060001222A KR 20060001222 A KR20060001222 A KR 20060001222A KR 20070073388 A KR20070073388 A KR 20070073388A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel
storage
opening pattern
gate
Prior art date
Application number
KR1020060001222A
Other languages
English (en)
Inventor
박정인
박정민
전우석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060001222A priority Critical patent/KR20070073388A/ko
Publication of KR20070073388A publication Critical patent/KR20070073388A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있는 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널이 개시된다. 표시 기판에는 제1 방향으로 연장된 게이트 배선들과 제2 방향으로 연장된 소스 배선들에 의해 화소부가 정의된다. 화소부에는 게이트 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 공통배선과, 스토리지 공통배선과 마주하고 소스 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 전극과, 소정의 개구 패턴이 형성된 화소 전극 및 스위칭 소자를 포함한다. 스위칭 소자의 드레인 전극은 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 연결부를 포함한다. 개구 패턴에 대응하는 표시 화면은 실질적으로 블랙을 나타내므로, 개구 패턴에 중첩되도록 연결부를 형성하므로써 연결부 형성으로 인한 추가적인 개구율 감소를 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.
개구 패턴, PVA 모드, 스토리지 전극, 스위칭 소자

Description

표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널{DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 표시 패널의 부분 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 표시 패널의 표시 기판을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 표시 패널의 공통 전극을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 표시 패널의 다른 실시예에 따른 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 표시 기판 110 : 제1 베이스 기판
120 : 게이트 전극 140 : 채널층
154 : 소스 전극 156 : 드레인 전극
162 : 스토리지 전극 180 : 화소 전극
182 : 제1 개구 패턴 200 : 액정층
300 : 대향 기판 310 : 제2 베이스 기판
330 : 공통 전극 332 : 제2 개구 패턴
본 발명은 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 화면의 휘도를 향상 시키기 위한 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)는 스위칭 소자(Thin Film Transistor)가 형성된 표시 기판 및 컬러 필터 기판(Color Filter Substrate) 사이에 주입되어 있는 이방성 유전율을 갖는 액정층에 전계(Electric Field)를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 기판에 투과되는 광의 양을 조절함으로써 원하는 화상 신호를 얻는 표시 장치이다.
상기 액정표시장치는 상기 액정층의 액정분자에 의해 차폐되지 않은 방향으로만 광이 투과되어 영상을 구현하기 때문에, 다른 표시장치들에 비해 상대적으로 시야각이 좁은 단점이 있다. 이에 따라 광시야각을 실현하기 위하여 VA( Vertically Alignment) 모드의 액정표시장치가 개발되었다.
상기 VA 모드의 액정표시장치는 대향하는 면에 수직 배향 처리된 2개의 기판과, 두 기판 사이에 밀봉된 네거티브 타입의 유전율 이방성(Negative type dielectric constant anisotropy)을 갖는 액정층으로 구성된다. 상기 액정층의 액정분자는 수직(homeotropic) 배향의 성질을 갖는다.
동작시, 두 기판 사이에 전압이 인가되지 않을 때에는 기판 표면에 대하여 대략 수직 방향으로 정렬되어 블랙(black)을 표시하고, 소정의 전압이 인가될 때에는 상기 기판 표면에 대략 수평 방향으로 정렬되어 화이트(white)를 표시하며, 상 기 화이트 표시를 위한 전압보다 작은 전압이 인가되었을 때에는 상기 기판 표면에 대하여 비스듬하게 경사지도록 배향되어 그레이(gray)를 표시한다.
한편, 상대적으로 작은 사이즈의 중소형 액정표시장치에서는 협시야각이나 계조 반전은 해결되어야 할 문제점이다. 이를 해결하기 위해 액정표시장치는 PVA(Patterned Vertically Alignment)모드를 채용한다. 상기 PVA 모드의 액정표시장치는 다중-도메인을 정의하기 위해 패턴된 공통 전극층을 갖는 컬러필터 기판과 패턴된 화소 전극층을 갖는 표시 기판을 포함한다.
액정 표시 장치가 패턴된 공통전극 층 및 화소 전극층을 가질 경우, 상기 패턴들에 의해 슬릿이 형성되어 상기 공통 전극과 화소 전극 사이에 왜곡된 전기장을 형성한다. 그러나, 상기 PVA 기술은 슬릿 상에 배치된 액정의 배열을 조절할 수 없어서 액정표시장치의 개구율이 감소한다. 이에 따라, 광 손실이 발생하여 표시 화면의 휘도가 감소하는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 표시 기판의 개구율을 향상 시키므로써 표시 화면의 휘도를 향상시키기 위한 표시 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 표시 기판을 갖는 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 표시 기판에는 제1 방향으로 연장된 게이트 배선들과 제2 방향으로 연장된 소스 배선들에 의해 화소부가 정의된다. 상기 화소부에는 스토리지 캐패시터와, 화소 전극 및 스위칭 소자가 형성된다. 상기 스토리지 캐패시터는 상기 게이트 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 공통배선 및 상기 스토리지 공통배선과 마주하고 상기 소스 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 전극을 포함한다. 상기 화소 전극은 소정의 개구 패턴이 형성된다. 상기 스위칭 소자는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 소스 배선과 연결된 소스 전극 및 상기 화소 전극과 연결된 드레인 전극을 포함한다. 상기 드레인 전극은 상기 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 연결부를 포함한다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 표시 패널은 표시 기판 및 대향 기판을 포함한다. 상기 표시 기판은 복수의 화소부들을 포함하고, 각 화소부에는 스위칭 소자와 연결되고 제1 개구패턴이 형성된 화소 전극과, 스토리지 공통배선 및 상기 스토리지 공통배선과 중첩되어 상기 스위칭 소자와 연결된 스토리지 전극이 형성된다. 상기 대향기판은 상기 표시 기판과 결합되어 액정층을 수용한다. 상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 제1 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 연결부를 포함한다.
이러한 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널에 의하면, 표시 화면에 실질적으로 블랙을 나타내는 개구 패턴에 대응하여 상기 연결부를 형성하므로써 연결부 형성으로 인한 추가적인 개구율 감소가 방지된다. 이에 따라, 표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한 다.
도 1은 본 발명에 따른 표시 패널의 부분 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 표시 패널(400)은 표시 기판(100)과, 액정층(200) 및 대향 기판(300)을 포함한다.
표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 배선(GL), 소스 배선(DL), 스위칭 소자(TFT), 스토리지 캐패시터(Cst), 패시베이션 막(170), 유기 절연막(172) 및 화소 전극(180)을 포함한다.
제1 베이스 기판(110)은 광이 투과될 수 있는 투명한 물질로 이루어진다. 일 예로, 제1 베이스 기판(110)은 유리로 이루어진다.
제1 베이스 기판(110) 상에는 제1 방향으로 연장된 복수의 게이트 배선(GL)들과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 소스 배선(DL)들이 형성된다. 상기 제1 베이스 기판(110)에는 상기 게이트 배선(GL)들과 소스 배선(DL)들에 의해 복수의 화소부(P)들이 정의된다.
상기 스위칭 소자(TFT)는 게이트 전극(120), 게이트 절연막(130), 소스 전극(154), 드레인 전극(156) 및 채널층(140)을 포함한다.
게이트 전극(120)은 제1 방향으로 연장된 게이트 배선(GL)과 연결되어 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 상기 게이트 전극(120)을 커버하도록 제1 베이스 기판(110) 위에 형성된다. 상기 게이트 절연막(130)은 일례로, 약 4500Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 소스 전극(154)은 상기 게이트 전극(120)의 상부에 형성되며, 제2 방향으로 연장된 소스 배선(DL)과 연결되어 형성된다. 상기 소스 전극은(154)은 일례로 알파벳 U- 자 형상으로 형성되며, 제1 패턴부(154a)와 제2 패턴부(154b)를 포함한다. 상기 U자 형상의 소스 전극(154)이 배치되는 방향은 필요에 따라 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 패턴부(154a)와 제2 패턴부(154b)가 상기 제1 방향으로 평행하게 배열될 수도 있고, 상기 제1 패턴부(154a)와 상기 제2 패턴부(154b)가 상기 제2 방향으로 나란히 배열될 수도 있다.
상기 드레인 전극(156)은 상기 소스 전극(154)으로부터 소정 간격 이격되어 상기 제1 및 제2 패턴부(154a, 154b) 사이에 배치된다. 상기 드레인 전극(156)은 상기 게이트 전극(120)과 중첩되는 전극부(156a) 및 상기 스토리지 캐패시터(Cst)의 스토리지 전극(162)과 상기 전극부(156a)를 연결시키는 연결부(156b)를 포함한다. 상기 연결부(156b)는 상기 전극부(156a)와 상기 스토리지 전극(162)을 연결시키기 위하여, 상기 화소부(P)를 가로 질러 형성되므로, 화소부(P)의 개구율을 감소시킬 수 있다.
따라서, 상기 드레인 전극(156)의 연결부(156b)는 개구율 감소를 방지할 수 있는 소정의 패턴을 갖도록 형성된다. 상기 연결부(156b)의 형상은 후술하도록 한다.
상기 게이트 전극(120)과, 상기 소스 및 드레인 전극(154,156) 사이에는 채널층(140)이 개재된다. 상기 채널층(140)은 반도체층(140a) 및 오믹 콘택층(140b)을 포함한다. 반도체 층(140a)은 비정질 실리콘(amorphous Silicon : 이하, a-Si) 으로 이루어질 수 있으며, 오믹 콘택층(140b)은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(이하, n+a-Si)으로 이루어질 수 있다.
상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 상기 화소부(P) 내에 형성되며, 스토리지 공통배선(STL)과 스토리지 전극(162)을 포함한다. 상기 스토리지 공통배선(STL)은 게이트 배선(GL)들 사이에서 상기 게이트 배선(GL)들과 동일한 제1 방향으로 연장되도록 형성되며, 상기 게이트 배선(GL)과 동일한 층에 동일한 물질로 동시에 형성된다.
스토리지 전극(162)은 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 상기 스토리지 공통배선(STL) 위에 형성되며, 상기 드레인 전극(156)으로부터 연장되어 형성된다. 상기 스토리지 전극(162)은 상기 소스 배선(DL), 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)과 동일한 물질로 동일한 층에 동시에 형성된다.
스토리지 공통배선(STL)에는 공통 전압이 인가되고, 상기 스토리지 공통배선(STL)과 마주하는 스토리지 전극(156)에는 상기 드레인 전극(156)에 인가된 화소 전압이 인가된다. 이에 의해 스토리지 캐패시터(Cst)에는 화소 전압이 충전되고 충전된 화소 전압을 한 프레임 동안 유지시킨다.
상기 패시베이션 막(170)은 소스 배선(DL)들 및 스위칭 소자(TFT)가 형성된 게이트 절연막(130) 상에 형성되어 소스 배선들(DL) 및 스위칭 소자(TFT)를 커버한다. 패시베이션 막(170)은 예를 들어, 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)으로 이루어질 수 있다.
상기 유기 절연막(172)은 상기 패시베이션 막(170) 위에 형성된다. 상기 유 기 절연막은 상기 스위칭 소자가 형성된 표시 기판을 평탄화 시킨다. 상기 패시베이션 막(170)과 상기 유기 절연막(172)에는 상기 스토리지 전극(162)의 일부를 노출시키는 콘택홀(174)이 형성된다.
상기 화소 전극(180)은 상기 패시베이션 막(170) 및 유기 절연막(172)에 형성된 콘택홀(174)을 통해 상기 드레인 전극(156)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(180)은, 광이 투과할 수 있는 투명한 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 화소 전극(180)은 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO)로 이루어진다.
상기 화소 전극(180)은 액정 캐패시터(CLC)의 제1 전극이며, 각각의 화소(P)에 대응하여 형성된다. 또한, 상기 화소 전극(180)은 일부 영역이 제거된 제1 개구 패턴(182)을 갖는다. 상기 제1 개구 패턴(182)은 각각의 화소(P)내에서 게이트 배선(GL)에 평행한 중심축을 기준으로 대략 거울 대칭되도록 45도의 각도를 갖고서 개구된 형상을 갖는다.
한편, 상기 표시 기판(100)과 대향하는 대향 기판(300)은 제2 베이스 기판(310)을 포함한다. 상기 제2 베이스 기판(310) 위에는 액정 캐패시터의 제2 전극인 공통 전극(330)이 형성되며, 상기 공통 전극(330)은 일부 영역이 제거된 제2 개구 패턴(332)을 갖는다. 상기 제2 개구 패턴(332)은 상기 각각의 화소(P) 내에서 상기 중심축을 기준으로 대략 거울 대칭되도록 45도의 각도로 개구된 형상이며, 상기 제2 개구 패턴(332)은 평면상에서 관찰할 때, 상기 제1 개구 패턴(182)과는 미중첩되도록 형성된다.
상기 제1 개구 패턴(182)과 상기 제2 개구 패턴(332)에 의해 상기 화소부(P)는 도메인으로 분할된다. 상기 액정층(200)은 각각의 도메인에서 서로 다른 방향으로 배열되므로, 광시야각을 구현할 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)이 형성된 영역은 액정층(200)의 배열을 조절할 수가 없다. 따라서, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)이 형성된 영역에는 실질적으로 광이 투과되지 않아 블랙(black)을 나타낸다.
이에 따라, 광이 투과되지 않는 상기 제1 개구 패턴(182) 또는 제2 개구 패턴에(332) 대응하여 상기 드레인 전극(156)의 연결부(156b)를 형성하므로써 액정표시패널의 개구율을 향상시킬 수 있다. 상기 연결부(156b)의 형상은 도 3 및 도 4에서 상세하게 후술하도록 한다.
한편, 상기 대향 기판(300)은 색화소를 정의하기 위한 컬러필터층(320)을 더 포함할 수 있다.
도 3은 도 1에 도시한 표시 패널의 표시 기판(100)을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 표시 패널의 공통 전극(330)을 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 기판(100) 위에는 소스 배선(DL)과, 게이트 배선(GL)에 의해 화소부(P)가 정의되고, 상기 각각의 화소부(P) 내에는 화소 전극(180) 이 형성된다. 상기 화소 전극(180)에는 제1 개구 패턴(182)이 형성된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도 4에 도시된 공통 전극(330)은 도 3에 도시된 화소 전극(180)과 마주보도록 배치된다. 상기 공통 전극(330)에는 상기 화소 전극(180)에 형성된 제1 개구 패턴(182)과 미중첩 되도록 상기 각각의 화소부(P)에 대 응하여 제2 개구 패턴(332)이 형성된다.
상기 화소 전극(180)과 공통 전극(330)에 전압이 인가되면, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)에 의해 상기 화소부(P) 내에는 여러개의 도메인이 형성된다. 상기 화소 전극(180)이 형성된 표시 기판(100)과 상기 공통 전극(330)이 형성된 대향 기판 사이에 주입된 액정층(미도시)은 각각의 도메인에서 서로 다른 방향으로 배열되므로, 광시야각을 구현할 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)이 형성된 영역에서는 액정층(미도시)의 배열을 조절할 수가 없으므로 실질적으로 블랙(BLACK)을 나타낸다.
한편, 상기 화소부(P)내에는 스위칭 소자(TFT) 및 스토리지 캐패시터(Cst)가 더 형성된다.
상기 스위칭 소자(TFT)는 게이트 전극(120), 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)을 포함한다. 상기 소스 전극(154)은 상기 소스 배선(DL)으로부터 연결되어 형성된다. 상기 소스 전극(154)은, 일례로서 알파벳 U-자 형상으로 형성되며, 제1 패턴부(154a)와 제2 패턴부(154b)를 포함한다. 상기 U-자 형상의 소스 전극(154)은 필요에 따라 배치 방향을 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 패턴부(154a)와 상기 제2 패턴부(154b)는 상기 소스 배선(DL)과 평행하게 배치된다.
상기 드레인 전극(156)은 상기 제1 패턴부(154a) 및 제2 패턴부(154b) 사이에서 상기 게이트 전극(120)과 중첩되는 전극부(156a) 및 상기 스토리지 캐패시터(Cst)의 스토리지 전극(162)과 상기 전극부(156a)를 연결시키는 연결부(156b)를 포함한다. 이때, 상기 연결부(156b)는 상기 제1 개구 패턴(182)또는 제2 개구 패턴 (332)이 형성되어 실질적으로 블랙을 나타내는 영역에 대응하여 패터닝 된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)들로 인해 광손실이 발생하는 표시 패널에서, 상기 연결부(156b)의 형성으로 인한 추가적인 광 손실을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 표시 패널의 다른 실시예에 따른 평면도이다.
도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 표시 패널은 표시 기판에 형성된 스위칭 소자의 형상만 다를 뿐 다른 구성 요소는 도 1에 도시한 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서 동일한 구성요소에는 동일한 도면 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 5를 참조하면, 표시 기판 위에는 소스 배선(DL)과, 게이트 배선(GL)에 의해 화소부(P)가 정의되고, 상기 각각의 화소부(P) 내에는 화소 전극(180)이 형성된다. 상기 화소 전극에는 제1 개구 패턴(182)이 형성된다.
상기 화소 전극(180)과 마주보도록 형성된 대향 기판의 공통 전극에는 상기 화소 전극(180)에 형성된 제1 개구 패턴(182)과 미중첩 되는 제2 개구 패턴(332)이 형성된다. 상기 화소 전극(180)과 상기 공통 전극(330)에 전압이 인가되면, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)에 의해 상기 화소부(P) 내에는 여러개의 도메인이 형성된다. 상기 화소 전극(180)이 형성된 표시 기판과 상기 공통 전극(330)이 형성된 대향 기판 사이에 주입된 액정층(미도시)은 각각의 도메인에서 서로 다른 방향으로 배열되므로, 광시야각을 구현할 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)이 형성된 영역은 액정층의 배열을 조절할 수가 없으므로 실질적으로 블 랙(BLACK)을 나타낸다.
한편, 상기 각각의 화소부(P) 내에는 스위칭 소자(TFT) 및 스토리지 전극(162)이 형성된다. 상기 스위칭 소자(TFT)는 게이트 전극(120), 소스 전극(154) 및 드레인 전극(156)을 포함한다. 상기 게이트 전극(120)은 게이트 배선(GL)으로부터 연결되어 형성되고, 상기 소스 전극(154)은 소스 배선(DL)으로부터 연결되어 형성된다.
상기 소스 전극(154)은 일례로써, 알파벳 U-자 형상으로 형성되며, 제1 패턴부(154a)와 제2 패턴부(154b)를 포함한다. 상기 제1 패턴부(154a) 및 제2 패턴부(154b)는 게이트 배선(GL)의 배열 방향과 평행하게 배치된다.
상기 드레인 전극(156)은 상기 제1 패턴부(154a) 및 제2 패턴부(154b) 사이에서 상기 게이트 전극(120) 위에 형성되는 전극부(156a) 및 상기 스토리지 캐패시터(Cst)의 스토리지 전극(162)과 상기 전극부(156a)를 연결시키는 연결부(156b)를 포함한다. 이때, 상기 연결부(156b)는 상기 제1 개구 패턴(182) 또는 제2 개구 패턴(332)에 대응하여 동일한 형상으로 패터닝 된다. 따라서, 실질적으로 블랙을 나타내는 제1 및 제2 개구 패턴(182,332)들로 인해 광손실이 발생하는 표시 패널에서, 상기 연결부(156b)의 형성으로 인한 추가적인 광 손실을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 스위칭 소자의 드레인 전극은 게이트 전극 위에 형성되는 전극부 및 전극부와 스토리지 전극을 연결시키는 연 결부를 포함한다. 연결부는 화소 전극 또는 공통 전극에 형성된 개구 패턴들과 중첩되도록 형성된다. 개구 패턴에 대응하는 액정층은 표시 화면 상에 블랙을 나타내도록 배열되므로, 개구 패턴에 중첩되도록 연결부를 형성하므로써 연결부 형성으로 인한 추가적인 개구율 감소를 방지 할 수 있다. 이에 따라, 표시 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 제1 방향으로 연장된 게이트 배선들과 제2 방향으로 연장된 소스 배선들에 의해 정의된 화소부;
    상기 화소부에 형성되고, 상기 게이트 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 공통배선과, 상기 스토리지 공통배선과 마주하고 상기 소스 배선들과 동일층으로 형성된 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 캐패시터;
    상기 화소부에 형성되고, 소정의 개구 패턴이 형성된 화소 전극; 및
    상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 소스 배선과 연결된 소스 전극 및 상기 화소 전극과 연결된 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 포함하며,
    상기 드레인 전극은 상기 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스토리지 전극과 상기 드레인 전극은 동일층으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스위칭 소자와 화소 전극 사이에 개재된 유기 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유기 절연막에는 상기 스토리지 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결시키는 콘택홀이 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  5. 복수의 화소부들을 포함하고, 각 화소부에는 스위칭 소자와 연결되고 제1 개구패턴이 형성된 화소 전극과, 스토리지 공통배선 및 상기 스토리지 공통배선과 중첩되어 상기 스위칭 소자와 연결된 스토리지 전극이 형성된 표시 기판; 및
    상기 표시 기판과 결합되어 액정층을 수용하는 대향기판을 포함하며,
    상기 스위칭 소자의 드레인 전극은 상기 제1 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 대향 기판은 제2 개구 패턴이 형성된 공통전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 드레인 전극의 연결부는 상기 제2 개구 패턴과 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제5항에 있어서, 상기 스토리지 전극과 상기 드레인 전극은 동일층으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
KR1020060001222A 2006-01-05 2006-01-05 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널 KR20070073388A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060001222A KR20070073388A (ko) 2006-01-05 2006-01-05 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060001222A KR20070073388A (ko) 2006-01-05 2006-01-05 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070073388A true KR20070073388A (ko) 2007-07-10

Family

ID=38507998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060001222A KR20070073388A (ko) 2006-01-05 2006-01-05 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070073388A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9274391B2 (en) Liquid crystal display device
KR101101021B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20110101894A (ko) 액정 표시 장치
KR101298424B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 타입의 액정표시장치
KR20150066973A (ko) 액정 표시 장치
KR20090024031A (ko) 표시 장치
US7782415B2 (en) Active matrix subtrate, liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
KR20110041139A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101101007B1 (ko) 액정표시장치
US8773604B2 (en) Horizontal electric field type liquid crystal display wherein a pixel common electrode is contacted with a common electrode pattern in a non-display pixel area where a width of a gate line narrows
KR20120130582A (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20080050704A (ko) 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
US20080246898A1 (en) Liquid crystal display panel and active matrix substrate thereof
KR102294632B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20070073171A (ko) 표시 기판 및 이를 갖는 액정 표시 패널
KR20090039216A (ko) 액정표시소자
KR20070073388A (ko) 표시 기판 및 이를 갖는 표시 패널
KR20140122619A (ko) 액정 표시 장치
US8902146B2 (en) Array substrate and display panel having the same
US11003031B2 (en) Display apparatus
KR20090000948A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 패널
KR20080024762A (ko) 액정표시장치
KR100910554B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치
KR20050078761A (ko) 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR20050076402A (ko) 액정 표시 장치 및 이를 위한 박막 트랜지스터 표시판

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination