KR20070071286A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20070071286A
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박병호
남철
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시소자는, 기판 위에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선; 상기 기판 위에 형성된 게이트전극; 상기 기판 위에 형성된 게이트절연층; 상기 게이트전극 위에 형성된 활성층패턴; 상기 활성층패턴 위에 형성되고, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극; 상기 소스 및 드레인전극 위에 형성되고, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝된 보호층; 및 상기 게이트절연층 위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
액정표시소자, 개구율, 리프트 오프, 사진식각기술, 광전류

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD}
도 1은 종래의 액정표시소자를 나타내는 평면도
도 2는 종래의 액정표시소자를 나타내는 단면도(도 1의 A-A'절단면)
도 3a ~ 도 3d는 종래의 액정표시소자의 제조과정을 나타내는 단면도
도 4는 본 발명의 액정표시소자를 나타내는 평면도
도 5는 본 발명의 제 1실시예를 나타내는 단면도(도 4의 A-A' 절단면)
도 6은 본 발명의 제 2실시예를 나타내는 단면도(도 4의 A-A' 절단면)
도 7a ~ 도 7g는 본 발명의 제 1실시예의 제조과정을 나타내는 단면도
도 8a ~ 도 8g는 본 발명의 제 2실시예의 제조과정을 나타내는 단면도
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
203 : 게이트전극
205a, 212b : 게이트패드, 데이터패드
207 : 게이트절연층
209 : 활성층패턴
211a, 211b : 소스 및 드레인전극
213 : 보호층
215 : 화소전극
본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 고개구율을 유지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 더 강조되고 있으며, 여러 가지 종류의 경쟁력 있는 디스플레이소자들이 많이 개발 되어지고 있다. 그러한 여러 가지 종류의 디스플레이소자 중에서 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.
현재 평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display)의 주력 제품인 액정표시소자(LCD: Liquid Crystal Display)는 디스플레이의 이러한 조건들을 만족시킬 수 있는 성능뿐만 아니라 양산성까지 갖추었기 때문에, TV나 자동차용 네비게이션시스템 등 여러 응용분야에 널리 사용되고 있으며, 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube; CRT)이 지배하고 있던 시장을 대체할 수 있는 핵심 디스플레이소자로서 자리 잡고 있다.
액정표시소자는 박막트랜지스터 어레이 기판이라고 불리우는 상판과, 컬러필터 기판이라고 불리우는 하판과, 그 사이에 충진된 액정으로 구성되는 액정패널을 포함한다.
이때, 상기 상판에는 종횡으로 N×M개의 화소가 배열되며, 각 단위화소에는 화상신호를 전달하는 박막트랜지스터와 전계를 형성하기 위한 화소전극이 형성되어 있다. 그리고 상기 하판에는 컬러필터 패턴과 블랙매트릭스 등이 형성되어 있으며, 수평직전계방식의 경우에는 상기 화소전극에 대응하는 공통전극이 형성된다.
상기 상판과 하판 사이에 충진된 액정은 광이방특성을 가지는 물질로써, 상기 화소전극과 공통전극 사이에 형성된 전계에 따라 배열을 달리하여, 빛의 편광특성에 따른 투과율 변화를 발생시키게 된다.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여 일반적인 액정표시소자의 구조에 대하여 자세히 살펴본다.
도 1은 종래기술에 따른 액정표시소자를 구성하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종횡으로 N×M개의 화소가 배열되는 박막트랜지스터 액정표시소자의 각 단위화소는, 외부의 드라이브 IC로부터 게이트신호가 인가되는 게이트배선(102), 데이터신호가 인가되는 데이터배선(108), 및 상기 게이트배선(102)과 데이터배선(108)의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터를 포함한다.
이때 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트배선(102)과 연결된 게이트전극(103)과, 상기 게이트전극(103) 위에 형성되어 게이트전극(103)에 게이트신호가 인가됨에 따라 활성화되는 활성층패턴(107)과, 상기 활성층패턴(107) 위에 형성된 소스전극(109a) 및 드레인전극(109b)으로 구성된다.
또한, 상기 화소의 표시영역에는 상기 소스전극(109a) 및 드레인전극(109b)과 연결되어 활성층패턴(107)이 활성화됨에 따라 상기 소스전극(109a) 및 드레인전 극(109b)을 통해 화상신호가 인가되어 액정(도면에 미도시)을 동작시키는 화소전극(113)이 형성되어 있다.
도 2는 도 1의 A-A' 선의 단면도로서, 상기 도면을 참조하여 종래기술에 따른 액정표시소자의 단면 구조를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판에 금속층으로 이루어진 게이트전극(103)이 형성된다. 그리고 상기 게이트전극(103)을 포함하는 기판 위에 게이트절연층(105)이 형성되고, 상기 게이트절연층(105) 위에 섬 형태로 패터닝된 활성층패턴(107)이 형성되며, 상기 활성층패턴(107)과 소정의 형태로 중첩되는 소스 및 드레인전극(109a, 109b)이 형성된다. 그리고 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 활성층패턴(107)과 소스 및 드레인전극(109a, 109b) 사이에는 오믹컨택층(미도시)이 개재될 수 있다. 이어서 상기 소스 및 드레인전극(109a, 109b)을 포함하는 기판 위에 보호층(111)이 형성되며, 상기 보호층(111)에 형성된 콘택트홀(도 1의 110)을 통하여 드레인전극(109b)과 접속되는 화소전극(113)이 보호층(111) 위에 형성된다. 이때, 상기 화소전극(113)은 백라이트에서 발생한 빛을 액정층으로 투과시켜야 하므로, 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)나 틴 옥사이드(tin oxide)와 같은 투명도전층으로 이루어진다. 이로써 박막트랜지스터 어레이 기판의 구조가 완성된다.
다음으로 상기의 액정표시소자의 제조방법을 도 3a ~ 도 3e를 참조하여 살펴본다.
첫 번째 단계의 공정으로, 도 3a에 도시된 바와 같이 기판(101) 위에 금속층을 형성하고 사진식각기술을 이용하여 게이트전극(103)을 형성한다.
다음 단계의 공정으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 게이트전극(103)을 포함하는 기판(101) 위에 게이트절연층(105), 활성층패턴(107) 및 소스/드레인전극(109a, 109b)을 차례로 형성한다. 상기 공정은 게이트절연층(105) 위에 증착된 활성층 및 금속층을 사진식각기술을 이용하여 패터닝함으로서 이루어지며, 이때 하프톤마스크나 회절마스크를 사용하여 한 번의 사진식각기술을 적용하여 진행할 수 있다.
그러나, 상기 공정에서는 금속층의 패터닝시에는 습식식각방법이 사용되고, 활성층의 패터닝시에는 건식식각방법이 사용된다, 따라서, 습식식각방법은 등방성식각 특성을 가지고 있으므로, 금속층패턴의 크기가 하부의 활성층패턴의 크기보다 작아지는 문제점을 가지고 있다. 아래의 제조방법의 설명에서 다시 언급되겠지만, 상기 특징은 개구율 감소와 광전류 증가로 이어지는 문제점을 가지고 있다.
상기 공정을 통하여 게이트전극(103), 활성층패턴(107), 소스전극(109a) 및 드레인전극(109b)으로 구성된 박막트랜지스터가 완성된다.
다음 단계의 공정으로, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 소스 및 드레인전극(109a, 109b)을 포함하는 기판 위에 보호층(111)을 형성하고, 사진식각기술을 이용하여 드레인전극(109b)의 일부가 노출되도록 콘택트홀(110)을 형성한다.
마지막 단계의 공정으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 콘택트홀(도 3c의 110)이 형성된 보호층(111) 위에 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)나 틴 옥사이드(tin oxide)와 같은 투명도전층을 증착하고, 사진식각기술을 이용하여 화소영역에 화소전극(113)을 형성한다. 상기 화소전극(113)은 보호층(111)에 형성된 콘택트 홀(도 3c의 110)을 통하여 드레인전극(109b)과 접속된다.
한편, 도면에는 도시되지 않았지만 컬러필터패턴과 블랙매트릭스 등이 형성된 컬러필터 기판을 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 합착한 후, 그 사이에 액정층을 채워서 액정패널을 제작한다. 그리고 상기 액정패널은 백라이트 장치 및 구동부와 결합하여 하나의 액정표시소자가 완성된다.
상기에서 설명한 바와 같이, 종래기술에 따른 액정표시소자를 구성하는 박막트랜지스터 어레이 기판은, 데이터배선 및 소스/드레인전극과 활성층을 동시에 패터닝하게 되므로 상기 데이터 배선 및 소스/드레인전극의 면적보다 활성층패턴의 면적이 넓어지게 된다. 이는 액정표시소자의 개구율을 감소시키고, 활성층패턴의 면적 증가로 인하여 광전류가 증가하여 화질이 저하되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 활성층패턴과 소스/드레인전극의 형성공정을 별도의 포토마스크를 사용하여 진행하여 상기 두 패턴 간의 면적 차이로 인한 개구율 감소와 광전류 증가를 방지하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 상기와 같이 활성층패턴과 소스/드레인전극 형성공정에서 별도의 포토마스크를 사용하여 전체적인 사진식각기술의 공정 수가 증가하는 것을 방지하기 위하여 보호층 형성과 화소전극 형성을 하나의 포토마스크를 사용하여 동시에 진행하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는, 기판 위에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선; 상기 기판 위에 형성된 게이트전극; 상기 기판 위에 형성된 게이트절연층; 상기 게이트전극 위에 형성된 활성층패턴; 상기 활성층패턴 위에 형성되고, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극; 상기 소스 및 드레인전극 위에 형성되고, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝된 보호층; 및 상기 게이트절연층 위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 이루어진다.
도 4을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자의 평면구조에 대하여 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액정표시소자를 구성하는 각 단위화소는, 외부의 드라이브 IC로부터 게이트신호가 인가되는 게이트배선(202), 데이터신호가 인가되는 데이터배선(210), 및 상기 게이트배선(202)과 데이터배선(210)의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터를 포함한다.
이때 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트배선(202)과 연결된 게이트전극(203)과, 상기 게이트전극(203) 위에 형성되어 게이트전극(203)에 게이트신호가 인가됨에 따라 활성화되는 활성층패턴(209)과, 상기 활성층패턴(209) 위에 형성된 소스전극(211a) 및 드레인전극(211b)으로 구성된다.
또한, 상기 화소의 표시영역에는 상기 소스전극(211a) 및 드레인전극(211b)과 연결되어 활성층패턴(209)이 활성화됨에 따라 상기 소스전극(211a) 및 드레인전 극(211b)을 통해 화상신호가 인가되어 액정(도면에 미도시)을 동작시키는 화소전극(215)이 형성되어 있다.
이때, 종래기술과 차별화되는 본 발명의 특징은 데이터배선(210) 및 소스/드레인전극(211a, 211b)이 하부의 활성층패턴(209)과 일치하도록 패터닝되어 있다는 것이다. 상기 특징에 의하여 개구율 감소가 억제되고, 광전류의 증가도 방지되어 보다 우수한 화질을 구현할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 특징은 도 4의 A-A' 단면도인 도 5와 도 6에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 1, 제 2실시예에 의하여 구현될 수 있다.
먼저 본 발명의 제 1실시예를 살펴보면, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(201) 위에 게이트전극(203)이 형성되어 있고, 상기 게이트전극(203) 위에 게이트절연층(207)이 형성되어 있다. 상기 게이트절연층(207) 위에는 활성층패턴(209)과 소스/드레인전극(211a, 211b)이 형성되어 있는데, 이때 활성층패턴(209)의 단부와 소스/드레인전극(211a, 211b)의 단부가 일치하는 것을 알 수 있다. 그리고, 상기 소스/드레인전극(211a, 211b)을 포함하는 기판에 보호층(213)이 형성되어 있고, 상기 보호층(213)은 드레인전극(211b)의 일부와 광투과영역이 노출되도록 패터닝되어 있다. 상기 드레인전극(211b)의 일부와 광투과영역에는 화소전극(215)이 형성되어 있는데, 상기 화소전극(215)은 상기 패터닝된 보호층(213)에 의하여 노출된 드레인전극(211b)과 접속된다. 그리고 기판의 외곽영역에는 게이트패드(205a) 및 데이터패드(205b)가 형성되어 있고, 그 상부에는 각각 게이트패드 상부전극(205b)과 데이터패드 상부전극(205b)이 형성되어 있다.
다음으로 본 발명의 제 2실시예를 살펴보면, 도 6에 도시된 바와 같이, 다른 부분의 구성은 제 1실시예와 동일하지만, 게이트절연층(207)이 패터닝되어 광투과영역을 노출시키고 있다.
이어서, 상기 제 1, 제 2실시예의 제조방법에 대하여 도 7a ~ 도 7g와 도 8a ~ 도 8g를 참조하여 설명한다.
먼저 제 1실시예의 제조방법에 대하여 도 7a ~ 도 7g를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
첫 번째 단계의 공정으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, 유리판과 같은 절연기판 위에 사진식각기술을 이용하여 금속층으로 이루어진 게이트전극(203)과 게이트패드(205a)를 형성한다.
다음 단계의 공정으로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(203)을 포함하는 기판 위에 산화실리콘이나 질화실리콘으로 이루어진 게이트절연층(207)을 형성하고, 그 위에 비정질실리콘으로 이루어진 활성층패턴(209)을 형성한다. 이때, 사진식각기술이 이용된다.
다음 단계의 공정으로, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 활성층패턴(209)과 소정의 영역이 중첩되도록 소스/드레인전극(211a, 211b)을 형성한다. 이때, 사진식각기술이 사용되며 상기 활성층패턴(209)의 단부와 소스/드레인전극(211a, 211b)의 단부가 일치하도록 하여야 한다. 그리고 기판 외곽의 패드부에는 데이터패드(212a)가 형성된다.
다음 단계의 공정으로, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 기판 전면에 보호층(213)을 형성한다.
다음 단계의 공정으로, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 보호층 위에 포토리지스트(217a)를 형성하고 사진식각기술을 이용하여 패터닝한다. 상기 패터닝은 하프톤마스크를 사용하여 진행되며, 게이트패드(205a)영역은 오픈되고, 데이터패드(212a) 및 드레인전극(211b)의 일부와 광투과영역에는 낮은 두께의 포토리지스트가 형성되고, 나머지 영역에는 높은 두께의 포토리지스트가 형성된다.
다음 단계의 공정으로, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 포토리지스트 패턴(도 7e의 217a)으로 먼저 게이트패드(205a) 위에 형성된 보호층(213)과 게이트절연층(207)을 제거한 후, 부분에싱으로 데이터패드(212a) 및 드레인전극(211b)의 일부와 광투과영역의 포토리지스트를 제거하고 하부의 보호층(213)을 제거한다. 그리고 상기 과정 후에 남은 포토리지스트(217b)를 완전히 제거하기 전에 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같은 투명도전성 물질(215a)을 증착한다.
마지막 단계의 공정으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 포토리지스트(도 7f의 217b)를 스트립하여 화소전극(215)과 게이트전패드 및 데이터패드의 상부전극(205b, 212b)을 형성한다. 상기 공정은 리프트 오프(lift-off)라고 불리우는 공정으로써 사진식각기술을 추가로 적용하지 아니하고 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같은 투명도전성 물질(도 7f의 215a)을 패터닝하는 것이 가능하다.
상기와 같은 방법으로 액정표시소자를 구성하는 박막트랜지스터 어레이 기판을 제작하면, 게이트전극 형성단계, 활성층패턴 형성단계, 소스/드레인전극 형성단 계 및 화소전극 형성단계에서 각각 한번씩의 사진식각기술을 적용하여 총 4번의 사진식각기술을 적용하여 박막트랜지스터 어레이 기판을 제작할 수 있다.
그리고, 상기 방법에 의하여 제작된 액정표시소자는 활성층패턴의 단부와 소스/드레인전극의 단부가 일치하도록 패터닝하는 것이 가능하므로, 종래기술의 문제점이었던 개구율 감소 및 광전류 증가의 문제점을 해결할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 2실시예의 제조방법에 대하여 도 8a ~ 도 8g를 참조하여 살펴본다.
도 8a ~ 도 8d에 도시된 바와 같이 게이트전극(203) 형성단계, 활성층패턴(209) 형성단계, 소스/드레인전극(211a, 211b) 형성단계 및 보호층(213) 형성단계까지는 앞서 설명한 제 1실시예와 동일하여 생략한다.
상기 공정에 이어서, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(213) 위에 포토리지스트 패턴(219a)을 형성한다. 상기 포토리지스트 패턴(219a)은 제 1실시예와 다르게 하프톤마스크가 아닌 광차단영역과 투과영역만으로 구성된 일반적인 포토마스크를 사용하여 형성하는 것이 제 1실시예와 다른 점이다. 이때, 상기 포토리지스트 패턴(219a)은 게이트패드(205a) 영역, 데이터패드(212a) 영역 및 드레인전극(211b)의 일부와 광투과영역이 오픈되어 형성된다.
다음 단계의 공정으로, 도 8f에 도시된 바와 같이, 상기 포토리지스트 패턴(도 8e의 219a)을 이용하여 보호층(213)과 게이트절연층(207)을 제거한 후, 그 위에 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같은 투명도전성 물질(215a)을 형성한다.
마지막 단계의 공정으로, 도 8g에 도시된 바와 같이, 리프트 오프(lift-off) 방법을 사용하여 화소전극(215)과 게이트전패드 및 데이터패드의 상부전극(205b, 212b)을 형성한다.
상기와 같이, 제 2실시예의 액정표시소자는 광투과영역의 게이트절연층이 제거되었다는 점에서 제 1실시예와 차이점이 있으며, 제 1실시예에서의 유리한 효과이었던 개구율 확보나 광전류 감소의 효과는 그대로 유지할 수 있다. 또한 제 2실시예에서는 제 1실시예에서 사용한 하프톤마스크를 사용하지 않으므로, 공정안정성 증가 및 포토마스크 제작비용이 절감되는 효과를 가질 수 있다. 반면에 기판 위에 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같은 투명도전층이 직접 접촉하며 형성되므로 구조의 안정성 측면에서 제 1실시예보다 불리한 점을 가지고 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시소자는 활성층패턴 형성과정과 소스/드레인전극 형성과정에서 별도의 사진식각기술을 적용하므로, 활성층패턴의 단부와 일치하도록 소스/드레인전극을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 구조의 특성에 의하여 액정표시소자의 개구율 감소를 방지할 수 있고, 백라이트에서 발생한 빛에 의한 광전류의 발생을 억제할 수 있는 유리한 효과가 있다.
또한 본 발명의 액정표시소자 제조방법은 보호층 형성과정과 화소전극 형성 과정에서 리프트 오프(lift-off) 방법을 사용하여, 한 번의 사진식각기술을 적용하여 보호층과 화소전극을 형성하므로 종래기술에서 사용되던 4번의 사진식각기술을 적용하여 액정표시소자를 제조하는 것이 가능하다.

Claims (7)

  1. 기판 위에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선;
    상기 기판 위에 형성된 게이트전극;
    상기 기판 위에 형성된 게이트절연층;
    상기 게이트전극 위에 형성된 활성층패턴;
    상기 활성층패턴 위에 형성되고, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극;
    상기 소스 및 드레인전극 위에 형성되고, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝된 보호층; 및
    상기 게이트절연층 위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 이루어지는 액정표시소자.
  2. 기판 위에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선;
    상기 기판 위에 형성된 게이트전극;
    상기 기판 위에 형성되고, 광투과영역이 노출되도록 패터닝된 게이트절연층;
    상기 게이트전극 위에 형성된 활성층패턴;
    상기 활성층패턴 위에 형성되고, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극;
    상기 소스 및 드레인전극 위에 형성되고, 드레인전극의 일부 및 광투과영역 이 노출되도록 패터닝된 보호층; 및
    상기 기판 위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 이루어지는 액정표시소자.
  3. 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극 위에 게이트절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연층 위에 활성층을 형성하고 패터닝하여 활성층패턴을 형성하는 단계;
    상기 활성층 패턴 위에, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계;
    상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 보호층을, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝하는 단계;
    상기 보호층을 포함하는 기판 전면에 투명도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 투명도전층을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
  4. 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극 위에 게이트절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연층 위에 활성층을 형성하고 패터닝하여 활성층패턴을 형성하 는 단계;
    상기 활성층패턴 위에, 상기 활성층패턴의 단부에 일치한 형태로 패터닝된 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계;
    상기 소스 및 드레인전극 위에, 보호층을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연층과 보호층을, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝하는 단계;
    상기 보호층을 포함하는 기판 전면에 투명도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 투명도전층을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 투명도전층을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계는,
    리프트 오프(lift-off)에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 게이트절연층과 보호층을, 드레인전극의 일부 및 광투과영역이 노출되도록 패터닝하는 단계는,
    하프톤마스크에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 하프톤마스크는,
    게이트패드영역이 투과영역으로 구성되고, 드레인전극의 일부와 광투과영역과 데이터패드영역은 반투과영역으로 구성되며, 나머지 영역은 광차단영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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